形成雙重鑲嵌圖案的方法

2023-06-02 19:49:46 1

專利名稱：形成雙重鑲嵌圖案的方法
技術領域：
總的來說，本發明涉及半導體加工。更具體地說，本發明涉及 一種形成雙重鑲嵌圖案的方法。
背景技術：
隨著半導體工業開發超大規模集成電路(ULSI)器件，器件縮小 到亞半微米尺寸，這增大了電路密度，從而造成阻容(RC)延遲和銅反 應性離子蝕刻(RIE)。在形成具有縮小尺寸的器件的位線圖案的工序 中，圖案可能會橋接或崩塌。
為了避免圖案的橋接和/或崩塌並且改善器件的布局，已經發展 了雙重鑲嵌工序。當因為器件尺寸減小而不可能以傳統的蝕刻技術圖 案化金屬材料時，或者在深接觸蝕刻工序中填充低介電材料以形成傳 統的金屬線不容易實現時，可以使用雙重鑲嵌工序。
藉助於雙重鑲嵌工序，可以形成接觸線結構。接觸線結構可以 包括鋁金屬線和氧化膜。作為選擇，接觸線結構可以包括銅金屬線和 低介電常數(低k)材料，用以減少LSI工序中的RC延遲。
可以在蝕刻工序中使用含有絕緣膜和非晶碳層的沉積結構來形 成用於較小尺寸半導體器件的低於80nm的圖案，而非使用含有多晶 矽、鎢、氮化膜和氧化膜的沉積結構作為硬掩模。該沉積結構確保對 較低層的蝕刻選擇性，並且具有比光阻和抗反射膜更高的蝕刻速度。
然而，使用絕緣膜/非晶碳層的工序較為複雜。此外，因為涉及 化學氣相沉積(CVD)工序，製造成本較高。
近年來，發展了作為有機抗反射膜和硬掩模膜的多功能硬掩模 膜以簡化工序。

發明內容
本發明的各種實施例旨在提供一種形成雙重鑲嵌圖案的方法。
在一方面，提供一種形成包含導通孔圖案的雙重鑲嵌圖案的方 法，該方法包括以含有大量矽分子的多功能硬掩模組成物填充導通接 觸孔，從而簡化形成金屬線的工序。
根據一個實施例， 一種形成雙重鑲嵌圖案的方法包括製備含 有矽樹脂作為主劑(基礎樹脂)的多功能硬掩模組成物，其中以樹脂 的總重量為基礎，所述矽樹脂包含20到45wt。/。的矽分子；在硬接線 層上方形成包括自對準接觸絕緣膜、第一介電膜、蝕刻阻障膜、以及 第二介電膜的沉積結構；蝕刻所述沉積結構至露出所述硬接線層，以 形成導通孔；將所述多功能硬掩模組成物塗覆在所述第二介電膜上方 以及所述導通孔內，以形成多功能硬掩模膜；利用光阻圖案作為蝕刻 掩模來蝕刻所獲得的結構以露出所述第一介電膜的一部分，從而形成 寬度比所述導通孔更大的溝槽；以及移除所述多功能硬掩模膜。
所述方法還包括在移除所述多功能硬掩模膜之後，通過隨後 的工序在所述溝槽中填充金屬材料以形成金屬線。


圖la至ld是示出一種形成包括溝槽圖案的雙重鑲嵌圖案的方 法的橫截面圖。
圖2a至2d是示出一種形成包括導通孔圖案的雙重鑲嵌圖案的 方法的橫截面圖。
圖3a至3f是示出一種形成包括導通孔圖案的雙重鑲嵌圖案的方 法的橫截面圖。
圖4a至4e是示出根據本發明一個實施例的一種形成雙重鑲嵌 圖案的方法的橫截面圖。
圖5a和5b是示出所獲得的多功能硬掩模膜的掃描式電子顯微 鏡(SEM)照片。
圖6a至6d是示出具有多功能硬掩模膜的基板的反射率仿真曲線圖。
具體實施例方式
雙重鑲嵌工序可以包括取決於通過蝕刻工序獲得的結構，形 成包括溝槽圖案或導通孔圖案的雙重鑲嵌圖案。
圖la至Id是示出一種形成包括溝槽圖案的雙重鑲嵌圖案的方
法的橫截面圖。
該方法包括在硬接線層1上方形成自對準接觸(SAC)絕緣膜3， 在SAC絕緣膜3上方形成第一低介電膜5，在第一低介電膜5上方 形成氮化膜7，在氮化膜7上方形成第二低介電膜9。該方法還包括 蝕刻工序，在氮化膜7和第二低介電膜9上進行該蝕刻工序，以露出 第一低介電膜5的一部分，從而形成溝槽IO(見圖la)。在第二低介 電膜9和第一低介電膜5的露出部分上形成抗反射膜11，將光阻膜 13形成於抗反射膜11上並填充至溝槽10中，使抗反射膜11的一部 分在溝槽10中露出。抗反射膜11的露出部分的面積比第一低介電膜 5的先前露出的部分的面積更小。另外，在所獲得的結構上進行蝕刻 工序以露出硬接線層1的一部分，從而形成寬度比溝槽10的寬度更 小的導通孔14(見圖lb和lc)。移除抗反射膜11和光阻膜13，並且 在該結構上形成金屬材料15以形成金屬線(見圖ld)。
為了獲得更低的k(介電常數)值，第一低介電膜5和第二低介電 膜9可以包括蝕刻速度比傳統介電膜的蝕刻速度高的多孔介電材料。 結果，因為多孔介電材料的蝕刻速度比填充於溝槽10中的光阻膜13 的光阻材料的蝕刻速度高，所以多孔介電材料可能會不穩定。
圖2a至2d是示出一種形成包括導通孔圖案的雙重鑲嵌圖案的 方法的橫截面圖。
該方法包括在硬接線層21上方形成SAC絕緣膜23，在SAC 絕緣膜23上方形成第一低介電膜25，在第一低介電膜25上方形成 氮化膜27，以及在氮化膜27上方形成第二低介電膜29。該方法還包 括蝕刻工序，對SAC絕緣膜23、第一低介電膜25、氮化膜27和第 二低介電膜29進行該蝕刻工序，以露出硬接線層21的一部分，從 而形成導通孔30(見圖2a)。在包括導通孔30的第二介電膜29上方 形成抗反射膜(未顯示)。在抗反射膜上方形成光阻圖案31(見圖2b)。
利用光阻圖案31作為蝕刻掩模來蝕刻所獲得的結構以露出第一低介
電膜25的一部分，從而形成溝槽33(見圖2c)。在所獲得的結構上進 行清洗工序以移除抗反射膜和光阻圖案31。在所獲得的結構上形成 金屬材料35，以形成位於溝槽33和導通孔30中的金屬線(見圖2d)。
因為在上述方法中使用的光阻圖案31的光阻材料具有較低的蝕 刻選擇性，所以隨後形成溝槽的蝕刻工序是不穩定的。
圖3a至3f是示出一種形成雙重鑲嵌圖案的方法的橫截面圖，該 方法包括採用普通間隙填充材料填充導通接觸孔。
該方法包括在硬接線層41上方形成SAC絕緣膜43，在SAC 絕緣膜43上方形成第一低介電膜45，在第一低介電膜45上方形成 氮化膜47,以及在氮化膜47上方形成第二低介電膜49。蝕刻SAC 絕緣膜43、第一低介電膜45、氮化膜47和第二低介電膜49，以露 出硬接線層41，從而形成導通孔50(見圖3a)。在第二低介電膜49上 方以及在導通孔50中形成間隙填充材料51(見圖3b)。在所獲得的結 構上進行平面化工序，以露出第二低介電膜49和間隙填充材料51(見 圖3c)。在露出的第二低介電膜49和間隙填充材料51上形成抗反射 膜53，並且在抗反射膜53上形成光阻圖案55(見圖3d)。利用光阻圖 案55作為蝕刻掩模在所獲得的結構上進行蝕刻工序，以露出第一低 介電膜45，從而形成寬度比導通孔50的寬度更大的溝槽56(見圖3e)。 在所獲得的結構上進行清洗工序，以移除抗反射膜53和光阻圖案55。 並且在所獲得的結構上形成金屬材料57以形成金屬線(見圖3f)。
因為間隙填充材料51不能像傳統的抗反射膜那樣控制基板的反 射率，所以上述方法包括形成抗反射膜。結果，該工序是複雜的。
在本發明的具體實施例中，多功能硬掩模組成物包含如下主要
成分i)以組成物的總重量為基礎含量範圍為約30到70重量份的矽 樹脂；以及ii)剩餘的有機溶劑。該組成物可選地進一步包含iii)以 化學式1或2(如下)表示的化合物；和/或iv)熱酸產生劑或光酸產生 劑。
formula see original document page 12[化學式2]formula see original document page 12
其中Ra Rd可以各自為氫(H)或者線性或分支的C廣C5烷基團，
其可以是經取代的，e是範圍從5到500的整數，f是範圍從0到5 的整數，且g是範圍從l到5的整數。
由化學式1表示的化合物的分子量範圍從約500到50,000。化 學式2的羥基化合物優選地具有範圍從約100到10,000的分子量。 該羥基化合物由含有苯環和二醇結構的化合物表示。舉例來說，該羥 基化合物由間苯二酚或1,4-苯二甲醇表示。優選的是，以100重量份 的矽樹脂為基礎，以化學式1或2表示的化合物的含量範圍為約20 到200重量份。以100重量份的化學式1的矽化合物的重量為基礎， 羥基化合物的含量範圍為約10重量份到80重量份。
以樹脂的總重量為基礎，矽樹脂包括含量範圍從約20到45wt% (重量百分比)的矽(Si)分子。矽樹脂的分子量範圍為約300到 30，000。
矽樹脂含有選自化學式3到7(下面)表示的化合物中的一種或多 種作為主劑。 [化學式3]
formula see original document page 12
其中R廣R2可以各自為氫(H)或者線性或分支的d C5烷基團，
其可以是經取代的，且m、 n和o為範圍從1到10的整數。 [化學式4]
其中R3可以是氫(H)或者線性或分支的C廣C5垸基團，其可以是 經取代的；C廣C8環垸基團，其可以是經取代的；或者C5 C12芳香 基團，其可以是經取代的，且x和y為範圍從0到5的整數。
formula see original document page 13其中R4 R9可以各自為氫(H)或者線性或分支的d Cs垸基團， 其可以是經取代的或未經取代的，a和b為範圍從1到100的整數: 且w和z為範圍從O到5的整數。 [化學式6]
formula see original document page 13其中R1為(CH2)kSi(OR')3， R'可以是氫(H)或者線性或分支的 C廣do烷基團，且k為範圍從1到10的整數。 [化學式7]
formula see original document page 14舉例來說，化學式2可以是PSS-[2-(3,4-環氧基環己基)乙基]-庚 烷異丁基取代，化學式3可以是聚[二甲基矽氧烷-共-(2-(3,4-環氧基 環己基)乙基)甲基矽氧垸]，化學式4可以是PSS-八(三甲氧基甲矽烷 基甲基)取代或PSS-八(三甲氧基甲矽垸基乙基)取代的PSS。在一個 實施例中，可以使用NCH 087 (Nissan Industrial Chemical)。
有機溶劑選自於一個群組，該群組包括3-甲氧基丙酸甲酯、 3-乙氧基丙酸乙酯、丙二醇甲醚醋酸酯、環己酮、2-庚酮、乳酸乙酯、 及其組合。
在100重量份的矽樹脂中，熱酸產生劑或光酸產生劑的含量範 圍為約1到20重量份。熱酸產生劑選自於化學式8和9組成的群組。 [化學式8]formula see original document page 15 formula see original document page 15
其中A是包括磺醯基的官能基，且j為0或l。磺醯基是 formula see original document page 15 或 formula see original document page 15。舉例來說，熱酸產生劑可以是對-亞苄基磺酸2-羥基己酯。
光酸產生劑選自於一個群組，該群組包括鄰苯二甲醯亞氨基三氟甲磺酸鹽、二硝基苄基甲苯磺酸鹽、正癸基二碸、萘基亞氨基三 氟甲磺酸鹽、二苯基對甲氧基苯基三氟甲磺酸鋶、二苯基對亞苄基三 氟甲磺酸鋶、二苯基對異丁基苯基三氟甲磺酸鋶、三苯基六氟砷酸鹽、 三苯基六氟亞銻酸鹽、三苯基三氟甲磺酸鋶、和二丁基萘基三氟甲磺酸鋶。
多功能硬掩模膜可以含有大量的Si，以確保對非晶碳層或較低 層的抗蝕刻能力。因為該多功能硬掩模膜以旋塗方法形成，多功能硬掩模膜不受拓撲結構影響。另外，多功能硬掩模膜可以包含具有在 組成物中用於交聯的羥基團的聚合物、諸如交聯劑等催化劑、用於活 化交聯的熱酸產生劑和光酸產生劑、以及在曝光光源的波長帶中具有 較大光學密度的光吸收劑。
圖4a至4e是示出根據本發明 一個具體實施例的一種形成雙重 鑲嵌圖案的方法的橫截面圖。
將SAC絕緣膜113、第一低介電膜115、氮化膜117、和第二低 介電膜U9依次沉積在硬接線層111上方，並且蝕刻所獲得的結構以 露出硬接線層111的一部分，從而獲得導通孔120(見圖4a)。可以使用具有低K值的任何材料作為第二低介電膜119。第二 低介電膜119選自於一個群組，該群組包括氧化膜、旋塗玻璃(SOG) 材料、和氮化膜。氧化膜選自於一個群組，該群組包括高密度等離
子(HDP)氧化物、硼磷矽酸鹽玻璃(BPSG)、和四乙氧基矽酸鹽玻璃 (TEOS)。 SOG材料選自於一個群組，該群組包括矽倍半氧垸氫化 物(Hydrogen Silses-Quioxane, HSQ)、矽倍半氧烷甲基化物(Methyl Silses-Quioxane, MSQ)、 和矽倍半氧烷苯基化物(Phenyl Silses-Quioxane, PSQ)。氮化膜選自於氮氧化矽(SiON)和富矽氮氧化 物(SRON)所組成的群組。
藉助於旋塗方法在第二低介電膜119上以及導通孔120中形成 多功能硬掩模膜121 (見圖4b)。
可藉助於例如折射率(n)和吸收率(k)等光學常數以及材料塗覆 厚度來調整基板反射率。低的基板反射率可以有助於圖案化工序。由 於折射率對聚合物的主鏈尺寸的依賴性，要改變折射率(n)是困難的， 但是可以藉助於發色團的裝載量而容易地調整吸收率或塗覆厚度。為 了減小基板反射率和增加關鍵尺寸的一致性，需要適當地調整多功能 硬掩模膜的塗覆厚度。
舉例來說，以組成物的總重量為基礎，多功能硬掩模膜121可 以含有作為主要成分的含量範圍從約30到70重量份的矽樹脂，並且 具有範圍從1.6到1.8的折射率。以樹脂的總重量為基礎，矽樹脂含 有含量範圍從約20到45wty。的矽分子。多功能硬掩模膜121形成為 具有小於1%(優選的是，範圍從約0.05到0.001%)的基板反射率。具 體地說，多功能硬掩模膜121以範圍從約300到1300A的厚度形成， 該厚度優選的是從約300到500A，或從約800到1000A，更優選的 是從約340到460A，以便完全地填充導通孔120並且減小基板反射 率。
因為多功能硬掩模膜121與傳統的抗反射膜一樣控制了基板的 反射率，所以不需要在隨後的工序中形成抗反射膜，從而簡化了工序。
由於多功能硬掩模膜121的塗覆影響，當填充分離的導通孔區 域或密集的區域時，沒有產生空隙或階梯覆蓋。而且，多功能硬掩模
膜121不會和界面中的光阻材料相混合。
在多功能硬掩模膜121的特定區域上形成光阻圖案123 (見圖
4c)。
利用光阻圖案123作為蝕刻掩模在所獲得的結構上進行蝕刻工 序以露出第一低介電膜115的一部分，從而獲得寬度比導通孔120 的寬度更大的溝槽125 (見圖4d)。
溝槽125用於形成雙重鑲嵌圖案，其中沉積有導通孔溝槽和傳 導溝槽。
上述蝕刻工序是使用等離子蝕刻氣體作為氣體源來進行的，該 氣體選自於一個群組，該群組包括CF4、 C4F6、 CH2F2、 CHF3、 02、 Ar、及其混合物。
在所獲得的結構上進行剝除工序以移除光阻圖案123和多功能 硬掩模膜121。採用金屬材料127填充溝槽125以形成金屬線(見圖 4e)。
上述剝除工序是藉助於使用諸如氟或鹼金屬化學品等化學品的 溼式方法來進行的。
多功能硬掩模膜121可以用作含有大量矽的間隙填充材料，以 控制基板反射率，從而使得不需要執行形成抗反射膜的工序，由此簡 化了工序。
在雙重鑲嵌工序中使用的間隙填充材料必須具有相對於第一低 介電膜115和第二低介電膜119適當的蝕刻速度。當使用多功能硬掩 模膜121作為間隙填充材料時，可以依據矽含量調整蝕刻速率。
當在用於形成溝槽125的工序中間隙填充材料的蝕刻速度比第 二低介電膜119的蝕刻速度低時，可能會在溝槽中在第二低介電膜 119的表面上產生諸如冠狀或柵欄式等缺陷，從而降低晶種層的沉積 效果或金屬材料的鍍層效果。當在溝槽工序中間隙填充材料的蝕刻速 度比第一低介電膜115的蝕刻速度高時，導通孔120的較低部分可能 會被蝕刻而損壞硬接線層111。當多孔介電膜用作低介電膜時，可能 需要多功能硬掩模膜121的蝕刻速度比蝕刻溝槽125時更快。
在一個實施例中，藉助於調整矽含量以獲得適當的蝕刻速率，
將多功能硬掩模膜121用作間隙填充材料，從而使得可以使用各種類 型的低介電膜。
現在將參考下面的實例詳細地描述上述多功能硬掩模膜121，這 些實例並非旨在限制本發明的範圍。
實例1.多功能硬掩模的塗覆實驗
將Ti/TiN/TiN (340A)、鴇(500A)、和硬掩模氮化膜(1500A)沉 積在半導體基板上，並進行蝕刻以形成位線圖案。將多功能硬掩模膜 (NCH 087， Nissan Industrial Chemical)以1300A的厚度進行旋塗。 使用SEM以60°和90。的傾斜角度測量所獲得的結構的橫截面。
在90。傾斜角度(見圖5a)和60。傾斜角度(見圖5b)，形成沒有任 何空隙的多功能硬掩模膜。
實施例2.塗覆多功能硬掩模膜之後的基板反射率的測量
將HDP氧化膜和多功能硬掩模膜(NCH 087， Nissan Industrial Chemical)沉積在底層上，以具有彼此不同的厚度。多功能硬掩模膜 藉助於旋塗方法而形成。依多功能硬掩模的吸收率和塗覆厚度(X軸) 測量基板反射率(Y軸)。圖6a至6d顯示該結果。
當多功能硬掩模膜的塗覆厚度範圍為約300到500A (k的範圍為 約0.3到0.6)或為約800到1000A(k的範圍為約0.2到0.5)時，基板 反射率小於1.0%。當形成於低介電膜上方的硬掩模膜的塗覆厚度範 圍為約340到640A時，k的範圍為約0.4至lj 0.5(見圖6a到6c)。
圖6d顯示通過改變形成於HDP氧化膜上方的多功能硬掩模膜 的塗覆厚度所獲得的吸收率值。為了獲得穩定的圖案化工序條件，多 功能硬掩模膜的適當塗覆厚度(多於300A)隨著HDP厚度而改變。
當形成於低介電膜上方的多功能硬掩模膜的塗覆厚度較高時， 在蝕刻溝槽過程中對光阻的損壞量較大。結果，與有機抗反射膜一樣， 要求最小的塗覆厚度。
如上所述，根據本發明的一個實施例，將含有大量矽的多功能 硬掩模材料用作雙重鑲嵌工序中的間隙填充材料。因為多功能硬掩模
膜具有間隙填充材料和抗反射膜的特性來調節基板反射率，所以不需 要形成抗反射膜，從而簡化了工序。另外，可以調節多功能硬掩模膜 中包含的矽含量，以獲得適當的低介電膜蝕刻速率。
本發明的上述實施例是示例性的而非限制性的。各種替代形式 及等同實施例都是可行的。本發明並不限於在此所述的光刻步驟。本 發明也不限於任何特定類型的半導體器件。例如，本發明可以應用於 動態隨機存取存儲器(DRAM)或非易失存儲器中。考慮到本發明所 公開的內容，其它的增加、減少或修改顯而易見並且位於所附權利要 求書的範圍內。
本申請要求2006年12月21日提交的韓國專利申請No. 10-2006-0132045的優先權，該申請的全部內容以引用的方式併入本 文。
權利要求
1. 一種形成雙重鑲嵌圖案的方法，所述方法包括製備含有矽樹脂作為主劑的多功能硬掩模組成物，其中，以樹脂的總重量為基礎，所述矽樹脂包含約20到45wt％的矽分子；通過依次在硬接線層上方形成自對準接觸(SAC)絕緣膜、第一介電膜、蝕刻阻障膜、以及第二介電膜來形成沉積結構；蝕刻所述沉積結構至露出所述硬接線層，從而形成導通孔；將所述多功能硬掩模組成物塗覆在所述第二介電膜上方以及所述導通孔內，以形成多功能硬掩模膜；利用光阻圖案作為蝕刻掩模來蝕刻所獲得的結構，以露出所述第一介電膜的一部分，從而形成寬度比所述導通孔更大的溝槽。
2. 根據權利要求1所述的方法，還包括 移除所述多功能硬掩模膜；以及 在所述溝槽中填充金屬材料以形成金屬線。
3. 根據權利要求1所述的方法，其中，所述多功能硬掩模組成物包含i)以100重量份的組成物為基 礎，含量範圍從約30到70重量份的矽樹脂，和ii)剩餘的有機溶劑， 作為主要成分；可選地iii)以化學式1或2表示的化合物；以及可選 地iv)熱酸產生劑或光酸產生劑[化學式1]see original document page 3[化學式2]see original document page 3其中，Ra Rd各自為氫或者線性或分支的C廣C5垸基團，其可以是經取代的，e為範圍從5到500的整數，f為範圍從0到5的整數， 且g為範圍從1到5整數。
4. 根據權利要求3所述的方法，其中， 所述矽樹脂的分子量範圍從約300到30，000。
5. 根據權利要求3所述的方法，其中，以100重量份的矽樹脂為基礎，以化學式1或化學式2表示的 化合物的含量範圍從約20到200重量份。
6. 根據權利要求3所述的方法，其中，以100重量份的矽樹脂為基礎，所述熱酸產生劑或所述光酸產 生劑的含量範圍從約1到20重量份。
7. 根據權利要求3所述的方法，其中，所述矽樹脂含有選自於化學式3到7所表示的化合物中的一種 或多種[化學式3]see original document page 3see original document page 4[化學式4]see original document page 4[化學式5]see original document page 4[化學式6]see original document page 4[化學式7]see original document page 4其中，R廣R2和R4 R9各自為氫或者線性或分支的C廣C5烷基團， 其可以是經取代的；R3為氫、線性或分支的C廣Cs烷基團，其可以是經取代的；C3 C8環垸基團，其可以是經取代的；或者Cs Cu芳香基團，其可以是經 取代的；Ri。為(CH2)kSi(OR')3， R'為氫或者線性或分支的C廣d。垸基團； m、 n、 o和k為範圍從1至U 10的整數；x、 y、 w和z為範圍從0到 5的整數；以及a和b為範圍從1到100的整數。
8. 根據權利要求7所述的方法，其中，所述矽樹脂包含選自於一個群組的一種或多種化合物，所述群 組包括PSS-[2-(3,4-環氧基環己基)乙基]-庚垸異丁基取代、聚[二甲 基矽氧烷-共-(2-(3,4-環氧基環己基)乙基)甲基矽氧烷]、PSS-八(三甲 氧基甲矽烷基甲基)取代、和PSS-八(三甲氧基甲矽垸基乙基)取代的 PSS。
9. 根據權利要求3所述的方法，其中，所述有機溶劑選自於一個群組，所述群組包括3-甲氧基丙酸 甲酯、3-乙氧基丙酸乙酯、丙二醇甲醚醋酸酯、環己酮、2-庚酮、乳 酸乙酯、及其組合。
10. 根據權利要求3所述的方法，其中， 所述熱酸產生劑是以化學式8或化學式9所表示的化合物 [化學式8]see original document page 5[化學式9] see original document page 5其中A是包括磺醯基的官能基，且j為0或l。
11. 根據權利要求3所述的方法，其中，所述光酸產生劑選自於一個群組，所述群組包括鄰苯二甲醯 亞氨基三氟甲磺酸鹽、二硝基節基甲苯磺酸鹽、正癸基二碸、萘基亞 氨基三氟甲磺酸鹽、二苯基對甲氧基苯基三氟甲磺酸鋶、二苯基對亞 節基三氟甲磺酸鋶、二苯基對異丁基苯基三氟甲磺酸鋶、三苯基六氟 砷酸鹽、三苯基六氟亞銻酸鹽、三苯基三氟甲磺酸鋶、和二丁基萘基 三氟甲磺酸鋶。
12. 根據權利要求1所述的方法，其中，所述第二介電膜包含氧化膜、旋塗玻璃材料膜、和氮化膜中的 至少一者。
13. 根據權利要求12所述的方法，其中，所述氧化膜選自於一個群組，所述群組包括髙密度等離子(HDP)氧化物、硼磷矽酸鹽玻璃(BPSG)、和四乙氧基矽酸鹽玻璃(TEOS);所述旋塗玻璃材料選自於一個群組，所述群組包括矽倍半氧垸氫化物(HSQ)、矽倍半氧垸甲基化物(MSQ)、和矽倍半氧垸苯基化物(PSQ);以及所述氮化膜是氮氧化矽(SiON)或富矽氮氧化物(SRON)。
14. 根據權利要求1所述的方法，其中， 所述多功能硬掩模膜具有範圍從約1.6到1.8的折射率。
15. 根據權利要求1所述的方法，其中， 所述多功能硬掩模膜形成的塗覆厚度使基板反射率低於1%。
16. 根據權利要求15所述的方法，其中，所述基板反射率的範圍從約0.05到0.001%。
17. 根據權利要求1所述的方法，其中，所述溝槽藉助於使用等離子蝕刻氣體而形成，所述氣體選自於 一個群組，所述群組包括CF4、 C4F6、 CH2F2、 CHF3、 02、 Ar、及其混合物。
18. 根據權利要求1所述的方法，其中，移除所述多功能硬掩模的步驟包括使用氟或鹼金屬化學品來 進行溼式蝕刻工序。
全文摘要
本發明公開一種形成雙重鑲嵌圖案的方法，包括製備含有矽樹脂作為主劑的多功能硬掩模組成物；在硬接線層上方形成包括自對準接觸絕緣膜、第一介電膜、蝕刻阻障膜、以及第二介電膜的沉積結構；蝕刻所述沉積結構至露出所述硬接線層，從而形成導通孔；在所述第二介電膜上方以及所述導通孔內形成所述多功能硬掩模組成物，以形成多功能硬掩模膜；蝕刻所獲得的結構以露出所述第一介電膜的一部分，從而形成寬度比所述導通孔更大的溝槽；以及移除所述多功能硬掩模膜。
文檔編號H01L21/768GK101207072SQ20071012279
公開日2008年6月25日 申請日期2007年7月9日 優先權日2006年12月21日
發明者李基領, 許仲君 申請人:海力士半導體有限公司