一種掩模板的製作工藝的製作方法
2023-05-29 12:24:11 1
一種掩模板的製作工藝的製作方法
【專利摘要】本發明公開了一種金屬掩模板的製作工藝，先通過電鑄工藝電鑄一層電鑄層，再通過蝕刻工藝在所述電鑄層上開口的一側蝕刻出一定深度的蝕刻凹槽，其中，所述電鑄工藝包括：貼膜一步驟、曝光一步驟、顯影一步驟、電鑄步驟；所述蝕刻工藝包括：貼膜二步驟、曝光二步驟、顯影二步驟、蝕刻步驟、褪膜步驟。通過本發明所提供的工藝製作的掩模板的有效沉積開口精度容易控制，可提高開口精度，電鑄形成的開口的孔壁光滑，易脫模，同時其開口由蝕刻工藝製得的蝕刻凹槽形成碗狀孔壁，與電鑄製得的開口相結合，碗狀孔壁具有的大錐度，避免了蒸鍍過程中孔壁對蒸鍍材料的遮擋，提高了蒸鍍成膜率。
【專利說明】一種掩模板的製作工藝
【技術領域】
[0001]本發明涉及一種蒸鍍用掩模板的製作工藝，具體涉及一種OLED蒸鍍用掩模板的製備工藝。
【背景技術】
[0002]當今，隨著多媒體技術的發展和信息社會的來臨，對平板顯示器性能的要求越來越高。近年來新出現了三種顯示技術:等離子顯示器、場發射顯示器和有機電致發光顯示器(簡稱0LED)，均在一定程度上彌補了陰極射線管和液晶顯示器的不足。其中，有機電致發光顯示器具有自主發光、低電壓直流驅動、全固化、視角寬、顏色豐富等一系列的優點，與液晶顯示器相比，有機電致發光顯示器不需要背光源，視角大，功率低，其響應速度可達到液晶顯示器的1000倍，其製造成本卻低於同等解析度的液晶顯示器。因此，有機電致發光顯示器具有廣闊的應用前景，被看作極賦競爭力的未來平板顯示技術之一。
[0003]頂部發光有機顯示器(OLED )因其具有全固態、主動發光、高對比度、超薄、低功耗、無視角限制、響應速度快、抗震、工作範圍寬、易於實現柔性顯示和3D顯示等諸多優點，逐漸成為未來20年成長最快的新型顯示技術。
[0004]常規的頂部發光OLED結構與其他OLED結構一樣，由陽極(第一電極)、陰極(第二電極)以及介於陽極和陰極之間的有機發光層構成。OLED的發光機理和過程是從陰、陽兩極分別注入電子和空穴，被注入的電子和空穴在有機層內傳輸，並在發光層內複合，從而激發發光層分子產生單態激子，單態激子輻射衰減而發光。目前，現有的底部發光OLED器件的陽極大多以氧化銦-錫(ΙΤ0)作為原材料，用射頻濺鍍法鍍膜以形成電極，薄膜為單層膜結構。頂部發光OLED器件則在透明陽極ITO上再鍍一層反射層。
[0005]OLED結構中的有機層材料的沉積需要用到蒸鍍用的掩模板，傳統製備掩模板採用雙面蝕刻工藝，其製作的掩模板的開口剖面圖如圖1所示，tl為ITO面蝕刻深度，t2為蒸鍍面蝕刻深度。其中，採用雙面蝕刻分別從因瓦片材兩面腐蝕，形成的剖面為葫蘆狀開口，但由於蝕刻為減成工藝，且存在側腐蝕作用，使得片材表面有效沉積開口尺寸精度不好控制，尺寸存在偏差，圖中所示為實際蝕刻的開口尺寸LI大於預定尺寸L2，且蝕刻形成的開口壁粗糙不光滑。
[0006]本發明主要是針對以上問題提出一種掩模板的製作工藝，較好的解決以上所述問題。
【發明內容】
[0007]有鑑於此，需要克服現有技術中的上述缺陷中的至少一個。本發明提供了一種掩模板的製作工藝，其特徵在於:
先通過電鑄工藝電鑄一層電鑄層，再通過蝕刻工藝在所述電鑄層上開口的一側蝕刻出一定深度的蝕刻凹槽，其中，
所述電鑄工藝包括:貼膜一步驟、曝光一步驟、顯影一步驟、電鑄步驟；所述蝕刻工藝包括:貼膜二步驟、曝光二步驟、顯影二步驟、蝕刻步驟、褪膜步驟；
其中在所述蝕刻工藝中，所述曝光二步驟中未曝光區域的膜與所述曝光一步驟中曝光區域的膜相對應，且所述曝光二步驟中膜未曝光的區域大於所述曝光一步驟中膜曝光的區域，經所述顯影二步驟將所述曝光二步驟中未曝光區域的膜除去，露出部分電鑄層的金屬區域，在蝕刻步驟中，經所述曝光二步驟曝光區域的膜與經所述曝光一步驟曝光區域的膜共同形成保護膜，經蝕所述刻步驟將露出的電鑄層的金屬區域蝕刻成具有一定深度的蝕刻凹槽。
[0008]根據本專利【背景技術】中對現有技術所述，傳統採用雙面蝕刻工藝分別從因瓦片材兩面腐蝕，形成的掩模板開口剖面為葫蘆狀開口，但由於蝕刻為減成工藝，且存在側腐蝕，使製成的掩模板的有效沉積開口尺寸精度不好控制，蝕刻形成的開口壁粗糙不光滑。而本發明提供的掩模板的製作工藝，電鑄製得的掩模板的有效沉積開口精度容易控制，可提高開口精度，且電鑄孔壁較蝕刻孔壁光滑，易脫模，同時其開口由蝕刻工藝製得的蝕刻凹槽形成碗狀孔壁，與電鑄製得的開口相結合，可製得滿足蒸鍍要求的開口，碗狀孔壁具有的大錐度，避免了蒸鍍過程中孔壁對蒸鍍材料的遮擋，提高了蒸鍍成膜率，與此同時掩模板的厚度也可以根據需要得到很好的控制。
[0009]下面將詳細地描述本發明所提供的無乳劑太陽能網板的製作工藝，一些附加的技術特徵也將在下面的敘述中展示出來。
[0010]進一步地,所述電鑄工藝具體步驟如下:
a、貼膜一步驟:將經過前處理步驟的芯模的一面進行貼膜；
b、曝光一步驟:將經過所述貼膜一步驟的芯模在貼有膜的一面進行曝光，將預設的曝光區域曝光，以便將未曝光區域的膜通過顯影去除，留下曝光區域的膜以作後續電鑄步驟和蝕刻步驟的保護膜；
C、顯影一步驟:將經過所述曝光一步驟的芯模在貼有膜的一面進行顯影，將上述步驟b中未曝光部分的膜通過顯影除去，露出芯模區域，留下曝光區域的膜以作後續電鑄步驟和蝕刻步驟的保護膜；
d、電鑄步驟:將經過所述顯影一步驟的芯模放入電鑄槽中，在經顯影一步驟已經去除膜露出芯模的區域電鑄一層電鑄層，獲得具有電鑄層的芯模。
[0011]進一步地，所述步驟a貼膜一步驟中所述的芯模前處理步驟包括將所述芯模予以除油、酸洗、噴砂，以除去其表面的汙垢及雜質，增加其表面粗糙度。
[0012]光滑的電鑄開口側壁較蝕刻開口側壁更易脫模，不會對已蒸鍍上的材料造成影響。
[0013]進一步地，所述蝕刻工藝具體步驟如下:
e、貼膜二步驟:將經過所述電鑄工藝的芯模在帶有電鑄層的一面進行貼膜；
f、曝光二步驟:將經過所述貼膜二步驟的芯模在貼有膜的一面進行曝光，將預設的曝光區域的膜曝光，以便將未曝光區域的膜通過顯影去除，留下曝光區域的膜以作後續蝕刻步驟的保護膜，所述曝光二步驟中的未曝光區域的膜與所述曝光一步驟中曝光區域的膜相對應，且所述曝光二步驟中膜未曝光的區域大於所述曝光一步驟中膜曝光的區域；
g、顯影二步驟:將經過所述曝光二步驟的芯模經顯影步驟除去曝光二步驟中未曝光區域的膜，露出部分電鑄層的金屬區域和曝光一步驟中曝光區域的膜；h、蝕刻步驟:將經過所述顯影二步驟的芯模進行蝕刻，將所述露出的部分電鑄層的金屬區域蝕刻成具有一定深度的蝕刻凹槽，在原有電鑄形成的開口(電鑄步驟後將一次曝光步驟曝光區域的膜除去即形成所述的開口)基礎上，蝕刻一定深度的蝕刻凹槽，蝕刻凹槽剖面呈具有一定錐度的碗狀，可以減小蒸鍍時對蒸鍍材料的遮蔽效應；
1、褪膜步驟:將經過所述蝕刻步驟的芯模進行褪膜，通過褪膜將曝光區域的膜除去；
進一步地，經蝕刻工藝的褪膜步驟後，將所述芯模上的電鑄層從所述芯模上剝離下來，
即獲得所需要的產品(即掩模板)。
[0014]進一步地，在所述蝕刻步驟之前將所述芯模未貼膜的一面貼上一層保護膜，或者在蝕刻步驟中在所述芯模沒有電鑄層的一面墊上一層墊板，所述的保護膜和所述的墊板起到保護芯模不被蝕刻的作用。
[0015]進一步地，在所述電鑄工藝的電鑄步驟後、蝕刻工藝的貼膜二步驟前還包括後處理步驟，所述後處理步驟包括將所述具有電鑄層的芯模進行除油步驟、酸洗步驟、風乾步驟。
[0016]進一步地，所述電鑄層的材料為鎳或鎳基合金。
[0017]可選地，所述電鑄層的材料為鎳鐵合金、鎳鈷合金、及鎳鐵鈷合金中的一種。
[0018]進一步地，所述蝕刻凹槽的深度為電鑄層厚度的50%~100%。
[0019]優選地，所述蝕刻凹槽的深度為電鑄層厚度的100%。
[0020]進一步地，所述蝕刻步驟蝕刻凹槽的剖面錐度角度為30°~50°。
[0021]優選地，所述蝕刻凹槽的剖面錐度角度為45 °。
[0022]通過蝕刻的凹槽可以使掩模板的開口具有一定的錐度，減小蒸鍍時的遮蔽效應，蝕刻凹槽的深度越深(深度小於等於電鑄層的厚度)、錐度越大遮蔽效果越小。
[0023]通過電鑄工藝來控制沉積開口寬度的尺寸，相對蝕刻工藝，電鑄開口寬度L的尺寸精度容易控制，從而提高了有效沉積開口的精度。
[0024]本發明附加的方面和優點將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過本發明的實踐了解到。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0025]本發明的上述和/或附加的方面和優點從下面結合附圖對實施例的描述中將變得明顯和容易理解，其中:
圖1所示為傳統雙面蝕刻掩模板開口的截面放大示意圖；
圖2所示為貼膜一截面示意圖；
圖3所示為曝光一截面示意圖；
圖4所示為顯影一截面示意圖；
圖5所示為電鑄步驟後的截面示意圖；
圖6所示為貼膜二截面示意圖；
圖7所示為曝光二截面示意圖；
圖8所示為顯影二截面示意圖；
圖9所示為蝕刻後的截面示意圖；
圖10所示為褪膜後的截面示意圖；圖11所示為掩模板的截面示意圖；
圖12所示為圖7中70部分放大示意圖；
圖13所示為圖8中80部分放大示意圖；
圖14所示為圖9中90部分放大示意圖；
圖15所示為圖11中110部分放大示意圖；
圖16所示為圖11中110部分另一種結構的放大示意圖；
圖17所示為掩模板平面示意圖；
圖18所示為圖17中170部分蒸鍍面的平面結構放大示意圖；
圖19所示為圖17中170部分ITO面的平面結構放大示意圖；
圖20所示為本發明的另一種掩模板蒸鍍面的平面結構示意圖；
圖21所示為本發明的另一種掩模板ITO面的平面結構示意圖。
[0026]圖1中，1為掩模板的ITO面,2為掩模板的蒸鍍面，LI為蝕刻的有效沉積開口寬度,L2為預設的有效沉積開口寬度，tl為ITO面蝕刻的深度，t2為蒸鍍面蝕刻的深度，t為掩模板的厚度；
圖2中，21為芯模，22為膜；
圖3中，31為曝光區域的膜；
圖4中， 41為經顯影一步驟後露出的芯模區域；
圖5中，51為電鑄層；
圖6中，61為膜；
圖7中，70為待放大區域，71、72為曝光區域的膜；
圖8中，80為待放大區域，510為經顯影二步驟後露出的部分電鑄層的金屬區域；
圖9中，90為待放大區域，91為蝕刻凹槽；
圖10中，101為掩模板的開口 ；
圖11中，110為待放大區域，151為電鑄開口 ；
圖15中，L為有效沉積的開口寬度，t3為電鑄層未蝕刻的厚度，t4為電鑄層蝕刻凹槽的深度，d為電鑄層的厚度，3為蒸鍍面，4為ITO面；
圖16中，t5為蝕刻凹槽的深度，a為蝕刻凹槽的剖面錐度角；
圖17中，170為待放大區域，171為開口區域；
圖18中，1-1為解剖觀測方向；
圖20中，A-A為解剖觀測方向。
【具體實施方式】
[0027]下面詳細描述本發明的實施例，所述實施例的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類似的標號表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過參考附圖描述的實施例是示例性的，僅用於解釋本發明，而不能解釋為對本發明的限制。
[0028]在本發明的描述中，需要理解的是，術語「上」、「下」、「底」、「頂」、「前」、「後」、「內」、「外」、「左」、「右」等指示的方位或位置關係為基於附圖所示的方位或位置關係，僅是為了便於描述本發明和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構造和操作，因此不能理解為對本發明的限制。
[0029]本發明的發明構思如下，如【背景技術】所述，傳統採用雙面蝕刻工藝分別從因瓦片材兩面腐蝕，形成的掩模板開口剖面為葫蘆狀開口如圖1所示，但由於蝕刻為減成工藝，且存在側腐蝕，使製成的掩模板的有效沉積開口尺寸精度不好控制，蝕刻形成的開口壁粗糙不光滑。而本發明提供的掩模板的製作工藝，電鑄製得的掩模板的有效沉積開口精度容易控制，可提高開口精度，且電鑄孔壁較蝕刻孔壁光滑，易脫模，同時其開口由蝕刻工藝製得的蝕刻凹槽91形成碗狀孔壁，與電鑄製得的開口 151相結合，可製得滿足蒸鍍要求的開口，碗狀孔壁具有的大錐度，避免了蒸鍍過程中孔壁對蒸鍍材料的遮擋，提高了蒸鍍成膜率，與此同時掩模板的厚度d也可以根據需要得到很好的控制。
[0030]下面將參照附圖來描述本發明的掩模板的製作工藝，圖1所示為傳統雙面蝕刻掩模板開口的截面放大示意圖；圖2所示為貼膜一截面示意圖；圖3所示為曝光一截面示意圖；圖4所示為顯影一截面示意圖；圖5所示為電鑄步驟後的截面示意圖；圖6所示為貼膜二截面示意圖；圖7所示為曝光二截面示意圖；圖8所示為顯影二截面示意圖；圖9所示為蝕刻後的截面示意圖；圖10所示為褪膜後的截面示意圖；圖11所示為剝離後的掩模板截面示意圖；圖17所示為掩模板平面示意圖；圖20所示為本發明的另一種掩模板蒸鍍面的平面結構示意圖；圖21所示為本發明的另一種掩模板ITO面的平面結構示意圖。
[0031]根據本發明的實施例，如圖2-圖10所示，本發明提供了一種屬掩模板的製作工藝，其特徵在於:
先通過電鑄工藝電鑄一層電鑄層51,再通過蝕刻工藝在所述電鑄層51上開口的一側蝕刻出一定深度的蝕刻凹槽91，其中，
所述電鑄工藝包括:貼膜一步驟、曝光一步驟、顯影一步驟、電鑄步驟； 所述蝕刻工藝包括:貼膜二步驟、曝光二步驟、顯影二步驟、蝕刻步驟、褪膜步驟；
其中在所述蝕刻工藝中，所述曝光二步驟中未曝光區域的膜61與所述曝光一步驟中曝光區域的膜31相對應，且所述曝光二步驟中膜未曝光的區域大於所述曝光一步驟中膜曝光的區域，經所述顯影二步驟將曝光二步驟中未曝光區域的膜61除去，露出部分電鑄層的金屬區域510，在蝕刻步驟中，經所述曝光二步驟曝光區域的膜71與經所述曝光一步驟曝光區域的膜31共同形成保護膜，經蝕刻步驟將露出的電鑄層的金屬區域510蝕刻成具有一定深度的蝕刻凹槽91。
[0032]下面將詳細地描述本發明所提供的掩模板的製作工藝，一些附加的技術特徵也將在下面的敘述中展示出來。
[0033]根據本發明的實施例，所述電鑄工藝具體步驟如下:
a、貼膜一步驟:如圖2所示，將經過前處理步驟的芯模21的一面進行貼膜；
b、曝光一步驟:如圖3所示，將經過所述貼膜一步驟的芯模在貼有膜22的一面進行曝光，將預設的曝光區域曝光，以便將未曝光區域的膜通過顯影去除，留下曝光區域的膜31以作後續電鑄和蝕刻步驟的保護膜；
C、顯影一步驟:如圖4所示，將經過所述曝光一步驟的芯模在貼有膜22的一面進行顯影，將上述步驟b中未曝光區域的膜通過顯影除去，露出芯模區域41，留下曝光區域的膜31以作後續電鑄步驟和蝕刻步驟的保護膜；
d、電鑄步驟:如圖5所示，將經過所述顯影一步驟的芯模放入電鑄槽中，在經顯影一步驟已經去除膜露出芯模的區域41電鑄一層電鑄層51，獲得具有電鑄層的芯模。
[0034]根據本發明的實施例，所述步驟a貼膜一步驟中所述的芯模前處理步驟包括將所述芯模予以除油、酸洗、噴砂，以除去其表面的汙垢及雜質，增加其表面粗糙度。
[0035]光滑的電鑄開口側壁較蝕刻開口側壁更易脫模，不會對已蒸鍍上的材料造成影響。
[0036]根據本發明的實施例，所述蝕刻工藝具體步驟如下:
e、貼膜二步驟:如圖6所示，將經過所述電鑄工藝的芯模在帶有電鑄層51的一面進行貼膜；
f、曝光二步驟:如圖7所示，將經過所述貼膜二步驟的芯模在貼有膜61的一面進行曝光，將預設的曝光區域曝光，以便將未曝光區域的膜通過顯影步驟去除，留下曝光區域的膜71以作後續蝕刻步驟的保護膜，未曝光區域的膜61與所述曝光一步驟中曝光區域的膜31相對應，且曝光二步驟中膜未曝光的區域大於曝光一步驟中膜曝光的區域，其局部放大示意圖如圖12所示；
g、顯影二步驟:如圖8所示，將經過所述曝光二步驟的芯模經顯影步驟除去曝光二步驟中未曝光區域的膜，露出曝光一步驟中曝光區域的膜31和部分電鑄層的金屬區域510，其局部放大示意圖如圖13所示，510為經顯影二步驟後露出的部分電鑄層的金屬區域；
h、蝕刻步驟:如圖9所示，將經過所述顯影二步驟的芯模進行蝕刻，將所述露出的電鑄層的金屬區域510蝕刻成具有一定深度的蝕刻凹槽91，其局部放大示意圖如圖14所示，在原有電鑄形成的開口(電鑄步驟後將一次曝光步驟曝光區域的膜除去即形成所述的開口)基礎上，蝕刻一定深度的蝕刻凹槽91，蝕刻凹槽91剖面呈具有一定錐度的碗狀，可以減小蒸鍍時對蒸鍍材料的遮蔽效應；
1、褪膜步驟:如圖10所示，將經過所述蝕刻步驟的芯模進行褪膜，通過褪膜步驟將曝光區域的膜31、71除去。
[0037]根據本發明的實施例，經蝕刻工藝的褪膜步驟後，將所述芯模上的電鑄層51從所述芯模上剝離下來，如圖11所示，即獲得所需要的產品(即掩模板)，開口 101由電鑄開口151和蝕刻開口 91結合而成，即在電鑄層51上開口 101的一側蝕刻出具有一定深度的蝕刻凹槽91，圖11中110的局部結構放大示意圖如圖15-圖16所示。
[0038]根據本發明的一些實施例，在所述蝕刻步驟之前將所述芯模沒有電鑄層51的一面貼上一層保護膜，或者在所述蝕刻步驟中在所述芯模沒有電鑄層的一面墊上一層墊板，所述的保護膜和所述的墊板起到保護芯模不被蝕刻的作用。
[0039]根據本發明的一個實施例，在所述蝕刻步驟之前將所述芯模沒有電鑄層的一面貼上一層保護膜，所述保護膜是將膜61塗覆或壓貼到芯模沒有電鑄層的一面，再通過曝光形成保護膜72，如圖6-圖9所示，即保護膜72可通過貼膜二步驟、曝光二步驟形成。
[0040]根據本發明的實施例，在所述電鑄工藝的電鑄步驟後、蝕刻工藝的貼膜二步驟前還包括後處理步驟，所述後處理步驟包括將所述具有電鑄層的芯模進行除油步驟、酸洗步驟、風乾步驟。
[0041]根據本發明的實施例，所述電鑄層51的材料為鎳或鎳基合金。
[0042]可選地，所述電鑄層51的材料為鎳鐵合金、鎳鈷合金、及鎳鐵鈷合金中的一種。
[0043]根據本發明的實施例，如圖15所示，所述蝕刻步驟中蝕刻凹槽的深度為電鑄層厚度的50%~100%，t3為電鑄層未蝕刻的厚度，t4為電鑄層蝕刻凹槽91的深度，d為電鑄層的厚度，t3、t4、d的關係為:t3+t4=d。
[0044]根據本發明的優選實施例，所述蝕刻凹槽的深度為電鑄層厚度的100%，如圖16所示，即蝕刻凹槽的深度為t5與電鑄層厚度的關係為:t5=d。
[0045]根據本發明的一些實施例，如圖16所示，所述蝕刻步驟中蝕刻凹槽91的剖面錐度角度a為30。~50。。
[0046]根據本發明的實施例,所述蝕刻步驟中蝕刻凹槽91的剖面錐度角度a為45 °。
[0047]通過蝕刻的凹槽可以使掩模板的開口 101具有一定的錐度，減小蒸鍍時的遮蔽效應，蝕刻凹槽的深度越深(深度小於等於電鑄層的厚度)、錐度越大遮蔽效果越小。
[0048]根據本發明的實施例，圖15、圖16中所示通過電鑄工藝來控制沉積開口寬度L的尺寸，相對蝕刻工藝，電鑄開口寬度L的尺寸精度容易控制，從而提高了有效沉積開口的精度。
[0049]根據本發明的一個實施例，如圖17-圖19所示，為通過本發明所提供的掩模板的製作工藝獲得的掩模板平面結構示意圖，以電鑄層51為掩模板的主體上具有多個開口區域171 (圖17中所示的開口區域是12個，其開口區域171的數量可以根據需要設計為多於或少於12個)，其中開口區域171的局部放大區域的示意圖如圖18、19所示，圖18中3為蒸鍍面(即電鑄時不與芯模接觸的一面)，沿1-1方向的剖面示意圖如圖11、圖15、圖16所示；圖19中4為ITO面(即電鑄時與芯模接觸的一面)，其開口 101為細長條狀，有效沉積開口的寬度尺寸L為30~100 μ m，由電鑄形成的開口 151與蝕刻形成的具有錐度的開口 91組合而成。
[0050]根據本發明的一個實施例，如圖20-圖21所示，為通過本發明所提供的掩模板的製作工藝獲得的另一種掩模板平面結構示意圖，以電鑄層51為掩模板的主體上具有多個開口 101，圖20中3為蒸鍍面(即電鑄時不與芯模接觸的一面)，沿A-A方向的剖面示意圖如圖11、圖15、圖16所示；圖21中4為ITO面(即電鑄時與芯模接觸的一面)，其有效沉積開口 101形狀為矩形，矩形開口 101的長度和寬度尺寸的數量級可以根據需要從微米級別到米級別任意設定(開口 101數量不限於圖20、21中所示的9個)，開口 101由電鑄形成的開口 151與蝕刻形成的具有錐度的開口 91組合而成。
[0051]在本發明中，所述的貼膜一步驟、貼膜二步驟是將膜壓貼或塗覆到芯模或電鑄層的表面。
[0052]儘管參照本發明的多個示意性實施例對本發明的【具體實施方式】進行了詳細的描述，但是必須理解，本領域技術人員可以設計出多種其他的改進和實施例，這些改進和實施例將落在本發明原理的精神和範圍之內。具體而言，在前述公開、附圖以及權利要求的範圍之內，可以在零部件和/或者從屬組合布局的布置方面作出合理的變型和改進，而不會脫離本發明的精神。除了零部件和/或布局方面的變型和改進，其範圍由所附權利要求及其等同物限定。
【權利要求】
1.一種掩模板的製作工藝，其特徵在於: 先通過電鑄工藝電鑄一層電鑄層，再通過蝕刻工藝在所述電鑄層上開口的一側蝕刻出一定深度的蝕刻凹槽，其中， 所述電鑄工藝包括:貼膜一步驟、曝光一步驟、顯影一步驟、電鑄步驟； 所述蝕刻工藝包括:貼膜二步驟、曝光二步驟、顯影二步驟、蝕刻步驟、褪膜步驟； 其中在所述蝕刻工藝中，所述曝光二步驟中未曝光區域的膜與所述曝光一步驟中曝光區域的膜相對應，且所述曝光二步驟中膜未曝光的區域大於所述曝光一步驟中膜曝光的區域，經所述顯影二步驟將所述曝光二步驟中未曝光區域的膜除去，露出部分電鑄層的金屬區域，在蝕刻步驟中，經所述曝光二步驟曝光區域的膜與經所述曝光一步驟曝光區域的膜共同形成保護膜，經所述蝕刻步驟將露出的電鑄層的金屬區域蝕刻成具有一定深度的蝕刻凹槽。
2.根據權利要求1所述的掩模板的製作工藝，其特徵在於，所述電鑄工藝具體步驟如下: a、貼膜一步驟:將經過前處理步驟的芯模的一面進行貼膜； b、曝光一步驟:將經過所述貼膜一步驟的芯模在貼有膜的一面進行曝光，將預設的曝光區域曝光，以便將未曝光區域的膜通過顯影去除，留下曝光區域的膜以作後續電鑄步驟和蝕刻步驟的保護膜； C、顯影一步驟:將經過所述曝光一步驟的芯模在貼有膜的一面進行顯影，將上述步驟b中未曝光部分的膜通過顯影除去，露出芯模區域，留下曝光區域的膜以作後續電鑄步驟和蝕刻步驟的保護膜； d、電鑄步驟:將經過所述顯影一步驟的芯模放入電鑄槽中，在經顯影一步驟已經去除膜露出芯模的區域電鑄一層電鑄層，獲得具有電鑄層的芯模。
3.根據權利要求2所述的掩模板的製作工藝，其特徵在於，在所述步驟a貼膜一步驟中所述的芯模前處理步驟包括將所述芯模予以除油、酸洗、噴砂，以除去其表面的汙垢及雜質，增加其表面粗糙度。
4.根據權利要求1所述的掩模板的製作工藝，其特徵在於，所述蝕刻工藝具體步驟如下: e、貼膜二步驟:將經過所述電鑄工藝的芯模在帶有電鑄層的一面進行貼膜； f、曝光二步驟:將經過所述貼膜二步驟的芯模在貼有膜的一面進行曝光，將預設的曝光區域的膜曝光，以便將未曝光區域的膜通過顯影去除，留下曝光區域的膜以作後續蝕刻步驟的保護膜，所述曝光二步驟中未曝光區域的膜與所述曝光一步驟中曝光區域的膜相對應，且所述曝光二步驟中膜未曝光的區域大於所述曝光一步驟中膜曝光的區域； g、顯影二步驟:將經過所述曝光二步驟的芯模經顯影步驟除去曝光二步驟中未曝光區域的膜，露出部分電鑄層的金屬區域和曝光一步驟中曝光區域的膜； h、蝕刻步驟:將經過所述顯影二步驟的芯模進行蝕刻，將所述露出的部分電鑄層的金屬區域蝕刻成具有一定深度的蝕刻凹槽； i、褪膜步驟:將經過所述蝕刻步驟的芯模進行褪膜，通過褪膜步驟將曝光區域的膜除去。
5.根據權利要求1和4所述的掩模板的製作工藝，其特徵在於，在所述蝕刻步驟之前將所述芯模沒有電鑄層的一面貼上一層保護膜，或者在所述蝕刻步驟中在所述芯模沒有電鑄層的一面墊上一層墊板，所述保護膜和所述墊板起到保護芯模不被蝕刻的作用。
6.根據權利要求1所述的掩模板的製作工藝，其特徵在於，所述電鑄層的材料為鎳或鎳基合金。
7.根據權利要求1所述的掩模板的製作工藝，其特徵在於，所述蝕刻凹槽的深度為電鑄層厚度的50%~100%。
8.根據權利要求1所述的掩模板的製作工藝，其特徵在於，所述蝕刻凹槽的深度為電鑄層厚度的100%。
9.根據權利要求1所述的掩模板的製作工藝，其特徵在於，所述蝕刻凹槽的剖面錐度角度為30°~50°。
10.根據權利要求1所述的掩模板的製作工藝，其特徵在於，所述蝕刻凹槽的剖面錐度角度角度為45 °。
【文檔編號】C23C14/04GK104164647SQ201310184028
【公開日】2014年11月26日 申請日期:2013年5月17日 優先權日:2013年5月17日
【發明者】魏志凌, 高小平, 潘世珎, 張煒平 申請人:崑山允升吉光電科技有限公司