用於處理基板的外周部的方法及設備的製作方法

2023-05-31 20:53:21 2

專利名稱：：用於處理基板的外周部的方法及設備的製作方法
技術領域：
：本發明涉及用於去除塗覆在諸如半導體晶片、液晶顯示器基板等的基板的外周部上的諸如有機膜的不需要的物質的方法。
背景技術：
：作為用於將諸如絕緣膜、有機保護層、聚醯亞胺的薄膜塗覆或沉積在諸如例如半導體晶片、液晶顯示器玻璃基板等的基板上的手段，已知多種方法/處理，如旋塗處理、利用CVD和PVD的薄膜沉積的方法等。然而，在旋塗技術中，塗覆物質在基板的外周部上比在中央部分上塗覆得更厚，從而，外周部腫脹。而且，在等離子CVD例如被用作CVD的情況下，電場被集中在基板的外周(或外周)的邊緣部分上。由於這會導致膜的異常增長，膜在外周部上的厚度比在中央部分上的增加得更大。在使用03、TE0S等的熱CVD的情況下，由於在基板的外周部和中央部分之間反應性氣體的電導不同，基板的外周部上的膜的性質變得與中央部分上的不同。這意味著膜在基板的外周上的厚度也比在中央部分上增加更多。在半導體晶片的製造過程中，在各向異性蝕刻期間沉積的碳氟化合物也從外端面環流動到晶片的背面，並沉積在那裡。因此，不需要的有機物質附於晶片的背面(後表面)的外周部。在由運輸輸送機運輸基板期間或在那種條件下運輸容納在運輸盒中的基板期間，這種在基板的外周部上的薄膜容易破裂。這容易產生灰塵，從而將粒子粘附在晶片上，並降低了生產量。傳統地，例如通過幹灰化處理，通過將02等離子從正面環送到晶片的背面附近，各向異性蝕刻期間由環流到晶片的背面附近的碳氟化合物形成的膜被去除。然而，在低介電常數(low-k)膜的情況下，它在經受幹灰化處理時會被損壞。為了避免損壞，進行了一些利用低輸出功率處理膜的嘗試。然而，很難完全去除沉積在晶片背面上的氟碳化合物，並且在基板運輸或在其它類似的條件下會產生微粒。這成為生產量低的主要原因。作為教導用於處理半導體晶片的外周部的技術的現有技術文獻，例如，以下是己知的。專利文獻1:日本專利申請未審査公開No.H05-82478公開了半導體晶片的中央部分塗覆有一對上和下保持器，並且使得晶片的外周部突出，以便等離子能夠噴射到晶片的突出部分。然而，由於這種技術主張將保持器的0型環物理接觸晶片，存在產生微粒的可能性。專利文獻2:日本專利申請未審査公開No.H08-279494公開了基板的中央部分被放置在臺上，並且等離子被從上方噴射到外周部上。專利文獻3:日本專利申請未審查公開No.H10-189515公開了等離子被從下方噴射到基板的外周部。專利文獻4:日本專利申請未審査公開No.2003-264168公開了晶片被放置在臺上，並被吸附卡持住以旋轉；並且然後，通過氣體供給噴嘴，由臭氧和氫氟酸組成的反應性氣體(或活性氣體)被垂直噴射在晶片的外周部的正面上，同時利用嵌入臺的外周中的加熱器從其相反側以接觸的方式加熱晶片的外周。專利文獻5:日本專利申請未審査公開No.2004-96086公開了晶片的外周部被插入C型部件的內部，並且氧化物基(oxideradical)從C型部件內部的頂部被噴射在晶片的外周部上，同時利用紅外線燈輻照地加熱晶片的外周部，並且晶片的外周部通過在C型部件內部的最內側上形成的抽吸埠被吸引。通常，為了指示相對於臺的結晶定向和定位的目的，諸如定向平面的切割部分、凹口等形成在晶片的外周部。為了去除附於切割部分的邊緣的不需要的膜，需要匹配切割部分的輪廓的動作。在專利文獻6:日本專利申請未審查公開No.H05-144725公開的技術中，用於定向平面的噴嘴與用於處理晶片的圓形部分的主噴嘴分離地設置，向平面部分。專利文獻7:日本專利申請未審査公開No.2003-188234公開了為了執行晶片的對準，多個管腳從兩個不同角度鄰接晶片的外周。在專利文獻8:日本專利申請未審査公開No.2003-152051和專利文獻9:日本專利申請未審查公幵No.2004-47654中，使用光學傳感器，以不接觸的方式探測晶片的偏心率，並基於這種探測結果，由機械手進行糾正，然後，晶片被設置在處理臺上。[專利文獻1]日本專利申請未審査公開No.H05-82478[專利文獻2]日本專利申請未審查公開No.H08-279494[專利文獻3]日本專利申請未審査公開No.H10-189515[專利文獻4]日本專利申請未審查公開No.2003-264168[專利文獻5]日本專利申請未審査公開No.2004-96086[專利文獻6]日本專利申請未審查公開No.H05-144725[專利文獻7]日本專利申請未審查公開No.2003-188234[專利文獻8]日本專利申請未審查公開No.2003-152051[專利文獻9]日本專利申請未審查公開No.2004—47654
發明內容[本發明將解決的問題]為了有效地去除使用諸如臭氧的反應性氣體(或活性氣體)在常壓下蝕刻期間沉積的諸如光致抗蝕劑和低介電常數(low-k)膜的有機膜，和諸如碳氟化合物的有機物質，需要進行加熱。例如，如圖108所示，在光致抗蝕劑作為不需要的有機膜被去除的情況下，反應很難發生，直到溫度到達約100攝氏度的水平，並且蝕刻速度在約150攝氏度的水平處上升。在超過200攝氏度的水平處，蝕刻速度幾乎相對於溫度線性增加。然而，如果整個晶片暴露於高溫大氣，布線、絕緣膜等的質量會變化(例如，出現銅氧化和低介電常數的特性變化)。這會負面地影響設備特徵，並趨於損壞可靠性。在上述專利文獻中，加熱器鄰靠膜將被從其去除的外周部。然而，存在熱量從基板的外周部被傳導到中央部分並且中央部分也被加熱到高溫的擔心。而且，在加熱器是紅外線燈等的情況下，存在紅外線也被照射到基板的中央部分，從而直接將中央部分加熱到高溫的擔心。如果諸如臭氧的反應性氣體流入基板的高溫中央部分，存在不期望的中央部分的膜被蝕刻的可能性。而且，存在基板的中央部分上的膜質量改變的擔心。[解決問題的手段]為了解決上述問題，根據本發明，提供一種用於去除塗覆在諸如半導體晶片的基板的外周部上的不需要的物質(或多餘物質，無用物質)的設備，該設備包括(a)臺，所述臺包括支撐表面，所述支撐表面用於接觸所述基板並且將所述基板支撐在其上；(b)加熱器，所述加熱器用於對目標位置施加熱量，所述目標位置應該存在於由所述臺支撐的所述基板的外周部上；(c)反應性氣體(或活性氣體)供給器，所述反應性氣體供給器用於將去除不需要的物質所述反應性氣體供給到所述目標位置；和(d)吸熱器，所述吸熱器設置在所述臺上並構造為從所述支撐表面吸熱。(參見圖1到13等)。而且，提出一種用於去除塗覆在基板的外周部上的不需要的物質的方法，該方法包括使基板與臺的支撐表面接觸，以便基板被支撐在支撐表面上；加熱基板的外周部；將用於去除不需要的物質的反應性氣體供給到被加熱的外周部；以及利用設置在臺上的吸熱器對位於外周部內部的一部分進行吸熱(參見圖l到13等)。更優選地，所述方法包括使基板與臺的支撐表面接觸，以便基板被支撐在支撐表面上；利用熱光輻射地局部加熱基板的外周部；將反應性氣體供給到局部區域；以及利用設置在臺上的吸熱器對位於外周部內部的一部分進行吸熱。由於上述布置，能夠有效去除塗覆在基板的外周部上的不需要的膜。另一方面，即使在熱量從外周部被傳導到基板外周部內部的區域(中央部分)或加熱器的熱量被直接施加到基板外周部內部的區域(中央部分)的情況下，熱量也能夠被吸熱器吸收。這使得可以防止在基板內部的區域處的膜和布線的質量改變。而且，即使反應性氣體從外周側流入基板的外周部內部，也能夠抑制反應。這使得可以防止基板的周邊部分(或周部)內部的區域被損壞。優選地，臺的支撐表面比基板略微小；並且應該存在於基板外周部上的目標位置位於從支撐表面徑向向外延伸的表面上。例如，吸熱器是用於冷卻臺的冷卻器。作為其特定實例，作為吸熱器的冷卻介質室(或製冷劑室，冷卻劑室)形成在臺內，並且冷卻介質室與冷卻介質供給通路和冷卻介質排出通路連接(參見圖1，6，7和10，等)。通過將冷卻介質(或製冷劑，冷卻劑)送入該冷卻介質室以便冷卻介質在其中被填充、流動或循環，能夠從基板吸熱。通過增加冷卻介質室的內部體積，熱容量或吸熱性能能夠顯著增加。作為冷卻介質，例如使用水、空氣、氦等。通過被壓縮或一些其它適合的手段，冷卻介質可被有力地供給入冷卻介質室。這使得冷卻介質可以均勻地流入冷卻介質室的每個角落，從而提高吸熱率。應該注意冷卻介質可被緩和地供給，或者因為通過發生在冷卻介質室內的自然對流能夠獲得吸熱特性，一次供給入冷卻介質室的冷卻介質可保持原樣，不用被另外供給/排放。連接到冷卻介質室的冷卻介質供給通路和冷卻介質排出通路可由共用通路組成。也可以接受的是包括管等的冷卻介質通路被設置在背側(支撐表面另一側的表面)內或背側處作為所述吸熱器，並且冷卻介質經過該冷卻介質通路(參見圖8和9等)。冷卻介質通路可以這樣的方式被形成，即從臺內的支撐表面側部分延伸到支撐表面另一側的部分(參見圖6和7等)。由於這個布置，吸熱率能夠得到更大的提高。也可以接受的是所述室形成在臺內部，所述室被分隔成在支撐表面側的第一室部分和在第一室部分的另一側的第二室部分，第一室部分與第二室部分彼此連通，第一室部分構成冷卻介質通路的上遊側的通路部分；並且第二室部分構成冷卻介質通路的下遊側的通路部分(參見圖6和7等)。所述冷卻介質通路可以這樣的方式被形成，即從臺的外周部延伸到中央部分(參見圖8和9等)。由於這種布置，接近基板外周部的接近側能夠被完全冷卻，從基板的外周部傳導的熱量能夠可靠地被吸收，並且能夠可靠地保護塗覆在中央部分上的膜。冷卻介質通路例如是螺旋形式(參見圖8等)。在可選實施例中，冷卻介質通路包括多個同心環形通路和用於相互連接環形通路的連通通路(參見圖9等)。所述吸熱器可包括珀爾帖(peltier)元件，珀爾帖元件具有吸熱側並被設置在臺內，所述吸熱側面對所述支撐表面(參見圖11等)。所述珀爾帖元件優選地設置在支撐表面附近。而且，所述珀爾帖元件在背側(熱量輻射側)可以設有風扇、散熱片等，用於提高熱輻射。所述吸熱器可被設置在臺的整個區域內(參見圖1到11等)。由於這種布置，能夠從大體整個支撐表面吸熱。所述吸熱器可至少被設置在臺的外周部處並且不設置在中央部分(參見圖13，21和23等)。所述吸熱器可僅設置在臺的外周部，且不設置在中央側部分(參見圖13，21和23等)處。由於上述布置，熱量能夠僅從支撐表面的外周側被吸收，並且熱量能夠從位於支撐表面的外周側的基板的外周側部分被可靠地吸收和去除。另一方面，可以防止中央側部分也被吸熱和冷卻，從而節省了吸熱源。作為固定基板的裝置，所述臺優選地裝有用於吸附基板的靜電或真空卡持(或卡盤，吸盤)機構(參見圖18到23等)。由於這種布置，基板能夠緊固地與支撐表面接觸，並能夠可靠地獲得吸附性能。還可以接受使用落入(dr叩-in)方法的機械卡盤(或卡持)機構。然而，在使用機械卡盤(或卡持)機構的情況下，塗覆在基板的外周部的一部分上的膜與機械卡盤物理接觸。因此，優選地，儘可能地使用靜電卡盤(或卡持)機構或真空卡盤(或卡持)機構。真空卡持機構的吸附孔或吸附槽優選地被製成為儘可能地小。由於這種布置，基板和臺的接觸面積能夠增加並且能夠提高吸熱效率。所述卡持機構優選地僅設置在臺的外周部，且不設置在中央側部分(參見圖22和23等)。更優選地，在中央側支撐部分處，臺設有相對於外周側部分下陷的凹部(參見圖22和23等)。由於上述布置，基板和臺的接觸面積能夠被減小，並且還能夠減小由於吸附產生的粒子(或微粒)。在吸熱器僅被設置在臺的外周側部分處的情況下，趨於從外周部傳導到晶片的內側部分的熱量能夠被可靠地吸收，並且因為臺的外周部與晶片接觸，能夠可靠地防止晶片的中央部分加熱。所述卡持機構可設置在臺的支撐表面的大體整個區域上(參見圖18至U21等)。氣體成份根據將被去除的不需要的物質選擇。在將被去除的不需要的物質是諸如碳氟化合物的有機膜的情況下，優選地使用包括氧的氣體，更優選地使用包括諸如臭氧和02等離子的高反應性氣體的氣體。按它們的原來狀態使用純氣體和包括未被臭氧化和基化(radicalized)的正常氧的空氣也可以接受。臭氧(0。被分解成氧粒子和氧原子(02+0)，並產生(03)和(02+0)的熱平衡狀態。臭氧的壽命取決於溫度。在25攝氏度的範圍內，臭氧具有很長的壽命，但在50攝氏度的附近，臭氧的壽命被減小一半。在將被去除的不需要的物質是無機膜的情況下，0:i可添加parfluorocarbon(PFC)，以被等離子化。而且，反應性氣體可以是含諸如氫氟酸蒸汽的酸的氣體。作為反應性氣體供給器的反應性氣體供給源(反應性氣體發生反應器)，例如可以使用常壓等離子處理裝置(參見圖1和24到27等)。在反應性氣體是臭氧的情況下，可以使用臭氧發生器(參見圖29到31，圖34到37，圖41和47到52等)。在反應性氣體是氫氟酸蒸汽的情況下，可以使用氫氟酸汽化器或氫氟酸噴射器。所述常壓等離子處理裝置用於在通常常壓(大氣壓附近的壓力)下在電極間形成輝光放電，並將處理氣體等離子化(包括基化和離子化)以獲得反應性氣體。本發明使用的〃通常常壓〃指從1.013X104到50.633X104Pa的壓力範圍。當考慮裝置的壓力調節的便利性和結構的簡化時，壓力範圍優選地從1.333X104到10.664X104Pa，並且更優選地從9.331Xl(^到10.397X104Pa。所述反應性氣體供給器優選地包括用於形成噴射通路的噴射通路形成部件，用於將來自反應性氣體供給源的反應性氣體導引到目標位置(參見圖29等)。所述反應性氣體供給源可設置在目標位置附近。同樣是有益的選擇，反應性氣體供給源遠離目標位置設置，並且反應性氣體通過噴射通路形成部件被導引到目標位置附近。利用噴射通路溫度調節裝置，所述噴射通路形成部件的溫度可被調節(參見圖34，25和37等)。由於這種布置，經過噴射通路的反應性氣體的溫度能夠被調節，並且溫度可保持在合適的水平。因此，能夠保持反應性氣體的活性程度。在臭氧被用作反應性氣體的情況下，例如，氣體被冷卻到並保持在約25攝氏度的水平。通過如此做，能夠延長氧基的壽命。因此，反應性氣體能夠可靠地與不需要的物質反應，並因此能夠提高去除效率。例如，用於調節噴射通路的溫度的裝置可由用於使溫度調節介質穿過其中的溫度調節通路或風扇構成。也可以接受的是例如，噴射通路形成部件是雙管狀結構，其中反應性氣體流經作為噴射通路的其內部通路；並且溫度調節介質流經作為溫度調節通路的其外部環形通路。作為溫度調節介質，可以使用水、空氣、氦、含氯氟烴等。也可以接受的是所述噴射通路形成部件由沿臺的吸熱器冷卻(參見圖36等)。由於這種布置，能夠消除使用專用於噴射通路的冷卻裝置的需要，能夠簡化結構，並能夠實現成本的下降。這種布置在例如反應性氣體需要得到冷卻或臭氧用作反應性氣體的情況下特別地有益。所述反應性氣體供給器優選地包括噴射埠形成部件(噴射噴嘴)，用於形成噴射出反應性氣體的噴射埠(參見圖29到45，和47到52等)。所述噴射埠優選地朝向並接近目標位置設置(參見圖1，24到29和17到50等)。也可以接受的是多個噴射通路從單個反應性氣體供給源分支並被連接到多個噴射埠。所述噴射埠可具有點狀(斑點狀)結構(參見圖47到50等)；沿臺的周向延伸的線狀結構；或在臺的周向上沿整個周邊延伸的環形結構(參見圖30和31等)。也可以接受的是相對於點狀光源，設置點狀噴射埠；相對於線狀，設置線狀噴射埠；並相對於環形光源，設置環形噴射埠。多個點狀噴射埠和多個線狀噴射埠可沿臺的周向布置。所述噴射埠形成部件可設置有轉動流形成部件，用於沿噴射埠的周向旋轉反應性氣體(參見圖10等)。由於這種布置，反應性氣體能夠被均勻地噴到基板的目標位置。所述轉動流形成部件包括多個旋轉導引孔，所述旋轉導引孔通常沿噴射埠的切線方向延伸，並被連接到噴射埠的內周表面，並沿噴射埠的周向彼此間隔地布置。所述旋轉孔優選地組成噴射埠的上遊側的通路部分(參見圖10等)。作為不需要的物質，有機膜和無機膜有時被層疊在基板的外周部上(參見圖78)。總之，與有機膜反應的氣體的種類不同於與無機膜反應的氣體的種類，並且它們的反應方式也不同，包括需要/無需加熱。例如，諸如光致抗蝕劑的有機膜需要加熱以導致氧化反應和如前提及的灰化。相反，諸如Si0:,的無機膜可以在常溫下通過化學反應被蝕刻。因此，優選地，與有機膜反應的諸如氧基反應性氣體的第一反應性氣體被用作反應性氣體，並且反應性氣體供給器(第一反應性氣體供給器)被用於去除有機膜。優選地，所述設備還包括第二反應性氣體供給器，用於將與無機膜反應的第二反應性氣體(例如，氟基反應性氣體)供給到放置在臺上的基板的外周部(參見圖79和80等)。由於這種布置，不再需要專用於去除無機膜的室和臺；所述設備的結構能夠得以簡化；不再需要從有機膜處理位置到無機膜處理位置或從無機膜處理位置到有機膜處理位置的輸送；並且因此能夠更有效地防止由輸送導致的粒子(或微粒)，並且能夠提高產量。而且，通過根據氣體的類型使用不同的頭，能夠避免交叉汙染的問題。例如，所述膜由諸如光致抗蝕劑和聚合物的(其中m，n和1是整數)表示的有機物質組成。具有與有機膜反應的反應性(或活性)的第一反應性氣體優選是包括氧的氣體，並且更優選地，是諸如氧基(或氧自由基)和臭氧的具有高反應性的含氧氣體。包含常態氣體的純氣體和空氣可以照實際的樣子使用。使用等離子放電裝置或臭氧發生器並將氧氣(02)作為源氣體，能夠生產所述含氧反應性氣體。通過施加熱量，所述有機膜與第一有機氣體的反應性得到增加。應該注意含氧反應性氣體不適合用於去除無機膜。所述無機膜例如包括Si02，SiN，p-Si，低介電常數膜等。與無機膜反應的第二反應性氣體優選是諸如氟基(F"的含氟反應性氣體。使用等離子放電裝置並將諸如PFC(例如，CF4和C2FB)和HFC(例如，CHF3)的含氟氣體用作源氣體，能夠產生含氟反應性氣體。所述含氟的反應性氣體幾乎不與有機膜反應。通常，如上提及，無機膜能夠在常溫下被蝕刻。然而，存在一些需要加熱的無機物質。一種實例是SiC。當將去除需要加熱的作為不需要的物質的無機膜時，用於處理基板的外周的設備能夠類似地應用。對應於SiC的反應性氣體例如是CF4。具有上述結構(a)到(d)的用於處理基板的外周部的設備在如下情況下也有效在高溫下能夠被蝕刻的第一無機膜(例如SiC)和在高溫下其蝕刻速度比第一無機膜低的第二無機膜(例如Si02)被層疊在基板上，並且第一和第二無機膜中僅第一無機膜將被蝕刻。所述加熱器優選地是輻射加熱器，包括熱光的光源；和照射器，所述照射器用於以匯聚方式將來自光源的熱光照射到目標位置(參見圖1等)。由於這個布置，基板能夠以非接觸方式加熱。所述加熱器並不局限於輻射加熱器，還可以是電加熱器等。在輻射加熱器用作加熱器的情況下，雷射、燈等可用作光源。所述光源可以是點狀光源、沿臺的周向延伸的線狀光源、或在臺的周向上沿整個表面延伸的環形光源。在點狀光源的情況下，基板的外周部上的一個位置能夠以點狀方式被局部加熱。通常，雷射源是點狀光源，並且光收集性能很好。它適合於匯聚照射，並且能夠以高密度將能量施加到目標位置中的不需要的物質。因此，目標位置中的不需要的物質能夠瞬時被加熱到高溫。處理寬度還能夠容易地受控。雷射的類型可以是LD(半導體)雷射、YAG雷射、(受激)準分子雷射或任何其它類型的雷射。LD雷射的波長是808nm到940nm;YAG雷射的波長是1064nm;並且(受激)準分子雷射的波長是157mn到351nm。輸出密度優選地約10W/mn^或更多。振蕩形式可以是CW(連續波)或脈衝波。優選地，振蕩形式是能夠通過切換高頻連續處理的類型。也可以接受的是根據不需要的物質的吸收波長形成光源的輸出波長。通過如此做，能量能夠被有效地施加到不需要的物質，並能夠提高加熱效率。所述光源的光發射波長可以與不需要的物質的吸收波長對應，或由諸如帶通濾波器等的波長提取裝置僅提取吸收波長。順便提及，光致抗蝕劑的吸收波長是1500nm到2000腦。也可以接受的是利用凸透鏡、柱面透鏡等，將來自點狀光源的點狀光轉換成沿基板的外周部傳輸的線狀光，並且然後被照射。在光源是線狀光的情況下，基板的外周部的周邊延伸範圍能夠被局部和線性加熱。在光源是環形光的情況下，基板的整個外周部能夠被局部和環形加熱。多個點狀光源和多個線狀光源可沿臺的周向布置。作為燈光源，例如可以列舉諸如滷素燈的近紅外線燈，和遠紅外線燈。燈光源的光發射形式是連續光發射。例如，紅外線燈的光發射波長是760nm到10000nm;並且760nm到2000nm的波長屬於近紅外線波段。利用諸如帶通濾波器的波長提取裝置，與不需要的物質的吸收波長匹配的波長優選地從前述波長區域提取，並且然後被照射。優選地，通過諸如冷卻器和風扇的輻射加熱器/冷卻裝置冷卻輻射加熱器(尤其是燈光源類型的)(參見圖30等)。所述輻射加熱器可包括諸如從光源延伸到目標位置的諸如波導的光傳輸系統(參見圖1等)。由於這種布置，來自光源的熱光能夠被可靠地發送到基板的外周部的附近。作為波導，優選地使用光纖。通過使用光纖，能夠容易地分配。優選地多條光纖被綑紮。也可以接受的是所述波導包括多條光纖；並且那些光纖被分支並從光源延伸，以便尖部沿臺的周向間隔地布置(參見圖39等)。由於這種布置，熱光能夠沿基板的外周部的周向同時照射到多個地方。優選地，諸如光纖的波導的尖部與包括匯聚光學部件的照射器光學連接(參見圖l等)。優選地，輻射加熱器的照射器包括匯聚光學系統(凝聚部件)，所述匯聚光學系統包括拋物面反射器；凸透鏡；柱面透鏡等，並適於將來自光源的熱光匯聚向目標位置。所述匯聚光學系統可以是拋物面反射器、凸透鏡、柱面透鏡等中的任意一個，或它們的組合。所述照射器優選地裝有焦點調節機構。所述焦點可以與目標位置確切地一致，或輕微偏離目標位置。由於這種布置，將被施加到基板的外周部的照射能量的密度和照射區域(凝聚直徑，斑點直徑)的尺寸能夠被合適地調節。所述焦點調節機構能夠以如下方式使用。例如，當在基板的外周中形成的諸如凹口或定向平面的切割部分將被處理時，與僅不包括除切割部分的基板的所有外周將被處理時相比，輻射加熱器的焦點偏向光軸的方向。由於這種布置，與僅不包括凹口或定向平面的所有外周將被處理時相比，能夠增加基板上的照射寬度(光學直徑)；熱光也能夠擊中凹口或定向平面的邊緣；並且因此，能夠去除塗覆在凹口或定向平面的邊緣上的膜(參見圖14等)。利用焦點調節機構，通過朝向光軸的方向調節輻射加熱器的焦點，基板的外周上的照射寬度能夠被調節，並且從而也能夠去除處理寬度(將被去除的不需要的膜的寬度)(參見圖16等)。通過沿基板的照射方向精細地調節輻射加熱器，也能夠調節處理寬度(參見圖17等)。在那種情況下，優選地，不管基板何時進行一個旋轉，輻射加熱器沿基板的徑向方向精細地滑動通常等於輻射加熱器在基板上的照射寬度的一個部分。優選地，照射在基板的外周的、將被處理的範圍的內周側處首先進行，並且然後，逐漸地沿徑向向外精細地滑動。也可以接受的是用於將來自光源的熱光全反射到目標位置的反射部件被設置在目標位置的後側和附近(參見圖28等)。由於這種布置，光源能夠被布置在支撐表面的延伸表面的附近，或設置在從那裡向前移的位置。用於處理基板的外周部的設備可包括(a)臺，所述臺包括支撐表面，所述支撐表面支撐基板，以便基板的外周部向外突出，(b)輻射加熱器，所述輻射加熱器包括光源，所述光源遠離目標位置設置，所述目標位置應該存在於被支撐在臺上的基板的背面的外周部上；和光學系統，所述光學系統用於以熱光不被分散的方式將來自光源的熱光照射到目標位置；和(c)包括噴射埠的反應性氣體供給器，所述噴射埠被連接到用於供給反應性氣體並用於噴射出用於去除不需要的物質的反應性氣體的反應性氣體供給源，所述噴射埠被設置在支撐表面或其延伸表面的背側，或設置為接近通常在延伸表面上的目標位置(參見圖1，24到30、34至U39禾卩41至lj44等)。也可以接受的是基板被支撐在臺上，從而基板的外周部向外突出，來自輻射加熱器的熱光被照射，以便聚焦在基板的背面的外周部上，或外周部的附近，以便基板被局部加熱，反應性氣體供給器的噴射埠被放置在被局部加熱部分的附近，以便噴射埠指向該部分，並且通過經噴射埠噴射出用於去除不需要的物質的反應性氣體，塗覆在基板的背面的外周部上的不需要的物質能夠被去除。由於上述布置，通過將熱光局部地施加到基板背面的外周部，基板能夠被局部加熱，並且反應性氣體能夠從其附近被噴到被局部加熱的部分。這使得可以有效地去除塗覆在特定部分上的不需要的物質。優選地，臺的支撐表面比基板稍微小，並且應該存在於基板的外周部上的目標位置位於從支撐表面徑向向外延伸的延伸表面上。也可以接受的是照射器被設置在延伸表面的背側(或背面)處，並且噴射埠被設置在延伸表面的背側，或者通常設置在延伸表面上(參見圖l等)。由於上述布置，通過將熱光局部地施加到基板背面的外周部，基板能夠被局部加熱，並且反應性氣體能夠從其附近被噴到這個被局部加熱的部分。通過如此做，能夠有效地去除塗覆在這個特定部分上的不需要的膜。所述噴射埠優選地被設置為與距照射器相比更接近目標位置。由於這種布置，反應性氣體能夠在非分散、高密度和高活性的條件下可靠地供給到目標位置；並且能夠有效地可靠地提高不需要的物質的去除率。優選地，照射器被布置為比噴射埠更遠離目標位置。這使得可以容易地布置照射器和噴射埠形成部件。優選地，相對於目標位置，輻射加熱器的照射器和噴射埠沿彼此不同的方向被布置(參見圖1等)。這使得可以更容易地布置輻射加熱器和噴射埠形成部件。優選地，輻射加熱器的照射器和噴射埠中的一個通常被布置在經過目標位置並垂直於延伸表面的直線上(參見圖1等)。通過將輻射加熱器的照射器通常布置在垂線上，加熱效率能夠得以提高；並且通過將噴射埠通常布置在垂線上，反應效率能夠得以提高。優選地，形成反應性氣體供給器的噴射埠的噴射埠形成部件(噴射噴嘴)由透光材料組成。由於這種布置，即使輻射加熱器的光路與噴射埠形成部件幹擾，在傳送經過噴射埠形成部件後，光能夠可靠地被照射到基板的目標位置，並且這個特定部分能夠得到可靠地加熱。因此，噴射埠形成部件能夠被可靠地布置在非常接近目標部分的位置，且不會受到輻射加熱器的光路限制，並且反應性氣體能夠從所述非常接近的位置被可靠地噴到特定部分上。作為透光材料，例如優選地使用諸如石英、丙烯醛基、透明特氟隆(註冊商標)和透明氯乙烯的透明樹脂。倘若，具有低熱阻的透明樹脂被用作透光材料，優選地調節輻射熱等的輸出，以便透明樹脂將不會變形或熔解。也可以接受的是使用用於封閉(或包圍)目標位置的外殼部，並且用於反應性氣體的噴射埠被布置在外殼部內部。而且，也可以接受的是輻射加熱器的照射器被布置在外殼部外部，並且面對照射器側的至少一部分外殼部由透光材料組成(參見圖38和61到77等)。由於這種布置，能夠可靠地防止處理過的反應性氣體洩漏到外部，並且來自輻射加熱器的熱光能夠經外殼部傳送，從而實現可靠地輻射加熱基板的目標部分。照射器和噴射埠優選地被相對移動。優選地，臺是圓形臺，並且這個圓形臺相對於光源和噴射埠繞中心軸相對地旋轉。由於這種布置，即使在光點是點狀光源的情況下，也能夠沿基板背面的外周部的周向執行不需要的物質的去除處理。即使在光源是環狀光源的情況下，通過執行上述相對旋轉，能夠提高處理的均勻性。根據基板背面的外周部被加熱處的溫度，相對旋轉數目(相對移動速度)被合適地設置。期望地使用框架，用於沿周向包圍臺，從而包圍目標位置，並在臺和框架之間形成環形空間(參見圖1和2等)。由於這種布置，處理過的反應性氣體能夠被暫時保留在目標位置附近，從而氣體不會擴散到外部，並能夠獲得充分的反應時間。優選地，光源和噴射埠被容納在環形空間中或面對該環形空間，並且位置固定到框架。所述設備優選地還包括旋轉驅動機構，用於相對於框架繞中心軸相對地旋轉臺。可以接受的是所述框架是固定的，同時臺被旋轉，或臺被固定，同時框架被旋轉。優選地，所述設備還包括迷宮密封件，用於密封臺的支撐表面側(前側)的相反側上的背面部分之間，同時實現臺的相對旋轉(參見圖1等)。由於這種布置，臺或框架能夠無任何幹擾地旋轉，並且處理過的氣體能夠被防止從臺的後側和框架之間洩漏到外部。優選地，所述框架在其前側上的部分設置有蓋部件，所述蓋部件朝向臺延伸，並重疊目標位置的前側，從而蓋部件單獨或與放置在臺上的基板的外周部協作覆蓋環形空間(參見圖24到30等)。由於這種布置，處理過的氣體能夠被防止從環形空間洩漏到前側。所述蓋部件優選地從它塗覆環形空間的位置可撤回(參見圖29等)。由於這種布置，當基板將被放置在臺上和從臺上移去時，通過撤回蓋部件，蓋部件將不會干擾將基板放置在臺上和將基板從臺上移去的操作。所述環形空間優選地與用於抽吸環形空間的環形空間抽吸裝置連接(參見圖1和24到27等)。由於這種布置，處理過的反應性氣體能夠被從環形空間抽吸並排出。所述設備還優選地包括用於抽吸噴射埠附近的抽吸裝置(參見圖3)。由於這種布置，處理過的氣體能夠被從目標部分的周圍抽吸並排出。優選地，所述臺在其支撐表面的外周部處設置有與基板的外周部協作並形成氣體存儲器的臺階部(參見圖37等)。由於這種布置，從噴射埠噴射出的反應性氣體能夠被暫時保存在氣體存儲器中，以便能夠增加反應性氣體接觸基板的外周部的時間。因此，能夠獲得足夠的反應時間並能夠提高反應效率。優選地，用於噴射出惰性氣體的惰性氣體噴射部件被設置在支撐表面的中央部分的正前方(參見圖34到37等)。由於這種布置，能夠防止反應性氣體不流動到基板的正面，並且能夠可靠地防止前側上的膜受損。所述惰性氣體噴射部件可以是噴嘴或風扇過濾器單元。當然，這種惰性氣體噴射部件被設置為從支撐表面向上離開至少等於或大於基板厚度的部分。在執行用於放置/移去基板的操作時，惰性氣體噴射部件被撤回，以便不會干擾操作。作為惰性氣體，可以使用純氮氣、清潔乾性空氣(CDA)等。如前提及，在諸如碳氟化合物的有機膜被諸如臭氧的氧基反應性氣體蝕刻的情況下，隨著執行蝕刻的溫度變高，蝕刻速度能夠被增加。作為加熱裝置，因為能夠更有效地防止出現粒子，由雷射導致的輻射熱比伴以物理接觸的加熱器等更優選。另一方面，在諸如雷射的輻射光從正上方或正下方照射到晶片的外周部上的情況下，使光以傾斜或平行方式入射到晶片的端部邊緣處的傾斜表面部分或垂直部分。因此，很難獲得充分的加熱率，並且蝕刻速度趨於被減小。也可以接受的是基板被支撐在臺上，並且在從基板徑向向外下傾的方向朝著基板的外周部照射熱光的同時，通過使外周部與反應性氣體接觸，塗覆在基板的外周部上的不需要的物質被去除(參見圖30，53，56和57等)。由於上述布置，相對於基板的外周部的傾斜表面和垂直外端面，能夠使熱光的照射方向接近垂直，通過充分增加輻射能量的密度能夠充分地增加加熱效率，並且因此，能夠增加用於去除形成在基板的外周上的膜的蝕刻速度。所述下傾方向不僅包括相對於基板的傾斜方向(參見圖30，53和57等)，而且包括正側向方向(與基板平行)(參見圖56等)。也可以接受的是基板由臺支撐；反應性氣體向基板的外周部供給，同時照射熱光；並通過繞基板的外周部在垂直於基板(其主表面)的平面中移動熱光的照射方向，塗覆在基板的外周部上的不需要的物質與反應性氣體接觸並被去除(參見圖59和60等)。由於上述布置，熱光能夠被通常垂直地照射到諸如基板的前側、外端面和後側的各個部分，並且從而每個部分能夠被有效地處理。優選地，熱光移動通過的平面是穿過基板的單個半徑的平面。用於處理基板的外周部的設備進一步包括(a)用於支撐基板的臺，(b)反應性氣體供給器，所述反應性氣體供給器適於將反應性氣體供給到目標位置，所述目標位置應該存在於放置在臺上的基板的外周部上；禾口(c)照射器，所述照射器用於將熱光從支撐表面的徑向向外下傾的方向照射向目標位置(參見圖30，53，56和57等)。由於上述布置，相對於基板的外周部的傾斜表面和外端面，通過使熱光的輻射角度接近垂直，能夠使入射角接近零度；通過充分增加輻射能量的密度，能夠充分地增加加熱效率；並且因此，能夠增加用於去除塗覆在基板的外周上的膜的蝕刻速度。用於處理基板的外周部的設備可包括(a)臺，所述臺包括用於支撐基板的支撐表面；(b)反應性氣體供給器，所述反應性氣體供給器適於將反應性氣體供給到目標位置，所述目標位置應該存在於放置在臺上的基板的外周部上；(c)照射器，用於將熱光照向目標位置，和(d)移動機構，用於在垂直於支撐表面(由此垂直於支撐表面上的基板)的平面中移動照射器，同時將照射器指向目標位置(參見圖59和60等)。由於上述布置，熱光能夠被通常垂直地照射到諸如基板的外周部的前側、外端面和後側的各個部分，並且從而每個部分能夠被有效地處理。垂直於支撐表面的平面優選地是穿過支撐表面中心的平面。可以接受的是反應性氣體供給器的供給噴嘴和排出噴嘴是可移動的，或與照射器一起可進行角度調節。也可以接受的是不管照射器的移動如何，供給噴嘴和排出噴嘴的位置固定。優選地，照射方向通常沿在基板外周部的將照射的點(將照射的部分的中心)處的法線(參見圖54等)。由於上述布置，入射角能夠在上述點處通常為零，能夠可靠地增加照射能量的密度，並能夠可靠地提高加熱效率。在用於處理基板的外周部的設備的反應性氣體供給器的噴射噴嘴為從其基端到其遠端具有統一直徑的細長麥杆狀結構的情況下，可以預期反應性氣體容易擊中基板並被分散。然後，活性種的反應時間減小，活性種的使用率和反應效率減小，並且所需的反應性氣體量增加。考慮到上述情況，也可以接受的是用於處理基板的外周部的設備的反應性氣體供給器包括導引部，用於將去除不需要的物質的反應性氣體導引到目標位置附近；禾口連接到導引部並覆蓋在目標位置上的筒部，筒部的內部比導引部更寬地擴展，並限定用於暫時在其中保存反應性氣體的暫時(或臨時)存儲空間(參見圖60到66和70到77等)。由於上述布置，能夠提高反應性氣體的使用效率和反應效率，並能夠減小所需的氣量。優選地，被連接到暫時存儲空間的釋放埠形成在筒部本身中，或形成在筒部與目標位置上的基板的外邊緣之間；並且反應性氣體被鼓勵通過釋放埠流出暫時存儲空間。由於上述布置，反應性減小的處理過的氣體和反應副產品能夠停留在暫時存儲空間較長，新的反應性氣體能夠不時地供給到暫時存儲空間，並且反應效率能夠得到可靠地提高。例如，筒部的尖部面對目標位置開口(參見圖66和71等)。在那種情況下，用作釋放埠的切割部分優選地形成在在筒部的遠端邊緣中徑向地定位在基板外部的對應位置(參見圖70和71等)。由於上述布置，處理過的氣體和反應副產品能夠經切割部分快速流出暫時存儲空間，新的反應性氣體能夠不時地供給到暫時存儲空間，並且反應效率能夠得到可靠地提高。也可以接受的是筒部被設置為穿過目標位置；用於使基板的周邊部分插入其中的切割部分形成在對應於基板的目標位置的周邊部分中；並且導引部被連接到位於切割部分的基端側的筒部(參見圖74到77等)。在上述布置中，切割部分的基端側的筒部的內部構成暫時存儲空間，通過與目標位置中的晶片的外邊緣協作，對應於筒部的目標位置的、未切割留下的部分的內周表面構成釋放埠。切割部分的遠端側的筒部優選地與排出通路直接連接(參見圖74和75等)。由於上述布置，處理過的氣體和反應副產品能夠被可靠地導引到排出通路；如果有的話，粒子能夠被可靠地強制排出；並且能夠容易地控制反應。優選地，筒部的基端部設有用於封閉基端部的透光封閉部；並且熱光照射器被設置在外殼部的外部，以便指向目標位置(參見圖70和77等)。由於上述布置，在不需要的膜和反應性氣體執行吸熱反應的情況下，能夠可靠地增強反應。如上所述，由於吸熱器剛好位於諸如晶片的基板的外周部內是有效的，臺的直徑製造得比諸如基板的直徑稍微小，以便僅基板的外周部徑向突出到臺外部。另一方面，在將基板放置在臺上和使從臺移去基板時，基板的正面優選地不被接觸。為此目的，優選地使用叉狀臂，並且使所述臂緊靠基板的下表面(背面)並被升起。然而，在僅基板的外周部的小部分從臺突出的情況下，幾乎不會有叉緊靠著基板的下表面的空間。因此，臺在其中央部優選地設有直徑減小的中央墊，從而中央墊可上下移動(參見圖86到87等)。利用從臺突起的中央墊，基板由叉狀的機器人臂(機械手)放置在中央墊上，並且叉狀的機器人臂撤回。當在那種情況下，中央墊與其平齊或從其降低，基板能夠被放置在臺上。在處理結束後，中央墊被上升，並且叉狀的機器人臂被插入基板和臺之間。然後，晶片由叉狀的機器人臂上升，並運送出來。在具有中央墊的臺中，用於中央墊的上下移動機構被布置在中心軸線上。中央墊優選地設有用於吸附基板的功能。在那種情況下，從中央墊引出的抽吸流動通路被布置在中心軸線上。在處理中不需要冷卻的情況下，存在方便地將中央墊直接用作臺的例子。在那種例子中，中央墊的旋轉機構也可被連接到中心軸線。在使用上述布置的情況下，使臺吸附基板的抽吸流動通路和引向冷卻室的冷卻流動通路很難被設置在中心軸線上，並且它們被迫以從中心軸偏心的方式設置。另一方面，由於臺繞中心軸旋轉，如何使臺與偏心流動通路相互連接成為問題。因此，可以接受的是所述設備包括臺，所述臺包括用於在諸如晶片的基板上實現所需的操作(溫度調節(包括冷卻)，吸附等)並可繞中心軸臺旋轉的流動通路，所述臺包括臺主體，所述臺主體上設有基板被放置在其上的安裝表面；和流動通路的終端(用於執行諸如溫度調節和吸收的所需動作的部分)；設有用於流動通路的埠的固定筒；可旋轉地穿過固定筒並同軸地連接到臺主體的旋轉筒；和適於旋轉旋轉筒的旋轉驅動器，連接到埠的環形通路形成在固定筒的內周表面或旋轉筒的外周圍表面中；沿軸向方向延伸的軸向通路形成在旋轉筒中；和所述軸向通路的一個端部被連接到環形通路；並且另一端部被連接到所述終端(參見圖87等)。由於上述布置，臺能夠被旋轉，同時使流體流動，用於在偏離臺中心的位置對諸如晶片的基板執行諸如溫度調節和吸附的所需操作；並且用於布置諸如中央墊的前進/撤回機構的其它組成部件的空間能夠在中心軸線上獲得。例如，所述終端是用於冷卻基板的室或通路。作為終端的室或通路形成在臺主體內部。用於冷卻基板的冷卻流體穿過流動通路。由於上述布置，基板能夠得到冷卻作為所需動作。在那種情況下，臺包括臺主體，所述臺主體具有形成在其中作為吸熱器的冷卻介質室或冷卻介質通路，設有用於冷卻介質的埠的固定筒；可旋轉地穿過固定筒並同軸地連接到臺主體的旋轉筒；和適於旋轉旋轉筒的旋轉驅動器，環形通路，所述環形通路被連接到形成在固定筒的內周表面或旋轉筒的外周圍表面中的埠；沿軸向方向延伸且形成在旋轉筒中的軸向通路，所述軸向通路的一端部被連接到環形通路，另一端部被連接到冷卻介質室或冷卻介質通路(參見圖87等)。在冷卻流動通路結構中，優選地，兩個環形密封槽形成在固定筒的內周表面中或旋轉筒的外周圍表面中，以便密封槽位於環形通路的兩側；禾口每個密封槽在其中容納朝向環形通路開口並且截面具有n形結構的墊圈(參見圖88等)。在冷卻流體通過固定筒的內周表面和旋轉筒的外周圍表面之間的間隙進入環形密封槽的情況下，沿墊圈的開口的擴散方向，流體壓力(正壓力)作用於具有n形截面的墊圈，並且墊圈能夠被推靠在環形密封槽的內周表面上。因此，能夠可靠地獲得密封壓力，並且能夠可靠地防止冷卻流體洩露。可以接受的是所述終端是形成在安裝表面中的吸附槽，並且所述埠被真空吸附(參見圖87等)。由於這種布置，基板的吸附能夠得到執行作為所需動作。在上述吸附流動通路結構中，優選地，兩個環形密封槽形成在固定筒的內周表面中或旋轉筒的外周圍表面中，以便密封槽位於環形通路的兩偵lj;禾口每個密封槽在其中容納相對於環形通路朝向相對側開口並且截面具有n形結構的墊圈(參見圖88等)。由於上述布置，在通過固定筒的內周表面和旋轉筒的外周圍表面之間的間隙，在環形密封槽上實現吸附流動通路的負壓力的情況下，這種負壓力作用於截面為n形的墊圈的後部並試圖擴展墊圈，並且因此，墊圈被推靠在環形密封槽的內周表面上，以便能夠可靠地防止出現洩漏。優選地，被連接到中央墊的墊軸被容納在旋轉筒內。所述中央墊優選地通過墊軸沿軸向方向前進/後退。也可以接受的是中央墊通過墊軸旋轉。優選地，墊軸與前進/後退中央墊的墊往復移動機構和用於旋轉中央墊的墊旋轉機構的一部分或整體成一體。用於吸附基板的吸附槽也形成在中央墊中，並且墊軸設有連接到中央墊的吸附槽的抽吸通路。也可以接受的是從用於去除不需要的物質的反應性氣體的噴射噴嘴到諸如晶片的基板的外周部的噴射方向通常沿基板的周向(在目標位置處的切線方向)定向(參見圖41到45等)。也可以接受的是在基板的外周部將被定位的環形表面附近，用於處理晶片的外周部的設備的反應性氣體供給器的噴射噴嘴的噴射方向通常沿環形表面的周向(目標位置處的切線方向)定向(參見圖41等)。由於上述布置，反應性氣體能夠沿基板的外周流動，反應性氣體接觸基板的外周的時間能夠得到增加，並且能夠提高反應效率。在塗覆在晶片的背面上的不需要的物質被主要去除的情況下，噴射噴嘴優選地被布置在環形表面的後側(因此，被布置在晶片的後側)(參見圖42等)。還優選地，噴射噴嘴的遠端部(噴射軸)向環形表面內徑向傾斜(參見圖45(b)等)。由於這種布置，能夠防止反應性氣體轉到基板的正面，並且能夠防止前側受損。優選地，噴射噴嘴的遠端部(噴射軸)從環形表面的前側或後側向環形表面傾斜(參見圖42和44等)。由於這種布置，反應性氣體能夠可靠地擊中基板。當然，也可以接受的是噴射噴嘴的遠端部件(噴射軸)剛好沿基板的周向(切線方向)定向。優選地，除了噴射噴嘴，所述設備包括用於抽吸處理過的氣體的抽吸噴嘴(排出噴嘴)(參見圖41等)。所述抽吸噴嘴與諸如真空泵的抽吸排放裝置連接。所述抽吸噴嘴優選地布置為與噴射噴嘴相對，且目標位置被夾在它們之間(參見圖41等)。所述抽吸噴嘴優選地通常沿環形表面的周向被布置為與噴射噴嘴相對(參見圖41等)。由於上述布置，反應性氣體的流動方向能夠可靠地被控制以沿基板的周向，並且無需處理的部分能夠可靠地被防止受到反應性氣體的負面影響。然後，反應性氣體從噴射噴嘴通常沿切線方向噴射出並反應。反應後，直接使處理過的氣體(包含諸如粒子的反應副產品)沿基板的切線方向通常直線地流動。然後，所述處理過的氣體能夠被抽吸噴嘴抽吸以便被排出。因此，能夠防止粒子堆在基板上。在噴射噴嘴被設置在環形表面的後側的情況下，抽吸噴嘴也被布置在後側。在那種情況下，抽吸噴嘴的遠端部(抽吸軸)優選地向環形表面傾斜(參見圖42等)。由於這種布置，能夠可靠地抽吸沿基板流動的反應性氣體。也可以接受的是抽吸噴嘴的遠端部件(抽吸軸)沿周向(切線方向)直線定向，以便它與噴射噴嘴的遠端部(噴射軸)對準。也可以接受的是抽吸噴嘴的遠端部的抽吸軸通常從基板的外周將被布置在其上的環形表面的外部徑向向內定向，以便抽吸軸通常與噴射噴嘴的遠端部的噴射軸垂直(參見圖49等)。由於上述布置，反應性氣體通過噴射噴嘴噴出並反應。反應後，能夠使處理過的氣體(包含諸如粒子的反應副產品)快速徑向向外，以被抽吸/排放。因此，能夠防止粒子堆在基板上。也可以接受的是抽吸噴嘴的遠端部的抽吸軸被布置為指向基板的外周將被布置在其上的環形表面，並且抽吸軸被布置在位於布置噴射噴嘴的遠端部的一側的相反側，並且環形表面被夾在抽吸軸和噴射噴嘴的遠端部之間(參見圖50等)。由於上述布置，通過噴射噴嘴噴射出的氣體能夠經外端面，從布置噴射噴嘴的一側的基板的外周的表面流動到位於布置抽吸噴嘴的一側的表面。因此，能夠可靠地去除塗覆在基板的外端面上的不需要的膜(參見圖51等)。然後，所述處理氣體(包含諸如粒子的反應副產品)能夠被吸入下部抽吸噴嘴以被排出。因此，能夠防止粒子堆在基板上。所述抽吸噴嘴的孔直徑優選地比噴射噴嘴的孔直徑更大。所述抽吸噴嘴的孔直徑優選地是噴射噴嘴的孔直徑的2—5倍。例如，噴射噴嘴的孔直徑優選地約l一3mm。另一方面，抽吸噴嘴的孔直徑優選地約2—15ram。由於上述布置，能夠防止處理過的氣體和反應副產品擴散，並且然後處理過的氣體和反應副產品能夠被可靠地吸入抽吸埠以被排出。優選地使用用於相對於噴射噴嘴沿周向相對地旋轉基板的旋轉裝置。優選地，噴射埠沿基板的旋轉方向的法線方向布置在上遊側，並且抽吸埠被布置在下遊側(參見圖41等)。優選地，輻射加熱器將輻射熱局部地照射到環形表面中的噴射噴嘴和抽吸噴嘴之間。由於上述布置，當局部加熱位於噴射噴嘴和抽吸噴嘴之間的基板的外周部時，反應性氣體能夠與其接觸。在將去除其蝕刻速度隨著溫度的增加而增加的膜(諸如光致抗蝕劑)時，這是有效的。由於進行局部加熱，能夠防止或抑制無需處理的部分被加熱。而且，由於能夠以非接觸的方式進行加熱，能夠可靠地防止出現粒子。這種輻射加熱器優選地是雷射加熱器。如前提及，在諸如光致抗蝕劑的有機膜將被去除的情況下，反應性氣體優選地是臭氧。為了產生這種臭氧氣體，可以使用臭氧發生器或氧等離子體。在使用臭氧的情況下，優選地噴射噴嘴設有冷卻裝置。由於這種布置，臭氧能夠保持低溫，以便臭氧的壽命能夠被延長，並且提高反應效率。作為用於噴射噴嘴的冷卻裝置，例如，冷卻通路形成在用於保持噴射噴嘴的噴嘴保持部件中，並且諸如冷卻水的冷卻介質穿過所述冷卻通路。冷卻介質的溫度可以約為室溫。優選地，噴嘴保持部件由極佳的熱導材料組成。輻射加熱器的局部照射位置優選地偏離向噴射噴嘴和抽吸噴嘴之間的噴射噴嘴側(參見圖45(b)等)。由於上述布置，在來自噴嘴的反應性氣體擊中它們不久之後，基板的外周部的各個處理點能夠被照射地加熱。此後，在反應性氣體保持擊中期間的較大部分，利用殘餘熱量可以保持高溫，並且能夠更可靠地提高處理效率。基部材料的旋轉方向可以是與上述方向相反的反向。在那種情況下，輻射加熱器的局部輻射位置優選地偏移向噴射噴嘴和抽吸噴嘴之間的抽吸噴嘴側。優選地，考慮到諸如旋轉裝置的旋轉速度和輻射加熱器的加熱性能的因素，合適地建立噴射噴嘴和抽吸噴嘴之間的距離。也可以接受的是在用於去除不需要的物質的反應性氣體被導引到基板的外周部後，氣體被導引以便通過沿基板的外周延伸的導引通路在周向上流動，從而去除塗覆在諸如晶片的基板的外周部上的不需要的物質。也可以接受的是用於處理晶片的外周部的設備的反應性氣體供給器包括氣體導引部件，所述氣體導引部件包括導引通路，所述導引通路沿基板的周向延伸以包圍基板的外周部；和所述反應性氣體沿導引通路的延伸方向穿過(參見圖81到83和91至lj94等)。由於上述布置，能夠增加活性種接觸基板的外周的時間，並且能夠提高反應效率。而且，能夠減小所需的處理氣體量。所述氣體導引部件能夠應用作為第二反應性氣體供給器的氣體供給器，並適於去除諸如Sin和Si02的無機膜。優選地，氣體導引部件包括用於使基板的外周部可去除地插入其中插入埠；並且插入埠的最內端的寬度被擴展，從而形成導引通路。所述插入埠的厚度優選地略大於基板的厚度。當基板被插入插入埠中時，插入埠與基板之間的空間優選地儘可能小。優選地，在導引通路的延伸方向上的一端與用於反應性氣體的導引埠連接，並且另一端與排出埠連接(參見圖82等)。由於這種布置，反應性氣體能夠從導引通路的一端流到另一端。用於沿基板的周向相對地旋轉氣體導引部件的旋轉裝置優選地設置為旋轉速度能夠被調節。由於上述布置，不需要的物質能夠從基板的外周部的整個周邊均勻地去除，並且通過調節旋轉速度，能夠調節不需要的物質的處理寬度。旋轉速度優選地在1rpm到1000rpm的範圍內，更優選地在10rpm到300rpm的範圍內。如果旋轉速度超過1000rpra，反應性氣體接觸目標部分的時間過度減小並且從而不是優選的。優選地，導引通路中的氣體的流動方向與基板的旋轉方向對準。也可以接受的是輻射加熱器的照射器被設置在導引通路內或附近。所述照射器可附加地連接到氣體導引部件。優選地，用於使照射器的熱光透射通過它的透光部件嵌入氣體導引部件，以便面對導引通路(參見圖96等)。由於上述布置，使用氣體導引部件，能夠去除需要加熱蝕刻的諸如光致抗蝕劑和聚合物的無機膜(例如SiC)。當層疊在基板上的、在高溫下能夠蝕刻的第一無機膜(例如SiC)和在高溫下蝕刻速度比第一無機膜低的第二無機膜(例如Si02)中的僅一個將被去除時，具有照射器的氣體導引部件也有效。優選地，所述加熱器加熱(特別地，在導引通路的上遊側(導引埠側))導引通路內的基板的外周部。同樣優選地，所述加熱器加熱沿導引通路的旋轉方向位於上遊側的基板的外周部(如圖95等)。優選地，導引通路中的氣體的流動方向與基板的旋轉方向對準，並且照射器以匯聚方式將熱光照射在導引通路的上遊端附近(參見圖95等)。由於這種布置，在接近導引通路的上遊端的位置處，基板的外周部能夠被輻射加熱；塗覆在基板的外周上的膜能夠與新鮮的反應性氣體充分反應；並且此後，由於基板在朝嚮導引通路的下遊側旋轉時短時間保持高溫，不僅在導引通路的上遊側的部分而且在中間部分和下遊側部分，能夠產生滿意的反應。由於這個布置，處理效率能夠得到可靠地提咼。在膜包括諸如容易產生殘餘物，換言之，在常溫下趨於產生固態副產品，的成份的情況下，沿導引通路的旋轉方向在下遊側的基板的外周可被上述加熱器局部加熱。由於這種布置，殘餘物能夠被蒸發，並被從基板的外周去除。例如，當SiN被蝕刻時，產生諸如(NH4)2SiF6，NH4F.HF的每個都是固態的副產品。這種殘餘物能夠被加熱器蒸發和去除。也可以接受的是除氣體導引部件，所述設備包括作為上述第一反應性氣體供給器的有機膜去除頭；並且所述有機膜去除頭包括用於將輻射熱局部施加到基板的外周部的照射器；和氣體供給部件，用於將與有機膜反應的諸如含氧反應性氣體的第一反應性氣體供給到基板的外周部(參見圖79以及其它)。所述有機膜去除處理頭和氣體導引部件優選地沿臺的周向離開地布置。在使用氣體導引部件的過程期間產生的固態副產品優選地通過有機膜去除處理頭的照射器加熱，以便被蒸發和去除。如上提及，總之，諸如定向平面和凹口的切割部分形成在圓形晶片外周部的一部分中。也可以接受的是所述晶片被設置在臺上；然後，所述臺圍繞旋轉軸線旋轉；所述處理流體(反應性氣體)從供給噴嘴供給，同時供給噴嘴被定向到其中晶片的外周部移動穿過垂直於旋轉軸線的第一軸的點，且如果由臺的旋轉導致變化，根據點的連續或暫時改變沿第一軸滑動供給噴嘴，(參見圖99等)。優選地，所述晶片被同心地設置在臺上；所述臺繞旋轉軸線旋轉；處理流體(反應性氣體)被從供給噴嘴供給，同時當晶片的外周部的圓形部分移動穿過第一軸時通過保持供給噴嘴指向設置在第一軸上並且離開旋轉軸線大體等於晶片的半徑的距離，並當晶片的外周部的切割部分移動穿過第一軸時通過根據穿過點(或橫斷點)沿第一軸的變化沿第一軸滑動供給噴嘴，供給噴嘴一直指向其中晶片的外周部移動穿過垂直於旋轉軸線的第一軸的穿過點。用於處理晶片的外周部的設備可包括臺，晶片布置在所述臺上並所述臺繞旋轉軸線旋轉；處理流體(反應性氣體)供給噴嘴，所述供給噴嘴沿垂直於旋轉軸線的第一軸可滑動地設置；和噴嘴位置調節機構，所述噴嘴位置調節機構用於通過根據穿過點的連續或暫時變化沿第一軸調整供給噴嘴的位置，將供給噴嘴常指向穿過點，其中在所述穿過點，晶片的外周部移動穿過第一軸(參見圖99等)。用於處理晶片的外周部的設備可包括繞旋轉軸線(中心軸線)旋轉的臺；對準機構，用於對準地(同心地)將具有圓形外周部的晶片布置在處理臺上，其中諸如定向平面和凹口的切割部分部分地形成在所述圓形外周部上；可滑動地沿垂直於旋轉軸線的第一軸設置的處理流體(反應性氣體)供給噴嘴；和噴嘴位置調節機構，用於保持供給噴嘴靜止，同時當晶片的圓形外周部移動穿過第一軸時將供給噴嘴定向到所述穿過點，即在第一軸上的從旋轉軸線離開大體等於晶片半徑的距離的位置；並且用於當晶片的切割部分移動穿過第一軸時根據穿過點的變化沿第一軸滑動供給噴嘴，從而將供給噴嘴常指向穿過點(參見圖97到99等)。也可以接受的是所述反應性氣體供給器包括沿垂直於臺的中心軸線的第一軸可滑動的反應性氣體供給噴嘴，所述晶片被同心地布置在臺上，並且臺繞中心軸線旋轉，當晶片的圓形外周部移動穿過第一軸時，供給噴嘴的遠端部保持靜止，同時被指向第一軸上的從中心軸離開等於晶片半徑的距離的位置；和當晶片的切割部分移動穿過第一軸時，供給噴嘴沿第一軸與臺的旋轉同步地滑動，以便供給噴嘴的遠端部常指向穿過點(參見圖97到99等)。優選地，對準機構包括用於探測晶片的切割部分的切割部探測部分，並且切割部分與同心操作並行地指向預定方向。所述噴嘴位置調節機構優選地與臺的旋轉同步地調節供給噴嘴的位置。即，當臺在對應於圓形外周部移動穿過第一軸所需的時間段的旋轉角度的範圍內時，供給噴嘴被固定到第一軸上的從旋轉軸離開大體等於晶片半徑的距離的位置；並當臺在對應於切割部分移動穿過第一軸所需的時間段的旋轉角度的範圍中時，使供給噴嘴具有對應於臺的旋轉角度和旋轉速度的速度和方向(沿第一軸朝向旋轉軸線或離開旋轉軸線的方向)。作為這種同步控制的結果，供給噴嘴優選地常指向供給噴嘴移動穿過第一軸的點。另一方面，在由對準機構進行對準的情況下，需要對準機構的設備成本；而且，需要將晶片從進行對準的位置傳送到旋轉臺所需的時間。而且，對準精度取決於機器人臂的操作精度。也可以接受的是所述晶片被設置在臺上；然後，這個臺繞旋轉軸線(中央軸線)旋轉；處理流體(反應性氣體)的供給噴嘴指向其中晶片的外周部移動穿過垂直於旋轉軸線的第一軸處的點；並且當穿過點根據臺的旋轉改變時，供給處理流體，同時根據所述變化沿第一軸滑動供給噴嘴(參見圖105等)。優選地，所述晶片被設置在臺上；然後，這個臺圍繞旋轉軸線(中央軸線)旋轉；計算晶片的外周部移動穿過的瞬時點；供給處理流體(反應性氣體)，同時基於計算的結果，通過沿第一軸調節供給噴嘴的位置，將供給噴嘴常指向穿過點(參見圖105等)。由於上述布置，能夠取消偏心糾正對準機構，並且所述設備的結構能夠得以簡化。而且，由於能夠取消對準操作，能夠縮短整個處理時間。在與不時地進行瞬時穿過點的計算並行地，也可以接受的是調節供給噴嘴的位置並供給處理流體。在那種情況下，優選地，沿臺的旋轉方向，在供給噴嘴的上遊側，測量晶片的外周部的位置，並基於這種測量結果進行上述計算。也可以接受的是在對晶片的外周部的整個周邊執行穿過點的計算後，調節供給噴嘴的位置並供給處理流體。用於處理晶片的外周部的設備可包括其上布置晶片並繞旋轉軸線(中心軸線)旋轉的臺；沿垂直於旋轉軸線的第一軸可滑動地設置的處理流體(反應性氣體)供給噴嘴；計算器，用於計算晶片的外周部移動穿過第一軸的瞬時點，和噴嘴位置調節機構，用於基於計算的結果，通過沿第一軸調節供給噴嘴的位置，將流體供給噴嘴常指向穿過點(參見圖103到105等)。也可以接受的是所述反應性氣體供給器包括沿垂直於臺的中心軸線的第一軸可滑動的反應性氣體供給噴嘴，所述臺繞中心軸線旋轉同時保持晶片；所述設備還包括計算器，用於計算晶片的外周部移動穿過垂直於中心軸線的第一軸的瞬時點，和供給處理流體，同時基於計算的結果，通過沿第一軸調節供給噴嘴的位置，將供給噴嘴常指向穿過點(參見圖103到105等)。所述計算器優選地包括用於測量晶片的外周的測量器。發明的效果根據本發明，通過對晶片的外周部加熱並將反應性氣體噴射到加熱的外周部上，可有效地去除不需要的物質。由於吸熱器設置在臺上，即使在熱量從外部被傳導到位於基板的外周部內部的部分，或加熱器的熱量被施加其上的情況下，利用這種吸熱器能夠吸收其熱量。因此，能夠防止位於基板的外周內的部分處的膜和布線質量的改變。而且，即使在反應性氣體從基板的外周側流入內部的情況下，反應能夠被抑制。這使得可以防止從基板的外周起在內部部分上出現損壞。圖1是根據本發明第一實施例的用於處理基板的外周部的設備的沿圖2中的線I-1的橫截面正視圖2是上述設備的俯視圖。圖3是上述設備的膜去除部的放大尺寸的橫截面正視圖；圖4(a)是示出其中由圖1所示相同裝置測量的晶片溫度對比從將在晶片的外端邊緣處被加熱的部分附近沿徑向向內方向的距離的實驗結果的曲線。圖4(b)是示出其中比圖4(a)中的比較位置更接近被加熱部分的位置(緊接被加熱部分的附近)用作水平軸的起點的測量溫度的曲線。圖5是示出其中利用圖1所示相同裝置測量的晶片溫度對比從將在晶片的外端周邊處被加熱的部分附近沿徑向向內方向的距離的另一實驗結果的曲線。圖6是根據吸熱器的改進的臺的說明正視圖。圖7是根據吸熱器的改進的臺的說明正視圖。圖8是根據吸熱器的改進的臺的說明性俯視圖。圖9是臺吸熱器的改進的說明俯視圖。圖10是根據吸熱器的改進的臺的說明性俯視圖。圖10(b)是圖10(a)的臺的說明正視圖。圖11是根據其中珀爾帖(Peltier)元件被用作吸熱器的改進的臺的說明正視圖。圖12是其中吸熱器僅被放置在外周區域處的臺的俯視圖。圖13是圖12所示的臺等的說明側視圖。圖14是示出形成在晶片的外周中的凹口的周圍區域的放大尺寸的俯視圖；圖14(a)顯示了其中保持雷射照射單元的輻照點直徑恆定時，凹口的周圍區域被處理的狀態；圖14(b)是示出其中輔照點直徑在凹口位置處增加的另一狀態；和圖14(c)顯示了圖14(b)的處理被執行後的狀態。圖15是示出其中在將輻照點直徑設置為1mm時，雷射照射單元聚焦在晶片的外周上的狀態的說明正視圖。圖16是示出其中通過調節焦距以便輻照點直徑在雷射照射單元的晶片的外周上為3mm，凹口的周圍區域被處理的狀態的說明正視圖。圖17是用於說明其中雷射照射單元沿晶片的徑向方向精細滑動，以便處理寬度變得比輻照點直徑更大的處理狀態的正視圖。圖18(a)是其中裝入真空卡持(或吸盤)機構的臺的俯視圖。圖18(b)是圖18(a)的臺的說明正視截面圖。圖19(a)是根據真空卡持機構的改進的臺的俯視圖。圖19(b)是圖19(a)的臺的說明截面正視圖。圖20是根據真空卡持機構的修改的臺的俯視圖。圖21是圖20的臺的截面正視圖。圖22是根據其中卡持機構僅被放置在外周區域處的臺的俯視圖。圖23是圖22的臺的截面正視圖。圖24是示出根據反應性氣體供給器等的改進實施例的用於處理基板的外周部的設備的截面正視圖。圖25是示出根據反應性氣體供給器等的改進實施例的用於處理基板的外周部的設備的截面正視圖。圖26是示出根據反應性氣體供給器等的改進實施例的用於處理基板的外周部的設備的截面正視圖。圖27是示出根據輻射加熱器與反應性氣體供給器之間的布置關係等的改進實施例的用於處理基板的外周部的設備的截面正視圖。圖28是示出圖27所示設備的膜去除部的放大尺寸的橫截面正視圖。圖29是示出根據反應性氣體供給器的反應性氣體供給源等的改進實施例的用於處理基板的外周部的設備的截面正視圖。圖30是示出根據輻射加熱器、反應性氣體供給器等的改進實施例的用於處理基板的外周部的設備的截面正視圖。圖31是沿圖30中的直線XXXI-XXXI的上述設備的俯視截面視圖。圖32是示出其中利用圖30所示相同裝置測量的在晶片的外端邊緣處的晶片溫度對比從將被加熱的部分附近沿徑向向內方向的距離的實驗結果的曲線。圖33是示出臭氧分解半衰期對比溫度的曲線。圖34是示出根據其中噴嘴冷卻部、惰性反應性氣體供給器等被附加使用的改進實施例的用於處理基板的外周部的設備的截面正視圖。圖35是示出根據圖34的輻射加熱器的改進實施例的用於處理基板的外周部的設備的截面正視圖。圖36是示出根據噴嘴冷卻部的改進實施例的用於處理基板的外周部的設備的截面正視圖。圖37是示出根據其中附加使用氣體存儲器的改進實施例的用於處理基板的外周部的設備的截面正視圖。圖38是示出其中附加使用透光外殼部的實施例的說明正視圖。圖39是示出其中多條光纖被用作輻射加熱器的光學系統的實施例的說明正視圖。圖40(a)是包括轉動流形成部件的噴射埠形成部分的截面正視圖。圖40(b)是包括轉動流形成部分的噴射埠形成部件的截面側視圖。圖41是示出包括包含噴射噴嘴和排出噴嘴的處理頭部分的用於處理基板的外周部的設備的俯視截面視圖。圖42是圖41的用於處理基板的外周部的設備的說明正視圖。圖43是示出包含噴射噴嘴和排出噴嘴的用於處理基板的外周部的設備的改進的說明俯視圖。圖44是圖43所示用於處理基板的外周部的設備的說明正視圖。圖45(a)是示出圖43所示設備的噴嘴部分的放大尺寸的正視圖；和圖45(b)是其仰視圖。圖46(a)是示出在利用雷射局部輻照旋轉晶片的背面的外周部時，晶片的正面上溫度分布的測量結果的說明俯視圖。圖46(b)是示出沿圖46(a)所示晶片的背面的周向的溫度對比位置的測量結果的曲線。圖47是示出包括包含噴射噴嘴和排出噴嘴的處理頭的用於處理基板的外周部的設備的另一修改的說明俯視圖。圖48是圖47所示用於處理基板的外周部的設備的說明正視圖。圖49是示出根據其中抽吸噴嘴被設置在晶片的半徑外部的修改的用於處理晶片的外周部的設備的示意結構的俯視圖。圖50是示出根據其中抽吸噴嘴相對於晶片被設置在噴射噴嘴的相對側處的修改的用於處理晶片的外周部的設備的示意結構的俯視圖。圖51是沿圖50的直線L1-L1的晶片外周部的周圍區域的放大截面視圖。圖52是其中輻照方向從晶片的上側和半徑外部傾斜向下指向晶片的外周部的用於處理基板的外周部的設備的說明俯視圖。圖53是圖52所示用於處理基板的外周部的設備的說明正視圖。圖54是放大尺寸地顯示圖53所示照射單元和晶片的外周部的橫截面正視圖。圖55是不需要的膜被去除後的晶片的外周部的截面視圖。圖56是其中輻照方向正從晶片的側面指向晶片的照射單元的正視截面說明視圖。圖57是其中輻照方向從晶片的下側和半徑外部傾斜向上指向晶片的外周部的照射單元的說明正視圖。圖58是包括傾斜照射單元和垂直照射單元的用於處理基板的外周部的設備的說明正視圖。圖59是包括用於在晶片上方精確移動照射單元的機構的用於處理基板的外周部的設備的說明正視圖。圖60是包括用於在晶片下方精確移動照射單元的機構的用於處理基板的外周部的設備的說明正視圖。圖61是示出包括柄杓型噴嘴的用於處理基板的外周部的設備的沿圖62的直線LXI-LXI的垂直截面視圖；圖62是沿圖61中的直線LXII-LXII的處理頭的垂直截面視圖。圖63是沿圖61的直線LXIII-LXIII的用於處理基板的外周部的設備的俯視截面視圖。圖64是沿圖61的直線LXIV-LXIV的用於處理基板的外周部的設備的俯視截面視圖。圖65是柄杓型噴嘴的透視圖。圖66是示出不需要的膜由圖61所示設備去除後的晶片的外周部的放大尺寸的說明截面圖。圖67是圖61的用於處理基板的外周部的設備的俯視圖。圖68(a)到(c)是示出柄杓型噴嘴的短筒部和晶片外周之間的布置關係的設置實例的說明俯視圖。圖69是用於測量柄杓型噴嘴的透光特性的實驗中使用的實驗設備的說明正視圖。圖70是示出柄杓型噴嘴的改進的透視圖。圖71是示出晶片外周的狀態的放大尺寸說明截面視圖，從所述狀態利用其中使用圖70的柄杓型噴嘴的用於處理基部材料的外周部的設備去除不需要的膜。圖72是示出設有柄杓型噴嘴的用於處理基板的外周部的設備的排出系統的修改實施例的沿圖73的直線LXXII-LXXII的垂直截面視圖。圖73是沿圖72的直線LXXIII-LXXIII的上述設備的垂直截面視圖。圖74是沿圖75的直線LXXIV-LXXIV的垂直截面視圖，顯示了代替柄構型噴嘴配置長圓筒噴嘴的用於處理基板的外周部的設備。圖75是沿圖74的直線LXXIII-LXXIII的上述設備的處理頭的垂直截面視圖。圖76是上述長圓筒噴嘴的俯視圖。圖77是放大尺寸地顯示利用圖74所示設備不需要的膜被去除後的設備的外周的說明截面圖。圖78是其上層疊有機膜和無機膜的晶片的外周部的放大截面視圖；(a)顯示了有機膜和無機膜被去除前的狀態；(b)顯示了其中有機膜被去除但無機膜未被去除的狀態；並且(c)顯示了有機膜和無機膜被去除後的狀態。圖79是示出適於用於圖78所示兩種膜層疊晶片的用於處理基板的外周部的設備的示意結構的說明俯視圖。圖80是適於用於兩種膜層疊晶片的用於處理基板的外周部的設備的說明正視圖。圖81是適合用於兩種膜層疊晶片的用於處理基板的外周部的設備的第二處理頭(氣體導引部件)的俯視圖。圖82是其中沿圖81的直線LXXXII-LXXXII在周向(縱向方向)上顯露的第二處理頭的截面視圖。圖83是沿圖81中的直線LXXXIII-LXXXIII的第二處理頭(氣體導引部件)的截面視圖。圖84是示出使用與圖81所示相同的第二處理頭的實驗結果並且顯示不需要的膜被去除後的膜厚度對比從晶片的外端部徑向向內的距離的曲線。圖85是示出適於用於兩種膜層疊晶片的用於處理基板的外周部的設備的改進的示意結構視圖。圖86(a)是示出適於用於上述兩種膜層疊晶片的並且有機膜去除處理正在進行的用於處理基板的外周部的設備的另一改進的示意結構的說明正視圖。圖86(b)是示出無機膜去除處理正在進行的圖86(a)的設備的說明正視圖。圖87是示出包括中央墊的臺結構的改進的垂直截面視圖。圖88是示出圖87的臺結構的固定筒和旋轉筒之間的周圍區域的放大尺寸垂直截面圖。圖89(a)是沿圖88的直線LXXXIXA-LXXXIXA的臺的軸組件的水平截面視圖。圖89(b)是沿圖88的直線LXXXIXB-LXXXIXB的臺的軸組件的水平截面視圖。—圖89(c)是沿圖88的直線LXXXIXC-LXXXIXC的臺的軸組件的水平截面視圖。圖90是示意性地顯示第二處理頭的改進的截面正視圖。圖91是第二處理頭(氣體導引部件)的俯視圖；圖92是示出其周圍長度增加的氣體導引部件的俯視圖。圖93是示出其周圍長度減小的氣體導引部件的俯視圖。圖94(a)到94(e)是示出氣體導引部件的截面結構的幾個修改實施例的截面視圖。圖95是示出能夠處理需要加熱的膜的氣體導引部件的實施例的俯視圖。圖96是沿圖95中的直線XCVI-XCVI的放大截面視圖；圖97是示出能夠處理形成在晶片的外周的定向平面或凹口的用於處理基板的外周部的設備的目標部分的截面側視圖。圖98是圖97的俯視圖，(a)顯示了其中晶片從盒拾取的狀態；(b)顯示了其中晶片被對準的另一狀態；和(c)顯示了其中晶片被設置到所述部分的另一狀態。圖99(a)到99(i)是示出隨著時間的流逝，在圖97的目標部分處，不需要的膜如何從晶片的外周部被去除的俯視圖。圖100是其中存儲在噴嘴調節機構的控制部件中的供給噴嘴位置的設置信息以曲線的形式顯示的視圖。圖101是以放大方式顯示晶片的定向平面的俯視圖。圖102是採用曲線的形式顯示圖100的設置信息的修改實例的視圖。圖103是示出無需對準能夠處理晶片的外周部的設備的目標部分的截面側視圖。圖104是圖103的俯視圖，(a)顯示了其中晶片從盒拾取的狀態；和(c)顯示了其中晶片被設置到目標部分的另一狀態。圖105(a)到105(e)是順序顯示每1/4循環用於去除塗覆在圖103和104所示設備的處理部分中的晶片的外周部上的不需要的膜的步驟的俯視圖。圖106是示出圖103和104的設備的操作的流程圖。圖107是示出圖103和104的設備的操作的修改實施例的流程圖。圖108是示出利用臭氧有機膜的蝕刻速度和溫度的關係的曲線。標號的描述10……臺10a……支撐表面13.....吸附孔(或吸孔，抽吸孔)14……抽吸通路(或吸引通路)15.....吸附槽(或吸槽，抽吸槽)16.....環形槽17……連通槽20.....雷射加熱器(輻射加熱器)21……雷射源22……照射單元(照射器，或輻照器)23....光纖電纜(光傳輸系統)30.....等離子噴嘴頭(反應性氣體源)36.....噴射噴嘴36a.....噴射埠41.....冷卻介質室(吸熱器)41C.....環形冷卻室"U，41L……冷卻介質室(吸熱器)46.....冷卻介質通路(吸熱器)47.....環形通路46.....連通通路Pe.....珀爾帖(Peltier)元件(吸熱器)70.....臭氧發生器(反應性氣體源)75.....噴射噴嘴76.....抽吸噴嘴(或吸嘴)90晶片(基板)90a....晶片的外周部(或晶片的外周邊部分).92.....有機膜93.....諸如凹口、定向平面等的切割部分。94.....無機膜92c，94c.....晶片的外周部上的膜(不需要的物質)(或多餘的物質，無用的物質)100..第一處理頭110.....臺主體111....中央頭120.....紅外線加熱器(輻射加熱器)121.....紅外線燈(光源)122.....會聚光學系統(照射器，或輻照器)140.....旋轉驅動電機(旋轉驅動裝置)150……旋轉筒160……柄杓型噴嘴162.....引入部161.....筒部161a.....蓋部180.....固定筒Gl，G2.....墊圈200....第二處理頭(氣體導引部件)201.....插入開口202....導引通路204.....透光部件346.....噴嘴位置調節機構350.....控制器375.....供給噴嘴(噴射噴嘴)P.....目標位置C.....環形表面具體實施方式以下將參照附圖詳細描述本發明的優選實施例。圖1到3顯示了本發明的第一實施例。首先，將描述作為處理目標的基板。如圖1和2的虛線所示，基板例如是半導體晶片90，並具有圓形薄板狀的結構。如圖3所示，例如由光致抗蝕劑組成的膜92塗覆在晶片90的上表面或正面上。光致抗蝕劑的吸收波長從1500nm到2000nm。所述膜92不僅覆蓋晶片90的整個上表面，而且還通過外端面到達背面的外周部(或外周邊部分)。根據這個實施例提供了一種的設備，用於去除作為不需要(或不要的，不必要的，無用的)的物質、塗覆在晶片90背面的外周表面上的膜92c。應該注意本發明不局限於用於去除諸如晶片90的基板的背面的外周部上的膜的類型的設備，而且還能夠應用於用於去除外周部和正面的外端面上的膜的其它類型的設備。如圖1和圖2所示，用於處理基板的外周部的設備包括框架50;作為用於支撐晶片90的支撐器的臺10;作為輻射加熱器的雷射加熱器20;和作為用於供給反應性氣體的供給器的等離子噴嘴頭30。所述框架50包括穿孔的圓盤狀底板51;和從所述底板51的外周向上突起的圓筒形周壁52。所述框架50具有截面成L型的環形結構，並被固定到未示出的支撐基座。所述臺10以由框架50包圍的方式設置在框架50內部。在俯視圖中，所述臺10具有與周壁52同心的圓形結構，但具有比周壁52更小的直徑。所述臺10的周邊側表面以向下直徑減小的方式逐漸變細。所述臺10與未示出的旋轉驅動機構連接，並利用旋轉驅動機構繞中心軸11旋轉。也可以接受的是臺10是固定的，旋轉驅動機構被連接到框架50並且所述框架50被旋轉。處理晶片90被水平放置在臺10的上表面10a(支撐表面，正面)上，其中心與臺10的中心一致。雖然並未示出，真空或靜電卡持(卡盤，或吸盤))機構被裝入臺10中。利用這種吸附卡持機構，所述晶片90被吸附並被固定在臺10的支撐表面10a上。所述臺10的上表面的直徑略小於圓形的晶片90的直徑。相應地，對於放置在臺10上的晶片90，晶片90的外周部的整個周邊略微徑向向外突出。即，所述晶片90的外周部被定位在虛擬包圍臺10的上表面的外周的虛環形表面C處。所述晶片90的外周部的突出量(虛環形表面C的寬度)例如是3到5mm。由於這種布置，所述晶片90的背面在整個外周的狹窄部分處被暴露(敞開)。另一方面，位於狹窄部分內的部分，即晶片90的整個背面的大部分，與臺10的上表面鄰接並被覆蓋。晶片90背面的外周被放置在臺10上的位置是將被處理的目標位置P。這個目標位置P被定位在虛環形表面C上。作為形成臺10的材料，例如使用導熱性好並且幾乎不會導致出現金屬汙染的鋁。也可以接受的是為了獲得對反應性氣體的抗腐蝕性，通過陽極氧化在外部表面上形成氧化鋁層，並且諸如PTTE的氟樹脂浸透在其中。用於從上表面10a吸熱的吸熱器被設置在處理裝置的臺10上。具體地，臺10的內部是中空的，並且所述中空的內部被限定為冷卻介質(或製冷劑。冷卻劑)室41(吸熱器)。所述冷卻介質室41具有充足的內部容積。所述冷卻介質室41延伸遍及臺10的整個面積(沿周向的整個外周和沿徑向方向的整體)。所述冷卻介質室41與冷卻介質供給通路42和冷卻介質排出通路43連通。冷卻介質供給通路42和冷卻介質排出通路43連通從臺10延伸通過中心軸11的內部。所述冷卻介質供給通路42的上遊端被連接到未示出的冷卻介質供給源。通過冷卻介質供給通路42，所述冷卻介質供給源將例如作為冷卻介質的水供給到冷卻介質室41。由此，冷卻介質室41充滿水。水溫可以是常溫的。通過冷卻介質排出通路43，作為冷卻介質的水被適當地排出，並通過冷卻介質供給通路42被重新供給。所述排出的冷卻介質可被返回到冷卻介質供給源，以便它能夠再次被冷卻用於再循環。代替水，可以使用空氣、氦等作為冷卻介質。也可以接受的是冷卻介質可採用壓縮流體的形式，並且壓縮流體被有力地送入冷卻介質室41，以便它在冷卻介質室41內流動。所述吸熱器可至少被布置在臺10的外周部(緊接晶片90外周的突出部分的內部部分)處，且不布置在中央部分處。所述臺10位於臂50的底板51的上方，並位於周壁52的頂部和底部之間的大體中間高度處。所述臺10的直徑比底板51的內周邊更大。由於這種布置，底板51的內端邊緣徑向進入臺10的下側(背側)的內部。迷宮式密封件60被設置在臺10的下表面和底板51的內周邊緣之間。所述迷宮式密封件60包括一對上部和下部迷宮環61，62。所述上部迷宮環61包括與臺10同心的多個多環形吊掛件61a,並被固定到臺10的下表面。所述下部迷宮環62包括多個與框架50同心從而與臺10同心的多環狀突出件62a，並被固定到框架50的底板51的上表面。所述上部迷宮環61的吊掛件61a和下部迷宮環62的突出件62a以"之字型"方式彼此結合。所述框架50、臺10和迷宮密封60限定了環形空間50a。從迷宮環62的每個凹谷部延伸的抽吸通路51c形成在框架50的底板51中。通過管道系統，所述抽吸通路51c被連接到包括真空泵、排出處理系統等的吸入(或抽吸)/排出裝置(未示出)。所述抽吸通路51c、管道系統和吸入/排出處理系統構成"環形空間抽吸裝置"。所述雷射加熱器20的照射單元22(照射器)連接到框架50的迷宮環62的徑向外部，以便向下離開臺10的外周邊緣。所述雷射加熱器20包括作為點光源的雷射源21;和照射單元22，所述照射單元22通過諸如光纜的光傳輸系統23被光學連接到雷射源21。例如，LD(半導體)雷射源被用作雷射源21。所述雷射源21發射出發射波長為808nm到940rim的雷射束(熱束)。所述發射波長可被設置在對應於塗覆在晶片90上的光致抗蝕劑膜92的吸收波長的範圍中。所述雷射源21並不局限於LD，可以從諸如YAG、受激準分子等的多種其它類型的光源選擇。由雷射源21輸出的雷射波長優選地比可見光的波長更長，以便容易被膜92吸收。更優選地，雷射源21輸出的波長與膜92的吸收波長匹配。也可以接受的是光源21被容納在單元22中，並且省去諸如光纖的光傳輸系統23。所述雷射照射單元22比等離子噴嘴頭30更遠離目標位置P。如圖2所示，多個(圖2中3個)雷射照射單元22沿框架50的周向，從而沿臺10的周向，被等距離地設置。如圖1所示，雷射照射單元22被布置在經過目標位置P並與延伸表面垂直的直線Ll上。所述雷射照射單元22的雷射輻照方向被定向在剛好直線L2上方並與臺10上的晶片90的外周部垂直(交叉)。諸如凸透鏡、柱面透鏡等的多個光學部件被容納在雷射照射單元22中。如圖3所示，利用雷射照射單元22，從光源21發射的雷射L被朝向目標位置P，即放置在臺10上的晶片90的背面的外周部會聚。焦點調節機構被裝入雷射照射單元22中。通過使用這種焦點調節機構，所述雷射束能夠被正確地聚焦在目標位置P上，並且，另外，雷射束的焦點能夠相對於目標位置P略微上下偏置。由於上述布置，晶片90的外周部上的聚光直徑和由此被加熱部分的區域，以及輻照能量的密度和由此被加熱部分的加熱溫度能夠得到調節。所述焦點調節機構包括滑動機構，用於例如沿光軸方向滑動布置在雷射照射單元22內的聚焦透鏡。所述焦點調節機構可以是其中整個雷射照射單元沿光軸方向滑動的類型。所述光傳輸系統23和照射單元22構成"光學系統"，用於以不擴散的方式，在熱光源被傳送到目標位置附近後，將從光源21發射的熱光源會聚和輻照向目標位置。如圖1所示，等離子噴嘴頭30連接到框架50的周壁52。所述等離子噴嘴頭30被徑向設置在目標位置P夕卜，並相對於目標位置P，以與雷射照射單元22彼此不同的方向布置。如圖2所示，作為雷射照射單元22的相同數目(在圖2中3個)的等離子噴嘴頭30沿臺10的周向(周邊方向)以相同間隔布置。而且，每個等離子噴嘴頭30沿與相應雷射照射單元22相同的周向布置，或設置在沿晶片90的旋轉方向在相應的雷射照射單元22的略微下遊側的位置處，以便與對應的雷射照射單元22形成一對。所述等離子噴嘴頭30具有逐漸變細的臺階狀圓柱形結構。所述等離子噴嘴頭30布置為沿臺10的徑向方向水平定向其軸線。如圖1所示，等離子噴嘴頭30在其中容納一對電極31，32。所述電極31，32具有雙管狀結構，並且環形常壓空間30a被形成在電極31，32之間。固態電介質被塗覆在電極31，32中的至少一個的相對表面上。內電極31與未示出的電源(電場發生裝置)連接，並且外電極32接地。電源向電極31例如輸出脈衝狀的電壓。期望的是所述脈衝的上升時間和/或下降時間為10微秒或更小，電極間空間中的電場強度是10到1000k/cm，並且頻率是0.5kHz。代替脈衝電壓，可以輸出諸如正弦波等的連續波狀的電壓等。面對電極間空間30a的臺10側的相對側的基端部(上遊端)與未示出的處理氣體供給源連接。所述處理氣體供給源例如在其中儲存著氧氣等作為處理氣體，並每次將合適量的氣體供給到電極間空間30a。如圖3很好地顯示，等離子噴嘴頭30被設置在面對臺10側的遠端部，且具有圓盤狀的樹脂製成的噴射埠形成部件33。噴射埠30b形成在所述噴射埠形成部件33的中央部分中。所述噴射埠30b被連接到面對電極間空間30a的臺10側的下遊端。所述噴射埠30b位於臺10的上表面10a的延伸表面上或略低於它，以便噴射埠30b的軸線沿臺10的徑向方向水平定向，並向等離子噴嘴頭30的遠端開口。所述等離子噴嘴頭30的遠端且由此噴射埠30b被布置在目標位置P附近，這樣當晶片90被放置在臺10上時，等離子噴嘴頭30的遠端等極靠近晶片90的外端邊緣。處理氣體被等離子化變成的反應性氣體G沿噴射埠30b的軸線被噴射出。所述噴射方向與雷射加熱器20的雷射束L的輻照方向垂直(具有角度)。噴射方向與輻照方向之間的交叉部分通常位於放置在臺10上的晶片90的外周部的背面(或反面)。抽吸埠(或吸附埠，吸入埠)30c在遠端表面形成部件34和噴射埠形成部件33之間形成在等離子噴嘴頭30的遠端表面中。所述抽吸埠30c具有設置在噴射埠30b附近以圍繞噴射埠30b的環形結構。如圖1所示，通過形成在等離子噴嘴頭30中的抽吸通路30d，抽吸埠30c被連接到未示出的吸入(或抽吸)/排出裝置。所述抽吸埠30c、抽吸通路30d和吸入/排出裝置構成了"噴射埠附近抽吸(或吸附，吸入)裝置"或"環形空間抽吸(或吸附，吸入)裝置"。所述等離子噴嘴頭30、電源、處理氣體供給源、吸入/排出裝置等構成了常壓等離子處理裝置。現在將描述使用用於去除如此結構的晶片的外周部的設備，用於去除塗覆在晶片90的背面的外周部(或外周邊部分)上的膜92c的方法。利用傳送機器人等，將被處理的晶片90被同心地放置在臺10的上表面上並被吸住。在整個外周，所述晶片90的外周部徑向突出到臺10夕卜。雷射束L被從雷射加熱器20的雷射照射單元22發射，以便通常聚焦在晶片90的突出的外周部的背面，或目標位置P。通過如此做，塗覆在晶片90的背面的外周部上的膜92c能夠以點樣狀態(局部)被輻照加熱。由於雷射束L是點聚集光，雷射能量能夠高密度地被施加到被加熱部分(在雷射的波長對應於膜92c的吸收波長的情況下，吸收效率能夠進一步提高)。由此，膜92c的被加熱的點狀部分能夠被瞬時加熱到數百度(例如，攝氏600度)。由於這是輻照加熱，晶片90的被加熱部分無需與加熱源接觸並且也不會產生粒子(或微粒)。與前述操作同時，處理氣體(氧氣等)從處理氣體供給源被供給到等離子噴嘴頭30的電極間空間30a。而且，脈衝電壓從脈衝源被供給到電極31，並且脈衝電壓被引至電極間空間30a。通過這樣做，常壓輝光放電等離子體形成在電極間空間30a內，並且諸如臭氧和氧基的反應性氣體由諸如氧氣的處理氣體形成。這種反應性(或活性)氣體通過噴射埠30b被噴出，並剛好噴射在晶片90的背面處的被局部加熱部分上，從而發生反應。這使得可以利用蝕刻去除塗覆在所述部分上的膜92c。由於所述部分被局部充分加熱到高溫，蝕刻速度能夠得以滿意地提高。而且，利用抽吸裝置，停留在被執行蝕刻的部分周圍的氣體能夠被吸入抽吸埠30c，並通過抽吸通路30d排出。因此，通過快速去除處理過的反應性氣體和在被執行蝕刻的部分的周邊區域由蝕刻導致的副產品，能夠提高蝕刻速度。而且，還能夠防止氣體流到晶片90的正面。而且，利用抽吸裝置，處理過的反應性氣體等能夠從晶片90的外周部的周邊區域沿迷宮密封件60的方向被導引，並通過迷宮密封件60形成的間隙被抽吸和排出。還能夠可靠地防止所述反應性氣體從迷宮密封件60沿徑向向內流動。與上述操作並行地，臺10被旋轉驅動機構旋轉。通過如此做，塗覆在晶片90的背面的外周部上的膜92c的去除範圍能夠沿周向發展，從而能夠從整個周邊去除塗覆在背面的外周部上的膜92c。通過使用臺10和框架50之間的迷宮密封件60，臺10能夠不與框架50有任何摩擦地平穩旋轉。利用加熱操作處理，晶片90的被加熱部分的熱量有時被傳導到沿徑向位於晶片90內側的部分。通過晶片90與臺10之間的接觸表面，所述熱量被傳送到臺10，並被充入冷卻介質室41中的水吸收。這使得可以抑制位於晶片90的被加熱部分內側的部分的溫度增加。因此，能夠抑制塗覆在晶片90的內部部分的膜92由熱量導致的質量改變。而且，即使在反應性氣體流到晶片90的上表面的中央側的情況下，也能夠抑制其與膜92的反應。這使得可以防止膜92上出現損壞，並且膜92能夠可靠地保持良好質量。由於水量充分大並且由此冷卻介質室41中儲存的熱容量非常大，因此能夠滿意地獲得吸熱能力。通過經供給通路41和排出通路42更換冷卻介質室41中的水，吸熱能力能夠得以更充分地保持。這使得可以可靠地抑制位於晶片90的外周部內的部分處溫度的增加，膜92能夠可靠地被防止損壞。在晶片的外端邊緣從臺10突出3mm並且冷卻介質室41中的水溫是50攝氏度、23.5攝氏度和5.2攝氏度的條件下，使用與圖1中相同的裝置，本發明人測量了晶片的表面溫度與從晶片的外端邊緣的被加熱部分附近在徑向向內方向上的距離的關係。所述雷射加熱器20的輸出條件如下雷射發射光波長808nm輸出30W被局部加熱的部分的直徑0.6mm輸出密度100w/mm2振蕩形式連續波結果如圖4所示。圖4(a)是將晶片的外端邊緣的被加熱部分的周邊部(略離開非常接近部分的位置)用作水平軸的原點的曲線；圖4(b)是將晶片的外端邊緣的被加熱部分的非常接近的部分用作水平軸的原點的曲線。在水溫是作為常溫的23.5攝氏度的情況下，在接近晶片的外端邊緣的被加熱部分的部分中，利用從被加熱部分傳導的熱量，溫度被上升到約110攝氏度(圖4(a)),並且在被加熱部分的非常接近的部分中，溫度被升高到約300攝氏度(在被加熱部分中，溫度上升到600攝氏度或更高攝氏度(圖4(b))。然而，在從那裡徑向向內離開僅3mm的中央部分中，溫度被保持在50或更低攝氏度。由於上述特性，可以確認即使在作為反應性氣體的臭氧流到晶片的正面的中央部的情況下，也很難出現反應，並且能夠抑制膜92被損壞。而且，在晶片的外端邊緣從臺10突出3mm，並且雷射輸出是80W和100W的情況下，通過溫度記錄法並使用與圖1中相同的裝置，本發明人還測量了晶片的表面溫度與從晶片的外端邊緣的被加熱部分附近在徑向向內方向上的距離的關係。所有其它條件如下晶片直徑300mra被局部加熱的部分的直徑1mm臺的旋轉速度3rpm臺的冷卻介質室中的水溫23.5攝氏度。因此，如圖5所示，在晶片外端邊緣的被加熱部分的非常接近部分處的表面溫度大約為300攝氏度(在被加熱部分處約700到800攝氏度)，但晶片溫度從那裡徑向向內突然降低，並在從那裡徑向向內僅3mm遠的部分處甚至低於100攝氏度。由於這種特性，可以確認抑制了塗覆在晶片的中央部上的膜的損壞。接下來，將描述本發明的其它實施例。在下文描述的實施例中，合適時，對應於上述實施例中的部件由圖中相同的標號指示，並且適當時，它們的描述將被省略。在圖6中所示的臺10中，利用水平隔板45，冷卻介質室被分成上部(支撐表面側)第一室部分41U和下部(與支撐表面相反的相反側)第二室部分41L。所述隔板45的直徑小於臺10的周壁的內徑；並且因此，上部第一室部41U和下部第二室部41L在隔板45外的空間彼此連接。構成冷卻介質供給通路42的管的一個端部被連接到隔板45的中央部分，並且冷卻介質供給通路42被連接到上部第一室部41U。類似地，構成冷卻介質排出通路43的管的一個端部被連接到臺10的底板的中央部分，並且冷卻介質排出通路43被連接到下部第二室部41L。上部第一室部41U和下部第二室部41L構成作為吸熱器的冷卻介質通路。通過冷卻介質供給通路42，冷卻介質被導引入上部(支撐表面側)第一室部分41U的中央部分，並以徑向向外擴散的方式流動。然後，冷卻介質圍繞隔板45的外端邊緣移動，進入下部(與支撐表面相反的相反側)第二室部分41L內，其中在第二室部分41L內冷卻介質徑向向內流動，並且然後，通過中央冷卻介質排出通路43排放。由於上述布置，整個臺10能夠可靠地得到冷卻，並且因此，晶片90能夠均勻可靠地得到冷卻。因此，塗覆在上表面上的膜92能夠可靠地得以保護。由於冷卻介質被首先導引入接近支撐表面10a從而接近晶片90的一側的第一室部分41U，吸熱效率能夠得到更好地提高。在圖6的實施例中，冷卻介質供給通路42和冷卻介質排出通路43被平行布置。如圖7所示，也可以接受的是冷卻介質供給通路42穿過冷卻介質排出通路43，以便形成雙層管狀結構。在圖8的實施例中，冷卻介質通路46被提供作為臺10內的吸熱裝置。冷卻介質通路46是螺旋結構的。冷卻介質供給通路42被連接到螺旋冷卻介質通路46的外周側的端部，並且冷卻介質排出通路43被連接到中央側的端部。由於這種布置，冷卻介質螺旋地從外周側(或外周側)流動到冷卻介質通路46的內周側(或內周邊側)。因此，接近晶片90外周部的一側能夠得到充分冷卻。因此，從外周部傳導的熱量能夠被可靠地吸收，並且塗覆在上表面上的膜92能夠被可靠地保護。雖然未詳細顯示，不僅中央側的冷卻介質排出通路43而且外周側的冷卻介質供給通路42都穿過臺10的中心軸11。冷卻介質供給通路42例如在臺10的底板和冷卻介質通路46之間從中心軸11側徑向向外延伸，並且被連接到冷卻介質通路46的外周側的端部。在臺10被固定且框架50旋轉的情況下，冷卻介質供給通路42不需要穿過中心軸11。其中冷卻介質從外周側流向臺10的中心的布置並不局限於圖8的螺旋結構。例如，圖9中所示的臺10內的冷卻介質通路包括多個同心環形通路47;和用於相互連通所述多個環形通路47的連通通路48。多個連通通路48沿周向在相鄰環形通路47之間等間距地設置。單個環形通路47設置在它們之間的徑向外側的連通通路48和徑向內側的連通通路48被布置為沿周向相互移位。在沿周向彼此等間距間隔開的多個位置處，冷卻介質供給通路42被分支，並被連接到最外的環形通路47。冷卻介質排出通路43的基端部被連接到中央環形通路47。由於上述布置，如圖9的箭頭所示，在沿外部環形通路47在周向上分支和流動後，冷卻介質被會聚在連通通路48，並流入下一個內側環形通路47，在下一個內側環形通路47，冷卻介質再次沿周向被分支和流動。在重複這個過程的同時，冷卻介質從臺10的外周側流向中心。如在圖1等的情況下，圖10(a)禾卩10(b)中所示的臺10具有被限定為冷卻介質室41的中空內部。冷卻介質供給通路42被分支和連接到沿冷卻介質室41的外周部的周向彼此等間隔隔開的位置。冷卻介質排出通路從冷卻介質室41的中央部分延伸。由於這種布置，冷卻介質被導引到冷卻介質室41的外周部，並流向中央。冷卻介質室41構成了同心冷卻介質通路。在圖6到10中，冷卻介質供給通路42和冷卻介質排出通路43的布置可顛倒。通過這樣做，上部冷卻介質室41U中的冷卻介質流被從外周側導引到中心。在如圖11所示的實施例中，代替冷卻介質系統，吸熱元件被用作吸熱裝置。即，作為吸熱裝置的珀爾帖(Peltier)元件被裝入臺10中。珀爾帖元件Pe被布置為接近臺10的上表面10a，以便其吸熱側指向上(臺10的上表面10a側)。由於這種布置，晶片90的熱量能夠通過臺10的上板吸收。所述臺10可在珀爾帖元件Pe下配置風扇、散熱片等，以增強從珀爾帖元件Pe的熱量擴散側的散熱。至此描述的實施例的吸熱裝置被設置在臺10的通常整個區域上，並且熱量被從基板的整個支撐表面吸收。然而，同樣可以接受的是如圖12和13所示，吸熱裝置僅被設置在臺10的外周部。環形分隔壁12被同心地放置在臺10內。所述臺10被環形分隔壁12分成外周區域10Ra和中央區域10Rb。冷卻介質供給通路42和冷卻介質排出通路43被連接到位於環形分隔壁12外部的外周區域10Ra。由於這種布置，外周區域10Ra的內部用作冷卻介質室41(吸熱裝置)。另一方面，位於環形分隔壁12內部的內周區域10Rb不用作冷卻介質室，但它用作吸熱裝置的非布置部分。所述晶片90的外周部徑向突出到臺10的外周區域10Ra外部。剛好位於突出部分內的環形部分鄰接臺10的外周區域10Ra並由臺10的外周區域10Ra支撐，並且位於環形部分內的中央區域鄰接臺10的中央區域10Rb並由臺10的中央區域10Rb支撐。由於上述布置，來自晶片90的外周部的被加熱部分的熱量被傳導到正好位於被加熱部分內的部分，並在那裡由臺10的外周區域10Ra吸收。另一方面，與晶片90的中心的熱量傳導無關的其餘部分不會通過熱量被吸收而得到冷卻。這使得可以節省吸熱源。圖6到11中所示的實施例可以用作僅設置在臺10的外周區域10Ra處的吸熱裝置。如圖13中的實線指示，雷射加熱器的照射單元22被設置在晶片90上方。由於這種布置，晶片90的外周部的正面被局部加熱，並且反應性氣體被從反應性氣體供給器的供給噴嘴30N供給到那裡。通過如此做，能夠去除晶片90的外周部的正面上的不需要的膜。由圖13的虛線所示，在不需要的膜塗覆在晶片的外周部的背面的情況下，雷射照射單元22優選地設置在晶片90下方。如己在第一實施例中描述的，雷射照射單元22設有焦點調節機構。使用這種焦點調節機構能夠執行如下的處理操作。如圖14所示，通常，例如，諸如凹口的切割部分93沿晶片90的外周部的周向設置在一個位置處。如圖14(a)所示，當通過設定照射單元22在晶片90上的輻照點Ls的尺寸(輻照範圍)恆定而執行處理操作時，存在凹口93的邊緣未被處理的可能(圖14(a)的陰影部分指示被處理部分)。因此，如圖14(b)所示，當凹口93被送到目標位置時，利用焦點調節機構，雷射照射單元22的焦點偏離光軸的方向。由於這種布置，輻照點Ls能夠變大，並且雷射能夠恰好擊中凹口93的邊緣。因此，如圖14(c)所示，塗覆在凹口93的邊緣上的膜也能夠可靠地被去除。由於在輻照點Ls變大時能量強度降低，優選地通過增加雷射的輸出並減小晶片的旋轉速度進行調節，以便每單位面積的能量將與輻照點Ls變大前的相同。在輻照點Ls經過凹口93後，輻照點Ls的尺寸返回到其最初的尺寸。圖14顯示了真中凹口93被提供作為晶片90的外周的切割部分的實例。然而，即使在提供定向平面代替凹口93的情況下，通過執行如上提及的相同操作(包括每單位面積的能量調節操作)，可以去除塗覆在定向平面的邊緣的膜。如圖15和16所示，使用雷射照射單元22的焦點調節機構，還能夠執行處理寬度的調節。如圖15所示，利用焦點調節機構，來自雷射照射單元22的雷射L通常聚焦在晶片90的外周上；並且在晶片90上的輻照範圍內的點直徑例如約1咖的情況下，塗覆在晶片90的外周部上的膜92c能夠以約1mm的寬度被去除。另一方面，如圖16所示，在使用相同的雷射照射單元22將獲得比上述處理寬度更大的處理寬度的情況下，通過焦點調節機構22F，雷射L的焦點比晶片90偏離更遠。通過如此做，晶片90上的輻照點直徑能夠增加，並能夠增加處理寬度。例如，在將獲得約3mm的處理寬度的情況下，焦點被調節，從而晶片90上的輻照點直徑約為3mm。在圖16中，進行調節，以便雷射L的焦點比晶片90偏離更遠。還可以接受的是雷射L在比晶片90更接近的位置形成焦點，然後，雷射L向晶片90擴展。如圖17所示，除雷射照射單元22的焦點調節外，通過沿徑向方向滑動雷射照射單元22，也能夠調節處理寬度。利用徑向滑動機構22S，雷射照射單元22能夠沿臺10的徑向方向從而沿晶片90的徑向方向，精細地滑動。如圖13所示，在雷射照射單元22中，雷射通常聚焦在晶片90的外周上，並且在晶片90上的輻照點半徑例如被設定為約1,0為獲得例如約3腿的處理寬度，同時保持上述輻照點半徑，首先，如圖17的實線所示，雷射照射單元22沿晶片90的徑向方向被定位，以便輻照點將到達離開晶片90的外邊緣約3mm的位置。所述處理通過旋轉晶片90同時保持上述徑向方向執行。當如圖17的虛線所示，晶片90進行一個完整的旋轉，利用滑動機構22S，照射單元22被徑向向外移位通常等於輻照點半徑的尺寸(約1腦)。在所述位置，在晶片90進行另一完整旋轉的同時，進行處理。然後，在如圖17的雙點劃線所示，在晶片90的一個完整的旋轉後，利用滑動機構22S,照射單元22被進一步徑向向外移位通常等於輻照點半徑的尺寸(約1mm)。在所述位置，在進行晶片90的另一完整旋轉的同時，進行處理。通過如此做，處理寬度能夠為3mm。圖18(a)和18(b)顯示了其中裝有作為基板固定裝置的真空卡持(或吸盤，卡盤)機構的臺10。大量的吸附孔13以擴散的狀態形成在由合適導熱金屬製成的臺10的上板中。通過抽吸通路14，所述吸附孔13被連接到未示出的諸如真空泵的抽吸裝置。所述吸附孔13的直徑儘可能地小。由於這種布置，可以獲得臺10和晶片90之間足夠的接觸面積。因此，能夠獲得晶片90的足夠的吸熱效率。圖19(a)和19(b)顯示了真空卡持機構的修改實施例。代替點狀的吸附孔，吸附槽15形成在臺10的上表面中。吸附槽15包括多個同心環形槽16;和用於相互連通環形槽16的連通槽17。在每相鄰的環形槽16之間，連通槽17沿周向以等間隔布置。單個環形槽16設置在它們之間的相對徑向向外的連通槽17和相對徑向向內的連通槽17沿周向彼此偏移。環形槽16和連通槽17的寬度儘可能地小。由於這種布置，能夠完全獲得臺10與晶片90之間的接觸面積，從而能夠完全獲得晶片90的吸熱效率。圖20和21顯示了吸附槽15的修改實施例。這種吸附槽15的連通槽17沿臺10的徑向方向直線延伸，從最裡面的環形槽16直到最外面的環形槽16，以便橫穿過位於中間位置的環形槽16。沿臺10的周向，連通槽17以90度間隔布置。如圖21所示，環形冷卻室41C作為吸熱裝置形成在臺10內。環形冷卻室41C被布置在接近臺10的外周的部分處，以便環形冷卻室41C與臺10同心。雖然未顯示，冷卻介質供給通路42沿環形冷卻室41C的周向被連接到一個位置，並且冷卻介質排放部分43被連接到180度的相對側。在圖18到21中，卡持機構被設置在臺10的上表面的通常整個區域上。在圖22和23中所示的實施例中，卡持機構僅被設置在臺10的上表面的外周區域處。環形突起10b形成在臺10的外周側的上表面上。對應於此，俯視圖中具有環形結構的淺凹部10c形成在臺10的中央部分。多個(例如，3個)環形槽16被同心地形成在臺10的環形突起10b的平坦上表面中。如在上述圖19的情況下，環形冷卻室41C被限定在臺10內。根據這種臺10，僅外周側的環形突起10b的上表面接觸晶片90的背面並吸附晶片90。由於臺10的中央部分設有凹部10c，中央部分不接觸晶片90。由於這種布置，臺10與晶片90之間的接觸區域能夠被減小到所需的最小值，並且減小接觸導致的粒子(微粒)。環形突起10b能夠被環形冷卻室41C冷卻。另一方面，晶片90與環形突起10b的接觸部分是剛好位於晶片90外周的突起部分的被輻照的部分內側的部分。因此，當由雷射輻照產生的熱量趨於從晶片90外周的突起部分的被輻照的部分傳輸到內側時，熱量通過環形突起10b被立即吸收，並不會在晶片90的中央部分上傳播。這使得可以獲得作為臺10的吸熱裝置的充分功能。本發明人已檢驗了晶片與臺之間的接觸面積和產生粒子之間的關係。使用了具有300ram直徑的晶片。在晶片被吸附到具有與圖20和21中相同結構的臺(678.2cm2的接觸面積)後，計算具有0.2微米或更大直徑的粒子數目。計算的數目為約22000粒。另一方面，在晶片被吸附到具有與圖22和23中相同結構的臺(392.7cm2的接觸面積)後，計算具有0.2微米或更大直徑的粒子數目。計算的數目為約5400粒。由此很明顯通過減小接觸面積，能夠大大減小產生的粒子的數目。在圖24中所示的用於處理基板的外周部的設備中，等離子噴嘴頭30被固定到框架50的底板51，以便等離子噴嘴頭30被定位離開目標部分並與雷射加熱器20的雷射照射單元22平行。等離子噴嘴頭30的遠端面垂直指向上。從等離子噴嘴頭30的遠端開口30b'延伸的反應性氣體通路52b形成在框架50的周壁52中。反應性氣體通路52b的遠端到達周壁52的內周表面，並在那裡與小圓筒形的噴射噴嘴36連接。噴射噴嘴36構成了噴射埠形成部件，並且噴射埠形成部件的內部構成噴射埠36a。噴射噴嘴36例如由諸如聚四氟乙烯(PFA))的透明的透光材料製成。噴射噴嘴36傾斜向上延伸，以便從周壁52的內周邊突出，並且其遠端部極接近放置在目標位置P上的晶片90的突出的外周部的背側，即放置在臺10上的晶片90的突出的外周部的背側。由於這種布置，吹出噴嘴36的吹出方向與在被保護的外周部的背面上垂直指向上的雷射加熱器20的輻照方向以銳角相交(在支撐表面10a的延伸表面的背面側，輻射加熱器和噴射埠相對於目標位置P以彼此不同的方向(銳角方向)布置)。與等離子噴嘴頭30—起，包括反應性氣體通路52b和噴射噴嘴36的框架50是"反應性氣體供給器"的組成元件。根據上述結構，由於噴射噴嘴36被布置在極接近晶片90的目標位置的位置，通過噴射噴嘴36噴射出的諸如臭氧的反應性氣體能夠可靠地到達目標位置，同時氣體仍處於其活性狀態，並仍處於高密度，且不會被擴散。因此，與膜92c的反應效率能夠得以提高，並且能夠增加蝕刻速度。而且，由於反應性氣體的噴氣方向不與晶片90的背面平行，而是成角度，與膜92c的反應效率能夠得以進一步提高，並進一步增加蝕刻速度。另一方面，實際上，吹出噴嘴36被布置為它沿來自雷射加熱器20的雷射L的光路前進。然而，由於噴射噴嘴36具有透光特性，雷射L不會被阻擋。因此，目標位置能夠被可靠地加熱，並且能夠獲得高的蝕刻速度。也可以接受的是噴射噴嘴36被布置為偏離雷射L的光路。在那種情況下，無需由透光材料形成噴射噴嘴36。代替地，噴射噴嘴36例如可以由不鏽鋼形成。然而，考慮到因雷射的反射溫度容易增加和臭氧的濃度由於熱反應降低的事實，噴射噴嘴36優選地由具有較小輻照熱吸收特性和高臭氧抵抗特性的特氟隆(註冊商標)等形成。在圖24中，臺階部形成在底板的周壁52的上表面上。截面為倒L形的環形上部周壁53覆蓋在所述臺階部上。上部周壁53的內端邊緣被布置在噴射噴嘴36附近，並且從而被布置在放置在臺10上的晶片90的外端邊緣附近。沿上部周壁53的周向在整個周邊上延伸的環形槽53c(抽吸埠)形成在上部周壁53的內端邊緣，從而環形槽53c以朝向內端邊緣擴展的方式開口。抽吸通路53d延伸到上部周壁53的外周，並在環形槽53c中從位於與噴射噴嘴36相同的周邊位置的槽底部連接到抽吸連接器57。而且，抽吸通路53d被連接到未示出的吸入(或抽吸)/排出裝置。由於這種布置，處理過的反應性氣體能夠被吸入，並從晶片90的外周部的周圍排出。槽53c、抽吸通路53d和吸入/排出裝置構成"吹出埠附近抽吸裝置"或"環形空間抽吸裝置"。在圖25所示的用於處理基板的外周部的設備中，等離子噴嘴頭的結構不同於前述的等離子噴嘴頭的結構。即，圖25的等離子噴嘴頭30X具有對應於臺10或框架50尺寸的環形結構，並同心地布置在臺10和框架50的上側。等離子噴嘴頭30X能夠在大量遠離臺10和框架50的上部分的撤回位置(這種狀態未示出)和其中等離子噴嘴頭30X被未示出的升降機構放置在框架50的周壁52上的設定位置(圖25顯示了這種狀態)之間被升起和下降。當等離子噴嘴頭30X被升起到撤回位置時，晶片90被放置在臺10上。此後，等離子噴嘴頭30X被下降到執行處理的設定位置。在整個周邊上具有雙管狀結構的電極31X，32X容納在等離子噴嘴頭30X內部。內部電極31X與未示出的脈衝源連接，並且外部電極32X被接地。利用電極31X，32X的面對的表面，環形窄空間30ax形成在等離子噴嘴頭30X的整個周邊上。來自未示出的處理氣體供給源的諸如氧氣的處理氣體被均勻地導入上端部(上遊端)的整個周邊上的電極間空間30ax，並在電極間空間30ax內由常壓輝光放電等離化，以便產生諸如臭氧的反應性氣體。如在利用上述等離子噴嘴頭30的情況，固態電介質層被塗覆在電極31X，32X的面對的表面中的至少一個上。反應性氣體通路30bx'形成在等離子噴嘴頭30X的底部上。這種反應性氣體通路30bx'自電極間空間30ax的底端部(下遊端)傾斜延伸。另一方面，垂直延伸的反應性氣體通路52b也形成在框架50的周壁52中，以便當等離子噴嘴頭30X被設置在設定位置中時，反應性氣體通路30xb'，52b被連接到等離子噴嘴頭30X。由透光材料(光透射材料)組成的噴嘴36的基端部被連接到框架50的反應性氣體通路52b的下端部(下遊端)。噴射噴嘴36沿框架50的徑向方向以其水平姿態嵌入周壁52中，並且遠端部被允許從周壁52的內端表面突出。由於這種布置，噴射噴嘴36位於極接近安裝在目標位置P或臺10上的晶片90的外周部的背面側的位置中。與雷射照射單元22數目相同的噴射噴嘴36沿周向被間隔布置，並以一對一的關係位於與雷射加熱器20的雷射照射單元22相同的周邊位置中。由於這種布置，在內部電極空間30ax中提供反應性的處理氣體穿過反應通路30bx'，32b，並通過噴射噴嘴36噴射出。如此噴射出的反應性氣體擊打由雷射加熱器20局部加熱的膜92c，並通過蝕刻去除膜。即使在雷射L的光路和噴射噴嘴36彼此幹擾的情況下，由於噴射噴嘴36具有透光特性，如在圖24的實施例的情況下，雷射L也不會被阻擋。蓋環37被布置在等離子噴嘴頭30X的底部的徑向向內部部分處。當等離子噴嘴頭30X位於設定位置時，抽吸埠30cx形成在蓋環37的錐形外端面與框架50的周壁52的內周表面的上部分之間。抽吸埠30cx剛好位於放置在臺10上的晶片90的外端邊緣上方。通過被連接到吸入/排出裝置的最內端的抽吸通路30dx，抽吸埠30cx被連接到未示出的吸入/排出裝置。由於這種布置，處理過的氣體能夠被從晶片90的外周部的周圍抽吸和排出。抽吸埠30cx、抽吸通路30dx和吸入/排出裝置構成"噴射埠附近抽吸裝置"或"環形空間抽吸裝置"。蓋環37構成抽吸埠形成部件。圖26中所示的用於處理基板的外周部的設備包括圖24所示的用於處理基板的外周部的設備的整體和環形等離子噴嘴頭30X的組合。因此，在圖26的裝置中，兩類等離子噴嘴頭30，30X被分別設置在下側和上側。如在前述實施例的情況下，下部等離子噴嘴頭30被用於去除塗覆在晶片90背面的外周部上的膜92c。與此相反，上部等離子噴嘴頭30X被用於去除塗覆在晶片90正面的外端面上的膜92(參見圖3)。為了這種目的，噴射埠30bx形成在圖26所示的用於處理基板的外周部的設備的等離子噴嘴頭30X的底部中。與圖25所示的用於處理基板的外周部的設備不同，噴射埠30bx從電極間空間30ax向下直線延伸，並通向底部表面。噴射埠30bx具有沿等離子噴嘴頭30X的周向在整個周邊上延伸的環形結構。當等離子噴嘴頭30X被設置到設定位置時，噴射埠30bx剛好位於放置在臺10上的基板的外周埠上方。來自電極間空間30ax的反應性氣體通過噴射埠30bx垂直向下噴射出，並噴射在晶片90正面的外周部。一部分反應性氣體環流到晶片90的外端面。這使得可以利用蝕刻去除塗覆在晶片90正面的外周部和外端面上的膜92。由於噴射埠30bx具有在晶片90的外周的整個周邊上方延伸的環形結構，反應性氣體能夠一次噴射在晶片90外周的整個周邊(或周圍)。也可以接受的是用於上部和下部等離子噴嘴頭30X，30的處理氣體的成份能夠根據塗覆在晶片90的正面和背面上的膜的種類而不同。噴射埠30bx沿抽吸埠30cx的寬度方向被布置在中央。抽吸埠30cx被分成內周側和外周側，噴射埠30bx被設置在內周側和外周側之間。抽吸通路30dx分別從內周側抽吸埠部和外周側抽吸埠部延伸，並被連接到未示出的吸入/排出裝置。在圖27所示的用於處理基板的外周部的設備中，等離子頭30和雷射照射單元22與圖1中所示的裝置的布置關係不同。g卩，在圖27所示的裝置中，等離子噴嘴頭30被固定到框架50的底板51，遠端表面剛好指向上從而噴射埠30b剛好指向上。噴射埠30b被布置為接近放置在臺10上的晶片90的外周緣的下側，並沿與晶片90的背面的外周部垂直的方向噴射出反應性氣體(在穿過目標位置P並垂直於支撐表面10a的延伸表面的線上)。如放大圖28所示，平板狀的全反射部件25被放置在等離子噴嘴頭30的遠端表面的噴射埠30b的、臺10側的一部分處。在全反射部件25的、與臺10側相對的相對側的表面朝向臺10側向上傾斜。這種傾斜表面用作用於完全反射諸如雷射的光的全反射表面25a。另一方面，雷射單元22被固定到框架50的周壁52，以便雷射照射單元22徑向向外離開等離子噴嘴頭30，並且單元22的軸線被水平放置，以便雷射輻照方向被徑向向內定向。從雷射照射單元22輻照的雷射L擊中反射表面25a，其中雷射L被向上反射以擊中晶片90背面的外周部。由於這種布置，所述晶片90背面的外周部能夠被局部加熱。等離子噴嘴頭30的上端部的部件34等可由透光材料組成，以便允許雷射L透過。在來自雷射照射單元22的雷射不是線性的而是向反射表面25a匯聚的錐形的情況下，也可以接受的是等離子噴嘴頭30被下降以離開晶片90，並且全反射鏡25的厚度增加等於降低的距離的部分，以便雷射不會干擾等離子噴嘴頭30。如圖27所示，框架50在周壁52的上端部處沿內周邊的整個周圍設置有環狀的蓋部件80。蓋部件80包括具有水平盤狀的結構且從周壁52徑向向內延伸的水平部分81;和從水平部分81的內端邊緣的整個周圍向下垂掛的筒狀下垂部分82。蓋部件80的截面具有L形結構。利用未示出的升降機構，蓋部件80能夠在大大地間隔開周壁52的上部分的撤回位置(這種狀態未示出)和其中水平部分81的外周表面緊靠周壁52的內周表面的設定位置(這種狀態在圖27中所示)之間上升和下降。當晶片90被放置在臺10上和從開臺IO移去時，蓋部件80被送到撤回位置，並當晶片90正被處理時，蓋部件80被送到設定位置。在設定位置中，蓋部件80的水平部分81和下垂部分82的內端邊緣位於目標位置P或晶片90的外周部上方，並且通過與晶片90的外周部協作，蓋部件80覆蓋環形空間50a的上部。與環形空間50a一體連接的空間50b形成在蓋部件80和周壁52之間。下垂部分82的下端部的位置略高於晶片90，以便下垂部分82和晶片90之間形成的間隙82a(圖28)被很大地減小。由於這種布置，在擊中晶片90的外周部後，處理過的反應性氣體能夠可靠地被限制在空間50a，50b中，並被防止流到晶片90的上表面的中央部側。因此，能夠防止塗覆在上表面上的膜的損壞。通過蓋部件80的抽吸連接器55等，在蓋部件80和周壁52之間形成的空間50b被連接到未示出的吸入/排出裝置。由於這種布置，空間50a，50b內的處理過的氣體能夠被抽吸和排出。抽吸連接器55和吸入/排出裝置構成"環形空間抽吸裝置"。在圖29中所示的用於處理基板的外周部的設備中，代替前述實施例中的常壓輝光放電類型的等離子噴嘴頭30，30X，臭氧發生器70被用作反應性氣體供給器的反應性氣體供給源。臭氧發生器中使用的用於生成臭氧的系統可以是諸如無聲放電、表面放電等的任何類型。臭氧發生器70以與框架50間隔開的方式安裝。臭氧供給管71自臭氧發生器70延伸。通過設置在底板51處的供給連接器72，所述底板51位於框架50的雷射照射單元22的徑向外部，臭氧供給管71被連接到框架50的周壁52的反應性氣體供給通路52b。與雷射照射單元22的數目相同(例如，5)的供給連接器72沿周向被等間隔地布置，並以一對一的關係位於與雷射加熱器22相同的周邊位置中。臭氧供給管71被分支並被連接到各個供給連接器72。反應性氣體通路52b從每個供給連接器72延伸。反應性氣體通路52b到達周壁52的內周表面，透光噴射噴嘴36從內周表面傾斜突出；並且如在圖24所示裝置的情況下，噴射噴嘴36的遠端部位於極接近放置在臺10上的晶片90的突出的外周部的背面側的位置中。臭氧發生器70、臭氧供給管71、供給連接器72、包括反應性氣體供給通路52b的框架50、和噴射噴嘴36用作"反應性氣體供給器"的組成元件。由臭氧發生器70產生的作為反應性氣體的臭氧順序經過臭氧供給管71、供給連接器72和反應性氣體通路52b，並通過噴射噴嘴36噴出。由於噴射噴嘴36被布置在極接近晶片90的背面的外周部的位置中，臭氧能夠可靠地擊中晶片90的背面的外周部，以便在臭氧被擴散和失去活性前有效地去除膜92c;並且在噴射噴嘴36與從雷射加熱器20發出的雷射L的光路幹擾的情況，如在圖6所示裝置的情況下，雷射L能夠透過噴射噴嘴36，並且晶片90的目標部分能夠可靠地被加熱。類似地，如對於圖1到24所示的情況下，處理過的氣體經過諸如抽吸裝置的排放路徑，即位於噴射噴嘴36附近的抽吸通路和抽吸連接器57，或者諸如空間50a的另一排放路徑和迷宮密封件60的間隙，並被未示出的吸入/排出裝置吸入和排放。蓋部件80被布置在上部周壁53上方。如在利用圖27所示裝置的情況下，蓋部件80能夠由未示出的升降機構在向上的撤回位置(由圖29中的虛線指示)和設定位置(由圖29的實線指示)之間升起和下降。位於設定位置中的蓋部件80鄰接上部周壁53的上表面，並徑向向內延伸。蓋部件80的內端部的下垂部分82位於臺10的外周緣上方。由於這種布置，蓋部件80僅覆蓋環形空間50a。如在利用27所示裝置的情況下，這使得可以防止處理過的臭氧流向晶片90的上表面的中心側。在圖30所示的用於處理基板的外周部的設備中，代替前述實施例的雷射加熱器20，使用了紅外線加熱器120。如圖30和圖31所示，紅外線加熱器120包括包括諸如滷素燈的紅外線燈121的光源；和作為照射器、用於以匯聚方式輻照光束的光學系統122。紅外線加熱器120具有沿框架50的周向在整個周邊延伸的環形結構。即，紅外線燈121是沿框架50的周向在整個周圍上延伸的環形光源，並且光學系統122也沿框架50的周向布置在整個周邊。其中，光學系統122包括諸如拋物線反射器、凸透鏡和柱面透鏡的匯聚系統；諸如帶通濾光器的波長抽取部件。而且，焦點調節機構被裝入光學系統122中。光學系統122被設計為來自紅外線燈121的紅外線光穿過帶通濾光器，由拋物線反射器和透鏡凝聚，並匯聚到晶片90的背面的外周的整個周圍。由於這種布置，塗覆在背面的外周部的膜92c能夠一次性在整個周圍上被局部加熱。這裡使用的紅外線燈121可以是遠紅外線燈或近紅外線燈。發射波長例如從760rim到10000nm。其中，與膜92c的吸收波長匹配的適合的光被帶通濾光器選擇提取。通過這樣做，膜92c的加熱效率能夠被進一步提高。燈冷卻通路125在整個周圍形成在紅外線加熱器120內。通過冷卻介質前向通路126和冷卻介質後向通路127，燈冷卻通路125與未示出的冷卻介質供給源連接。由於這種布置，能夠冷卻紅外線加熱器120。冷卻介質(或冷卻劑，製冷劑)的實例可包括水、空氣、氦氣等。在空氣和水被用作冷卻介質的情況下，它們可以被排放，不用將它們從後向通路127返回到冷卻介質供給源。這種用於冷卻加熱器的冷卻介質供給源可共同地用作用於吸收基板的熱量的冷卻介質供給源。用於冷卻加熱器的燈冷卻通路125、前向通路126、後向通路和冷卻介質供給源構成"輻射加熱器冷卻裝置"。作為反應性氣體供給器的反應性氣體供給源，臭氧發生器70被用於圖29所示的裝置中。通過臭氧供給管71，臭氧發生器70被連接到框架50的多個供給連接器72。供給連接器的數目比較大，例如為8個。這些供給連接器72沿周壁52的外周表面的上部分在周向上等間隔地布置。周壁52的上部分被設置作為噴射通路和噴射埠形成部件。即，連接到那些供給連接器72的反應性氣體通路73以水平姿態徑向向內並沿周向以環形方式在整個周圍上形成在周壁52的上部分中。反應性氣體通路73通向周壁52的內周邊的整個周圍，並且反應性氣體通路73的開口部分用作環形噴射埠74。噴射埠74的高度略低於臺10的上表面，從而低於將被放置在臺10的上表面上的晶片90的背面。噴射埠74被布置在晶片90的外周緣附近，以便包圍整個周邊。來自臭氧發生器70的臭氧被導引到反應性氣體通路73的各個位置，各個供給連接器72在所述各個位置被連接到反應性氣體通路73，並且然後被從噴射埠74的整個周圍徑向向內噴射出，同時沿反應性氣體通路73的周向在整個周圍上擴展。由於這種布置，臭氧能夠一次噴射在晶片90的背面的外周部的整個周邊，並且塗覆在整個周邊上的膜92c能夠被從那裡有效地去除。在圖30所示的裝置中，如上所述由於晶片90的整個周邊能夠一次性處理，臺10不需要旋轉，但臺10優選地旋轉，以便執行沿周向的均勻處理。在圖30所示的裝置中，當蓋部件80被設置在設定位置時，抽吸通路53d形成在周壁52的上表面和蓋部件80之間的整個周邊上。通過設置在蓋部80上的抽吸連接器57，抽吸通路53d被連接到未示出的吸入/排出裝置。由於這種布置，處理過的氣體能夠被抽吸，並從晶片90的外周部的周邊排出。在晶片的外端邊緣從臺10突出3ram，並且冷卻介質室41內的水溫為5攝氏度、20攝氏度和一5攝氏度的情況下，使用與圖30所示相同的裝置，本本發明人測量了晶片的表面溫度對比從晶片的外端邊緣的被加熱部分的附近在徑向向內方向上的距離。紅外線加熱器120的輸出條件如下。光源環形滷素燈會聚光學系統拋物線反射器發射光波長800到2000腦輸出200W被局部加熱部分的寬度2mm結果如圖32所示。已確認在常壓下水溫為20攝氏度的情況下，由於熱傳導，晶片的外端邊緣的被加熱部分的附近的溫度變成約80攝氏度(被加熱部分中為400攝氏度或更高)，但從那裡徑向向內9mm或更多的部分處，水溫被保持在50攝氏度或更低的低溫，從而能夠抑制膜的損壞。如圖33所示，通過分解臭氧獲得的氧原子基的壽命取決於溫度。壽命在25攝氏度的附近足夠長，但在50攝氏度的附近被減小一半。另一方面，由於為了獲得與膜92c的反應執行了加熱，存在臭氧噴射通路的溫度被增加的擔心。考慮到上述，在圖34所示的用於處理基板的外周部的設備設有噴射通路冷卻(溫度調節)裝置。g卩，反應性氣體冷卻通路130形成在作為噴射通路形成部件的框架50的周壁52內，並且通過冷卻介質前向通路131和冷卻介質後向通路132，未示出的冷卻介質供給源被連接到反應性氣體冷卻通路130，以便能夠循環冷卻介質。作為冷卻介質，使用例如水、空氣、氦氣等。在空氣和水被用作冷卻介質的情況下，冷卻介質可以被排放，不用將它們從後向通路132返回到冷卻介質供給源。噴射通路冷卻冷卻介質供給源可與用於吸收基板的熱量的冷卻介質供給源共用。通過如此做，穿過反應性氣體通路52b的臭氧能夠得到冷卻，並能夠抑制臭氧原子基的量的減小，從而保持活性。這樣，用於去除膜92c的效率能夠被提高。在圖34所示的用於處理基板的外周部的設備中，與圖29所示相同的臭氧發生器被用作反應性氣體供給源。也可以接受的是使用圖24所示的等離子噴嘴頭的裝置設有反應性氣體冷卻通路130，以便反應性氣體通路52b能夠得到冷卻。作為惰性氣體噴射部件，惰性氣體噴嘴N被設置在臺10的中心上方，並且從而被設置在放置在臺10上的晶片的中心上方，以便噴射埠方向正好指向下。惰性氣體噴嘴N的上遊端被連接到未示出的惰性氣體供給源。例如，來自惰性氣體供給源的、作為惰性氣體的氮氣被導引到惰性氣體噴嘴N，然後通過噴射埠噴射出。沿晶片90的上表面，如此噴射出的氮氣從中心以徑向方式被徑向向外擴散。不久以後，氮氣到達晶片90的上表面的外周部的附近和蓋部件80之間的間隙82a，並且通過間隙82a，部分氣體趨於環流到晶片90的背側。利用這種氮氣流，圍繞晶片90的外圍部分的背側的處理過的反應性氣體能夠被防止環流到基板的前側，並且從而，被可靠地防止通過間隙82a洩漏出。當晶片90被放置在臺10上和從臺10移去時，惰性氣體噴嘴N被撤回以便不幹擾晶片90。在圖34所示的用於處理基板的外周部的設備中，雷射加熱器20被用作輻射加熱器。也可以接受的是如圖35所示，代替雷射加熱器20，也可以使用紅外線加熱器120。如在圖30所示的裝置的情況下，紅外線加熱器120以環形方式延伸遍及框架50的整個周邊。在圖36所示的用於處理基板的外周部的設備中，自臭氧發生器70的供給連接器72被布置在底板51的雷射照射單元22和迷宮密封件60之間。作為噴射通路形成部件的管狀噴射噴嘴75被連接到供給連接器72。噴射噴嘴75從供給連接器72直線向上延伸。噴射噴嘴75鄰接臺10的周圍表面的底部分附近並彎曲。然後，噴射噴嘴75沿臺10的錐形周邊側表面傾斜向上延伸。噴射噴嘴75的遠端開口用作噴射埠，並位於臺10的周邊側表面的上部邊緣的附近。噴射埠面對放置在臺10上的晶片90的背面的外周部，以便臭氧能夠通過噴射埠向膜92c噴出。根據上述結構，通過將冷卻介質傳送入限定在臺10內的冷卻介質室41，不僅晶片90能夠被吸熱和冷卻，而且噴射噴嘴75也能夠得到冷卻。這使得基板吸熱器也可以用作噴嘴通路冷卻(溫度調節)裝置。因此，由於無需如圖34中形成反應性氣體冷卻通路130等，能夠實現成本的降低。優選地，諸如油脂的摩擦減小材料被應用到臺10的周邊側表面或噴射噴嘴75的外周表面，以便減小由臺10的旋轉引起的摩擦。在圖37所示的用於處理基板的外周部的設備中，臺階部12形成在臺10的上表面的外周部的整個周邊上。由於這種布置，當晶片90被放置在臺10上，凹部(氣體貯存器)12a形成在臺階部12和晶片90之間。凹部12a延伸遍及臺10的整個周邊並徑向向外敞開。沿凹部12a的徑向方向的深度例如約3到5mm。通過噴射噴嘴36噴射出的臭氧流入凹部，即氣體貯存器12a，並暫時保存在這裡。由於這種布置，能夠獲得臭氧和塗覆在晶片90的背面的外周部上的膜92c之間的足夠的反應時間，並且能夠提高處理效率。在圖38所示的用於處理基板的外周部的設備中，外殼En被徑向設置在臺10的外周部的外部。基板插入孔10a形成在外殼En的面向臺10的內周側壁中。通過基板插入孔10a，放置在臺10上的晶片90的突出的外周部被插入外殼En。等離子噴嘴頭30的遠端部穿過外殼En的外周側壁，從而反應性氣體噴射埠被布置在外殼En內。另一方面，例如，雷射加熱器20的雷射照射單元22作為輻射加熱器被間隔開地布置在外殼En下面，即外殼En的外部。外殼En例如由諸如石英、硼矽酸鹽玻璃和透明樹脂的透光材料組成。由於這種布置，來自雷射照射單元22的雷射L穿過外殼En的底板，並被局部地輻照到晶片90的背面的外周部。由此，所述晶片90的背面的外周部能夠被局部輻照加熱。另一方面，由等離子噴嘴頭30產生的諸如氧基和臭氧的反應性氣體被噴射入外殼Em並擊中被局部加熱的部分，以便塗覆在被局部加熱部分上的膜92c能夠被可靠地去除。由於外殼En的設置，處理過的反應性氣體能夠被防止洩露到外部。然後，處理過的反應性氣體被吸入等離子噴嘴頭30的抽吸埠且通過等離子噴嘴頭30的抽吸埠被排出。可以接受的是至少面對照射單元22的外殼En的底板由透光材料組成。圖39顯示了輻射加熱器的光學系統的另一實施例。作為用於將輸出光直線傳輸到晶片90的外周部的光學系統，光纖電纜23(波導)被可選地連接到雷射加熱器20的光源21。光纖電纜23由大量光纖的束組成。光纖的束從雷射源21延伸，並沿多個方向分支以形成多個分支電纜23a。每個分支電纜23a可由單條光纖組成，或由多條光纖的束組成。那些分支電纜23a的遠端部延伸到臺10的外周部，並沿臺10的周向等間隔地布置。每條分支電纜23a的遠端部以向上指向的方式布置，以便它垂直於並且面對處於正好在目標位置P或放置在臺10上的晶片90的背面的外周部的附近下面的晶片90。等離子噴嘴頭30被水平放置，以便它以一對一的關係對應於各個分支電纜23a的遠端部。雖然未示出，每條分支電纜23a的遠端部優選地設有雷射照射單元22。根據上述結構，通過光纖電纜23，來自雷射源21的雷射被無擴散地朝向晶片90的背面的外周部傳輸。而且，雷射通過分支電纜23a以分布的方式被傳輸到周圍不同的位置。然後，雷射從每個分支電纜23a的遠端表面向上輸出。這使得可以從其附近將雷射輻照到晶片90的背面的外周部。來自單個點狀光源21的點狀雷射能夠沿晶片90的周向被輻照到多個點。這使得可以通過加熱這些點同時去除膜。而且，能夠自由建立布置光源21的位置。能夠容易地進行光纖的分布。也可以接受的是諸如柱狀透鏡的匯聚光學部件被布置在分支電纜23a的遠端處，以便輸出的光被匯聚。也可以接受的是多個光源21被提供，並且從每個光源21引出的每條光纖電纜23可延伸向預定的周邊位置。在光纖的遠端部和噴射埠之間可存在多種布置關係。一個實例是光纖的遠端部相對於晶片90被傾斜放置，並且等離子噴嘴頭30的噴射埠在晶片90正下方。當然，代替等離子噴嘴頭30，可以使用臭氧發生器70，並且代替雷射源21，可以使用紅外線燈。圖40顯示了諸如圖24等中所示的裝置的噴射噴嘴36的噴射埠形成部件的修改實施例。如圖40(a)所示，作為轉動流(轉向流)形成部分，多個(例如4個)孔狀轉動導引孔36b沿周向等間距地形成在噴射噴嘴36x的周壁中。轉動導引孔36b沿噴嘴36X的內周的大體切線方向，即噴射埠36a的內周表面，延伸，並被允許從外周表面穿過噴嘴36X的周壁到內周表面。而且，如圖40(b)所示，當從噴嘴36X的周壁的外周表面到內周表面(即，徑向向內)時，轉動導引孔36b沿噴嘴36X的遠端方向傾斜。每個轉動導引孔36b的外周側端部被連接到噴射通路52b，並且內周側端部被連接到噴射埠36a。因此，轉動導引孔36b構成噴射通路52b和噴射埠36a或噴射埠的上遊側通路部分之間的連通通路。—根據這種噴射噴嘴36X，通過傾斜噴射出來自噴嘴通路52b的反應性氣體進入噴射埠36a，可以形成沿噴射噴嘴36a的內周表面的轉動流(轉向流)。由於這種布置，反應性氣體能夠被均勻地供給。而且，由於在經過孔狀轉動導引孔36之後，反應性氣體通過比較大的噴射埠36a噴射出，壓力損失能夠使反應性氣體更均勻。如此均勻的反應性氣體的轉動流通過噴嘴36X有力地噴射出，並擊中晶片90的背面的外周部，從而以適合的方式執行膜去除操作。在圖41和42所示的用於處理基板的外周部的設備中，處理頭100被設置在臺10的側部。這個裝置主要設計用於去除塗覆在晶片90的外周部的背面的膜。處理頭100被布置為低於臺10的上表面。在塗覆在晶片90的外周部的前側上的膜將主要被去除的情況下，處理頭100可被簡單地上下倒置，並在那種情況下布置為高於臺10。處理頭100設有噴射噴嘴75和吸入/排出噴嘴76。臭氧供給管71從作為反應性氣體供給源的臭氧發生器70延伸，並且這個臭氧供給管71通過處理頭100的連接器72被連接到噴射噴嘴75的底端部。噴射噴嘴75被布置為低於目標位置(放置在臺10上的晶片90的外周部)。噴射噴嘴75的遠端部的噴射杆L75通常沿晶片90的外周的周向(切線方向)延伸，並朝向臺10輕微傾斜，即在俯視圖中徑向向晶片90內傾斜。在正視圖(圖42)中，噴射杆L75朝向晶片90向上傾斜。噴射噴嘴75的遠端的噴射埠面對目標位置P的附近(晶片90的外周部的背面)。優選地，至少噴射噴嘴75的遠端部由諸如例如透光特氟隆(註冊商標)、pylex(註冊商標)玻璃、石英玻璃等的透光材料組成。連接到吸入/排出噴嘴76的連接器被設置在與處理頭的噴射側的連接器72相對的側部。排出管78從連接器77延伸，並且排出管78被連接到包括排出泵等的排出裝置79。吸入/排出噴嘴76被布置為低於目標位置P(放置在臺10上的晶片90的外周部)。在俯視圖(圖41)中，吸入/排出噴嘴76的遠端部的抽吸杆(或吸杆)L76大體直地朝向晶片90的外周的切線方向。在正視圖(圖42)，抽吸杆L76朝向晶片90向上傾斜。排出噴嘴76的遠端的抽吸埠位於與噴射噴嘴75的噴射埠幾乎相同的高度(在晶片90的背面正下面)。如圖41所示，在俯視圖中，噴射噴嘴75的遠端部和排出噴嘴76的遠端部被布置為沿晶片90的外周(徑向設置在臺10的上表面外的假想環形表面C)的周向(切線方向)彼此相對，並且目標位置P位於它們之間。目標位置P被布置在噴射噴嘴75的遠端的噴射埠和排出噴嘴76的遠端的抽吸埠之間。噴射噴嘴75沿臺10由此沿晶片90的旋轉方向(例如，在俯視圖中順時針方向)布置在上遊側。類似地，吸入/排出噴嘴76被設置在下遊側。考慮到將去除的膜92c的反應溫度、臺10的旋轉速度，雷射加熱器20的加熱量等，噴射噴嘴75的噴射埠和吸入/排出噴嘴76的抽吸埠之間的距離合適地建立在例如幾毫米到幾十毫米的範圍內。在光致抗蝕劑將被去除的情況下，噴射噴嘴75的噴射埠和吸入/排出噴嘴76的抽吸埠之間的間隔建立在其中晶片的處理溫度為150攝氏度或更多的範圍內，優選地例如在5mm到40mm的範圍內。排出噴嘴76的抽吸埠的直徑比噴射噴嘴75的噴射埠的直徑更大，例如約2—5倍。例如，噴射埠的直徑約為1到3mm，同時抽吸埠的直徑約為2到15mm。如圖42所示，作為輻射加熱器，雷射加熱器20的雷射照射單元22被設置在處理頭100的下側部分處。雷射照射單元22被設置為比噴嘴75，76低，並如圖41所示，在俯視圖中，被布置在噴射噴嘴上75的遠端部和排出噴嘴76的遠端部之間。目標位置P被定位在雷射照射單元22正上方。根據上述結構，通過光纖電纜23，來自雷射源21的雷射從雷射照射單元55以匯聚方式正向上地輻照。由於這種布置，所述晶片90的外周部的背面被局部加熱。這種被局部加熱的部分根據臺10的旋轉沿旋轉方向向下遊側移動，同時短時間保持高的溫度。因此，晶片90的外周部的溫度不僅在雷射照射單元22正上方的被輻照部分(目標位置P)處高而且在從那裡沿旋轉方向位於下遊側的部分處溫度高。當然，位於雷射照射單元22正上方的目標照射部分P溫度最高，並且溫度從那裡沿旋轉方向朝向下遊側降低。由雙點劃線指示的曲線T顯示了晶片90的溫度分布。高溫區域分布圍繞目標照射部分P沿旋轉方向偏向下遊側(這種輻照加熱操作也將參照圖43和46的實施例進行描述)。與雷射加熱和臺旋轉並行地，臭氧發生器70的臭氧氣體順序流經供給管71、連接器72和噴射噴嘴75，然後沿噴射杆L75通過噴射噴嘴75噴射出。這種臭氧被噴射到晶片90的外周表面的背面的目標照射部分(目標位置P)附近的周邊上。由於噴射杆L75具有向上的角度，臭氧氣體能夠可靠地擊中晶片90。類似地，由於噴射杆L75被給定徑向向內的角度，臭氧氣體被稍微向晶片90內噴射。由於這種布置，能夠可靠地防止臭氧從晶片90的外端面流到前側四周。在擊中晶片90的背面後，臭氧氣體幾乎沿晶片90的外周的目標照射部分中的切線短時間流向排出噴嘴76，且不會離開晶片90的背面。由於這種布置，能夠獲得臭氧和塗覆在晶片90的背面的膜92c之間的足夠的反應時間。臭氧氣體流沿溫度分布的偏離方向移動。因此，在噴射後不久，不僅在目標照射部分P處，而且在位於目標照射部分P下遊側的排出噴嘴76上的部分處，臭氧氣體能夠與膜92c產生反應。因此，能夠提高處理效率。同時，抽吸裝置79被致動。通過這樣做，處理過的臭氧和反應副產品能夠被引入排出噴嘴76的抽吸埠，以便從那裡被抽吸和排出，並不會被擴散。由於抽吸埠比噴射埠更大，處理過的臭氧氣體等能夠確實地被捕獲和吸入，並且處理過的臭氧氣體等能夠被確實地防止擴散。因此，臭氧氣體等能夠可靠地被防止環流到晶片90的前側(正側)，並且前側膜92能夠可靠地被防止例如特性改變或類似形式的損壞。而且，反應的副產品能夠被快速地從晶片90的目標點的周圍清除。如由箭頭曲線所示，臺10的旋轉方向沿從噴射埠75到抽吸噴嘴76的正常方向(沿臭氧氣體流的方向)定向。圖43和圖44顯示了圖41和42的實施例的修改實施例。用於處理基板的外周部的設備的處理頭100設有用於保持噴射噴嘴75的噴嘴保持部件75H。噴嘴保持部件75H由具有優良導熱特性的諸如鋁的材料製成。冷卻通路130形成在噴嘴保持部件75H內，並且諸如水的冷卻介質被允許穿過冷卻通路130。由於這種布置，保持部件75H能夠得到冷卻從而噴射噴嘴75能夠得到冷卻。在俯視圖中，雷射照射單元22的位置被設置在噴射噴嘴75的遠端部和抽吸噴嘴76的遠端部之間的中間部分處。而且，它們被設置在朝向噴射噴嘴75的一側。噴射噴嘴75和吸入/排出噴嘴76均可拆開地連接到處理頭100。由於這種布置，結構能夠根據需要被改變為最適合的結構。在供給臭氧時，冷卻介質穿過噴嘴保持部件75H的冷卻通路130。通過如此做，噴射噴嘴75能夠通過噴嘴保持部件75H被冷卻，從而，通過噴射噴嘴75的臭氧氣體能夠被冷卻。由於這種布置，氧原子基的數量能夠被防止減小，並且活性能夠保持很高。因此，通過可靠地使臭氧氣體與膜92c反應能夠執行蝕刻。與供給臭氧並行地，雷射加熱器20被打開，以便雷射L從照射單元22向正上方發射。如圖45(b)的仰視圖所示，這個雷射以點狀的方式被輻照到晶片90背面的極小的區域Rs。這個區域Rs位於噴射噴嘴75的噴射埠和抽吸噴嘴76的抽吸埠之間，並與臭氧氣體經過通路一致。這個區域Rs被局部輻照加熱且瞬時到達到諸如幾百攝氏度的高溫。通過使臭氧與具有高溫的區域Rs接觸，反應能夠被改進並且能夠提高處理效率。根據臺10的旋轉從而根據晶片90的旋轉，局部輻照加熱區域Rs被順序移位。即，晶片90外周的背面的每個點僅瞬時定位在輻照加熱區域Rs，並迅速經過該區域。因此，輻照加熱時間段是瞬間的。例如，假設晶片90的直徑是200畫，旋轉速度是1rpm，並且輻照區域Rs的直徑是3ram，輻照加熱時間段僅約0.3秒。另一方面，當晶片90外周的背面的每個點一旦被加熱，熱量在那裡保持很短時間，即使在每個點經過該區域後。因此，每個點的溫度仍很高(參見圖46的表面溫度分布圖表)。在這種高溫時期期間，每個點仍位於噴射噴嘴75和抽吸噴嘴76之間的臭氧氣體的經過通路中，並且臭氧仍保持與其接觸。由於這個特性，處理效率能夠得到更大的提咼°而且，由於輻照區域Rs被偏離向噴射噴嘴75偵IJ，當每個點與臭氧接觸時，晶片90外周的背面的每個點迅速被加熱。此後，這個點短時間保持高溫，即使在它從輻照加熱區域Rs移動離開後。在每個點保持高溫的時間期間，點被保持與臭氧接觸。由於這個特性，處理效率能夠得到更大的提高。另一方面，位於晶片90的外周部內側的部分不直接接受來自雷射加熱器20的輻照熱量。而且，這種特定部分被熱吸收，並由臺10內的冷卻介質冷卻。因此，即使輻照加熱區域Rs的熱量應被傳送到特定部分，能夠抑制溫度增加，因此，能夠可靠地保持低溫狀態。這使得可以可靠地防止不應被去除的膜92上出現損壞，並且能夠保持極佳的膜質量。圖46(a)顯示了在旋轉晶片的背面的外周部被雷射局部輻照加熱時的特定時刻，晶片正面的溫度分布；並且圖46(b)顯示了溫度的單個測量結果對比背面的周邊位置。雷射輸出是100W，並且旋轉速度是1rpm。輻照區域Rs的直徑約為3mm。位於圖46(a)的晶片90的外周上的位置0對應於圖46(b)的橫軸的原點。圖46(b)的橫軸顯示了有關從位置0的距離，晶片的背面的外周部的各個點。在圖46(a)和46(b)中，輻照區域Rs和包括區域Rs的區域Ro具有對應的關係。區域Ro對應於噴射噴嘴和抽吸噴嘴之間的長度D(參見圖45(b))部分。如從圖46(b)很明顯，即使在進入輻照區域Rs前的區域中，由於這種區域很小，由於來自輻照區域Rs的熱傳導，溫度變成150攝氏度或更高。在輻照區域Rs中，溫度馬上上升，並顯示350攝氏度到790攝氏度的溫度分布。在緊接著輻照區域Rs的區域中，溫度下降，但短期仍保持在150攝氏度或更高的水平。即，保持足以去除有機物質的高溫。從前述很明顯旋轉與輻照加熱的結合對於去除有機物質很有效。緊接著輻照區域Rs的保持高溫的區域範圍取決於雷射輸出和臺的旋轉速度。噴射噴嘴和抽吸噴嘴之間的距離D(區域Ro的寬度)可根據這個建立。為了降低輻照區域Rs的溫度，雷射輸出被減小，並且臺的旋轉速度被增加。作為對比，為了提高溫度，雷射輸出被增加並且臺的旋轉速度被減小。在圖47和48所示的用於處理基板的外周部的設備的處理頭100被布置為高於放置在臺10上的晶片90。噴射噴嘴75和吸入/排出噴嘴76也被設置為高於晶片90。如在圖41到44的情況下，在俯視圖中，那些噴嘴75，76通常沿晶片90的周向(目標位置P附近的切線方向)被彼此相對地布置，目標位置P設置在噴嘴75，76之間。雷射加熱器20的照射單元22被布置在目標位置P正上方，姿態為方向指向下。通過目標位置P,輻射單元22的雷射軸線沿與晶片90垂直的法線延伸，並且焦點被固定到目標位置P。來自照射單元22的雷射被輻照到晶片90的外周部的正面的目標位置P，並且塗覆在目標位置P的前側(正側)的膜被輻照加熱。與此同時，來自臭氧發生器70的臭氧被噴射出來，並且然後，通過噴射噴嘴75噴射到晶片90的外周的正面上。然後，臭氧在目標位置P附近幾乎沿晶片90的切線方向流動。由於這種布置，塗覆在晶片90的外周的前側上的不需要的膜能夠被去除。晶片90上的氣體流沿晶片90的旋轉方向，並且還沿由殘餘熱量導致的高溫區域形成方向(圖46(a))。由於這個布置，處理效率能夠得到提高。由於抽吸噴嘴76的吸附和晶片90的旋轉，處理過的氣體(包含諸如粒子的反應副產品)被保持為沿其被噴出時刻的流動方向，並在那種情況下被吸入抽吸噴嘴76，然後被排出。由於這種布置，能夠防止粒子沉積在晶片90的外周上。由於抽吸噴嘴76具有比噴射噴嘴75更大的孔，處理過的氣體的洩漏能夠得到抑制。圖49顯示了抽吸噴嘴的布置的修改實施例。在俯視圖，抽吸噴嘴76從臺10的半徑外部，從而從晶片90的半徑外部朝向半徑內部布置，以便與噴射噴嘴75垂直。抽吸噴嘴76的遠端的抽吸埠的位置被布置為沿晶片90的放置方向的法線方向略微離開噴射噴嘴75的噴射埠。在抽吸噴嘴76的遠端的上下方向上的位置被布置在與臺10的上表面從而與晶片90的上表面幾乎相同的高度處。根據上述結構，通過噴射噴嘴75噴射出、起反應和處理過的氣體(包含諸如粒子的反應副產品)能夠從晶片90的頂部快速送到半徑外部，然後，被吸入抽吸噴嘴76並被排出。這樣，能夠防止粒子沉積在晶片90上。在圖50中所示的抽吸噴嘴的結構中，抽吸噴嘴76被布置為低於放置在臺10上並處於向上定向姿態的晶片90的外周部的極接近部分。抽吸噴嘴76的遠端的抽吸埠的位置被布置為沿晶片90的旋轉方向的法線方向略微離開噴射噴嘴75的遠端的噴射埠。由於這種結構，如圖51所示的箭頭指示，通過噴射埠76噴射出的氣體沿晶片90的外周部的上表面的外端面流向下表面。在這種過程期間，氣體與塗覆在晶片90的外端面上的不需要的膜92c反應，並且塗覆在外端面上的膜92c能夠被可靠地去除。處理過的氣體(包含諸如粒子的反應副產品)被吸入下部抽吸噴嘴76並被排出。在圖52和53所示的用於處理基板的外周部的設備中，照射單元22被布置為比晶片90更高，並處於從半徑外部朝向晶片90的外周部(目標位置P)的傾斜姿態。照射單元22的傾斜角度例如約45度。如圖54所示，來自照射單元22的輻照光軸線L20(雷射光束的中心軸線)與晶片90的外周部的向上部傾斜部分交叉，並與剛好在穿過點(或橫斷點)處的膜的正面的法線對準。或者光軸線L20通常與剛好在穿過點處與寬度方向對準。照射單元22設有會聚光學系統，會聚光學系統包括凸透鏡；柱面透鏡等，並且被構造為通過光纖23將來自光源21的雷射L以匯聚方式照向與晶片90的外周部的上部傾斜部分的光軸線20的穿過點(被輻照的點)。如圖54所示，根據上述構造，來自照射單元22的雷射以約45度的角度從晶片的外周部的上方和半徑外部向下傾斜地照向晶片90的外周部並逐漸被匯聚。然後，雷射被輻照到晶片90的外周部的向上部傾斜部分。雷射軸線L20通常垂直於將被輻照的點，並形成約0度的入射角。由於這種布置，加熱效率能夠得到提高，並且在被輻照的點的周圍的晶片90的外周部能夠被局部和可靠地加熱到高溫。來自噴射噴嘴75的臭氧與這種被局部加熱部分接觸。通過如此做，如圖55所示，膜92c能夠以高蝕刻速度被有效去除。如圖54所示，本發明人進行了用於以匯聚方式以45度的角度從傾斜上部將雷射局部輻照到晶片的外周部的實驗。所述晶片的旋轉速度是50rpm，並且雷射輸出是130W。所述晶片的垂直外端面的表面溫度利用溫度記錄法測量。在將被輻照的點正下方的位置中，測量結果是235.06攝氏度。類似地，通過使雷射輻照角度相對於垂直方向成30度，並使所有其它條件與上述45度的情況相同，執行另一實驗。在將被輻照的點正下方的位置，測量結果是209.23攝氏度。從上述結果，很明顯能夠獲得充分大的蝕刻速度。本發明人還執行了比較實驗。雷射從晶片的外周部正上面輻照。諸如晶片的旋轉速度和雷射輸出的所有其它條件與上述實驗的相同。所述晶片的垂直外端面溫度是114.34攝氏度。這個溫度低於蝕刻的上升溫度。這樣的原因能夠考慮從正上方(從相對於晶片的90度的方向)的雷射照射不會直接擊中晶片的垂直外端面。而且，也很明顯如果如圖54所示輻照方向對角傾斜為45度，能夠使加熱溫度幾乎是90度的兩倍。可以接受的是雷射輻照軸線L20從朝向晶片90半徑的外部下傾的角度被指向晶片90的外周部。這個雷射輻照軸線L20的下傾角度可被下傾在對角的範圍內，而且可傾斜直到它變成水平。在雷射輻照軸線L20下傾直到它變成水平的情況下，從晶片90的正側面，來自照射單元22的雷射垂直擊中晶片90的外端面。這種入射角幾乎為零。由於這種布置，在晶片90的外端面上塗覆的膜92c能夠更可靠地被加熱，並能夠進一步提高蝕刻速度。本發明人執行了加熱實驗，其中如圖56所示，照射單元22水平倒下，雷射以匯聚的方式從正旁邊輻照到晶片的外周部，並且所有其它條件與圖54的實驗相同(晶片的旋轉速度50rpm，雷射輸出130W)。然後，測量晶片的垂直外端面的表面溫度。測量結果是攝氏256.36度。由此很明顯通過從晶片的正側面，將雷射輻照到晶片的垂直外端面，溫度能夠更大地增加，並且能夠以更快的速度執行處理。如圖57所示，諸如碳氟化合物的有機膜92也容易以環流(向四周流動)到晶片的外周部的背側的方式形成在晶片的外周部的背側(下側)。在將去除塗覆在晶片90的外周部的所有膜的背面上塗覆的膜的情況下，照射單元22可被布置在比晶片90低並在半徑外部的位置，以便雷射能夠從那個位置被輻照向晶片90的外周部。由於上述布置，來自照射單元22的雷射以匯聚方式從晶片90下面的位置和半徑外部傾斜向上照向晶片90的外周部。這種雷射軸線L20的角度例如約45度。這種雷射使得以接近0度的角度入射到晶片90的外周部的下部傾斜部分。由於這種布置，特別地，塗覆在晶片90的所有外周部的背面上的膜92c能夠被加熱到高溫，並且塗覆在背側上的膜92c能夠被可靠地蝕刻並以高速去除。在這種背面處理中，噴射噴嘴75和排出噴嘴76也優選地布置在晶片90的外周部下面的位置中。如圖58所示，垂直於晶片90的照射單元22X可以與以下傾姿態布置的照射單元22分離地使用。通過光纖電纜23X，垂直照射單元22X被連接到雷射源21X，雷射源21X與下傾照射單元22被連接到的一個單元分離。也可以接受的是兩個分支光纜被從相同的雷射源引出，以便分支光纜的一個被連接到垂直照射單元22X而另一個被連接到下傾照射單元22。根據包括照射單元22，22X的裝置結構，通過主要使用下傾照射單元22加熱到高溫，塗覆在晶片90的外周的傾斜部分和外端面上的膜92c能夠被有效地去除；並且主要使用垂直照射單元22X，塗覆在晶片90的外周的平坦表面部分上的膜22c能夠被有效去除。由於這種布置，能夠可靠地去除塗覆在晶片90的外周部上的整個不需要的膜92c。照射單元22的角度不局限於固定的角度。代替地，如圖59所示，可以使用可變角度。圖59中所示的用於處理基板的外周部的設備設有照射單元22用的移動機構30。移動機構30設有滑動導引器31。滑動導引器31具有從約12點鐘的位置到約3點鐘的位置延伸約90度的、約1/4的圓周的弧形結構。所述晶片90的外周部(目標位置P)被布置在對應於滑動導引器31的弧形結構的中心的位置。照射單元22被安裝在滑動導引器31上，從而照射單元22可沿滑動導引器31的周向滑動。由於這種布置，照射單元22和雷射軸線L20—直指向晶片90的外周部，並且可在正位於晶片90的外周部上面的垂直姿態位置(其中照射單元22和雷射軸線L20採取由圖59的雙點劃線指示的垂直姿態)和在晶片90正旁邊的水平姿態位置(其中照射單元22和雷射軸L20採取由圖59的虛線指示的水平姿態)之間在90度的角度範圍內調節。照射單元22和雷射軸線L20的移動軌跡被布置在垂直於包括10和晶片90的單個半徑的臺10和晶片90的上表面的垂直平面上。雖然未示出，移動機構30設有用於沿滑動導引器31在垂直姿態位置和水平姿態位置之間移動照射單元22的驅動裝置。如圖59的實線所示，根據配置這種移動機構30的用於處理基板的外周部的設備，當晶片90的外周部的上部傾斜部分主要被處理時，照射單元22和雷射軸線L20朝向晶片90的上側被傾斜例如約45度的角度。通過如此做，幾乎在其中心和其外圍，晶片90的外周部能夠被可靠地加熱到高溫，並且塗覆在上部傾斜部分的外圍上的不需要的膜92c能夠以高蝕刻速度可靠地去除。如圖59的虛線所示，當晶片90的垂直外端面主要被處理時，照射單元22和雷射軸線L20下降到晶片90正旁邊，並進入水平姿態。通過如此做，晶片90的外端面及其周邊能夠主要被加熱到高溫，並且塗覆在外端面的周邊的不需要的膜92c能夠以高蝕刻速度被可靠地去除。如圖59的雙點劃線所示，當晶片90的外周的上部平坦表面部分將主要被處理時，照射單元22和雷射軸線L20被定位在晶片90正上方，從而它們釆取垂直姿態。通過如此做，晶片90的外周的上部平坦表面部分及其周邊能夠可靠地主要加熱到高溫，並且塗覆在上部平坦表面的周邊上的不需要的膜92c能夠以高的蝕刻速度被可靠地去除。採用如上提及的方法，晶片90的外周部的各個部分能夠得到有效地處理。如圖60所示，當主要處理塗覆在晶片90的外周部的背面側的膜時，移動機構30的滑動導引器31可具有從約3點鐘的位置到約6點鐘的位置延伸約90度的、1/4圓周的弧形結構。照射單元22和雷射軸線L20總指向晶片90的外周部(目標位置P)，並可在其中照射單元22和雷射軸線L20在晶片90正旁邊採用水平姿態的水平姿態位置(由圖60的虛線所示)和其中照射單元22和雷射軸線L20在晶片90的外周部正下面採取垂直姿態的垂直姿態位置(由圖60的雙點劃線所示)之間在90度的角度範圍內調節。由於上述布置，如圖60的實線所示，當晶片90的下部傾斜部分將主要被處理時，照射單元22和雷射軸線L20被傾斜，例如晶片90向下約45度。由於這種布置，晶片90的外周部的上部傾斜部分及其周邊能夠可靠地加熱到高溫，並且塗覆在上部傾斜部分的周邊上的不需要的膜92c能夠以高蝕刻速度被可靠地去除。如圖60的虛線所示，當晶片90的垂直外端面主要被處理時，照射單元22和雷射軸線L20落在晶片90正旁邊，並採取水平姿態。由於這種布置，晶片90的外端面及其周邊能夠可靠地被加熱到高溫，並且塗覆在外端面的周邊上的不需要的膜92c能夠以高蝕刻速度可靠地去除。如圖60的雙點劃線所示，當晶片90的外周的背側的平坦表面部分將被處理時，照射單元22和雷射軸線L20定位在晶片90正下方，從而它們採取垂直姿態。由於這種布置，晶片90的外周的背側的平坦表面及其周邊能夠可靠地被加熱到高溫，並且塗覆在背側的平坦表面部分的周邊上的不需要的膜92c能夠以高蝕刻速度地被可靠地去除。釆用如上提及的方法，晶片90的外周部的各個部分能夠得到有效地處理。在圖59和60中，滑動導引器31具有1/4圓周的弧形結構，並且照射單元22和雷射軸線L2的角度調節範圍約為90度。也可以接受的是導引器31具有從約12點鐘的位置到約6點鐘的位置延伸約180度的、約1/2的圓周結構；並且照射單元22和雷射軸線L20可從晶片90的外周部的正上方到正下面的、180度的角度範圍進行角度調節。在圖61到67所示的用於處理基板的外周部的設備中，處理頭100被設置在臺10的一側部分處。如圖67所示，處理頭100被支撐在裝置框架(未示出)上，從而處理頭100能夠在其中處理頭向臺10前進的處理位置(由圖67的實線指示)和其中處理頭100離開臺10的撤回位置(由圖67的虛線所示)之間前進和撤回。處理頭100的數目並不局限於一個。代替地，多個處理頭100沿臺10的周向間隔地設置。如圖61到64所示，處理頭100包括頭主體101和設置在頭主體101處的柄杓型噴嘴160。頭主體101具有大體長方體結構。如圖61和62所示，頭主體101的上部設置有雷射加熱器的照射單元22。如圖61到64所示，面對臺10的開口101形成在頭主體101的下部中。在照射單元22的下端中形成的輻照窗口面對開口102的頂表面。單路的氣體供給通路71和三路的排出通路76X，76Y，76Z形成在頭主體101的下部壁中。如圖62所示，氣體供給通路71的基端(上遊端)與臭氧發生器70連接。如圖62和63所示，氣體供給通路71的遠端(下遊端)延伸向頭主體101的開口102的一側的內表面。如圖62和63所示，在頭主體101的開口102中，第一排出通路76X的抽吸端通向氣體供給通路71的相對側的內側表面。排出通路76X的抽吸端的高度略高於臺10的上表面。沿晶片90的旋轉方向(例如，在俯視圖中順時針方向)，排出通路76X被布置在氣體供給通路71的下遊側從而布置在柄杓型噴嘴160的下遊側。如圖62所示，排出通路76Y的抽吸端開口通向頭主體101的開口的底部表面的中央部。如下描述，排出通路76Y的抽吸端被布置在照射單元22和短筒部161的正下方。如圖61和64所示，其餘排出通路76Z通向頭主體101的開口102的最內側上的內表面。排出通路76Z的抽吸端的高度幾乎與臺10的上表面相同。那些排出通路76X，76Y，76Z的下遊端被連接到諸如排出泵的排出裝置(未示出)。柄杓型噴嘴160被設置在頭主體101的開口102的內部部分處。如圖65所示，柄杓型噴嘴160包括具有短筒形結構的短筒部161和細長管狀的引入部162。短筒部161和引入部162由諸如石英的抗臭氧透明材料組成。如圖62和63所示，引入部162水平延伸。引入部162的基端部嵌入頭主體101並由頭主體101支撐，並被連接到氣體供給通路71的遠端部。引入部162的內部限定了用於導引臭氧(反應性氣體)的引入通路162a。例如，引入部162的外徑是1mm到5mm，並且引入通路162a的流動通路截面積約為0.79mm2到19.6mm2並且長度為20mm到35mm。引入部162的遠端部延伸入頭主體101的開口102，並且短筒部161連接到延伸部分。短筒部161還被設置在頭主體101的開口102的中央部處。短筒部161具有下端開口的帶蓋筒形結構，並且還具有方向垂直的軸線。短筒部161的直徑比引入部162的充分大。短筒部161的軸線沿頭主體101的中心軸線延伸，並與照射單元22的輻照軸對準。例如，短筒部161的外徑是5mm到20mm，高度是10mm到20誦。蓋部163—體設置到短筒部161的上端(基端)並適合封閉上端。蓋部163被設置在照射單元22的輻照窗口下面，以便恰好與輻照窗口相對。如上提及的，包括蓋部163的整個短筒部161由諸如石英玻璃的透光材料組成。也可以接受的是至少蓋部163具有透光特性。作為透光材料，除了石英玻璃，可以使用諸如鈉玻璃的通用目的玻璃和具有高透明度的樹脂。蓋部163的厚度優選地是0.1咖到3鵬。引入部162被連接到接近短筒部161的周側壁的上側的部分；並且形成在引入部162內的引入通路162a與短筒部161的內部表面161a連通。引入通路162a的下遊端用作與短筒部161的內部空間161a連通的連通埠160。短筒部161的內部空間161a的流動通路截面面積比引入通路162a的從而比連通埠160a的截面面積充分大。例如，連通埠160a的流動通路截面積約為0.79mm2到19.6誦2，同時短筒部161的內部空間161a的流動通路截面積是19.6mm2到314mm2。然後，從連通埠160a，流經引入通路162a的臭氧(反應性氣體)流入短筒部161的內部空間161a，膨脹並暫時保持在其中。短筒部161的內部空間161a用作臭氧(反應性氣體)的暫時存儲空間。如圖61和62所示，短筒部161的下部遠端開口。利用位於處理位置的處理頭100，放置在臺10上的晶片90的外周部(目標位置)被定位在短筒部161的下端邊緣的正下方，並且短筒部161覆蓋在目標位置上面。短筒部161的下端邊緣和晶片90的外周部之間形成的間隙很小，例如約0.5mm。通過該極小的間隙，在短筒部161內形成的暫時存儲空間161a面對晶片90的外周部(目標位置)。如圖63所示，處理位置中的短筒部161從晶片90的外部邊緣略微徑向向外擴展到晶片90的外部。由於這種布置，通過短筒部161的擴展部分的下端邊緣與晶片90的外周緣之間，在短筒部161內形成的暫時存儲空間161a與外部連通。在短筒部161的擴展部分的下端邊緣與晶片90的外周部之間形成的空間用作釋放埠164，用於釋放存儲在暫時存儲空間161a中的氣體。現在將描述利用採用如上所述方式構造的用於處理晶片的外周部的設備，去除塗覆在晶片90的背面的外周部上的膜92c的方法。利用傳送機器人等，將待處理的晶片90被放置在臺10的上表面上，以便晶片90的軸線與臺10的軸線對準並被卡住(或吸附)。然後，處理頭100從撤回位置前進並被設置到處理位置。由於這種布置，如圖66所示，晶片90的外周部被插入形成在頭主體101中的開口102內，並被布置在短筒部161正下方的位置中。然後，雷射源21被開啟，並且雷射L以匯聚的方式從照射單元22輻照向位於照射單元22正下方的晶片90的外周部。通過如此做，以點狀(局部)的方式，塗覆在晶片90的外周部上的膜92c能夠被輻照地加熱。雖然在光路中中間設置著短筒部161的蓋部163，由於蓋部163具有透光特性，光量幾乎不會被減小。因此，能夠保持加熱效率。與上述加熱操作並行地，臭氧從臭氧發生器70被發送到氣體供給通路71。所述臭氧被導引到柄杓型噴嘴160的引入部162的引入通路162a，並從連通埠160a被導引到短筒部161內的暫時存儲空間161a。由於暫時存儲空間161a比引入通路162a和連通埠160a更寬廣地擴展，臭氧在暫時存儲空間161a中被擴散，並暫時存儲在其中。這使得可以增加臭氧接觸晶片90的外周部的局部被加熱位置的時間，並且從而，能夠獲得充分的反應時間。通過蝕刻，這再次使得可以可靠地去除塗覆在被加熱位置上的膜92c，並且從而能夠提高處理速率。而且，臭氧的使用率能夠完全增加，能夠消除浪費，並能夠減小所需的氣體量。短筒部161從晶片90的外周緣稍微凸出。凸出部分與晶片90的外周緣之間形成的空間用作用於從短筒部161的內部161a釋放氣體的釋放埠164。因此，在短筒部161的內部61a存儲的氣體是暫時的，並且具有退化活性的處理過的氣體和反應副產品(粒子等)能夠從釋放埠被快速釋放。因此，通過一直向暫時存儲空間161a供給新鮮臭氧，能夠保護高的反應效率。通過調節三個排出通路76X，76Y，76Z中的氣體的抽吸和排出量，能夠對通過釋放埠164釋放的氣體進行洩漏控制，並能夠對在開口102內洩漏後的氣體進行氣體流控制。由於提供了三個排出通路76X，76Y，76Z，如果有的話，擴散的粒子能夠可靠地被吸入和排出。由於臺10與上述程序同時地旋轉，塗覆在晶片90的外周部上的膜92c能夠從整個周邊被去除。而且，通過利用安裝在臺10內的冷卻/吸熱裝置冷卻晶片90的外周部的內部部分，能夠防止接受雷射輻照的晶片90的內部部分的溫度增加。因此，能夠防止塗覆在晶片90的內部部分上的膜92被損壞。在去除操作結束後，處理頭100撤回，臺10被解除卡持，並且晶片90被從臺10拾取。如圖68(a)到68(c)所示，沿臺10的徑向方向調節在處理位置的短筒部161的位置，並且短筒部161從晶片90的外周緣的凸出量被調節。通過如此做，能夠調節將被去除的膜62c的處理寬度(圖68(a)到68(c)的陰影部分)。本發明人使用圖69的實驗設備執行蓋部163的透光實驗。石英玻璃板G被用作蓋部163，並且並且雷射照射單元22的雷射L被輻照到石英玻璃板G。雷射能量測量儀器D被放置在石英玻璃板G的背側，傳送的雷射能量被測量並且計算衰減係數。雷射照射單元22的輸出在兒級中被切換，並且測量每級中的雷射能量。準備具有不同厚度的兩個石英玻璃板G，並對每個玻璃板G執行相同的測量。結果如下。表1玻璃板厚度0.12ramtableseeoriginaldocumentpage89玻璃板厚度0.7腿照射單元輸出傳輸的雷射能量衰減係數(tableseeoriginaldocumentpage89如上述表1所示，不考慮照射單元22的輸出和玻璃板的厚度，衰減因數小於4%。因此，很明顯即使柄杓型噴嘴160的蓋部163被中間地設置在從照射單元22延伸的光路中，96%或更多的雷射L能夠通過蓋部163傳輸，並且在晶片90的周邊部分處的熱效率幾乎不會減小。另一方面，即使雷射能量的衰減部分會完全被吸收在蓋部163中，這種吸收會小於4%，並且因此，蓋部163幾乎不會被加熱。而且，蓋部163能夠被通過柄杓型噴嘴160的臭氧充分冷卻。因此，蓋部163和柄構型噴嘴160幾乎不會被加熱到高溫，並且幾乎不需要具有熱阻特性。圖70顯示了柄杓型噴嘴160的修改實施例。在這個修改實施例中，作為釋放埠的凹口161b形成在柄杓型噴嘴160的短筒部161的下端邊緣中。如圖71所示，沿短筒部161的周向，凹口161b被布置在與面對臺10的側面相對的側面上(對應於晶片90的半徑外側的位置)。凹口161b具有半圓形結構，具有約2mm的半徑。凹口161b的結構和尺寸並不局限於上述，它們能夠根據需要合適地改變。根據這種修改的實施例，被暫時保存在暫時存儲空間161a中的處理過的氣體和反應副產品能夠通過凹口161b被可靠地釋放，新鮮臭氧能夠被可靠地供給到暫時存儲空間161a，並且能夠獲得高反應係數。由於柄杓型噴嘴160的短筒部161本身設有釋放埠161b，通過使短筒部161從晶片90的外周凸出，不再需要在短筒部161和晶片90的外周之間形成釋放埠164。如圖68(c)所示，在短筒部161和晶片90在外邊緣彼此對準的情況下，處理過的氣體和反應副產品能夠可靠地流出暫時存儲空間161a，並且能夠使將被去除的膜92c的處理寬度的可建立範圍變寬。圖72，73顯示了排出系統的修改實施例。排出噴嘴76XA，76YA，76ZA可被設置在處理頭100的開口102內。如圖73的虛線所指示，幾乎沿放置在臺10上的晶片90的切線方向，排出噴嘴76XA從頭主體101的側部上的排出通路76X向開口102的中央部分延伸。沿晶片90的旋轉方向(例如，俯視圖中的順時針方向)，排出噴嘴76XA的遠端開口朝向短筒部161的下遊側略微離開地布置，以便面對短筒部161的側面部分。排出噴嘴76XA略微高於晶片90並略微向下傾斜地布置。排出噴嘴76XA的遠端開口傾斜向下定向。根據晶片90的旋轉，位於短筒部161正下方的晶片90上產生的諸如粒子的反應副產品流向排出噴嘴76XA。通過經排出噴嘴76XA吸入和排放那些反應副產品，能夠可靠地防止粒子沉積在晶片90上。由圖72和73的虛線指示，排出噴嘴76YA從位於頭主體101的底部處的排出通路76Y垂直向上延伸。排出噴嘴76YA的遠端(上端)開口布置在短筒部161的下端開口的正下方，以便略微遠離短筒部161的下端開口並面對短筒部161的下端開口。晶片90的外周部被插入短筒部161和排出噴嘴76YA之間。由於上述布置，在位於短筒部161正下方的晶片90上產生的諸如粒子的反應副產品能夠在排出噴嘴76YA下面的位置被吸附和排出，並且能夠可靠地防止粒子沉積在晶片90上。同時地，來自短筒部161的諸如臭氧的反應性氣體能夠被控制以從晶片90的外周部的上部邊緣向下部邊緣流動。採用這種方式，反應性氣體能夠不僅與晶片90的上部邊緣而且與外端和下部邊緣接觸。由於這種布置，能夠有效去除塗覆在晶片90的外周部上的整個不需要的膜92c。如圖72的虛線所示，排出噴嘴76ZA從在頭主體101的開口102的最內側表面處的排出通路76Z向開口102的中央部分徑向向晶片90內延伸。排出噴嘴76ZA的遠端開口被布置在短筒部161略微內側(晶片90的半徑外部)並指向短筒部161。排出噴嘴76ZA的上部和下部位置被設置為與短筒部161和晶片90的下端部幾乎同樣高。由於上述布置，在位於短筒部161正下方的晶片90上產生的粒子能夠被快速地從晶片90的頂部送到半徑外部，並被吸入和通過排出噴嘴76ZA排出，並且粒子能夠被可靠地防止沉積在晶片90上。而且，如果有的話，擴散的粒子能夠可靠地被吸入和排出。三個排出噴嘴76XA,76YA，76ZA中，可以可選擇地僅使用第一個，可選擇地使用其中兩個，或可使用全部三個。也可以接受的是其中兩個或三個被預先安裝，並且僅有其中一個被選擇地使用用於抽吸和排出處理過的氣體。兩個或三個被同時用於抽吸和排出操作也是值得關注的選擇。在圖74到77所示的用於處理基板的外周部的設備中，代替上述柄杓型噴嘴160，使用了長筒噴嘴170(筒部)。而且，代替與柄杓型噴嘴160成一體的、由石英製成的引入部162，使用了由抗臭氧樹脂(例如，聚對苯二甲酸乙二醇酯)組成的引入部179。長筒噴嘴170和引入部179分離地形成。如圖76所示，如在柄杓型噴嘴160的情況下，長筒噴嘴170由抗臭氧透明材料組成。長筒噴嘴170具有帶蓋的筒形結構，所述帶蓋的筒形結構具有敞開的下表面並比短筒部161更長。例如，長筒噴嘴170長40mm到80mm，外徑5ram到20mm，並且內部空間的流動通路截面積為19.6mm2到314mm2。長筒噴嘴170被一體地設置在上端(基端)，且具有用於關閉上端的透明蓋部173。如圖74和75所示，蓋部173被布置在照射單元22的輻照窗口下面，以便恰當地與輻照窗口相對。照射單元22被構造以以匯聚方式通過蓋部173將雷射輻照到放置在臺10上的晶片90的外周部(目標位置)。蓋部173的厚度優選地是0.1mm到3mm。長筒噴嘴170被布置在頭主體101的開口102的中央部分處，以便軸線垂直定向。長筒噴嘴170被布置為穿過放置在臺10上的晶片90的外周部(目標位置)，並在中間部分與晶片90的外周部相交。凹口174形成在長筒噴嘴170和晶片90的外周部之間的相交部分(對應於目標位置的部分)的周側部分。凹口174沿長筒噴嘴170的周向延伸，且通常超過半圓周。凹口174具有比晶片90的厚度略微大的垂直厚度，以便晶片90的外周部能夠插入其中。例如，凹口174在長筒噴嘴170中位於離開長筒噴嘴170的上端部約IO咖到30咖的位置處。凹口174的厚度(垂直尺寸)約為2腿到5咖。凹口174的圓心角度優選地為240度到330度。引入部179被連接到長筒噴嘴170的凹口174的(基端側)上部171。形成在引入部179中的引入通路179a的下遊端與上部噴嘴部分171的內部連通，並用作連通埠170a。長筒噴嘴170的上部噴嘴部分171的內部構成暫時存儲空間171a。當晶片90被插入凹口174時，來自上部噴嘴部分171內的暫時存儲空間171a的釋放埠175a形成在晶片90的外邊緣與當凹口174形成時留下的長筒噴嘴170的剩餘部分175之間。長筒噴嘴170的、位置比凹口174低的一部分的內部用作連接到釋放埠75a的釋放通路。如圖75所示，排出通路76Y被直接連接到長筒噴嘴170的下端。根據此第二實施例，當將被處理的晶片90被放置在臺10的上表面上並且處理頭100前進到處理位置時，晶片90的外周部被插入長筒噴嘴170的凹口174中。由於這種布置，長筒噴嘴170的內部由介於其間的晶片90垂直分隔。上部和下部噴嘴部分171，172的內部空間通過釋放埠175a彼此連通。然後，雷射以匯聚的方式從照射單元22被輻照到晶片90的外周部，以便晶片90的外周部被局部加熱，並且來自臭氧發生器70的臭氧通過連通埠170a被送入上部噴嘴部分171內的暫時存儲空間171a。通過如此做，如在第一實施例的情況下，塗覆在晶片90的外周部上的膜92c能夠有效地被去除。凹口174的邊緣和晶片90之間形成的間隙很小。而且，下部噴嘴部分172被排出裝置吸附。相應的，能夠可靠地防止氣體通過凹口174和晶片90之間的極小間隙洩漏。而且，能夠有效地控制反應。而且，處理過的氣體和反應副產品通過釋放埠175a被強制流到下部噴嘴部分172，以便它們能夠通過排出通路76Y被強制排出。如果有的話，產生的粒子能夠經排出通路76Y被強制排出。在一些實例中，兩種或多種不同類型的膜被層疊在晶片90上。例如，如圖7.8(a)所示，由諸如Si02的無機物質組成的膜94被塗覆在晶片90上，並且由諸如光致抗蝕劑的有機物質組成的膜92被塗覆在膜94上。在那種情況下，除了用於去除塗覆在基板的外周上的有機膜92的反應性氣體供給器外，可設置另一反應性氣體供給器，以去除塗覆在基板的外周上的無機膜94。艮P，如圖79和80所示，用於處理使用雙膜層疊晶片的基板的外周部的設備設有單個空氣壓力室2;單個臺10;用於去除有機膜的反應性氣體供給源的第一處理頭100;和用於去除無機膜的反應性氣體供給源的第二處理頭200(氣體導引部件件)。利用前進/撤回機構，第一處理頭100能夠在沿臺10且從而沿晶片90的外周表面延伸的處理位置(由圖79和80的虛線所示)和徑向向外離開處理位置的撤回位置(由圖79和80的實線指示)之間前進和撤回。第一處理頭100的結構本身與圖47和48所示的處理頭100相同。如圖80中的雙點劃線指示，有機膜處理頭100被布置在比晶片90將被布置在其中的水平平面更高的位置。也可以接受的是有機膜處理頭100可布置在比由圖80的虛線指示的晶片90將被布置在其中的水平面更低的位置。這種有機膜處理頭100具有與圖41到44等所示的處理頭100相同的結構。一對有機膜處理頭100可與設置在其間的上述水平面成垂直關係布置。用於無機膜的第二處理頭200沿臺10的周向從有機膜處理頭100離開180度設置。利用前進/撤回機構，第二處理頭200能夠在沿晶片90延伸的處理位置(由圖80的虛線所示)和徑向向外離開晶片90的撤回位置(由圖80的實線指示)之間前進和撤回。如圖81所示，第二處理頭200具有沿晶片90的外周延伸的大體弓形結構。如圖83所示，插入埠201以切入方式朝向第二處理頭200的內部形成在第二處理頭200的直徑減小側的周側表面中。如圖81和82所示，插入埠201沿第二處理頭200的周向延伸在整個長度上。插入埠201的垂直厚度略微大於晶片90的厚度。根據第二處理頭200的前進和撤回操作，所述晶片90的外周部被插入插入埠201和從插入埠201去除。如圖83所示，插入埠201的最內端被很大程度地擴展，以便用作第二反應性氣體導引通路202。如圖81所示，導引通路202沿第二處理頭200的縱向方向(周向)延伸。在俯視圖中，導引通路202具有弓形結構，該弓形結構具有與晶片90的半徑幾乎相同的曲率半徑。當晶片90被插入插入埠201中時，晶片90的外周部被定位在導引通路202內。如圖83所示，導引通路202的截面結構是正圓形。然而，應該指出導引通路202的截面結構並不局限於此。例如，它可以是半圓形結構或方形結構。而且，導引通路202的流動通路截面積可被設置到適合尺寸的大小。無機膜去除反應性氣體(第二反應性氣體)可與諸如Si02的無機物質反應。作為其初始氣體，例如可以使用諸如CF4和C2F6的PFC氣體和諸如CHF:i的HFC的含氟氣體。如圖82所示，含氟氣體被導引到作為第二反應性氣體生成源的氟等離子放電裝置260的一對電極261之間的大氣壓放電空間261並被等離子化，以獲得包含諸如氟基的含氟活性種的第二反應性氣體。第二反應性氣體供給通路262從大氣壓等離子放電空間261a延伸，並在無機膜處理頭200的導引通路202的一個端部處被連接到引入埠202a。排出通路263在導引通路202的另一端部處從排出埠202b延伸。無機膜處理頭200由抗氟材料組成。塗覆在晶片90的外周上的由有機膜92c和無機膜92c組成的不需要的膜以如下方式被去除。[有機膜去除步驟]首先，執行去除塗覆在晶片90的外周部上的有機膜92c的步驟。處理頭100，200被預先撤回到撤回位置。然後，將被去除的晶片90通過對準機構(未示出)同心地設置在臺10上。然後，有機膜處理頭100前進到處理位置。通過如此做，雷射照射單元22被定向到晶片90的外周的點P，並且噴射噴嘴75和抽吸噴嘴76沿晶片90的切線方向彼此相對放置，且位置P介於噴射噴嘴75和抽吸噴嘴76之間(參見圖47和48)。無機膜處理頭200被直接預先定位在撤回位置。接著，雷射源21被打開，以便雷射對晶片90的外周部的點P進行局部加熱，並且在臭氧發生器70中產生的諸如臭氧的氧基反應性氣體通過有機膜去除處理頭100的噴射噴嘴75被噴出，並以受限方式被噴射到目標點P上(參見圖47和48)。由於這種布置，如圖78(b)所示，塗覆在點P上的有機膜92c被氧化反應和蝕刻(灰化)。通過利用抽吸噴嘴76抽吸氣體，包含灰化有機膜的殘餘物的處理過氣體能夠被快速去除。同時，位於晶片90的外周部內側的部分(主要部分)被臺10吸熱和冷卻。通過如此做，如前面提及的，能夠防止塗覆在位於晶片90的外周部內側的部分上的膜在加熱的影響下質量惡化。所述臺10被旋轉一到多次。通過如此做，塗覆在晶片92的外周部上的有機膜92c能夠在整個周邊上被去除，並且無機膜94c在整個周邊上被暴露。[無機膜去除步驟]然後，執行去除塗覆在晶片90的外周部上的無機膜94c的步驟。在那時，晶片90被保持設置在臺10上。然後，無機膜處理頭200前進，並且晶片90的外周部被插入插入埠201。通過如此做，晶片90的外周部的具有預定長度的部分被導引通路202包圍。通過調節插入量，能夠容易地控制將被去除的膜94c的寬度(處理寬度)。然後，諸如CF4的含氟氣體被供給到氟等離子放電裝置260的電極間空間26la，並且電場出現在電極間空間，以便出現大氣壓輝光放電等離子。通過如此做，含氟氣體被活性化，並且生成由氟基等組成的含氟反應性氣體。通過供給通路262,含氟反應性氣體被導引到無機膜處理頭200的導引通路202，然後，沿導引通路202在晶片90的外周部的周向上流動。通過如此做，如圖78(c)所示，塗覆在晶片90的外周部上的無機膜94c能夠被蝕刻和去除。同時地，臺10旋轉。通過如此做，塗覆在晶片90的外周部上的無機膜94c能夠在整個周邊上被蝕刻和去除。包含由蝕刻導致的副產品的處理過的氣體經排出通路263被排出。由於插入埠201被減小，能夠防止含氟氣體擴散到位於晶片90的外周部內側的部分。而且，通過調節含氟反應性氣體的流量，能夠更可靠地防止氣體擴散到位於晶片90的外周部內側的部分。在有機膜去除步驟結束後或無機膜去除步驟開始前，有機膜處理頭100可被撤回到撤回位置，或者有機膜處理頭100可在無機膜去除步驟結束後撤回。在有機膜92c能夠通過臺10的第一個旋轉去除的情況下，無機膜可與有機膜去除操作平行並且同時地被去除。在無機膜94c開始在有機膜去除步驟期間部分地暴露時，無機膜去除步驟和有機膜去除步驟可以同時地進行。在無機膜成份例如是SiN等的情況下，蝕刻產生在常溫下為固體狀態的諸如(NH4)2SiFfi和NH4FHF的副產品。因此，可以接受的是有機膜處理頭100在無機膜去除步驟期間位於處理位置，並且由雷射加熱器20連續地進行對晶片90的外周部的雷射輻照。通過如此做，能夠蒸發常溫下處於固體狀態的副產品。而且，蒸發的副產品能夠被抽吸，並通過抽吸噴嘴76排出。在無機膜去除步驟後，頭100，200撤回在撤回位置，並且臺1停止旋轉。然後，消除由臺10內的卡持(或吸附)機構導致的對晶片90的夾持(或吸附)，並且晶片90被運出。根據這種去除方法，在有機膜去除步驟和無機膜去除步驟的整個期間，晶片90被持續設置在臺10上。因此，在有機膜去除步驟轉移到無機膜去除步驟時，無需將晶片90傳送到其它位置，並且因此，能夠消除傳送所需的時間。而且，不會產生當傳送晶片90時，晶片90意外地接觸傳送盒時出現的粒子。而且，不再需要另外的對準操作。這使得可以大大地減小整個處理時間，提高生產量並實現高精度的處理。而且，能夠共同使用對準機構3和臺10。因此，裝置的結構能夠簡化並使尺寸緊湊。通過將多個處理頭100，200安裝在單個共用室2中，裝置能夠處理多種類型的膜。而且，也能夠避免交叉汙染的問題。由於本發明涉及常壓系統，驅動部分等能夠容易地被安裝在室2內部。當在晶片90上具有從下面以有機膜92和無機膜94的順序層疊的有機膜92和無機膜94情況下，首先執行無機膜去除步驟，並且然後執行有機膜的去除步驟。有機膜處理頭100和無機膜處理頭200之間的分離角並不局限於180度，可以是例如120度或90度。只有當它們在縮回位置和當進行前進/撤回操作時不彼此幹涉，有機膜處理頭100和無機膜處理頭200才滿足要求。也可以接受的是處理位置被重疊。有機膜處理頭100可一體安裝在含氧反應性氣體生成源上，並且無機膜處理頭200可被一體安裝含氟的反應性氣體生成源上。本發明人使用如圖81到83所示的相同的第二處理頭(氣體導引部件)執行了蝕刻實驗。作為將被處理的對象，使用了直徑8英寸並且其上覆蓋Si02膜的晶片。CF4用作處理氣體。流量被設置為100cc/min。這種處理氣體在等離子生成空間261a中被等離子化，並將其用作反應性氣體。然後，反應性氣體經過氣體導引部件件200的導引通路202。然後，對晶片的外周部的整個周邊上的不需要的膜進行蝕刻。所需時間是90秒，且處理氣體量為150cc。(比較實例1)作為比較實例，通過使用其中取消了氣體導引部件件並且來自噴嘴的反應性氣體以點狀的方式直接噴射出的裝置，在與實施例1相同條件下執行蝕刻。所需時間是20分鐘，並且處理氣體量為2升。因此，很明顯由於提供了根據本發明的氣體導引部件件，所需時間和處理氣體量被極大地減小。(比較實例2)使用了具有雙環狀電極結構並具有對應於晶片外徑的尺寸的處理頭；反應性氣體從直徑通常與晶片的外徑相同的環狀的噴射埠的整個周邊同時被噴射出來；並且在晶片的外周部的整個周邊上同時執行蝕刻。處理氣體的流量是4升/分鐘。所有其它條件與實施例1的相同。所需時間是30秒，並且處理氣體量為2升。因此，根據本發明，很明顯所需時間與其中整個周邊同時被處理的裝置幾乎沒有變化，並且而且，能夠大大減小處理氣體的量。而且，使用與上述情況相同的實例和裝置並將晶片的旋轉速度設置為50rpm和300rpm，本發明人執行了各自的處理。然後，測量了膜厚度對比在晶片的徑向方向上的徑向位置。結果如圖84所示。在圖84中，水平軸顯示了從晶片的外端部到徑向向內的位置的距離。當旋轉速度是50rpm時，處理寬度在從晶片的外端部到約1.6ram的範圍內。作為對比，當旋轉速度是300rpni時，處理寬度在從晶片的外端部到約1.0mm的範圍內。由前述很明顯旋轉速度的增加越大，反應性氣體能夠更好被抑制沿徑向向內的方向擴散，並且處理寬度能夠根據旋轉速度被控制。圖85顯示了用於去除層疊膜的裝置的另一修改實施例。在這個修改實施例中，有機膜去除含氧反應性氣體和無機膜去除含氟反應性氣體由共用的等離子放電裝置270生成。氧氣(02)被用作有機膜去除反應性氣體的初始氣體。諸如CF4的含氟氣體被用作無機膜去除反應性氣體的初始氣體。從各自初始氣體源延伸的初始氣體供給通路273，274被匯聚和延伸到形成在共用等離子放電裝置270的一對電極271之間的大氣壓放電空間271a。截止閥273V,274V被分別設置到初始氣體供給通路273，274。通過三通閥276，從共用等離子放電裝置270延伸的反應性氣體供給通路275被分成兩條通路，即含氧反應性氣體供給通路277和含氟反應性氣體供給通路278。含氧反應性氣體供給通路277被連接到有機膜處理頭100的噴射噴嘴75。含氟反應性氣體供給通路278被連接到無機膜處理頭200的導引通路202的上遊端。在有機膜去除步驟中，含氟初始氣體供給通路274的截止閥274V被關閉，同時含氧初始氣體供給通路273的截止閥273V被打開。通過如此做，諸如02的初始氣體被導引入等離子放電裝置270的放電空間271a，並被活性化以產生諸如氧基和臭氧的含氧反應性氣體。從等離子放電裝置270延伸的共用反應性氣體供給通路275經三通閥276被連接到含氧反應性氣體供給通路277。由於這種布置，諸如臭氧的含氧反應性氣體被導引入有機膜處理頭100的噴射噴嘴75中，以便能夠通過灰化去除塗覆在晶片90的外周部上的有機膜92c。在無機膜去除步驟中，含氧初始氣體供給通路273的截止閥273V被關閉，同時氧初始氣體供給通路274的截止閥274V被打開。通過如此做，諸如CF4的含氟初始氣體被導引到等離子放電裝置270並被等離子化，以便產生諸如F*的含氟反應性氣體。從等離子放電裝置270延伸的共用反應性氣體供給通路275經三通閥276被連接到含氟反應性氣體供給通路278。由於這種布置，諸如F*的含氟反應性氣體被導引入無機膜處理頭200的導引通路202中，並沿晶片的周向流動，以便塗覆在晶片90的外周部上的無機膜94c能夠通過蝕刻被去除。圖86顯示了上述層疊膜去除裝置的修改實例。根據這個修改實例的臺10包括擴大直徑的臺主體110(第一臺部分)和減小直徑的中心墊111(第二臺部分)。所述臺主體110具有直徑略微比晶片90小的盤狀結構。所述臺主體110其中設有諸如冷卻介質室41的吸熱器。容納凹部110a形成在臺主體110的上表面的中央部分中。中央墊111具有直徑比臺主體110小得多的盤狀結構。中央墊111與臺主體110同軸地布置。雖然未顯示，在它們的上表面處，臺主體110和中央墊111被分別設有用於吸附晶片90的吸附槽。與臺主體110和中央墊111同軸的墊軸112被布置在中央墊111下面。中央墊111被連接到墊軸112的上端部並且由墊軸112的上端部支撐。墊軸112與墊驅動單元113連接。墊驅動單元113設有用於將墊軸112上下升降的升降驅動系統。墊軸112從而中央墊111，被導致在突出位置和容納位置之間上下移動(前進和撤回)，其中在突出位置(圖86(b))墊軸112，從而中央墊111，從臺主體110向上突出，其中在容納位置(圖86(a))，墊軸112，從而中央墊111，被容納在臺主體110的容納凹部110a中。也可以接受的是中央墊111是固定的，並且臺主體110被連接到墊驅動單元113，並且中央墊111在那種狀態下被向上升和向下降，以便中央墊111突出和被容納。位於容納位置的中央墊111的上表面與臺主體110的上部平齊。然而，位於容納位置的中央墊111的上表面可比臺主體110的上部低。墊驅動單元113設有用於旋轉墊軸112從而旋轉中央墊111的旋轉驅動系統。雖然未顯示，臺主體110和中央墊111其中分別設有用於卡持(吸附)晶片9的卡持(或吸附)機構。冷卻室41等的吸熱裝置僅被設置在臺主體110上，並且未設置在中央墊111上。然而，吸熱裝置還可以設置在中央墊111上。無機膜處理頭200被定位在與位於突出位置的中央墊111的上表面高度相同的位置。在所述高度位置，無機膜處理頭200可在接近中央墊111的處理位置(由圖1和2的虛線指示)和離開中央墊111的撤回位置(由圖1和2的實線指示)之間前進和撤回。如圖86(a)所示，在有機膜去除步驟中，中央墊111位於容納位置中時冷卻裝置被啟動，並且處理操作由有機膜處理頭100執行，同時繞共軸線一體地旋轉臺主體110和中央墊lll。如圖86(b)所示，在有機膜去除步驟結束後，有機膜處理頭100被撤回到撤回位置。然後，中央墊111被墊驅動單元113上升以使中央墊111進入突出位置。通過如此做，晶片90能夠被送到比臺主體110高的位置。然後，無機膜處理頭200從撤回位置(由圖86(b)中的虛線指示)前進到處理位置(由圖86(b)中的實線指示)，並執行無機膜去除步驟。由於晶片90的位置向上離開臺主體110，能夠防止臺主體110的外周部與無機膜處理頭200的下部分幹涉。因此，能夠增加晶片90沿插入埠201在徑向方向上的深度。由於這種布置，能夠更可靠地防止第二反應性氣體擴散到晶片90的內部。另一方面，臺主體110的直徑能夠得到充分增加，並且晶片90能夠被吸熱裝置可靠地冷卻直到晶片90的外周部附近。因此，能夠更可靠地防止塗覆在晶片90的外周部內側的部分上的膜質量損壞。在這種無機膜去除步驟中，僅有中央墊111可被旋轉。通過如此做，通過對整個周邊的蝕刻，塗覆在晶片90的外周部上的無機膜能夠去除。圖87顯示了具有中央墊的臺結構的修改實例。環形冷卻室41C形成在臺主體110內作為吸熱裝置。環形冷卻室41C構成用於對晶片90施加冷卻的正壓流體終端。代替環形冷卻室41C，具有同心多環結構、徑向結構、螺旋結構等的冷卻通路可形成在臺主體110中。用於吸附晶片90的吸附槽15形成在臺主體110的上表面中。吸附槽15構成向晶片90施加抽吸的負壓流體終端。雖然未示出，中央墊111在上表面處也設置具有用於吸附晶片90的吸附槽。從吸附槽延伸的抽吸通路穿過墊軸112。利用墊驅動單元113的升降驅動系統，中央墊111在圖87的虛線指示的突起位置和圖87所示的容納位置之間前進和撤回(上升或下降)。位於容納位置的中央墊111完全容納在形成在臺主體110中的凹部110a中，並且中央墊111的上表面從臺主體110的上表面略向下撤回(幾毫米)。墊軸12穿過與其同軸的旋轉筒150，以便墊軸112可上升和下降並可以旋轉。旋轉筒150的重要部分具有在整個周圍具有均勻厚度並垂直延伸的筒形結構。旋轉筒150的上端部被連接和固定到臺主體110。旋轉筒150的下端部順序通過齒輪144、正時皮帶(同步齒型帶)143、齒輪142，和減速齒輪被連接到旋轉驅動電機140(旋轉驅動器)。旋轉筒150由旋轉驅動電機140旋轉，並且從而臺主體110被旋轉。旋轉筒150穿過軸承B並由軸承B支撐在固定筒180的內部上。固定軸180具有與旋轉筒150和墊軸112同軸的垂直筒形結構。固定軸180被固定到裝置框架F。只要至少內周表面的截面具有圓形結構固定軸180便可接受。固定筒180比旋轉筒150更低。旋轉筒150的上端部從固定筒180突出，並且臺主體110被設置在其頂部。旋轉筒150和固定筒180設有將臺主體110的環形冷卻室41C用作終端的冷卻流動通路，和將吸附槽15用作終端的抽吸流動通路。冷卻流動通路的前向通路以如下方式構成。如圖87，88和89(c)所示，冷卻水埠181a形成在固定筒180的外周表面中。冷卻前向通路管191從未示出的冷卻水供給源延伸，並被連接到埠181a。連通通路181b從埠181a向固定筒180徑向向內延伸。如圖89(c)所示，在整個周邊延伸的環形通路181c形成在固定筒180的內周表面中。連通通路181b被連接到環形通路181c的周向上的單個位置。如圖87和88所示，環形密封槽182d形成在固定筒180的內周表面的環形通路181c的上側和下側。如圖88所示，環形冷卻前向通路墊圈Gl容納在每個環形密封槽182d中。墊圈Gl的截面具有U型結構(C型)。墊圈Gl的開口指向環形通路181c側。潤滑處理優選地施加到墊圈Gl的外周表面。如圖87和88所示，直地垂直延伸的軸向通路151a形成在旋轉筒150中。如圖88和89(c)所示，軸向通路151a的下端部通過連通通路151b通向旋轉筒150的外周表面。連通通路151b位於與環形通路181c高度相同的位置，並與環形通路181c連通。雖然連通通路151b根據旋轉筒150的旋轉沿周向轉移位置，但它在360度的範圍內一直保持與環形通路181c連通的狀態。如圖87所示，軸向通路151a的上端部通過旋轉筒150的外周表面上的連接器154連接到外部中繼管157。這種中繼管157通過臺主體110的下表面上的連接器197連接到環形冷卻室41C。冷卻流動通路的後向通路以如下方式構成。如圖87所示，臺體110的下表面處設置有連接器198，連接器198布置在前向通路197的180度相對側。所述臺主體110的環形冷卻室41C通過連接器198連接到外部中繼管158。中繼管158被連接到布置在旋轉筒150的上部的外周上的連接器155。如圖87所示，直地垂直延伸的軸向通路152a形成在旋轉筒150上。如圖89(b)所示，軸向通路152a被布置在前向軸通路151a的180度相對側。軸向通路152a的上端部連接到連接器155。如圖87和89(b)所示，軸向通路152a的下端部通過連通通路152b通向旋轉筒150的外周表面。連通通路152b被布置在前向軸通路151a的180度相對側，和連通通路151b的上側。連通通路152b根據旋轉筒150的旋轉與軸向通路152a—起繞中心軸線旋轉。槽狀的環形通路182c在整個周邊上形成在旋轉筒180的內周表面中。環形通路182c的位置比前向環形通路181c更高，但高度與連通通路152b相同。環形通路182c在連通通路152b的周向上連接到一個點。雖然連通通路152b的位置根據旋轉筒150的旋轉沿周向轉移，但它在360度的範圍內一直保持與環形通路182c連通的狀態。如圖87和88所示，冷卻後向通路環形密封槽182d形成在固定筒180的內周表面的環形通路182c的上側和下側。如圖88所示，環形冷卻後向通路墊圈G2容納在每個環形密封槽182d中。墊圈G2的截面具有U形(C形)結構，並且其開口指向環形通路182c側。潤滑處理優選地施加到墊圈G2的外周表面。如圖87，88和89(c)所示，從環形通路182c徑向向外延伸的連通通路182b和連接到連通通路182b的水排出埠182a形成在固定筒180中。埠182a通向固定筒180的外周表面。冷卻後向通路管192從埠182a延伸。連通通路182b和埠182a被布置在與前向連通通路181b和埠181a相同的周邊位置中，但比它們更高。抽吸流動通路以如下方式構成。如圖87,88和89(a)所示，抽吸埠(吸附埠)183a形成在固定筒180的外周表面中的後向通路埠182a的上側。抽吸管(或吸附管，吸管)193從包括未示出的真空泵等的抽吸源延伸並被連接到埠183a。連通通路183b從埠183a向固定筒180徑向向內延伸。如圖89(a)所示，在整個周邊，槽狀的抽吸環形通路183c形成在旋轉筒180的內周表面中。連通通路183b在環形通路183c的周向上連接到單個位置。如圖87和88所示，抽吸環形密封槽183d形成在固定筒180的內周表面的環形通路183c的上側和下側。如圖88所示，環形抽吸墊圈G3被容納在每個環形密封槽183d中。墊圈G3的截面具有與冷卻前向和後向通路墊圈Gl，G2相同的n形(C形)結構，但墊圈G3的定向與墊圈Gl，G2不同。墊圈G3的開口指向環形通路183c的相對側。潤滑處理優選i也施加到墊圈G3的外周表面。如圖87所示，直地垂直延伸的抽吸軸向通路153a形成在旋轉筒150中。如圖89(a)所示，軸向通路153a的下端部通過連通通路153b通向旋轉筒150的外周表面。連通通路153b的位置與環形通路183c高度相同，並與抽吸環形通路183c連通。雖然連通通路153b的位置根據旋轉筒150的旋轉沿周向轉移，但它在360度的範圍內一直保持與環形通路183c連通的狀態。軸向通路153a和連通通路153b被布置在相對於冷卻前向和後向通路的軸向通路151a，152a沿周向偏移90度的位置中。如圖87所示，軸向通路153a的上端部通過連接器156被連接到旋轉筒150的外周表面上的外部中繼管159。這種中繼管159通過臺主體110的下表面上的連接器199被連接到吸附槽15。現在將描述使用圖87到89的裝置用於去除塗覆在晶片90的外周上的不需要的膜94c，92c的操作。將被處理的晶片90由未示出的叉狀機器人臂(機械手)從盒拾取並由對準機構對準(同心地布置)。在對準後，晶片90被叉狀的機器人臂水平升起並被放置在預先定位在突起位置(由圖87的虛線指示)的中央墊111上。由於中央墊111的直徑比晶片90充分小，能夠獲得叉狀的機器人臂的充分餘量。在晶片90被放置在中央墊111上後，叉狀的機器人臂撤回。用於中央墊111的吸附機構被啟動以將晶片90吸附到中央墊lll上。然後，中央墊111通過墊驅動單元113的升降驅動系統向下降，直到中央墊111的上表面與臺10平齊。通過如此做，晶片90緊靠臺10的上表面。然後，中央墊111對晶片90的吸附被釋放，並且中央墊111被進一步向下降幾毫米，以便將墊111送到容納位置(由圖87的實線指示)。接著，諸如真空泵等的抽吸源被啟動，以便抽吸壓力順序地通過抽吸管193、埠183a、連通通路183b、環形通路183c、連通通路153b、軸向通路153a、連接器156、中繼管159和199導引到吸附槽15。通過如此做，晶片90能夠被吸附到臺10上，並被可靠地保持在其上。然後，旋轉驅動電機140被驅動以一體地旋轉旋轉筒150和臺10，從而旋轉晶片90。通過如此做，雖然形成在旋轉筒150內的連通通路153b沿固定筒180的環形通路183c的周向旋轉地移動，總保持連通通路153b和環形通路183c之間的連通狀態。因此，即使在旋轉時，晶片90的吸附狀態也能夠得到保持。如圖88中的放大尺寸所示，通過在旋轉筒150的外周表面和固定筒180的內周表面之間形成間隙，抽吸流動通路的抽吸壓力也從連通通路153b和環形通路183c之間的連通部分作用在密封槽183d和墊圈槽G3之間的空間。這種抽吸壓力沿用於在截面中擴展n形墊圈G3的方向作用。因此，抽吸壓力越大，墊圈G3就越強地被擠壓在密封槽183d的內周表面上，以便密封壓力得到增加。由於這種布置，能夠可靠地防止出現通過形成在旋轉滾筒150的外部和固定滾筒180的內部表面之間形成的間隙的洩漏。幾乎在臺10開始旋轉的時刻，有機膜處理頭100從撤回位置(由圖1和87的虛線指示)前進到處理位置(圖1和87的實線指示)。然後，來自雷射輻照裝置20的雷射以匯聚的方式輻照到晶片90的外周部的單個位置，以便晶片90的外周部被局部加熱。然後，諸如臭氧的反應性氣體通過噴射噴嘴75被噴射出來，並與晶片90的外周的局部被加熱位置接觸。通過如此做，如圖5(b)所示，塗覆在外周上的有機膜92c能夠通過蝕刻被有效地去除。處理過的氣體和副產品被抽吸噴嘴76吸附和排出。在用於去除有機膜的時刻，冷卻水被供給到臺主體110的環形冷卻室41C。g卩，順序通過前通路管191、埠181a、連通通路181b、環形通路181c、連通通路151b、軸向通路151a、連接器154、中繼管157和連接器197,來自冷卻水供給源的冷卻水被供給到環形冷卻室41C。通過如此做，臺主體110和位於其上的晶片90的外周部內側的部分能夠得到冷卻。即使由雷射輻照導致的熱量從晶片90的外周部被導引到半徑內側，熱量能夠快速地被吸收。因此，能夠防止位於晶片90的外周部內側的部分的溫度增加。由於這種布置，能夠防止塗覆在晶片90的外周部內側的部分上的膜94，92的損壞。在流經環形冷卻室41C後，冷卻水順序經過連接器198、中繼管158、連接器155、軸向通路152a、連通通路152b、環形通路182c、連通通路152b、環形通路182c、連通通路182b和埠182a，通過冷卻後向通路管192被排放。旋轉筒150內的連通通路151b沿環形通路181c的周向也通過臺10的旋轉而旋轉，但不管旋轉位置如何，連通通路151b總保持與環形通路181c的連通狀態。類似地，連通通路152b也沿環形通路182c的周向旋轉，但其與環形通路181c的連通狀態總被保持。由於這種布置，即使在臺10的旋轉期間，冷卻水也保持流動。如圖88中放大尺寸所示，通過上部和下部旋轉筒150的外周表面和固定筒180的內周表面之間形成的間隙，冷卻前向通路中的冷卻水也從連通通路151b和環形通路181c之間的連通部分流入環形密封槽112d。冷卻水還流入截面具有U形結構的墊圈Gl的開口中。墊圈Gl被冷卻水的壓力擴展，並被壓靠在密封槽112d的內周表面上。這使得可以可靠地獲得密封壓力並防止冷卻水洩露。相同的操作可在冷卻水後向通路的墊圈G2中獲得。利用臺的至少一個旋轉，塗覆在晶片90的外周的整個周邊上的有機膜92c能夠被去除。當有機膜92c的去除操作結束時，通過噴射噴嘴75的氣體噴出和通過抽吸噴嘴76的氣體抽吸停止，並且有機膜處理頭100撤回到撤回位置。中央墊111通過墊驅動單元113的升降驅動系統向上升起，以便中央墊111鄰接晶片90的上表面用於吸附。另一方面，消除了由臺主體110對晶片90的吸附。然後，中央墊111被升降驅動系統上升到突出位置。接著，無機膜處理頭200從撤回位置(由圖1和87的實線指示)前進到處理位置(圖1和87的虛線指示)。通過如此做，晶片90被插入無機處理頭200的插入埠201，並且晶片90的外周部被定位在導引通路202內。由於晶片90被中央墊111升降，無機膜處理頭200能夠向上離開臺主體110，並且從而，頭200能夠被防止與臺主體110幹涉。根據諸如氮、氧和氟的無機膜94的成份的氣體被等離子化，並且等離子化的氣體沿導引通路202的延伸方向被導引到一個端部。當經過導引通路202時，這種等離子化的氣體與塗覆在晶片90的外周上的無機膜94反應。通過如此做，如圖5(c)所示，無機膜94c能夠通過蝕刻去除。處理過的氣體和副產品經未示出的排出通路從導引通路202的另一端排出。並行地，中央墊111由墊驅動單元113的旋轉驅動系統旋轉。塗覆在晶片90的外周的整個周邊上的無機膜92c能夠利用中央墊111的至少一個旋轉去除。當無機膜92c的去除結束時，來自等離子放電裝置的等離子供給停止，並且無機膜處理頭200撤回到撤回位置。然後，叉狀的機器人臂被插入晶片90和臺10之間。這種叉狀的機器人臂鄰接位於中央墊111的半徑外的晶片90的下表面，並且取消中央墊111的吸附。這使得可以將晶片90傳送到叉狀的機器人臂並將晶片90運送出去。根據這種表面處理裝置的臺結構，由於臺主體110的冷卻流動通路和抽吸流動通路能夠被設置為沿半徑方向離開中心軸線Lc，在中央部分能夠獲得充分大的空間，用於布置用於升降和旋轉中央墊111的機構和指向中央墊111的抽吸流動通路。上述臺結構還可以應用到設計用於去除諸如有機膜的僅一種類型的膜。在那種情況下，當然不需要無機處理頭200。也不需要用於中央墊111的旋轉驅動系統。代替固定筒180的內周表面，槽狀的環形通路181c，182c，183c可形成在旋轉筒150的外部表面中。圖90顯示了第二處理頭200的修改實例。這種第二處理頭200(氣體導引部件)與用於產生反應性氣體的等離子放電裝置260—體連接。等離子放電裝置260包括連接到電源的熱電極261H和接地的地電極261E。在這些電極261H和261E之間形成的空間用作用於產生通常常壓等離子的空間261a。例如，這種等離子氣體產生空間261a允許諸如氮、氧、氟氣、氯化物氣體或它們的混合氣體被導引到其中且在其中被等離子化。氣體匯聚噴嘴263被設置在比等離子放電裝置260的電極261H，261E低的位置。這種氣體匯聚噴嘴263被固定到第二處理頭200的上表面(氣體導引部件)。氣體匯聚通路263a形成在氣體匯聚噴嘴263中。氣體匯聚通路263a被連接到等離子產生空間261a的下遊端，並且直徑從那裡向下減小。氣體匯聚通路263a的下端部被連接到導引埠202的上遊端的引入埠202a。優選地考慮活性種的壽命，氣體導引部件件200的弧長(沿晶片90的周向延伸的長度)被適當地設置。例如，圖91中所示的氣體導引部件件200長度具有約90度的圓心角。圖92中所示的氣體導引部件件200長度具有約180度的圓心角。氣體導引部件件200的弧長具有約45度的圓心角。氣體導引部件件200的引入埠202a的位置並不局限於導引通路202的上部。如圖94(a)所示，可以被布置在導引通路202的外周側。這種布置在塗覆在晶片90的外端面上的膜將被重點去除時適合。如圖94(b)所示，引入埠202a可被布置在導引通路202的下側。這種布置在塗覆在晶片90的外端邊緣部分的背面上的膜將被重點去除時適合。引入埠202a可被設置到氣體導引部件件200的側端表面。類似地，排出埠202b可被設置到氣體導引部件件200的側端表面、上端表面、下端表面或外周表面上。根據其中將被去除的不需要的物質、膜類型、將被供給的氣量、處理目的等的處理區域，氣體導引部件件200的導引通路202的截面結構和尺寸能夠被合適地設置。例如，如圖94(c)所示，導引通路202的截面可被減小。通過如此做，處理寬度能夠得到減小。如圖94(d)所示，也可以接受的是導引通路202具有上半形狀的截面結構，以便晶片90的背面接近導引通路202的平坦表面。由於這種布置，所述晶片90的上表面的外周部能夠被重點處理。雖然未示出，也可以接受的是導引通路202具有下部半形截面結構，以便晶片90的上表面接近導引通路202的上部底面。通過如此做，晶片90的背面能夠被主要地處理。'如圖94(e)所示，導引通路202可具有方形截面結構。氣體導引部件件200並不局限於用於去除不需要加熱的無機膜，類似地它可應用於需要加熱的用於去除有機膜。在那種情況下，如圖95所示，諸如雷射加熱器20的輻照加熱裝置可連接到氣體導引部件件200。照射單元22(照射器)被固定到氣體導引部件件200的上表面，軸線垂直定向。光纖電纜23從雷射加熱器20的雷射源21延伸，並可選地被連接到照射單元22。雷射照射單元22被布置接近在氣體導引部件件200的引入埠202a側的端部。如圖26所示，具有圓形截面的孔部203形成在處於雷射照射單元22的連接位置中的氣體導引部件件200的上部分。孔部203的上端部通嚮導引部200的上表面，並且下端部與導引通路202的上端部連通。圓柱形透光部件204被嵌入孔部203中。透光部件204包括具有透光特性的諸如石英玻璃的透明材料。透光部件204優選地具有對諸如臭氧抑制特性的反應性氣體的很好的抑制性。作為用於透光部件204的材料，除石英玻璃硼矽玻璃和其它通用目的玻璃外，可以使用具有很好透明性的諸如聚碳酸酯、丙烯的樹脂。例如，按照圖69和表1的實驗，石英玻璃具有很好光透特性的事實已得到確認。透光部件204的上端表面以與氣體導引部件件200的上表面平齊的方式暴露。透光部件204的下端表面面對導引通路202的上端部。雷射照射單元22剛好位於透光材料204上方，並且在雷射照射單元22的下端處的流出窗口與透光部件204相對。雷射照射單元22和透光部件204被布置微它們的中心線對準。以匯聚方式從雷射照射單元22正下方輻照的雷射被傳送經過透光部件204，並聚焦在導引通路202的內部。作為反應性氣體供給源，臭氧發生器70被連接到氣體導引部件件200的引入埠202a。代替臭氧發生器70，可使用氧等離子裝置。臺10的轉動方向並且從而晶片90的轉動方向(由圖95的箭頭指示)與導引通路202內的氣體流動方向一致。根據裝置結構，通過光纖電纜23，來自雷射源21的雷射以匯聚方式從雷射照射單元55正下方輻照。雷射通過透光部件204傳送，並進入導引通路202，以便局部地擊中導引通路202內晶片90的外周部的一個位置。通過如此做，晶片90的外周部被局部加熱。同時地，來自臭氧發生器70的臭氧從引入埠202a被導引到導引通路202。所述臭氧與局部被加熱位置接觸。通過如此做，能夠有效去除需要加熱的諸如有機膜的不需要的膜。'而且，晶片90的外周部在接近導引通路202的上遊側的位置被加熱。由於這種布置，膜能夠與足夠量的新鮮臭氧氣體反應。此後，根據臺10的旋轉，上述加熱位置被移動嚮導引通路202的下遊側，並在向下移動期間，被加熱位置保持高溫一會。因此，不僅在導引通路30的上遊側部分，而且在中央部分處和下遊側部分，能夠進行足夠量的反應。這使得可以可靠地提高處理效率。在塗覆在背面側上的膜將被重點(或主要)去除的情況下，雷射照射單元22優選地設置到氣體導引部件件200的下側，以便雷射能夠以匯聚的方式從下方輻照到導引通路202。圖97顯示了設有對應於諸如晶片凹口和定向平面的切割部分的機構的實施例。如圖101所示，晶片具有盤狀的結構。晶片90的尺寸(半徑)具有許多標準。晶片90圓形外周部91的一部分被平齊地切去，並且定向平面93形成為切割部分。定向平面93的尺寸由SEMI，JEIDA等標準建立。例如，在晶片具有半徑r二100mm的情況下，其定向平面長度L93是55mm到60腿。因此，假定沒有定向平面93的規定，從定向平面93的中央部分到晶片的虛外周的距離d是d=3.8ram到4.6mm。在晶片90上形成膜時，膜92有時形成在定向平面93的邊緣上。如圖98所示，這個實施例的晶片處理裝置包括盒310;機器人臂(或機械手)320;對準部分330;和處理部分340。將被處理的晶片90容納在盒310中。機器人臂320從盒310拾取(圖98(a))晶片90，通過對準部分(圖98(b))將晶片90傳送到處理部分340(FIG.98(C))，並將未示出的處理過的晶片90返回到盒310。對準部分330設有對準單元331和對準臺332。如圖98(a)所示，對準臺332具有盤狀的結構並可圍繞中心軸線旋轉。如圖98(b)所示，為了對準的目的，所述晶片90被暫時放置在對準臺332上。雖然未詳細顯示，對準單元331設有光學類型的非接觸傳感器。例如，這種非接觸傳感器包括用於輸出雷射的光發射裝置和用於接收雷射的光接收器。光發射裝置和光接收器被布置為將放置在對準臺332上的晶片90的外周部90a垂直地夾在它們之間。從光發射器發射的雷射以對應於晶片90的外周部的突出量的比率被阻擋，並且因此，由光接收器接收的光量被改變。基於此，晶片的偏移量能夠被探測到。而且，通過測量接收的光量被間斷地突然改變處的位置，也能夠探測到定向平面93(切割部分)。對準單元331不僅組成晶片90的偏移探測部分而且組成用於探測定向平面93(切割部分)的"切割探測部分"。"對準機構"由對準部件330和機器人臂320組成。如圖97所示，晶片處理裝置設有處理臺10和處理頭370。處理臺10可圍繞垂直軸線(旋轉軸線，中心軸線)旋轉。編碼器電機342被用作旋轉驅動部件。由對準部件330對準的晶片90準備被設置在處理臺10的上表面上。如圖97和98(c)所示，處理頭370被布置在垂直於z軸的y軸(第一軸)上。當然，y軸沿處理臺10的徑向方向延伸。如圖97所示，像點狀方式開口的供給噴嘴375被設置到處理頭370的下端部處。如圖99所示，供給噴嘴375的點狀開口剛好被布置在y軸上。如圖97所示，供給噴嘴375的基端部通過流體供給管71被連接到臭氧發生器70(處理流體供給源)。包括一對電極的等離子處理頭可被用作處理流體供給源。代替如臭氧發生器和等離子處理裝置的干係統，用於通過供給噴嘴375噴射出作為處理流體的化學液體的溼性系統可被使用。雖然未示出，干係統的處理頭370設有用於吸附供給噴嘴375附近的處理過的流體(包括副產品等)的抽吸噴嘴。處理頭370被連接到噴嘴位置調節機構346。噴嘴位置調節機構包括伺服電機、直流驅動器等。通過沿y軸滑動處理頭370從而滑動供給噴嘴376，噴嘴頭調節機構被操作以調節噴嘴位置(參見圖99(a)和99(c)到99(i))。處理頭370從而供給噴嘴375僅可沿y軸活動，而其沿其它方向的移動被限制。將被處理的晶片90可以是任何尺寸。與選定尺寸匹配，利用位置調節機構346，處理頭70的位置被沿y軸方向調節，並與晶片90的外周部90a相對設置。而且，利用控制器350，位置調節機構36與處理臺10的旋轉移動同步地被啟動。根據處理臺10的旋轉角度處理頭370將被定位的點的信息或將移動的處理頭370的方向和移動速度的信息被存儲在控制器350中。具體地，如圖100所示，當處理臺10的旋轉角度在第一旋轉角度範圍4)1內，處理頭370被固定就位，並且建立固定點。當處理臺10的旋轉角度在第二旋轉角度範圍42中時，處理頭370被移動並且建立了移動的方向和速度。如圖99的三角標記所示，處理臺10的旋轉角度按照從y軸到臺10的參照點10p在俯視圖中以順時針角度建立。第一旋轉角度範圍4)1建立在從零度到剛好對應於圓形外周部91圓心角的值的旋轉角度4)91的範圍內。這個旋轉角度範圍4)1對應於圓形外周部91移動穿過y軸所需的時間段。第二旋轉角度範圍cl)2建立在從(1)91到360度的範圍內。第二旋轉角度4>2的寬度(360-4>91)剛好與定向平面93的圓心角4>93的寬度(參見圖101)—致。旋轉角度範圍4>2對應於定向平面93移動穿過y軸所需的時間段。在第一旋轉角度範圍4>1中的供給噴嘴375的固定點被建立到通常等於晶片90的半徑r的y軸上的點(從旋轉軸線離開大體等於晶片90的半徑r的距離的點)。這個固定點與圓形外周部91移動穿過y軸處的點重疊。在第二旋轉角度範圍4)2中，處理頭370在第二旋轉角度範圍的前半部分中沿y軸移向原點方向(朝向旋轉軸z的方向)，反向旋轉剛好在第二旋轉角度範圍4)2的中點處，並且在後半部分沿正方向(離開旋轉軸Z的方向)移動。假設處理臺10的旋轉速度是"IO，在第一和第二半部分中的移動速度V由如下等式建立---—"&…(1)其中d是定向平面93的深度切L93是長度(參見圖101)。如等式(1)所示，移動速度v(圖100中梯度)與處理臺10的旋轉速度"Ki成比例。在如其中半徑r=100並且定向平面長度L93=55mm到60ram的上述實例的標準的晶片的情況下，如果旋轉速度是約1rpm，在旋轉角度範圍4>2中的處理頭的速度v能夠由v二約1.5mm/sec.到約1.6ram/s6c表不o如圖98(a)和98(b)所示，在利用設有對應於定向平面的機構的晶片處理裝置用於去除塗覆在晶片90的外周部上的不需要的膜92c時，將被處理的晶片90被機器人臂320從盒310取出，並被放置在對準臺332上。在那時，晶片90通常偏離對準臺。從臺332的突出量最大的點"a〃和突出量最小的點"b〃彼此離開180度。對準臺332在那種狀態下進行一個完整的旋轉。在此期間，最大突出點"a"和其突出量以及最小突出點"b"和其突出量由對準單元331的非接觸傳感器探測。具體地，通過將光發射器和光接收器垂直夾在中間，測量此時臺332的旋轉角度和接收光的量的最大值和最小值。並行地，通過測量在接收光的量間斷地突然增加時臺332的旋轉角度，定向平面93的位置也被初步探測。基於測量結果，晶片90由機器人臂320對準。g卩，相對於臺332，晶片90從最大突出點"a"向最小突出點"b"移動最大突出量和最小突出量的1/2的距離。對於移動，可移動晶片90或移動臺332。與此同時，定向平面93被定向到預定方向。接下來，如圖98(c)所示，晶片90被機器人臂320傳送到處理部件340並被設置到處理臺10上。由於晶片90已經受對準操作，它能夠在中心與處理臺10正確地對準。也可以接受的是晶片90從盒310被直接傳送到處理臺10，以便晶片90能夠以如上提及的方式在處理臺10上對準。通過如此做，能夠取消對準臺332。在將晶片90設置到處理臺10上時，晶片90在中心對準處理臺10，並且，定向平面93沿預定方向定向。如圖98(c)和99(a)所示，在這個實施例中，定向平面93的左端部93a被定向到處理臺10的參考點10p。處理臺10的參照點10p被設置在初始臺中的y軸上。接著，如圖99(a)所示，利用位置調節機構346，處理頭370被沿y軸方向進行位置調節以與晶片90的尺寸匹配。通過如此做，供給噴嘴375被布置為與晶片90的外周部90a相對。在這個實施例中，供給噴嘴375被布置為與形成在定向平面93的端部93a和圓形外周部91之間的角相對。此後，由臭氧發生器70生成的臭氧通過管71被供給到處理頭，並通過供給噴嘴375噴射出。這種臭氧被噴射到晶片90的外周部90a上，並與不需要的膜92c反應。通過如此做，能夠去除不需要的膜92c。與這種臭氧噴射操作並行地，處理臺10由編碼器電機342以預定旋轉速度圍繞旋轉軸線(z軸)旋轉。如圖99(a)的箭頭所示，這種旋轉方向在俯視圖中例如是順時針方向。由於這種布置，晶片90隨著時間的流逝按照圖99(a)到99(i)所示的方式旋轉，並且臭氧被噴射的位置沿周向順序移動，以便塗覆在晶片90的外周部92a上的不需要的膜92c能夠沿周向被順序去除。在圖99(b)到99(i)中，晶片90的外周部90a的陰影部分顯示了不需要的膜92c從其己被去除的部分。現在將詳細描述用於去除不需要的膜的步驟。基於對應於圖100的數據，控制器350被操作以與處理臺10的旋轉同步地啟動位置調節機構346，並調節處理頭370的位置從而調節供給噴嘴375的位置。g卩，如圖100所示，在處理臺10的旋轉角度在4>1的範圍中的情況下，供給噴嘴375被固定到在y軸上通常等於晶片90的半徑r的點。通過如此做，如圖99(a)到99(e)所示，在圓形外周部91被移動穿過y軸的時間段期間，供給噴嘴91能夠可靠地指向圓形外周部91。因此，臭氧能夠可靠地噴到圓形外周部91上，並且能夠可靠地去除塗覆在圓形外周部91上的不需要的膜92c。然後，根據旋轉，被處理過的部分沿圓形外周部91的周向延伸，並且不久，如圖99(e)所示，處理操作在圓形外周部91的整個區域上完成。定向平面93b的右端部93b到達供給噴嘴375的位置。在那時，旋轉角度範圍被從4>1切換到4)2。如圖100所示，在旋轉角度範圍小2的前半部分中，處理頭370從而供給噴嘴375以上述等式(1)的速度被移向處理臺10。另一方面，如圖99(e)到99(g)所示，在那時，定向平面93的右側部分移動穿過y軸。根據這種旋轉，穿過點偏向旋轉軸線(z軸)偵ij。穿過點的波動通常與供給噴嘴375的移動一致。這使得可以保持供給噴嘴375一直沿定向平面93的右側部分的邊緣，並可靠地去除塗覆在所述特定部分上的不需要的膜92c。在圖100所示，在處理圓形外周部91時，剛好在旋轉角度範圍4)2的中間點的供給噴嘴375已從該位置(通常y軸的r點)向處理臺10移到等於定向平面93的深度的量。在那時，如圖99(g)所示，定向平面93與y軸垂直，並且定向平面93的剛好中間部分移動穿過y軸上的(r-d)點。因此，供給噴嘴375和定向平面93在中間部分彼此重合，並且能夠可靠地去除塗覆在定向平面93的中間部分上的不需要的膜92c。如圖100所示，供給噴嘴375的移動方向在旋轉角度範圍cj)2的中間點處顛倒，並在旋轉角度範圍c1)2的後半部分中沿離開處理臺10的方向移動。該移動速度與前半部分的相同(上述等式(1)中的速度)。在那時，如圖99(g)到99(i)所示，定向平面93的左側部分移動穿過y軸，並且穿過點根據旋轉沿y軸的正方向繼續背離。穿過點的波動和供給噴嘴375的移動通常彼此一致。這使得可以保持供給噴嘴375—直沿定向平面93的左側部分的邊緣，並可靠地去除塗覆在該特定部分上的不需要的膜92c。採用如上討論的方式，不需要的膜92c能夠不僅從晶片90的圓形外周部91而且從包括定向平面93的外周的整個區域被可靠地去除。如圖99(i)所示，當旋轉角度剛好為360度時，供給噴嘴375被送回到初始位置。在不需要的膜去除操作結束時，晶片90離開處理臺10，並由機器人臂320返回到盒310。根據這種晶片處理裝置，通過沿y軸方向滑動處理頭370，可以滿足晶片90的多種尺寸。而且，它還能夠應付定向平面93的處理。因此，由於僅需要由單個滑動軸(y軸)和單個旋轉軸(z-軸)組成的兩個軸作為整個處理部分340的驅動系統，因此結構得以簡化。在對準時，定向平面93沿預定方向10p定向，並且供給噴嘴375的位置被與處理臺10的旋轉同步地調節。通過如此做，供給噴嘴375被沿定向平面93保持，並且它不再需要與不需要的膜去除操作同時地探測定向平面93和饋送回探測數據。因此，能夠容易地進行控制操作。如圖102所示，也可以接受的是在定向平面處理操作的時間段期間，在旋轉角度範圍4>2中，處理頭370的移動速度從而供給噴嘴375的移動速度在旋轉角度範圍4>2的前半部分逐漸減小，並在後半部分中逐漸增加，以便在圖線中繪製圓弧。通過如此做，處理頭370的移動能夠比在定向平面93的第一軸穿過點處出現的波動更精確地一致。因此，供給噴嘴375能夠更可靠地被保持沿定向平面93的邊緣。這種裝置還能夠對付在晶片的外周中形成的切割部分是凹口的情況。供給噴嘴可沿第一軸方向滑動就足夠了，並且整個處理頭無需移動。在高溫下提高處理速度的情況下，可以使用在處理時能夠被局部加熱部分的加熱器。這種加熱器優選地是使用雷射等的諸如輻射加熱器的非接觸加熱器。另一方面，通過從晶片的中心部分吸熱能夠冷卻晶片的吸熱裝置可被設置到處理臺的內部。處理流體並不局限於臭氧氣體，根據諸如不需要的膜92c的質量、溼或乾等的處理系統，可以從包含多種成份的氣體或流體中選擇。在圖103和104中所示的裝置中，x-軸是處理頭370被設置在其上的第一軸。如圖103所示，供給噴嘴375在x軸上的位置由位置調節機構346調節。如圖104所示，用於測量晶片的外周的位置的測量裝置341被設置在y軸上。利用未示出的前進/撤回機構，在其中測量裝置向旋轉軸z前進的測量位置(圖105(a)中實線指示)和其中前進/撤回機構沿離開旋轉軸z的方向撤回的撤回位置(由圖105(a)中虛線指示)之間，測量裝置341能夠在y軸上前進或撤回。雖然未詳細顯示，測量裝置31包括光學非接觸傳感器。例如，這種非接觸傳感器包括用於輸出雷射的光發射器和光接收器。光發射器和光接收器被布置為將放置在臺10上的晶片90的外周部90a夾在中間。來自光發射器的雷射以對應於晶片的外周部的突出量的比率被阻擋，並且光接收器中的接收光量改變。由於這種布置，能夠探測晶片的外周部的位置(以及晶片的偏移量)。在圖104禾卩105中，晶片的外周的凹口和定向平面未顯示。如圖104所示，這個裝置未配置對準機構330。控制器350執行如下控制操作(參見圖106的流程圖)。如圖104(a)所示，將被處理的晶片90被從盒310取出(步驟101)，並且如圖104(b)所示，被機器人臂320放置在臺IO用於卡持(或吸附)(步驟102)。由於未接受對準操作，晶片90通常相對於臺10有點偏離。然後，臺10的旋轉開始(步驟103)。如圖105(a)的箭頭所示，這種旋轉方向在俯視圖中例如是順時針方向。相應地，測量裝置341被布置在旋轉方向上的上遊側，並且處理頭370被布置在下流側，以便測量裝置341和處理頭370彼此離開90度。而且，如圖105(a)的白箭頭所示，測量裝置341沿y軸從撤回位置前進到測量位置(步驟104);並且處理頭370沿x軸從撤回位置前進到處理執行位置(步驟105)。隨後，測量裝置341測量到其中晶片90的外周部90a移動穿過y軸的穿過點(步驟110)。如後面描述的，步驟110的這種操作等同於計算其中在臺10的旋轉循環的1/4循環前晶片90的外周部90a移動穿過x軸的瞬時點。然後，經步驟111的判斷，處理前進到步驟112，並且在步驟112中，利用調節機構346，處理頭370的供給噴嘴被送到與在步驟110中在y軸上的穿過點的測量值相同的x軸上的點。而且，將供給噴嘴375定位在該點的定時被布置為設定在恰好臺10的旋轉循環的1/4循環後。例如，如圖105(a)所示，假設步驟110中的測量值在y軸上是i"l[ram]，如圖105(b)所示，1/4循環後的供給噴嘴375被定位在x軸的點rl[咖]處。通過如此做，當通過旋轉90度，在晶片90的外周部90a內在步驟110的時間移動穿過y軸的點移動穿過x軸時，供給噴嘴375能夠被定位在x軸的穿過點上。由於存在等於1/4循環的充分的時間，反饋操作能夠被可靠地執行。測量裝置341和控制器350構成"用於計算其中晶片的外周部相對於第一軸移動穿過的計算部"。圖105(a)到105(d)顯示了以連續順序以每1/4循環能夠出現的各自的狀態。圖105(a)到105(d)指示的晶片90顯示了在每1/4循環能夠出現的各自的狀態。並行地，來自臭氧發生器70的臭氧通過管71被供給到處理頭370，並通過供給噴嘴375噴射出(步驟113)。通過如此做，臭氧能夠被噴到晶片90的外周部90a的x軸穿過點上，並且能夠去除塗覆在該點上的不需要的膜92c。這種在步驟113中用於開始臭氧噴射操作的過程僅在第一流中執行，並且此後，連續執行臭氧噴射操作。此後，過程返回到步驟110，並且測量晶片90的外周部90a的y軸穿過點(步驟110)。基於測量的結果，在l/4循環後的供給噴嘴375的位置調節被反覆地執行(步驟112)。如以時間順序方式的圖105(a)到105(e)所示，根據晶片90的旋轉，能夠順序去除塗覆在晶片90的外周部90a上的不需要的膜92c。在圖105(b)到105(e)中，晶片90的外周部90a的陰影部分指示不需要的膜92c從其已被去除的部分。即使晶片90偏離，供給噴嘴375的位置能夠被調節以匹配外周部90a的輪廓，並因此，能夠可靠地去除不需要的膜92c。因此，無需準備用於糾正偏離的對準機構，並且能夠簡化裝置的結構。而且，在晶片90被從盒310拾取後，晶片90能夠不通過對準機構直接放置在臺10上，並且能夠立即執行不需要的膜92c的去除操作。而且，能夠取消不需要的膜去除操作前的對準操作。因此，能夠減小總的處理時間。而且，與即時執行的x軸穿過點的計算並行，執行供給噴嘴375的位置調節和臭氧的噴出操作。因此，能夠更大地減小處理時間。不久以後，在步驟113的氣體噴射操作開始後，晶片進行了一個完整的旋轉，並且在晶片90的外周部90a的周向的整個區域上，不需要的膜去除過程結束(參見圖105(e))。在那時，響應於讀作"用於晶片的整個周邊的處理是否結束"的問題，作出"是"的判斷。基於上述判斷，臭氧氣體停止通過供給噴嘴375噴射出(步驟120)。然後，如圖105(e)所示，處理頭370撤回到撤回位置(步驟121)，並且測量裝置341撤回到撤回位置(步驟122)。然後，臺10的旋轉停止(步驟123)。此後，晶片90在臺10上的吸附(或保持，卡持)操作取消(步驟124)。然後，晶片90通過機器人臂320被運送出臺10(步驟125)，並且返回盒310(步驟126)。雖然測量裝置341被布置為從供給噴嘴沿臺的旋轉方向向上遊側偏離90度，所述偏離並不局限於90度，它可以比所述角度偏離的量更大或更小。諸如晶片的定向平面和凹口的切割部分由測量裝置341探測，並且計算x軸穿過點。通過如此做，切割部分的邊緣也能夠得到處理。在圖106的流程圖中所示的控制操作中，與晶片90的外周部90a的位置的計算平行，執行用於調節噴嘴位置和噴射出氣體的過程。在圖107的流程圖中所示，也可以接受的是在執行晶片90的外周部90a的整個周邊的位置計算之後，可執行用於調節噴嘴位置和噴射出氣體的過程。艮P，在圖107中，在步驟104和步驟105中執行測量裝置341和處理頭370的位置設定後，測量裝置341測量晶片90的外周部90a移動穿過的y軸上的點，同時臺10進行一個完整的旋轉，並獲得晶片90的外周部90a的位置數據(步驟115)。即，獲得對應於臺10的旋轉角度的晶片90的外周部90a的y軸穿過點數據。當如此獲得的數據被偏離90度時，它們變得與對應於(即刻)臺10的旋轉角度的、晶片90的外周部90a的x軸穿過點的計算數據一致。所述計算的數據被存儲在控制器350的存儲器中。也可以接受的是代替整個周邊的位置數據，計算晶片90相對於臺10的偏離方向和偏離量，並且那些偏離數據被用作上述計算的數據。即，如圖104(b)所示，由於步驟101中晶片90被放置在臺10時出現的誤差導致的偏離，在晶片90的外周部90a上存在兩個點〃a"和"b"。在點〃a"，外周部90a從臺10的突出量變得最大，同時在點〃b〃，突出量變得最小。最大突出位置a以及突出量和最小輸出位置b以及突出量由測量裝置341探測。從最小突出點"b"朝向最大突出點〃a"的方向是偏離方向，並且最大突出點"a"的突出量和最小突出點"b"的最小突出量之間的差的一半是偏離量。基於晶片90的偏離數據和半徑數據，能夠計算對應於(瞬間)臺10的旋轉角度的晶片90的外周部90a的x軸穿過點。此後，過程前進到步驟116，其中基於位置調節機構346的計算數據，處理頭370的位置並且因此供給噴嘴375的位置得到調節。g卩，根據臺10的旋轉角度，供給噴嘴375被定位在其中晶片90的外周部90a以該旋轉角度移動穿過x軸的計算點。與該位置調節平行，通過供給噴嘴375噴射出臭氧。通過如此做，不管晶片90的偏離，臭氧能夠被噴到晶片90的外周部90a的x軸橫越位置上。因此，能夠可靠地去除塗覆在該位置的不需要的膜。在步驟116中用於調節噴嘴的位置和噴射出臭氧的過程得以連續執行。通過如此做，不需要的膜90c能夠沿晶片90的外周部90a的周向從整個區域被去除。因此，響應於讀作"晶片的整個周邊的處理是否結束"的問題，作出"是"的判斷。此後遵循的過程與圖106中的相同(步驟120到126)。〔工業適用性)在半導體晶片的製造過程期間和液晶顯示器基板的製造過程期間，本發明能夠例如用於去除塗覆在外周上的不需要的膜。權利要求1、一種用於處理基板的外周的方法，其中塗覆在基板的外周部上的不需要的物質通過使其與反應性氣體接觸而被去除，所述方法包括步驟使所述基板與臺的支撐表面接觸，以便所述基板被支撐在所述支撐表面上；加熱所述基板的外周部；將所述反應性氣體供給到被加熱的外周部；和通過設置在所述臺上的吸熱器對位於所述外周部裡面的部分進行吸熱。2、一種用於處理基板的外周的方法，其中塗覆在基板的外周部上的不需要的物質通過使其與反應性氣體接觸而被去除，所述方法包括步驟使所述基板與臺的支撐表面接觸，以便所述基板被支撐在所述支撐表面上；利用熱光局部輻射地加熱所述基板的外周部；將所述反應性氣體供給到所述局部區域；和通過設置在所述臺上的吸熱器對位於外周部裡面的部分進行吸熱。3、一種用於處理基板的外周部的設備，其中塗覆在基板的外周部上的不需要的物質通過使其與反應性氣體接觸而被去除，所述設備包括(a)臺，所述臺包括支撐表面，所述支撐表面用於接觸所述基板並且將所述基板支撐在其上；(b)加熱器，所述加熱器用於對目標位置施加熱量，所述目標位置應該存在於由所述臺支撐的所述基板的外周部上；(c)反應性氣體供給器，所述反應性氣體供給器用於將所述反應性氣體供給到所述目標位置；和(d)吸熱器，所述吸熱器設置在所述臺上並用於從所述支撐表面吸4、根據權利要求3所述的用於處理基板的外周的設備，其中所述吸熱器是用於冷卻所述臺的冷卻器。5、根據權利要求4所述的用於處理基板的外周的設備，其中作為所述吸熱器的冷卻介質室形成在所述臺內，且所述冷卻介質室與冷卻介質供給通路和冷卻介質排出通路連接。6、根據權利要求4所述的用於處理基板的外周的設備，其中作為所述吸熱器的冷卻介質通路設置在所述臺上，且冷卻介質穿過所述冷卻介質通路。7、根據權利要求6所述的用於處理基板的外周的設備，其中所述冷卻介質通路包括多個同心環形通路，和用於將所述環形通路相互連接的連通通路。8、根據權利要求3所述的用於處理基板的外周的設備，其中所述吸熱器包括珀爾帖元件，所述珀爾帖元件具有吸熱側，所述珀爾帖元件被設置在所述臺內，且所述吸熱側面對所述支撐表面。9、根據權利要求3所述的用於處理基板的外周的設備，其中所述吸熱器僅設置在所述臺的外周側部分處且不設置在中央側部分處。10、根據權利要求9所述的用於處理基板的外周的設備，其中所述臺在外周側部分處設有用於吸附所述基板的卡持機構且在中央側部分處設有凹部，所述凹部相對於設置所述卡持機構的區域下陷。11、根據權利要求3所述的用於處理基板的外周的設備，其中所述臺的支撐表面略微小於所述基板，並且應該存在於所述基板的外周部上的目標位置位於從支撐表面徑向向外延伸的表面上。12、根據權利要求11所述的用於處理基板的外周的設備，其中所述加熱器是輻射加熱器，所述輻射加熱器包括熱光的光源，和照射器，所述照射器用於將來自所述光源的熱光以匯聚方式朝向所述目標位置照射。13、根據權利要求12所述的用於處理基板的外周的設備，其中所述反應性氣體供給器包括用於將所述反應性氣體噴射出到所述目標位置的噴射埠，並且所述噴射埠與距離所述照射器相比更接近所述目標位置。14、根據權利要求13所述的用於處理基板的外周的設備，其中所述照射器被設置在所述延伸表面的背側，並且所述噴射埠被設置在所述延伸表面的背側，或總體上設置在所述延伸表面上。15、根據權利要求12所述的用於處理基板的外周的設備，其中所述照射器從所述支撐表面的徑向向外下傾的方向將熱光朝向所述目標位置照射。16、根據權利要求12所述的用於處理基板的外周的設備，進一步包括移動機構，所述移動機構用於在垂直於所述支撐表面的平面中移動所述照射器，同時將所述照射器指向所述目標位置。17、根據權利要求12所述的用於處理基板的外周的設備，其中所述反應性氣體供給器包括用於形成所述噴射埠的噴射埠形成部件，且所述噴射埠形成部件由透光材料組成。18、根據權利要求3所述的用於處理基板的外周的設備，其中所述反應性氣體供給器包括用於將所述反應性氣體導引到所述目標位置附近的引入部；和連接到所述引入部並覆蓋目標位置的筒部，所述筒部的內部比所述導引部更寬地擴展並且被限定為用於在其中暫時保存所述反應性氣體的暫時存儲空間。19、根據權利要求18所述的用於處理基板的外周的設備，其中所述筒部的基端部設有用於封閉所述基端部的透光外殼部，且用作所述加熱器並被構造為將熱光以匯聚的方式朝向所述目標位置照射的輻射加熱器被布置在所述外殼部外面。20、根據權利要求3所述的用於處理基板的外周的設備，其中所述反應性氣體供給器包括用於將所述反應性氣體噴射出到所述目標位置的噴射噴嘴，且所述噴射噴嘴的噴射方向總體上沿著環形表面的周向，所述環形表面將位於所述臺上的所述基板的外周部處。21、根據權利要求20所述的用於處理基板的外周的設備，進一步包括抽吸噴嘴，所述抽吸噴嘴沿所述環形表面的周向以與所述噴射噴嘴相對的方式布置，且所述目標位置被夾在所述抽吸噴嘴與所述噴射噴嘴中間。22、根據權利要求21所述的用於處理基板的外周的設備，其中所述加熱器是輻射加熱器，用於將輻射熱量局部地照射在所述環形表面中的所述噴射噴嘴與所述抽吸噴嘴之間。23、根據權利要求21所述的用於處理基板的外周的設備，其中所述臺從所述噴射噴嘴正常地朝向所述抽吸噴嘴旋轉。24、根據權利要求21所述的用於處理基板的外周的設備，其中用於所述輻射加熱器的局部照射位置在所述噴射噴嘴和抽吸噴嘴之間朝向所述噴射噴嘴偏移。25、根據權利要求3所述的用於處理基板的外周的設備，其中所述臺包括臺主體，所述臺主體具有形成在其中的作為所述吸熱器的冷卻介質室或冷卻介質通路；和中央墊，所述中央墊以能夠從所述臺主體突出和容納在所述臺主體中的方式被設置在所述臺主體的中央部分處，所述臺進一步包括設有用於冷卻介質的埠的固定筒；可旋轉地穿過所述固定筒並且同軸地連接到所述臺主體的旋轉筒；和用於旋轉所述旋轉筒的旋轉驅動器，連接到所述埠的環形通路形成在所述固定筒的內周表面或所述旋轉筒的外周圍表面處；在軸向方向上延伸的軸向通路形成在所述旋轉筒中，所述軸向通路的一個端部被連接到所述環形通路，且另一端部被連接到所述冷卻介質室或所述冷卻介質通路。26、根據權利要求25所述的用於處理基板的外周的設備，其中兩個環形密封槽形成在所述固定筒的內周表面中或者所述旋轉筒的外周圍表面中，以便所述密封槽位於所述環形通路的兩側，其中所述環形通路被夾在所述密封槽中間；和每個所述密封槽在其中容納墊圈，所述墊圈截面具有n形結構並且朝向所述環形通路開口。27、根據權利要求3所述的用於處理基板的外周的設備，其中所述反應性氣體供給器包括氣體導引部件，所述氣體導引部件包括用於允許所述基板可活動地插入其中的插入埠；和導引通路，所述導引通路被連接到所述插入埠的最內端並且在所述基板的周向上以包圍所述基板的外周部的方式延伸；和所述反應性氣體在所述導引通路的所述延伸方向上經過。28、根據權利要求27所述的用於處理基板的外周的設備，進一步包括作為所述加熱器的照射器，所述照射器用於以匯聚方式將熱光朝向所述導引通路的內部照射，用於允許所述照射器的所述熱光通過它的傳輸透光部件以與所述導引通路面對的方式被嵌入所述氣體導引部件內。29、根據權利要求3所述的用於處理基板的外周的設備，其中有機膜和無機膜被層疊在所述基板的外周部上作為不需要的膜，和所述反應性氣體與所述有機膜反應，並且所述反應性氣體供給器被設置用於去除所述有機膜，'所述設備進一步包括另一反應性氣體供給器，用於將可與所述無機膜反應的另一反應性氣體供給到所述基板的外周部。30、根據權利要求3所述的用於處理基板的外周的設備，其中所述基板是圓形晶片，所述圓形晶片具有形成在其外周部的一部分中的諸如凹口或定向平面的切割部分，所述反應性氣體供給器包括反應性氣體供給噴嘴，所述反應性氣體供給噴嘴能夠沿垂直於所述臺的中心軸線的第一軸滑動，所述晶片在所述臺上居中並布置在所述臺上，所述臺圍繞所述中心軸線旋轉，和所述供給噴嘴被與所述臺的旋轉同步地沿所述第一軸進行位置調節，從而沿所述第一軸線滑動所述供給噴嘴，以便當所述晶片的圓形外周部被移動穿過所述第一軸線時，所述供給噴嘴的尖部被朝向所述第一軸上的位置保持靜止，其中所述第一軸上的位置離開所述中心軸線的距離大體等於所述晶片的半徑，且當所述晶片的所述切割部分移動穿過所述第一軸時線，所述供給噴嘴的尖部正常地指向該穿過點。31、根據權利要求3所述的用於處理基板的外周的設備，其中所述基板是圓形晶片，所述反應性氣體供給器包括沿垂直於所述臺的中心軸線的第一軸線可滑動的反應性氣體供給噴嘴，所述臺圍繞所述中心軸線可旋轉，同時可吸附地保持所述晶片，所述設備進一步包括計算器，所述計算器用於瞬時地計算所述晶片的外周部相對於所述第一軸線移動穿過的點，和所述處理流體供給噴嘴基於計算的結果沿所述第一軸線被調節位置，從而供給所述處理流體同時總是指向所述穿過點。全文摘要一種用於處理基板的外周的方法和裝置，在用於從基板的外周部去除不需要的膜時能夠避免對基板中心部分的損壞。作為吸熱裝置的冷卻介質室(4)形成在臺(10)內，且諸如水的冷卻介質填充到其中。晶片(90)被支撐在臺(10)的支撐表面(10a)上。晶片(90)的外周部通過加熱器(20)被加熱，且用於去除不需要的膜的反應性氣體從反應性氣體出口(30b)供到晶片的被加熱部分。另一方面，晶片(90)的在所述外周部的內側的部分內的熱量通過吸熱裝置吸收。文檔編號C23F4/00GK101124663SQ20058002319公開日2008年2月13日申請日期2005年7月8日優先權日2004年7月9日發明者功刀俊介,野上光秀,長谷川平申請人:積水化學工業株式會社