基板上的凸塊結構的製作方法

2023-06-09 04:04:41

專利名稱：基板上的凸塊結構的製作方法
技術領域：
本發明涉及一種基板上的凸塊結構，且特別涉及一種用來檢測接合工藝 的品質的凸塊結構。
背景技術：
一般在覆晶玻璃工藝(chip on glass, COG)中，玻璃與晶片之間的間隙(gap) 大小往往取決於工藝壓力、膠材特性、應力釋放等等因素。而要決定上述的 工藝參數時，晶片與玻璃之間的間隙的選取是格外重要。目前判斷玻璃與晶 片之間的間隙大小是在接合工藝(bonding process)之後利用掃描電子顯微鏡 (SEM)作切片分析。但是，此種分析方法非常費時。另外，利用各向異性導電膜(anisotropic conductive film, ACF)進行晶片-玻璃接合工藝中，卩險測其接合品質的方法是利用ACF中的導電顆粒的接合 情況來判斷是否接合良好。當接合不足時，導電顆粒不會有破裂的情況，因 而容易造成電性上的不導通。相反地，如果接合力太大，會導致導電顆粒過 度迫壓，將會因為壓力過大而造成不導通的情況。另外，US 5,707,902所揭露方法是在凸塊上設計尖點結構。在接合工藝 之後，利用凸塊上的尖點所造成的壓痕來判斷接合的程度。但是，此種方法 無法有效且立即地檢測出晶片與玻璃之間的間隙大小。再者，US 6,972,490所揭露的方法是在基板上增加停止結構(stopper)， 以防止晶片與玻璃之間因過度接合而導致接合工藝失敗。但此種方法無法檢 測出玻璃與晶片之間的間隙大小。發明內容本發明提供一種基板上的凸塊結構，此種凸塊結構可以用來檢測玻璃與 晶片之間的間隙大小，以判斷接合工藝的品質。本發明提供一種基板上的凸塊結構，利用此種凸塊結構可以立即地判斷 出玻璃與晶片之間的間隙大小以及接合工藝的品質。本發明提出一種基板上的凸塊結構，其包括至少一第一電極、至少一第 一凸塊以及至少一第二凸塊。第一電極配置於基板上。第一凸塊配置於第一 電極上。第二凸塊配置於基板上，其中第二凸塊的高度高於第一凸塊的高度。在本發明的 一個實施例中，上述的第 一與第二凸塊分別包括金屬凸塊、 導電凸塊、高分子凸塊或是在高分子凸塊上包覆金屬層所構成的彈性凸塊。在本發明的一個實施例中，上述的第二凸塊是由高分子凸塊與高分子凸 塊上的金屬層所構成，且金屬層會全部覆蓋、部分覆蓋或未覆蓋高分子凸塊。在本發明的一個實施例中，上述的第一與第二凸塊的上表面為平面或尖 點結構。在本發明的一個實施例中，上述的第一與第二凸塊的橫向斷面為圓形、 橢圓形、矩形、多邊形及其組合。本發明另提出一種基板上的凸塊結構，其包括至少一第一電極、至少一 第一凸塊以及多個第二凸塊。第一電極配置於基板上。第一凸塊配置於第一 電極上。第二凸塊配置於基板上，其中這些第二凸塊的有兩種以上的高度。在本發明的一個實施例中，此基板上的凸塊結構更包括連接層，以將這 些第二凸塊的底部連接在一起。在本發明的一個實施例中，上述的第一與第二凸塊分別包括金屬凸塊、 導電凸塊或由高分子凸塊與高分子凸塊上的金屬層所構成的彈性凸塊。在本發明的一個實施例中，上述的第二凸塊是由高分子凸塊與高分子凸 塊上的金屬層所構成，且金屬層會全部覆蓋、部分覆蓋或未覆蓋高分子凸塊。在本發明的一個實施例中，上述的第一與第二凸塊的上表面為平面或尖 點結構。在本發明的一個實施例中，上述的第一與第二凸塊的橫向斷面為圓形、 橢圓形、矩形、多邊形及其組合。本發明再提出一種基板上的凸塊結構，其包括至少一電極以及至少一階 梯狀凸塊。電極配置於基板上。階梯狀凸塊配置於基板上。在本發明的一個實施例中，上述的階梯狀凸塊位於電極上，或部分在電 極上。在本發明的一個實施例中，此基板上的凸塊結構更包括凸塊，位於電極 上，且階梯狀凸塊位於電極的外側。在本發明的一個實施例中，上述的階梯狀凸塊至少有兩階以上高度。在本發明的 一個實施例中，上述的階梯狀凸塊包括金屬凸塊、導電凸塊、 高分子凸塊或是在高分子凸塊上包覆金屬層所構成的彈性凸塊。在本發明的 一個實施例中，上述的階梯狀凸塊的上表面為平面或尖點結構。在本發明的 一個實施例中，上述的階梯狀凸塊包括多個堆迭於基板上的 層狀結構。在本發明的一個實施例中，上述的各個層狀結構的橫向斷面為圓形、橢 圓形、矩形、多邊形及其組合。在本發明的一個實施例中，上述的各個層狀結構的縱向斷面為圓形、橢 圓形、矩形、多邊形及其組合。在本發明的一個實施例中，上述的階梯狀凸塊的縱向斷面為單邊階梯狀 或是雙邊階梯狀。在本發明中，由於基板上配置有至少兩種凸塊，且此至少兩種凸塊的高 度不相同。因此當後續進行接合工藝之後，便可以直接觀察具有不同高度的 凸塊的形變程度來判斷接合工藝的品質。本發明的另 一 實施例是在基板上配 置階梯狀凸塊，同樣的，在進行接合工藝之後便可以直接觀察階梯狀凸塊的 形變程度來判斷接合工藝的品質。為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉優選實施例，並 配合附圖，作詳細說明如下。


圖1A至圖1C是依照本發明一個實施例的基板上的凸塊結構及其接合 工藝的剖面示意圖。圖2A至圖2C是依照本發明另一實施例的基板上的凸塊結構及其接合 工藝的剖面示意圖。圖3是依照本發明一個實施例的在兩基板之間設置非導電粘著層的剖面 示意圖。圖4是依照本發明一個實施例的在多個第二凸塊之間設置連接層的剖面 示意圖。圖5是依照本發明一個實施例的在第二凸塊上全部覆蓋、部分覆蓋以及 未覆蓋金屬層的剖面示意圖。圖6是依照本發明一個實施例的在第一與第二凸塊的上表面為尖點結構 的剖面示意圖。圖7是依照本發明一個實施例的第二凸塊形成在電極上的剖面示意圖。 圖8A至圖8C是依照本發明又一實施例的基板上的凸塊結構及其接合工藝的剖面示意圖。圖9A至圖9C是依照本發明再一實施例的基板上的凸塊結構及其接合工藝的剖面示意圖。圖10A是依照本發明 一 個實施例的雙邊階梯狀的凸塊的剖面示意圖。 圖IOB是依照本發明一個實施例的單邊階梯狀的凸塊的剖面示意圖。 圖11是依照本發明一個實施例的階梯狀凸塊的立體示意圖。 圖12A至圖12C分別是不同型態的層狀結構的立體示意圖。 附圖標記說明100、200:基板102、103:電極104、204:保護層106、108a、 108b、 108c、 110:凸塊112:連接層114:116:尖點結構120:非導電粘著層202:接點206:觀察方向208:圖案306、308:階梯狀凸塊310:層狀結構具體實施方式
第一實施例圖1A至圖1C是依照本發明一個實施例的在基板上的凸塊結構及其接 合工藝的剖面示意圖。請參照圖1A,此實施例的凸塊結構是配置在基板100 上，其包括至少一電極102、第一凸塊106以及第二凸塊108a、 108b、 108c。 在一個優選實施例中，電極102形成在基板IOO上，且在基板100的表面更 包括形成有保護層104，且保護層104會暴露出電極102。基板100例如是 矽基板、玻璃基板、印刷電路板、可撓式基板或是陶資基板。電極102的材 質例如是金屬。另外，第一凸塊106位於電極102上，且第二凸塊108a、108b、 108c位於基4反100上，也就是第二凸塊108a、 108b、 108c位於未配置有電 極之處。因此第二凸塊108a、 108b、 108c可以形成在基板100上的任何位置，其例如是基板100上未形成線路或元件之處。而上述的第一凸塊106以 及第二凸塊108a、 108b、 108c可以是金屬凸塊、導電凸塊、高分子凸塊或 是在位於高分子凸塊上包覆導電層所構成的彈性凸塊。另外，第一凸塊106 以及第二凸塊108a、 108b、 108c的橫向斷面為圓形、橢圓形、矩形、多邊 形及其組合。特別是，這些第二凸塊108a、 108b、 108c的高度皆不相同。例如，第 二凸塊108a的高度會低於位於電極102上第一凸塊106的高度，第二凸塊 108b的高度會與位於電極102上第一凸塊106的高度相同，而第二凸塊108c 的高度會高於位於電極102上第一凸塊106的高度。而在基板IOO上設計不 同高度的第二凸塊108a、 108b、 108c是用來在接合工藝之後才企測接合工藝的品質，其詳細說明如下請參照圖1B,在上述已形成有第一凸塊106以及第二凸塊108a、 108b、 108c的基板100的對向設置另一基板200。而在基板200上已形成有接點 202。在一個優選實施例中，接點202形成在基板200上，且在基板200上 更形成有暴露出接點202的保護層202。同樣的，基板200可以是矽基板、 玻璃基板、印刷電路板、可撓式基板或是陶瓷基板。舉例而言，基板100是 矽基板(晶片)，而基板200是玻璃基板，則以下的接合工藝即為所謂的覆晶-玻璃接合工藝(COG)。之後，請參照圖1C，進行接合工藝，以使第一凸塊106與基板200上 的接點202接觸。此時，由於第二凸塊108a、 108b、 108c高度不同，因此 在接合工藝之後便會產生不同的形變程度。詳細的說明是，由於第二凸塊 108a的高度較第一凸塊106低，因此第二凸塊108a不會與基板200接觸。 另外，由於第二凸塊108b的高度與第一凸塊106相同，因此第二凸塊108b 會剛好與基板200接觸。此外，由於第二凸塊108c的高度高於第一凸塊106, 因此第二凸塊108c在接合之後會產生形變。因此，在接合工藝之後，只需 從箭頭206所標示的方向觀察，便能藉由第二凸塊108a、 108b、 108c所呈 現的圖案208來判斷接合工藝之後兩基板100、 200之間的間隙是否符合標 準，以了解接合工藝的品質。在圖1C所繪示的結果為接合工藝結果優良。 換言之，如果觀察到的結果是第二凸塊108b並未與基板200接觸，那麼將 可以推知此接合工藝不足，因而第一凸塊106並未與接點202有良好的接觸。 如果觀察到的結果是第二凸塊108a也與基板200有接觸，那麼將可以推知此接合工藝為過度接合。上述的實施例是在電極的外側利用三個具有不同高度的凸塊來判斷接 合工藝的品質，但本發明對於凸塊的數目並不特別加以限制，其亦可以是利 用兩個、四個或更多個具有不同高度的第二凸塊來判斷接合工藝的品質。當然本發明還可以僅利用單個凸塊來判斷接合工藝的品質，其詳細說明如下圖2A至圖2C為依照本發明一個實施例的在基板上的凸塊結構及其接 合工藝的剖面示意圖。請參照圖2A，此基板上的凸塊結構與圖1A相似，不 同之處在於第二凸塊110為單個凸塊，且第二凸塊110的高度比位於電極102 上的第一凸塊106的高度高。而有關第二凸塊110的材質以及橫向斷面形狀 與先前圖1A所述的第二凸塊108a、 108b、 108c相同或相似，因此不再贅述。 請參照圖2B,類似地，在上述已形成有第一凸塊106以及第二凸塊110 的基板100的對向設置另一基板200。之後，請參照圖1C，進行接合工藝， 以使第一凸塊106與基板200上的接點202接觸。此時，由於位於電極102 外側的第二凸塊110的高度高於第一凸塊106，因此在接合工藝之後，第二 凸塊110便會產生形變。換言之，在接合工藝之後，只需從箭頭206所標示 的方向觀察，便能藉由第二凸塊110所呈現的圖案208 (形變程度)來判斷接 合工藝之後兩基板100、 200之間的間隙是否符合標準，以了解接合工藝的 品質。而在上述的實施例中，更可以在兩基板100、 200之間形成非導電粘著 層(Non-ConductiveFilm，NCF)120，如圖3所示。圖3是以圖1C的具有三種 不同高度的凸塊為例來說明非導電粘著層120的位置。事實上，在圖2C的 實施例中，兩基板IOO、 200之間亦可以配置有非導電粘著層(未示出)。依據本發明的另一實施例，若基板100上配置有多個第二凸塊(例如第 二凸塊108a、 108b、 108c)，那麼在第二凸塊108a、 108b、 108c兩兩之間更 包括配置有連接層112，如圖4所示。連接層112的材質例如是與第二凸塊 108a、 108b、 108c相同，其作用是防止第二凸塊108a、 108b、 108c滑落。依據本發明的另一實施例，如圖5所示，倘若第一凸塊及第二凸塊是彈 性凸塊，那麼第一凸塊及第二凸塊例如是由高分子凸塊106、 108a、 108b、 108c以及位於高分子凸塊106、 108a、 108b、 108c上的金屬層114所構成。 而此金屬層114可以全部覆蓋、部分覆蓋或未覆蓋第二凸塊的高分子凸塊 108a、 108b、 108c。圖5所^會示的是第二凸塊的高分子凸塊108a未淨皮金屬層114所覆蓋，第二凸塊的高分子凸塊108b是被金屬層114部分覆蓋，而 第二凸塊的高分子凸塊108c是被金屬層114完全覆蓋。但本發明不限於此， 其亦可以是所有第二凸塊的高分子凸塊108a、 108b、 108c都被金屬層114 所覆蓋、部分覆蓋或未覆蓋。而上述各實施例中的凸塊結構上表面是平面結構，但本發明不限於此。 在本發明中，凸塊結構的上表面亦可以是尖點結構。如圖6所示，凸塊結構 107與凸塊結構109a、 109b、 109c的上表面是尖點結構116。而此尖點結構 的形成例如是在形成凸塊時，使用不同曝光量將凸塊與尖點結構同時定義 出。因此，上表面是尖點結構116的凸塊結構107與凸塊結構109a、 109b、 109c的材質是高分子材料。同樣地，在圖2A的實施例中，其凸塊結構110 的上表面也可以是尖點結構(未示出)。上述實施例中所述的第二凸塊配置於基板上未形成有電極之處，但本發 明不限於此，事實上第二凸塊亦可以形成在電極上，如圖7所示。請參照圖 7,依照本發明的另一實施例，基板上除了有電極102之外，更包括有電極103, 而電極102上是配置有第一凸塊106。特別是，第二凸塊110配置於電 極103上。圖7是以圖2A至圖2C的單一第二凸塊的圖式為例來說明。類 似地，在圖1A至圖1C所繪示的具有多個第二凸塊的結構中，第二凸塊108a、 108b、 108c亦可以配置於電極上(未示出)。第二實施例圖8A至圖8C是依照本發明一個實施例的在基板上的凸塊結構及其接 合工藝的剖面示意圖。請參照圖8A，此實施例的凸塊結構是配置在基板100 上，其包括至少一電極102以及至少一階梯狀凸塊306。在一個優選實施例 中，電極102形成在基板100上，且在基板100的表面更包括形成有保護層104, 且保護層104會暴露出電極102。在此實施例中，階梯狀凸塊306位於 電極102上。類似地，階梯狀凸塊306可以是金屬凸塊、導電凸塊或是由高 分子凸塊與位於高分子凸塊上的導電層所構成的彈性凸塊。另外，階梯狀凸 塊306的橫向斷面為圓形、橢圓形、矩形或是多邊形。此階梯狀凸塊306配 置於電極102上或是部分配置在電極102上。另外，此階梯狀凸塊306至少 有兩階以上。本實施例的圖式是以兩階的階梯狀凸塊306為例來說明，但本 發明不以jt匕為限。請參照圖8B，在上述已形成有階梯狀凸塊306的基板100的對向設置 另一基板200。之後，請參照圖8C,進行接合工藝，以使階梯狀凸塊306與 基板200上的接點202接觸。此時，由於階梯狀凸塊306是階梯狀結構，因 此在接合工藝之後，若過度接合，將會使得階梯狀凸塊306產生形變，甚至 使階梯狀凸塊306的階梯結構消失。因此，在接合工藝之後，只需觀察階梯 狀凸塊306的階梯結構的形變程度，便能判斷接合工藝之後兩基板100、 200 之間的間隙是否符合標準，以了解接合工藝的品質。上迷的實施例是將階梯狀凸塊形成在電極上，本發明亦可以將階梯狀凸 塊形成在電極外側，其詳細說明如下圖9A至圖9C是依照本發明一個實施例的在基板上的凸塊結構及其接 合工藝的剖面示意圖。請參照圖9A,此實施例的凸塊結構是配置在基板100 上，其包括至少一電極102、凸塊106以及至少一階梯狀凸塊308。在此實 施例中，凸塊106位於電極102上，而階梯狀凸塊308位於電極102的外側。 階梯狀凸塊308的高度可以是高於、低於或相同於凸塊106的高度。圖9A 是以階梯狀凸塊308的高度是相同於凸塊106的高度為例來說明。另外，凸 塊106與階梯狀凸塊308的材質以及對黃向斷面的形狀與先前所述相同或相 似，在此不再贅述。此外，此階梯狀凸塊308至少有兩階以上。本實施例的 圖式是以兩階的階梯狀凸塊308為例來說明，但本發明不以此為限。請參照圖9B，在基板100的對向設置另一基板200。之後，請參照圖 9C，進行接合工藝，以使凸塊106與基板200上的接點202接觸。此時，由 於階梯狀凸塊308的高度與凸塊106的高度相同。因此在接合工藝之後，若 過度接合，將會使得階梯狀凸塊308產生形變，甚至使階梯狀凸塊308的階 梯結構消失。相反地，若接合不足，將會使階梯狀凸塊308會與基板200接 觸。因此在接合工藝之後，只需從箭頭206所標示的方向觀察，便能藉由階 梯狀凸塊308所呈現的圖案208 (形變程度)來判斷接合工藝之後兩基板100、 200之間的間隙是否符合標準，以了解接合工藝的品質。而上述實施例中的階梯狀凸塊308的縱向斷面為雙邊階梯狀(如圖10A 所示)。事實上，本發明亦可以在基板上形成單邊階梯狀凸塊(如圖10B所示)， 以判斷接合工藝的品質。圖11是依照本發明一個實施例的階梯狀凸塊的立體示意圖，而圖12A 至圖12C分別是不同型態的層狀結構的立體示意圖。首先，請參照圖11，本發明的階梯狀凸塊308除了前述實施例中所描述的型態之外，亦可以有其 他的變化型態。詳言之，階梯狀凸塊308例如是由多個堆迭於基板上的層狀 結構310所構成，各個層狀結構310可以是三角形層狀結構(如圖12A所示)、 圓形層狀結構(如圖12B所示)、半球形層狀結構(如圖12C所示)等。本 發明可依照實際需求，將不同形狀的層狀結構310堆迭在一起，意即，本發 明不限定同一階梯狀凸塊308中的各個層狀結構310必須具有相同的形狀。在上述實施例中，雖僅舉出三角形層狀結構(如圖12A所示)、圓形層 狀結構(如圖12B所示)、半球形層狀結構(如圖12C所示)等三種層狀結 構310的形狀，但其並非用以限定本發明。本發明可選擇具有不同橫向斷面 以及縱向斷面的層狀結構310來構成階梯狀凸塊308。在本實施例中，層狀 結構310的橫向斷面可為圓形、橢圓形、矩形、多邊形及其組合，而層狀結 構310的縱向斷面亦可為圓形、橢圓形、矩形、多邊形及其組合。同樣地，在第二實施例的結構中，還可以在兩基板100、 200之間形成 非導電粘著層(未示出)。另外，本發明不限制形成在電極120外側的階梯狀 凸塊的數目。上述實施例是以單個為例來作說明，但實際上其亦可以是多個， 且若在基板IOO上形成多個階梯狀凸塊，這些階梯狀凸塊的總高度可以是不 相同的。類似地，若在基板100上形成多個階梯狀凸塊，那麼在兩相鄰階梯 狀凸塊之間也可以更形成連接層(未示出)，以防止階梯狀凸塊滑落。另外， 在第二實施例的結構中，圖8A至圖8C所繪示的階梯狀凸塊306或是圖9A 至圖9C所繪示的凸塊106以及階梯狀凸塊308，可以是由高分子凸塊或是 在位於高分子凸塊上包覆金屬層所構成。而此金屬層可以是全部覆蓋、部分 覆蓋或未覆蓋階梯狀凸塊的高分子凸塊。此外，在第二實施例中的凸塊 306(或106與308)的上表面可以是平面或尖點結構。綜上所述，在本發明的第一實施例中，由於基板上配置有至少兩種凸塊， 且此至少兩種凸塊的高度不相同。因此當後續進行接合工藝之後，便可以直 接觀察凸塊的形變程度來判斷接合工藝的品質。本發明的另一實施例是在基板上配置階梯狀凸塊，同樣的，在進行接合 工藝之後便可以直接觀察階梯狀凸塊的形變程度來判斷接合工藝的品質。雖然本發明已以優選實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，本領 域普通技術人員在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤 飾，因此本發明的保護範圍當由權利要求所界定的為準。
權利要求
1. 一種基板上的凸塊結構，包括至少一第一電極，配置於基板上；至少一第一凸塊，配置於該第一電極上；以及至少一第二凸塊，配置於該基板上，其中該第二凸塊的高度高於該第一凸塊的高度。
2. 如權利要求1所述的基板上的凸塊結構，其中該第一與第二凸塊分 別包括金屬凸塊、導電凸塊、高分子凸塊或是在該高分子凸塊上包覆金屬層 所構成的彈性凸塊。
3. 如權利要求1所述的基板上的凸塊結構，其中該第二凸塊是由高分 子凸塊與該高分子凸塊上的金屬層所構成，且該金屬層會全部覆蓋、部分覆 蓋或未覆蓋該高分子凸塊。
4. 如權利要求1所述的基板上的凸塊結構，其中該第一與第二凸塊的 上表面為羊面或尖點結構。
5. 如權利要求1所述的基板上的凸塊結構，其中該第一與第二凸塊的 橫向斷面為圓形、橢圓形、矩形、多邊形及其組合。
6. —種基板上的凸塊結構，包括至少一第一電極，配置於基板上； 至少一第一凸塊，配置於該第一電極上；以及多個第二凸塊，配置於該基板上，其中該些第二凸塊有兩種以上不同高度。
7. 如權利要求6所述的基板上的凸塊結構，更包括連接層，以將該些 第二凸塊的底部連接在一起。
8. 如權利要求6所述的基板上的凸塊結構，其中該第一與第二凸塊分 別包括金屬凸塊、導電凸塊、高分子凸塊或是在該高分子凸塊上包覆金屬層所構成的彈性凸塊。
9. 如權利要求6所述的基板上的凸塊結構，其中該第二凸塊是由高分 子凸塊與該高分子凸塊上的金屬層所構成，且該金屬層會全部覆蓋、部分覆 蓋或未覆蓋該高分子凸塊。
10. 如權利要求1所述的基板上的凸塊結構，其中該第一與第二凸塊的上表面為平面或尖點結構。
11. 如權利要求1所述的基板上的凸塊結構，其中該第一與第二凸塊的 橫向斷面為圓形、橢圓形、矩形、多邊形及其組合。
12. —種基板上的凸塊結構，包括 至少一電極，配置於基板上；以及 至少一階梯狀凸塊，配置於該基板上。
13. 如權利要求12所述的基板上的凸塊結構，其中該階梯狀凸塊位於 該電極上，或部分在該電極上。
14. 如權利要求12所述的基板上的凸塊結構，更包括凸塊，位於該電 極上，且該階梯狀凸塊位於該電極的外側。
15. 如權利要求12所述的基板上的凸塊結構，其中該階梯狀凸塊至少 有兩階以上高度。
16. 如權利要求12所述的基板上的凸塊結構，其中該階梯狀凸塊包括 包括金屬凸塊、導電凸塊、高分子凸塊或是在該高分子凸塊上包覆金屬層所 構成的彈性凸塊。
17. 如權利要求12所述的基板上的凸塊結構，其中該階梯狀凸塊的上 表面為平面或尖點結構。
18. 如權利要求12所述的基板上的凸塊結構，其中該階梯狀凸塊包括 多個堆迭於該基板上的層狀結構。
19. 如權利要求18所述的基板上的凸塊結構，其中各該層狀結構的橫 向斷面為圓形、橢圓形、矩形、多邊形及其組合。
20. 如權利要求18所述的基板上的凸塊結構，其中各該層狀結構的縱 向斷面為圓形、橢圓形、矩形、多邊形及其組合。
21. 如權利要求12所述的基板上的凸塊結構，其中該階梯狀凸塊的為 單邊階梯狀或是雙邊階梯狀。
全文摘要
本發明提出一種基板上的凸塊結構，其包括至少一第一電極、至少一第一凸塊以及至少一第二凸塊。第一電極配置於基板上。第一凸塊配置於第一電極上。第二凸塊配置於基板上，其中第二凸塊的高度高於第一凸塊的高度。本發明的彈性凸塊可以用來檢測接合工藝的品質。
文檔編號H01L23/544GK101266956SQ20071008854
公開日2008年9月17日 申請日期2007年3月16日 優先權日2007年3月16日
發明者張世明, 毅 曾, 楊省樞, 陳酩堯 申請人:臺灣薄膜電晶體液晶顯示器產業協會;中華映管股份有限公司;友達光電股份有限公司;瀚宇彩晶股份有限公司;奇美電子股份有限公司;財團法人工業技術研究院;統寶光電股份有限公司