切削後蓋的控制方法、裝置及切削設備與流程
2023-06-28 14:34:34 4

本公開涉及天線技術領域,尤其涉及切削後蓋的控制方法、裝置及切削設備。
背景技術:
目前,陶瓷後蓋由於其硬度高、耐磨損、外觀高亮、平整、美觀等特點正受到越來越多手機等終端廠商的青睞。但眾所周知,陶瓷後蓋加工良率極低,其中,一個比較重要的原因就是陶瓷後蓋成分複雜,介電常數難以做到一致,因此,這嚴重影響了使用陶瓷後蓋的終端的天線的性能。
技術實現要素:
本公開實施例提供了切削後蓋的控制方法、裝置及切削設備。所述技術方案如下:
根據本公開實施例的第一方面,提供一種切削後蓋的控制方法,包括:
確定待測試天線的當前諧振頻率;
根據所述當前諧振頻率和預設諧振頻率,確定將安裝所述待測試天線的終端所使用的後蓋的切削量施加至第一目標切削量,其中,所述後蓋的初始厚度大於所述預設諧振頻率對應的預設厚度;
根據所述第一目標切削量將所述後蓋的厚度進行切削。
在一個實施例中,所述根據所述當前諧振頻率和預設諧振頻率,確定將安裝所述待測試天線的終端所使用的後蓋的切削量施加至第一目標切削量,包括:
根據所述當前諧振頻率和所述預設諧振頻率,確定所述預設諧振頻率和所述當前諧振頻率之間的當前諧振頻率差值;
當所述當前諧振頻率差值大於預設諧振頻率差值時,根據諧振頻率差值與後蓋切削量之間的預設對應關係和所述當前諧振頻率差值,確定在所述初始厚度下需要施加的所述第一目標切削量。
在一個實施例中,所述確定待測試天線的當前諧振頻率,包括:
向所述待測試天線的輸入端發射測試電磁波,以獲得所述輸入端的回波損耗;
根據所述回波損耗,確定所述當前諧振頻率。
在一個實施例中,根據所述回波損耗,確定所述當前諧振頻率,包括:
當所述回波損耗包括多個時,確定多個所述回波損耗中最小回波損耗對應的電磁波頻率;
將所述最小回波損耗對應的電磁波頻率確定為所述當前諧振頻率。
在一個實施例中,所述後蓋包括陶瓷後蓋,且在確定所述待測試天線的當前諧振頻率時,所述陶瓷後蓋放置於所述待測試天線的上空,用於遮擋所述待測試天線;
所述待測試天線包括:平面天線。
在一個實施例中,所述陶瓷後蓋的下底面與所述待測試天線之間的高度不大於預設高度。
在一個實施例中,所述根據所述第一目標切削量將所述後蓋的厚度進行切削,包括:
根據所述第一目標切削量和預設切削量閾值,將所述後蓋的厚度切削第二目標切削量,其中,所述第二目標切削量等於所述第一目標切削量與所述預設切削量閾值的差值。
在一個實施例中,所述根據所述第一目標切削量將所述後蓋的厚度進行切削,包括:
根據所述第一目標切削量將所述後蓋上與所述待測試天線對應的預設區域的厚度進行切削。
根據本公開實施例的第二方面,提供一種切削後蓋的控制裝置,包括:
確定模塊,用於確定待測試天線的當前諧振頻率;
處理模塊,用於根據所述當前諧振頻率和預設諧振頻率,確定將安裝所述待測試天線的終端所使用的後蓋的切削量施加至第一目標切削量,其中,所述後蓋的初始厚度大於所述預設諧振頻率對應的預設厚度;
切削模塊,用於根據所述第一目標切削量將所述後蓋的厚度進行切削。
在一個實施例中,所述處理模塊包括:
第一確定子模塊,用於根據所述當前諧振頻率和所述預設諧振頻率,確定所述預設諧振頻率和所述當前諧振頻率之間的當前諧振頻率差值;
第二確定子模塊,用於當所述當前諧振頻率差值大於預設諧振頻率差值時,根據諧振頻率差值與後蓋切削量之間的預設對應關係和所述當前諧振頻率差值,確定在所述初始厚度下需要施加的所述第一目標切削量。
在一個實施例中,所述確定模塊包括:
發射子模塊,用於向所述待測試天線的輸入端發射測試電磁波,以獲得所述輸入端的回波損耗;
第三確定子模塊,用於根據所述回波損耗,確定所述當前諧振頻率。
在一個實施例中,所述第三確定子模塊包括:
第一確定單元,用於當所述回波損耗包括多個時,確定多個所述回波損耗中最小回波損耗對應的電磁波頻率;
第二確定單元,用於將所述最小回波損耗對應的電磁波頻率確定為所述當前諧振頻率。
在一個實施例中,所述後蓋包括陶瓷後蓋,且在確定所述待測試天線的當前諧振頻率時,所述陶瓷後蓋放置於所述待測試天線的上空,用於遮擋所述待測試天線;
所述待測試天線包括:平面天線。
在一個實施例中,所述陶瓷後蓋的下底面與所述待測試天線之間的高度不大於預設高度。
在一個實施例中,所述切削模塊包括:
第一切削子模塊,用於根據所述第一目標切削量和預設切削量閾值,將所述後蓋的厚度切削第二目標切削量,其中,所述第二目標切削量等於所述第一目標切削量與所述預設切削量閾值的差值。
在一個實施例中,所述切削模塊包括:
第二切削子模塊,用於根據所述第一目標切削量將所述後蓋上與所述待測試天線對應的預設區域的厚度進行切削。
根據本公開實施例的第三方面,提供一種切削設備,包括:如上述技術方案中任一項所述的切削後蓋的控制裝置。
根據本公開實施例的第四方面,提供了一種切削後蓋的控制裝置,包括:
處理器;
用於存儲處理器可執行指令的存儲器;
其中,所述處理器被配置為:
確定待測試天線的當前諧振頻率;
根據所述當前諧振頻率和預設諧振頻率,將安裝所述待測試天線的終端所使用的後蓋的切削量施加至第一目標切削量,其中,所述後蓋的初始厚度大於所述預設諧振頻率對應的預設厚度;
根據所述第一目標切削量將所述後蓋的厚度進行切削。
本公開的實施例提供的技術方案可以包括以下有益效果:
本公開的實施例提供的技術方案,由於天線的諧振頻率是衡量天線性能的一個重要指標,而根據天線諧振原理可知天線的諧振頻率除了與終端後蓋的介電常數有關,還與終端後蓋的介質厚度,因而,在確定待測試天線的當前諧振頻率後,可以根據該當前諧振頻率和預設諧振頻率,確定安裝該待測試天線的終端所使用的後蓋適宜的第一目標切削量,然後根據該第一目標切削量將後蓋的厚度進行切削即可實現調整該待測試天線的諧振頻率,進而實現通過調整使用該待測試天線的終端的後蓋厚度來提高後蓋的加工良率,提高天線的性能,以儘可能地避免由於後蓋的介電常數難以做到一致而影響後蓋的加工良率進而影響天線的性能。
應當理解的是,以上的一般描述和後文的細節描述僅是示例性和解釋性的,並不能限制本公開。
附圖說明
此處的附圖被併入說明書中並構成本說明書的一部分,示出了符合本公開的實施例,並與說明書一起用於解釋本公開的原理。
圖1是根據一示例性實施例示出的一種切削後蓋的控制方法的流程圖。
圖2是根據一示例性實施例示出的另一種切削後蓋的控制方法的流程圖。
圖3是根據一示例性實施例示出的又一種切削後蓋的控制方法的流程圖。
圖4是根據一示例性實施例示出的再一種切削後蓋的控制方法的流程圖。
圖5是根據一示例性實施例示出的再一種切削後蓋的控制方法的流程圖。
圖6是根據一示例性實施例示出的再一種切削後蓋的控制方法的流程圖。
圖7是根據一示例性實施例示出的一種切削後蓋的控制裝置的框圖。
圖8是根據一示例性實施例示出的另一種切削後蓋的控制裝置的框圖。
圖9是根據一示例性實施例示出的又一種切削後蓋的控制裝置的框圖。
圖10是根據一示例性實施例示出的再一種切削後蓋的控制裝置的框圖。
圖11是根據一示例性實施例示出的再一種切削後蓋的控制裝置的框圖。
圖12是根據一示例性實施例示出的再一種切削後蓋的控制裝置的框圖。
圖13是根據一示例性實施例示出的在測試待測試天線的諧振頻率時,待測試天線與陶瓷後蓋的位置關係的截面示意圖。
圖14是根據一示例性實施例示出的適用於切削後蓋的控制裝置的框圖。
具體實施方式
這裡將詳細地對示例性實施例進行說明,其示例表示在附圖中。下面的描述涉及附圖時,除非另有表示,不同附圖中的相同數字表示相同或相似的要素。以下示例性實施例中所描述的實施方式並不代表與本公開相一致的所有實施方式。相反,它們僅是與如所附權利要求書中所詳述的、本公開的一些方面相一致的裝置和方法的例子。
目前,陶瓷後蓋由於其硬度高、耐磨損、外觀高亮、平整、美觀等特點正受到越來越多手機等終端廠商的青睞。但眾所周知,陶瓷後蓋加工良率極低,其中,一個比較重要的原因就是陶瓷後蓋成分複雜,介電常數難以做到一致,因此,這嚴重影響了使用陶瓷後蓋的終端內所放置的天線的性能和陶瓷後蓋的終端的大規模生產。
為了解決上述技術問題,本公開實施例提供了一種切削後蓋的控制方法,該方法可用於切削後蓋的控制程序、系統或裝置中,且該方法對應的執行主體可以是能夠測試諧振頻率的切削設備或者是與切削設備相連接的、用於測試諧振頻率並控制切削設備對後蓋進行切削的計算機等設備,如圖1所示,該方法包括步驟s101至步驟s103:
在步驟s101中,確定待測試天線的當前諧振頻率;
待測試天線可以包括:終端中使用的平面天線(如planarinvertedf-shapedantenna,平面倒f型天線)、微帶貼片天線、縫隙天線、ifa天線(倒f天線)、平板天線等內置天線。
在步驟s102中,根據當前諧振頻率和預設諧振頻率,確定將安裝待測試天線的終端所使用的後蓋的切削量施加至第一目標切削量,其中,後蓋的初始厚度大於預設諧振頻率對應的預設厚度,而初始厚度大於預設厚度是對後蓋進行切削以改善天線性能的基礎;
該待測試天線是終端中需要使用到的用於發射和接收信號,以支持終端進行cs(circuitswitched,電路交換)域業務和ps域(packetswitch,分組交換)業務的天線,而該後蓋可以是該終端使用的陶瓷後蓋等,同時安裝待測試天線的終端可以是手機、平板等需要使用天線的設備。
在步驟s103中,根據第一目標切削量將後蓋的厚度進行切削。
由於天線的諧振頻率是衡量天線性能的一個重要指標,而根據天線諧振原理可知天線的諧振頻率除了與終端後蓋的介電常數有關,還與終端後蓋的介質厚度,因而,在確定待測試天線的當前諧振頻率後,可以根據該當前諧振頻率和預設諧振頻率,確定安裝該待測試天線的終端所使用的後蓋適宜的第一目標切削量,然後根據該第一目標切削量將後蓋的厚度進行切削即可實現調整該待測試天線的諧振頻率,進而實現通過調整使用該待測試天線的終端的後蓋厚度來提高後蓋的加工良率,提高天線的性能,以儘可能地避免由於後蓋的介電常數難以做到一致而影響後蓋的加工良率進而影響天線的性能。
另外,在執行主體為與切削設備相連接的、用於測試諧振頻率並控制切削設備對後蓋進行切削的計算機等設備時,上述步驟s103可以被執行為:將第一目標切削量發送至用於切削後蓋的切削設備,以控制切削設備根據第一目標切削量將後蓋的厚度進行切削;當然,為了確保切削設備能夠切削該後蓋,在將該第一目標切削量發送至用於切削該後蓋的切削設備同時,可以通過機器臂將該後蓋移動至切削設備,以供切削。
如圖2所示,在一個實施例中,上述圖1所示的步驟s102可以包括步驟a1和步驟a2:
在步驟a1中,根據當前諧振頻率和預設諧振頻率,確定預設諧振頻率和當前諧振頻率之間的當前諧振頻率差值;
其中,預設諧振頻率用於表徵該待測試天線在理想條件(即終端的後蓋的介電常數比較均勻,厚度比較適宜)下的最佳諧振頻率。
在步驟a2中,噹噹前諧振頻率差值大於預設諧振頻率差值時,根據諧振頻率差值與後蓋切削量之間的預設對應關係和當前諧振頻率差值,確定在初始厚度下需要施加的第一目標切削量,其中,該預設對應關係可以通過表格或者曲線的形式進行體現。
當該當前諧振頻率差值大於預設諧振頻率差值時,說明當前諧振頻率偏移量過大且當前諧振頻率小於預設諧振頻率,而終端天線的諧振頻率又與終端所使用的後蓋的厚度息息相關,因而,可通過減小終端的後蓋的厚度來調整天線的諧振頻率,具體地,可根據事先預置的諧振頻率差值與後蓋切削量之間的預設對應關係和該當前諧振頻率差值,準確確定在該初始厚度下該後蓋所適宜的第一目標切削量,以便於根據該第一目標切削量來減小後蓋的厚度,進而改良後蓋的加工良率和天線的性能,這也有利於陶瓷後蓋的終端的大規模生產。
如圖3所示,在一個實施例中,上述圖1中的步驟s101可以包括步驟b1和步驟b2:
在步驟b1中,向待測試天線的輸入端發射測試電磁波,以獲得輸入端的回波損耗,其中,該待測試天線的輸入端即該待測試天線的饋電點;
在測試待測試天線時,為了向該待測試天線的輸入端發射測試電磁波,能夠發射測試電磁波以獲得輸入端的回波損耗的執行主體應該與該輸入端相連接的且該輸入端暫且不與終端相連接。
其次,該測試電磁波的頻率和功率可能不斷變化,而執行主體記錄著其每一時刻所發射的測試電磁波的頻率和發射功率,當然,該測試電磁波可以有一定的頻寬,如該測試電磁波的頻寬可以是0~5ghz。
另外,由於待測試天線在正常工作時,會接收到低頻段電磁波和高頻段電磁波,而低頻段電磁波下的預設諧振頻率和對應的預設厚度與高頻段電磁波下的預設諧振頻率和對應的預設厚度稍微有所不同,同時天線在高頻段電磁波下的性能受後蓋厚度的影響更大,因而,本公開的預設諧振頻率可以是高頻段下的最佳諧振頻率,同時在發射測試電磁波時,可以發射高頻段的電磁波。
最後,回波損耗,又稱為反射損耗,是傳輸線埠的反射波功率與入射波功率之比。因而,該輸入端的回波損耗等於該輸入端對該測試電磁波的反射功率與該測試電磁波的發射功率的比值。
在步驟b2中,根據回波損耗,確定當前諧振頻率。
通過向待測試天線的輸入端發射測試電磁波,可以獲得該輸入端每一時刻的回波損耗,而由於執行主體在發射測試電磁波時,記錄了每一時刻的測試電磁波的頻率和發射功率,因而,在得到其回波損耗時,可以建立回波損耗與該測試電磁波的頻率之間的對應關係,並根據該對應關係準確確定出該天線的當前諧振頻率。
另外,回波損耗與該測試電磁波的頻率之間的對應關係可以用曲線的形式進行表示,即在獲得其輸入端每一時刻的回波損耗時,執行主體可以根據記錄的每一時刻該測試電磁波的發射頻率,自動獲得關於回波損耗和該測試電磁波的頻率的曲線。
如圖4所示,在一個實施例中,上述圖3所示的步驟b2可以包括步驟c1和步驟c2:
在步驟c1中,當回波損耗包括多個時,確定多個回波損耗中最小回波損耗對應的電磁波頻率;
在步驟c2中,將最小回波損耗對應的電磁波頻率確定為當前諧振頻率。
由於天線發生諧振時,其回波損耗最低,因而,當該回波損耗包括多個時,可以根據獲得的回波損耗與該待測試電磁波的發射頻率之間的對應關係,確定多個回波損耗中最小回波損耗對應的電磁波頻率,進而將最小回波損耗對應的電磁波頻率確定為當前諧振頻率。
在一個實施例中,後蓋包括陶瓷後蓋,且在確定待測試天線的當前諧振頻率時,陶瓷後蓋放置於待測試天線的上空,用於遮擋待測試天線(如圖13所示)。
根據天線的輻射特性可知,天線的輻射方向主要朝上,因而,陶瓷後蓋位於該測試天線的上空、遮擋該待測試天線時,天線的反射功率受影響最大,進而天線的回波損耗受影響最大並最終導致天線的諧振頻率受影響最大,所以,在確定天線的當前諧振頻率時,應該將陶瓷後蓋放置於待測試天線的上空以遮擋著待測試天線,從而確保測試出的當前諧振頻率和得到的後蓋的第一目標切削量更為準確。
最後,在測試該待測試天線的當前諧振頻率時,可以將待測試天線放置在一個與使用該類型的待測試天線的終端的形狀相同的測試模具中,而該陶瓷後蓋可以與該測試模具緊扣或者通過支架放置在該測試模具上空,只要能夠遮擋該待測試天線即可,當然,如果使用測試模具且該陶瓷後蓋與該測試模具緊扣,則測試模具的側壁會設計有孔,以便於測試天線的輸入端能夠通過連接線與執行主體相連接,使得執行主體能夠向輸入端發射測試電磁波;
或者,
在測試該待測試天線的當前諧振頻率時,待測試天線也可以放置在一個使用該類型的待測試天線的終端中,同樣地,該陶瓷後蓋也可以與該終端緊扣或者通過支架放置在該終端上空,只要能夠遮擋該待測試天線即可,當然,如果待測試天線放置在終端中且該陶瓷後蓋與終端緊扣,則終端的側壁需要設計有孔,以便於測試天線的輸入端能夠通過連接線與執行主體相連接,使得執行主體能夠向輸入端發射測試電磁波,而這種情況下,由於需要專門在終端的側壁打孔,因而,會破壞終端的外殼。
在一個實施例中,待測試天線包括:平面天線。
該待測試天線為終端中常用的若干類天線,包括但不限於平面天線(如planarinvertedf-shapedantenna,平面倒f型天線),例如:還可以包括終端中使用的微帶貼片天線、縫隙天線、ifa天線(倒f天線)、平板天線等內置天線。
在一個實施例中,陶瓷後蓋的下底面與待測試天線之間的高度不大於預設高度。
在將陶瓷後蓋放置於待測試天線的上空時,可以仿照已發布的具有陶瓷後蓋的終端中天線與陶瓷後蓋的下底面的距離放置,使得陶瓷後蓋的下底面與待測試天線之間的高度不大於預設高度,從而確保測出的當前諧振頻率和第一目標切削量更為準確、真實,其中,該預設高度可以是1~2毫米。
如圖5所示,在一個實施例中,上述圖1所示的步驟s103,即根據第一目標切削量將後蓋的厚度進行切削,可以包括步驟d1:
在步驟d1中,根據第一目標切削量和預設切削量閾值,將後蓋的厚度切削第二目標切削量,其中,第二目標切削量等於第一目標切削量與預設切削量閾值的差值。
由於當前諧振頻率低於預設諧振頻率時,說明後蓋厚度較厚,可以通過切削後蓋來調整當前諧振頻率和天線的性能,而一旦切削的過多導致當前諧振頻率過高,只能將後蓋回爐重造以增加後蓋厚度,因而,為了儘可能避免後蓋切削的過多導致當前諧振頻率過高而無法通過繼續執行本公開的實施例來調整天線的性能,該陶瓷後蓋的初始厚度應該儘量大一些,同時在切削後蓋時,可預留一定的切削空間,即根據第一目標切削量和預設切削量閾值,將後蓋的厚度切削第二目標切削量,而不是直接切削第一目標切削量,以儘可能避免切削的過多。
如圖6所示,在一個實施例中,在一個實施例中,上述圖1所示的步驟s103,即根據第一目標切削量將後蓋的厚度進行切削,可以包括步驟d2:
在步驟d2中,根據第一目標切削量將後蓋上與待測試天線對應的預設區域的厚度進行切削。
在將後蓋的厚度進行切削時,可以根據第一目標切削量僅將後蓋上與待測試天線對應的預設區域的厚度進行切削,而後蓋上除預設區域之外的區域的厚度並不切削,如根據第一目標切削量將後蓋上對應的包含該待測試天線在內的一個最小的矩形區域、圓形區域、橢圓形區域進行切削,而後蓋上的其他區域不進行切削;
當然,這種切削方式會使得後蓋凹凸不平,因而,如果需要平整的後蓋,還可以根據第一目標切削量將整個後蓋區域都進行切削。
最後,上述實施例可以單獨實施,或者相互結合後實施。
對應本公開實施例提供的上述切削後蓋的控制方法,本公開實施例還提供一種切削後蓋的控制裝置。
圖7是根據一示例性實施例示出的一種切削後蓋的控制裝置的框圖。
如圖7所示,該裝置包括確定模塊701、處理模塊702和切削模塊703:
確定模塊701,被配置為確定待測試天線的當前諧振頻率;
處理模塊702,被配置為根據當前諧振頻率和預設諧振頻率,確定將安裝待測試天線的終端所使用的後蓋的切削量施加至第一目標切削量,其中,後蓋的初始厚度大於預設諧振頻率對應的預設厚度;
切削模塊703,被配置為根據第一目標切削量將後蓋的厚度進行切削。
圖8是根據一示例性實施例示出的另一種切削後蓋的控制裝置的框圖。
如圖8所示,在一個實施例中,上述圖7所示的處理模塊702可以包括第一確定子模塊7021和第二確定子模塊7022:
第一確定子模塊7021,被配置為根據當前諧振頻率和預設諧振頻率,確定預設諧振頻率和當前諧振頻率之間的當前諧振頻率差值;
第二確定子模塊7022,被配置為噹噹前諧振頻率差值大於預設諧振頻率差值時,根據諧振頻率差值與後蓋切削量之間的預設對應關係和當前諧振頻率差值,確定在初始厚度下需要施加的第一目標切削量。
圖9是根據一示例性實施例示出的又一種切削後蓋的控制裝置的框圖。
如圖9所示,在一個實施例中,上述圖7所示的確定模塊701可以包括發射子模塊7011和第三確定子模塊7012:
發射子模塊7011,被配置為向待測試天線的輸入端發射測試電磁波,以獲得輸入端的回波損耗;
第三確定子模塊7012,被配置為根據回波損耗,確定當前諧振頻率。
圖10是根據一示例性實施例示出的再一種切削後蓋的控制裝置的框圖。
如圖10所示,在一個實施例中,上述圖9所示的第三確定子模塊7012可以包括第一確定單元70121和第二確定單元70122:
第一確定單元70121,被配置為當回波損耗包括多個時,確定多個回波損耗中最小回波損耗對應的電磁波頻率;
第二確定單元70122,被配置為將最小回波損耗對應的電磁波頻率確定為當前諧振頻率。
在一個實施例中,後蓋包括陶瓷後蓋,且在確定待測試天線的當前諧振頻率時,陶瓷後蓋放置於待測試天線的上空,被配置為遮擋待測試天線;
待測試天線包括:平面天線。
在一個實施例中,陶瓷後蓋的下底面與待測試天線之間的高度不大於預設高度。
圖11是根據一示例性實施例示出的再一種切削後蓋的控制裝置的框圖。
如圖11所示,在一個實施例中,上述圖7所示的切削模塊703可以包括第一切削子模塊7031:
第一切削子模塊7031,被配置為根據第一目標切削量和預設切削量閾值,將後蓋的厚度切削第二目標切削量,其中,第二目標切削量等於第一目標切削量與預設切削量閾值的差值。
圖12是根據一示例性實施例示出的再一種切削後蓋的控制裝置的框圖。
如圖12所示,在一個實施例中,上述圖7所示的切削模塊703可以包括第二切削子模塊7032:
第二切削子模塊7032,被配置為根據第一目標切削量將後蓋上與待測試天線對應的預設區域的厚度進行切削。
根據本公開實施例的第三方面,提供一種切削設備,包括:如上述技術方案中任一項的切削後蓋的控制裝置。
該切削設備的技術效果與上述技術方案中任一項的切削後蓋的控制裝置的技術效果相同,此處不再贅述。
根據本公開實施例的第四方面,提供一種切削後蓋的控制裝置,包括:
處理器;
用於存儲處理器可執行指令的存儲器;
其中,處理器被配置為:
確定待測試天線的當前諧振頻率;
根據所述當前諧振頻率和預設諧振頻率,確定將安裝所述待測試天線的終端所使用的後蓋的切削量施加至第一目標切削量,其中,所述後蓋的初始厚度大於所述預設諧振頻率對應的預設厚度;
根據所述第一目標切削量將所述後蓋的厚度進行切削。
上述處理器還可被配置為:
所述根據所述當前諧振頻率和預設諧振頻率,確定將安裝所述待測試天線的終端所使用的後蓋的切削量施加至第一目標切削量,包括:
根據所述當前諧振頻率和所述預設諧振頻率,確定所述預設諧振頻率和所述當前諧振頻率之間的當前諧振頻率差值;
當所述當前諧振頻率差值大於預設諧振頻率差值時,根據諧振頻率差值與後蓋切削量之間的預設對應關係和所述當前諧振頻率差值,確定在所述初始厚度下需要施加的所述第一目標切削量。
上述處理器還可被配置為:
所述確定待測試天線的當前諧振頻率,包括:
向所述待測試天線的輸入端發射測試電磁波,以獲得所述輸入端的回波損耗;
根據所述回波損耗,確定所述當前諧振頻率。
上述處理器還可被配置為:
根據所述回波損耗,確定所述當前諧振頻率,包括:
當所述回波損耗包括多個時,確定多個所述回波損耗中最小回波損耗對應的電磁波頻率;
將所述最小回波損耗對應的電磁波頻率確定為所述當前諧振頻率。
上述處理器還可被配置為:
所述後蓋包括陶瓷後蓋,且在確定所述待測試天線的當前諧振頻率時,所述陶瓷後蓋放置於所述待測試天線的上空,用於遮擋所述待測試天線;
所述待測試天線包括:平面天線。
上述處理器還可被配置為:
所述陶瓷後蓋的下底面與所述待測試天線之間的高度不大於預設高度。
上述處理器還可被配置為:
所述根據所述第一目標切削量將所述後蓋的厚度進行切削,包括:
根據所述第一目標切削量和預設切削量閾值,將所述後蓋的厚度切削第二目標切削量,其中,所述第二目標切削量等於所述第一目標切削量與所述預設切削量閾值的差值。
上述處理器還可被配置為:
所述根據所述第一目標切削量將所述後蓋的厚度進行切削,包括:
根據所述第一目標切削量將所述後蓋上與所述待測試天線對應的預設區域的厚度進行切削。
圖14是根據一示例性實施例示出的一種用於切削後蓋的控制裝置1400的框圖,該裝置適用於終端切削設備。例如,裝置1400可以是行動電話,計算機,數字廣播終端,消息收發切削設備,遊戲控制臺,平板切削設備,醫療切削設備,健身切削設備,個用戶數字助理等。
參照圖14,裝置1400可以包括以下一個或至少兩個組件:處理組件1402,存儲器1404,電源組件1406,多媒體組件1408,音頻組件1410,輸入/輸出(i/o)接口1412,傳感器組件1414,以及通信組件1416。
處理組件1402通常控制裝置1400的整體操作,諸如與顯示,電話呼叫,數據通信,相機操作和記錄操作相關聯的操作。處理組件1402可以包括一個或至少兩個處理器1420來執行指令,以完成上述的方法的全部或部分步驟。此外,處理組件1402可以包括一個或至少兩個模塊,便於處理組件1402和其他組件之間的交互。例如,處理組件1402可以包括多媒體模塊,以方便多媒體組件1408和處理組件1402之間的交互。
存儲器1404被配置為存儲各種類型的數據以支持在裝置1400的操作。這些數據的示例包括用於在裝置1400上操作的任何存儲對象或方法的指令,聯繫用戶數據,電話簿數據,消息,圖片,視頻等。存儲器1404可以由任何類型的易失性或非易失性存儲切削設備或者它們的組合實現,如靜態隨機存取存儲器(sram),電可擦除可編程只讀存儲器(eeprom),可擦除可編程只讀存儲器(eprom),可編程只讀存儲器(prom),只讀存儲器(rom),磁存儲器,快閃記憶體,磁碟或光碟。
電源組件1406為裝置1400的各種組件提供電源。電源組件1406可以包括電源管理系統,一個或至少兩個電源,及其他與為裝置1400生成、管理和分配電源相關聯的組件。
多媒體組件1408包括在所述裝置1400和用戶之間的提供一個輸出接口的屏幕。在一些實施例中,屏幕可以包括液晶顯示器(lcd)和觸摸面板(tp)。如果屏幕包括觸摸面板,屏幕可以被實現為觸控螢幕,以接收來自用戶的輸入信號。觸摸面板包括一個或至少兩個觸摸傳感器以感測觸摸、滑動和觸摸面板上的手勢。所述觸摸傳感器可以不僅感測觸摸或滑動動作的邊界,而且還檢測與所述觸摸或滑動操作相關的持續時間和壓力。在一些實施例中,多媒體組件1408包括一個前置攝像頭和/或後置攝像頭。當裝置1400處於操作模式,如拍攝模式或視頻模式時,前置攝像頭和/或後置攝像頭可以接收外部的多媒體數據。每個前置攝像頭和後置攝像頭可以是一個固定的光學透鏡系統或具有焦距和光學變焦能力。
音頻組件1410被配置為輸出和/或輸入音頻信號。例如,音頻組件1410包括一個麥克風(mic),當裝置1400處於操作模式,如呼叫模式、記錄模式和語音識別模式時,麥克風被配置為接收外部音頻信號。所接收的音頻信號可以被進一步存儲在存儲器1404或經由通信組件1416發送。在一些實施例中,音頻組件1410還包括一個揚聲器,用於輸出音頻信號。
i/o接口1412為處理組件1402和外圍接口模塊之間提供接口,上述外圍接口模塊可以是鍵盤,點擊輪,按鈕等。這些按鈕可包括但不限於:主頁按鈕、音量按鈕、啟動按鈕和鎖定按鈕。
傳感器組件1414包括一個或至少兩個傳感器,用於為裝置1400提供各個方面的狀態評估。例如,傳感器組件1414可以檢測到裝置1400的打開/關閉狀態,組件的相對定位,例如所述組件為裝置1400的顯示器和小鍵盤,傳感器組件1414還可以檢測裝置1400或裝置1400一個組件的位置改變,用戶與裝置1400接觸的存在或不存在,裝置1400方位或加速/減速和裝置1400的溫度變化。傳感器組件1414可以包括接近傳感器,被配置用來在沒有任何的物理接觸時檢測附近物體的存在。傳感器組件1414還可以包括光傳感器,如cmos或ccd圖像傳感器,用於在成像應用中使用。在一些實施例中,該傳感器組件1414還可以包括加速度傳感器,陀螺儀傳感器,磁傳感器,壓力傳感器或溫度傳感器。
通信組件1416被配置為便於裝置1400和其他切削設備之間有線或無線方式的通信。裝置1400可以接入基於通信標準的無線網絡,如wifi,2g或3g,或它們的組合。在一個示例性實施例中,通信組件1416經由廣播信道接收來自外部廣播管理系統的廣播信號或廣播相關信息。在一個示例性實施例中,所述通信組件1416還包括近場通信(nfc)模塊,以促進短程通信。例如,在nfc模塊可基於射頻識別(rfid)技術,紅外數據協會(irda)技術,超寬帶(uwb)技術,藍牙(bt)技術和其他技術來實現。
在示例性實施例中,裝置1400可以被一個或至少兩個應用專用集成電路(asic)、數位訊號處理器(dsp)、數位訊號處理切削設備(dspd)、可編程邏輯器件(pld)、現場可編程門陣列(fpga)、控制器、微控制器、微處理器或其他電子組件實現,用於執行上述方法。
在示例性實施例中,還提供了一種包括指令的非臨時性計算機可讀存儲介質,例如包括指令的存儲器1404,上述指令可由裝置1400的處理器1420執行以完成上述方法。例如,所述非臨時性計算機可讀存儲介質可以是rom、隨機存取存儲器(ram)、cd-rom、磁帶、軟盤和光數據存儲切削設備等。
一種非臨時性計算機可讀存儲介質,當所述存儲介質中的指令由上述裝置1400的處理器執行時,使得上述裝置1400能夠執行一種切削後蓋的控制方法,包括:
確定待測試天線的當前諧振頻率;
根據所述當前諧振頻率和預設諧振頻率,確定將安裝所述待測試天線的終端所使用的後蓋的切削量施加至第一目標切削量,其中,所述後蓋的初始厚度大於所述預設諧振頻率對應的預設厚度;
根據所述第一目標切削量將所述後蓋的厚度進行切削。
在一個實施例中,所述根據所述當前諧振頻率和預設諧振頻率,確定將安裝所述待測試天線的終端所使用的後蓋的切削量施加至第一目標切削量,包括:
根據所述當前諧振頻率和所述預設諧振頻率,確定所述預設諧振頻率和所述當前諧振頻率之間的當前諧振頻率差值;
當所述當前諧振頻率差值大於預設諧振頻率差值時,根據諧振頻率差值與後蓋切削量之間的預設對應關係和所述當前諧振頻率差值,確定在所述初始厚度下需要施加的所述第一目標切削量。
在一個實施例中,所述確定待測試天線的當前諧振頻率,包括:
向所述待測試天線的輸入端發射測試電磁波,以獲得所述輸入端的回波損耗;
根據所述回波損耗,確定所述當前諧振頻率。
在一個實施例中,根據所述回波損耗,確定所述當前諧振頻率,包括:
當所述回波損耗包括多個時,確定多個所述回波損耗中最小回波損耗對應的電磁波頻率;
將所述最小回波損耗對應的電磁波頻率確定為所述當前諧振頻率。
在一個實施例中,所述後蓋包括陶瓷後蓋,且在確定所述待測試天線的當前諧振頻率時,所述陶瓷後蓋放置於所述待測試天線的上空,用於遮擋所述待測試天線;
所述待測試天線包括:平面天線。
在一個實施例中,所述陶瓷後蓋的下底面與所述待測試天線之間的高度不大於預設高度。
在一個實施例中,所述根據所述第一目標切削量將所述後蓋的厚度進行切削,包括:
根據所述第一目標切削量和預設切削量閾值,將所述後蓋的厚度切削第二目標切削量,其中,所述第二目標切削量等於所述第一目標切削量與所述預設切削量閾值的差值。
在一個實施例中,所述根據所述第一目標切削量將所述後蓋的厚度進行切削,包括:
根據所述第一目標切削量將所述後蓋上與所述待測試天線對應的預設區域的厚度進行切削。
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