指紋識別顯示驅動電路和顯示裝置製造方法

2023-05-30 01:02:41

指紋識別顯示驅動電路和顯示裝置製造方法
【專利摘要】本發明公開了一種指紋識別顯示驅動電路和顯示裝置，包括：發光器件、驅動電晶體、指紋識別模塊和補償驅動模塊，指紋識別模塊包括：探測電極和識別控制單元，識別控制單元與探測電極和讀取線連接，驅動電晶體的控制極與補償驅動模塊連接；補償驅動模塊用於驅動電晶體驅動發光器件進行像素顯示時對驅動電晶體的控制極的電壓進行調整，以消除驅動管的閾值電壓對驅動電流的影響，從而保證了圖像顯示的均勻性。同時，指紋識別模塊的設置使得該驅動電路具備指紋識別功能，從而實現了指紋識別技術與AMOLED技術的結合，豐富了顯示裝置的功能。此外，指紋識別模塊和補償驅動模塊中的電晶體可共用控制線，從而減少像素單元內的布線，提升了像素單元的開口率。
【專利說明】指紋識別顯示驅動電路和顯示裝置

【技術領域】
[0001] 本發明涉及顯示【技術領域】，特別涉及指紋識別顯示驅動電路和顯示裝置。

【背景技術】
[0002] 目前，基於半導體電容效應的指紋識別技術已經成熟，人們可通過使用矽傳感器 來識別指紋信息。具體地，該矽感應器包括一探測電極，當手指置於探測電極上方時，探測 電極與手指表面形成感應電容，即探測電極作為感應電容的一個極板，手指作為感應電容 另一極板。由於指紋紋路的凹部與探測電極之間形成的感應電容的電容值較小，而凹部與 探測電極之間形成的感應電容的電容值較小，因此通過判斷感應電容的電容值的大小即可 判斷出對應的指紋紋路為凹部或凸部。相較於其他的指紋識別技術，基於半導體電容效應 的指紋識別技術所對應的識別裝置尺寸小、安全性高、獲取的指紋信息準確。因此，基於半 導體電容效應的指紋識別技術非常適合在安全防範和高檔消費類電子產品中使用。
[0003] 同時，有機發光顯不器（Active Matrix Organic Light Emitting Diode，AM0LED) 作為一種高檔消費類產品，是當今平板顯示器研究領域的熱點之一，與液晶顯示器（Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，TFT-LCD)相比，0LED 具有低能耗、生產成本 低、自發光、寬視角及響應速度快等優點，目前，在手機、PDA、數位相機等顯示領域0LED已 經開始取代傳統的LCD顯示屏。倘若能成功將基於半導體電容效應的指紋識別技術成功應 用到AM0LED技術中，則勢必會進一步的提升0LED產品的使用價值。


【發明內容】

[0004] 本發明提供一種指紋識別顯示驅動電路和顯示裝置，可實現顯示裝置的指紋識 另|J，同時還可減少顯示產品在生產過程中的製作工藝，節約成本，提高產品的開口率。
[0005] 為實現上述目的，本發明提供一種指紋識別顯示驅動電路，包括：發光器件、驅動 電晶體、指紋識別模塊和補償驅動模塊，所述指紋識別模塊包括：探測電極和識別控制單 元，所述識別控制單元與所述探測電極和讀取線連接，所述驅動電晶體的控制極與所述補 償驅動模塊連接；
[0006] 所述驅動電晶體用於驅動發光器件進行像素顯示；
[0007] 所述補償驅動模塊用於在所述驅動電晶體驅動發光器件進行像素顯示時對所述 驅動電晶體的控制極的電壓進行調整，以消除所述驅動管的閾值電壓對驅動電流的影響；
[0008] 所述探測電極用於與人體手指的指紋紋路產生感應電容；
[0009] 所述識別控制單元用於根據所述感應電容產生相應的電流信號，並將所述電流信 號通過讀取線發送至與所述讀取線連接的信號處理單元；
[0010] 所述信號處理單元對所電流信號進行處理，確定與所述探測電極對應的所述指紋 紋路為凸部或凹部。
[0011] 可選地，所述識別控制單元包括：識別重置單元、識別放大單元、識別傳輸單元和 基準電容，所述識別重置單元與所述探測電極連接，所述識別放大單元與所述探測電極、所 述基準電容和所述識別傳輸單元連接，所述識別傳輸單元與所述識別放大單元和所述讀取 線連接；
[0012] 所述識別重置單元用於對所述探測電極進行重置處理；
[0013] 所述識別放大單元用於根據所述基準電容和所述感應電容產生所述電流信號；
[0014] 所述識別傳輸單元用於將所述電流信號通過所訴讀取線發送至所述信號處理單 J Li 〇
[0015] 可選地，所述識別重置單元包括：識別第一電晶體，所述識別放大單元包括：識別 第二電晶體、所述識別傳輸單元包括：識別第三電晶體；
[0016] 所述識別第一電晶體的第二極、所述基準電容的第二端、所述識別第二電晶體的 控制極以及所述探測電極連接於第一節點；
[0017] 所述識別第一電晶體的第一極與第三電源端連接；
[0018] 所述識別第二電晶體的第一極與所述第三電源端連接，所述識別第二電晶體的第 二極與所述識別第三電晶體的第一極連接；
[0019] 所述識別第三電晶體的控制極與所述基準電容的第一端連接；所述識別第三晶體 管的第二極與所述讀取線連接；
[0020] 所述識別第一電晶體和所述識別第三電晶體均為開關電晶體，所述識別第二晶體 管為放大電晶體。
[0021] 可選地，所述補償驅動模塊包括：顯示第一電晶體、顯示第二電晶體、顯示第三晶 體管、顯示第四電晶體、顯示第五電晶體和第一電容；
[0022] 所述顯示第一電晶體的控制極與第二控制線連接，所述顯示第一電晶體的第一極 與第一電源端連接，所述顯示第一電晶體的第二極與所述第一電容的第一端連接；
[0023] 所述顯示第二電晶體的控制極與第三控制線連接，所述顯示第二電晶體的第一極 與所述第一電源端連接，所述顯示第二電晶體的第二極與所述驅動電晶體的第一極連接；
[0024] 所述顯示第三電晶體的控制極與第一控制線連接，所述顯示第三電晶體的第一極 與所述顯示第二電晶體的第二極連接，所述顯示第三電晶體的第二極與所述驅動電晶體的 控制極連接；
[0025] 所述顯示第四電晶體的控制極與所述第一控制線連接，所述顯示第四電晶體的第 一極與數據線連接，所述顯示第四電晶體的第二極與所述第一電容的第一端連接；
[0026] 所述顯示第五電晶體的控制極與所述第一控制線連接，所述顯示第五電晶體的第 一極與第四電源端連接，所述顯示第五電晶體的第二極與所述驅動電晶體的第二極連接；
[0027] 所述第一電容的第二端與所述驅動電晶體的控制極連接。
[0028] 可選地，所述識別第一電晶體的控制極與所述第三控制線連接，所述識別第三晶 體管的控制極與所述第二控制線連接。
[0029] 可選地，所述識別第一電晶體、所述識別第二電晶體、所述識別第三電晶體、所述 顯示第一電晶體、所述顯示第二電晶體、所述顯示第三電晶體、所述顯示第四電晶體和所述 顯示第五電晶體均為N型薄膜電晶體。
[0030] 可選地，所述補償驅動模塊包括：顯示第i^一電晶體、顯示第十二電晶體、顯示第 十三電晶體、顯示第十四電晶體、顯示第十五電晶體、顯示第十六電晶體和第二電容；
[0031] 所述顯示第十一電晶體的控制極與發光控制線連接，所述顯示第十一電晶體的第 一極與第一電源端連接，所述顯示第十一電晶體的第二極與所述驅動電晶體的第一極連 接；
[0032] 所述顯示第十二電晶體的控制極與第十三控制線連接，所述顯示第十二電晶體的 第一極與第五電源端連接，所述顯示第十二電晶體的第二極與所述第二電容的第一端連 接；
[0033] 所述顯示第十三電晶體的控制極與第十一控制線連接，所述顯示第十三電晶體的 第一極與數據線連接，所述顯示第十三電晶體的第二極與所述第二電容的第一端連接； [0034] 所述顯示第十四電晶體的控制極與所述第十二控制線連接，所述顯示第十四晶體 管的第一極與第六電源端連接，所述顯示第十四電晶體的第二極與所述驅動電晶體的控制 極連接；
[0035] 所述顯示第十五電晶體的控制極與所述第十三控制線連接，所述顯示第十五晶體 管的第一極與所述驅動電晶體的第二極連接，所述顯示第十五電晶體的第二極與所述驅動 電晶體的控制極連接；
[0036] 所述顯示第十六電晶體的控制極與所述第十一控制線連接，所述顯示第十六晶體 管的第一極與所述驅動電晶體的第二極連接，所述顯示第十六電晶體的第二極與所述發光 器件連接；
[0037] 所述第二電容的第二端與所述驅動電晶體的控制極連接。
[0038] 可選地，所述識別第一電晶體的控制極與所述第十二控制線連接，所述識別第三 電晶體的控制極與所述第十三控制線連接。
[0039] 可選地，所述識別第一電晶體的控制極與所述第十二控制線連接，所述識別第三 電晶體的控制極與所述第十一控制線連接。
[0040] 可選地，所述識別第一電晶體的控制極與所述第十三控制線連接，所述識別第三 電晶體的控制極與所述第十一控制線連接。
[0041] 可選地，所述識別第一電晶體、所述識別第二電晶體、所述識別第三電晶體、所述 顯示第十一電晶體、所述顯示第十二電晶體、所述顯示第十三電晶體、所述顯示第十四晶體 管、所述顯示第十五電晶體和所述顯示第十六電晶體均為P型薄膜電晶體。
[0042] 可選地，所述補償驅動模塊包括：顯示第二十一電晶體、顯示第二十二電晶體、顯 示第二十三電晶體、顯示第二十四電晶體、顯示第二十五電晶體和第三電容；
[0043] 所述顯示第二i^一電晶體的控制極與第二十二控制線連接，所述顯示第二i^一晶 體管的第一極與第一電源端連接，所述顯示第二十一電晶體的第二極與所述驅動電晶體的 第一極連接；
[0044] 所述顯示第二十二電晶體的控制極與第二i^一控制線連接，所述顯示第二十二晶 體管的第一極與數據線連接，所述顯示第二十二電晶體的第二極與所述驅動電晶體的第一 極連接；
[0045] 所述顯示第二十三電晶體的控制極與第二十三控制線連接，所述顯示第二十三晶 體管的第一極與第七電源端連接，所述顯示第二十三電晶體的第二極與所述驅動電晶體的 控制極連接；
[0046] 所述顯示第二十四電晶體的控制極與所述第二十一控制線連接，所述顯示第 二十四電晶體的第一極與所述驅動電晶體的第二極連接，所述顯示第二十四電晶體的第二 極與所述驅動電晶體的控制極連接；
[0047] 所述顯示第二十五電晶體的控制極與所述第二十二控制線連接，所述顯示第 二十五電晶體的第一極與所述驅動電晶體的第二極連接，所述顯示第二十五電晶體的第二 極與所述發光器件連接
[0048] 所述第三電容的第一端與所述第七電源端連接，所述第三電容的第二端與所述驅 動電晶體的控制極連接。
[0049] 可選地，所述識別第一電晶體的控制極與所述第二十三控制線連接，所述識別第 三電晶體的控制極與所述第二十一控制線連接。
[0050] 可選地，所述識別第一電晶體的控制極與所述第二十三控制線連接，所述識別第 三電晶體的控制極與所述第二十二控制線連接。
[0051] 可選地，識別第一電晶體的控制極與所述第二十一控制線連接，所述識別第三晶 體管的控制極與所述第二十二控制線連接
[0052] 可選地，所述識別第一電晶體、所述識別第二電晶體、所述識別第三電晶體、所述 顯示第二十一電晶體、所述顯示第二十二電晶體、所述顯示第二十三電晶體、所述顯示第 二十四電晶體和所述顯示第二十五電晶體均為P型薄膜電晶體。
[0053] 可選地，所述補償驅動模塊包括：顯示第三十一電晶體、顯示第三十二電晶體、顯 示第三十三電晶體、顯示第三十四電晶體、顯示第三十五電晶體和第四電容；
[0054] 所述顯示第三十一電晶體的控制極與第三十三控制線連接，所述顯示第三十一晶 體管的第一極與第一電源端連接，所述顯示第三十一電晶體的第二極與所述驅動電晶體的 第一極連接；
[0055] 所述顯示第三十二電晶體的控制極與第三十一控制線連接，所述顯示第三十二晶 體管的第一極與第八電源端連接，所述顯示第三十二電晶體的第二極與所述第四電容的第 一端連接；
[0056] 所述顯示第三十三電晶體的控制極與第三十二控制線連接，所述顯示第三十三晶 體管的第一極與所述第四電容的第一端連接，所述顯示第三十三電晶體的第二極與所述驅 動電晶體的控制極連接；
[0057] 所述顯示第三十四電晶體的控制極與所述第三十一控制線連接，所述顯示第 三十四電晶體的第一極與數據線連接，所述顯示第三十四電晶體的第二極與所述驅動晶體 管的控制極連接；
[0058] 所述顯示第三十五電晶體的控制極與所述第三十一控制線連接，所述顯示第 三十五電晶體的第一極與所述驅動電晶體的第二極連接，所述顯示第三十五電晶體的第二 極與第九電源端連接；
[0059] 所述第二電容的第二端與所述驅動電晶體的第一極連接。
[0060] 可選地，所述識別第一電晶體的控制極與所述第三十一控制線連接，所述識別第 三電晶體的控制極與所述第三十二控制線連接。
[0061] 可選地，所述識別第一電晶體、所述識別第二電晶體、所述識別第三電晶體、所述 顯示第三十一電晶體、所述顯示第三十二電晶體、所述顯示第三十三電晶體、所述顯示第 三十四電晶體和所述顯示第三十五電晶體均為P型薄膜電晶體。
[0062] 可選地，所述識別第一電晶體、所述識別第二電晶體、所述顯示第三十一電晶體、 所述顯示第三十二電晶體、所述顯示第三十四電晶體和所述顯示第三十五電晶體均為P型 薄膜電晶體；
[0063] 所述識別第三電晶體和所述顯示第三十三電晶體均為N型薄膜電晶體；
[0064] 所述第三十一控制線和所述第三十二控制線為同一條控制線。
[0065] 可選地，所述補償驅動模塊包括：顯示第四十一電晶體、顯示第四十二電晶體、顯 示第四十三電晶體、顯示第四十四電晶體、顯示第四十五電晶體、顯示第四十六電晶體和第 五電容；
[0066] 所述顯示第四十一電晶體的控制極與第四十二控制線連接，所述顯示第四十一晶 體管的第一極與第一電源端連接，所述顯示第四十一電晶體的第二極與所述驅動電晶體的 第一極連接；
[0067] 所述顯示第四十二電晶體的控制極與第四十一控制線連接，所述顯示第四十二晶 體管的第一極與數據線連接，所述顯示第四十二電晶體的第二極與所述驅動電晶體的第一 端連接；
[0068] 所述顯示第四十三電晶體的控制極與第四十三控制線連接，所述顯示第四十三晶 體管的第一極與第十電源連接，所述顯示第四十三電晶體的第二極與所述第五電容的第一 端連接；
[0069] 所述顯示第四十四電晶體的控制極與所述第四十一控制線連接，所述顯示第 四十四電晶體的第一極與所述驅動電晶體的第二極連接，所述顯示第四十四電晶體的第二 極與所述驅動電晶體的控制極連接；
[0070] 所述顯示第四十五電晶體的控制極與所述第四十二控制線連接，所述顯示第 四十五電晶體的第一極與所述驅動電晶體的第二極連接，所述顯示第四十五電晶體的第二 極與所述發光器件連接；
[0071] 所述顯示第四十六電晶體的控制極與所述第四十二控制線連接，所述顯示第 四十六電晶體的第一極與數據線連接，所述顯示第四十六電晶體的第二極與所述第五電容 的第一端連接；
[0072] 所述第五電容的第二端與所述驅動電晶體的控制極連接。
[0073] 可選地，所述識別第一電晶體的控制極與所述第四十三控制線連接，所述識別第 三電晶體的控制極與所述第四十一控制線連接。
[0074] 可選地，所述識別第一電晶體的控制極與所述第四十三控制線連接，所述識別第 三電晶體的控制極與所述第四十二控制線連接。
[0075] 可選地，所述識別第一電晶體的控制極與所述第四十一控制線連接，所述識別第 三電晶體的控制極與所述第四十二控制線連接。
[0076] 可選地，所述識別第一電晶體、所述識別第二電晶體、所述識別第三電晶體、所述 顯示第四十一電晶體、所述顯示第四十二電晶體、所述顯示第四十三電晶體、所述顯示第 四十四電晶體、所述顯示第四十五電晶體和所述顯示第四十六電晶體均為P型薄膜晶體 管。
[0077] 為實現上述目的，本發明提供一種顯示裝置，包括：若干個像素單元，至少一個像 素單元內設置有如上述的指紋識別顯示驅動電路。
[0078] 可選地，當設置有所述指紋識別顯示驅動電路的像素單元的數量為多個時，設置 有所述指紋識別顯示驅動電路的全部所述像素單元均勻分布。
[0079] 本發明具有以下有益效果：
[0080] 本發明提供了一種指紋識別顯示驅動電路和顯示裝置，該驅動電路包括：發光器 件、驅動電晶體、指紋識別模塊和補償驅動模塊，其中補償驅動模塊用於驅動電晶體驅動發 光器件進行像素顯示時對驅動電晶體的控制極的電壓進行調整，以消除驅動管的閾值電壓 對驅動電流的影響，從而保證了圖像顯示的均勻性。同時，指紋識別模塊的設置使得該指紋 識別顯示驅動電路具備指紋識別功能，從而實現了指紋識別技術與AM0LED技術的結合，豐 富了顯示裝置的功能。更重要的是，指紋識別模塊和補償驅動模塊中的電晶體可共用控制 線，從而有效的減少了像素單元內的布線，提升了像素單元的開口率。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0081] 圖1為本發明實施例一提供的指紋識別顯示驅動電路的結構示意圖；
[0082] 圖2為指紋紋路與探測電極相對時的示意圖；
[0083] 圖3為指紋識別模塊的結構示意圖；
[0084] 圖4為本發明實施例二提供的指紋識別顯示驅動電路的結構示意圖；
[0085] 圖5為圖4所示的指紋識別顯示驅動電路的時序圖；
[0086] 圖6為本發明實施例三提供的指紋識別顯示驅動電路的結構示意圖；
[0087] 圖7為圖6所不的指紋識別顯不驅動電路的時序圖；
[0088] 圖8為圖6所示指紋識別顯示驅動電路的一種變形方案的示意圖；
[0089] 圖9為圖6所示指紋識別顯示驅動電路的又一種變形方案的示意圖；
[0090] 圖10為本發明實施例四提供的指紋識別顯示驅動電路的結構示意圖；
[0091] 圖11為圖10所不的指紋識別顯不驅動電路的時序圖；
[0092] 圖12為圖10所示指紋識別顯示驅動電路的一種變形方案的示意圖；
[0093] 圖13為圖11所示指紋識別顯示驅動電路的又一種變形方案的示意圖；
[0094] 圖14為本發明實施例五提供的指紋識別顯示驅動電路的結構示意圖；
[0095] 圖15為圖14所示的指紋識別顯示驅動電路的時序圖；
[0096] 圖16為圖14所示指紋識別顯示驅動電路的一種變形方案的示意圖；
[0097] 圖17為本發明實施例六提供的指紋識別顯示驅動電路的結構示意圖；
[0098] 圖18為圖17所不的指紋識別顯不驅動電路的時序圖；
[0099] 圖19為圖17所示指紋識別顯示驅動電路的一種變形方案的示意圖；
[0100] 圖20為圖17所示指紋識別顯示驅動電路的又一種變形方案的示意圖；
[0101] 圖21為當設置有本發明提供的指紋識別顯示驅動電路的像素單元的數量為多個 時的示意圖。

【具體實施方式】
[0102] 為使本領域的技術人員更好地理解本發明的技術方案，下面結合附圖對本發明提 供的指紋識別顯示驅動電路和顯示裝置進行詳細描述。
[0103] 圖1為本發明實施例一提供的指紋識別顯示驅動電路的結構示意圖，圖2為指紋 紋路與探測電極相對時的示意圖，圖3為指紋識別模塊的結構示意圖，如圖1至圖3所示， 該驅動電路包括：發光器件OLED、驅動電晶體DTFT、指紋識別模塊2和補償驅動模塊1，其 中，指紋識別模塊2包括：探測電極d和識別控制單元3,識別控制單元3與探測電極d和 讀取線連接，驅動電晶體DTFT的控制極與補償驅動模塊1連接；驅動電晶體DTFT用於驅動 發光器件0LED進行像素顯示；補償驅動模塊1用於在驅動電晶體DTFT驅動發光器件0LED 進行像素顯示時對驅動電晶體DTFT的控制極的電壓進行調整，以消除驅動電晶體DTFT的 閾值電壓對驅動電流的影響；探測電極d用於與人體手指的指紋紋路產生感應電容Cf ;識 別控制單元3用於根據感應電容Cf產生相應的電流信號，並將電流信號通過讀取線發送至 與讀取線連接的信號處理單元（圖中未示出）；信號處理單元對所電流信號進行處理，確定 與探測電極d對應的指紋紋路為凸部或凹部。
[0104] 本發明提供的指紋識別顯示驅動電路中包括補償驅動模塊1 ;補償驅動模塊1用 於驅動電晶體DTFT驅動發光器件0LED進行像素顯示時對驅動電晶體DTFT的控制極的電 壓進行調整，以消除驅動電晶體的閾值電壓對驅動電流的影響，從而保證了圖像顯示的均 勻性。同時，在指紋識別顯示驅動電路中還包括指紋識別模塊2,使得該指紋識別顯示驅動 電路具備指紋識別功能。
[0105] 在本實施例中，識別控制單元3包括：識別重置單元、識別放大單元、識別傳輸單 元和基準電容，識別重置單元與探測電極d連接，識別放大單元與探測電極d、基準電容和 識別傳輸單元連接，識別傳輸單元與識別放大單元和讀取線連接；識別重置單元用於對探 測電極d進行重置處理；識別放大單元用於根據基準電容和感應電容產生電流信號；識別 傳輸單元用於將電流信號通過所訴讀取線發送至信號處理單元。
[0106] 進一步地，識別重置單元包括：識別第一電晶體M1，識別放大單元包括：識別第二 電晶體M2、識別傳輸單元包括：識別第三電晶體M3 ;識別第一電晶體Ml的第二極、基準電 容的第二端、識別第二電晶體M2的控制極以及探測電極d連接於第一節點；識別第一晶體 管Ml的第一極與第三電源端4連接；識別第二電晶體M2的第一極與第三電源端4連接，識 別第二電晶體M2的第二極與識別第三電晶體M3的第一極連接；識別第三電晶體M3的控制 極與基準電容的第一端連接；識別第三電晶體M3的第二極與讀取線連接；識別第一電晶體 Ml和識別第三電晶體M3均為開關電晶體，且兩者的控制極分別連接有控制其通斷的控制 線，識別第二電晶體M2為放大電晶體。
[0107] 本實施例中指紋識別模塊2的工作原理如下：
[0108] 首先，識別第一電晶體Ml每隔一定周期對探測電極d上的電壓進行重置，從而保 證了後續測量的精確性。然後，當手指觸摸到顯示屏時，手指與探測電極d之間形成感應電 容Cf，同時識別第二電晶體M2自身存在寄生電容Ct，識別第二電晶體M2的控制極的電壓 在感應電容Cf、寄生電容Ct和基準電容Cs的作用下發生變化（識別第二電晶體M2的控制 極電壓的大小由感應電容Cf與寄生電容Ct和基準電容Cs的佔有比所決定），識別第二晶 體管M2的第二極產生的電流信號的電流大小也會發生變化。最後，該電流信號通過識別第 三電晶體M3、讀取線被傳送至信號處理單元，信號處理單元對電流信號進行處理，確定與探 測電極d對應的手指的指紋紋路為凸部或凹部。
[0109] 下面結合附圖來對信號處理單元的工作原理進行詳細的說明，其中假定識別第二 電晶體M2為P型薄膜電晶體。
[0110] 參考圖2和圖3,當凹部的指紋紋路與探測電極d相對時，凹部與探測電極d形成 的感應電容Cf，又由於凹部的指紋紋路表面與探測電極d之間的距離較大，則此時感應電 容Cf的電容值較小（感應電容Cf相對寄生電容Ct和基準電容Cs足夠小），相應識別第 二電晶體M2的控制極上的電壓會增大，從而使得識別第二電晶體M2處於截止狀態，此時 信號處理單元接收到電流信號為讀取線上加載的初始電流信號，該初始電流信號電流值較 小。當凸部的指紋紋路與探測電極d相對時，凸部與探測電極d形成的感應電容Cf，又由 於凸部的指紋紋路表面與探測電極d之間的距離較小，則此時的感應電容Cf的電容值較大 (感應電容Cf相對寄生電容Ct和基準電容Cs足夠大），相應識別第二電晶體M2的控制極 上的電壓會減小，從而使得識別第二電晶體M2處於放大開啟狀態，因此會有電流通過識別 第三電晶體M3,此時信號處理單元接收到電流信號的是經過放大的電流信號，該放大的電 流信號的電流值較大。
[0111] 因此，在識別第二電晶體M2為P型薄膜電晶體的前提下，可預先設置一參考電流 值，當信號處理單元接收到的電流信號的電流值大於參考電流值時，則判斷出探測電極d 對應手指的凸部；當信號處理單元接收到的電流信號的電流值小於參考電流值時，則判斷 出探測電極d對應手指的凹部。
[0112] 此外，當識別第二電晶體M2為N型薄膜電晶體時，若凹部的指紋紋路與探測電極d 相對，凹部與探測電極d形成的電容值較小的感應電容Cf，相應的識別第二電晶體M2的控 制極上的電壓會增大，從而使得識別第二電晶體M2處於放大開啟狀態，此時信號處理單元 接收到電流值較大的電流信號；若凸部的指紋紋路與探測電極d相對，凸部與探測電極d形 成的電容值較大的感應電容Cf，相應的識別第二電晶體M2的控制極上的電壓會減小，從而 使得識別第二電晶體M2處於截止狀態，此時信號處理單元接收到電流值較小的電流信號。
[0113] 因此，在識別第二電晶體M2為N型薄膜電晶體的前提下，可預先設置一參考電流 值，當信號處理單元接收到的電流信號的電流值大於參考電流值時，則判斷出探測電極d 對應手指的凹部；當信號處理單元接收到的電流信號的電流值小於參考電流值時，則判斷 出探測電極d對應指紋紋路的凸部。
[0114] 在實際應用中，可通過若干個包含有本發明提供的指紋識別顯示驅動電路的像素 單元來進行採集完整的指紋紋路信息，而每個進行指紋紋路信息採集的像素單元的坐標位 置，其橫坐標可以通過識別第三電晶體M3的控制極所連接的控制線的掃描來確定，其縱坐 標可以通過可通過讀取線的掃描來確定。
[0115] 需要說明的是，由於本發明採用的低溫多晶娃（Low Temperature Poly-silicon, LTPS)的AM0LED製程，這種多個薄膜電晶體加電容的設計，不會影響到模組的開口率。
[0116] 本發明實施例一提供了一種指紋識別顯示驅動電路，該驅動電路包括：發光器件 0LED、驅動電晶體DTFT、指紋識別模塊和補償驅動模塊，其中補償驅動模塊用於驅動電晶體 DTFT驅動發光器件0LED進行像素顯示時對驅動電晶體DTFT的控制極的電壓進行調整，以 消除驅動電晶體DTFT的閾值電壓對驅動電流的影響，從而保證了圖像顯示的均勻性。同 時，指紋識別模塊的設置使得該指紋識別顯示驅動電路具備指紋識別功能，從而實現了指 紋識別技術與AM0LED技術的結合，豐富了顯示裝置的功能。
[0117] 實施例二
[0118] 圖4為本發明實施例二提供的指紋識別顯示驅動電路的結構示意圖，如圖4所示， 該指紋識別顯示驅動電路包括發光器件0LED、驅動電晶體DTFT、指紋識別模塊和補償驅動 模塊，其中，指紋識別模塊的具體結構和工作原理可參見上述實施例一中的描述，此處不再 贅述；補償驅動模塊包括：顯示第一電晶體T1、顯示第二電晶體T2、顯示第三電晶體T3、顯 示第四電晶體T4、顯示第五電晶體T5和第一電容C1 ;顯示第一電晶體T1的控制極與第二 控制線連接，顯示第一電晶體T1的第一極與第一電源端5連接，顯示第一電晶體T1的第二 極與第一電容C1的第一端連接；顯示第二電晶體T2的控制極與第三控制線連接，顯示第二 電晶體T2的第一極與第一電源端5連接，顯示第二電晶體T2的第二極與驅動電晶體DTFT 的第一極連接；顯示第三電晶體T3的控制極與第一控制線連接，顯示第三電晶體T3的第一 極與顯示第二電晶體T2的第二極連接，顯示第三電晶體T3的第二極與驅動電晶體DTFT的 控制極連接；顯示第四電晶體T4的控制極與第一控制線連接，顯示第四電晶體T4的第一極 與數據線連接，顯示第四電晶體T4的第二極與第一電容C1的第一端連接；顯示第五電晶體 T5的控制極與第一控制線連接，顯示第五電晶體T5的第一極與第四電源端7連接，顯示第 五電晶體T5的第二極與驅動電晶體DTFT的第二極連接；第一電容C1的第二端與驅動晶體 管DTFT的控制極連接。
[0119] 需要說明的是，本實施例中的驅動電晶體DTFT為N型薄膜電晶體。
[0120] 進一步地，識別第一電晶體Ml的控制極與第三控制線連接，識別第三電晶體M3的 控制極與第二控制線連接。
[0121] 需要說明的是，本發明實施例二中提到的識別第一電晶體Ml、識別第三電晶體 M3、顯示第一電晶體T1、顯示第二電晶體T2、顯示第三電晶體T3、顯示第四電晶體T4和顯示 第五電晶體T5在電路中均起到控制線路通斷的開關作用。進一步地，上述起到開關作用的 電晶體可以是薄膜電晶體（Thin Film Transistor,簡稱TFT),也可以是金屬氧化物半導體 場效應管（Metal Oxide Semiconductor,簡稱M0S)，在此不做限定。在本實施例中，電晶體 的控制極是指電晶體的柵極，電晶體的第一極是指電晶體的源極，相應的第二極是指晶體 管的漏極。在描述具體實施例時，以上述起到開關作用的電晶體都為薄膜電晶體為例進行 說明的。
[0122] 可選地，識別第一電晶體Ml、識別第二電晶體M2、識別第三電晶體M3、顯示第一晶 體管T1、顯示第二電晶體T2、顯示第三電晶體T3、顯示第四電晶體T4和顯示第五電晶體T5 均為N型薄膜電晶體。本實施例中，將所有的電晶體均設置為N型薄膜電晶體，從而在生產 過程中可採用相同工藝同時形成上述的N型薄膜電晶體，進而簡化了製造工藝，同時節約 了成本。本領域技術人員可以理解的是，在實際應用中，各個電晶體的類型也可以不完全相 同，只要能夠使控制端連接到同一掃描信號線的兩個薄膜電晶體的導通/截止狀態相同， 即可實現本申請提供的技術方案，本發明優選的實施方式不應理解為對本發明保護範圍的 限定。
[0123] 下面結合附圖來對本實施例提供的指紋識別顯示驅動電路的工作過程進行詳細 描述。
[0124] 圖5為圖4所示的指紋識別顯示驅動電路的時序圖，如圖5所示，圖4所示的指紋 識別顯示驅動電路的工作過程包括四個工作階段。此外，在圖4中第一電源端5提供高電 平Vdd信號，第二電源端6和第四電源端7提供低電平Vss信號或接地，本實施例以接地的 情況為例，第三電源端4提供公共電平Vcc信號，數據線上加載有數據電壓Vdata，驅動晶體 管DTFT的閾值電壓為Vth。
[0125] 第一階段，第一控制線處於高電平，第二控制線處於低電平，第三控制線處於高電 平。
[0126] 在指紋識別模塊內，識別第一電晶體Ml導通，識別第三電晶體M3截止。此時，第 一節點的電壓為Vcc，即探測電極d上的電壓為Vcc，探測電極d進行了重置處理。同時，識 別第二電晶體M2處於截止狀態。
[0127] 在補償驅動模塊內，顯示第一電晶體T1截止，顯示第二電晶體T2、顯示第三晶體 管T3、顯示第四電晶體T4和顯示第五電晶體T5均導通。數據線向第一電容C1的第一端輸 出電壓Vdata，第一電源端5向第一電容C1的第二端輸出高電平Vdd，即圖中a點的電壓為 Vdata，b點的電壓為Vdd，第一電容C1兩端電壓差為Vdd-Vdata。
[0128] 第二階段，第一控制線處於高電平，第二控制線處於低電平，第三控制線處於低電 平。
[0129] 在指紋識別模塊內，識別第一電晶體Ml和識別第三電晶體M3均截止。探測電極 d上的電壓維持在Vcc。同時，識別第二電晶體M2維持截止狀態。
[0130] 在補償驅動模塊內，顯示第一電晶體T1和顯示第二電晶體T2均截止，顯示第三晶 體管T3、顯示第四電晶體T4和顯示第五電晶體T5均導通。在第二階段的初期，驅動電晶體 DTFT處於導通狀態，第一電容C1的第二端經過顯示第三電晶體T3、驅動電晶體DTFT、顯示 第五電晶體T5以及第四電源端7形成的通路進行放電，直到第一電容C1的第二端的電壓 為Vth時驅動電晶體DTFT截止，第一電容C1放電結束。此時，a點的電壓為Vdata，b點的 電壓為Vth，第一電容C1兩端電壓差為Vth-Vdata。
[0131] 第三階段，第一控制線處於低電平，第二控制線處於高電平，第三控制線處於低電 平。
[0132] 在指紋識別模塊內，識別第一電晶體Ml截止，識別第三電晶體M3導通。若此時 探測電極d上的指紋紋路為凹部，則凹部與探測電極d之間形成電容值較小的感應電容 Cf (感應電容Cf相對寄生電容Ct和基準電容Cs足夠小），識別第二電晶體M2處於放大導 通狀態（本實施例中識別第二電晶體M2為N型薄膜電晶體），讀取線中為電流值較大的電 流信號，信號處理單元根據該電流值較大的電流信號可以判斷出探測電極d上的指紋紋路 為凹部；若此時探測電極d上的指紋紋路為凸部，則凸部與探測電極d之間形成電容值較 大的感應電容Cf (感應電容Cf相對寄生電容Ct和基準電容Cs足夠大），識別第二電晶體 M2處於截止狀態，讀取線中為電流值較小的電流信號，信號處理單元根據該電流值較小的 電流信號可以判斷出探測電極d上的指紋紋路為凸部，指紋別識別完成。
[0133] 在補償驅動模塊內，顯示第一電晶體T1導通，顯示第二電晶體T2、顯示第三晶體 管T3、顯示第四電晶體T4和顯示第五電晶體T5均截止。此時，第一電源端5與第一電容 C1的第一端導通，第一電容C1第一端的電壓由Vdata調變為Vdd，而為維持第一電容C1兩 端的電壓差為Vth-Vdata，第一電容C1的第二端電壓跳變為Vth+Vdd-Vdata。相應地，驅動 電晶體DTFT控制極的電壓為Vth+Vdd-Vdata。
[0134] 第四階段，第一控制線處於低電平，第二控制線處於低電平，第三控制線處於高電 平。
[0135] 在指紋識別模塊內，識別第一電晶體Ml導通，識別第三電晶體M3截止，探測電極 d再次重置。
[0136] 在補償驅動模塊內，顯示第二電晶體T2和驅動電晶體DTFT導通，顯示第一電晶體 T1、顯示第三電晶體T3、顯示第四電晶體T4和顯示第五電晶體T5均截止。驅動電晶體DTFT 驅動發光器件0LED進行像素顯示，驅動電晶體DTFT的控制極電壓維持在Vth+Vdd-Vdata， 由驅動電晶體DTFT的飽和驅動電流公式可得：
[0137] I = K* (Vgs-Vth)2
[0138] = K*(Vdd+Vth-Vdata-Voled-Vth)2
[0139] = K* (Vdd-Vdata-Voled)2
[0140] 其中，K為一個常量，Vgs為驅動電晶體DTFT的柵源電壓，Voled為發光器件OLED 的工作電壓，為所有像素單元共享。通過上式可知，驅動電晶體DTFT的驅動電流I與數據 電壓Vdata、第一電源端5的輸出電壓Vdd以及發光器件0LED的工作電壓Voled相關，而 與驅動電晶體DTFT的閾值電壓Vth無關。本實施例中，在驅動電晶體DTFT驅動發光器件 0LED進行像素顯示時，驅動電晶體DTFT的驅動電流與驅動電晶體DTFT的閾值電壓無關，可 避免流過發光器件0LED的驅動電流受到閾值電壓不均勻和漂移的影響，從而有效的提高 了流過發光器件0LED的驅動電流的均勻性。同時，在驅動電晶體DTFT驅動發光器件0LED 進行像素顯示時，探測電極d再次進行重置，且在重置處理完成後指紋識別模塊停止工作， 從而減小了紋識別模塊對發光器件0LED在顯示過程中的影響。
[0141] 需要說明的是，包含有圖4所示的指紋識別顯示驅動電路的像素單元，其橫坐標 可通過第二控制線的掃描來確定，其縱坐標可通過讀取線的掃描來確定。
[0142] 本發明實施例二提供的指紋識別顯示驅動電路，一方面實現了指紋識別技術與 AM0LED技術的結合，豐富了顯示裝置的功能，另一方面還實現了對驅動電晶體DTFT的閾 值補償，從而提高了流過發光器件0LED的驅動電流的均勻性，提升可顯示裝置的性能。此 夕卜，在本實施例中，補償驅動模塊內的顯示第一電晶體TI與指紋識別模塊內的識別第三晶 體管M3共用第二控制線，補償驅動模塊內的顯示第一電晶體TI與指紋識別模塊內的識別 第三電晶體M3共用第三控制線，因此可有效的減少驅動電路中布線，從而有效的提升了像 素單元的開口率。
[0143] 實施例三
[0144] 圖6為本發明實施例三提供的指紋識別顯示驅動電路的結構示意圖，如圖6所示， 該指紋識別顯示驅動電路包括發光器件0LED、驅動電晶體DTFT、指紋識別模塊和補償驅動 模塊，其中，指紋識別模塊的具體結構和工作原理可參見上述實施例一中的描述，此處不再 贅述；補償驅動模塊包括：顯示第十一電晶體T11、顯示第十二電晶體T12、顯示第十三晶體 管T13、顯示第十四電晶體T14、顯示第十五電晶體T15、顯示第十六電晶體T16和第二電容 C2 ;其中，顯示第十一電晶體T11的控制極與發光控制線連接，顯示第十一電晶體T11的第 一極與第一電源端5連接，顯示第十一電晶體T11的第二極與驅動電晶體DTFT的第一極連 接；顯示第十二電晶體T12的控制極與第十三控制線連接，顯示第十二電晶體T12的第一 極與第五電源端8連接，顯示第十二電晶體T12的第二極與第二電容C2的第一端連接；顯 示第十三電晶體T13的控制極與第十一控制線連接，顯示第十三電晶體T13的第一極與數 據線連接，顯示第十三電晶體T13的第二極與第二電容C2的第一端連接；顯示第十四晶體 管T14的控制極與第十二控制線連接，顯示第十四電晶體T14的第一極與第六電源端9端 連接，顯示第十四電晶體T14的第二極與驅動電晶體DTFT的控制極連接；顯示第十五晶體 管T15的控制極與第十三控制線連接，顯示第十五電晶體T15的第一極與驅動電晶體DTFT 的第二極連接，顯示第十五電晶體T15的第二極與驅動電晶體DTFT的控制極連接；顯示第 十六電晶體T16的控制極與第十一控制線連接，顯示第十六電晶體T16的第一極與驅動晶 體管DTFT的第二極連接，顯示第十六電晶體T16的第二極與發光器件OLED連接；第二電容 C2的第二端與驅動電晶體DTFT的控制極連接。
[0145] 需要說明的是，本實施例中的驅動電晶體DTFT為P型薄膜電晶體。
[0146] 進一步地，識別第一電晶體Ml的控制極與第十二控制線連接，識別第三電晶體M3 的控制極與第十三控制線連接。
[0147] 需要說明的是，本實施例中提到的識別第一電晶體Ml、識別第三電晶體M3、顯示 第十一電晶體T11、顯示第十二電晶體T12、顯示第十三電晶體T13、顯示第十四電晶體T14、 顯示第十五電晶體T15和顯示第十六電晶體T16在電路中均起到控制線路通斷的開關作 用。進一步地，上述起到開關作用的電晶體可以是薄膜電晶體，也可以是金屬氧化物半導體 場效應管，在此不做限定。在本實施例中，電晶體的控制極是指電晶體的柵極，電晶體的第 一極是指電晶體的源極，相應的第二極是指電晶體的漏極。
[0148] 可選地，識別第一電晶體Ml、識別第二電晶體M2、識別第三電晶體M3、顯示第十一 電晶體T11、顯示第十二電晶體T12、顯示第十三電晶體T13、顯示第十四電晶體T14、顯示第 十五電晶體T15和顯示第十六電晶體T16均為P型薄膜電晶體。本實施例中，將所有的晶 體管均設置為P型薄膜電晶體，從而在生產過程中可採用相同工藝同時形成上述的P型薄 膜電晶體，進而簡化了製造工藝，同時節約了成本。
[0149] 下面結合附圖來對本實施例提供的指紋識別顯示驅動電路的工作過程進行詳細 描述。
[0150] 圖7為圖6所示的指紋識別顯示驅動電路的時序圖，如圖7所示，圖6所示的指紋 識別顯示驅動電路的工作過程包括四個工作階段。此外，在圖6中，第一電源端5提供高電 平Vdd信號，第二電源端6、第五電源端8和第六電源端9提供低電平Vss信號或接地，本 實施例以接地的情況為例，第三電源端4提參考電平Vcc信號，數據線上加載有數據電壓 Vdata，驅動電晶體DTFT的閾值電壓為Vth。
[0151] 第一階段，發光控制線處於高電平，第十一控制線處於高電平，第十二控制線處於 低電平，第十三控制線處於高電平。
[0152] 在指紋識別模塊內，識別第一電晶體Ml導通，識別第三電晶體M3截止。此時，第 一節點的電壓為Vcc，即探測電極d上的電壓為Vcc，探測電極d進行了重置處理。同時，識 別第二電晶體M2處於截止狀態。
[0153] 在補償驅動模塊內，顯示第i^一電晶體T11、顯示第十二電晶體T12、顯示第十三 電晶體T13、顯示第十五電晶體T15和顯示第十六電晶體T16均截止，顯示第十四電晶體 T14導通。此時，驅動電晶體DTFT的控制極與第六電源端9電連接，驅動電晶體DTFT上控 制極的電壓為0V，圖6中b點的電壓為0V。
[0154] 第二階段，發光控制線處於低電平、第十一控制線處於高電平，第十二控制線處於 高電平，第十三控制線處於低電平。
[0155] 在指紋識別模塊內，識別第一電晶體Ml截止，識別第三電晶體M3導通。若此時 探測電極d上的指紋紋路為凹部，則凹部與探測電極d之間形成電容值較小的感應電容 Cf (感應電容Cf相對寄生電容Ct和基準電容Cs足夠小），因此識別第二電晶體M2處於截 止狀態（本實施例中識別第二電晶體M2為P型薄膜電晶體），讀取線中為電流值較小的電 流信號，信號處理單元根據該電流值較小的電流信號可以判斷出探測電極d上的指紋紋路 為凹部；若此時探測電極d上的指紋紋路為凸部，則凸部與探測電極d之間形成電容值較大 的感應電容Cf (感應電容Cf相對寄生電容Ct和基準電容Cs足夠大），則識別第二電晶體 M2處於放大導通狀態，讀取線中為電流值較大的電流信號，信號處理單元根據該電流值較 大的電流信號可以判斷出探測電極d上的指紋紋路為凸部，指紋別識別完成。
[0156] 在補償驅動模塊內，顯示第i^一電晶體T11、顯示第十二電晶體T12和顯示第十五 電晶體T15均導通，顯示第十三電晶體T13、顯示第十四電晶體T14和顯示第十六電晶體 T16均截止。在第二階段的初期，由於驅動電晶體DTFT的控制極電壓為0V，因此驅動晶體 管DTFT導通，第一電源端5通過顯示第十一電晶體T11、驅動電晶體DTFT、顯示第十五晶 體管T15形成的通路對第二電容C2的第二端進行充電，直到第二電容C2的第二端電壓為 Vdd-Vth時驅動電晶體DTFT截止，充電結束。同時，由於顯示第十二電晶體T12的導通，使 得第二電容C2的第一端與第五電源端8電連接，因此第二電容C2的第一端的電壓為0V，即 圖6中點a的電壓為0V，點b的電壓為Vdd-Vth，第二電容C2兩端的電壓差為Vdd-Vth。
[0157] 第三階段，發光控制線處於高電平、第十一控制線處於低電平，第十二控制線處於 高電平，第十三控制線處於高電平。
[0158] 在指紋識別模塊內，指紋識別模塊中所有器件停止工作。
[0159] 在補償驅動模塊內，顯示第i^一電晶體T11、顯示第十二電晶體T12、顯示第十四 電晶體T14和顯示第十五電晶體T15均截止，顯示第十三電晶體T13和顯示第十六電晶體 T16均導通。數據線與第二電容C2的第一端電連接，第二電容C2的第一端的電壓由0V調 變為Vdata，而為維持第二電容C2兩端的電壓差為Vdd-Vth，第一電容C1的第二端電壓跳 變為Vdd-Vth+Vdata。相應地，驅動電晶體DTFT控制極的電壓為Vdd-Vth+Vdata。
[0160] 第四階段，發光控制線處於低電平、第十一控制線處於低電平，第十二控制線處於 高電平，第十三控制線處於高電平。
[0161] 在指紋識別模塊內，指紋識別模塊中所有器件停止工作。
[0162] 在補償驅動模塊內，顯示第十一電晶體T11、顯示第十三電晶體T13和顯示第十六 電晶體T16均導通，顯示第十二電晶體T12、顯示第十四電晶體T14和顯示第十五電晶體 T15均截止。驅動電晶體DTFT驅動發光器件0LED進行像素顯示，驅動電晶體DTFT的控制 極電壓維持在Vdd-Vth+Vdata，驅動電晶體DTFT的第一極電壓為Vdd，由驅動電晶體DTFT 的飽和驅動電流公式可得：
[0163] I = K* (Vgs-Vth)2
[0164] = K*[Vdd-(Vdd-Vth+Vdata)-Vth]2
[0165] = K* (Vdata)2
[0166] 其中，K為一個常量，Vgs為驅動電晶體DTFT的柵源電壓。通過上式可知，驅動晶 體管DTFT的驅動電流I僅與數據電壓Vdata相關，而與驅動電晶體DTFT的閾值電壓Vth無 關。本實施例中，在驅動電晶體DTFT驅動發光器件0LED進行像素顯示時，驅動電晶體DTFT 的驅動電流與驅動電晶體DTFT的閾值電壓無關，可避免流過發光器件0LED的驅動電流受 到閾值電壓不均勻和漂移的影響，從而有效的提高了流過發光器件0LED的驅動電流的均 勻性。同時，在驅動電晶體DTFT驅動發光器件OLED進行像素顯示時，指紋識別模塊停止工 作，從而減小了紋識別模塊對發光器件0LED在顯示過程中的影響。
[0167] 需要說明的是，包含有圖6所示的指紋識別顯示驅動電路的像素單元，其橫坐標 通過第十三控制線的掃描來確定，其縱坐標可通過讀取線的掃描來確定。
[0168] 本發明實施例三提供的指紋識別顯示驅動電路，一方面實現了指紋識別技術與 AM0LED技術的結合，豐富了顯示裝置的功能，另一方面還實現了對驅動電晶體DTFT的閾值 補償，從而提高了流過發光器件0LED的驅動電流的均勻性，提升可顯示裝置的性能。此外， 在本實施例中，補償驅動模塊內的顯示第十四電晶體T14與指紋識別模塊內的識別第一晶 體管Ml共用第十二控制線，補償驅動模塊內的顯示第十二電晶體T12和顯示第十二電晶體 T12與指紋識別模塊內的識別第三電晶體M3共用第十三控制線，因此可有效的減少驅動電 路中布線，從而有效的提升了像素單元的開口率。
[0169] 圖8為圖6所示指紋識別顯示驅動電路的一種變形方案的示意圖，如圖8所示，圖 8所示的指紋識別顯示驅動電路與圖6所示的指紋識別顯示驅動電路的區別在於，在圖8中 識別第一電晶體Ml的控制極與第十二控制線連接，識別第三電晶體M3的控制極與第十一 控制線連接。圖8中各控制線的時序可採用圖7所示的時序，圖8所示的指紋識別顯示驅 動電路的工作過程此處不再詳細描述。
[0170] 圖9為圖6所示指紋識別顯示驅動電路的又一種變形方案的示意圖，如圖9所示， 圖9所示的指紋識別顯示驅動電路與圖6所示的指紋識別顯示驅動電路的區別在於，在圖 9中識別第一電晶體Ml的控制極與第十三控制線連接，識別第三電晶體M3的控制極與第 十一控制線連接。圖9中各控制線的時序同樣可採用圖7所示的時序，圖9所示的指紋識 別顯示驅動電路的工作過程此處不再詳細描述。
[0171] 需要說明的是，包含有圖8或圖9所示的指紋識別顯示驅動電路的像素單元，其橫 坐標可通過第十一控制線的掃描來確定，其縱坐標可通過讀取線的掃描來確定。
[0172] 實施例四
[0173] 圖10為本發明實施例四提供的指紋識別顯示驅動電路的結構示意圖，如圖10所 示，該指紋識別顯示驅動電路包括發光器件0LED、驅動電晶體DTFT、指紋識別模塊和補償 驅動模塊，其中，指紋識別模塊的具體結構和工作原理可參見上述實施例一中的描述，此處 不再贅述；補償驅動模塊包括：顯示第二十一電晶體T21、顯示第二十二電晶體T22、顯示第 二十三電晶體T23、顯示第二十四電晶體T24、顯示第二十五電晶體T25和第三電容C3 ;顯 示第二十一電晶體T21的控制極與第二十二控制線連接，顯示第二十一電晶體T21的第一 極與第一電源端5連接，顯示第二十一電晶體T21的第二極與驅動電晶體DTFT的第一極 連接；顯示第二十二電晶體T22的控制極與第二十一控制線連接，顯示第二十二電晶體T22 的第一極與數據線連接，顯示第二十二電晶體T22的第二極與驅動電晶體DTFT的第一極連 接；顯示第二十三電晶體T23的控制極與第二十三控制線連接，顯示第二十三電晶體T23的 第一極與第七電源端10連接，顯示第二十三電晶體T23的第二極與驅動電晶體DTFT的控 制極連接；顯示第二十四電晶體T24的控制極與第二十一控制線連接，顯示第二十四晶體 管T24的第一極與驅動電晶體DTFT的第二極連接，顯示第二十四電晶體T24的第二極與驅 動電晶體DTFT的控制極連接；顯示第二十五電晶體T25的控制極與第二十二控制線連接， 顯示第二十五電晶體T25的第一極與驅動電晶體DTFT的第二極連接，顯示第二十五電晶體 T25的第二極與發光器件OLED連接；第三電容C3的第一端與第七電源端10連接，第三電 容C3的第二端與驅動電晶體DTFT的控制極連接。
[0174] 需要說明的是，本實施例中的驅動電晶體DTFT為P型薄膜電晶體。
[0175] 進一步地，識別第一電晶體Ml的控制極與第二十三控制線連接，識別第三電晶體 M3的控制極與第二十一控制線連接。
[0176] 需要說明的是，本實施例中提到的識別第一電晶體Ml、識別第三電晶體M3、顯示 第二i^一電晶體T21、顯示第二十二電晶體T22、顯示第二十三電晶體T23、顯示第二十四晶 體管T24和顯示第二十五電晶體T25在電路中均起到控制線路通斷的開關作用。進一步 地，上述起到開關作用的電晶體可以是薄膜電晶體，也可以是金屬氧化物半導體場效應管， 在此不做限定。在本實施例中，電晶體的控制極是指電晶體的柵極，電晶體的第一極是指晶 體管的源極，相應的第二極是指電晶體的漏極。
[0177] 本實施例中，將所有的電晶體均設置為P型薄膜電晶體，從而在生產過程中可採 用相同工藝同時形成上述的P型薄膜電晶體，進而簡化了製造工藝，同時節約了成本。
[0178] 下面結合附圖來對本實施例提供的指紋識別顯示驅動電路的工作過程進行詳細 描述。
[0179] 圖11為圖10所示的指紋識別顯示驅動電路的時序圖，如圖11所示，圖10所示的 指紋識別顯示驅動電路的工作過程包括三個工作階段。此外，在本實施例中，第一電源端5 提供高電平Vdd信號，第二電源端6和第七電源端10提供低電平Vss信號或接地，本實施 例以接地的情況為例，第三電源端4提參考電平Vcc信號，數據線上加載有數據電壓Vdata， 驅動電晶體DTFT的閾值電壓為Vth。
[0180] 第一階段，第二i^一控制線處於高電平，第二十二控制線處於高電平，第二十三控 制線處於低電平。
[0181] 在指紋識別模塊內，識別第一電晶體Ml導通，識別第三電晶體M3截止，此時，第一 節點的電壓為Vcc，即探測電極d上的電壓為Vcc，探測電極d進行了重置處理。同時，識別 第二電晶體M2處於截止狀態。
[0182] 在補償驅動模塊內，顯示第二十三電晶體T23導通，顯示第二十一電晶體T21、顯 示第二十二電晶體T22、顯示第二十四電晶體T24和顯示第二十五電晶體T25均截止。此 時，驅動電晶體DTFT的控制極與第七電源端10電連接，驅動電晶體DTFT的控制極的電壓 為0V。
[0183] 第二階段，第二i^一控制線處於低電平，第二十二控制線處於高電平，第二十三控 制線處於高電平。
[0184] 在指紋識別模塊內，識別第一電晶體Ml截止，識別第三電晶體M3導通。若此時 探測電極d上的指紋紋路為凹部，則凹部與探測電極d之間形成電容值較小的感應電容 Cf (感應電容Cf相對寄生電容Ct和基準電容Cs足夠小），因此識別第二電晶體M2處於截 止狀態（本實施例中識別第二電晶體M2為P型薄膜電晶體），讀取線中為電流值較小的電 流信號，信號處理單元根據該電流值較小的電流信號可以判斷出探測電極d上的指紋紋路 為凹部；若此時探測電極d上的指紋紋路為凸部，則凸部與探測電極d之間形成電容值較大 的感應電容Cf (感應電容Cf相對寄生電容Ct和基準電容Cs足夠大），則識別第二電晶體 M2處於放大導通狀態，讀取線中為電流值較大的電流信號，信號處理單元根據該電流值較 大的電流信號可以判斷出探測電極d上的指紋紋路為凸部，指紋別識別完成。
[0185] 在補償驅動模塊內，顯示第二十二電晶體T22和顯示第二十四電晶體T24均導通， 顯示第二十一電晶體T21、顯示第二十三電晶體T23、和顯示第二十五電晶體T25均截止。在 第二階段的初期，由於驅動電晶體DTFT的控制極電壓為0V，因此驅動電晶體DTFT導通，第 一電源端5通過顯示第二十二電晶體T22、驅動電晶體DTFT、顯示第二十四電晶體T24形成 的通路對第三電容C3的第二端進行充電，直到第三電容C3的第二端電壓為Vdata-Vth時 驅動電晶體DTFT截止，充電結束。此時第三電容C3的第一端的電壓為0V，即圖10中點a 的電壓為〇V，點b的電壓為Vdata-Vth，第三電容C3兩端的電壓差為Vdata-Vth。
[0186] 第三階段，第二十一控制線處於高電平，第二十二控制線處於低電平，第二十三控 制線處於高電平。
[0187] 在指紋識別模塊內，指紋識別模塊中所有器件停止工作。
[0188] 在補償驅動模塊內，顯示第二i^一電晶體T21、顯示第二十五電晶體T25均導通， 顯示第二十二電晶體T22、顯示第二十三電晶體T23和顯示第二十四電晶體T24均截止。驅 動電晶體DTFT驅動發光器件0LED進行像素顯示，驅動電晶體DTFT的控制極電壓維持在 Vdata-Vth，驅動電晶體DTFT的第一極電壓為Vdd，由驅動電晶體DTFT的飽和驅動電流公式 可得：
[0189] I = K* (Vgs-Vth)2
[0190] = K*[Vdd-(Vdata-Vth)-Vth]2
[0191] = K* (Vdd-Vdata)2
[0192] 其中，K為一個常量，Vgs為驅動電晶體DTFT的柵源電壓。通過上式可知，驅動晶 體管DTFT的驅動電流I與第一電源端5提供的高電平電壓Vdd和數據電壓Vdata相關，而 與驅動電晶體DTFT的閾值電壓Vth無關。本實施例中，在驅動電晶體DTFT驅動發光器件 0LED進行像素顯示時，驅動電晶體DTFT的驅動電流與驅動電晶體DTFT的閾值電壓無關，可 避免流過發光器件0LED的驅動電流受到閾值電壓不均勻和漂移的影響，從而有效的提高 了流過發光器件0LED的驅動電流的均勻性。同時，在驅動電晶體DTFT驅動發光器件0LED 進行像素顯示時，指紋識別模塊停止工作，從而減小了紋識別模塊對發光器件0LED在顯示 過程中的影響。
[0193] 需要說明的是，包含有圖10所示的指紋識別顯示驅動電路的像素單元，其橫坐標 可通過第二十一控制線的掃描來確定，其縱坐標可通過讀取線的掃描來確定。
[0194] 本發明實施例四提供的指紋識別顯示驅動電路，一方面實現了指紋識別技術與 AM0LED技術的結合，豐富了顯示裝置的功能，另一方面還實現了對驅動電晶體DTFT的閾 值補償，從而提高了流過發光器件0LED的驅動電流的均勻性，提升可顯示裝置的性能。此 夕卜，在本實施例中，補償驅動模塊內的顯示第二十三電晶體T23與指紋識別模塊內的識別 第一電晶體Ml共用第二十三控制線，補償驅動模塊內的顯示第二十二電晶體T22和顯示第 二十四電晶體T24與指紋識別模塊內的識別第三電晶體M3共用第二十一控制線，因此可有 效的減少驅動電路中布線，從而有效的提升了像素單元的開口率。
[0195] 圖12為圖10所示指紋識別顯示驅動電路的一種變形方案的示意圖，如圖12所 示，圖12所示的指紋識別顯示驅動電路與圖10所示的指紋識別顯示驅動電路的區別在於， 在圖12中識別第一電晶體Ml的控制極與第二十三控制線連接，識別第三電晶體M3的控制 極與第二十二控制線連接。圖12中各控制線的時序可採用圖11所示的時序，圖12所示的 指紋識別顯示驅動電路的工作過程此處不再詳細描述。
[0196] 圖13為圖11所示指紋識別顯示驅動電路的又一種變形方案的示意圖，如圖13所 示，圖13所示的指紋識別顯示驅動電路與圖10所示的指紋識別顯示驅動電路的區別在於， 在圖13中識別第一電晶體Ml的控制極與第二十一控制線連接，識別第三電晶體M3的控制 極與第二十二控制線連接。圖13中各控制線的時序同樣可採用圖11所示的時序，圖13所 示的指紋識別顯示驅動電路的工作過程此處不再詳細描述。
[0197] 需要說明的是，包含有圖12或圖13所示的指紋識別顯示驅動電路的像素單元，其 橫坐標可通過第二十二控制線的掃描來確定，其縱坐標可通過讀取線的掃描來確定。
[0198] 實施例五
[0199] 圖14為本發明實施例五提供的指紋識別顯示驅動電路的結構示意圖，如圖14所 示，該指紋識別顯示驅動電路包括發光器件0LED、驅動電晶體DTFT、指紋識別模塊和補償 驅動模塊，其中，指紋識別模塊的具體結構和工作原理可參見上述實施例一中的描述，此處 不再贅述；補償驅動模塊包括：顯示第三十一電晶體T31、顯示第三十二電晶體T32、顯示第 三十三電晶體T33、顯示第三十四電晶體T34、顯示第三十五電晶體T35和第四電容C4 ;顯 示第三十一電晶體T31的控制極與第三十三控制線連接，顯示第三十一電晶體T31的第一 極與第一電源端5連接，顯示第三十一電晶體T31的第二極與驅動電晶體DTFT的第一極 連接；顯示第三十二電晶體T32的控制極與第三十一控制線連接，顯示第三十二電晶體T32 的第一極與第八電源端11連接，顯示第三十二電晶體T32的第二極與第四電容C4的第一 端連接；顯示第三十三電晶體T33的控制極與第三十二控制線連接，顯示第三十三電晶體 T33的第一極與第四電容C4的第一端連接，顯示第三十三電晶體T33的第二極與驅動晶體 管DTFT的控制極連接；顯示第三十四電晶體T34的控制極與第三i^一控制線連接，顯示第 三十四電晶體T34的第一極與數據線連接，顯示第三十四電晶體T34的第二極與驅動晶體 管DTFT的控制極連接；顯示第三十五電晶體T35的控制極與第三i^一控制線連接，顯示第 三十五電晶體T35的第一極與驅動電晶體DTFT的第二極連接，顯示第三十五電晶體T35的 第二極與第九電源端12連接；第二電容C2的第二端與驅動電晶體DTFT的第一極連接。
[0200] 需要說明的是，本實施例中的驅動電晶體DTFT為P型薄膜電晶體。
[0201] 進一步地，識別第一電晶體Ml的控制極與第三十一控制線連接，識別第三電晶體 M3的控制極與第三十二控制線連接。
[0202] 需要說明的是，本實施例中提到的識別第一電晶體Ml、識別第三電晶體M3、顯示 第三十一電晶體T31、顯示第三十二電晶體T32、顯示第三十三電晶體T33、顯示第三十四晶 體管T34和顯示第三十五電晶體T35在電路中均起到控制線路通斷的開關作用。進一步 地，上述起到開關作用的電晶體可以是薄膜電晶體，也可以是金屬氧化物半導體場效應管， 在此不做限定。在本實施例中，電晶體的控制極是指電晶體的柵極，電晶體的第一極是指晶 體管的源極，相應的第二極是指電晶體的漏極。
[0203] 本實施例中，將所有的電晶體均設置為P型薄膜電晶體，從而在生產過程中可採 用相同工藝同時形成上述的P型薄膜電晶體，進而簡化了製造工藝，同時節約了成本。
[0204] 下面結合附圖來對本實施例提供的指紋識別顯示驅動電路的工作過程進行詳細 描述。
[0205] 圖15為圖14所示的指紋識別顯示驅動電路的時序圖，如圖15所示，圖14所示的 指紋識別顯示驅動電路的工作過程包括三個工作階段。此外，在本實施例中，第一電源端5 提供高電平Vdd信號，第二電源端6、第八電源端11和第九電源端12提供低電平Vss信號 或接地，本實施例以接地的情況為例，第三電源端4提參考電平Vcc信號，數據線上加載有 數據電壓Vdata，驅動電晶體DTFT的閾值電壓為Vth。
[0206] 第一階段，第三十一控制線處於低電平，第三十二控制線處於高電平，第三十三控 制線處於低電平。
[0207] 在指紋識別模塊內，識別第一電晶體Ml導通，識別第三電晶體M3截止，此時，第一 節點的電壓為Vcc，即探測電極d上的電壓為Vcc，探測電極d進行了重置處理。同時，識別 第二電晶體M2處於截止狀態。
[0208] 在補償驅動模塊內，顯示第三i^一電晶體T31、顯示第三十二電晶體T32、顯示第 三十四電晶體T34和顯示第三十五電晶體T35均導通，顯示第三十三電晶體T33均截止。此 時，由於顯示第三十一電晶體T31和顯示第三十二電晶體T32均導通，使得第四電容C4的 第一端與第八電源端11電連接，第四電容C4的第二端與第一電源端5電連接，因此第四電 容C4的第一端電壓為0V，第二電壓為Vdd，即圖13中點a點電壓為0V，點b電壓為Vdd，第 四電容C4兩端的電壓差為Vdd。同時，由於顯示第三十四電晶體T34導通，使得驅動電晶體 DTFT控制極與數據線電連接，因此驅動電晶體DTFT的控制極的電壓為Vdata。此時雖然驅 動電晶體DTFT導通，且存在部分的漏電流從驅動電晶體DTFT的第二極流出，但是由於顯示 第三十五電晶體T35導通，使得從驅動電晶體DTFT的第二極流出漏電流通過顯示第三十五 電晶體T35流出，而不會經過發光器件0LED，因此發光器件0LED不會發光。
[0209] 第二階段，第三十一控制線處於低電平，第三十二控制線處於高電平，第三十三控 制線處於高電平。
[0210] 在指紋識別模塊內，識別第一電晶體Ml導通，識別第三電晶體M3截止，此時，第一 節點的電壓維持在Vcc，即探測電極d維持重置狀態。同時，識別第二電晶體M2維持截止狀 態。
[0211] 在補償驅動模塊內，顯示第三十一電晶體T31和顯示第三十三電晶體T33均截止， 顯示第三十二電晶體T32、顯示第三十四電晶體T34和顯示第三十五電晶體T35均導通。此 時，驅動電晶體DTFT的控制極電壓維持在Vdata。由於顯示第三十一電晶體T31截止，使得 第一電源端5與第四電容C4的第二端斷開，又由於在第二階段的前期，驅動電晶體DTFT處 於導通狀態，因此第四電容C4的第二端通過驅動電晶體DTFT、顯示第三十五電晶體T35形 成的通路進行放電，直到第四電容C4的第二端的電壓為Vdata+Vth時驅動電晶體DTFT截 止，此時驅動電晶體DTFT的第一極電壓為Vdata+Vth。
[0212] 在第二階段結束時，圖13中點a點電壓為0V，點b電壓為Vdata+Vth，第四電容C4 兩端的電壓差為Vdata+Vth。
[0213] 第三階段，第三十一控制線處於高電平，第三十二控制線處於低電平，第三十三控 制線處於低電平。
[0214] 在指紋識別模塊內，識別第一電晶體Ml截止，識別第三電晶體M3導通。若此時 探測電極d上的指紋紋路為凹部，則凹部與探測電極d之間形成電容值較小的感應電容 Cf (感應電容Cf相對寄生電容Ct和基準電容Cs足夠小），因此識別第二電晶體M2處於截 止狀態（本實施例中識別第二電晶體M2為P型薄膜電晶體），讀取線中為電流值較小的電 流信號，信號處理單元根據該電流值較小的電流信號可以判斷出探測電極d上的指紋紋路 為凹部；若此時探測電極d上的指紋紋路為凸部，則凸部與探測電極d之間形成電容值較大 的感應電容Cf (感應電容Cf相對寄生電容Ct和基準電容Cs足夠大），則識別第二電晶體 M2處於放大導通狀態，讀取線中為電流值較大的電流信號，信號處理單元根據該電流值較 大的電流信號可以判斷出探測電極d上的指紋紋路為凸部，指紋別識別完成。
[0215] 在補償驅動模塊內，顯示第三十一電晶體T31和顯示第三十三電晶體T33均導通， 顯示第三十二電晶體T32、顯示第三十四電晶體T34和顯示第三十五電晶體T35均截止。 在第三階段的初期，由於顯示第三十一電晶體T31導通，使得第四電容C4的第二端電壓由 Vdata+Vth調變為Vdd，此時為維持第四電容C4兩端的電壓差Vdata+Vth，第四電容C4的第 一端的電壓由0V跳變為Vdd-Vdata-Vth，相應地，由於實現顯示第三十三電晶體T33的導 通，驅動電晶體DTFT的控制極電壓變為Vdd-Vdata-Vth，由驅動電晶體DTFT的飽和驅動電 流公式可得：
[0216] I = K* (Vgs-Vth)2
[0217] = K*[Vdd-(Vdd-Vdata-Vth)-Vth]2
[0218] = K* (Vdata)2
[0219] 其中，K為一個常量，Vgs為驅動電晶體DTFT的柵源電壓。通過上式可知，驅動晶 體管DTFT的驅動電流I僅與數據電壓Vdata相關，而與驅動電晶體DTFT的閾值電壓Vth 無關。
[0220] 本實施例中，在驅動電晶體DTFT驅動發光器件0LED進行像素顯示時，驅動電晶體 DTFT的驅動電流與驅動電晶體DTFT的閾值電壓無關，可避免流過發光器件0LED的驅動電 流受到閾值電壓不均勻和漂移的影響，從而有效的提高了流過發光器件0LED的驅動電流 的均勻性。
[0221] 需要說明的是，包含有圖14所示的指紋識別顯示驅動電路的像素單元，其橫坐標 可以通過第三十二控制線的掃描來確定，其縱坐標過可通過讀取線的掃描來確定。
[0222] 本發明實施例五提供的指紋識別顯示驅動電路，一方面實現了指紋識別技術與 AM0LED技術的結合，豐富了顯示裝置的功能，另一方面還實現了對驅動電晶體DTFT的閾 值補償，從而提高了流過發光器件0LED的驅動電流的均勻性，提升可顯示裝置的性能。此 夕卜，在本實施例中，補償驅動模塊內的顯示第三十三電晶體T33與指紋識別模塊內的識別 第三電晶體M3共用第三十二控制線，補償驅動模塊內的顯示第三十二電晶體T32和顯示第 三十五電晶體T35與指紋識別模塊內的識別第一電晶體Ml共用第三十一控制線，因此可有 效的減少驅動電路中布線，從而有效的提升了像素單元的開口率。
[0223] 圖16為圖14所示指紋識別顯示驅動電路的一種變形方案的示意圖，如圖16所 示，圖16所示的指紋識別顯示驅動電路與圖14所示的指紋識別顯示驅動電路的區別在於， 圖16中的識別第三電晶體M3和顯示第三十三電晶體T33均為N型薄膜電晶體，而其餘的 電晶體均為P型薄膜電晶體，識別第一電晶體Ml、識別第三電晶體M3、顯示第三十二晶體 管T32、顯示第三十三電晶體T33和顯示第三十五電晶體T35五個電晶體的控制極均與第 三十一控制線連接，且圖16中第三十一控制線的時序可採用圖15中所示第三十一控制線 的時序。圖15所示的指紋識別顯示驅動電路的工作過程此處不再詳細描述。圖15提供的 指紋識別顯示驅動電路在圖14所示的基礎上減少了像素單元中的布線（去除了第三十二 控制線），因此圖16所示的技術方案可進一步地提升像素的開口率。
[0224] 包含有圖16所示的指紋識別顯示驅動電路的像素單元，其橫坐標可以通過第 Hi控制線的掃描來確定，其縱坐標可通過讀取線的掃描來確定。
[0225] 當然，也可以將圖16中的識別第一電晶體Ml、顯示第三十二電晶體T32和顯示第 三十五電晶體T35變為N型薄膜電晶體，而識別第三電晶體M3、顯示第三十三電晶體T33 以及剩餘的電晶體均為P型薄膜電晶體，且識別第一電晶體Ml、識別第三電晶體M3、顯示第 三十二電晶體T32、顯示第三十三電晶體T33和顯示第三十五電晶體T35五個電晶體的控制 極均與第三十一控制線連接，此時圖16中第三十一控制線時序採用圖15中所示第三十二 控制線的時序。
[0226] 實施例六
[0227] 圖17為本發明實施例六提供的指紋識別顯示驅動電路的結構示意圖，如圖17所 示，該指紋識別顯示驅動電路包括發光器件0LED、驅動電晶體DTFT、指紋識別模塊和補償 驅動模塊，其中，指紋識別模塊的具體結構和工作原理可參見上述實施例一中的描述，此處 不再贅述；補償驅動模塊包括：顯示第四十一電晶體T41、顯示第四十二電晶體T42、顯示第 四十三電晶體T43、顯示第四十四電晶體T44、顯示第四十五電晶體T45、顯示第四十六晶體 管T46和第五電容C5 ;顯示第四十一電晶體T41的控制極與第四十二控制線連接，顯示第 四十一電晶體T41的第一極與第一電源端5連接，顯示第四十一電晶體T41的第二極與驅 動電晶體DTFT的第一極連接；顯示第四十二電晶體T42的控制極與第四十一控制線連接， 顯示第四十二電晶體T42的第一極與數據線連接，顯示第四十二電晶體T42的第二極與驅 動電晶體DTFT的第一端連接；顯示第四十三電晶體T43的控制極與第四十三控制線連接， 顯示第四十三電晶體T43的第一極與第十電源端13連接，顯示第四十三電晶體T43的第二 極與第五電容C5的第一端連接；顯示第四十四電晶體T44的控制極與第四十一控制線連 接，顯示第四十四電晶體T44的第一極與驅動電晶體DTF T的第二極連接，顯示第四十四晶 體管T44的第二極與驅動電晶體DTFT的控制極連接；顯示第四十五電晶體T45的控制極 與第四十二控制線連接，顯示第四十五電晶體T45的第一極與驅動電晶體DTFT的第二極連 接，顯示第四十五電晶體T45的第二極與發光器件0LED連接；顯示第四十六電晶體T46的 控制極與第四十二控制線連接，顯示第四十六電晶體T46的第一極與數據線連接，顯示第 四十六電晶體T46的第二極與第五電容C5的第一端連接；第五電容C5的第二端與驅動晶 體管DTFT的控制極連接。
[0228] 需要說明的是，本實施例中的驅動電晶體DTFT為P型薄膜電晶體。
[0229] 進一步地，識別第一電晶體Ml的控制極與第四十三控制線連接，識別第三電晶體 M3的控制極與第四^ 控制線連接。
[0230] 需要說明的是，本實施例中提到的識別第一電晶體Ml、識別第三電晶體M3、顯示 第四十一電晶體T41、顯示第四十二電晶體T42、顯示第四十三電晶體T43、顯示第四十四晶 體管T44和顯示第四十五電晶體T45在電路中均起到控制線路通斷的開關作用。進一步 地，上述起到開關作用的電晶體可以是薄膜電晶體，也可以是金屬氧化物半導體場效應管， 在此不做限定。在本實施例中，電晶體的控制極是指電晶體的柵極，電晶體的第一極是指晶 體管的源極，相應的第二極是指電晶體的漏極。
[0231] 本實施例中，將所有的電晶體均設置為P型薄膜電晶體，從而在生產過程中可採 用相同工藝同時形成上述的P型薄膜電晶體，進而簡化了製造工藝，同時節約了成本。
[0232] 下面結合附圖來對本實施例提供的指紋識別顯示驅動電路的工作過程進行詳細 描述。
[0233] 圖18為圖17所示的指紋識別顯示驅動電路的時序圖，如圖18所示，圖17所示的 指紋識別顯示驅動電路的工作過程包括三個工作階段。此外，在本實施例中，第一電源端5 提供高電平Vdd信號，第二電源端6和第十電源端13提供低電平Vss信號或接地，本實施 例以接地的情況為例，第三電源端4提參考電平Vcc信號，數據線上加載有數據電壓Vdata， 驅動電晶體DTFT的閾值電壓為Vth。
[0234] 第一階段，第四十一控制線處於高電平，第四十二控制線處於高電平，第四十三控 制線處於低電平。
[0235] 在指紋識別模塊內，識別第一電晶體Ml導通，識別第三電晶體M3截止，此時，第一 節點的電壓為Vcc，即探測電極d上的電壓為Vcc，探測電極d進行了重置處理。同時，識別 第二電晶體M2處於截止狀態。
[0236] 在補償驅動模塊內，顯示第四十三電晶體T43導通，顯示第四十一電晶體T41、 顯示第四十二電晶體T42、顯示第四十四電晶體T44、顯示第四十五電晶體T45和顯示第 四十六電晶體T46均截止。此時，由於顯示第四十三電晶體T43導通，使得第十電源端13 與第五電容C5的第一端連接，第五電容C5的第一端的電壓為0V。
[0237] 第二階段，第四十一控制線處於低電平，第四十二控制線處於高電平，第四十三控 制線處於高電平。
[0238] 在指紋識別模塊內，識別第一電晶體Ml截止，識別第三電晶體M3導通。若此時 探測電極d上的指紋紋路為凹部，則凹部與探測電極d之間形成電容值較小的感應電容 Cf (感應電容Cf相對寄生電容Ct和基準電容Cs足夠小），因此識別第二電晶體M2處於截 止狀態（本實施例中識別第二電晶體M2為P型薄膜電晶體），讀取線中為電流值較小的電 流信號，信號處理單元根據該電流值較小的電流信號可以判斷出探測電極d上的指紋紋路 為凹部；若此時探測電極d上的指紋紋路為凸部，則凸部與探測電極d之間形成電容值較大 的感應電容Cf (感應電容Cf相對寄生電容Ct和基準電容Cs足夠大），則識別第二電晶體 M2處於放大導通狀態，讀取線中為電流值較大的電流信號，信號處理單元根據該電流值較 大的電流信號可以判斷出探測電極d上的指紋紋路為凸部，指紋別識別完成。
[0239] 顯示第四十二電晶體T42、顯示第四十四電晶體T44均導通，顯示第四十一電晶體 T41、顯示第四十三電晶體T43、顯示第四十五電晶體T45和顯示第四十六電晶體T46均截 止。數據線通過顯示第四十二電晶體T42、驅動電晶體DTFT、顯示第四十四電晶體T44形成 的通路對第五電容C5的第二端充電，直到第五電容C5的第二端為Vdata-Vth時驅動晶體 管DTFT截止，此時驅動電晶體DTFT截止控制極電壓為Vdata-Vth。圖18中a點的電壓為 〇V，b點電壓為Vdata-Vth，第五電容C5兩端的電壓差為Vdata-Vth。
[0240] 第三階段，第四十一控制線處於高電平，第四十二控制線處於低電平，第四十三控 制線處於高電平。
[0241] 在指紋識別模塊內，指紋識別模塊中所有器件停止工作。
[0242] 在補償驅動模塊內，顯示第四十一電晶體T41顯示、顯示第四十五電晶體T45和顯 示第四十六電晶體T46均導通，第四十二電晶體、顯示第四十三電晶體T43和顯示第四十四 電晶體T44均截止。在第三階段的初期，由於顯示第四十六電晶體T46均導通，使得第五電 容C5的第一端電壓由0V調變為Vdata，為維持第五電容C5兩端的電壓差為Vdata-Vth，第 五電容C5第二端的電壓由Vdata-Vth跳變為2Vdata_Vth。此時，驅動電晶體DTFT的控制 極電壓為2Vdata-Vth，驅動電晶體DTFT的第一極電壓為Vdd，由驅動電晶體DTFT的飽和驅 動電流公式可得：
[0243] I = K* (Vgs-Vth)2
[0244] = K*[Vdd-(2Vdata-Vth)-Vth]2
[0245] = K* (Vdd_2Vdata)2
[0246] 其中，K為一個常量，Vgs為驅動電晶體DTFT的柵源電壓。通過上式可知，驅動晶 體管DTFT的驅動電流I與第一電源端5提供的高電平電壓Vdd和數據電壓Vdata相關，而 與驅動電晶體DTFT的閾值電壓Vth無關。本實施例中，在驅動電晶體DTFT驅動發光器件 0LED進行像素顯示時，驅動電晶體DTFT的驅動電流與驅動電晶體DTFT的閾值電壓無關，可 避免流過發光器件0LED的驅動電流受到閾值電壓不均勻和漂移的影響，從而有效的提高 了流過發光器件0LED的驅動電流的均勻性。同時，在驅動電晶體DTFT驅動發光器件0LED 進行像素顯示時，指紋識別模塊停止工作，從而減小了紋識別模塊對發光器件0LED在顯示 過程中的影響。
[0247] 需要說明的是，包含有圖17所示的指紋識別顯示驅動電路的像素單元，其橫坐標 可以通過第四十一控制線的掃描來確定，其縱坐標可通過讀取線的掃描來確定。
[0248] 本發明實施例六提供的指紋識別顯示驅動電路，一方面實現了指紋識別技術與 AM0LED技術的結合，豐富了顯示裝置的功能，另一方面還實現了對驅動電晶體DTFT的閾 值補償，從而提高了流過發光器件0LED的驅動電流的均勻性，提升可顯示裝置的性能。此 夕卜，在本實施例中，補償驅動模塊內的顯示第四十三電晶體T43與指紋識別模塊內的識別 第一電晶體Ml共用第四十三控制線，補償驅動模塊內的顯示第二十二電晶體T22和顯示第 四十二電晶體T42和顯示第四十四電晶體T44與指紋識別模塊內的識別第三電晶體M3共 用第四i^一控制線，因此可有效的減少驅動電路中布線，從而有效的提升了像素單元的開 口率。
[0249] 圖19為圖17所示指紋識別顯示驅動電路的一種變形方案的示意圖，如圖19所 示，圖19所示的指紋識別顯示驅動電路與圖17所示的指紋識別顯示驅動電路的區別在於， 在圖19中識別第一電晶體Ml的控制極與第四十三控制線連接，識別第三電晶體M3的控制 極與第四十二控制線連接。圖19中各控制線的時序可採用圖18所示的時序，圖19所示的 指紋識別顯示驅動電路的工作過程此處不再詳細描述。
[0250] 需要說明的是，包含有圖19所示的指紋識別顯示驅動電路的像素單元，其橫坐標 可以通過第四十二控制線的掃描來確定，其縱坐標可通過讀取線的掃描來確定。
[0251] 圖20為圖17所示指紋識別顯示驅動電路的又一種變形方案的示意圖，如圖20所 示，圖20所示的指紋識別顯示驅動電路與圖17所示的指紋識別顯示驅動電路的區別在於， 在圖20中識別第一電晶體Ml的控制極與第四十一控制線連接，識別第三電晶體M3的控制 極與第四十二控制線連接。圖20中各控制線的時序同樣可採用圖18所示的時序，圖20所 示的指紋識別顯示驅動電路的工作過程此處不再詳細描述。
[0252] 需要說明的是，包含有圖20所示的指紋識別顯示驅動電路的像素單元，其橫坐標 可以通過第四十一控制線的掃描來確定，其縱坐標可通過讀取線的掃描來確定。
[0253] 實施例七
[0254] 本發明實施例七提供一種顯示裝置，該顯示裝置包括：若干個像素單元，至少一個 像素單元內設置有如上述實施例一至實施例六中任一提供的指紋識別顯示驅動電路，該指 紋識別顯示驅動電路的結構和工作方式可參見上述實施例中的描述，此處不再贅述。
[0255] 圖21為當設置有本發明提供的指紋識別顯示驅動電路的像素單元的數量為多個 時的示意圖，如圖21所示，若干條柵線和數據線限定出若干個像素單元，作為本實施提供 的一種優選方案，當設置有指紋識別顯示驅動電路的像素單元的數量為多個時，設置有所 述指紋識別顯示驅動電路的全部像素單元均勻分布，在圖21中，像素單元呈現6X3的方式 排列，在一行像素單元中，每隔兩個像素單元就設置一個本發明上述實施例提供的任一指 紋識別顯示驅動電路，即在像素單元B中存在上述實施例中的探測電極和識別控制單元， 而其餘的像素單元A中僅存在上述實施例中的補償驅動模塊，不存在指紋識別模塊。
[0256] 需要說明的是，指紋識別顯示驅動電路在顯示裝置上的像素單元的分布可以根據 實際的需求進行相應的變化，本實施例提供的上述分布方式並不對本發明的技術方案產生 限制。
[0257] 本發明實施例七提供了一種顯示裝置，該顯示裝置包括：若干個像素單元，至少 一個像素單元內設置有指紋識別顯示驅動電路，該指紋識別顯示驅動電路包括：發光器件 0LED、驅動電晶體、指紋識別模塊和補償驅動模塊，指紋識別模塊包括：探測電極和識別控 制單元，本發明的技術方案將AM0LED顯示和指紋識別功能進行了高效整合，從而實現了 AM0LED顯示裝置的指紋識別，同時本發明的技術方案還可減少顯示產品在生產過程中的制 作工藝，節約成本，提高產品的開口率。
[0258] 可以理解的是，以上實施方式僅僅是為了說明本發明的原理而採用的示例性實施 方式，然而本發明並不局限於此。對於本領域內的普通技術人員而言，在不脫離本發明的精 神和實質的情況下，可以做出各種變型和改進，這些變型和改進也視為本發明的保護範圍。
【權利要求】
1. 一種指紋識別顯示驅動電路，其特徵在於，包括：發光器件、驅動電晶體、指紋識別 模塊和補償驅動模塊，所述指紋識別模塊包括：探測電極和識別控制單元，所述識別控制單 元與所述探測電極和讀取線連接，所述驅動電晶體的控制極與所述補償驅動模塊連接； 所述驅動電晶體用於驅動發光器件進行像素顯示； 所述補償驅動模塊用於在所述驅動電晶體驅動發光器件進行像素顯示時對所述驅動 電晶體的控制極的電壓進行調整，以消除所述驅動管的閾值電壓對驅動電流的影響； 所述探測電極用於與人體手指的指紋紋路產生感應電容； 所述識別控制單元用於根據所述感應電容產生相應的電流信號，並將所述電流信號通 過讀取線發送至與所述讀取線連接的信號處理單元； 所述信號處理單元對所電流信號進行處理，確定與所述探測電極對應的所述指紋紋路 為凸部或凹部。
2. 根據權利要求1所述的指紋識別顯示驅動電路，其特徵在於，所述識別控制單元包 括：識別重置單元、識別放大單元、識別傳輸單元和基準電容，所述識別重置單元與所述探 測電極連接，所述識別放大單元與所述探測電極、所述基準電容和所述識別傳輸單元連接， 所述識別傳輸單元與所述識別放大單元和所述讀取線連接； 所述識別重置單元用於對所述探測電極進行重置處理； 所述識別放大單元用於根據所述基準電容和所述感應電容產生所述電流信號； 所述識別傳輸單元用於將所述電流信號通過所訴讀取線發送至所述信號處理單元。
3. 根據權利要求2所述的指紋識別顯示驅動電路，其特徵在於，所述識別重置單元包 括：識別第一電晶體，所述識別放大單元包括：識別第二電晶體、所述識別傳輸單元包括： 識別第三電晶體； 所述識別第一電晶體的第二極、所述基準電容的第二端、所述識別第二電晶體的控制 極以及所述探測電極連接於第一節點； 所述識別第一電晶體的第一極與第三電源端連接； 所述識別第二電晶體的第一極與所述第三電源端連接，所述識別第二電晶體的第二極 與所述識別第三電晶體的第一極連接； 所述識別第三電晶體的控制極與所述基準電容的第一端連接；所述識別第三電晶體的 第二極與所述讀取線連接； 所述識別第一電晶體和所述識別第三電晶體均為開關電晶體，所述識別第二電晶體為 放大電晶體。
4. 根據權利要求3所述的指紋識別顯示驅動電路，其特徵在於，所述補償驅動模塊包 括：顯示第一電晶體、顯示第二電晶體、顯示第三電晶體、顯示第四電晶體、顯示第五電晶體 和第一電容； 所述顯示第一電晶體的控制極與第二控制線連接，所述顯示第一電晶體的第一極與第 一電源端連接，所述顯示第一電晶體的第二極與所述第一電容的第一端連接； 所述顯示第二電晶體的控制極與第三控制線連接，所述顯示第二電晶體的第一極與所 述第一電源端連接，所述顯示第二電晶體的第二極與所述驅動電晶體的第一極連接； 所述顯示第三電晶體的控制極與第一控制線連接，所述顯示第三電晶體的第一極與所 述顯示第二電晶體的第二極連接，所述顯示第三電晶體的第二極與所述驅動電晶體的控制 極連接； 所述顯示第四電晶體的控制極與所述第一控制線連接，所述顯示第四電晶體的第一極 與數據線連接，所述顯示第四電晶體的第二極與所述第一電容的第一端連接； 所述顯示第五電晶體的控制極與所述第一控制線連接，所述顯示第五電晶體的第一極 與第四電源端連接，所述顯示第五電晶體的第二極與所述驅動電晶體的第二極連接； 所述第一電容的第二端與所述驅動電晶體的控制極連接。
5. 根據權利要求4所述的指紋識別顯示驅動電路，其特徵在於，所述識別第一電晶體 的控制極與所述第三控制線連接，所述識別第三電晶體的控制極與所述第二控制線連接。
6. 根據權利要求5所述的指紋識別顯示驅動電路，其特徵在於所述識別第一電晶體、 所述識別第二電晶體、所述識別第三電晶體、所述顯示第一電晶體、所述顯示第二電晶體、 所述顯示第三電晶體、所述顯示第四電晶體和所述顯示第五電晶體均為N型薄膜電晶體。
7. 根據權利要求3所述的指紋識別顯示驅動電路，其特徵在於，所述補償驅動模塊包 括：顯示第十一電晶體、顯示第十二電晶體、顯示第十三電晶體、顯示第十四電晶體、顯示第 十五電晶體、顯示第十六電晶體和第二電容； 所述顯示第十一電晶體的控制極與發光控制線連接，所述顯示第十一電晶體的第一極 與第一電源端連接，所述顯示第十一電晶體的第二極與所述驅動電晶體的第一極連接； 所述顯示第十二電晶體的控制極與第十三控制線連接，所述顯示第十二電晶體的第一 極與第五電源端連接，所述顯示第十二電晶體的第二極與所述第二電容的第一端連接； 所述顯示第十三電晶體的控制極與第十一控制線連接，所述顯示第十三電晶體的第一 極與數據線連接，所述顯示第十三電晶體的第二極與所述第二電容的第一端連接； 所述顯示第十四電晶體的控制極與所述第十二控制線連接，所述顯示第十四電晶體的 第一極與第六電源端連接，所述顯示第十四電晶體的第二極與所述驅動電晶體的控制極連 接； 所述顯示第十五電晶體的控制極與所述第十三控制線連接，所述顯示第十五電晶體的 第一極與所述驅動電晶體的第二極連接，所述顯示第十五電晶體的第二極與所述驅動晶體 管的控制極連接； 所述顯示第十六電晶體的控制極與所述第十一控制線連接，所述顯示第十六電晶體的 第一極與所述驅動電晶體的第二極連接，所述顯示第十六電晶體的第二極與所述發光器件 連接； 所述第二電容的第二端與所述驅動電晶體的控制極連接。
8. 根據權利要求7所述的指紋識別顯示驅動電路，其特徵在於，所述識別第一電晶體 的控制極與所述第十二控制線連接，所述識別第三電晶體的控制極與所述第十三控制線連 接。
9. 根據權利要求7所述的指紋識別顯示驅動電路，其特徵在於，所述識別第一電晶體 的控制極與所述第十二控制線連接，所述識別第三電晶體的控制極與所述第十一控制線連 接。
10. 根據權利要求7所述的指紋識別顯示驅動電路，其特徵在於，所述識別第一電晶體 的控制極與所述第十三控制線連接，所述識別第三電晶體的控制極與所述第十一控制線連 接。
11. 根據權利要求8-10中任一所述的指紋識別顯示驅動電路，其特徵在於，所述識別 第一電晶體、所述識別第二電晶體、所述識別第三電晶體、所述顯示第十一電晶體、所述顯 示第十二電晶體、所述顯示第十三電晶體、所述顯示第十四電晶體、所述顯示第十五電晶體 和所述顯示第十六電晶體均為P型薄膜電晶體。
12. 根據權利要求3所述的指紋識別顯示驅動電路，其特徵在於，所述補償驅動模塊包 括：顯示第二十一電晶體、顯示第二十二電晶體、顯示第二十三電晶體、顯示第二十四晶體 管、顯示第二十五電晶體和第三電容； 所述顯示第二十一電晶體的控制極與第二十二控制線連接，所述顯示第二十一電晶體 的第一極與第一電源端連接，所述顯示第二十一電晶體的第二極與所述驅動電晶體的第一 極連接； 所述顯示第二十二電晶體的控制極與第二十一控制線連接，所述顯示第二十二電晶體 的第一極與數據線連接，所述顯示第二十二電晶體的第二極與所述驅動電晶體的第一極連 接； 所述顯示第二十三電晶體的控制極與第二十三控制線連接，所述顯示第二十三電晶體 的第一極與第七電源端連接，所述顯示第二十三電晶體的第二極與所述驅動電晶體的控制 極連接； 所述顯示第二十四電晶體的控制極與所述第二十一控制線連接，所述顯示第二十四晶 體管的第一極與所述驅動電晶體的第二極連接，所述顯示第二十四電晶體的第二極與所述 驅動電晶體的控制極連接； 所述顯示第二十五電晶體的控制極與所述第二十二控制線連接，所述顯示第二十五晶 體管的第一極與所述驅動電晶體的第二極連接，所述顯示第二十五電晶體的第二極與所述 發光器件連接 所述第三電容的第一端與所述第七電源端連接，所述第三電容的第二端與所述驅動晶 體管的控制極連接。
13. 根據權利要求12所述的指紋識別顯示驅動電路，其特徵在於，所述識別第一晶體 管的控制極與所述第二十三控制線連接，所述識別第三電晶體的控制極與所述第二十一控 制線連接。
14. 根據權利要求12所述的指紋識別顯示驅動電路，其特徵在於，所述識別第一晶體 管的控制極與所述第二十三控制線連接，所述識別第三電晶體的控制極與所述第二十二控 制線連接。
15. 根據權利要求12所述的指紋識別顯示驅動電路，其特徵在於，識別第一電晶體的 控制極與所述第二十一控制線連接，所述識別第三電晶體的控制極與所述第二十二控制線 連接。
16. 根據權利要求13-15中任一所述的指紋識別顯示驅動電路，其特徵在於，所述識別 第一電晶體、所述識別第二電晶體、所述識別第三電晶體、所述顯示第二十一電晶體、所述 顯示第二十二電晶體、所述顯示第二十三電晶體、所述顯示第二十四電晶體和所述顯示第 二十五電晶體均為P型薄膜電晶體。
17. 根據權利要求3所述的指紋識別顯示驅動電路，其特徵在於，所述補償驅動模塊包 括：顯示第三十一電晶體、顯示第三十二電晶體、顯示第三十三電晶體、顯示第三十四晶體 管、顯示第三十五電晶體和第四電容； 所述顯示第三十一電晶體的控制極與第三十三控制線連接，所述顯示第三十一電晶體 的第一極與第一電源端連接，所述顯示第三十一電晶體的第二極與所述驅動電晶體的第一 極連接； 所述顯示第三十二電晶體的控制極與第三十一控制線連接，所述顯示第三十二電晶體 的第一極與第八電源端連接，所述顯示第三十二電晶體的第二極與所述第四電容的第一端 連接； 所述顯示第三十三電晶體的控制極與第三十二控制線連接，所述顯示第三十三電晶體 的第一極與所述第四電容的第一端連接，所述顯示第三十三電晶體的第二極與所述驅動晶 體管的控制極連接； 所述顯示第三十四電晶體的控制極與所述第三十一控制線連接，所述顯示第三十四晶 體管的第一極與數據線連接，所述顯示第三十四電晶體的第二極與所述驅動電晶體的控制 極連接； 所述顯示第三十五電晶體的控制極與所述第三十一控制線連接，所述顯示第三十五晶 體管的第一極與所述驅動電晶體的第二極連接，所述顯示第三十五電晶體的第二極與第九 電源端連接； 所述第二電容的第二端與所述驅動電晶體的第一極連接。
18. 根據權利要求17所述的指紋識別顯示驅動電路，其特徵在於，所述識別第一晶體 管的控制極與所述第三十一控制線連接，所述識別第三電晶體的控制極與所述第三十二控 制線連接。
19. 根據權利要求18所述的指紋識別顯示驅動電路，其特徵在於，所述識別第一晶 體管、所述識別第二電晶體、所述識別第三電晶體、所述顯示第三十一電晶體、所述顯示第 三十二電晶體、所述顯示第三十三電晶體、所述顯示第三十四電晶體和所述顯示第三十五 電晶體均為P型薄膜電晶體。
20. 根據權利要求17所述的指紋識別顯示驅動電路，其特徵在於，所述識別第一晶體 管、所述識別第二電晶體、所述顯示第三十一電晶體、所述顯示第三十二電晶體、所述顯示 第三十四電晶體和所述顯示第三十五電晶體均為P型薄膜電晶體； 所述識別第三電晶體和所述顯示第三十三電晶體均為N型薄膜電晶體； 所述第三i 控制線和所述第三十二控制線為同一條控制線。
21. 根據權利要求3所述的指紋識別顯示驅動電路，其特徵在於，所述補償驅動模塊包 括：顯示第四十一電晶體、顯示第四十二電晶體、顯示第四十三電晶體、顯示第四十四晶體 管、顯示第四十五電晶體、顯示第四十六電晶體和第五電容； 所述顯示第四十一電晶體的控制極與第四十二控制線連接，所述顯示第四十一電晶體 的第一極與第一電源端連接，所述顯示第四十一電晶體的第二極與所述驅動電晶體的第一 極連接； 所述顯示第四十二電晶體的控制極與第四十一控制線連接，所述顯示第四十二電晶體 的第一極與數據線連接，所述顯示第四十二電晶體的第二極與所述驅動電晶體的第一端連 接； 所述顯示第四十三電晶體的控制極與第四十三控制線連接，所述顯示第四十三電晶體 的第一極與第十電源連接，所述顯示第四十三電晶體的第二極與所述第五電容的第一端連 接； 所述顯示第四十四電晶體的控制極與所述第四十一控制線連接，所述顯示第四十四晶 體管的第一極與所述驅動電晶體的第二極連接，所述顯示第四十四電晶體的第二極與所述 驅動電晶體的控制極連接； 所述顯示第四十五電晶體的控制極與所述第四十二控制線連接，所述顯示第四十五晶 體管的第一極與所述驅動電晶體的第二極連接，所述顯示第四十五電晶體的第二極與所述 發光器件連接； 所述顯示第四十六電晶體的控制極與所述第四十二控制線連接，所述顯示第四十六晶 體管的第一極與數據線連接，所述顯示第四十六電晶體的第二極與所述第五電容的第一端 連接； 所述第五電容的第二端與所述驅動電晶體的控制極連接。
22. 根據權利要求21所述的指紋識別顯示驅動電路，其特徵在於，所述識別第一晶體 管的控制極與所述第四十三控制線連接，所述識別第三電晶體的控制極與所述第四十一控 制線連接。
23. 根據權利要求21所述的指紋識別顯示驅動電路，其特徵在於，所述識別第一晶體 管的控制極與所述第四十三控制線連接，所述識別第三電晶體的控制極與所述第四十二控 制線連接。
24. 根據權利要求21所述的指紋識別顯示驅動電路，其特徵在於，所述識別第一晶體 管的控制極與所述第四十一控制線連接，所述識別第三電晶體的控制極與所述第四十二控 制線連接。
25. 根據權利要求22-24中任一所述的指紋識別顯示驅動電路，其特徵在於，所述識 別第一電晶體、所述識別第二電晶體、所述識別第三電晶體、所述顯示第四十一電晶體、所 述顯示第四十二電晶體、所述顯示第四十三電晶體、所述顯示第四十四電晶體、所述顯示第 四十五電晶體和所述顯示第四十六電晶體均為P型薄膜電晶體。
26. -種顯示裝置，其特徵在於，包括：若干個像素單元，至少一個像素單元內設置有 如上述權利要求1-25中任一所述的指紋識別顯示驅動電路。
27. 根據權利要求26所述的顯示裝置，其特徵在於，當設置有所述指紋識別顯示驅動 電路的像素單元的數量為多個時，設置有所述指紋識別顯示驅動電路的全部所述像素單元 均勻分布。
【文檔編號】G09G3/32GK104112120SQ201410295566
【公開日】2014年10月22日 申請日期:2014年6月26日 優先權日:2014年6月26日
【發明者】楊盛際, 董學, 白峰, 許靜波, 王海生, 劉英明 申請人:京東方科技集團股份有限公司, 北京京東方光電科技有限公司