一種半導體處理製程的製作方法
2023-05-29 18:27:06
專利名稱：一種半導體處理製程的製作方法
技術領域：
本案是有關半導體研磨、切割的製程，尤其是有關半導體研磨、切割以及後續的半導體附貼於載具、半導體堆疊等封裝的製程，更尤其是有關晶圓研磨、切割以及所得晶粒附貼於載具、所得晶粒堆疊等封裝的製程。
背景技術：
元件的輕薄短小化，乃集成電路半導體相關業界的趨勢，例如美國專利5,793,108所揭露的，要在已知的封裝架構下堆疊多晶片，須將晶片磨薄至2-4mils。
已知將晶片磨薄的製程，如美國專利6527627、6159071等所揭露的，其典型的步驟示於圖1a-1f。圖1a中，在晶圓1的正面2(具有焊墊6的表面)粘貼膠帶3，以便對晶圓1的背面4，用研磨工具30進行研磨(如圖1b所示)，研磨後得薄晶圓11(如圖1c所示)，將晶圓切割要用的框架5粘貼於薄晶圓11的背面14(如圖1d所示)，再將薄晶圓11的正面2所粘的膠帶3移除(如圖1e所示)，以便用切割工具40執行晶圓切割(如圖1f所示)。
採用上述製程，研磨後的薄晶圓11因應力殘留而常發生翹曲(如圖2所示)，易導致後續作業的困難，以及易造成晶圓破裂。另薄化後的晶圓11在切割成晶片或晶粒21後(如圖3所示)，因太薄，所以在晶片21移裝於基板7(如圖4所示)的製程(Die Bond)，容易在拾取(pick up)的作業(如圖3所示以拾取頭[pick-up head]50拾取晶片21)中發生晶片21的破裂8，甚至在將晶片21放置於基板7時(如圖4所示)也會發生晶片的破裂8。
為解決晶圓薄化易造成品質不良的問題，美國專利6264535揭露一種技術(如圖5a-5e所示)，其先由晶圓1的正面2將晶圓1僅切割(用切割工具40)到有凹陷9(未到底)，然後在晶圓的正面2貼膠帶3，再從晶圓1的背面4進行研磨(用研磨工具30)，研磨後得到一批分割的晶粒21，接續在晶粒21的背面4貼以框架12，最後將晶粒正面2的膠帶3移除。這種製程雖然可能減少薄化晶圓的翹曲所引發的晶圓破損問題，但其步驟繁複(例如多次的粘貼膠帶、框架等等)，且成本較高；況且，其無助於解決薄晶粒(分割後所得)在後續製程易發生破損的問題。茲參考日本專利2003059871，日本專利2003059871也為解決同類問題，其對磨/切割製程所用膠帶，貼以加強薄膜，該加強薄膜的加強作用來自於—支持層結構，是由一種具備特殊貯存彈性(storage elastictiy)的熱軟化樹脂所構成。以此種加強結構作為解決方案，或許能發揮一些效果，但涉及特殊材料的使用，成本與作業複雜度升高。茲再參考日本專利11265928，日本專利11265928也為解決同類問題，其將待研磨的晶圓的正面貼到—特殊平板的一表面，該表面的粗糙度控制在特定範圍內。這種將晶圓的正面貼到特殊表面的解決方案，即使能發揮某種程度的效果，也未必有助於避免已知晶圓薄化後續作業的難題與不良率。有監於理想的解決方案尚未存在，故本案提供一種製程，期使相關業界免除或降低薄化(例如研磨)、切割等作業對半導體元件所產生的不良效應或品質不良率，同時也對薄化、切割等作業的後續製程，提供簡化的效果或降成本的效益。
發明內容
本案目的之一在於，免除或降低薄化作業(例如研磨)對半導體元件品質的不良效應。
本案目的之二在於，免除或降低切割作業對半導體元件品質的不良效應。
本案目的之三在於，對半導體元件切割作業的後續製程，例如DieBond(晶粒裝接於基板)、晶粒堆疊等等封裝作業，免除或降低半導體元件的不良率。
本案目的之四在於，對半導體元件切割作業的後續製程，提供簡化的效果或降成本的效益。
本案一種半導體處理製程，應用於一半導體，該半導體包含一半導體電連接面與一半導體非電連接面，該半導體非電連接面到該半導體電連接面的距離定義該半導體的原始厚度，其特徵在於，該半導體處理製程包含將一種透光物質貼於該半導體電連接面；從該半導體非電連接面研磨該半導體，得到一新半導體非電連接面，該新半導體非電連接面到該半導體電連接面的距離小於該原始厚度；以及經過該透光物質朝向該半導體執行一切割作業而得到至少一第一晶粒，該第一晶粒包含一晶粒電連接面與一晶粒非電連接面，該第一晶粒的晶粒電連接面為該半導體電連接面的一部份，該第一晶粒的晶粒非電連接面為該新半導體非電連接面的一部份，該第一晶粒的晶粒電連接面附有該透光物質。
其中還包含研磨該半導體之前，將該半導體連同該透光物質置於一研磨支持臺，該非電連接面暴露；以及執行該切割作業之前，將該半導體連同該透光物質置於一切割支持臺，該非電連接面朝向該切割支持臺，該透光物質暴露。
其中該透光物質的貼於該半導體電連接面，是使用一種粘接物質於該透光物質與該半導體電連接面之間，該粘接物質具備一特性因應一種光線而喪失其與該半導體電連接面之間的粘性。
其中還包含藉助該透光物質的透光，讓該種光線到達該粘接物質，使該粘接物質與該第一晶粒的晶粒電連接面之間的粘性喪失；以及將該透光物質與該粘接物質移離該第一晶粒。
其中還包含將該第一晶粒連同該透光物質移置於一載具，該第一晶粒的晶粒非電連接面粘貼該載具；藉助該透光物質的透光，讓該種光線到達該粘接物質，使該粘接物質與該第一晶粒的晶粒電連接面之間的粘性喪失；以及將該透光物質與該粘接物質移離該第一晶粒。
其中該粘接物質包含一第一粘膠層、一第二粘膠層、以及一薄膜層，該第一粘膠層接觸該透光物質，該第二粘膠層接觸該半導體電連接面，該薄膜層介於該第一粘膠層與該第二粘膠層之間，該薄膜層與該第一粘膠層具備一特性讓該種光線穿透，該第二粘膠層具備一特性因應該種光線而喪失粘性。
其中該種光線是紫外線。
其中該透光物質包含玻璃、塑膠等兩者中的至少一種。
其中該切割作業包含經過該透光物質識得該半導體電連接面的切割線；以及根據該切割線對該透光物質與該半導體進行切割。
其中還包含藉由該切割作業而得到至少一第二晶粒，該第二晶粒也包含一晶粒電連接面與一晶粒非電連接面，該第二晶粒的晶粒電連接面為該半導體電連接面的一部份，該第二晶粒的晶粒非電連接面為該新半導體非電連接面的一部份，該第二晶粒的晶粒電連接面也附有該透光物質；將該第二晶粒的晶粒非電連接面粘貼該第一晶粒的晶粒電連接面形成兩晶粒的堆疊；藉助該透光物質的透光，讓該種光線到達該透光物質與該第二晶粒之間的該粘接物質，使該粘接物質與該第二晶粒的晶粒電連接面之間的粘性喪失；以及將該透光物質與該粘接物質移離該第二晶粒。
其中還包含該第一晶粒粘貼該載具之前，於該載具的一指定部位與該第一晶粒的晶粒非電連接面等兩者中的至少一種，塗布一種粘著劑。
其中該粘著劑包含銀膠、不導電膠、B-stage膠等三者中的至少一種。
其中還包含該第二晶粒粘貼該第一晶粒之前，於該第二晶粒的晶粒非電連接與該第一晶粒的晶粒電連接面等兩者中的至少一種，塗布一種粘著劑。
其中該粘著劑包含銀膠、不導電膠、B-stage膠等三者中的至少一種。
其中還包含提供一載具；於該載具的一指定部位與該第一晶粒的晶粒非電連接面等兩者中的至少一種，塗布一種B-stage膠；將該第一晶粒置於該載具，該第一晶粒的晶粒非電連接面經由該B-stage膠而連接該指定部位；執行一加熱作業，讓該B-stage膠升溫而產生粘性；藉助該透光物質的透光，讓一種光線到達該粘接物質，使該粘接物質與該第一晶粒的晶粒電連接面之間的粘性喪失；以及將該透光物質與該粘接物質移離該第一晶粒。
其中還包含界由該切割作業而得到至少一第二晶粒，該第二晶粒也包含一晶粒電連接面與一晶粒非電連接面，該第二晶粒的晶粒電連接面為該半導體電連接面的一部份，該第二晶粒的晶粒非電連接面為該新半導體非電連接面的一部份，該第二晶粒的晶粒電連接面貼有該透光物質；於該第二晶粒的晶粒非電連接面與該第一晶粒的晶粒電連接面等兩者中的至少一種，塗布一種B-stage膠；執行該加熱作業之前，將該第二晶粒的晶粒非電連接面經由該B-stage膠而連接該第一晶粒的晶粒電連接面；藉助該透光物質的透光，讓一種光線到達該透光物質與該第二晶粒之間的該粘接物質，使該粘接物質與該第二晶粒的晶粒電連接面之間的粘性喪失；以及將該透光物質與該粘接物質移離該第二晶粒。
本發明一種半導體處理製程，應用於一半導體，該半導體包含一半導體電連接面與一半導體非電連接面，該半導體非電連接面到該半導體電連接面的距離定義該半導體的原始厚度，其特徵在於，該半導體處理製程包含將一種透光物質經由一種粘接物質貼於該半導體電連接面；從該半導體非電連接面研磨該半導體，得到一新半導體非電連接面，該新半導體非電連接面到該半導體電連接面的距離小於該原始厚度；在該新半導體非電連接面，塗布一種B-stage膠；以及經過該透光物質朝向該半導體執行一切割作業而得到至少一晶粒，該第一晶粒包含一晶粒電連接面與一晶粒非電連接面，該第一晶粒的晶粒電連接面為該半導體電連接面的一部份，該第一晶粒的晶粒非電連接面為該新半導體非電連接面的一部份，該第一晶粒的晶粒電連接面貼有該透光物質，該第一晶粒的晶粒非電連接面附有該種B-stage膠；以及將該第一晶粒連同該透光物質置於一載具，該第一晶粒的晶粒非電連接面經過該種B-stage膠連接該載具；
執行一加熱作業，讓該B-stage膠升溫而產生粘性；藉助該透光物質的透光，讓一種光線到達該粘接物質，使該粘接物質與該第一晶粒的晶粒電連接面之間的粘性喪失；以及將該透光物質與該粘接物質移離該第一晶粒。
其中還包含藉由該切割作業而得到至少一第二晶粒，該第二晶粒也包含一晶粒電連接面與一晶粒非電連接面，該第二晶粒的晶粒電連接面為該半導體電連接面的另一部份，該第二晶粒的晶粒非電連接面為該新半導體非電連接面的另一部份，該第二晶粒的晶粒電連接面也貼有該透光物質，該第二晶粒的晶粒非電連接面也附有該B-stage膠；執行該加熱作業之前，將該第二晶粒的晶粒非電連接面經過該B-stage膠連接該第一晶粒的晶粒電連接面；讓一種光線到達該透光物質與該第二晶粒之間的該粘接物質，使該粘接物質與該第二晶粒的晶粒電連接面之間的粘性喪失；以及將該透光物質與該粘接物質移離該第二晶粒。
本發明一種半導體處理製程，應用於一半導體，該半導體包含一半導體電連接面與一半導體非電連接面，該半導體非電連接面到該半導體電連接面的距離定義該半導體的原始厚度，其特徵在於，該半導體處理製程包含將一種透光物質經由一種粘接物質貼於該半導體電連接面；從該半導體非電連接面研磨該半導體，得到一新半導體非電連接面，該新半導體非電連接面到該半導體電連接面的距離小於該原始厚度；以及根據該半導體經過該透光物質所顯現的影像，朝向該半導體執行一切割作業而得到至少一較小半導體，該較小半導體附有該透光物質的一部份以及該粘接物質的一部份。
其中還包含以一種光線射向該較小半導體所附有的該粘接物質，使該粘接物質與該較小半導體之間的粘性喪失；以及將該透光物質與該粘接物質移離該較小半導體。
其中該粘接物質包含一粘膠層，該粘膠層具備一特性接收該種光線而使該粘接物質與該較小半導體之間的粘性喪失。
其中該粘膠層是一種紫外線膠，該種光線是紫外線。
為進一步說明本發明的具體技術內容，以下結合實施例及附圖詳細說明如後，其中圖1a-1f說明一種相關前案例。
圖2-4說明相關前案例的一些缺點。
圖5a-5e說明另一種相關前案例。
圖6a-6h說明本案半導體處理製程的一代表實施例。
圖7a-7c說明本案圖6a-6h的後續作業的一代表實施例。
圖8a-8c說明本案半導體處理製程的晶粒堆疊的一代表實施例。
圖9說明本案半導體處理製程中粘接物質69的一代表實施例。
具體實施例方式
參考圖6a-6h說明本案半導體處理製程的一代表實施例，其應用於一半導體60，該半導體60包含一半導體電連接面61與一半導體非電連接面62，並且有一原始厚度63，該原始厚度63由該半導體非電連接面62到該半導體電連接面61的距離定義的，這半導體處理製程的代表實施例包含將一種透光物質64，例如玻璃、塑膠等，貼於該半導體電連接面61；從該半導體非電連接面62研磨(用研磨工具30)該半導體60，得到一新半導體非電連接面65，該新半導體非電連接面65到該半導體電連接面61的距離70小於該原始厚度63，也就是該半導體60薄化了，較佳方案是，研磨該半導體60前，將該半導體60安置於一研磨支持臺(未示於圖)；以及經過該透光物質64朝向該半導體60執行一切割作業(用切割工具40)而得到一第一晶粒66(或較小的半導體)或多個晶粒，該第一晶粒66包含一晶粒電連接面67與一晶粒非電連接面68，該第一晶粒66的晶粒電連接面67為該半導體電連接面61的一部份，該第一晶粒66的晶粒非電連接面68為該新半導體非電連接面65的一部份，該第一晶粒66的晶粒電連接面67仍附有該透光物質64(也就是晶粒電連接面67仍貼附有透光物質64的一部份)，較佳方案是，切割該半導體60前，將該半導體60安置於一切割支持臺73。
上述的半導體處理製程中，該透光物質64的貼於該半導體電連接面61，是使用一種粘接物質69於該透光物質64與該半導體電連接面61之間，該粘接物質69具備一特性因應一種光線(例如紫外線)而喪失其與該半導體電連接面61之間的粘性。如此，藉助該透光物質64的透光，讓該種光線到達該粘接物質69，使該粘接物質69與該第一晶粒66的晶粒電連接面67之間的粘性喪失，就可以輕易將該透光物質64與該粘接物質69移離該第一晶粒66。例如圖6g所示，用一拾取頭(pick-up head)74，將該第一晶粒66連同該透光物質64移置於一載具71(如圖6h所示)，該第一晶粒66的晶粒非電連接面68粘貼該載具71的一指定部位(例如該載具71的一表面76或該表面76的局部)，藉助該透光物質64的透光，讓該種光線72到達該粘接物質69，使該粘接物質69與該第一晶粒66的晶粒電連接面67之間的粘性喪失，就可以方便將該透光物質64與該粘接物質69移離該第一晶粒66。
上述第一晶粒66的晶粒非電連接面68的粘貼該載具71，是採用一種粘著劑75(例如銀膠、不導電膠、B-stage膠等等)，也就是該第一晶粒66粘貼該載具71之前，於該載具71的表面76(或該表面76的局部)與該第一晶粒66的晶粒非電連接面68等兩者中的至少一種，塗布該粘著劑75。若該粘著劑75是一種B-stage膠，則須執行一加熱作業，讓該B-stage膠升溫而產生粘性。
圖7a-7c示出圖6a-6h的薄化切割等作業所得多個晶粒66粘貼(以其非電連接面68粘貼)於載具71，並且以紫外線光束77經過透光物質64到達粘接物質69，使該粘接物質69與該第一晶粒66的晶粒電連接面67之間的粘性喪失，然後用一拾取頭(pick-up head)74將該透光物質64與該粘接物質69移離該第一晶粒66。
圖8a示出晶粒堆疊，將圖6a-6h的薄化切割等作業所得第一晶粒66粘貼於載具71，以及將圖6a-6h的薄化切割等作業所得一第二晶粒86粘貼於該第一晶粒66的晶粒電連接面67(第一晶粒66的晶粒電連接面67原附有的透光物質64與粘接物質69已移除，如圖7b所示66)。該第二晶粒86也包含一晶粒電連接面67與一晶粒非電連接面68，該第二晶粒86的晶粒電連接面67也是該半導體電連接面61(如圖6a-6f所示)的一部份，該第二晶粒86的晶粒非電連接面68為該新半導體非電連接面65(如圖6a-6f所示)的一部份，該第二晶粒86的晶粒電連接面67也附有該透光物質64(亦如圖6a-6f所示)的一部份。上述第二晶粒86的粘貼於該第一晶粒66的晶粒電連接面67，是採用一種粘著劑85(例如銀膠、不導電膠、B-stage膠等等)，也就是該第二晶粒86粘貼於該第一晶粒66的晶粒電連接面67之前，於第二晶粒86的晶粒非電連接面68與該第一晶粒66的晶粒電連接面67等兩者中的至少一種，塗布該粘著劑85。若該粘著劑85如同粘著劑75，也是一種B-stage膠，則須執行一加熱作業，讓該B-stage膠升溫而產生粘性，較佳方案是於載具71完成全部(多個晶粒)堆疊後，執行該加熱作業。
完成圖8a所示各晶粒的堆疊後，得到圖8b所示的，然後比照圖7b所示，以紫外線光束77經過透光物質64到達粘接物質69(附著於第二晶粒86的晶粒電連接面67)，使該粘接物質69(附著於第二晶粒86的晶粒電連接面67)與該第二晶粒86的晶粒電連接面67之間的粘性喪失，然後如圖8c所示，用一拾取頭(pick-up head)74將該透光物質64與該粘接物質69移離該第二晶粒86(從該第二晶粒86的晶粒電連接面67)。
上述的半導體處理製程中，也可以在薄化(例如上述的研磨)該半導體60的後，於該新半導體非電連接面65(示於圖6d)塗布該粘著劑75(未示於圖)，如此，切割作業得到的各晶粒(例如圖6f所示第一晶粒66、圖8a所示第二晶粒86等等)的晶粒非電連接面68皆附有該粘著劑75(未示於圖)，然後比照圖6g、6h，將第一晶粒66的晶粒非電連接面68直接貼於載具71，也可以比照圖8a，將第二晶粒86的晶粒非電連接面68直接貼於該第一晶粒66的晶粒電連接面67。粘著劑75可以是銀膠、不導電膠、B-stage膠等等，若採用的粘著劑75是B-stage膠，則第一晶粒66貼於載具71，以及第二晶粒86貼於該第一晶粒66的後，需要執行一加熱作業，讓該B-stage膠升溫而產生粘性。
上述該粘接物質69的的一代表實施例示於圖9。圖9中粘接物質69是一紫外線膠片(UV膠片)，其包含一第一粘膠層81、一第二粘膠層82、以及一薄膜層83，該第一粘膠層81接觸該透光物質64，該第二粘膠層82接觸該半導體電連接面(例如半導體60的電連接面61，晶粒66、晶粒86的電連接面67等)，該薄膜層83介於該第一粘膠層81與該第二粘膠層82之間，該薄膜層83與該第一粘膠層81具備一特性讓紫外線光束穿透，該第二粘膠層82是一種紫外線膠(UV膠)，其具備一特性因應紫外線光束而喪失粘性，例如，該第二粘膠層82接收到一紫外線光束92就喪失粘性，由此，若有紫外線光束92到達該第二粘膠層82，該第二粘膠層82就喪失粘性，也就是使該粘接物質與該半導體電連接面67之間的粘性喪失，該透光物質64與該粘接物質69也就可以方便地被移離該半導體電連接面(例如晶粒66、晶粒86的電連接面67，或半導體60的電連接面61等)。紫外線光束92到達該第二粘膠層82的較佳途徑是，經過該透光物質64、該第一粘膠層81、該薄膜層83等。
權利要求
1.一種半導體處理製程，應用於一半導體，該半導體包含一半導體電連接面與一半導體非電連接面，該半導體非電連接面到該半導體電連接面的距離定義該半導體的原始厚度，其特徵在於，該半導體處理製程包含將一種透光物質貼於該半導體電連接面；從該半導體非電連接面研磨該半導體，得到一新半導體非電連接面，該新半導體非電連接面到該半導體電連接面的距離小於該原始厚度；以及經過該透光物質朝向該半導體執行一切割作業而得到至少一第一晶粒，該第一晶粒包含一晶粒電連接面與一晶粒非電連接面，該第一晶粒的晶粒電連接面為該半導體電連接面的一部份，該第一晶粒的晶粒非電連接面為該新半導體非電連接面的一部份，該第一晶粒的晶粒電連接面附有該透光物質。
2.根據權利要求1所述的半導體處理製程，其特徵在於，其中還包含研磨該半導體之前，將該半導體連同該透光物質置於一研磨支持臺，該非電連接面暴露；以及執行該切割作業之前，將該半導體連同該透光物質置於一切割支持臺，該非電連接面朝向該切割支持臺，該透光物質暴露。
3.根據權利要求1所述的半導體處理製程，其特徵在於，其中該透光物質的貼於該半導體電連接面，是使用一種粘接物質於該透光物質與該半導體電連接面之間，該粘接物質具備一特性因應一種光線而喪失其與該半導體電連接面之間的粘性。
4.根據權利要求3所述的半導體處理製程，其特徵在於，其中還包含藉助該透光物質的透光，讓該種光線到達該粘接物質，使該粘接物質與該第一晶粒的晶粒電連接面之間的粘性喪失；以及將該透光物質與該粘接物質移離該第一晶粒。
5.根據權利要求3所述的半導體處理製程，其特徵在於，其中還包含將該第一晶粒連同該透光物質移置於一載具，該第一晶粒的晶粒非電連接面粘貼該載具；藉助該透光物質的透光，讓該種光線到達該粘接物質，使該粘接物質與該第一晶粒的晶粒電連接面之間的粘性喪失；以及將該透光物質與該粘接物質移離該第一晶粒。
6.根據權利要求3所述的半導體處理製程，其特徵在於，其中該粘接物質包含一第一粘膠層、一第二粘膠層、以及一薄膜層，該第一粘膠層接觸該透光物質，該第二粘膠層接觸該半導體電連接面，該薄膜層介於該第一粘膠層與該第二粘膠層之間，該薄膜層與該第一粘膠層具備一特性讓該種光線穿透，該第二粘膠層具備一特性因應該種光線而喪失粘性。
7.根據權利要求3所述的半導體處理製程，其特徵在於，其中該種光線是紫外線。
8.根據權利要求1所述的半導體處理製程，其特徵在於，其中該透光物質包含玻璃、塑膠等兩者中的至少一種。
9.根據權利要求1所述的半導體處理製程，其特徵在於，其中該切割作業包含經過該透光物質識得該半導體電連接面的切割線；以及根據該切割線對該透光物質與該半導體進行切割。
10.根據權利要求5所述的半導體處理製程，其特徵在於，其中還包含藉由該切割作業而得到至少一第二晶粒，該第二晶粒也包含一晶粒電連接面與一晶粒非電連接面，該第二晶粒的晶粒電連接面為該半導體電連接面的一部份，該第二晶粒的晶粒非電連接面為該新半導體非電連接面的一部份，該第二晶粒的晶粒電連接面也附有該透光物質；將該第二晶粒的晶粒非電連接面粘貼該第一晶粒的晶粒電連接面形成兩晶粒的堆疊；藉助該透光物質的透光，讓該種光線到達該透光物質與該第二晶粒之間的該粘接物質，使該粘接物質與該第二晶粒的晶粒電連接面之間的粘性喪失；以及將該透光物質與該粘接物質移離該第二晶粒。
11.根據權利要求5所述的半導體處理製程，其特徵在於，其中還包含該第一晶粒粘貼該載具之前，於該載具的一指定部位與該第一晶粒的晶粒非電連接面等兩者中的至少一種，塗布一種粘著劑。
12.根據權利要求11所述的半導體處理製程，其特徵在於，其中該粘著劑包含銀膠、不導電膠、B-stage膠等三者中的至少一種。
13.根據權利要求10所述的半導體處理製程，其特徵在於，其中還包含該第二晶粒粘貼該第一晶粒之前，於該第二晶粒的晶粒非電連接與該第一晶粒的晶粒電連接面等兩者中的至少一種，塗布一種粘著劑。
14.根據權利要求13所述的半導體處理製程，其特徵在於，其中該粘著劑包含銀膠、不導電膠、B-stage膠等三者中的至少一種。
15.根據權利要求3所述的半導體處理製程，其特徵在於，其中還包含提供一載具；於該載具的一指定部位與該第一晶粒的晶粒非電連接面等兩者中的至少一種，塗布一種B-stage膠；將該第一晶粒置於該載具，該第一晶粒的晶粒非電連接面經由該B-stage膠而連接該指定部位；執行一加熱作業，讓該B-stage膠升溫而產生粘性；藉助該透光物質的透光，讓一種光線到達該粘接物質，使該粘接物質與該第一晶粒的晶粒電連接面之間的粘性喪失；以及將該透光物質與該粘接物質移離該第一晶粒。
16.根據權利要求15所述的半導體處理製程，其特徵在於，其中還包含界由該切割作業而得到至少一第二晶粒，該第二晶粒也包含一晶粒電連接面與一晶粒非電連接面，該第二晶粒的晶粒電連接面為該半導體電連接面的一部份，該第二晶粒的晶粒非電連接面為該新半導體非電連接面的一部份，該第二晶粒的晶粒電連接面貼有該透光物質；於該第二晶粒的晶粒非電連接面與該第一晶粒的晶粒電連接面等兩者中的至少一種，塗布一種B-stage膠；執行該加熱作業之前，將該第二晶粒的晶粒非電連接面經由該B-stage膠而連接該第一晶粒的晶粒電連接面；藉助該透光物質的透光，讓一種光線到達該透光物質與該第二晶粒之間的該粘接物質，使該粘接物質與該第二晶粒的晶粒電連接面之間的粘性喪失；以及將該透光物質與該粘接物質移離該第二晶粒。
17.一種半導體處理製程，應用於一半導體，該半導體包含一半導體電連接面與一半導體非電連接面，該半導體非電連接面到該半導體電連接面的距離定義該半導體的原始厚度，其特徵在於，該半導體處理製程包含將一種透光物質經由一種粘接物質貼於該半導體電連接面；從該半導體非電連接面研磨該半導體，得到一新半導體非電連接面，該新半導體非電連接面到該半導體電連接面的距離小於該原始厚度；在該新半導體非電連接面，塗布一種B-stage膠；以及經過該透光物質朝向該半導體執行一切割作業而得到至少一晶粒，該第一晶粒包含一晶粒電連接面與一晶粒非電連接面，該第一晶粒的晶粒電連接面為該半導體電連接面的一部份，該第一晶粒的晶粒非電連接面為該新半導體非電連接面的一部份，該第一晶粒的晶粒電連接面貼有該透光物質，該第一晶粒的晶粒非電連接面附有該種B-stage膠；以及將該第一晶粒連同該透光物質置於一載具，該第一晶粒的晶粒非電連接面經過該種B-stage膠連接該載具；執行一加熱作業，讓該B-stage膠升溫而產生粘性；藉助該透光物質的透光，讓一種光線到達該粘接物質，使該粘接物質與該第一晶粒的晶粒電連接面之間的粘性喪失；以及將該透光物質與該粘接物質移離該第一晶粒。
18.根據權利要求17所述的半導體處理製程，其特徵在於，其中還包含藉由該切割作業而得到至少一第二晶粒，該第二晶粒也包含一晶粒電連接面與一晶粒非電連接面，該第二晶粒的晶粒電連接面為該半導體電連接面的另一部份，該第二晶粒的晶粒非電連接面為該新半導體非電連接面的另一部份，該第二晶粒的晶粒電連接面也貼有該透光物質，該第二晶粒的晶粒非電連接面也附有該B-stage膠；執行該加熱作業之前，將該第二晶粒的晶粒非電連接面經過該B-stage膠連接該第一晶粒的晶粒電連接面；讓一種光線到達該透光物質與該第二晶粒之間的該粘接物質，使該粘接物質與該第二晶粒的晶粒電連接面之間的粘性喪失；以及將該透光物質與該粘接物質移離該第二晶粒。
19.一種半導體處理製程，應用於一半導體，該半導體包含一半導體電連接面與一半導體非電連接面，該半導體非電連接面到該半導體電連接面的距離定義該半導體的原始厚度，其特徵在於，該半導體處理製程包含將一種透光物質經由一種粘接物質貼於該半導體電連接面；從該半導體非電連接面研磨該半導體，得到一新半導體非電連接面，該新半導體非電連接面到該半導體電連接面的距離小於該原始厚度；以及根據該半導體經過該透光物質所顯現的影像，朝向該半導體執行一切割作業而得到至少一較小半導體，該較小半導體附有該透光物質的一部份以及該粘接物質的一部份。
20.根據權利要求19所述的半導體處理製程，其特徵在於，其中還包含以一種光線射向該較小半導體所附有的該粘接物質，使該粘接物質與該較小半導體之間的粘性喪失；以及將該透光物質與該粘接物質移離該較小半導體。
21.根據權利要求20所述的半導體處理製程，其特徵在於，其中該粘接物質包含一粘膠層，該粘膠層具備一特性接收該種光線而使該粘接物質與該較小半導體之間的粘性喪失。
22.根據權利要求21所述的半導體處理製程，其特徵在於，其中該粘膠層是一種紫外線膠，該種光線是紫外線。
全文摘要
半導體處理製程用於半導體的研磨、切割，也能夠擴及於研磨、切割後續的半導體附貼於載具、半導體堆疊等封裝的製程。其應用例之一為晶圓的研磨、切割，以及所得晶粒附貼於載具、所得晶粒堆疊等的封裝。將透光物質貼於半導體電連接面，從半導體非電連接面研磨半導體後，經過該透光物質朝向該半導體執行切割，以得到一或多個較小的半導體，作業簡易而能降低不良率。到晶粒附貼載具、晶粒堆疊等後續作業，透光物質一直附著晶粒，有效避免薄晶粒的破損，但該透光物質與該粘接物質卻可以輕易移離晶粒，因為選用的該粘接物質具一特性接收一種光線而喪失其與該半導體電連接面之間的粘性，藉助該透光物質的透光，讓該種光線到達該粘接物質，就可以輕易將該透光物質與該粘接物質移離晶粒。
文檔編號B28D5/00GK1815694SQ20051000597
公開日2006年8月9日 申請日期2005年2月1日 優先權日2005年2月1日
發明者蔡漢龍, 劉儒生, 蕭承旭 申請人:矽品精密工業股份有限公司