抗蝕覆蓋膜形成材料、形成抗蝕圖的方法、半導體器件及其製造方法

2023-05-30 08:05:31 3

專利名稱：抗蝕覆蓋膜形成材料、形成抗蝕圖的方法、半導體器件及其製造方法
技術領域：
本發明涉及抗蝕覆蓋膜形成材料，其可適用於液浸曝光用的抗蝕覆蓋膜，以在液浸曝光技術使用的流體中保護抗蝕膜，在此技術中通過在曝光設備的物鏡與晶片之間充滿折射率「n」大於1(空氣的折射率)的介質(流體)可以實現解析度方面的改進，並且可以透射ArF受激準分子雷射等。本發明也涉及形成抗蝕圖的方法、半導體器件及其製造方法。
背景技術：
近年來，半導體集成電路的集成度變得更高。伴隨這個趨勢，最小圖案達到100nm或更小的區域。為形成精細的圖案，在傳統使用的方法中，在要處理並在其上形成薄膜的工件表面上覆蓋抗蝕膜，將其選擇性地曝光，其後顯影，從而形成抗蝕圖，然後用抗蝕圖作為掩模進行幹蝕刻，最後除去抗蝕圖，就得到了期望的圖案。
為了形成更精細的圖案，有必要使曝光設備的光源變為短波長，並且開發具有適於光源特性的高解析度的抗蝕材料。然而，為了使曝光設備的光源變為短波長，必須改進曝光設備，這導致了非常高的成本。作為可以取代迄今使用的波長248nm的KrF(氟化氪)受激準分子雷射的未來曝光光源，波長193nm的ArF受激準分子雷射日益增多地進入實際應用，並且具有ArF受激準分子雷射的曝光設備開始在商業上使用。然而，具有ArF受激準分子雷射的曝光設備仍然相當昂貴。另外，適於使用短波光曝光的新抗蝕材料的開發是不容易的。人們還沒有提出有效用於短波光曝光中的抗蝕材料。因此，使用形成抗蝕圖的傳統方法來實現精細圖案是很困難的。
那麼，作為最新的曝光技術，液浸曝光技術成了人們注意的焦點。依照液浸曝光技術，通過在曝光設備的物鏡和晶片之間充滿折射率「n」大於1(空氣的折射率)的介質(流體)，使抗蝕材料解析度得到改進成為可能。典型地，曝光設備的解析度通過此方程式計算，解析度(R)＝k(係數)×λ(光源波長)/NA(數值孔徑)，並且光源的波長λ越短，物鏡的數值孔徑(NA)越大，可得到的解析度就越高。在方程式中，數值孔徑NA可以由此方程式表達，NA＝n×sinα，其中「n」表示用於曝光的光穿過介質的折射率，「α」表示由用於曝光的光形成的角度。在形成圖案的傳統方法中，曝光是在空氣中進行的，所以折射率「n」是1。但是，在液浸曝光技術中，在曝光設備的物鏡和晶片之間使用和充滿折射率「n」大於1的流體。因此，在數值孔徑NA的方程式中，值「n」增大，並且在用於曝光的光的入射角相同的情況下，最小解析度可以減少到1/n。而且，在相同的數值孔徑NA情況下，可以減少入射角「α」，並且聚焦深度可以放大到n倍。
這種使用折射率大於空氣的流體的液浸技術在顯微鏡領域中是已有技術。但是，對於在精加工中此技術的應用，僅有一種曝光設備的有限方案，其通過充滿折射率稍小於鏡頭折射率的流體來進行曝光(參見未審查
公開日本專利申請(JP-A)第62-065326號)。在最近幾年中人們才開始考慮實際使用這種曝光設備。液浸曝光設備和液浸曝光設備所用的抗蝕材料的問題也因此逐漸顯現出來。
例如，這些問題之一在於，由於將抗蝕膜曝光於填充在物鏡和晶片之間的流體(例如水)，抗蝕膜在曝光期間產生的酸性成分會滲到水中，導致抗蝕膜的感光度下降。在水滲透到抗蝕膜內的情況下，將受激準分子雷射應用到抗蝕膜上時，在傳統乾燥空氣中不會發生的化學反應發生了，這導致抗蝕膜的固有性能遭到損害，且淋洗過的材料會汙染曝光設備的物鏡等部件。淋洗過的材料的汙染導致曝光中的瑕疵以及解析度的下降。
為了防止這些問題，人們研究了在抗蝕層的頂面形成抗蝕覆蓋膜的方法，但是，不溶解抗蝕膜也不與抗蝕膜相混合，抗蝕覆蓋膜難於在抗蝕膜的頂面形成抗蝕覆蓋膜。另外，因為ArF受激準分子雷射具有193nm的短波長，其對於有機物是不可透射的，因此可用於抗蝕覆蓋膜的材料的選擇範圍是極窄的。
有人提出採用非晶聚烯烴的覆蓋膜作為不是基於所設想的液浸曝光技術中的覆蓋膜(參見日本專利申請特開平(JP-A)第06-95397號)。依照此公開文本，使用與KrF抗蝕劑的樹脂成分不同的ArF抗蝕劑形成的覆蓋膜沒有足夠的膜形成性能，並且當薄膜是用ArF抗蝕劑形成時，覆蓋度較差。
另一方面，為了改進抗蝕覆蓋膜的覆蓋性能，已經提出了抗蝕覆蓋組合物(參見日本專利申請特開平第2002-296787號)。但是，抗蝕覆蓋組合物含有芳香酯或芳香醚，其透明度較低，不可能使用ArF受激準分子雷射。
此外，作為液浸曝光技術所使用的覆蓋膜，已提出一種使用鹼性可溶的氟化脂環樹脂的覆蓋膜(參見日本專利申請特開平(JP-A)第2005-157259號)，但是，因為此覆蓋膜的極性較高，所以在表面區域上覆蓋膜與ArF抗蝕劑混合，因而導致圖案受損；並且在抗蝕劑中使用的例如酸產生劑和淬滅劑的極性添加劑擴散到覆蓋膜，滲透到覆蓋膜中，因此汙染了在液浸曝光中使用的流體。
因此，現在的情況是仍然沒有開發出適用於液浸曝光的抗蝕覆蓋膜並且能夠形成抗蝕膜而不擴散抗蝕膜的材料，其在高折射率流體中保護抗蝕膜而不損害固有抗蝕性能，對於ArF受激準分子雷射具有高透射率，並且產生極少量的從抗蝕膜流到高折射率流體的汙染物。採用這樣的材料的相關技術還沒有開發出來。因此，人們希望開發出這種技術。
本發明的目的是克服上述常見問題並實現下述目的。
也就是，本發明的目的是提供一種抗蝕覆蓋膜形成材料，其可適用於液浸曝光，以在液浸曝光技術使用的流體中保護抗蝕膜，此技術通過在曝光設備的物鏡和晶片之間充滿折射率「n」大於1(空氣的折射率)的介質(流體)實現解析度的改進，並且可以透射ArF受激準分子雷射等。
本發明的另一目的是提供一種形成抗蝕圖的方法，此抗蝕圖可以有效在流體中保護抗蝕膜，精確地通過液浸曝光進行曝光而不損害抗蝕膜的功能，並且容易地和有效地形成精細且高精確的抗蝕圖。
依照本發明的實施例，通過液浸曝光形成精細的並且高精確的抗蝕圖而不損害抗蝕膜的功能是可能的。本發明的另一目的是提供一種製造半導體器件的方法，其中具有通過採用抗蝕圖案成的精細互連圖案的高性能半導體器件可以有效地大規模生產，並且提供通過製造半導體器件的此方法製造具有精細互連圖案的高性能半導體器件。
考慮到上述問題，本發明的發明人熱心地進行研究，並且已經有了以下發現。特別地，當在液浸曝光技術中使用非光敏性(不能用於圖案形成)的並且包含在任一主鏈和側鏈上具有脂環骨架的樹脂的成分作為抗蝕覆蓋膜形成材料時，有可能在抗蝕膜上形成抗蝕覆蓋膜，並且獲得抗蝕覆蓋膜，其在充滿於物鏡和晶片之間的高折射率的流體中能夠有效地保護覆蓋膜，並且能夠透射ArF受激準分子雷射等。

發明內容
本發明是基於這些發現；基於如何解決前述問題，並在附上的權利要求中給予了描述。
抗蝕覆蓋膜形成材料包含樹脂，其中抗蝕覆蓋膜形成材料是用於形成在抗蝕膜經受液浸曝光時覆蓋抗蝕膜的抗蝕覆蓋膜，該材料本身是非光敏的；該樹脂在任一主鏈和側鏈上具有脂環骨架。
由於抗蝕膜形成材料包含任一主鏈和側鏈上具有脂環骨架的樹脂，所以樹脂對ArF受激準分子雷射的透射性較高。當將不溶於鹼性顯影液的低極性成分用於抗蝕覆蓋膜形成材料時，該成分不與抗蝕膜相混，因此該成分不溶解抗蝕膜，採用抗蝕覆蓋膜形成材料時，其固有的抗蝕性能也不會受到損害。而且，由於抗蝕覆蓋膜形成材料本身是非光敏的(不能用於圖案形成)，所以抗蝕覆蓋膜本身不會對光起反應。因此，抗蝕覆蓋膜形成材料可有效地在充滿於物鏡和晶片之間的高折射率流體中保護抗蝕膜。
本發明的形成抗蝕圖的方法包括在要處理的工件表面上形成抗蝕膜，採用本發明的抗蝕覆蓋膜形成材料在抗蝕膜上形成抗蝕覆蓋膜，通過液浸曝光使用於曝光的光透過抗蝕覆蓋膜而照射抗蝕膜，從而使抗蝕膜顯影。
在形成抗蝕圖的方法中，在要處理的工件表面上形成抗蝕膜，然後採用本發明的抗蝕覆蓋膜形成材料在抗蝕膜上形成抗蝕覆蓋膜。由於抗蝕覆蓋膜是採用本發明的抗蝕覆蓋膜形成材料形成的，抗蝕覆蓋膜可以在抗蝕膜上形成而不溶解抗蝕膜。然後，通過液浸曝光使用於曝光的光透過抗蝕覆蓋膜照射抗蝕膜，從而使抗蝕膜曝光。由於抗蝕覆蓋膜是採用本發明的抗蝕覆蓋膜形成材料形成的，抗蝕膜可以有效地在充滿於物鏡和晶片之間的高折射率流體中得到保護，而不會損害其固有的抗蝕性能。另外，抗蝕覆蓋膜對於ArF受激準分子雷射具有高透射性，可以精細地進行曝光，然後使抗蝕膜顯影。因此，可以容易地並且有效地形成抗蝕圖。由於可以精細地進行曝光而不損害抗蝕膜的功能，因此獲得的抗蝕圖是精細的和高精度的。
製造半導體器件的方法包括形成抗蝕圖的步驟，即在要處理的工件表面上形成抗蝕膜，採用本發明的抗蝕覆蓋膜形成材料在抗蝕膜上形成抗蝕覆蓋膜，通過液浸曝光使用於曝光的光透過抗蝕覆蓋膜照射抗蝕膜，使抗蝕膜顯影，從而形成抗蝕圖；以及圖案化步驟，即使用抗蝕圖作為掩模，通過蝕刻在要處理的工件表面上形成圖案。
在製造半導體器件的方法中，在形成抗蝕圖的步驟中，首先抗蝕圖在要處理的工件表面上形成並且是以例如互連圖的圖案而形成，然後採用本發明的抗蝕覆蓋膜形成材料在抗蝕膜上形成抗蝕覆蓋膜。由於抗蝕覆蓋膜是採用本發明的抗蝕覆蓋膜形成材料所形成的，抗蝕覆蓋膜可以在抗蝕膜上形成而不溶解抗蝕膜。通過液浸曝光使用於曝光的光透過抗蝕覆蓋膜照射抗蝕膜，從而使抗蝕膜曝光。由於抗蝕覆蓋膜是採用本發明的抗蝕覆蓋膜形成材料形成的，抗蝕膜可以有效地在充滿物鏡和晶片之間的高折射率的流體中得到保護以防止損害抗蝕膜的固有抗蝕性能。另外，由於抗蝕覆蓋膜對於ArF受激準分子雷射具有高透射性，所以可以精細地進行曝光，之後使抗蝕膜顯影。因此，可以容易地並且有效地形成高精度抗蝕圖。
下一步，在圖案化步驟中，通過使用在形成抗蝕圖的步驟中形成的抗蝕圖作為掩模蝕刻工件表面，在工件表面上精細地並且按照精確尺寸高精度地形成圖案，因此可以有效地生產具有精細、準確和精確尺寸的互連圖案的高質量和高性能的半導體器件。
本發明的半導體器件是通過製造本發明的半導體器件的方法來製造的。該半導體器件具有精細、準確和精確尺寸的例如互連圖的圖案，並且該半導體器件的質量和性能都很高。


圖1是用於說明本發明抗蝕圖案成方法的一個實例，並顯示在襯底上形成了抗蝕覆蓋膜的狀態的示意圖。
圖2是用於說明本發明抗蝕圖案成方法的一個實例，並顯示了液浸曝光設備的一個實例的示意圖。
圖3是圖2所示的液浸曝光設備的局部放大圖。
圖4是用於說明本發明的抗蝕圖的一個實例，並且顯示了抗蝕覆蓋膜受到液浸曝光並且顯影的狀態的示意圖。
圖5是用於說明本發明的半導體器件的一個實例FLASH EPROM的俯視圖。
圖6是用於說明本發明的半導體器件的另一實例FLASH EPROM的俯視圖。
圖7是用於說明作為本發明半導體器件製造方法的一實例，FLASHEPROM的製造方法的剖面示意圖。
圖8是用於說明作為本發明半導體器件製造方法的一實例，FLASHEPROM的製造方法的剖面示意圖，並且圖示了圖7所示步驟之後的步驟。
圖9是用於說明作為本發明半導體器件製造方法的一實例，FLASHEPROM的製造方法的剖面示意圖，並且圖示了圖8所示步驟之後的步驟。
圖10是用於說明作為本發明半導體器件製造方法的一實例，FLASHEPROM的製造方法的剖面示意圖，並且圖示了圖9所示步驟之後的步驟。
圖11是用於說明作為本發明半導體器件製造方法的一實例，FLASHEPROM的製造方法的剖面示意圖，並且圖示了圖10所示步驟之後的步驟。
圖12是用於說明作為本發明半導體器件製造方法的一實例，FLASHEPROM的製造方法的剖面示意圖，並且圖示了圖11所示步驟之後的步驟。
圖13是用於說明作為本發明半導體器件製造方法的一實例，FLASHEPROM的製造方法的剖面示意圖，並且圖示了圖12所示步驟之後的步驟。
圖14是用於說明作為本發明半導體器件製造方法的一實例，FLASHEPROM的製造方法的剖面示意圖，並且圖示了圖13所示步驟之後的步驟。
圖15是用於說明作為本發明半導體器件製造方法的一實例，FLASHEPROM的製造方法的剖面示意圖，並且圖示了圖14所示步驟之後的步驟。
圖16是用於說明作為本發明半導體器件製造方法的另一實例的FLASHEPROM的製造方法的剖面示意圖。
圖17是用於說明作為本發明半導體器件製造方法的另一實例的FLASHEPROM的製造方法的剖面示意圖，並且圖示了圖16所示步驟之後的步驟。
圖18是用於說明作為本發明半導體器件製造方法的另一實例的FLASHEPROM的製造方法的剖面示意圖，並且圖示了圖17所示步驟之後的步驟。
圖19是用於說明作為本發明半導體器件製造方法的又一實例的FLASHEPROM的製造方法的剖面示意圖。
圖20是用於說明作為本發明半導體器件製造方法的又一實例的FLASHEPROM的製造方法的剖面示意圖，並且圖示了圖19所示步驟之後的步驟。
圖21是用於說明作為本發明半導體器件製造方法的又一實例的FLASHEPROM的製造方法的剖面示意圖，並且圖示了圖20所示步驟之後的步驟。
具體實施例方式
(抗蝕覆蓋膜形成材料)本發明的抗蝕覆蓋膜形成材料包含在任一主鏈和側鏈上具有脂環骨架的樹脂。優選地，抗蝕覆蓋膜形成材料包含表面活性劑，並進一步包含有機溶劑以及依照需要適當選擇的其它成分。
抗蝕覆蓋膜形成材料本身要求是非光敏的，也就是不能形成圖案。
抗蝕覆蓋膜形成材料用於形成在抗蝕膜經受液浸曝光時覆蓋在抗蝕膜上的抗蝕覆蓋膜。
光敏性是指抗蝕材料的溶解度發生顯著改變的特性。例如，由於曝光之後的熱而導致聚合反應和/或交聯反應，結果抗蝕材料在曝光中產生的酸性成分變得顯著不溶於顯影液。非光敏性是指在圖案形成過程中曝光沒有引起這些反應。因此，本發明的抗蝕覆蓋膜形成材料的光敏性包括在抗蝕覆蓋膜形成材料用於在抗蝕覆蓋膜下層的抗蝕膜上形成圖案的條件下發生的反應，具體為對光的反應性，由於曝光導致抗蝕膜中產生酸，以及例如由於曝光之後進行烘焙而導致的熱反應的反應性。
——具有脂環骨架的樹脂——具有脂環骨架的樹脂無需特別限定，其可以依照預期的使用進行適當選擇，條件是只要樹脂在其任一主鏈和側鏈上具有脂環骨架。
脂環骨架無需特別限定，其可依照預期的使用進行適當選擇。脂環骨架的優選例包括環己胺、環戊烷、金剛烷、降莰烷、三環壬烷、二環辛烷、三環癸烷、四環十二烷及其衍生物。通過採用具有這些脂環骨架之一的樹脂作為抗蝕覆蓋膜形成材料，抗蝕覆蓋膜可以高度透射193nm波長的ArF受激準分子雷射和157nm波長的F2受激準分子雷射，即使當抗蝕膜上形成抗蝕覆蓋膜時，抗蝕覆蓋膜能夠透射雷射從而形成抗蝕圖，且抗蝕膜仍能經受透過抗蝕覆蓋膜的雷射進行曝光。
樹脂中的脂環骨架含量無需特別限定，其可依照預期的使用進行適當選擇，條件是只要其不會導致與抗蝕膜相混合。但是，優選地，用具有脂環基的單體單元的摩爾分數表示的脂環骨架含量為30摩爾％或以上，更優選是60摩爾％或以上。
當含量小於30摩爾％時，樹脂的極性通常增大，這容易導致與抗蝕膜的混合。
樹脂的脂環骨架含量越大，樹脂的極性越小，可以更大地防止混合的發生。但，塗覆性下降，並且抗蝕膜在樹脂塗覆後容易破裂。因此，含量的上限優選為大約90摩爾％。
還可以給脂環骨架或樹脂的側鏈提供極性基團，但樹脂優選是鹼不溶性的。當樹脂是鹼溶性時，樹脂可以溶解抗蝕膜的表層部分，從而形成抗蝕膜以及混合層。
極性基團無需特別限定，其可依照預期的使用進行適當選擇。從合成的容易性和原材料獲得的容易性考慮，優選採用羥基、羧基、二(三氟甲基)羥甲基、或類似基團。
關於樹脂的極性基團的含量，當極性基團是羧基和二(三氟甲基)羥甲基等酸性基團時，需要製備不溶於鹼性顯影液的樹脂，同時確定樹脂極性處於不會導致與抗蝕膜混合的範圍內。例如，當用具有極性基團的單體單元的摩爾分數表示時，樹脂的極性基團含量優選為小於40摩爾％，更優選小於30摩爾％。
當極性基團是羥基時，其含量可適當地選擇在不會導致與抗蝕膜相混的範圍內。
極性基團可以通過適當選擇的保護基來保護。此時，優選保證樹脂的極性不會無必要地增大。
保護基無需特別限定，其可依照預期的使用進行適當選擇，但是，從通過曝光引起側鏈脫保護反應(脫離)的角度而言，具有反應性的側鏈，例如t-Bu基的叔醇保護基；具有水解性的乙縮醛類保護基；以及用於抗蝕材料的其它保護基是不合適的。
應注意的是，因為氟化樹脂在193nm波長的雷射中折射率會降低，因此非氟化樹脂是優選樹脂。當樹脂被氟化時，會不利於通過液浸曝光法得到使其具有高折射率的效果。
樹脂的重均分子量無需特別限定，其可依照預期的使用進行適當選擇，但優選的重均分子量為1000至1000000，更優選為3000至50000，所述分子量是通過凝膠滲透色譜(GPC)對線性聚苯乙烯標準等價物進行測定的。
當樹脂的重均分子量小於1000時，抗蝕覆蓋膜的耐熱性會降低；當樹脂的重均分子量大於1000000時，塗覆性會降低。
抗蝕覆蓋膜形成材料中的樹脂含量無需特別限定，其可依照預期的使用進行適當選擇，條件是只要是在可獲得理想的膜厚度的範圍內。優選的含量為0.5重量％至5重量％，更優選為1重量％至3重量％。
當樹脂的濃度小於0.5重量％，由於膜厚度過薄，會出現例如針孔的瑕疵；當樹脂的濃度大於5重量％，即使樹脂是具有相對高透射性的材料，但由於膜厚度過厚，抗蝕覆蓋膜會由於光的吸收而受到極大影響。
——表面活性劑——為了改進塗覆性能，可將表面活性劑加到抗蝕覆蓋膜形成材料中。
表面活性劑無需特別限定，其可依照預期的使用進行適當選擇，優選的表面活性劑不含金屬離子。其優選例包括含矽的表面活性劑、非離子表面活性劑、陽離子表面活性劑、陰離子表面活性劑和兩性表面活性劑，所有這些表面活性劑都不含金屬離子。這些表面活性劑中的每一種可以單獨使用或者兩個或兩個以上組合使用。
含矽的表面活性劑無需特別限定，其可依照預期的使用進行適當選擇，優選為聚矽氧烷。
非離子表面活性劑的優選例包括選自烷氧基化表面活性劑、脂肪酸酯表面活性劑、醯胺表面活性劑、醇表面活性劑和乙二胺表面活性劑組成的組。這些表面活性劑的具體實例包括聚氧乙烯-聚氧丙烯縮聚物、聚氧化烯烴烷基醚化合物、聚氧乙烯烷基醚化合物、聚氧乙烯衍生物、失水山梨醇脂肪酸酯化合物、甘油脂肪酸酯化合物、伯醇乙氧基化合物、酚乙氧基化合物、壬基酚乙氧基化合物、辛基酚乙氧基化合物、月桂醇乙氧基化合物、油醇乙氧基化合物、脂肪酸酯化合物、醯胺化合物、天然醇化物、乙二胺化合物和仲醇乙氧基化合物。
陽離子表面活性劑無需特別限定，其可依照預期的使用進行適當選擇。其實例包括烷基陽離子表面活性劑、醯胺型季銨陽離子表面活性劑和酯型季銨陽離子表面活性劑。
兩性表面活性劑無需特別限定，其可依照預期的使用進行適當選擇，其實例包括氧化胺表面活性劑和甜菜鹼表面活性劑。
抗蝕覆蓋膜形成材料的表面活性劑含量可以由具有脂環骨架的樹脂的類型和含量而進行適當選擇，但在上述表面活性劑中，低水溶性表面活性劑的加入量優選為少量，特別地，其含量優選是100ppm或以下，更優選地是50ppm或以下。
當表面活性劑含量大於100ppm時，抗蝕覆蓋膜形成材料的覆蓋性能會下降，並且表面活性劑會容易地流到浸液中。
——有機溶劑——有機溶劑無需特別限定，其可依照預期的使用進行適當選擇，條件是只要有機溶劑可以溶解具有脂環骨架的樹脂。但優選的有機溶劑為不溶解抗蝕膜的有機溶劑，其優選例包括烴類溶劑和具有三個或三個以上碳原子的脂肪族烷醇。當有機溶劑的碳原子數量是兩個或兩個以下時，具有脂環骨架的樹脂的溶解度會降低。
烴類溶劑的實例包括二甲苯、乙苯、正庚烷、t-丁基環己烷、甲基環己烷、正辛烷和正癸烷。這些烴類溶劑中的每一種可單獨使用或者兩個或兩個以上組合使用。
具有三個或三個以上碳原子的脂肪族烷醇無需特別限定，其可依照預期的使用進行適當選擇，舉例來說，可優選使用正丁醇、異丁醇。這些脂肪族烷醇中的每一種可以單獨使用或者兩個或兩個以上組合使用。
抗蝕覆蓋膜形成材料的有機溶劑的含量無需特別限定，其可根據具有脂環骨架的樹脂的類型和含量進行合適的選擇。
——其它成分——在抗蝕覆蓋膜形成材料中包含的其它成分無需特別限定，其可依照預期的使用進行適當選擇，其實例包括所屬領域中公知的各種添加劑。
——抗蝕覆蓋膜形成材料的應用——用抗蝕覆蓋膜形成材料塗覆在抗蝕膜表面優選使用本發明的抗蝕覆蓋膜形成材料。塗覆法無需特別限定，其可依照預期的使用進行適當選擇。舉例來說，優選使用旋塗法。
當將抗蝕覆蓋膜形成材料施加到抗蝕膜表面上時，抗蝕覆蓋膜在抗蝕膜上形成，抗蝕覆蓋膜可由抗蝕膜形成而不溶解抗蝕膜。另外，由於具有脂環骨架的樹脂對於具有193nm波長的ArF受激準分子雷射和具有157nm波長的F2受激準分子雷射有很高的透過性，即使當將抗蝕覆蓋膜形成材料施加到抗蝕膜的表面，然後曝光，仍可以形成抗蝕圖。
——抗蝕膜形成材料——抗蝕膜(用本發明的抗蝕覆蓋膜形成材料所塗覆的抗蝕膜)所用的材料無需特別限定，其可依照預期的使用從所屬領域公知的抗蝕材料中選擇，其可以是任何正抗蝕劑和負抗蝕劑。舉例來說，優選使用可用KrF受激準分子雷射、ArF受激準分子雷射、F2受激準分子雷射分別形成圖案的KrF抗蝕劑、ArF抗蝕劑、F2抗蝕劑。這些抗蝕材料可以是化學放大抗蝕劑或非化學放大抗蝕劑。其中，KrF抗蝕劑、ArF抗蝕劑、包含丙烯酸(酯)類樹脂的抗蝕劑等是優選的，更優選使用ArF抗蝕劑和包含丙烯酸(酯)類樹脂之一的抗蝕劑，從改進圖案精細度和生產量的角度而言，提高抗蝕劑的解析度限度是迫切需要的。
抗蝕膜形成材料的具體例包括酚醛清漆抗蝕劑、PHS(聚羥基苯乙烯)抗蝕劑、丙烯酸(酯)類抗蝕劑、環烯-馬來酸酐(COMA)抗蝕劑、環烯抗蝕劑和混合(脂環族丙烯酸(酯)類-COMA共聚物(alicyclic acryl-COMA))抗蝕劑。這些抗蝕材料可以是氟化的。
如何形成抗蝕膜、抗蝕膜的尺寸、厚度等都無需特別限定，其可依照預期的使用進行適當選擇。具體而言，抗蝕膜的厚度可以根據要處理的工件表面情況和蝕刻情況進行適當的選擇，但其通常厚度約為0.1μm至500μm。
在液浸曝光技術中，可以優選使用本發明的抗蝕覆蓋膜形成材料形成使充滿於曝光設備的物鏡和晶片之間的高折射率的流體中的抗蝕膜得到保護的抗蝕覆蓋膜。在本發明的抗蝕圖案形成方法、本發明的半導體器件製造方法等中，可以特別優選使用本發明的抗蝕覆蓋膜形成材料。
(抗蝕圖的形成方法)本發明的抗蝕圖形成方法包括在要處理的工件表面上形成抗蝕膜，採用本發明的抗蝕覆蓋膜形成材料在抗蝕膜上形成抗蝕覆蓋膜，通過液浸曝光用曝光的光透過抗蝕覆蓋膜照射抗蝕膜，使抗蝕膜顯影，以及進一步包括根據需要適當選擇的其它處理。
(抗蝕膜的形成)抗蝕膜的形成步驟是在要處理的工件表面上形成抗蝕膜的步驟。
對於抗蝕膜所用的材料，優選為本發明的抗蝕覆蓋膜形成材料中描述的上述材料。
抗蝕膜可以由所屬領域公知的方法形成，例如塗覆法。
要處理的工件表面所用的材料(基礎材料)無需特別限定，其可依照預期的使用進行適當選擇，但是，當抗蝕膜在半導體器件上形成時，要處理工件表面所使用的材料(基礎材料)優選為半導體器件的基礎材料。特別地，其優選例包括例如矽晶片和各種氧化膜的襯底。
(抗蝕覆蓋膜的形成)形成抗蝕覆蓋膜的步驟是採用本發明的抗蝕覆蓋膜形成材料在抗蝕膜上形成抗蝕覆蓋膜的步驟。
優選用塗覆法形成抗蝕覆蓋膜。塗覆法無需特別限定，其可依照預期的使用從所屬領域公知的塗覆法中進行適當選擇。舉例來說，可適用的方法為如旋塗法等。當使用旋塗法時，塗覆器件的轉數通常為大約100rpm至10000rpm，更優選為800rpm至5000rpm，旋塗時間為約1秒至10分鐘，更優選為1秒至90秒。
抗蝕覆蓋膜的塗覆厚度無需特別限定，其可依照預期的使用進行適當選擇，塗覆厚度優選為10nm至300nm，更優選為30nm至150nm。
當抗蝕覆蓋膜的塗覆厚度小於10nm時，會出現例如針孔的瑕疵，當塗覆厚度大於300nm時，由於抗蝕覆蓋膜對ArF受激準分子雷射和F2受激準分子雷射的透射性降低，解析度特性和曝光敏感度會降低。
在塗覆期間或之後，只要抗蝕膜沒有軟化，對施加到工件表面上的抗蝕覆蓋膜形成材料進行烘焙或加熱以及乾燥的條件和方法都無需特別限定，其可依照預期的使用進行適當選擇。舉例來說，烘焙溫度優選為40℃至150℃，更優選為80℃至120℃。烘焙時間優選為10秒至5分鐘，更優選為30秒至90秒。
(液浸曝光)液浸曝光的步驟是通過液浸曝光，使用於曝光的光透過抗蝕覆蓋膜而使抗蝕膜曝光的步驟。
可優選使用所屬領域公知的液浸曝光設備進行液浸曝光，用於曝光的光通過抗蝕覆蓋膜照射抗蝕膜而完成。用於曝光的光所照射的是抗蝕膜的部分區域。然後，在顯影步驟中(見下述)，當抗蝕材料是正抗蝕劑時，曝光區域被去除以形成抗蝕圖，當抗蝕材料是負抗蝕劑時，未曝光區域被去除以形成抗蝕圖。
填充在曝光設備的物鏡和晶片之間的用於液浸曝光的流體無需特別限定，其可依照預期的使用進行適當選擇，但是，為了得到高解析度，優選折射率大於空氣折射率(折射率＝1)的流體。
折射率大於1的流體也無需特別限定，其可依照預期的使用進行適當選擇，但是，折射率越高，就是越優選的流體。例如，水(純水)、油、甘油、丙三醇和環烷醇等都是優選使用的。其中，水(純水折射率＝1.44)是更優選的。
用於曝光的光無需特別限定，其可依照預期的使用進行適當選擇，短波長的光是優選的。短波長光的實例包括KrF受激準分子雷射(248nm)、ArF受激準分子雷射(193nm)和F2受激準分子雷射(157nm)。其中，從獲得高精細抗蝕圖的角度而言，ArF受激準分子雷射和F2受激準分子雷射是優選的。
(顯影)顯影步驟是在液浸曝光中，用於曝光的光透過所形成的抗蝕覆蓋膜曝光抗蝕膜；用不溶解抗蝕膜的顯影液來顯影抗蝕覆蓋膜，通過用2.38重量％TMAH抗蝕顯影液(鹼性顯影液)顯影來除去抗蝕膜的曝光區域，從而形成抗蝕圖。
抗蝕覆蓋膜的顯影液無需特別限定，其可依照預期的使用進行適當選擇，但，當包含具有脂環骨架的樹脂的抗蝕覆蓋膜形成材料是鹼不溶性時，並且當溶解和去除用抗蝕覆蓋膜形成材料所形成的抗蝕覆蓋膜時，優選使用有機溶劑。當溶解和去除抗蝕膜的曝光區域時，優選使用鹼性顯影液。通過使用鹼性顯影液顯影抗蝕膜，可溶解和去除用曝光光照射的抗蝕膜區域，由此形成抗蝕圖。
應該注意，如果本發明的抗蝕覆蓋膜形成材料是鹼溶性的，那麼優選通過使用鹼性顯影液同時溶解和去除抗蝕覆蓋膜和抗蝕膜的曝光區域。這樣可減少製造步驟同時能有效地形成抗蝕圖。
在下文中，將參照

本發明的抗蝕圖形成方法的一個實例。
如圖1所示，將抗蝕形成材料施加到要處理的工件(襯底)1表面上以形成抗蝕膜2，然後將本發明的抗蝕覆蓋膜形成材料施加到抗蝕膜2表面上，烘焙或加熱以及乾燥抗蝕膜2表面，由此形成抗蝕覆蓋膜3。然後，通過採用圖2所示的液浸曝光設備5，使其上形成抗蝕膜2和抗蝕覆蓋膜3的襯底1曝光。
圖2是液浸曝光設備的一個實例的示意圖。液浸曝光設備5配置有物鏡6和晶片臺7。配置晶片臺7從而使襯底1安裝其上。介質(流體)8填充在物鏡6和晶片臺7上的襯底1之間。曝光設備的解析度由下面的方程式(1)表示，光源波長越短，物鏡6的數值孔徑(NA)或亮度越大，可得到的解析度就越高。
解析度＝k(係數)×λ(光源的光波長)/NA(數值孔徑)......方程式(1)在方程式(1)中，NA可由方程式NA＝n×sinθ確定。
圖3是圖2中X部分的局部放大示意圖。如圖3所示，「n」表示曝光光穿過的介質(流體)8的折射率，「θ」表示用於曝光的光所形成的角。在通常的曝光方法中，用於曝光的光穿過的介質是空氣，所以折射率「n」是1，物鏡(縮小透鏡)6的數值孔徑(NA)理論上最大值小於1.0，實際上為0.9左右(θ＝65°)。但是，在液浸曝光裝置5中，通過使用折射率「n」大於1的流體作為介質8，可以增大折射率「n」，因此，在曝光光的入射角相同情況下，最小解析度可以減少到1/n，在數值孔徑NA相同的情況下，可以減少「θ」值，因此聚焦深度可以放大至n倍。舉例來說，當使用純水作為介質8時，並且當光源是ArF受激準分子雷射，值「n」等於1.44，數值孔徑NA可以增大至1.44倍，因此可以形成更加精細的圖案。
襯底1安裝在具有這種結構的液浸曝光裝置5的晶片臺7上，用例如為ArF受激準分子雷射的曝光光透過抗蝕覆蓋膜3照射抗蝕膜2，以圖案的方式來曝光抗蝕膜2。接著，參照圖4，當使用有機溶劑將抗蝕覆蓋膜3從抗蝕膜2上分離，用鹼性顯影液對抗蝕膜2進行顯影，溶解並去除用ArF受激準分子雷射照射的抗蝕膜2區域，從而在襯底1上形成(顯影)抗蝕圖4。
應注意，上述方法是本發明的抗蝕圖形成方法的一個實例，其中，使用的是與ArF受激準分子雷射相適應的正抗蝕材料，用於曝光的光和抗蝕材料之間的組合絕不僅限於上面所述，其可依照預期的使用進行適當選擇。
依照本發明的形成抗蝕圖的方法，由於可在流體中有效地保護抗蝕膜並且通過液浸曝光有效地和精細地使抗蝕膜曝光而不損害抗蝕膜的功能，同時容易地和有效地形成精細和精確的抗蝕圖，因此抗蝕圖的形成方法可以優選用於例如製造功能元件，如掩模圖案、網狀圖案、磁頭、LCD(液晶顯示)、PDP(等離子體顯示板)和SAW濾波器(表面聲波濾波器)；用於連接光學布線的光學部件；如微觀激勵器等精細部件；和半導體器件。
(製造半導體器件的方法)本發明的半導體器件的製造方法包括形成抗蝕圖的步驟和圖案化步驟，以及進一步包括根據不同需要所選擇的其它步驟。
(抗蝕圖的形成)本發明形成抗蝕圖的步驟包括在要處理的工件表面上形成抗蝕膜，然後採用本發明的抗蝕覆蓋膜形成材料由抗蝕膜形成抗蝕覆蓋膜，通過液浸曝光，使用於曝光的光透過抗蝕覆蓋膜照射抗蝕膜，並顯影，從而形成抗蝕圖。通過形成抗蝕圖的方法在要處理的工件表面上形成抗蝕圖。
形成抗蝕圖的方法的詳細說明與本發明的形成抗蝕圖的方法相似。
應注意，要處理的工件表面的實例包括半導體器件的不同元件的表層，但優選使用的是襯底和矽晶片以及各種氧化膜的表面。液浸曝光法如上所述，抗蝕圖的形成方法也如上所述。
(圖案化)圖案化步驟是通過使用抗蝕圖案形成步驟中所形成的抗蝕圖作為掩模(作為掩模圖案等)進行蝕刻而在工件表面上形成圖案的步驟。
蝕刻方法無需特別限定，其可依照預期的使用在本領域已知的方法中進行適當選擇。舉例來說，幹蝕刻是適宜的一種方法。蝕刻條件也無需特別限定，其可依照預期的使用進行適當選擇。
依照本發明的半導體器件的製造方法，可以通過液浸曝光有效地和精細地進行曝光而不損害抗蝕膜的功能；可容易地和有效地形成精細和精確的抗蝕圖；並且可以有效地大規模生產採用抗蝕圖案形成的具有精細互連圖案的高性能半導體器件，例如各種半導體器件，如快閃記憶體、DRAM和FRAM。
實施例在下文中，將參考具體實施例詳細說明本發明，但是，本發明並不限於公開的實施例。
(例1)——抗蝕覆蓋膜形成材料的製備——按照如下方法合成在側鏈上具有金剛烷作為脂環骨架的樹脂。
將2g的丙烯酸甲酯和19.2g的丙烯酸金剛烷基酯加入一個茄形燒瓶中，然後加入40mL的四氫呋喃和1.9g的偶氮二異丁腈(AIBN)，溶液中通入足量氮氣。將燒瓶浸泡在60℃油浴中在氮氣中進行反應10小時。使所得溶液達到室溫，並慢慢地將其滴入1L的甲醇中，得到白色沉澱物。將該沉澱物通過玻璃濾器濾出，然後溶於四氫呋喃中，再在甲醇中沉澱，從而純化沉澱物，此過程重複進行三次。將得到的樹脂在真空爐中於40℃溫度下乾燥20小時，從而得到15.3g的由下面結構式(1)表示的樹脂(重均分子量8000)。共聚合的比率由1H-NMR確定。
將所獲得的樹脂溶於t-丁基環己烷的有機溶劑中，從而製備用於液浸曝光的抗蝕覆蓋膜形成材料(塗覆溶液固體濃度為3.0重量％)。
結構式(1)(例2)——抗蝕覆蓋膜形成材料的製備——按照如下方法合成分別在主鏈上具有降莰烷並且在側鏈上具有金剛烷作為脂環骨架的樹脂。
將2g的5-降莰烷-2-醇、1.78g的馬來酐和0.94g的丙烯酸金剛烷基酯加入一個茄形燒瓶中，然後加入15mL的無水二噁烷和1g的AIBN，溶液中通入足量氮氣。將燒瓶浸泡在80℃油浴中在氮氣中反應10小時。使所得溶液達到室溫，然後慢慢地將其滴入1L的已烷中，得到白色沉澱物。將該沉澱物通過玻璃濾器過濾，並溶於二噁烷中，然後在甲醇中進行沉澱，從而純化沉澱物，此過程重複進行三次。將得到的樹脂在真空爐中於40℃溫度下乾燥20小時，從而得到2.3g的由下面結構式(2)表示的樹脂(重均分子量為7500)。共聚合的比率由1H-NMR確定。
將獲得的樹脂溶於正庚烷的有機溶劑中，從而製備用於液浸曝光的抗蝕覆蓋膜形成材料(塗覆溶液固體濃度為3.0重量％)。
結構式(2)(例3)——抗蝕覆蓋膜形成材料的製備——按照如下方法合成分別在側鏈上具有降莰烷和環己胺作為脂環骨架的樹脂。
將2g的甲基丙烯酸2-降莰烷基酯、1.49g的甲基丙烯酸環己烷基酯和0.38g的甲基丙烯酸加入一個茄形燒瓶中，然後加入10mL的四氫呋喃和0.4g的AIBN，溶液中通入足量氮氣。將燒瓶浸泡在60℃油浴中在氮氣中反應10小時。使所得溶液達到室溫，並慢慢地將其滴入1L的甲醇中，得到白色沉澱物。將該沉澱物通過玻璃濾器過濾出，然後溶於四氫呋喃中，再在甲醇中沉澱，從而純化沉澱物，將此過程重複進行三次。將得到的樹脂在真空爐中於40℃溫度下乾燥20小時，從而得到2.7g的由下面結構式(3)表示的樹脂(重均分子量10700)。共聚合的比率由1H-NMR確定。
將所獲得的樹脂溶於異丁醇的有機溶劑中，再向溶解的溶液加入30ppm的非離子表面活化劑(由ASAHIDENKA CO.，LTD.製造的多核苯酚表面活性劑，37頁第二行PC-6)，從而製備用於液浸曝光的抗蝕覆蓋膜形成材料(塗覆溶液固體濃度為2.4重量％)。
結構式(3)(例4)——抗蝕覆蓋膜形成材料的製備——按照如下方法合成在側鏈上具有二環辛烷作為脂環骨架的樹脂。
將1g的二氫吡喃、1.17g的無水馬來酸、1.17g的丙烯酸二環辛基酯和0.16g的丙烯酸甲酯加入一個茄形燒瓶中，然後加入10mL的四氫呋喃和0.49g的AIBN，溶液中通入足量氮氣。將燒瓶浸泡在60℃油浴中，在氮氣中反應10小時。使所得溶液達到室溫，並慢慢地將其滴入1L的已烷中，得到白色沉澱物。將該沉澱物通過玻璃濾器過濾出，然後溶於四氫呋喃，再在已烷中沉澱，從而純化沉澱物，此過程重複進行三次。將得到的樹脂在真空爐中於40℃溫度下乾燥20小時，從而得到1.58g的由下面結構式(4)表示的樹脂(重均分子量10700)。共聚合的比率由1H-NMR確定。
將獲得的樹脂溶於異丁醇的有機溶劑，從而製備用於液浸曝光的抗蝕覆蓋膜形成材料(塗覆溶液固體濃度為3.2重量％)。
結構式(4)(例5)——抗蝕覆蓋膜形成材料的製備——按照如下方法合成分別在主鏈上具有降莰烷並且在側鏈上具有三環癸烷作為脂環骨架的樹脂。
將4g的5-降莰烷-2-(2`，2`-雙三氟甲基)乙醇、3.21g的α-三氟甲基三環癸烷基丙烯酸酯和0.16g的α-甲基三氟甲基丙烯酸脂加入一個茄形燒瓶中，然後加入0.24g的AIBN，溶液中通入足量氮氣。將燒瓶浸泡在60℃油浴中，在氮氣中反應24小時。使所得溶液達到室溫，並慢慢地將其滴入1L的已烷，得到白色沉澱物。將該沉澱物通過玻璃濾器濾出，然後溶於四氫呋喃，再在已烷中沉澱，從而純化沉澱物，此過程重複進行三次。將得到的樹脂在真空爐中於50℃溫度下乾燥24小時，從而得到1.03g的由下面結構式(5)表示的樹脂(重均分子量7200)。共聚合的比率由1H-NMR確定。
將所獲得的樹脂溶於異丁醇的有機溶劑，從而製備用於液浸曝光的抗蝕覆蓋膜形成材料(塗覆溶液固體濃度為4.1重量％)。
結構式(5)(例6)——抗蝕覆蓋膜形成材料的製備——按照如下方法合成在側鏈上具有環戊烷作為脂環骨架的樹脂。
將2g的甲基丙烯酸環戊烷基酯和0.28g的甲基丙烯酸甲酯加入一個茄形燒瓶中，然後加入10mL的二噁烷和0.26g的AIBN，溶液中通入足量氮氣。將燒瓶浸泡在70℃油浴中，在氮氣中反應10小時。使所得溶液達到室溫，並慢慢地將其滴入500mL的甲醇中，得到白色沉澱物。將該沉澱物通過玻璃濾器濾出，然後溶於四氫呋喃中，再在甲醇中沉澱，從而純化沉澱物，此過程重複進行三次。將得到的樹脂在真空爐中於40℃溫度下乾燥20小時，從而得到1.8g的由下面結構式(6)表示的樹脂(重均分子量13200)。共聚合的比率由1H-NMR確定。
將所獲得的樹脂溶於正庚烷的有機溶劑中，從而製備用於液浸曝光的抗蝕覆蓋膜形成材料(塗覆溶液固體濃度為1.6重量％)。
結構式(6)(例7)——抗蝕覆蓋膜形成材料的製備——按照如下方法合成在側鏈上具有四環十二烷作為脂環骨架的樹脂。
將3g的甲基丙烯酸四環十二烷基酯和0.11g的甲基丙烯酸甲酯加入一個茄形燒瓶中，然後加入10mL的二噁烷和0.22g的AIBN，溶液中通入足量氮氣。將燒瓶浸泡在70℃油浴中，在氮氣中反應10小時。使所得溶液達到室溫，並慢慢地將其滴入500mL的甲醇中，得到白色沉澱物。將該沉澱物通過玻璃濾器濾出，然後溶於四氫呋喃中，再在甲醇中沉澱，從而純化沉澱物，此過程重複進行三次。將得到的樹脂在真空爐中於40℃溫度下乾燥20小時，從而得到1.8g的由下面結構式(7)表示的樹脂(重均分子量9200)。共聚合的比率由1H-NMR確定。
將所獲得的樹脂溶於二甲苯的有機溶劑，再向溶解的溶液加入20ppm的表面活性劑(由Shin-Etsu Chemical Co.Ltd.製造的KP-341)，從而製備用於液浸曝光的抗蝕覆蓋膜形成材料(塗覆溶液固體濃度為1.0重量％)。
結構式(7)(例8)——抗蝕覆蓋膜形成材料的製備——
除了將由結構式(1)表示的樹脂改為由下面結構式(8)表示的鹼溶性樹脂以外，按照與例1相同的方式製備抗蝕覆蓋膜形成材料。
結構式(8)(例9)——抗蝕覆蓋膜形成材料的製備——除了將由結構式(1)表示的樹脂改為由下面結構式(9)表示的鹼溶性樹脂以外，按照與例1相同的方式製備抗蝕覆蓋膜形成材料。
結構式(9)——通過汙染物的洗提進行保護性能的鑑定試驗——在日本專利(JP-B)第3297272號中的例8所述方法的基礎上，將5重量％的壬氟丁基磺酸三苯基鋶鹽(由Midori Kagaku Co.Ltd.生產的酸產生劑)溶於丙二醇甲醚醋酸酯(由Tokyo Chemical IndustryCo.Ltd.生產的PGMEA)，製得鑑定抗蝕材料。將鑑定抗蝕材料旋塗到預先分別設有底部抗反射塗層(由NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES有限公司生產的BARC，ARC-39)的5片6英寸矽晶片(由Shin-Etsu Chemical有限公司製造)上，然後將5片矽晶片在100℃下烘焙60秒。所形成的抗蝕膜的厚度為0.3μm。將得到的每個抗蝕膜表面用5ml超純水提取得到試樣溶液。然後，將5μL的該溶液用LC-MS(由Agilent Technologies製造的液相色譜—質譜聯用儀)法進行分析。根據分析結果，證明洗提出了86ppb的酸產生劑陰離子。
接著，將在例1至例9中得到的抗蝕覆蓋膜形成材料用旋塗法在2000rpm/20s的條件下分別塗到抗蝕膜上，並在110℃的熱板上烘焙抗蝕膜60秒以形成抗蝕覆蓋膜。將抗蝕覆蓋膜用5ml超純水提取，然後，以上述同樣的LC-MS法進行分析。
分析發現，當使用例1至例7中得到的抗蝕覆蓋膜形成材料時，在任一抗蝕覆蓋膜形成材料中所洗提的酸產生劑陰離子都在檢測限以下。而證明了當使用例8至例9中得到的抗蝕覆蓋膜形成材料時，例8的抗蝕覆蓋膜形成材料中洗提出了8ppb的酸產生劑陰離子，例9的抗蝕覆蓋膜形成材料中洗提出了6ppb的酸產生劑陰離子。我們發現，使用極性大於例1至例7樹脂的例8至例9的抗蝕覆蓋膜形成材料，其在汙染物洗提的保護性能方面是不足的。
——非光敏性的驗證——關於例1至例9中得到的抗蝕覆蓋膜形成材料，對它們中的每一個是否為非光敏進行了驗證。
將在例1至例9中得到的抗蝕覆蓋膜形成材料分別塗到鑑定抗蝕材料上，然後將抗蝕材料在100℃下加熱60秒。將所形成的抗蝕覆蓋膜用ArF受激準分子雷射在100mJ/cm2的條件下曝光，並在100℃/60秒的條件下烘焙。接著，將得到的膜浸泡在抗蝕覆蓋膜形成材料使用的有機溶劑(例如二甲苯、t-丁基環己烷、正庚烷、異丁醇等)中，觀察膜是否在機溶劑中溶解。因此，我們驗證了，用例1至例9中製備的抗蝕覆蓋膜形成材料得到的所有膜都分別在機溶劑中溶解，沒有不溶的反應發生，這些抗蝕覆蓋膜形成材料是非光敏的。
(例10)——抗蝕圖的形成——將用於ArF受激準分子雷射光刻(由Sumitomo Chemical Co.Ltd.製造的AX5910)的抗蝕材料塗到矽晶片上，形成厚度為250nm的抗蝕膜。接著，將例1中製備的抗蝕覆蓋膜形成材料用旋塗法在2000rpm/20s的條件下分別塗覆到抗蝕膜上。然後，在100℃的條件下烘焙60秒，形成厚度為100nm的抗蝕覆蓋膜。
接著，用液浸曝光設備透過抗蝕覆蓋膜曝光抗蝕膜。應注意，使用水作為液浸曝光的介質，使用ArF受激準分子雷射(193nm波長)作為用於曝光的光。
之後，使用t-丁基環己烷除去抗蝕覆蓋膜，使用2.38重量％TMAH水溶液對抗蝕膜進行鹼性顯影，從而溶解並除去抗蝕膜的曝光區域。因此，用40mJ/cm2的曝光劑量得到了300nm線狀和間隔圖案(抗蝕圖)，並且沒有圖案變形。
(例11)——抗蝕圖的形成——除了將例1中製備的抗蝕覆蓋膜形成材料替換為例2中製備的抗蝕覆蓋膜形成材料用於形成厚度為80nm的抗蝕覆蓋膜以外，按照與例10中相同的方式來形成抗蝕圖。應注意，抗蝕覆蓋膜的去除(脫落)是使用正庚烷進行的。
在例11中，用42mJ/cm2的曝光劑量得到了300nm線狀和間隔圖案(抗蝕圖)，並且沒有圖案變形。
(例12)——抗蝕圖的形成——除了將例1中製備的抗蝕覆蓋膜形成材料替換為例3中製備的抗蝕覆蓋膜形成材料用於形成厚度為80nm的抗蝕覆蓋膜以外，按照與例10中相同的方式來形成抗蝕圖。應注意，抗蝕覆蓋膜的去除(脫落)是使用異丁醇進行的。
在例12中，用38mJ/cm2的曝光劑量得到了300nm線狀和間隔圖案(抗蝕圖)，並且沒有圖案變形。
(例13)——抗蝕圖的形成——除了將例1中製備的抗蝕覆蓋膜形成材料替換為例4中製備的抗蝕覆蓋膜形成材料用於形成厚度為100nm的抗蝕覆蓋膜以外，按照與例10中相同的方式來形成抗蝕圖。應注意，抗蝕覆蓋膜的去除(脫落)是使用異丁醇進行的。
在例13中，用45mJ/cm2的曝光劑量得到了300nm線狀和間隔圖案(抗蝕圖)，並且沒有圖案變形。
(例14)——抗蝕圖的形成——除了將例1中製備的抗蝕覆蓋膜形成材料替換為例5中製備的抗蝕覆蓋膜形成材料用於形成厚度為120nm的抗蝕覆蓋膜以外，按照與例10中相同的方式來形成抗蝕圖。應注意，抗蝕覆蓋膜的去除(脫落)是使用異丁醇進行的。
在例14中，用42mJ/cm2的曝光劑量得到了300nm線狀和間隔圖案(抗蝕圖)，並且沒有圖案變形。
(例15)——抗蝕圖的形成——除了將例1中製備的抗蝕覆蓋膜形成材料替換為例6中製備的抗蝕覆蓋膜形成材料用於形成厚度為50nm的抗蝕覆蓋膜以外，按照與例10中相同的方式來形成抗蝕圖。應注意，抗蝕覆蓋膜的去除(脫落)是使用正庚烷進行的。
在例15中，用44mJ/cm2的曝光劑量得到了300nm線狀和間隔圖案(抗蝕圖)，並且沒有圖案變形。
(例16)——抗蝕圖的形成——除了將例1中製備的抗蝕覆蓋膜形成材料替換在例7中製備的抗蝕覆蓋膜形成材料用於形成厚度為30nm的抗蝕覆蓋膜以外，按照與例10中相同的方式來形成抗蝕圖。應注意，抗蝕覆蓋膜的去除(脫落)是使用正庚烷進行的。
在例16中，用43mJ/cm2的曝光劑量得到了300nm線狀和間隔圖案(抗蝕圖)，並且沒有圖案變形。
(例17)——抗蝕圖的形成——除了將例1中製備的抗蝕覆蓋膜形成材料替換為例8中製備的抗蝕覆蓋膜形成材料用於形成抗蝕覆蓋膜以外，按照與例10中相同的方式來形成抗蝕圖。應注意，抗蝕覆蓋膜的去除(脫落)是在使用2.38重量％TMAH鹼性顯影液對抗蝕膜進行顯影的同時進行的。
在例17中，用47mJ/cm2的曝光劑量得到了350nm線狀和間隔圖案(抗蝕圖)，但是，得到的抗蝕圖是T型頂，並且觀察到抗蝕圖的邊緣粗糙。我們發現，抗蝕圖的曝光靈敏度和圖案外形差於例10至例16中得到的抗蝕圖。
(例18)——抗蝕圖的形成——除了將例1中製備的抗蝕覆蓋膜形成材料替換為例9中製備的抗蝕覆蓋膜形成材料用於形成抗蝕覆蓋膜以外，按照與例10中相同的方式來形成抗蝕圖。應注意，抗蝕覆蓋膜的去除(脫落)是在使用2.38重量％TMAH鹼性顯影液對抗蝕膜進行顯影的同時進行的。
在例18中，用45mJ/cm2的曝光劑量得到了320nm線狀和間隔圖案(抗蝕圖)，但是，得到的抗蝕圖是T型頂，並且抗蝕圖觀察到抗蝕圖中的邊緣粗糙。我們發現，抗蝕圖的曝光靈敏度和圖案外形差於例10至例16中得到的抗蝕圖。
(比較例1)——抗蝕圖的形成——除了將抗蝕圖進行液浸曝光而沒有形成抗蝕覆蓋膜以外，按照與例10中相同的方式來形成抗蝕圖。
在比較例1中，用52mJ/cm2的曝光劑量得到了350nm線狀和間隔圖案(抗蝕圖)，但是，在抗蝕圖的間隔部分中觀察到殘餘物；得到的抗蝕圖是T型頂；並且在抗蝕圖的許多部分中觀察到邊緣粗糙。我們發現，抗蝕圖的曝光靈敏度、圖案外形和解析度性質明顯差於例10至例18中得到的抗蝕圖。
表1所示為例10至例18和比較例1中得到的抗蝕圖的曝光靈敏度和圖案外形。

(例19)——快閃記憶體及其製造——
例19舉例說明使用了本發明抗蝕覆蓋膜形成材料的本發明半導體器件及其製造方法的一個實施例。在例19中，抗蝕膜26、27、29和32是以與例10至例16相同的方法使用本發明抗蝕覆蓋膜形成材料形成的抗蝕膜。
圖5和圖6是FLOTOX型或ETOX型的FLASH EPROM的俯視圖(平面圖)。圖7至圖15是FLASH EPROM的製造方法的剖面示意圖。在這些圖中，左側視圖是存儲元件單元(第一元件區)在將要形成具有浮置柵電極的MOS電晶體的部分中在柵極寬度方向(圖5和圖6中的X方向)的剖面示意圖(沿線A-A的剖視圖)。中部視圖是該存儲元件單元在與左側視圖相同的部分中在與X方向垂直的柵極長度方向(圖5和圖6中的Y方向)的剖面示意圖(沿線B-B的剖視圖)。右側視圖是外圍電路單元(第二元件區)中將要形成MOS電晶體的部分的剖面示意圖(沿圖5和圖6中的線A-A的剖視圖)。
首先，在p型矽襯底22上的器件隔離區中選擇性地形成SiO2膜，從而產生SiO2膜的場氧化膜23(圖7)。接著，在存儲元件單元(第一元件區)中，通過熱氧化形成10nm到30nm(100埃到300埃)厚的SiO2膜，作為MOS電晶體中的第一柵極介電膜24a。在另一步驟中，在外圍電路單元(第二元件區)中，通過熱氧化形成10nm到50nm(100埃到500埃)厚的SiO2膜，作為MOS電晶體中的第二柵極介電膜24b。如果第一柵極介電膜24a和第二柵極介電膜24b具有相同的厚度，那麼這些氧化膜可以在一個步驟中同時形成。
接著，為了在存儲元件單元(圖7中的左側和中部視圖)中形成具有n型耗盡型溝道的MOS電晶體，用抗蝕膜26掩蔽外圍電路單元(圖7中的右側視圖)以控制閾值電壓。通過劑量為1×1011cm-2到1×1014cm-2的離子注入，將磷(P)或砷(As)作為n型摻雜劑注入到位於浮置柵電極正下方的、將成為溝道區的區域，從而產生第一閾值控制層25a。根據溝道是耗盡型還是堆積型(accumulation type)，可適當地選擇摻雜劑的劑量和導電類型。
下一步，為了在外圍電路單元(圖8中的右側視圖)中形成具有n型耗盡型溝道的MOS電晶體，用抗蝕膜27掩蔽存儲元件單元(圖8中的左側和中部視圖)以控制閾值電壓。通過劑量為1×1011cm-2到1×1014cm-2的離子注入，將磷(P)或砷(As)作為n型摻雜劑注入到位於柵電極正下方的、將成為溝道區的區域，從而產生第二閾值控制層25b。
在部件(article)的整個表面上形成50nm到200nm(500埃到2000埃)厚的第一多晶矽膜(第一導電膜)28，作為存儲元件單元(圖9中的左側和中部視圖)的MOS電晶體的浮置柵電極和外圍電路單元(圖9中的右側視圖)的MOS電晶體的柵電極。
參照圖10，然後形成抗蝕膜29，用抗蝕膜29作為掩模將第一多晶矽膜28圖案化，從而在存儲元件單元(圖10中的左側和中部視圖)中形成MOS電晶體的浮置柵電極28a。在此過程中，在X方向上將第一多晶矽膜28圖案化為具有預期的尺寸，而在Y方向上未將第一多晶矽膜28圖案化，從而留下被抗蝕膜29覆蓋的、將成為源極-漏極(S/D)層的區域。
除去抗蝕膜29，通過熱氧化形成大約20nm到50nm(200埃到500埃)厚的SiO2膜，產生電容介電膜30a，從而覆蓋浮置柵電極28a(圖11中的左側和中部視圖)。在此過程中，由SiO2膜製成的電容介電膜30b也形成在外圍電路單元(圖11中的右側視圖)的第一多晶矽膜28上。這些電容介電膜30a和30b僅由一層SiO2膜構成，但是它們可以包含具有二層或三層SiO2膜和Si3N4膜的多層膜。
接著，形成50nm到200nm(500埃到2000埃)厚的第二多晶矽膜(第二導電膜)31，從而覆蓋浮置柵電極28a和電容介電膜30a(圖11)。第二多晶矽膜31用作控制柵電極。
參照圖12，用抗蝕膜32掩蔽存儲元件單元(圖12中的左側和中部視圖)，通過蝕刻依次除去外圍電路單元(圖12中的右側視圖)中的第二多晶矽膜3 1和電容介電膜30b，從而從表面上暴露第一多晶矽膜28。
參照圖13，用抗蝕膜32作為掩模，在Y方向上將存儲元件單元(圖13中的左側和中部視圖)的第二多晶矽膜31、電容介電膜30a和第一多晶矽膜28a圖案化為具有第一柵極單元33a的目標尺寸，其中第一多晶矽膜28a已經僅在X方向上圖案化。因此，形成控制柵電極31a、電容介電膜30c和浮置柵電極28c的多層組合，其在Y方向上的寬度大約為1μm。另外，將外圍電路單元(圖13中的右側視圖)中的第一多晶矽膜28圖案化為具有第二柵極單元33b的目標尺寸，從而產生大約1μm寬的柵電極28b。
使用存儲元件單元(圖14中的左側和中部視圖)中的控制柵電極31a、電容介電膜30c和浮置柵電極28c的多層組合作為掩模，通過劑量為1×1014cm-2到1×1016cm-2的離子注入，將磷(P)或砷(As)注入到矽襯底22的元件形成區域，從而產生n型源極和漏極(S/D)區域層35a和35b。另外，使用外圍電路單元(圖14中的右側視圖)中的柵電極28b作為掩模，通過劑量為1×1014cm-2到1×1016cm-2的離子注入，將磷(P)或砷(As)作為n型摻雜劑注入到矽襯底22的元件形成區域，從而產生S/D區域層36a和36b。
形成大約500nm(5000埃)厚的磷矽玻璃膜(PSG膜)作為層間介電膜37，從而覆蓋存儲元件單元(圖15中的左側和中部視圖)中的第一柵極單元33a和外圍電路單元(圖15中的右側視圖)中的第二柵極單元33b。
接下來，在S/D區域層35a、35b、36a和36b上的層間介電膜37上分別形成接觸孔38a、38b、39a和39b。然後，分別形成S/D電極40a、40b、41a和41b。
這樣，製成作為半導體器件的FLASH EPROM(圖15)。
在上面製成的FLASH EPROM中，外圍電路單元(圖7至圖15中的右側視圖)中的第二柵極介電膜24b在其形成(圖7至圖15中的右側視圖)之後保持被第一多晶矽膜28或柵電極28b覆蓋，從而可保持其初始厚度。因此，可容易地控制第二柵極介電膜24b的厚度，並且可容易地控制導電摻雜劑的濃度，以控制閾值電壓。
在此實施例中，首先在柵極寬度方向(圖5和圖6中的X方向)進行圖案化而設定寬度，然後在柵極長度方向(圖5和圖6中的Y方向)進行圖案化而達到目標寬度，從而形成第一柵極單元33a。做為選擇，首先在柵極長度方向(圖5和圖6中的Y方向)進行圖案化而設定寬度，然後在柵極寬度方向(圖5和圖6中的X方向)進行圖案化而達到目標寬度，從而形成第一柵極單元33a。
除了將圖15所示步驟之後的步驟改為圖16、17和18所示的步驟之外，以與上述實施例中相同的方法製造另一FLASH EPROM。除了以下方面之外，這種製造方法與上述實施例類似。具體地，在存儲元件單元(圖16中的左側和中部視圖)中的第二多晶矽膜31和外圍電路單元(圖16中的右側視圖)中的第一多晶矽膜28上，形成大約200nm(2000埃)厚的鎢(W)膜或鈦(Ti)膜，作為難熔金屬膜(第四導電膜)42，從而產生多晶矽-金屬矽化物膜。圖16所示步驟之後的圖17和18所示的步驟以與圖13、14和15相同的方式進行，其詳細說明省略。
這樣，製成作為半導體器件的FLASH EPROM(圖18)。
上面製成的FLASH EPROM在控制柵電極31a和柵電極28b上具有難熔金屬膜(第四導電膜)42a和42b，因此可以進一步減小其電阻。
在此實施例中，難熔金屬膜42a和42b用作第四導電膜。做為選擇，可以使用難熔金屬矽化物膜，例如矽化鈦(TiSi)膜。
除了圖19、20和21所示的步驟之外，通過如同上述實施例中的製造工序製造又一FLASH EPROM。具體地，外圍電路單元(第二元件區)(圖19中的右側視圖)中的第二柵極單元33c具有多層結構，該多層結構包括依次排列的第一多晶矽膜(第一導電膜)28b、SiO2膜(電容介電膜)30d和第二多晶矽膜(第二導電膜)31b，如同在存儲元件單元(圖19中的左側和中部視圖)的第一柵極單元33a中。將第一多晶矽膜28b和第二多晶矽膜31b橋接，從而形成柵電極(圖20和21)。
更具體地，參照圖20，通過在不同於圖19所示的第二柵極單元33c的其他部分上，例如在介電膜54上形成穿透第一多晶矽膜(第一導電膜)28b、SiO2膜(電容介電膜)30d和第二多晶矽膜(第二導電膜)31b的開口52a，並且用例如為W膜或Ti膜的難熔金屬膜(第三導電膜)53a填充開口52a，從而將第一多晶矽膜28b和第二多晶矽膜31b橋接。或者，參照圖21，通過形成穿透第一多晶矽膜(第一導電膜)28b和SiO2膜(電容介電膜)30d的開口52b，從而使下層第一多晶矽膜28b在開口52b的底部露出，並且用例如為W膜或Ti膜的難熔金屬膜53b填充開口52b，將第一多晶矽膜28b和第二多晶矽膜31b橋接。
在上面製成的FLASH EPROM中，外圍電路單元中的第二柵極單元33c與存儲元件單元中的第一柵極單元33a具有相同的結構。因此，存儲元件單元與外圍電路單元可以通過相同的步驟形成，從而可有效簡化製造方法的步驟。
在此實施例中，第三導電膜53a或53b和難熔金屬膜(第四導電膜)42是分別形成的。做為選擇，作為共有難熔金屬膜，這些膜可以同時形成。
本發明可以解決傳統的問題並且達到上述目的。
本發明提供了一種抗蝕覆蓋膜形成材料，其可適用於液浸曝光的抗蝕覆蓋膜，以保護在液浸曝光技術中使用的流體中的抗蝕膜，該技術通過在曝光設備的物鏡和晶片之間充滿折射率「n」大於1(空氣的折射率)的介質(流體)實現解析度的改進，並且可以透射ArF受激準分子雷射等。
本發明還提供了一種形成抗蝕圖的方法，該方法可有效地在流體中保護抗蝕膜，也可有效地通過液浸曝光進行曝光而不損害抗蝕膜的功能，並且容易地和有效地形成精細、精確的抗蝕圖。
另外，本發明提供了一種製造半導體器件的方法，其中可通過液浸曝光而不損害抗蝕膜的功能形成精細、精確的抗蝕圖；可有效地大規模生產具有精細互連圖案的高性能半導體器件，該互連圖案是採用抗蝕圖形成的，並提供通過該製造半導體器件的方法所製造的具有精細互連圖案的高性能半導體器件。
由於本發明的抗蝕覆蓋膜形成材料能透射ArF受激準分子雷射、F2受激準分子雷射等，因而本發明的抗蝕覆蓋膜形成材料可適用於液浸曝光的抗蝕覆蓋膜，抗蝕覆蓋膜可保護液浸曝光技術使用的流體中的抗蝕膜，在該技術中通過在曝光設備的物鏡和晶片之間充滿折射率「n」大於1(空氣的折射率)的介質(流體)實現解析度的改進。
本發明的形成抗蝕圖的方法適用於製造功能部件，如掩模圖案、網狀圖案、磁頭、LCD(液晶顯示)、PDP(等離子體顯示板)和SAW濾波器(表面聲波濾波器)；用於連接光學互連的光學部件；如微觀激勵器的精細部件；半導體器件等，並且適於在製造本發明半導體器件的方法中使用。
本發明的半導體器件的製造方法適用於製造本發明的半導體器件。本發明的半導體器件適於在各種半導體器件的領域中使用，如快閃記憶體、DRAM和FRAM。
權利要求
1.一種抗蝕覆蓋膜形成材料，其包含在任一主鏈和側鏈上具有脂環骨架的樹脂，其中抗蝕覆蓋膜形成材料本身是非光敏性的，其用於形成在抗蝕膜經受液浸曝光時用於覆蓋抗蝕膜的抗蝕覆蓋膜。
2.根據權利要求1所述的抗蝕覆蓋膜形成材料，其中所述脂環骨架選自由環己烷、環戊烷、金剛烷、降莰烷、三環壬烷、二環辛烷、三環癸烷、四環十二烷及其衍生物組成的組中的至少一種。
3.根據權利要求1所述的抗蝕覆蓋膜形成材料，其中所述樹脂具有極性基團，並且該樹脂是鹼不溶性的。
4.根據權利要求3所述的抗蝕覆蓋膜形成材料，其中所述極性基團選自由羥基、羧基和二(三氟甲基)羥甲基組成的組中的至少一種。
5.根據權利要求1所述的抗蝕覆蓋膜形成材料，其中所述樹脂具有轉化為聚苯乙烯的1000至1000000的重均分子量。
6.根據權利要求1所述的抗蝕覆蓋膜形成材料，其中所述脂環骨架在樹脂中的含量以具有脂環基團的單體單元的摩爾分數表示時為30摩爾％或以上。
7.根據權利要求3所述的抗蝕覆蓋膜形成材料，其中所述極性基團在樹脂中的含量以具有極性基團的單體單元的摩爾分數表示時為小於40摩爾％。
8.根據權利要求1所述的抗蝕覆蓋膜形成材料，其進一步包含表面活性劑。
9.根據權利要求8所述的抗蝕覆蓋膜形成材料，其中所述表面活性劑選自下列組成的組中的至少一種含矽的表面活性劑、非離子表面活性劑、陽離子表面活性劑、陰離子表面活性劑和兩性表面活性劑，其中每一種都不含金屬離子。
10.根據權利要求1所述的抗蝕覆蓋膜形成材料，其進一步包含有機溶劑。
11.根據權利要求10所述的抗蝕覆蓋膜形成材料，其中所述有機溶劑選自由烴溶劑和具有三個或三個以上碳原子的脂肪族烷醇組成的組中的至少一種。
12.一種形成抗蝕圖的方法，其包括在要處理的工件表面上形成抗蝕膜，使用本發明的抗蝕覆蓋膜形成材料在抗蝕膜上形成抗蝕覆蓋膜，通過液浸曝光，使用於曝光的光透過抗蝕覆蓋膜照射抗蝕膜，以及使抗蝕膜顯影，其中抗蝕覆蓋膜形成材料包含在任一主鏈和側鏈上具有脂環骨架的樹脂；該抗蝕覆蓋膜形成材料本身是非光敏性的，其被用於形成抗蝕膜經受液浸曝光時覆蓋抗蝕膜的抗蝕覆蓋膜。
13.根據權利要求12所述的形成抗蝕圖的方法，其中所述抗蝕覆蓋膜具有10nm至300nm的厚度。
14.根據權利要求12所述的形成抗蝕圖的方法，其中所述抗蝕覆蓋膜是用塗覆法形成的。
15.根據權利要求12所述的形成抗蝕圖的方法，其中所述抗蝕覆蓋膜是用有機溶劑去除的，並且是用鹼性顯影液顯影的。
16.根據權利要求12所述的形成抗蝕圖的方法，其中用於液浸曝光的流體是水。
17.根據權利要求12所述的形成抗蝕圖的方法，其中用於曝光的光是具有193nm波長的ArF受激準分子雷射。
18.一種製造半導體器件的方法，其包括以下步驟形成抗蝕圖，以及圖案化，所述形成抗蝕圖包括在要處理的工件表面上形成抗蝕膜，採用抗蝕覆蓋膜形成材料在抗蝕膜上形成抗蝕覆蓋膜，通過液浸曝光，使用於曝光的光透過抗蝕覆蓋膜照射抗蝕膜，和使抗蝕膜顯影從而形成抗蝕圖；以及所述圖案化包括使用抗蝕圖作為掩模，通過蝕刻在要處理的工件表面上形成圖案，其中抗蝕覆蓋膜形成材料包含在任一主鏈和側鏈上具有脂環骨架的樹脂；該抗蝕覆蓋膜形成材料本身是非光敏性的，其被用於形成抗蝕膜經受液浸曝光時覆蓋抗蝕膜的抗蝕覆蓋膜。
19.一種由製造半導體器件的方法所製造的半導體器件，其中該製造半導體器件的方法包括以下步驟形成抗蝕圖，以及圖案化，所述形成抗蝕圖包括在要處理的工件表面上形成抗蝕膜，採用抗蝕覆蓋膜形成材料在抗蝕膜上形成抗蝕覆蓋膜，通過液浸曝光，使用於曝光的光透過抗蝕覆蓋膜照射抗蝕膜，使抗蝕膜顯影從而形成抗蝕圖；以及所述圖案化包括使用抗蝕圖作為掩模，通過蝕刻而在要處理的工件表面上形成圖案，其中抗蝕覆蓋膜形成材料包含在任一主鏈和側鏈上具有脂環骨架的樹脂；該抗蝕覆蓋膜形成材料本身是非光敏性的，其被用於形成抗蝕膜經受液浸曝光時覆蓋抗蝕膜的抗蝕覆蓋膜。
全文摘要
本發明提供一種抗蝕覆蓋膜形成材料，其可適用於液浸曝光用的抗蝕覆蓋膜，並可以透射ArF受激準分子雷射，並且提供使用抗蝕覆蓋膜形成材料來形成抗蝕圖的方法。該抗蝕覆蓋膜形成材料包含在任一主鏈和側鏈上具有脂環骨架的樹脂；它是非光敏的，並且用於形成在液浸曝光時覆蓋抗蝕膜的抗蝕覆蓋膜。形成抗蝕圖的方法包括在要處理的工件表面上形成抗蝕膜，用本發明的抗蝕覆蓋膜形成材料在抗蝕膜上形成抗蝕覆蓋膜，使用來曝光的光透過抗蝕覆蓋膜照射抗蝕膜進行液浸曝光，並使抗蝕膜顯影。
文檔編號G03F7/26GK101021682SQ20061009419
公開日2007年8月22日 申請日期2006年6月27日 優先權日2006年2月16日
發明者野崎耕司, 小澤美和 申請人:富士通株式會社