電路裝置的製造方法及電路裝置的製作方法

2023-06-18 13:22:26 4

專利名稱：電路裝置的製造方法及電路裝置的製作方法
技術領域：
本發明涉及電路裝置的製造方法及電路裝置，特別是涉及薄型的電路裝置的製造方法。
迄今，安裝在電子機器中的電路裝置由於被用於攜帶電話、攜帶用的計算機等中，所以要求小型化、薄型化、輕量化。
例如，作為電路裝置，以半導體裝置為例進行說明，作為一般的半導體裝置，迄今有採用通常的傳遞模塑法封裝的組件型半導體裝置。如圖24所述，該半導體裝置1印刷電路基板PS上。
另外該組件型半導體裝置1用樹脂層3被覆在半導體晶片2的周圍，從該樹脂層3的側面導出外部連接用的引線端子4。
可是該組件型半導體裝置1從樹脂層3引出引線端子4，而其總體尺寸大，並不能滿足小型化、薄型化及輕量化的要求。
因此，各公司竟相開發各種各樣的結構，來實現小型化、薄型化及輕量化，最近開發出了一種稱為CSP(晶片尺寸組件)的與晶片的尺寸等同的晶片級CSP、或比晶片尺寸大一些的CSP。
圖25表示採用環氧玻璃基板作為支撐基板的比晶片尺寸大一些的CSP6。這裡說明在環氧玻璃基板5上安裝了電晶體晶片的例。
在該環氧玻璃基板5的表面上形成第一電極7、第二電極8及緩衝墊9，在背面上形成第一背面電極10和第二背面電極11。而且上升第一電極7通過通孔TH與第一背面電極10導電性連接，第二電極8通過通孔與第二背面電極11導電性連接。另外，上述裸電晶體晶片T固定在緩衝墊9上，通過金屬裸線12連接電晶體的發射極和第一電極7，通過金屬裸線12連接電晶體的基極和第二電極8。另外覆蓋著電晶體晶片T，將樹脂層13設置在環氧玻璃基板5上。
上述CSP6雖然採用環氧玻璃基板5，但與晶片級CSP不同，具有從晶片T至外部連接用的背面電極10、11的延伸結構簡單、製造成本低的優點。
另外如圖24所述，上述CSP6安裝在印刷電路基板PS上。構成電路的電極、布線設置在印刷電路基板PS上，上述CSP6、組件型半導體裝置1、片狀電阻CR或片狀電容器CC等導電性連接並固定。
而且在該印刷電路基板上構成的電路被安裝在各種裝置中。
其次，參照圖26及圖27說明該CSP的製造方法。另外，在圖27中，參照以中央的ガラエポ/フレキ基板為題的流程圖。
首先作為基體材料(支撐基板)，準備環氧玻璃基板5，通過絕緣性黏合劑將Cu箔20、21加壓粘接在其兩面上。(以上參照圖26A)接著，將耐蝕性的抗蝕劑22被覆在第一電極7、第二電極8、緩衝墊9、第一背面電極10及第二背面電極11所對應的Cu箔20、21上，對Cu箔20、21進行圖形刻蝕。另外，也可以在表面和背面分別進行圖形刻蝕。(以上參照圖26B)接著，利用穿孔器或雷射，在上述環氧玻璃基板上形成通孔TH用的孔，對該孔進行電鍍，形成通孔TH。利用該通孔TH導電性地連接第一電極7和第一背面電極10、以及第二電極8和第二背面電極11。(以上參照圖26C)另外，圖中雖然省略了，但對成為焊接區的第一電極7、第二電極8實施鍍Ni，同時對成為小片焊接區的緩衝墊9實施鍍Au，對電晶體晶片T進行小片焊接。
最後，通過金屬細線12連接電晶體晶片T的發射極和第一電極7、以及電晶體晶片T的基極和第二電極8，用樹脂層13覆蓋。(以上參照圖26D)而且根據需要，進行切割，作為一個一個的電氣元件分離開。在圖26中，在環氧玻璃基板5上雖然只設置一個電晶體晶片T，但實際上呈矩陣狀地設置著多個電晶體晶片T。因此，最後利用切割裝置進行單個分離。
利用以上的製造方法，製成採用支撐基板5的CSP型電氣元件。該製造方法即使採用撓性薄片作為支撐基板也一樣。
另一方面，在圖27左側的流程中給出了採用陶瓷基板的製造方法。準備了作為支撐基板的陶瓷基板後，形成通孔，然後，使用導電膏劑，印刷表面和背面的電極，進行燒結。然後，直至前一製造方法中的被服樹脂層為止，與圖26中的製造方法相同，但陶瓷基板非常脆，與撓性薄片和環氧玻璃基板不同，由於會立刻破碎，所以存在不能使用金屬模的模具的問題。因此，用封裝樹脂進行封裝，硬化後進行使封裝樹脂平坦的研磨，最後使用切割裝置單個地分開。
在圖25中，電晶體晶片T、連接裝置7～12及樹脂層13與外部導電性地連接，雖然保護電晶體是必要的結構要素，但只是這樣的結構要素，難以提供實現小型化、薄型化、輕量化的電路裝置。
另外，如上所述，成為支撐基板的環氧玻璃基板5本來是不需要的。可是在製造方法上為了粘貼電極，採用它作為支撐基板，不能沒有該環氧玻璃基板5。
因此，由於採用該環氧玻璃基板5，所以成本上升，另外由於環氧玻璃基板5厚，所以電路裝置變厚，限制了小型化、薄型化、輕量化。
另外，在環氧玻璃基板和陶瓷基板上連接兩面上的電極用的通孔形成工序是不可少的，還存在製造工序長的問題。
圖28是表示環氧玻璃基板、陶瓷基板或金屬基板等上形成的圖形的圖。該圖形一般形成IC電路，安裝著電晶體晶片21、IC晶片22、片狀電容器23及/或片狀電阻24。在該電晶體晶片21和IC晶片22的周圍形成與布線25呈一體的焊接區26，通過金屬細線28導電性地連接晶片21、22和焊接區。另外與外部引線焊接區30呈一體地形成布線29。這些布線25、29在基板中曲折地延伸，根據需要，在IC晶片中形成得更細。因此，該細的布線與基板的接觸面積非常少，存在布線剝離、或翹曲的問題。另外焊接區26是電源用的焊接區和小信號用的焊接區，特別是小信號用的焊接區接觸面積小，成為剝離的原因。
另外，雖然外部引線固定在外部引線焊接區上，但存在由於加在外部引線上的外力的作用，致使外部引線焊接區剝離的問題。
本發明就是鑑於上述多個問題而完成的，第一，這樣解決上述問題，即本發明包括將板狀體的表面層的一部分刻蝕成規定的形狀，形成導電路徑的工序；將所希望的電路元件導電性地連接在所希望的上述導電路徑上的工序；用絕緣性樹脂被覆上述電路元件及上述導電路徑的工序；以及從相對於上述導電路徑形成面的面除去上述板狀體，使上述導電路徑從上述絕緣性樹脂露出來的工序。
如果採用這樣的結構，則由於焊接時應連接電路元件的區域剛性高，能保持本來的位置，所以焊接的可靠性極高。另外，即使在樹脂封裝工序中應連接電路元件的區域剛性也高，能保持本來的位置，所以能大幅度地防止短路等的發生。
如果採用該方法，則不會發生位置偏移，能高精度地形成可靠性高的電路裝置。
例如，在作為出發材料使用以銅為主要成分的導電體、例如銅箔的情況下，與電鍍膜相比，薄片電阻小，能謀求降低布線電阻。另外，在使用銅箔等軋制板狀材料的情況下，即使熱帳係數差，也不會產生裂紋，提高了焊接性能。與此不同，在鍍膜的情況下，由於沿z軸方向生長，所以相對於面的延伸方向弱，容易產生裂紋，焊接性能也低。
本發明的第二方面這樣解決問題，即用導電箔支撐被刻蝕成規定的形狀的側面彎曲的導電路徑，將所希望的電路元件導電性地連接並固定在所希望的上述導電路徑上，用絕緣性樹脂被覆上述電路元件及上述導電路徑，至少除去對應於導電路徑的部分以外的上述導電箔。
利用本製造方法可以不需要通孔，同時能靈活地使導電箔成為支撐基板及導電路徑，使結構要素達到最小限度，而且不需要從上述絕緣性樹脂去掉導電路徑。
另外，由於充分地確保了焊接區域之後，使樹脂進入間隙中，所以能抑制裂紋的發生。
例如，在作為出發材料使用以銅為主要成分的導電體、例如銅箔的情況下，雖然表面上均勻地形成Cu2O、CuO等薄氧化膜，但在彎曲面的情況下表面積特別大，由於該氧化物與環氧樹脂等樹脂的化學結合性高，所以大幅度地提高了與樹脂的粘接性。
第三，這樣解決，即包括在第一導電箔的背面準備層疊了第二導電箔的層疊導電箔的工序；至少在成為導電路徑的區域以外的上述第一導電箔上形成分離槽，形成側面呈彎曲結構的第一導電路徑的工序；將所希望的電路元件導電性地連接並固定在所希望的上述第一導電路徑上的工序；用絕緣性樹脂被覆上述電路元件及上述第一導電路徑，以便填充在上述分離槽中進行模製的工序；以及將對應於上述分離槽的部分的上述第二導電箔除去，在上述第一導電路徑的背面形成第二導電路徑的工序。
能靈活地將第二導電箔作為形成第一導電路徑時的刻蝕阻擋層使用，同時防止第一導電路徑分散。而且最終作為第二導電路徑使用。另外利用填充在分離槽中的絕緣性樹脂，呈一體地支撐導電路徑，防止導電路徑拉脫。當然不需要通孔。
第四，這樣解決，即包括在第一導電箔的背面準備層疊了第二導電箔的層疊導電箔的工序；在上述第一導電箔表面上的至少成為導電路徑的區域形成耐蝕性的導電被覆膜的工序；至少在成為導電路徑以外的上述第一導電箔上形成分離槽，形成側面呈彎曲結構的第一導電路徑的工序；將電路元件固定在所希望的上述第一導電路徑上的工序；形成導電性地連接上述電路元件的電極和所希望的上述第一導電路徑的連接構件的工序；用絕緣性樹脂被覆上述電路元件、上述連接構件及第一導電路徑，以便填充在上述分離槽中進行模製，嵌合上述導電路徑和上述絕緣性樹脂的工序；以及將未設置上述分離槽的上述第二導電箔除去，在上述第一導電路徑的背面形成第二導電路徑的工序。
能靈活地將第二導電箔作為形成第一導電路徑時的刻蝕阻擋層使用，同時防止第一導電路徑分散。而且最終作為第二導電路徑使用。另外通過採用導電被覆膜，在導電路徑的表面上形成遮擋層，被覆該遮擋層並且利用填充在分離槽中的絕緣性樹脂，防止導電路徑拉脫。當然不需要通孔。
第五，這樣解決，即包括在第一導電箔的背面準備層疊了第二導電箔的層疊導電箔的工序；至少在成為導電路徑以外的上述第一導電箔上形成分離槽，形成側面呈彎曲結構的導電路徑的工序；將電路元件固定在所希望的上述導電路徑上的工序；形成導電性地連接上述電路元件的電極和所希望的上述第一導電路徑的連接構件的工序；用絕緣性樹脂被覆上述電路元件、上述連接構件及第一導電路徑，以便填充在上述分離槽中進行模製，嵌合上述第一導電路徑和上述絕緣性樹脂的工序；將未設置上述分離槽的上述第一導電箔除去，在上述第一導電路徑的背面形成第二導電路徑的工序；以及切斷上述絕緣性樹脂，分離成個別的電路裝置的工序。
第六，這樣解決，即包括在第一導電箔的背面準備層疊了第二導電箔的層疊導電箔的工序；在上述第一導電箔表面上的至少成為導電路徑的區域形成耐蝕性的導電被覆膜的工序；至少在成為第一導電路徑以外的上述第一導電箔上形成分離槽，形成側面呈彎曲結構的導電路徑的工序；將電路元件固定在所希望的上述第一導電路徑上的工序；形成導電性地連接上述電路元件的電極和所希望的上述第一導電路徑的連接構件的工序；用絕緣性樹脂被覆上述電路元件，以便填充在上述分離槽中進行模製，嵌合上述第一導電路徑和上述絕緣性樹脂的工序；將未設置上述分離槽的上述第二導電箔除去，在上述第一導電路徑的背面形成第二導電路徑的工序；以及切斷上述絕緣性樹脂，分離成個別的電路裝置的工序。
附圖的簡單說明

圖1是說明本發明的電路裝置的圖。
圖2是說明本發明的電路裝置的圖。
圖3是說明本發明的電路裝置的製造方法的圖。
圖4是說明本發明的電路裝置的製造方法的圖。
圖5是說明本發明的電路裝置的製造方法的圖。
圖6是說明本發明的電路裝置的製造方法的圖。
圖7是說明本發明的電路裝置的製造方法的圖。
圖8是說明本發明的電路裝置的圖。
圖9是說明本發明的電路裝置的製造方法的圖。
圖10是說明本發明的電路裝置的製造方法的圖。
圖11是說明本發明的電路裝置的製造方法的圖。
圖12是說明本發明的電路裝置的製造方法的圖。
圖13是說明本發明的電路裝置的製造方法的圖。
圖14是說明本發明的電路裝置的製造方法的圖。
圖15是說明本發明的電路裝置的製造方法的圖。
圖16是說明本發明的電路裝置的製造方法的圖。
圖17是說明本發明的電路裝置的製造方法的圖。
圖18是說明本發明的電路裝置的製造方法的圖。
圖19是說明本發明的電路裝置的製造方法的圖。
圖20是說明本發明的電路裝置的製造方法的圖。
圖21是說明本發明的電路裝置的圖。
圖22是說明本發明的電路裝置的圖。
圖23是說明本發明的電路裝置的安裝方法的圖。
圖24是說明現有的電路裝置的安裝結構的圖。
圖25是說明現有的電路裝置的圖。
圖26是說明現有的電路裝置的製造方法的圖。
圖27是說明現有的和本發明的電路裝置的製造方法的圖。
圖28是現有的和本發明的電路裝置中使用的IC電路的圖形圖。
圖29是說明半導體製造和裝置製造的位置評價的圖。
說明電路裝置的第一實施形態首先，參照圖1說明本發明的電路裝置的結構。
在圖1中，示出了這樣構成的電路裝置53，即它有被埋在絕緣性樹脂50中的導電路徑51，電路元件52被固定在上述導電路徑51上，用上述絕緣性樹脂50支撐導電路徑51。而且導電路徑51的側面有彎曲結構59。
本結構主要由電路元件52A、52B、多個第一導電路徑51A～51C、以及將該第一導電路徑51～51C埋入的絕緣性樹脂50這樣三種材料構成，在第一導電路徑51A～51C之間設有用該絕緣性樹脂50填充的分離槽54。而且利用絕緣性樹脂50支撐彎曲結構59的上述導電路徑51。
更詳細地說，上述導電路徑51實際上基本上由疊層結構構成，第一導電路徑51A和第二導電路徑51S重疊，第一導電路徑51B和第二導電路徑51T重疊，以及第一導電路徑51C和第二導電路徑51U重疊。
作為絕緣性樹脂可以使用環氧樹脂等熱硬化性樹脂、聚醯亞胺樹脂、硫化聚苯等熱塑性樹脂。另外，絕緣性樹脂可以採用使用金屬模進行硬化的樹脂、能進行浸漬、塗敷而被覆的全部樹脂。
另外層疊導電箔的結構作為一例舉出上層的第一導電路徑以Cu(或Al)為主要材料，下層的第二導電路徑以Al(或Cu)為主要材料。另外上述第一及第二導電路徑也可以用同一種材料構成。
另外電路元件52的連接構件是金屬細線55A、由焊料構成的球、扁平的導電球、焊錫等焊料55B、Ag膏等導電膏55C、導電被覆膜或各向異性導電性樹脂等。這些連接構件根據電路元件52的種類、電路元件32的實施形態來選擇。例如，如果是裸半導體元件，則表面電極和導電路徑51的連接選擇金屬細線，如果是CSP、倒裝片等，則選擇焊錫球或焊錫凸點。另外片狀電阻、片狀電容器選擇焊錫55B。另外，即使將組合的電路元件、例如BGA或組件型的半導體元件等安裝在導電路徑51上也沒有問題，在採用它的情況下，連接構件能選擇焊錫。
另外電路元件和導電路徑51A的固定方法，如果不需要進行導電性連接，則選擇絕緣性黏合劑，另外在需要進行導電性連接的情況下，採用導電被覆膜。這裡該導電被覆膜至少一層即可。
可以作為該導電被覆膜考慮的材料，有Ni、Ag、Au、Pt或Pd等，採用蒸鍍、濺射、CVD等低真空或高真空下的粘附、電鍍或導電膏的燒結等方法進行被覆。
例如Ag與Au粘接，也與焊料粘接。因此如果Au被覆膜被覆在晶片背面，則通過將Ag被覆膜、Au被覆膜、焊錫被覆膜直接被覆在導電路徑51A上，能對晶片進行熱壓接，另外還能通過焊錫等焊料固定晶片。這裡，也可以在層疊了多層的導電被覆膜的最上層形成上述導電被覆膜。例如，在Cu導電路徑51A上能形成依次被覆了Ni被覆膜、Au被覆膜這樣的兩層被覆膜，或依次被覆了Ni被覆膜、Cu被覆膜、焊錫被覆膜這樣的三層被覆膜，或依次被覆了Ag被覆膜、Ni被覆膜這樣的兩層被覆膜。另外，這些導電被覆膜的種類、疊層結構除此以外還有許多，但這裡將其省略。
本電路裝置有被覆導電路徑51、且填充在上述第一導電路徑51A～51C之間的上述分離槽54中、呈一體進行支撐的絕緣性樹脂50。
該導電路徑51之間成為分離槽54，這裡由於填充絕緣性樹脂50，所以具有謀求互相絕緣的優點。
該呈彎曲結構59的導電路徑51A～51C之間成為分離槽54，在這裡填充絕緣性樹脂50，所以能防止導電路徑51A～51C拉脫，同時具有謀求互相絕緣的優點。
另外，還有被覆導電路徑52、且填充在上述導電路徑51A～51C之間的上述分離槽54中、使第二導電路徑51S～51U露出、呈一體進行支撐的絕緣性樹脂50。
由於使第二導電路徑51S～51U露出，所以第二導電路徑的背面能與外部連接，具有不需要圖25所示的現有結構的通孔TH的特徵。
而且在電路元件通過焊料、Au、Ag等導電被覆膜直接固定的情況下，從電路元件及導電路徑52A發生的熱能通過導電路徑51A傳遞給安裝基板。特別是由於放熱，對於能改善驅動電流的上升等的特性的半導體晶片有效。
圖1是用多個電路元件構成IC電路的圖，特別是連接電路元件和電路元件的導電路徑具有布線功能，但如圖1B所示，實際上呈接觸區的形狀。可是如圖2或圖28所示，實際的形狀更複雜。
說明電路裝置的第二實施形態其次說明圖2所示的電路裝置53。
本結構形成布線L1～L3作為導電路徑51，除此以外，與圖1中的結構實際上相同。因此說明該布線L1～L3。
如上所述，在IC電路中，是從規模小的電路到規模大的電路。可是這裡還有附圖的情況，將規模小的電路示於圖2A。該電路多半用於音頻放大電路，是差動放大電路和電流反射鏡電路連接而成的。如圖2A所示，上述差動放大電路由TR1和TR2構成，上述電流反射鏡電路主要由TR3和TR4構成。
圖28是在本電路裝置中實現了圖2A所示的電路時的平面圖，圖2C是圖2B中的A-A線處的剖面圖，圖2D是D-D線處的剖面圖。安裝著TR1和TR3的緩衝墊51A設置在圖2B的左側，安裝著TR2和TR4的緩衝墊51D設置在右側。外部連接用的電極51B、51E～51G設置在該緩衝墊51A、51D的上側，51C、51H～51J設置在下側。另外，B、E分別表示基極、發射極。而且由於TR1的發射極和TR2的發射極相連接，所以布線2與電極51E、51G呈一體地形成。另外由於TR3的基極和TR4的基極相連接、TR3的發射極和TR4的發射極相連接，所以布線L1與電極51C、55J呈一體地設置，布線L3與電極55H、55I呈一體地設置。
該布線L1～L3有特徵，用圖28說明，布線25、布線29是與其相當的布線。該布線隨著本電路裝置的集成度的不同而不同，但寬度約為25微米，非常窄。另外，該25微米的寬度是採用溼法刻蝕時的數值，如果採用幹法刻蝕，其寬度可以更窄。
從圖2D可知，構成布線L1的第一導電路徑51K被埋入絕緣性樹脂50中，側面有彎曲結構，同時用絕緣性樹脂50進行支撐。如果進行另外的表現，則布線被埋入絕緣性樹脂50中。因此，如圖24～圖28所示，與布線只粘貼的支撐基板上的情況不同，能防止布線拉脫、翹區。特別是從後面所述的製造方法可知，第一導電路徑的側面是粗糙面，而且呈彎曲結構，由於在第一導電路徑的表面上形成遮擋層等，所以有固定效果，構成上述導電路徑不能從絕緣性樹脂拉脫的結構。另外，有遮擋層的結構將用圖8說明。
另外，如上所述，由於外部連接用的電極51B、51C、55E～51J被絕緣性樹脂埋入，所以即使施加外力，也不會從被固定的外部引線上剝離。這裡電阻R1和電容器C1雖然被省略了，但也可以安裝在第一導電路徑上。另外在後面的安裝結構的實施形態中雖然將進行說明，但也可以安裝在本電路裝置的背面，作為外部附設也可以安裝在安裝基板一側。
說明電路裝置的第三實施形態其次說明圖8所示的電路裝置56。
本結構是在第一導電路徑51A～51C的表面上形成導電被覆膜57，除此以外，與圖1或圖2所示的結構實際上相同。因此這裡以該導電被覆膜為中心進行說明。
第一個特徵在於利用與構成第一導電路徑51A～51C的材料(以下稱第一種材料)不同的第二種材料而具有固定效果。利用第二種材料形成遮擋層58，而且由於第一導電路徑51A～51C和被覆的遮擋層58被埋入絕緣性樹脂50中，所以具有固定效果，能防止第一導電路徑51拉脫。
本發明利用彎曲結構59和遮擋層58兩者，具有雙重的固定效果，抑制第一導電路徑51A～51C拉脫。
以上三個實施形態雖然用安裝多個電路元件、包括布線構成電路的電路裝置進行了說明，但如圖21、圖22所示，也可以實施封裝一個電路元件(半導體元件或無源元件)構成的電路裝置。在圖21中，作為一例示出了安裝了CSP、倒裝片等背面饋送型的元件80的電路裝置，另外在圖22中，示出了封裝了片狀電阻、片狀電容器等無源元件82的電路裝置。另外，也可以在兩個導電路徑之間連接金屬細線，並封裝它們。這樣做能靈活地利用表面。
說明電路裝置的製造方法的第一種實施形態其次利用圖3～圖7及圖1，說明電路裝置53的製造方法。
首先如圖3所示，準備薄片狀的導電箔60。該導電箔60是層疊第一導電箔60A和第二導電箔60B構成的。
這裡重要的是能有選擇地刻蝕兩個導電箔、以及電阻值低。另外為了提高集成度，刻蝕時能形成精細圖形也是重要的。例如，通過刻蝕第一導電箔60A進行圖形刻蝕時，第二導電箔60B停止刻蝕是重要的，另外反之，對第二導電箔60B進行圖形刻蝕時，第一導電箔60A停止刻蝕也是重要的。
例如，作為電阻值低的材料，能舉出Cu、Al、Au、Ag、Pt等，但如果考慮成本、可加工性等，Cu和Al是適當的。由於Cu電阻值低、成本也便宜，所以是採用得最多的材料，是能進行溼法刻蝕的材料。因此在要求低成本和低電阻值的情況下，也可以採用該Cu作為第一導電箔60A。可是不易進行幹法刻蝕。另一方面，Al多半被用於半導體IC的布線，是能進行各向異性刻蝕的材料。由於能光滑地刻蝕側壁，所以能以更高的密度形成布線。因此在要求更精細的圖形的情況下，也可以採用Al作為第一導電箔60A。
例如在採用Cu作為第一導電箔60A的情況下，準備Al箔，如果在該Al箔的表面上電鍍Cu，則能調整Cu的厚度，所以能形成更精細的圖形。如果Cu的厚度薄，當然不能進行橫向刻蝕，所以更能形成精細的圖形。在採用Al作為第一導電箔60A的情況下，準備Cu箔，如果通過蒸鍍或濺射在該Cu箔的表面上形成Al，則能調整Al的厚度。另外，由於能用C12氣體或BC13氣體進行各向異性刻蝕，所以能形成更精細的圖形。
以下，說明採用10微米～300微米的Al箔作為第二導電箔60B，採用在它上面電鍍了數微米～20微米的Cu作為第一導電箔60A，使用該層疊導電箔60。
另外，按照規定的寬度捲成圓筒狀，準備薄片狀的層疊導電箔60，把它送給後面所述的各工序即可，準備按規定的大小切好的導電箔，送給後面所述的各工序即可。
接著，有至少將成為第一導電路徑51A～51C的區域除外的第一導電箔60A除去的工序、將電路元件52安裝在上述第一導電箔60A上的工序、以及將絕緣性樹脂50被覆在由上述除去工序形成的分離槽61及層疊導電箔60上，封裝電路元件的工序。
首先，如圖4所示，在Cu箔60的第一導電箔60A上形成光敏抗蝕劑PR(耐蝕掩模)，對光敏抗蝕劑PR進行圖形刻蝕，以便使成為第一導電路徑51A～51C的區域除外的第一導電箔60A露出。然後，如圖5A所示，通過上述光敏抗蝕劑PR進行刻蝕。
在本製造方法中，具有以下特徵利用溫法刻蝕或幹法刻蝕，各向異性地進行刻蝕，其側面呈粗糙面，而且彎曲。
在溼法刻蝕的情況下，刻蝕劑採用氯化鐵或氯化銅，上述導電箔浸漬在該刻蝕劑中，或在該刻蝕劑中噴淋。這裡溼法刻蝕一般是進行非各向異性刻蝕，所以側面呈彎曲結構。另外如果採用氧化鐵作為刻蝕劑，則Al的刻蝕速度比Cu快，所以Al不能起阻止刻蝕的作用。因此，第一導電箔60A被刻蝕成第一導電路徑51A～51C時，Al第二導電箔60B的厚度必須厚一些，以便能呈一體地支撐該第一導電路徑51A～51C。在此情況下，如虛線所示，在第二導電箔60B上也形成分離槽。在此情況下能獲得固定效果。
另外在幹法刻蝕的情況下，能進行各向異性、非各向異性刻蝕。現在，可以說用反應性離子刻蝕將Cu除去是不可能的，而用濺射法能除去。另外能根據濺射條件，進行各向異性、非各向異性刻蝕。由於呈非各向異性，所以分離槽61的側面呈彎曲結構。
這裡，採用刻蝕Cu、而不刻蝕Al的刻蝕方法，最好是Al成為阻止刻蝕的刻蝕劑。
如圖5B所示，在成為刻蝕掩模的光敏抗蝕劑PR的正下方進行橫向刻蝕，沿橫向刻蝕比它更深的部分。如圖所示，如果從分離槽61的側面的位置向上，與該位置對應的開口部的口徑變小，則構成倒圓錐結構。另外通過採用噴射，沿縱深方向進行刻蝕，能抑制橫向的刻蝕，所以明顯地呈現出該固定結構。
另外，在圖4中，也可以代替光敏抗蝕劑而有選擇地被覆對刻蝕液具有耐蝕性的導電被覆膜。如果有選擇地被覆在成為導電路徑的部分上，則該導電被覆膜成為刻蝕保護膜，不採用抗蝕劑，也能刻蝕分離槽。能作為該導電被覆膜考慮的材料，有Ni、Ag、Au、Pt或Pd等。而且這些耐蝕性的導電被覆膜具有能直接作為緩衝墊、焊接區靈活使用的特徵。
例如Ag被覆膜可以和Au粘接，也可以和焊料粘接。因此如果在晶片背面被覆Au被覆膜，則能直接將晶片熱壓接在導電路徑51上的Ag被覆膜上，或者通過焊錫等焊料能固定晶片。另外，由於Au細線能粘接在Ag導電被覆膜上，所以也能進行導線焊接。因此具有能將這些導電被覆膜直接作為緩衝墊、焊接區靈活使用的優點。
接著，如圖6所示，有將電路元件52A、52B導電性地連接在形成了分離槽61的第一導電路徑51A～51C上的安裝工序。
作為電路元件52，有電晶體、二極體、IC晶片等半導體元件52A、片狀電容器、片狀電阻等無源元件52B。另外這些元件即可以是裸晶片，也可以是封裝的晶片。厚度雖然變厚，但也能安裝CSP、BGA等背面饋送元件(也稱為倒裝片)。
這裡，裸電晶體晶片52A被焊接在第一導電路徑51A上。另外，利用熱壓接進行的球焊接法或利用超聲波進行的溼焊接法等，通過固定的金屬細線55A，連接發射極和第一導電路徑51B、基極和第一導電路徑51B。另外，片狀電容器或無源元件通過焊錫等焊料或Ag膏等導電膏劑55B被安裝固定在第一導電路徑51B和51C之間。
另外在本實施形態中應用圖28所示的圖形的情況下，焊接區26的尺寸非常小，但如圖5所示，與第二導電箔60B呈一體。因此能傳導焊頭的能量，有提高焊接性能的優點。另外焊接後切斷金屬細線時，有時將金屬細線全切斷。這時，由於焊接區與第二導電箔60B呈一體，所以沒有焊接區露出的現象，提高了全切斷性。
另外，如圖7所示，還有將絕緣性樹脂50附著在上述第一導電路徑51A～51C上及彎曲的分離槽61中的工序。該工序能通過傳遞模塑法、注入模塑法、浸漬法或塗敷來實現。作為樹脂材料，環氧樹脂等熱硬化性樹脂能用傳遞模塑法實現，聚醯亞胺樹脂、硫化聚苯等熱塑性樹脂能用注入模塑法實現。
在本實施形態中，導電箔60表面上被覆的絕緣性樹脂50的厚度調整成從電路元件的最頂部(這裡為金屬細線55A的頂部)算起大約被覆100微米。考慮強度的大小，該厚度可以厚一些，也可以薄一些。
另外，由於第二導電箔60B維持薄片狀態，所以作為第一導電路徑51A～51C不會被分離成單個的。因此，作為薄片狀的層疊導電箔60呈整體地處理，模製絕緣性樹脂時，具有向金屬模輸送、往金屬模中安裝的作業非常容易的特徵。
另外，由於絕緣性樹脂50被填充在具有彎曲結構59的分離槽61中，所以該部分具有固定效果，能防止絕緣性樹脂50剝離，反之能防止在後面的工序中分離的導電路徑51的拉脫。
另外，在被覆這裡的絕緣性樹脂50之前，為了保護例如半導體晶片或金屬細線的連接部分，也可以用矽樹脂等進行封裝。
接著，有用化學方法及/或物理方法除去第二導電箔60B的背面，分離成導電路徑51的工序。
這裡，採用氫氧化鈉等鹼性溶液進行刻蝕。由於上述氫氧化鈉刻蝕Al，但不刻蝕Cu，所以不會腐蝕第一導電路徑51A～51C。
其結果，成為在絕緣性樹脂50中露出第二導電路徑51S～51U的結構。然後露出分離槽61的底部，成為圖1中的分離槽54。另外這裡也可以將第二導電箔60B全部除去。(以上參照圖7)最後，根據需要，將焊錫等導電材料被覆在露出的第二導電路徑51S～51U上，完成圖1所示的電路裝置。
另外，在將導電被覆膜被覆在導電路徑51S～51U的背面的情況下，也可以在圖3中的導電箔的背面先形成導電被覆膜。在此情況下，可以有選擇地被覆與導電路徑對應的部分。被覆方法例如是電鍍。另外該導電被覆膜可以是耐刻蝕的材料。
另外，在本製造方法中，只是在導電路徑上安裝電晶體和片狀電阻，但也可以將它作為一個單元配置成矩陣狀，也可以將圖2或圖28所示的電路作為一個單元配置成矩陣狀。在此情況下，如後面所述，用切割裝置一個一個地分開。
採用上述的製造方法，能實現在絕緣性樹脂50中埋入第一導電路徑51A～51C，而第二導電路徑51S～51U在絕緣性樹脂50的背面露出的電路裝置53。
絕緣性樹脂50作為埋入導電路徑51的材料是必要的材料，而不需要圖26中的現有的製造方法所示的支撐基板5。因此，能用最小限度的材料製造，具有能實現降低成本的特徵。(以上參照圖1)說明電路裝置的製造方法的第二實施形態再次利用圖3~圖7及圖1，說明電路裝置53的製造方法。
本實施形態採用Al作為第一導電箔60A，採用Cu作為第二導電箔，這一點與前面的實施形態不同，各製造工序實際上相同。因此，說明不同的地方，除此以外省略。
在前面的實施形態中已說明過，該層疊導電箔60既可以在Al箔上形成Cu薄膜，也可以在Cu上形成Al薄膜。該薄膜既可以用電鍍、蒸鍍、濺射等方法形成，也可以準備好呈箔的狀態，進行層疊、壓接。(以上參照圖3)接著，在層疊導電箔60上形成光敏抗蝕劑PR，在對應於導電路徑的部分形成上述光敏抗蝕劑PR，以便殘留下來。(以上參照圖4)接著，通過光敏抗蝕劑PR，對第一導電箔60A進行圖形刻蝕。在該工序中，採用氫氧化鈉等鹼性溶液作為刻蝕劑。該氫氧化鈉刻蝕Al，不刻蝕Cu，所以不需要象前一個實施形態那樣考慮第二導電箔的厚度。因此由Cu構成的第二導電箔60B可以薄一些，也可以厚一些。另外由於是溼法刻蝕，所以其側面彎曲。另外如果進行噴射，會更彎曲。另外，也可以使用C12氣體或BC13+C12氣體，進行非各向異性幹法刻蝕。(以上參照圖5)接著有安裝電路元件52的工序。這裡，如果在第一導電路徑51A～51C的表面上塗敷Ag膏後燒結，則能與在半導體晶片的背面形成的Au結合，另外還能進行Al、Au金屬細線55A的焊接。另外Ag與焊錫等焊料的粘接性好，也能通過焊料55B固定。(以上參照圖6)接著有被覆絕緣性樹脂50的工序。詳細情況與前一個實施形態相同，故說明從略。
接著，有對第二導電箔60B進行圖形刻蝕的工序。這裡，對光敏抗蝕劑PR進行圖形刻蝕，以便留下對應於第二導電路徑的部分，用氯化鐵、氯化銅或氫氧化鈉等刻蝕劑進行刻蝕。最好是課時Cu而不刻蝕Al的選擇性的刻蝕劑。(以上參照圖7)最後，根據需要，將焊錫等導電材料被覆在露出的第二導電路徑51S～51U上，完成圖1所示的電路裝置。
這裡也可以採用Ag作為導電材料。在此情況下，也可以在圖3中的第二導電箔60B的全部背面上電鍍Ag，也可以進行局部電鍍。最終通過焊料將設置在第二導電路徑51S～51U的背面上的Ag和安裝基板上的布線固定。
在本製造方法中將由Al構成的第一導電箔60A刻蝕成第一導電路徑51A～51C時，由於其側面呈彎曲結構，所以具有固定效果。因此能防止導電路徑拉脫。
說明電路裝置的製造方法的第三實施形態其次，利用圖9～圖13、圖8說明有遮擋層58的電路裝置56的製造方法。另外除了被覆成為遮擋層的導電被覆膜(以下稱第二種材料)70以外，與第一實施形態(圖1、圖2)實際上相同，所以詳細說明從略。
首先如圖9所示，準備在成為第一種材料的第一導電箔60A上被覆了刻蝕速度小的第二種材料70的層疊導電箔60。
例如，如果將Ni被覆在Cu箔上，則氯化鐵或氯化銅等能與Cu和Ni一起刻蝕，由於刻蝕速度慢，所以Ni適合於形成遮擋層58。粗的實線是由Ni構成的導電被覆膜70，其厚度最好為1～10微米左右。另外Ni的厚度越厚，越容易形成遮擋層58。
另外第二種材料也可以被覆能與第一種材料進行選擇刻蝕的材料。在此情況下，首先對由第二種材料構成的被覆膜進行圖形刻蝕，以便被覆在第一導電路徑51A～51C的形成區域，將該被覆膜作為掩模，對由第一種材料構成的第一導電箔60A進行刻蝕，能形成遮擋層58。作為第二種材料可以考慮Al、Ag、Au等。(以上參照圖9)接著，有至少將除了成為第一導電路徑51A～51C的區域以外的第一導電箔60A除去的工序。
如圖10所示，在Ni70上形成光敏抗蝕劑PR，對光敏抗蝕劑PR進行圖形刻蝕，以便使除了成為第一導電路徑51A～51C的區域以外的Ni70露出，如圖11所示，可以通過上述光敏抗蝕劑進行刻蝕。
如上所述，如果採用氯化鐵、氯化銅的刻蝕劑等進行刻蝕，則由於Ni70的刻蝕速度比Cu60的刻蝕速度慢，所以隨著刻蝕的進行而形成遮擋層58。
另外，將電路元件52安裝在形成了上述分離槽61的第一導電路徑51A～51C上的工序(圖12)；將絕緣性樹脂50被覆在上述第一導電路徑51A～51C上及分離槽61中，用化學方法及/或物理方法除去第二導電箔60B，分離成第二導電路徑51S～51U的工序(圖13)；以及在導電路徑背面形成導電被覆膜直至完成的工序(圖8)與前面的製造方法相同，所以其說明從略。
以上，由於利用遮擋層58和彎曲結構59而具有雙重固定效果，所以能防止導電路徑的拉脫、翹曲等。
說明電路裝置的製造方法的第四實施形態接著，參照圖14～圖20，說明將由多種電路元件、布線、緩衝墊、焊接區等形成的導電路徑構成的IC電路作為一個單元，配置成矩陣狀，封裝後一個個地分開，作為構成IC電路的電路裝置的製造方法。另外本製造方法與第一實施形態、第二實施形態大致相同，所以只簡單地說明相同的部分。
首先如圖14所示，準備薄片狀的層疊導電箔60。
另外，在圖16所示的工序中形成分離槽61時，第二導電箔60B的厚度必須能支撐第一導電路徑，以便不致使其零散。這裡，一個是Al，另一個是Cu，在哪一個上面都可以。另外以規定的寬度捲成筒狀，準備薄片狀的層疊導電箔60，把它輸送給後面所述的各工序即可，準備切成了規定大小的導電箔，輸送給後面所述的各工序即可。
接著，有至少將除去成為第一導電路徑51A～51C的區域以外的第一導電箔60A除去的工序。
首先，如圖15所示，在第一導電箔60A上形成光敏抗蝕劑PR，對光敏抗蝕劑PR進行圖形刻蝕，以便使除了成為第一導電路徑51A～51C的區域以外的第一導電箔60A露出。如圖16所示，通過上述光敏抗蝕劑PR進行刻蝕即可。
通過刻蝕形成的分離槽61的側面呈粗糙面，所以能提高與絕緣性樹脂50的粘接性。
另外該分離槽61的側壁被進行非各向異性刻蝕，所以彎曲。該除去工序能採用溼法刻蝕、或幹法刻蝕。而且利用該彎曲結構而呈具有固定效果的結構。(詳細情況參照說明電路裝置的製造方法的第一實施形態)另外，在圖15中，也可以代替光敏抗蝕劑PR而有選擇地被覆對刻蝕液具有耐蝕性的導電被覆膜。如果有選擇地被覆在成為第一導電路徑的部分上，則該導電被覆膜成為刻蝕保護膜，不採用抗蝕劑，也能刻蝕分離槽。
接著，如圖17所示，有將電路元件52A導電性地連接並安裝在形成了分離槽61的第一導電箔60A上的工序。
作為電路元件52A，有電晶體、二極體、IC晶片等半導體元件、片狀電容器、片狀電阻等無源元件。另外厚度雖然變厚，但也能安裝CSP、BGA等背面饋送元件(也稱為倒裝片)。
這裡，裸電晶體晶片52A被焊接在導電路徑51A上，通過金屬細線55A，連接發射極和第一導電路徑51B、基極和第一導電路徑51B。
另外，如圖18所示，還有將絕緣性樹脂50附著在上述層疊導電箔60上及分離槽61中的工序。該工序能通過傳遞模塑法、注入模塑法、浸漬法或塗敷來實現。
在本實施形態中，層疊導電箔60表面上被覆的絕緣性樹脂的厚度調整成從電路元件的最頂部算起大約被覆100微米。考慮強度的大小，該厚度可以厚一些，也可以薄一些。
另外，由於第二導電箔60B呈薄片狀態殘留，所以第一導電箔60A作為第一導電路徑51A～51C，分離槽61不會被分離成單個的。因此，作為薄片狀的層疊導電箔60呈整體地處理，模製絕緣性樹脂時，具有向金屬模輸送、往金屬模中安裝的作業非常容易的特徵。
接著，有用化學方法及/或物理方法除去第二導電箔60B的背面，分離成導電路徑51的工序。這裡，通過刻蝕實施上述除去工序。其結果，成為在絕緣性樹脂50的背面露出第二導電路徑51S～51U的結構。
另外，如圖19所示，將焊錫等導電材料被覆在露出的第二導電路徑51S～51U上。
最後，如圖20所示，有將每個電路元件分開，作為電路裝置完成的工序。
分離線是箭頭所在位置，能採用切割、剪斷、壓截、分片等方法實現。另外，在採用分片法的情況下，被覆絕緣性樹脂時，在金屬模中形成突出部即可，以便使槽位於分離線上。
特別是在通常的半導體裝置的製造方法中，切割是大多數情況下使用的一種方法，由於能分離尺寸非常小的物體，所以很適用。
在以上的第一～第三實施形態中說明的製造方法也能實施圖28所示的複雜的圖形。特別彎曲、與焊接區26呈一體、另一端導電性地與電路元件連接的布線的寬度窄，而且長度長。因此，由於受熱而引起的翹曲非常大，在現有的結構中存在剝離的問題。可是在本發明中，布線被埋在絕緣性樹脂中得以支撐，所以能防止布線本身的翹曲、剝離、拉脫。另外焊接區本身的平面面積小，在現有的結構中，會發生焊接區的剝離，但在本發明中，如上所述被埋在絕緣性樹脂中，另外被具有彎曲結構的絕緣性樹脂支撐著，該彎曲結構有固定效果，所以具有能防止拉脫的優點。
另外，還有能實現將電路埋在絕緣性樹脂50中的電路裝置的優點。如果用現有的結構說明的話，是將電路安裝在印刷電路基板、陶瓷基板中。將在後面的安裝方法中說明。
在圖27的右側，示出了簡單地匯總了本發明的流程。通過層疊導電箔的準備、Ag或Ni等的電鍍、第一導電箔的刻蝕、倒裝、導線焊接、傳遞模塑、第二導電箔的刻蝕、導電路徑的背面處理及切割等9道工序，能實現電路裝置。而且不由廠商供給支撐基板，全部工序都能自行實施。
說明電路裝置的種類及它們的安裝方法的實施形態。
圖21是表示安裝了背面饋送型的電路元件80的電路裝置81的圖。作為電路元件80，裸半導體晶片、進行了表面封裝的CSP或BGA(倒裝片)等適合。另外圖22是表示安裝了片狀電阻或片狀電容器等無源元件82的電路裝置83的圖。它們由於是薄型的，而且用絕緣性樹脂封裝，所以對環境的適應性也好。
圖23是說明安裝結構的圖。首先圖23A是在印刷電路基板、陶瓷基板等安裝基板84上形成的導電路徑85上安裝了至此說明的本發明的電路裝置53、56、81、83的圖。
特別是半導體晶片52的背面固定的導電路徑51A由於與安裝基板84的導電路徑85進行熱結合，所以通過上述導電路徑85能使電路裝置放熱。另外作為安裝基板84，如果採用金屬基板，則金屬基板有助於放熱，更能降低半導體晶片52的溫度。因此，能提高半導體晶片的激勵能力。
例如功率MOS、IGBT、SIT、大電流激勵用電晶體、大電流激勵用的IC(MOS型、BIP型、Bi-CMOS型)存儲元件等適合。
另外作為金屬基板最好是Al基板、Cu基板、Fe基板，另外考慮到與導電路徑85的短路，形成絕緣性樹脂及/或氧化膜等。
另外圖23B是將本電路裝置90作為圖23A中的基板84使用的圖。這是本發明的最大的特徵。就是說用現有的印刷電路基板、陶瓷基板，頂多在基板中形成通孔TH，但在本發明中，具有能實現內部安裝了IC電路的基板模塊的特徵。例如，在印刷電路基板中至少安裝了一個電路(內部甚至也可以安裝系統)。
另外，以往作為支撐基板，必須是印刷電路基板、陶瓷基板，但在本發明中，能實現不需要該支撐基板的基板模塊。它與印刷電路基板、陶瓷基板或用金屬基板構成的混合基板相比，能使其厚度薄、重量輕。
另外由於將本電路裝置90作為支撐基板用，能將電路元件安裝在露出的導電路徑上，所以能實現高功能的基板模塊。特別是將本電路裝置作為支撐基板，如果作為元件將本電路裝置91安裝在它上面，則能實現更輕更薄的基板模塊。
因此，利用這些安裝形態，安裝了該模塊的電子機器能實現小型化、輕量化。
另外，用符號93表示的劃影線的部分是絕緣性的被覆膜。例如最好是焊錫抗蝕劑等高分子膜。由於它的形成，能防止基板90中埋入的導電路徑和在電路元件91等上形成的電極短路。
另外，用圖29說明本電路裝置的優點。在現有的安裝方法中，半導體廠商形成組件型半導體裝置、倒裝片，安裝廠商將從半導體廠商供給的半導體裝置和從零件廠商供給的無源元件等安裝在印刷電路基板上，將它作為模塊組裝在裝置中製成電子機器。可是在本電路裝置中，由於能由於能採用本身作為安裝基板，所以半導體廠商能利用後面的工序完成安裝基板模塊，供給安裝廠商。因此，安裝廠商能大幅度地節省往該基板上進行的元件安裝。
從以上的說明可知，在本發明中，能以電路裝置、導電路徑及絕緣性樹脂必要的最小限度構成，構成不浪費資源的電路裝置。因此直至完工沒有多餘的結構要素，能實現能大幅度降低成本的電路裝置。另外通過使絕緣性樹脂的被覆膜厚度、導電箔的厚度為最佳值，能實現極其小型化、薄型化及輕量化的電路裝置。另外由於翹曲或剝落現象顯著的布線被埋入在絕緣性樹脂中進行支撐，所以能解決這些問題。
另外由於只使導電路徑的背面從絕緣性樹脂露出，所以導電路徑的背面能直接供與外部的連接用，具有能不需要圖25所示的現有結構的背面電極及通孔的優點。
而且在電路元件通過焊料、Au、Ag等導電被覆膜直接固定的情況下，由於導電路徑的背面露出，所以從電路元件發生的熱能通過導電路徑，將熱直接傳給安裝基板。特別是利用該放熱，還能安裝功率元件。
另外由於導電路徑的側面呈彎曲結構、以及/或者在導電路徑的表面上形成由第二種材料構成的被覆膜，能形成被覆在導電路徑上的遮擋層，所以能具有固定效果，能防止導電路徑的翹曲、拉脫。
另外在本發明的電路裝置的製造方法中，使成為導電路徑的材料的導電箔本身具有作為支撐基板的功能，形成分離槽時或安裝電路元件、被覆絕緣性樹脂時，用導電箔支撐全體，另外將導電箔作為各導電路徑分離時，使絕緣性樹脂具有作為支撐基板的功能。因此，能以電路元件、導電箔、絕緣性樹脂必要的最小限度製造。不需要在現有例中說明的構成本來的電路裝置的支撐基板，成本也能便宜。另外由於不需要支撐基板、導電路徑被埋入絕緣性樹脂中、還能調整絕緣性樹脂和導電箔的厚度，所以還具有能形成非常薄的電路裝置的優點。另外在形成分離槽的工序中還能形成彎曲結構，能同時實現具有固定效果的結構。
另外從圖27可知，由於能省略通孔的形成工序、導體的印刷工序(陶瓷基板的情況下)等，所以與以往相比，能大幅度地縮短製造工序，具有能自行完成全部工序的優點。另外不需要一切結構金屬模，是一種交貨期極短的製造方法。
其次由於不將導電路徑分成單個處理，所以在後面的絕緣性樹脂的被覆工序中，具有提高工作效率的特徵。
最後，由於將本電路裝置作為支撐基板用，能將電路元件安裝在露出的導電路徑上，所以能實現高功能的基板模塊。特別是將本電路裝置作為支撐基板，如果在它上面作為元件安裝本電路裝置91，則更能實現輕量薄型的基板模塊。
權利要求
1．一種電路裝置的製造方法，其特徵在於包括將板狀體的表面層的一部分刻蝕成規定的形狀，形成導電路徑的工序；將所希望的電路元件導電性地連接在所希望的上述導電路徑上的工序；用絕緣性樹脂被覆上述電路元件及上述導電路徑的工序；以及從相對於上述導電路徑形成面的面除去上述板狀體，使上述導電路徑從上述絕緣性樹脂露出來的工序。
2．根據權利要求1所述的電路裝置的製造方法，其特徵在於形成上述導電路徑的工序包括進行圖形刻蝕的工序。
3．根據權利要求1所述的電路裝置的製造方法，其特徵在於上述板狀體是銅箔。
4．根據權利要求1所述的電路裝置的製造方法，其特徵在於包括在第一導電箔的背面準備層疊了第二導電箔的層疊導電箔的工序；至少在成為導電路徑以外的上述第一導電箔上形成分離槽，形成側面呈彎曲結構的第一導電路徑的工序；將所希望的電路元件導電性地連接並固定在所希望的上述第一導電路徑上的工序；用絕緣性樹脂被覆上述電路元件及上述第一導電路徑，以便填充在上述分離槽中進行模製的工序；以及有選擇地將上述第二導電箔除去，在上述第一導電路徑的背面形成第二導電路徑的工序。
5．根據權利要求1所述的電路裝置的製造方法，其特徵在於包括在第一導電箔的背面準備層疊了第二導電箔的層疊導電箔的工序；在上述第一導電箔表面上的至少成為導電路徑的區域形成耐蝕性的導電被覆膜的工序；至少在成為導電路徑以外的上述第一導電箔上形成分離槽，形成側面呈彎曲結構的第一導電路徑的工序；將電路元件固定在所希望的上述第一導電路徑上的工序；形成導電性地連接上述電路元件的電極和所希望的上述第一導電路徑的連接構件的工序；用絕緣性樹脂被覆上述電路元件、上述連接構件及第一導電路徑，以便填充在上述分離槽中進行模製，嵌合上述導電路徑和上述絕緣性樹脂的工序；以及將未設置上述分離槽的上述第二導電箔除去，在上述第一導電路徑的背面形成第二導電路徑的工序。
6．根據權利要求1所述的電路裝置的製造方法，其特徵在於包括在第一導電箔的背面準備層疊了第二導電箔的層疊導電箔的工序；至少在成為導電路徑以外的上述第一導電箔上形成分離槽，形成側面呈彎曲結構的導電路徑的工序；將電路元件固定在所希望的上述導電路徑上的工序；形成導電性地連接上述電路元件的電極和所希望的上述第一導電路徑的連接構件的工序；用絕緣性樹脂被覆上述電路元件、上述連接構件及第一導電路徑，以便填充在上述分離槽中進行模製，嵌合上述第一導電路徑和上述絕緣性樹脂的工序；將未設置上述分離槽的上述第一導電箔除去，在上述第一導電路徑的背面形成第二導電路徑的工序；以及切斷上述絕緣性樹脂，分離成個別的電路裝置的工序。
7．根據權利要求1所述的電路裝置的製造方法，其特徵在於包括在第一導電箔的背面準備層疊了第二導電箔的層疊導電箔的工序；在上述第一導電箔表面上的至少成為導電路徑的區域形成耐蝕性的導電被覆膜的工序；至少在成為第一導電路徑以外的上述第一導電箔上形成分離槽，形成側面呈彎曲結構的導電路徑的工序；將電路元件固定在所希望的上述第一導電路徑上的工序；形成導電性地連接上述電路元件的電極和所希望的上述第一導電路徑的連接構件的工序；用絕緣性樹脂被覆上述電路元件，以便填充在上述分離槽中進行模製，嵌合上述第一導電路徑和上述絕緣性樹脂的工序；將未設置上述分離槽的上述第二導電箔除去，在上述第一導電路徑的背面形成第二導電路徑的工序；以及切斷上述絕緣性樹脂，分離成個別的電路裝置的工序。
8．根據權利要求4所述的電路裝置的製造方法，其特徵在於上述第二導電箔用銅構成。
9．根據權利要求4所述的電路裝置的製造方法，其特徵在於上述第二導電箔用鋁、鐵-鎳中的任意一種構成。
10．根據權利要求4所述的電路裝置的製造方法，其特徵在於上述第一導電箔通過電鍍形成。
11．根據權利要求4所述的電路裝置的製造方法，其特徵在於上述層疊導電箔是在由鋁構成的導電箔上鍍銅構成的。
12．根據權利要求4所述的電路裝置的製造方法，其特徵在於上述第一導電箔是鋁或銅。
13．根據權利要求5所述的電路裝置的製造方法，其特徵在於上述導電被覆膜是鍍鎳或鍍銅形成的。
14．根據權利要求5所述的電路裝置的製造方法，其特徵在於有選擇地形成上述第一導電箔的上述分離槽是通過化學刻蝕或物理刻蝕形成的。
15．根據權利要求5所述的電路裝置的製造方法，其特徵在於將上述導電被覆膜作為上述分離槽形成時的掩模的一部分使用。
16.根據權利要求1所述的電路裝置的製造方法，其特徵在於上述電路元件將半導體裸晶片、倒裝片、片狀電路零件、組件型半導體元件、CSP中的任意一種或兩種固定。
17．根據權利要求4所述的電路裝置的製造方法，其特徵在於上述連接構件由導線焊接或焊料形成。
18．根據權利要求1所述的電路裝置的製造方法，其特徵在於上述絕緣性樹脂用傳遞模塑法附著。
19．根據權利要求6所述的電路裝置的製造方法，其特徵在於通過切割分離成個別的電路裝置。
20．根據權利要求1所述的電路裝置的製造方法，其特徵在於上述導電路徑是布線圖形。
21．一種電路裝置，其特徵在於備有被刻蝕成規定形狀的導電路徑；導電性地連接在上述導電路徑上的電路元件；以及被覆上述電路元件及上述導電路徑的絕緣性樹脂，上述導電路徑的背面的至少一部分從上述絕緣性樹脂露出。
22．根據權利要求21所述的電路裝置，其特徵在於上述導電路徑的側面呈彎曲形狀。
全文摘要
在第一導電箔60A上形成分離槽54後,安裝電路元件,將該層疊導電箔60作為支撐基板被覆絕緣性樹脂50,翻轉後,此次將絕緣性樹脂50作為支撐基板,對第二導電箔60B進行刻蝕,分離成導電路徑。因此不使用支撐基板,就能實現導電路徑51、電路元件52被支撐在絕緣性樹脂50上的電路裝置。而且電路中有必要的布線L文檔編號H05K1/18GK1315823SQ01110969
公開日2001年10月3日 申請日期2001年3月8日 優先權日2000年3月8日
發明者坂本則明, 小林義幸, 阪本純次, 真下茂明, 大川克實, 前原榮壽, 高橋幸嗣 申請人:三洋電機株式會社