晶片裝置和用於形成晶片裝置的方法
2023-06-05 19:41:36 2
晶片裝置和用於形成晶片裝置的方法
【專利摘要】本發明涉及晶片裝置和用於形成晶片裝置的方法。提供了一種晶片裝置，該晶片裝置包括：載體；包括至少一個接觸焊盤的至少一個晶片，其設置在載體上；密封材料，其至少部分地圍繞所述至少一個晶片和所述載體；以及至少一個低溫共燒陶瓷片，其設置在所述載體的側面上。
【專利說明】晶片裝置和用於形成晶片裝置的方法
【技術領域】
[0001]各種實施例一般地涉及晶片裝置和用於形成晶片裝置的方法。
【背景技術】
[0002]圖1A示出了基於模製的熱沉隔離的圖示。例如電晶體外形TO晶片封裝的晶片封裝可包括背面隔離，例如如108所指示的形成於引線框架102的背面上的密封材料。具有典型厚度的背面隔離可導致比沒有背面隔離的TO晶片封裝更壞的熱耗散性能。圖1B示出了具有不同背面隔離厚度的晶片封裝的針對晶片面積121 (mm2)的熱電阻119 (K/W):無背面隔離111 ;約500 μ m厚的背面隔離113 ;約600 μ m厚的背面隔離115 ;以及約800 μ m厚的背面隔離117。例如，如113所示的正常地約500 μ m的背面隔離的典型密封厚度遭受比例如如111所示的沒有背面隔離的晶片封裝大得多的熱阻，並且因此顯示出比沒有背面隔離更差的熱耗散。
[0003]低溫共燒陶瓷(LTCC)技術可將HTCC (高溫共燒陶瓷)與傳統上可能已在常規印刷電路板(PCB)技術中使用的厚膜技術的益處相組合。可將低溫共燒陶瓷用於多片/多層電路裝置。可以使用單層或多層LTCC片材來生產諸如電容器、電阻器和電感器的部件，例如通過印刷，例如通過絲網印刷和/或光化學工藝。LTCC片材可適合於壓印電阻器和/或其他電子部件。例如，利用絲網印刷工藝，可在LTCC表面上印刷導電膏，其產生電路所必需的電阻器和/或電子部件。此類電子部件可不同於所有其額定值(±25%)，並且因此可能是過大的印刷品。通過利用雷射修整和使用不同的切割樣式，可對電阻器和/或電子部件進行修整直至它們達到它們的精確電阻值(土 1%)。LTCC片材也可用在微流體領域中，其中，作為玻璃襯底的替代，可構造三維結構。
[0004]LTCC片材與氧化鋁(厚膜技術)相比可具有相對差的熱傳導性，並且因此常常與熱過孔一起使用。LTCC片材可用在諸如高頻無線、衛星、微波系統以及醫療技術和汽車行業(轉向)的應用中。
【發明內容】
[0005]各種實施例提供了一種晶片裝置，包括:載體；包括至少一個接觸焊盤的至少一個晶片，其設置於載體上；密封材料，其至少部分地圍繞所述至少一個晶片和所述載體；以及至少一個低溫共燒陶瓷片，其設置於載體的側面上。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0006]在附圖中，相同的附圖標記貫穿不同的視圖一般地指代相同的部分。附圖不一定是按比例的，而是一般地著重於圖示本發明的原理。在以下描述中，參考以下各圖來描述發明的各種實施例，在所述圖中:
圖1A和IB示出了多晶片封裝；
圖2示出了根據實施例的晶片裝置； 圖3A-3D示出了根據實施例的晶片裝置；
圖4示出了根據實施例的用於形成晶片裝置的方法。
【具體實施方式】
[0007]以下詳細描述參考以圖示的方式示出特定細節和其中可實踐本發明的實施例的附圖。
[0008]詞語「示例性」在本文中用來意指「充當示例、實例或圖示」。不一定要將在本文中被描述為「示例性」的任何實施例或設計理解為相對於其他實施例或設計是優選的或有利的。
[0009]關於在側面或表面「之上」形成的沉積材料所使用的詞語「之上」在本文中可用來意指可「直接在」暗示的側面或表面「上」(例如與之直接接觸)形成該沉積材料。關於在側面或表面「之上」形成的沉積材料所使用的詞語「之上」在本文中可用來意指可「間接地在」暗示的側面或表面「上」形成該沉積材料，其中在暗示的側面或表面與該沉積材料之間布置有一個或多個附加層。
[0010]圖2示出了根據實施例的晶片裝置210。
[0011]晶片裝置210可包括:載體202 ;例如半導體管芯的至少一個晶片204，其包括至少一個接觸焊盤206，被設置於載體202上；密封材料208，其至少部分地圍繞至少一個晶片204和載體202 ;以及至少一個低溫共燒陶瓷(LTCC)片212，其設置於載體202的側面上。
[0012]圖3A示出了根據實施例的晶片裝置310。
[0013]晶片裝置310可包括:載體202。載體202可包括引線框架的至少一部分。載體202可包括引線框架材料，該引線框架材料包括來自以下材料組的至少一種，該材料組包括:銅、鎳、鐵、銅合金、鎳合金、鐵合金。可將載體202構造成保持或承載晶片且可包括例如散熱器。載體202可包括範圍從約0.5 mm至約3 mm (例如約Imm至約2mm)的厚度。
[0014]可在載體202上設置包括至少一個接觸焊盤206的至少一個晶片204。至少一個晶片204可包括功率半導體晶片、半導體邏輯晶片和半導體存儲器晶片中的至少一個。
[0015]晶片裝置210可包括例如可包括半導體邏輯晶片的第一晶片204A，其中，該半導體邏輯晶片可包括來自包括以下各項的組的至少一個半導體邏輯器件:專用集成電路晶片、驅動器、控制器、傳感器。
[0016]晶片裝置210可包括例如第二晶片204B，其可包括功率半導體晶片，其中，該功率半導體晶片可包括來自包括以下各項的組的至少一個功率半導體器件:功率電晶體、功率MOS電晶體、功率雙極電晶體、功率場效應電晶體、功率絕緣柵雙極電晶體、閘流電晶體、MOS受控閘流電晶體、矽控整流器、肖特基功率二極體、碳化矽二極體、氮化鎵器件。
[0017]至少一個晶片204可包括多個晶片，例如一個或兩個或更多晶片，例如晶片204A、204B。可例如經由粘合劑、例如經由焊料材料將至少一個晶片204粘附於載體202。例如，可將可能要求導電背面的至少一個晶片、例如晶片204B經由其背面、例如經由導電介質314(例如導電粘合劑和/或導電焊料材料)電連接到載體202。
[0018]可將密封材料208設置於至少一個晶片204上，其中，密封材料208可至少部分地圍繞至少一個晶片204和載體202。密封材料208可包括來自下組材料的至少一種，該組包括:填充的或未填充的環氧樹脂、預先浸潰複合纖維、加強纖維、層壓材料、模製材料、熱固材料、熱塑性材料、填料顆粒、纖維加強層壓材料、纖維加強聚合物層壓材料、具有填料顆粒的纖維加強聚合物層壓材料。
[0019]可在至少一個晶片204上和在至少一個晶片的一個或多個側壁316上形成密封材料208。此外，可在至少一個晶片204上和載體202的一個或多個側壁318上形成密封材料208。可將至少一個導線322電連接到至少一個接觸焊盤206，並且密封材料208可至少部分地圍繞至少一個導線322。還可例如通過引線接合將至少一個導線322電連接到引線框架 324。
[0020]密封材料208可具有範圍從約10 Mm至約300 Mm的厚度tM，例如約20 Mm至約200 Mm,例如約 30 Mm 至約 100 Mm。
[0021]在至少一個低溫共燒陶瓷片212在載體202的側面上、例如在載體底側326上的沉積之前，載體202的可將至少一個低溫共燒陶瓷片212設置到其上的側面可經受粗化工藝，以改善至少一個低溫共燒陶瓷片212到載體的所述側面、即載體底側326的粘附。
[0022]可在載體202的側面上設置至少一個低溫共燒陶瓷片(LTCC) 212。此外，至少一個低溫共燒陶瓷片212可物理接觸密封材料208。每個陶瓷片可包括範圍從約0.01 mm至約10 mm的厚度，例如約0.1 mm至約5 mm,例如約0.1mm至約I mm。
[0023]可在載體底側326上設置至少一個低溫共燒陶瓷片212，載體底側326與可將晶片204設置在其上的側面328相對。至少一個低溫共燒陶瓷片212可包括一個或多個低溫共燒陶瓷片，例如單片或多片。在圖3D中示出了多片裝置。還可在密封材料208的至少一偵U、例如332、例如334上設置至少一個低溫共燒陶瓷片212，其中，密封材料208的至少一偵U、例如332、例如334可基本上鄰近於載體底側326。密封材料208的至少一側、例如332、例如334可基本上與載體底側326齊平且可鄰接載體底側326。密封材料208的至少一側、例如332、例如334可位於基本上平行於載體底側326處。密封材料208的至少一側、例如332、例如334可位於與載體底側326基本上齊平的平面上。因此，可在單個沉積過程中將至少一個低溫共燒陶瓷片212沉積在載體底側326上並且直接沉積到密封材料208的至少一側、例如332、例如334上。
[0024]在載體202的側面上沉積至少一個低溫共燒陶瓷片212可包括在載體202上的期望位置上布置一個或多個有機陶瓷帶和/或片和/或箔。該有機陶瓷帶和/或片可包括例如陶瓷顆粒、玻璃和金屬和/或其他有機材料。
[0025]可將所述一個或多個有機陶瓷帶和/或片布置在載體上，並且還可布置多個帶和/或片，例如在必要時將它們堆疊和/或層壓在一起。層壓可使用熱和壓力工藝來進行，例如可堆疊(例如在模製中)、層壓LTCC片212，並在範圍從約10 N/mm2至30 N/mm2的壓力下將其加熱至約70°C至約80°C的範圍。層壓之後切割至最終尺寸。然後，可將LTCC片的堆疊布置結構化(例如切割)至要求的尺寸。
[0026]隨後可執行燒制和/或共燒，其中，可對所述一個或多個有機陶瓷帶和/或片進行共燒。該共燒工藝可包括將所述一個或多個有機陶瓷帶和/或片和載體202加熱至高達一溫度，使得陶瓷顆粒、金屬和玻璃可被燒結在一起。可使用被用於製造LTCC片的燒結工藝，例如，共燒可利用現有厚膜印刷技術。可為陶瓷的組成成分提供塑料和溶劑以允許壓力和溫度工藝下的層壓。通過共燒，可燒掉有機物。取決於燒結陶瓷顆粒和玻璃所需的溫度，燒制溫度可在從約800°C至約875°C的範圍內。可調整共燒剖面。例如，約350°C下的達約一小時的共燒可導致有機物的高達85%被燒掉。則可以例如在正常厚膜烘箱中使用可在850°C至900°C下灼燒LTCC的燒結剖面來執行共燒。LTCC片212可經歷由於共燒而引起的收縮。例如經由雷射結構化(例如鑽孔、衝孔)來形成孔和/或過孔也可以是可能的，並且可通過LTCC片212和在所述孔和/或過孔中形成導電跡線和/或互連。可在過孔中形成用於互連的膏，並且在乾燥之後，可印刷導體軌跡。互連例如包括銀、金、鈀膏，可與陶瓷層的維度的收縮率匹配。必要時可對LTCC片布置212的最外層進行後燒制以確保用於片材的自動化組裝的裝配的極限準確度。此外，可在乾燥之後在LTCC片材布置上執行例如通過印刷的導電材料的沉積。可理解的是，如果準確地重複乾燥爐中的溫度曲線，則在共燒期間LTCC的收縮在約1%的公差的情況下可能是可再現的。軌跡的電性質可對應於正常厚膜導體。
[0027]至少一個低溫共燒陶瓷片212可包括被燒結在一起的陶瓷顆粒和玻璃顆粒，其中，可將至少一個低溫共燒陶瓷片212燒結到載體202的側面326上，和/或接合到載體202的側面326。玻璃可包括招硼娃酸鹽(alumoborosilicate)玻璃。陶瓷顆粒包括氧化鋁。金屬可包括來自以下材料組的至少一種，該材料組包括:銅、銀、鈀、金、鉬。
[0028]根據各種其他實施例，可在共燒工藝之前可選地將LTCC片212、例如多片預先燒結在一起。在堆疊布置中的每層之間可存在可辨識的邊界(參見圖3D)。根據各種實施例，作為使用低溫共燒陶瓷片的替代，可替代地使用高溫共燒陶瓷(HTCC)片。
[0029]晶片裝置310還可包括設置於至少一個晶片204、例如第一晶片204A與載體202之間的至少一個另外的低溫共燒陶瓷片336。另外的低溫共燒陶瓷片336可類似於低溫共燒陶瓷片212，並且可以與如何可例如使用共燒將低溫共燒陶瓷片212設置於載體上類似地被設置於載體202、例如載體202的側面328上。另外的低溫共燒陶瓷片336可至少部分地或完全被密封材料208圍繞。另外的低溫共燒陶瓷片336可充當晶片204、例如第一晶片204A與載體202之間的電絕緣介質。可將另外的低溫共燒陶瓷片336的共燒可選地與低溫共燒陶瓷片212的共燒放在一起。
[0030]根據其他實施例，另外的低溫共燒陶瓷片336可以與另外的導電層338相組合地被使用作為如圖3B中所示的多晶片模塊的再分配層。
[0031]如圖3B中所示，可將晶片裝置310修改成晶片裝置320、330，其中，晶片裝置320、330可包括處於半橋電路布置中的至少一個晶片204。晶片裝置320、330可包括被布置在半橋電路布置中的第一功率晶片204B1和第二功率晶片204B2。
[0032]可在至少一個晶片204、例如第一功率晶片204B1與載體202之間形成、即設置另外的低溫共燒陶瓷片336。可在另外的低溫共燒陶瓷片336上設置另外的導電層338，例如金屬層，例如銅層。可將另外的導電層338電連接到形成於第一功率晶片背面處的第一功率晶片204B1的漏極觸點206B1D。可在第一功率晶片正面處形成第一功率晶片204B1的源極觸點206B1S，並可例如將其連接至地。第一功率晶片204B1可由於形成於第一功率晶片204B1與載體202之間的另外的低溫共燒陶瓷片336的電絕緣性質而與載體202電絕緣。可例如經由導線和另外的導電層338將漏極觸點206B1D電連接至用於第二功率晶片204B2的源極觸點206B2S，源極觸點206B2S可形成於晶片204B2的正面上。第二功率晶片204B2可經由其背面觸點206B2D被電連接至載體202，載體202可連接至對電路進行供電所需的電壓，例如220V。
[0033]至少一個低溫共燒陶瓷片212可包括與密封材料208不同的材料，並且其可以是銅載體、例如載體202的高達10倍貴。然而，至少一個低溫共燒陶瓷片212可包括與密封材料208相比具有更低的熱阻(例如與密封材料208中的I至2W/mk相比的10至20 ff/mK)的材料。結果，與可顯示出不良熱耗散性質的形成於晶片封裝背面上的常用模製化合物隔離材料(例如類似於密封材料208)相比，可以以至少一個低溫共燒陶瓷片212的形式使用較薄的晶片封裝背面隔離材料。此外，至少一個低溫共燒陶瓷片212可穩定至高達約300°C至約400°C的溫度，不同於具有高達約100°C至約200°C的穩定性的傳統模製化合物。
[0034]可理解的是，晶片裝置310可包括晶片封裝，例如電隔離晶片封裝。晶片裝置310可包括例如標準外殼，例如T0-220，例如T0-247，其可包括設置於載體202、例如銅引線框架上的晶片204。可在晶片封裝中包括至少一個低溫共燒陶瓷片212，其中，可用載體202來塗敷至少一個低溫共燒陶瓷片212和/或與其一起燒結。
[0035]晶片裝置310還可經歷分離過程以便完成晶片封裝，其中，如果需要的話，可執行通過密封材料208、載體202和至少一個低溫共燒陶瓷片212中的至少一個的分割。
[0036]圖3C示出了根據實施例的晶片裝置340。根據各種實施例，晶片裝置310、320、330可包括設置於載體202上的至少一個低溫共燒陶瓷片212。到目前為止，已將LTCC片212示為是單個連續片材。在晶片裝置340中，如所示的LTCC片212可包括設置於載體202和/或密封材料208上的一個或多個不連續的低溫共燒陶瓷片212A、212B、212C。可在載體202和/或密封材料208的一部分上設置所述一個或多個低溫共燒陶瓷片212A、212B、212C中的每一個。可使所述一個或多個低溫共燒陶瓷片212A、212B、212C中的每一個相互分離一定間隙。替換地，可將所述一個或多個低溫共燒陶瓷片212A、212B、212C中的每一個布置為基本上相互鄰近。
[0037]圖3D示出了根據實施例的晶片裝置350，其中，晶片裝置350可包括設置於載體202上的至少一個低溫共燒陶瓷片212，其中，至少一個低溫共燒陶瓷片212可包括多片堆疊布置。根據各種實施例，可在共燒工藝之前可選地將LTCC片212 (例如多片)預先燒結在一起，或者可在共燒工藝期間將其燒結在一起以便將LTCC片接合到載體202。
[0038]晶片裝置350示出了多LTCC片堆疊布置212，其可包括第一 LTCC片212A1和第二 LTCC片212B1。可在片212A1、212B1之間形成至少一個界面層，例如界面212A2。例如，由於加熱和冷卻，可將第一 LTCC片212A1冷卻，從而可在其表面上形成界面層、例如界面212A2。對可在第一 LTCC片212A1上形成的第二 LTCC片212B1的隨後的加熱和冷卻可導致另一界面層，例如形成於第二 LTCC片212B1的表面上的界面212B2。
[0039]根據其他實施例，多LTCC片堆疊布置212可包括設置於第一 LTCC片212A1與第二 LTCC片212B1之間的至少一個金屬化層和/或片(未不出)。隨後的燒結、例如共燒可導致所述LTCC片之間、例如第一 LTCC片212A1與第二 LTCC片212B之間的所述至少一個金屬化層和/或片的燒結以及堆疊布置212到載體202的燒結。
[0040]圖4示出了根據實施例的用於形成晶片裝置的方法400。
[0041]方法400可包括:
在載體上設置包括至少一個接觸焊盤的至少一個晶片(在410中)；
用密封材料至少部分地圍繞所述至少一個晶片和所述載體(在420中)；以及 在載體的側面上設置至少一個低溫共燒陶瓷片(在430中)。
[0042]各種實施例提供了一種晶片裝置，包括:載體；包括至少一個接觸焊盤的至少一個晶片，其設置於所述載體上；密封材料，其至少部分地圍繞所述至少一個晶片和所述載體；以及至少一個低溫共燒陶瓷片，其設置於所述載體的側面上。
[0043]根據實施例，所述載體包括引線框架材料，該引線框架材料包括來自以下材料組的至少一種，該材料組包括:銅、鎳、鐵、銅合金、鎳合金、鐵合金。
[0044]根據實施例，所述至少一個晶片包括功率半導體晶片、半導體邏輯晶片和半導體存儲器晶片中的至少一個。
[0045]根據實施例，所述功率半導體晶片包括來自包括以下各項的組的至少一個功率半導體器件:功率電晶體、功率MOS電晶體、功率雙極電晶體、功率場效應電晶體、功率絕緣柵雙極電晶體、閘流電晶體、MOS受控閘流電晶體、矽控整流器、肖特基功率二極體、碳化矽二極體、氮化鎵器件。
[0046]根據實施例，所述半導體邏輯晶片包括來自包括以下各項的組的至少一個半導體邏輯器件:專用集成電路晶片、驅動器、控制器、傳感器。
[0047]根據實施例，所述密封材料包括來自下組材料的至少一種，該組包括:填充的或未填充的環氧樹脂、預先浸潰複合纖維、加強纖維、層壓材料、模製材料、熱固材料、熱塑性材料、填料顆粒、纖維加強層壓材料、纖維加強聚合物層壓材料、具有填料顆粒的纖維加強聚合物層壓材料。
[0048]根據實施例，所述密封材料形成於所述至少一個晶片上和所述至少一個晶片的一個或多個側壁上。
[0049]根據實施例，所述密封材料形成於所述至少一個晶片上和所述載體的一個或多個側壁上。
[0050]根據實施例，所述至少一個低溫共燒陶瓷片設置於載體底側上，該載體底側與晶片被設置在其上的側面相對。
[0051]根據實施例，所述至少一個低溫共燒陶瓷片包括一個或多個低溫共燒陶瓷片。
[0052]根據實施例，所述至少一個低溫共燒陶瓷片被設置於載體的側面上，並且其中，所述至少一個低溫共燒陶瓷片物理地接觸所述密封材料。
[0053]根據實施例，所述至少一個低溫共燒陶瓷片被設置在載體底側上以及在所述密封材料的至少一側上，該載體底側與所述晶片被設置在其上的側面相對，其中，所述密封材料的所述至少一側基本上鄰近於所述載體底側。
[0054]根據實施例，所述至少一個低溫共燒陶瓷片被設置在載體底側上以及在所述密封材料的至少一側上，該載體底側與所述晶片被設置在其上的側面相對，其中，所述密封材料的所述至少一側基本上與所述載體底側齊平並鄰接所述載體底側。
[0055]根據實施例，所述至少一個低溫共燒陶瓷片包括陶瓷顆粒、玻璃和金屬。
[0056]根據實施例，所述至少一個低溫共燒陶瓷片包括燒結在一起的陶瓷顆粒和玻璃顆粒，其中，所述至少一個低溫共燒陶瓷片被燒結到所述載體的所述側面。
[0057]根據實施例，所述玻璃包括鋁硼矽酸鹽玻璃。
[0058]根據實施例，所述陶瓷顆粒包括氧化鋁。
[0059]根據實施例，所述金屬包括來自以下材料組的至少一種，該材料組包括:銅、銀、鈀、金、鉬。
[0060]根據實施例，所述晶片裝置還包括設置在所述至少一個晶片與所述載體之間的至少一個另外的低溫共燒陶瓷片。
[0061]根據實施例，所述晶片裝置還包括被電連接到至少一個接觸焊盤的至少一個導線，其中，所述密封材料至少部分地圍繞所述至少一個導線，並且其中，所述至少一個導線被電連接到引線框架。
[0062]各種實施例提供了一種用於形成晶片裝置的方法，該方法包括:在載體上設置包括至少一個接觸焊盤的至少一個晶片；用密封材料至少部分地圍繞所述至少一個片和所述載體；以及在載體的側面上設置至少一個低溫共燒陶瓷片。
[0063]根據實施例，在載體的側面上設置至少一個低溫共燒陶瓷片包括在載體的側面上布置所述至少一個低溫共燒陶瓷片並將所述至少一個低溫共燒陶瓷片加熱，其中，所述至少一個低溫共燒陶瓷片被燒結到所述載體。
[0064]根據實施例，在載體的側面上設置至少一個低溫共燒陶瓷片包括在載體的側面上布置包括嵌入玻璃中的陶瓷顆粒的所述至少一個低溫共燒陶瓷片，並將所述至少一個低溫共燒陶瓷片加熱，其中，所述陶瓷和玻璃顆粒被燒結在一起。
[0065]雖然已經參考特定實施例特別地示出並描述了本發明，但本領域的技術人員應理解的是，在不脫離由所附權利要求定義的本發明的精神和範圍的情況下可以對其進行形式和細節方面的各種修改。因此由所附權利要求來指示本發明的範圍，並且因此意圖涵蓋落在權利要求的等價體的意義和範圍內的所有改變。
【權利要求】
1.一種晶片裝置，包括: 載體； 包括至少一個接觸焊盤的至少一個晶片，其設置於所述載體上； 密封材料，其至少部分地圍繞所述至少一個晶片和所述載體；以及 至少一個低溫共燒陶瓷片，其設置於所述載體的側面上。
2.根據權利要求1所述的晶片裝置， 其中，所述載體包括引線框架材料，該引線框架材料包括來自以下材料組的至少一種，該材料組包括:銅、鎳、鐵、銅合金、鎳合金、鐵合金。
3.根據權利要求1所述的晶片裝置， 其中，所述至少一個晶片包 括功率半導體晶片、半導體邏輯晶片和半導體存儲器晶片中的至少一個。
4.根據權利要求3所述的晶片裝置， 其中，所述功率半導體晶片包括來自包括以下各項的組的至少一個功率半導體器件:功率電晶體、功率MOS電晶體、功率雙極電晶體、功率場效應電晶體、功率絕緣柵雙極電晶體、閘流電晶體、MOS受控閘流電晶體、矽控整流器、肖特基功率二極體、碳化矽二極體、氮化鎵器件。
5.根據權利要求3所述的晶片裝置， 其中，所述半導體邏輯晶片包括來自包括以下各項的組的至少一個半導體邏輯器件:專用集成電路晶片、驅動器、控制器、傳感器。
6.根據權利要求1所述的晶片裝置， 其中，所述密封材料包括來自下組材料的至少一種，該組包括:填充的或未填充的環氧樹脂、預先浸潰複合纖維、加強纖維、層壓材料、模製材料、熱固材料、熱塑性材料、填料顆粒、纖維加強層壓材料、纖維加強聚合物層壓材料、具有填料顆粒的纖維加強聚合物層壓材料。
7.根據權利要求1所述的晶片裝置， 其中，所述密封材料形成於所述至少一個晶片上和所述至少一個晶片的一個或多個側壁上。
8.根據權利要求1所述的晶片裝置， 其中，所述密封材料形成於所述至少一個晶片上和所述載體的一個或多個側壁上。
9.根據權利要求1所述的晶片裝置， 其中，所述至少一個低溫共燒陶瓷片設置於載體底側上，該載體底側與晶片被設置在其上的側面相對。
10.根據權利要求1所述的晶片裝置， 其中，所述至少一個低溫共燒陶瓷片包括一個或多個低溫共燒陶瓷片。
11.根據權利要求1所述的晶片裝置， 其中，所述至少一個低溫共燒陶瓷片被設置於載體的側面上，並且其中，所述至少一個低溫共燒陶瓷片物理地接觸所述密封材料。
12.根據權利要求1所述的晶片裝置， 其中，所述至少一個低溫共燒陶瓷片被設置在載體底側上以及在所述密封材料的至少一側上，該載體底側與所述晶片被設置在其上的側面相對，其中，所述密封材料的所述至少一側基本上鄰近於所述載體底側。
13.根據權利要求1所述的晶片裝置， 其中，所述至少一個低溫共燒陶瓷片被設置在載體底側上以及在所述密封材料的至少一側上，該載體底側與所述晶片被設置在其上的側面相對，其中，所述密封材料的所述至少一側基本上與所述載體底側齊平並鄰接所述載體底側。
14.根據權利要求1所述的晶片裝置， 其中，所述至少一個低溫共燒陶瓷片包括陶瓷顆粒、玻璃和金屬。
15.根據權利要求14所述的晶片裝置， 其中，所述至少一個低溫共燒陶瓷片包括燒結在一起的陶瓷顆粒和玻璃顆粒，其中，所述至少一個 低溫共燒陶瓷片被燒結到所述載體的所述側面。
16.根據權利要求14所述的晶片裝置， 其中，所述玻璃包括鋁硼矽酸鹽玻璃。
17.根據權利要求14所述的晶片裝置， 其中，所述陶瓷顆粒包括氧化鋁。
18.根據權利要求14所述的晶片裝置， 其中，所述金屬包括來自以下材料組的至少一種，該材料組包括:銅、銀、鈀、金、鉬。
19.根據權利要求1所述的晶片裝置，還包括 至少一個另外的低溫共燒陶瓷片，其設置在所述至少一個晶片與所述載體之間。
20.根據權利要求1所述的晶片裝置，還包括 至少一個導線，其電連接到所述至少一個接觸焊盤，其中，所述密封材料至少部分地圍繞所述至少一個導線，並且其中，所述至少一個導線被電連接到引線框架。
21.一種用於形成晶片裝置的方法，該方法包括: 在載體上設置包括至少一個接觸焊盤的至少一個晶片； 用密封材料至少部分地圍繞所述至少一個片和所述載體；以及 在載體的側面上設置至少一個低溫共燒陶瓷片。
22.根據權利要求20所述的方法，其中 在載體的側面上設置至少一個低溫共燒陶瓷片包括 在載體的側面上布置所述至少一個低溫共燒陶瓷片並將所述至少一個低溫共燒陶瓷片加熱，其中，所述至少一個低溫共燒陶瓷片被燒結到所述載體。
23.根據權利要求21所述的方法，其中 在載體的側面上設置至少一個低溫共燒陶瓷片包括 在載體的側面上布置包括嵌入玻璃中的陶瓷顆粒的所述至少一個低溫共燒陶瓷片，並將所述至少一個低溫共燒陶瓷片加熱，其中，所述陶瓷和玻璃顆粒被燒結在一起。
【文檔編號】H01L23/64GK103928445SQ201410019452
【公開日】2014年7月16日 申請日期:2014年1月16日 優先權日:2013年1月16日
【發明者】R.奧特倫巴, M.賽布特 申請人:英飛凌科技股份有限公司