半導體裝置的研磨方法、半導體裝置的製造方法及研磨裝置的製作方法
2023-06-27 13:46:51 2
專利名稱：半導體裝置的研磨方法、半導體裝置的製造方法及研磨裝置的製作方法
技術領域：
本發明涉及半導體裝置的研磨方法、半導體裝置的製造方法及研磨裝置。
背景技術：
近來，隨著半導體裝置的微細化，為了確保刻蝕工序的焦點深度，就必需提高層間絕緣膜的平坦度，因此，就需要利用CMP技術進行平坦化。另外，為了降低布線電阻，也要求採用Cu布線。採用Cu布線時因也難以進行幹刻蝕。所以需要利用CMP進行研磨。
由於CMP是用研磨布直接觸到晶片的表面進行研磨的，所以很有可能使晶片表面出現損傷、劃痕等。因此，減少劃痕的產生成了CMP的重要課題。至今為止，改善劃痕發生的對策方案有多種。具體地講，是通過用超聲波粉碎在漿料裡的研磨粒的凝集粒子，或用過濾器去除凝集粒子，從而防止晶片表面出現損傷、劃痕等的。(例如，特開2001-150346號公報)。
圖1表示的是上述公報公開發表的漿料供給裝置。如圖1所示，在漿料供給裝置裡有漿料供給單元101；連接在漿料供給單元101進口及出口處的漿料循環線102；以及超聲波振動器103。漿料循環線102裡的漿料靠第1泵106得到驅動而循環。而且，在漿料循環線102上還連接有對漿料照射超聲波的超聲波振動器103。
在漿料循環線12與作為漿料的使用源的CMP裝置105之間，通過管道110而被連接。在管道110中安裝有過濾漿料凝集粒子的過濾器104。另外，在管道110上還安裝有從漿料循環線102中吸取漿料並供給CMP裝置105的第2泵108。此外，在過濾器104與第2泵之間還安裝有閥門107。閥門107的功能是，調整向CMP裝置105的漿料供給量，並控制向CMP裝置105的漿料供給或停止。
依據圖1所示的漿料供給裝置，通過在漿料循環線102上安裝超聲波振動器103，使超聲波照射在漿料循環線裡的漿料上，就可以防止漿料粒子的凝縮。也就是說在漿料循環線102內雖然因漿料裡含有的微小二氧化矽凝集粒子互相結合有形成大的凝集粒子的趨勢，但通過超聲波振動器103所產生的超聲波可以將大的凝集粒子的結合粉碎。利用這一點，就可以穩定地將含有微小粒子的漿料供給到CMP裝置105。另外，利用過濾器104，去除漿料裡的塵埃等。這樣就可以將乾淨的漿料供給CMP裝置105。並且，由於漿料裡不含凝集的大粒子，所以，過濾器104的壽命就能得到延長。
雖然上述公報裡講敘了利用圖1所示的超聲波振動器103，可以防止漿料粒子的凝縮，但是，本申請發明人通過實驗發現，既使設置超聲波振動器103，進行CMP時，在晶片表面上仍出現了損傷、劃痕等。並且，還發現了既使安裝了過濾器，有時也不能防止晶片表面的損傷、劃痕等。
如上所述，隨著半導體裝置的不斷微細化，CMP技術就成了不可缺少的技術了。雖然說它使晶片表面產生損傷、劃痕的可能性高，但是，要想不用CMP技術卻是件非常難辦的事。
發明內容
本發明正是鑑於上述原因而提出的。其主要目的是提供可抑制在晶片表面發生損傷、劃痕的研磨裝置。其次的目的是提供可抑制在晶片表面發生損傷、劃痕等的CMP技術或半導體裝置的研磨方法、以及含該研磨方法的半導體裝置的製造方法。
本發明的第1半導體裝置的研磨方法，是包含採用CMP研磨基板的工序在內的製造半導體裝置的方法，其特徵在於在所述研磨工序中，為了供給漿料，使用管式漿料供給泵，在所述管式漿料供給泵中，作為供給漿料用的管道，使用聚氯乙稀類管道。
所述聚氯乙稀類管道，實際上不含有用於加強管道強度的微粒子即可。
本發明的第2半導體裝置的研磨方法，是包含採用CMP研磨基板的工序在內的製造半導體裝置的方法，其特徵在於在所述研磨工序中，為了供給漿料，使用管式漿料供給泵，在所述管式漿料供給泵中，作為供給漿料用的管道，使用由內面為聚氯乙稀類管道而外面為橡膠類管道所構成的管道。
所述聚氯乙稀類管道，實際上不含有用於加強管道強度的微粒子即可。
本發明的第3半導體裝置的研磨方法，是包含採用CMP研磨基板的工序在內的製造半導體裝置的方法，其特徵在於在所述研磨工序中，為了供給漿料，使用管式漿料供給泵，在所述漿料供給泵的下遊側，配置有去除漿料中含有的凝集粒子及異物的過濾器。
在所述管道式漿料供給泵中，作為供給漿料的管道，也可以使用至少內面是由聚氯乙稀類材料構成的管道。
本發明的第4半導體裝置的研磨方法，是包含採用CMP研磨基板的工序在內的製造半導體裝置的方法，其特徵在於在所述研磨工序中，為了供給漿料，使用管式漿料供給泵，在所述管式漿料供給泵中，作為供給漿料用的管道，使用實際上不含有用於加強管道強度的微粒子的管道。
在某一實施例中，所述管道是聚氯乙稀類管道或者矽酮橡膠製管道。
本發明的半導體裝置的製造方法，包含上述半導體裝置的研磨方法。
本發明的第1研磨裝置，是採用CMP對基板進行研磨的研磨裝置，其特徵在於所述研磨裝置具備研磨所述基板的CMP裝置和供給研磨時的漿料的管式漿料供給泵，所述管式漿料供給泵用的管道，是至少內面為由聚氯乙稀類材料構成的管道。
在某一實施例中，所述管道是二層結構，所述管道的內面由聚氯乙稀類材料構成，外面由橡膠類材料構成。
本發明的第2研磨裝置，是採用CMP對基板進行研磨的研磨裝置，其特徵在於所述研磨裝置具備研磨所述基板的CMP裝置；向所述CMP裝置供給漿料的漿料供給裝置；將所述漿料供給裝置與所述CMP裝置連接的配管；以及配置在所述配管的一部分處的管式漿料供給泵，在所述管式漿料供給泵與所述CMP裝置之間，配置有至少能去除所述漿料中含有的凝集粒子及異物中的一種的過濾器。
所述管式漿料供給泵用的管道，最好是至少其內面是由聚氯乙稀類材料構成的管道。
本發明的第3研磨裝置，是採用CMP對基板進行研磨的研磨裝置，其特徵在於所述研磨裝置具備研磨所述基板的CMP裝置和供給研磨時的漿料的管式漿料供給泵，所述管式漿料供給泵用的管道，是實際上不含有用於加強管道強度的微粒子的管道。
根據本發明，在包含採用CMP研磨基板的工序在內的製造半導體裝置時，在研磨工序中所使用的管式漿料供給泵中，作為漿料供給管道，由於是使用了聚氯乙稀類管道，所以，可以抑制晶體表面發生損傷、劃痕等。
圖1表示現有技術的漿料供給裝置的構成。
圖2表示漿料供給形態的一種例子的構成圖。
圖3表示的是漿料供給形態的另一種例子的構成圖。
圖4表示的是管式漿料供給泵的局部剖面的放大圖。
圖5表示的是本發明的實施例1的研磨裝置的構成模式圖。
圖6表示的是管式漿料供給泵的局部剖面的放大圖。
圖7表示的是測量從管道裡放出的粒子的測量裝置構成的模式圖。
圖8表示的是管道種類與粒子放出量的關係圖表。
圖9表示的是橡膠類及聚氯乙稀類管道交換後的微小劃痕數的圖表。
圖10表示的是使用橡膠類及聚氯乙稀類管道時，產品的合格率的圖表。
圖11表示的是兩層結構的管道的剖面構造圖。
圖12表示的是關於本發明的實施例2的研磨裝置的構成模式圖。
具體實施例方式
下面根據附圖詳細說明本發明的實施例。此外，本發明並不局限以下實施例。
首先，在說明本發明的實施例之前，先說明一下本申請發明人發現的、在進行CMP時，在晶片表面發生的損傷、劃痕等現象。
在CMP中，作為使晶體表面發生損傷、劃痕等的原因，可以認為有兩種可能一種是因為漿料裡有凝縮的粗大粒子致使晶體表面發生損傷，另一種就是漿料中存在的異物致使晶體表面發生損傷。那麼，作為其對策，可以例舉出通過將凝縮的粒子粉碎，形成微粒子，消滅粗大粒子的方法，和利用過濾器，將粗大粒子、異物去除的方法。
圖2模式地示出了利用前一方法的構成。而圖3模式地示出了利用後一方法的構成。
無論是圖2還是圖3。這兩種構成都安裝有漿料供給裝置1、CMP裝置3、以及用於將漿料送入CMP裝置的配管2。漿料供給裝置1是用於混合漿料，進行儲備，從那裡將漿料供給CMP裝置3的裝置。另外，CMP裝置3是通過化學性的機械研磨法對基板(例如，形成半導體集成電路的晶片)的表面進行研磨，使它平坦化的裝置。配管2裡的漿料通過管式泵15被擠出，供給CMP裝置3的研磨機構部。
另外，在圖2所示的構成中，安裝有為了將凝縮的漿料粒子進行粉碎的超聲波振動器4。而在圖3所示的構成中，安裝有為了捕獲凝縮的漿料粒子、漿料中異物的過濾器5。
用於研磨的漿料，在漿料供給裝置1處，例如，有時讓它與氧化劑等混合，有時只單單作為儲備而被保持。這時，為了防止研磨粒的沉澱，一般都要間歇地進行攪拌。但是，一旦加上機械性的壓力時，漿料中的砥粒就開始凝縮，在漿料內發生粗大粒子。混合有粗大粒子的漿料，通過配管2，由管式泵15被送入CMP裝置3。
在此，依據圖2所示的構成，利用超聲波振動器4對漿料照射超聲波，以粉碎粗大粒子，從而應該可以向CMP裝置3供給不含粗大粒子的漿料，其結果應該是可以防止晶片表面發生劃痕。而依據圖3所示的構成，利用過濾器5捕獲漿料中的粗大粒子、異物，就能向CMP裝置3供給沒有粗大粒子、異物的漿料。其結果就應該是可以防止晶片表面發生劃痕。
但是，實際上無論是圖2所示的構成，還是圖3所示的構成都沒有能夠完全防止了晶片表面發生劃痕。據此本申請發明人得出以下結論。也就是說，至目前為止，我們一直認為漿料中的凝集粒子、異物等對晶片表面的損傷影響很大，但是，不僅如此，還有其它要因也在影響。
本申請發明人經進一步研究查明從設置在CMP裝置3內以及設置在附近的管式漿料供給泵15處發生的異物，誘發晶片表面出現劃痕。圖4是將圖2及圖3所示的管式漿料供給泵15的一部分擴大了的圖。
如圖4所示的那樣，管式漿料供給泵15是由泵主體側接受側6和泵送液滾軸7構成的。泵主體側接受側6是為了壓住輸送漿料10的管道的部件。而泵送液滾軸7的功能是將輸送漿料10的輸送管道8壓向泵主體側接受側6，通過捋動而將漿料擠出。也就是說，通過使送液滾軸7朝著圖中的箭頭方向移動，捋動管道8，將漿料10送出。此外，漿料輸送管道8與配管2連接。
如圖4所表示的那樣，設置在CMP裝置3內或附近的作為供給漿料用的管式泵，通過送液滾軸7將漿料輸送管8壓向泵的接受側6，並進行捋動而輸送漿料10。這時，作為漿料輸送管8，多數是採用機械性能強度高的橡膠類管道。在這種橡膠類管道8裡含有為了使其具有彈力的加強材料。該加強材料一般由SiO2、AI2O3等粒子9構成。也就是說，為了加強管道的機械性能強度，橡膠類管道裡含有SiO2、AI2O3等微細粒子9。這些粒子9的大小為數μm～數百μ m。
漿料輸送管道8因為被送液滾軸7擠到泵的接受側6，所以，管道8內的粒子9作為粒子11而擴散到漿料10內。然後，因為含有粒子11的漿料10被供給到如圖2及圖3所示的CMP裝置3中，所以，在研磨時晶片表面就發生了損傷、劃痕等。
在這種情況下，既使照射超聲波，或者，既使緊接著在漿料供給裝置的下遊配置過濾器，也不能去除從管式泵裡發生的異物。因此，是不能夠減少劃痕的。
於是，本申請發明人根據此發現，完成了可以減少晶片表面發生損傷、劃痕的CMP技術，得出了本發明。
下面，參照附圖，說明利用本發明的實施例。在下列的附圖中，為了使說明簡潔化，將具有實質相同的功能的構成要素用同一的參照符號表示。此外，本發明不只局限於下列實施例。
(實施例1)參照圖5及圖6，對本發明的實施例1進行說明。圖5是表示本實施例的研磨裝置的構成的模式圖。圖6是表示將管式漿料供給泵15的剖面構成的一部分擴大後的模式圖。
圖5所示的研磨裝置，是採用CMP研磨基板的研磨裝置。它具備研磨基板的CMP裝置3和供給研磨漿料的管式漿料供給泵15。管式漿料供給泵15，通過配管2，與漿料供給裝置1相連接。
管式漿料供給泵(以下稱「管式泵」)15是將漿料供給到CMP裝置3的研磨機構部的泵。在本實施例中，作為管式泵15用的管道(漿料輸送管道)12，採用了由聚氯乙稀樹脂構成的聚氯乙稀類管道。因為聚氯乙稀類管道12裡不含橡膠類管道裡作為加強材料所必需的的微粒子(SiO2、AI2O3等)，所以，如圖6所示的那樣，微粒子不會擴散到漿料10內。因為在漿料10裡沒有存在微粒子，所以，供給圖3的CMP裝置3的是沒有微粒子(即異物)的漿料。其結果是在研磨時，不會讓晶片表面發生損傷、劃痕等。因此，可以提供合格率高的半導體裝置的研磨方法及研磨裝置。
下面為了確認關於本發明的實施例的CMP技術的效果，本申請發明人進行了實驗。在此，對實驗及結果進行說明。
首先，在確認因研磨使晶片表面發生劃痕之前，先針對6種類的管道，確認了從管道放出的微粒子發生狀況。6種類管道的明細是橡膠類管道4種類(A～D)，矽酮類管道1種類(E)，聚氯乙稀類管道1種類(F)。
圖7示意性地示出了使用用於測量從管道裡放出的微粒的測量裝置的結構。如圖7所表示的那樣，將各種管道40安裝在管式漿料供給泵15上之後，用泵送純水，用連接在管道下遊的液中微粒計數器30來測量送進的純水。用此方法，確認了粒徑為0.2μm以上微粒的發生狀況。其結果如圖8所示。
圖8所示的是連續送液12小時之後，進入純水中的微粒數(0.2μm以上的微粒數)。從圖8就可以看出，目前使用的橡膠類管道，既使過了12個小時之後，仍然有1000個/ml左右的大量微粒進入水中。可是，聚氯乙稀類、矽酮類的管道的微粒量只有0.5個/ml左右，是幾乎檢測不出來的水平。
在此，所謂目前使用的橡膠類管道，是以乙稀-丙稀三元共聚物為主要成分的乙丙橡膠。在這種管道裡含有SiO2、AI2O3等無機填料。既使是在其它的橡膠類管道裡也含有無機的填料。含有無機填料的管道，因為相同的結構，致使晶片表面發生損傷、劃痕等。
在本實施例裡使用的氯乙稀類管道是聚氯乙稀(PVC)類管道，含有可塑劑、穩定劑等。它不含無機填料。還有，它抗耐磨性能好。既使是聚氯乙稀系以外的管道，只要不含無機填料的話，因為它不會使微粒子擴散到漿料中，所以，就可以防止晶體表面發生損傷、劃痕等。
從圖8所示的結果可以看出從6種類的管道中，挑選用聚氯乙稀系的管道、矽酮類管道，就可能減少微粒。比較兩者，聚氯乙稀類的管道的壽命比矽酮類管道的壽命長10倍左右。因此，從實用的觀點來看，作為本實施例的管式泵15用的管道，最好是用聚氯乙稀類的管道。當然，如果不考慮壽命及成本，使用矽酮類管道，也可以進行CMP。另外，聚氯乙稀類管道比矽酮類管道有價格便宜的優點。
此外，因為要求管式漿料供給泵用的管道的壽命要儘量長。所以，目前使用的是比其它管道機械性強度要高的橡膠類管道。另外，由於橡膠類的管道價格也便宜，並且，也沒有橡膠類管道弊病的報導，所以，目前仍繼續在使用著橡膠類管道。
如上述那樣，本申請發明人，發現了用橡膠類管道的問題點，而且，既使壽命特性變壞，為了防止晶體表面發生損傷、劃痕等，在本發明中，使用了不實質性含有為了加強管道強度而加有微粒的管道。(特別是聚氯乙稀類管道)然後，管道交換後，馬上用光學式缺陷檢查裝置對晶體表面發生的微劃痕數進行了檢查。其結果如圖9所示。從圖9所示的檢查後的晶體表面的劃痕檢查結果就可看出；通過用聚氯乙稀類管道更換掉橡膠類，可以使更換後的晶片表面的劃痕從數百個/晶片減少到10個/晶片。
另外，圖10表示的是在CMP工序上，實際上使用了橡膠類及聚氯乙稀類管道時的產品的合格率的圖表。也就是說，圖10的結果示出了用聚氯乙稀類管道後合格率的改善效果。從圖10可以看出通過用聚氯乙稀類管道代替橡膠類管道，可以將實際的產品合格率最大提高10％～20％。在本實施例中，使用了外徑是6.35mm，，內徑是3.18mm的管道。但是，不必局限於此，只要考慮到泵的種類等因素。選擇合適的外徑、內徑就可以。
如上述的那樣，通過用聚氯乙稀類來更換管道，就可以減少晶片表面的劃痕，而且，還可以提高合格率。本申請發明人研究後發現橡膠類管道在新更換時，放出的填料最多。因此，剛更換橡膠類管道後，會有許多0.2μm左右的微粒發生，所以不能使CMP馬上進入運轉狀態。為了抑制填料的放出，有必要進行預運轉。為了進行預運轉就要花費幾天工夫以及還要多次對微粒放出進行檢查。不能使CMP裝置立刻進入運轉狀態。
如果如本實施例那樣，使用聚氯乙稀類管道的話，既使是剛更換後也可以抑制微粒的發生，其結果就是可以使裝置也馬上進入運轉狀態。另外，既使在穩定狀態下，由於聚氯乙稀類管道放出的微粒量也比其它類管道放出的微粒量少得多，所以，使用聚氯乙稀類管道比使用橡膠類管道更加有利。此外，即使聚氯乙稀類管道的壽命比橡膠類管道的壽命短，在一定時期內的更換次數要比橡膠類管道多，但是因為聚氯乙稀類的管道既使是在剛更換後，微粒的發生也少，所以，即使僅此一點其技術上的意義也是大的。
隨著半導體裝置的微細化，就必須對致使合格率降低的因素，例如晶片表面的微粒、損傷、劃痕等進行更加微細地管理。從以前到現在的水平中，多數隻要對氧化膜上的0.3μm以上微粒進行管理就可以了。但是，今後就必須管理得更加微細了。例如，希望對0.2μm左右的微粒也進行管理。本發明的目標是既使用精度更高的測量裝置來進行管理，也能達到完全檢查不出微粒、表面損傷、劃痕水平的CMP技術。而且，通過使用聚氯乙稀類管道作為漿料輸送管道，此目的已經實現了。
另外，作為為了擠壓漿料的泵15，使用的是管式漿料供給泵。因為此種泵不但價格便宜，而且，它的漿料供給的定量性也好，再就是它的脈動較少。因為管式漿料供給泵通過擠壓管道而擠出漿料，所以由不含無機填料等加強材料的橡膠類材料(例如，生橡膠)構成的管道，因其機械性強度低，所以不能直接作為管道用於管式漿料供給泵上。因此，就必需讓其含有象無機填料那樣的加強材。與此相反，聚氯乙稀類材料由於它的機械性強度滿足要求，所以，就不需要讓它含有象無機系填料那樣的東西。另一方面，為了增加它的可塑性，希望使其含有可塑劑。
在半導體裝置的製造方法中，作為用CMP研磨基板的工序，可以例舉出STI(shallow Trench Isolation)形成工序、層間絕緣膜的平坦化工序，鎢插塞(plug)或者矽插塞的形成工序、布線形成工序(例如，Cu布線形成工序)等。隨著近年半導體裝置的微細化，在設計規則為0.15μm以下(特別是0.13μm以下)時，就需要Cu布線技術。因而抑制在晶片表面發生損傷、劃痕的CMP技術的技術性的意義顯得非常重要。換句話說，本發明的實施例的CMP技術，在製造設計規則為0.15μm以下(特別是0.13μm以下)的半導體裝置上特別有用。另外，與使用鋁布線的半導體裝置相比，在製造使用銅布線的半導體裝置上更加能發揮效果。
用CMP裝置3研磨的基板一般是成形有半導體集成電路的半導體晶片(矽晶片或者是SOI基板)，在這種半導體晶片上大多數是成形有單數或多個的層。在本說明書中，為了方便起見，既使在基板上形成有其它層，有時也將帶有該層的叫作「基板」。而且，形成有半導體集成電路的半導體晶片，既使不是最終產品形態(例如，半導體晶片或者是IC晶片)有時也將其叫作「半導體裝置」。
在上述實施例中，作為管式漿料供給泵15的管道12，雖然全部是採用由聚氯乙稀系材料構成的管道，但是，因為只要接觸漿料的內面不實質性地含象無機填料那樣的微粒子就可以了。所以，也可以採用內面是由聚氯乙稀系材料構成的，外面是由其它材料構成的管道。圖11表示的是二層構造的管道的剖面構造。圖11表示的管道是由與不含加強材等粒子的管道相同的材質(例如，聚氯乙稀)構成的內管(例如，聚氯乙稀類管道)13和將內管13覆蓋地形成的外管14構成的，外管14可以是含加強材等粒子的管道，例如，機械性強度高的橡膠類管道。
這樣，即使使用最起碼內面是聚氯乙稀系材料構成的管道，與聚氯乙稀類管道一樣，可以向CMP裝置供給沒有異物擴散的漿料，所以研磨時晶體表面就不會發生損傷、劃痕等。而且，由於外面採用的是機械性強度高的材料，所以可以延長壽命。另外，還可以再設置外層，也就是說可以是3層以上的構造。
另外，在上述例子中，雖然以圖2及圖3為例對於使用橡膠類管道進行了說明，但作為管式泵15用的管道，只要使用聚氯乙稀類管道，作為實現防止漿料的凝集粒子的結合以及去除漿料裡含有的塵埃的目的，也可以如圖2及圖3所示的那樣，使用超聲波振動器4、過濾器5等。
(實施例2)參照圖12，對本發明的實施例2進行說明。在上述實施例1中，作為管式漿料供給泵15用的管道12，通過採用聚氯乙稀類管道抑制了晶片表面發生損傷、劃痕等。但在本實施例中，如圖1 2所示的那樣，通過在漿料供給泵15的下遊處設置過濾器16，抑制晶片表面發生損傷、劃痕等。
過濾器16具有去除漿料中含有的凝集粒子、異物等功能。如果管式漿料供給泵15用的管道是橡膠類管道的話，過濾器16還具有去除從該橡膠類管道擴散出來的異物(例如，無機填料)的功能。管式泵15在圖12中，是被配置在CMP裝置3內的。當然配置在CMP裝置3的附近也行。另外，過濾器16隻要位於管式泵15的下遊，無論將它配置在CMP裝置3內，或者配置在CMP裝置3的附近都可以。
下面，對本實施例的構成動作進行說明。
用於研磨的漿料，在漿料供給裝置1處，例如與氧化劑等混合，或僅僅是作為單純的儲備而被保持著。這時，為了防止研磨砥粒的沉澱，一般都要間斷地進行攪拌。但是，當施加了機械性的壓力後，漿料中的砥粒就開始凝縮，在漿料中發生粗大粒子。還有，混入漿料中的異物，一經攪拌，就會擴散到漿料中。混合有粗大粒子、異物的漿料通過配管2被輸送到CMP裝置3。另外，在管式漿料泵15處，因為要通過擠壓管道來供給漿料，所以有時異物會從這裡混入漿料中。在本實施例中，由於在管式漿料泵15的下遊配置有過濾器16，所以可以將漿料中的粗大粒子、異物以及從管式泵15裡發生的異物都能全部實質性地捕獲。
另外，在圖1所示的構成中，在泵的下遊(後方)沒有配置過濾器，而是配置在泵的上遊(前方)。其理由可能是用於去除漿料中的塵埃等的過濾器，一旦發生過濾器的網眼被堵塞，用於輸送液體的阻力就會增大。但由於管式漿料供給泵，在抑制脈動的同時，還可以容易地得到其穩定的定量性。所以，輸送液體阻力有變動可能性的過濾器，必須被配置到泵的上遊側。因為同樣的理由，在圖3所示的構成中，過濾器也被配置在泵的上遊。
依據本申請發明人的研究，因已知受管式漿料泵1 5的影響從橡膠類管道會發生無機填料樣等的異物，所以，在如圖1及圖3所示的構成中，是不能抑制晶體表面發生損傷、劃痕等的。因此，即使輸送液體阻力有變動的可能也應該將過濾器16安裝到管式漿料泵15與CMP裝置3之間的配管2的一部分中。此外，為了減少異物發生，同時也為了防止過濾器16發生網眼被堵，通過管式漿料泵15的管道，最好使用最起碼它的內面是由聚氯乙稀系構成的管道。可以防止過濾器16的網眼被填，同時也就是延長過濾器16的壽命的優點。
以上，是通過適合的實施例將本發明進行了說明。但上述說明並不是對本發明進行限制，不用說本發明可以有各種各樣的改變。另外，也可以將上述的各種實施例的構成進行組合。例如，可以將實施例1的改變例——二層構造的管道構成與實施例2的構成進行組合。
根據以上本發明的實施例，就可以提供能夠抑制從管式漿料供給泵處發生異物、防止在CMP處發生損傷及劃痕、具有合格率高的半導體裝置的研磨方法及研磨裝置。另外，還可以提供既使用不發生異物的管道又能夠確保長壽命、防止在CMP處發生損傷及劃痕、具有合格率高的半導體裝置的研磨方法及研磨裝置。更進一步，還可以提供即使異物擴散進了漿料裡也可以將其捕獲、防止在CMP發生損傷及劃痕、具有合格率高的半導體裝置的研磨方法及研磨裝置。
權利要求
1.一種半導體裝置的研磨方法，是包含採用CMP研磨基板的工序在內的製造半導體裝置的方法，其特徵在於在所述研磨工序中，為了供給漿料，使用管式漿料供給泵，在所述管式漿料供給泵中，作為供給漿料用的管道，使用聚氯乙稀類管道。
2.根據權利要求1所述的半導體裝置的研磨方法，其特徵在於所述聚氯乙稀類管道，實際上不含有用於加強管道強度的微粒子。
3.一種半導體裝置的研磨方法，是包含採用CMP研磨基板的工序在內的製造半導體裝置的方法，其特徵在於在所述研磨工序中，為了供給漿料，使用管式漿料供給泵，在所述管式漿料供給泵中，作為供給漿料用的管道，使用由內面為聚氯乙稀類管道而外面為橡膠類管道所構成的管道。
4.根據權利要求3所述的半導體裝置的研磨方法，其特徵在於所述聚氯乙稀類管道，實際上不含有用於加強管道強度的微粒子。
5.一種半導體裝置的研磨方法，是包含採用CMP研磨基板的工序在內的製造半導體裝置的方法，其特徵在於在所述研磨工序中，為了供給漿料，使用管式漿料供給泵，在所述漿料供給泵的下遊側，配置有去除漿料中含有的凝集粒子及異物的過濾器。
6.根據權利要求5所述的半導體裝置的研磨方法，其特徵在於在所述管道式漿料供給泵中，作為供給漿料的管道，使用至少內面是由聚氯乙稀類材料構成的管道。
7.一種半導體裝置的研磨方法，是包含採用CMP研磨基板的工序在內的製造半導體裝置的方法，其特徵在於在所述研磨工序中，為了供給漿料，使用管式漿料供給泵，在所述管式漿料供給泵中，作為供給漿料用的管道，使用實際上不含有用於加強管道強度的微粒子的管道。
8.根據權利要求7所述的半導體裝置的研磨方法，其特徵在於所述管道是聚氯乙稀類管道或者矽酮橡膠製管道。
9.一種半導體裝置的製造方法，其特徵在於包含權利要求1～8中任一項半導體裝置的研磨方法。
10.一種研磨裝置，是採用CMP對基板進行研磨的研磨裝置，其特徵在於所述研磨裝置具備研磨所述基板的CMP裝置和供給研磨時的漿料的管式漿料供給泵，所述管式漿料供給泵用的管道，是至少內面為由聚氯乙稀類材料構成的管道。
11.根據權利要求10所述的研磨裝置，其特徵在於所述管道是二層結構，所述管道的內面由聚氯乙稀類材料構成，外面由橡膠類材料構成。
12.一種研磨裝置，是採用CMP對基板進行研磨的研磨裝置，其特徵在於所述研磨裝置具備研磨所述基板的CMP裝置；向所述CMP裝置供給漿料的漿料供給裝置；將所述漿料供給裝置與所述CMP裝置連接的配管；以及配置在所述配管的一部分處的管式漿料供給泵，在所述管式漿料供給泵與所述CMP裝置之間，配置有至少能去除所述漿料中含有的凝集粒子及異物中的一種的過濾器。
13.根據權利要求12所述的研磨裝置，其特徵在於所述管式漿料供給泵用的管道，是至少其內面是由聚氯乙稀類材料構成的管道。
14.一種研磨裝置，是採用CMP對基板進行研磨的研磨裝置，其特徵在於所述研磨裝置具備研磨所述基板的CMP裝置和供給研磨時的漿料的管式漿料供給泵，所述管式漿料供給泵用的管道，是實際上不含有用於加強管道強度的微粒子的管道。
全文摘要
一種包含採用CMP研磨基板的工序在內的半導體裝置製造方法，為了實現抑制晶體表面發生損傷、劃痕的目的，在研磨工序中，為了供給漿料使用了管式漿料供給泵(15)。在管式漿料供給泵(15)中，作為供給漿料的管道(12)使用了聚氯乙稀類管道。
文檔編號H01L21/304GK1510722SQ20031011316
公開日2004年7月7日 申請日期2003年12月25日 優先權日2002年12月25日
發明者濱中雅司, 吾, 白樫衛吾, 伊藤史隆, 隆 申請人:松下電器產業株式會社