多層膜的製造方法

2023-06-30 15:58:21

專利名稱：多層膜的製造方法
技術領域：
本發明涉及具有設置在支撐膜上的多個粘接膜的多層膜的製造方法，進一 步涉及具有設置在支撐膜上的多個粘接膜和粘合膜的多層膜的製造方法。
背景技術：
作為具有形成在支撐膜上的多個粘接膜和粘合膜的多層膜，例如有在支撐 膜上形成有晶片接合用的粘接劑層和切割用的粘合劑層的晶片接合切割 一體 型膜。
這樣的多層膜可通過如下方法製造例如，將具有支撐膜和以空出規定的 間隔在該支撐膜上形成的粘接劑層的晶片接合膜，與具有基材膜和形成在該基 材膜上的粘合劑層的切割膜，以使粘接劑層和粘合劑層為內側的方式進行貼合 (專利文獻l)。
專利文獻1:日本特開2004-221336號公報

發明內容
以空出規定的間隔的方式來配置的多個粘接劑層，可以通過暫時形成覆蓋 支撐膜單面的整個面的粘接劑層，然後，留下其中的一部分並除去不需要的部 分的方法來形成，從生產效率等角度考慮，在工業上優選是採用這樣的方法。
但是，用以往的方法製造多層膜時，由於需要空出在最終製品中所必要的 間隔來在支撐膜上形成粘接膜，因此，存在這樣的問題，即，在粘接劑層中作 為不需要部分而被廢棄的部分的量有時會很多。尤其是，使用像晶片接合用的 粘接膜這樣高價的材料時，工業上強烈地需求減少作為不需要的部分而被廢棄 的部分的量，即使是少許也好。
另外，用以往的方法製造多層膜時，由於需要在支撐膜上剪切粘接膜，因 此存在如下問題，即，在剪切粘接膜時，在支撐膜的表面上產生沿著粘接膜的 外周的剪切傷。如果存在剪切傷，則在該部分上容易附著膜塵等異物，因此， 強烈地希望抑制剪切傷的產生。因此，本發明的目的是提供一種方法，該方法在具有設置在支撐膜上的多 個粘接膜的多層膜的製造中，可以以與最終製品中的間隔不同的任意設定的間 隔或者不空出間隔的方式來有效地形成多個粘接膜，並可抑制支撐膜的表面中 的剪切傷的產生。
本發明涉及多層膜的製造方法，所述多層膜具備支撐膜、沿著支撐膜的長
度方向在支撐膜上配置的多個粘接膜。本發明涉及的製造方法具備下述工序 將形成在臨時基材上的粘接劑層進行剪切，以便區分成以沿著臨時基材的長度 方向空出規定的間隔或者不空出間隔的方式配置的用作粘接膜的多個部分和 除此以外的部分的工序(A);將臨時基材上的粘接膜，以沿著支撐膜的長度 方向空出規定的間隔的方式轉移到支撐膜上的工序(B)。用作粘接膜的多個 部分以沿著臨時基材的長度方向空出頭見定間隔的方式進4亍酉己置時，在臨時基才才 上相鄰的粘接膜的間隔，不同於在支撐膜上相鄰的粘接膜的間隔。
上述本發明涉及的製造方法，將構成多層膜的多個粘接膜暫時形成在臨時 基材上，然後，將形成的粘接膜轉移到支撐膜上。因而，可以以與最終製品的 間隔不同的任意設定的間隔或者不空出間隔來配置的方式，形成粘接膜。
另外，本發明涉及的製造方法，由於在臨時基材上剪切粘接劑層，將形 成的粘接膜轉移到支撐膜上，因此，可以抑制支撐膜表面上的剪切傷的產生。
本發明涉及的製造方法，可以在工序(A)和工序(B)之間，進一步具 備除去臨時基材上的粘接劑層中的粘接膜以外的部分的一部分或全部，將粘 接膜殘留於臨時基材上的工序(C)。這樣，可以更容易地將臨時基材上的粘 接膜轉移到支撐膜上。
用作粘接膜的多個部分以沿著臨時基材的長度方向空出規定的間隔的方 式進行配置時，優選在臨時基材上相鄰的粘接膜的間隔，比在支撐膜上相鄰的 粘接膜的間隔狹窄。此時，以比最終製品中所必要的間隔狹窄的間隔來高密度 配置的方式，在臨時基材上形成粘接膜。結果，可減少作為不需要的部分而被 除去的粘接劑層的量。
上述多層膜還可進一步具備設置在粘接膜上的、具有從粘接膜的外周突 出的突出部的粘合膜。此時，本發明涉及的製造方法，優選進一步具備使粘 接膜和粘合劑層進行貼合的工序(a);對粘接膜上的粘合劑層進行剪切，以便
5區分成用作粘合膜的多個部分和除此以外的部分的工序(b);除去粘合劑層中 的粘合膜以外的部分的一部分或全部，將粘合膜殘留於粘接膜上的工序(c)。
例如，通過貼合粘接膜和粘合劑層，使得沿著粘合劑層的長度方向，空 出與在臨時基材上相鄰的粘接膜的間隔不同的規定的間隔，將臨時基材上的多 個粘接膜轉移到粘合劑層上，然後，通過貼合粘合劑層上的粘接膜和支撐膜， 可以使得以多個粘接膜貼合於粘合劑層的狀態，沿著支撐膜的長度方向空出規 定的間隔來轉移到支撐膜上。此時，工序(a)包含於工序(B)，工序(b) 和工序(c)成為工序(B)的後工序。另外，例如，可以將在工序(B)中轉 移到支撐膜上的粘接膜，以貼合於支撐膜上的狀態，貼合於粘合劑層。此時， 工序(a)、 (b)、 (c)是工序(B)的後工序。
在具有上述粘'含、膜的多層膜的情形下，為了確保粘'含、月莫的哭出邵的場所， 有必要大幅度地擴大粘接膜彼此之間的間隔，但即使是在這樣的情形下，根據 本發明，也能夠將作為不需要部分而被除去的粘接劑層的量維持在較少水平。
在工序(c)中，優選對粘合劑層進行剪切，以便區分成用作粘合膜的多 個部分、包圍該部分中的每一個的部分和它們以外的部分，除去將粘合劑層中 多個粘合膜的每一個進行包圍的部分，在粘接膜上殘留粘合膜。此時，在得到 的多層膜中，露出支撐膜的部分形成在粘合膜的周圍。這樣，使用具有粘接膜 和粘合膜的層疊體時，從支撐膜上剝離變得容易等，可改善多層膜的處理性。
在本發明涉及的製造方法中，例如，粘接膜是晶片接合用的粘接膜，粘 合膜可以是切割用粘合膜。
本發明涉及的製造方法，可以進一步具備檢查臨時基材上的粘接膜的外 觀的工序。此時，例如，在臨時基材上的多個粘接膜中僅使通過檢查粘接膜的 外觀判斷為合格品的粘接膜轉移到支撐膜上，由此可以防止次品混入到最終制 品中。
根據本發明，在具有設置在支撐膜上的多個粘接膜的多層膜的製造中， 可以以與最終製品的間隔不同的任意設定的間隔或者不空出間隔的方式，有效 地形成多個粘接膜。結果，例如可以減少作為不需要的部分被除去的粘接劑層 的量，實現廢棄物的減少和製造成本的削減。另外，根據本發明，可以抑制支 撐膜表面中的剪切傷的產生和由其所引起的膜塵等異物的殘留。


圖1是表示多層膜的一個實施方式的平面圖。
圖2是沿圖i的n-n線的截面圖。
圖3是表示切割半導體晶片的工序的截面圖。
圖4是表示多層膜的製造方法的一個實施方式的示意圖。
圖5是表示多層膜的製造方法的一個實施方式的示意圖。
圖6是表示多層膜的製造方法的一個實施方式的示意圖。
圖7是表示多層膜的製造方法的一個實施方式的示意圖。
圖8是表示多層膜的製造方法的一個實施方式的示意圖。
符號說明
i多層膜，3層疊體(晶片4妻合切割一體型膜)，5半導體晶片，7環狀肋骨、 9切割膜，10支撐膜，11臨時基材，12基膜，13上膜，21粘接劑層，21a 粘接膜，22粘合劑層，22A突出部，22a粘合膜，31，32切割機，40剝離板， 50，51吸附墊，80才企查部，90露出部
具體實施例方式
以下，對本發明的合適的實施方式，根據需要參照附圖進行詳細說明。 圖中，對於相同或同等的構成要素標記相同符號，適當地省略重複的說明。
圖1是表示多層膜的一個實施方式的平面圖，圖2是沿著圖1的II-II線 的截面圖。圖1、 2所示的多層膜1含有長的支撐膜10、具有圓形的主面的多 個粘接膜21a、在多個粘接膜21a的每一個的與支撐膜10相反側的面上所層 疊的粘合膜22a、覆蓋粘合膜22a的基膜12a。
粘接膜21a沿著支撐膜10的長度方向空出規定的間隔D2被配置在支撐
晶片接合用的粘接膜。粘合膜22a和基膜12a具有圓形主面，該圓形主面具有 比粘接膜21a的主面大的面積，粘合膜22a具有從粘接膜21a的主面的外周突 出的環狀的突出部22A。粘合膜22a是，在將半導體晶片利用切割製成單片時 為了固定半導體晶片而使用的切割用的粘合膜。
粘接膜21a、粘合膜22a和基膜12a依次進行層疊形成層疊結構，具有這 種層疊結構的層疊體3，從支撐膜10上剝離，可以用作兼具晶片接合和切割兩種功能的晶片接合切割一體型膜。為了容易剝離層疊體3，而在層疊體3的 周圍設置露出支撐膜10的環狀的露出部90。在比露出部90更外側的部分的 支撐膜10上，層疊粘合劑層的一部分22b和基膜12b。在圖中為了簡略化， 以從支撐膜10上離開的狀態來表示粘合膜22a的突出部22A,但是，突出部 22A也通常是部分地與支撐膜10相接觸的狀態。
圖3是表示使用層疊體(晶片接合切割一體型膜)3切割半導體晶片的工 序的一個實施方式的截面圖。粘接膜21a被貼附於半導體晶片5上，同時，粘 合膜22a的突出部22A貼附於以包圍半導體晶片5的周圍的形式設置的環狀 肋骨7上。利用突出部22A的粘合力對環狀肋骨7固定晶片接合切割一體型 膜3。在該狀態下將半導體晶片5沿著圖中的虛線A與粘接膜21a—起切割成 格子狀。切割後，根據需要利用光照射來減少粘合膜22a的粘合力，將單片化 的半導體晶片(半導體晶片)與在其單面上粘貼的粘接膜21a—起取出。被取 出的半導體晶片通過粘接膜21a被粘接在半導體搭載用基板上。
圖4、 5是表示多層膜1的製造方法的一個實施方式。圖4所示的實施方 式涉及的製造方法，具備對覆蓋臨時基材11的單面全面來形成的粘接劑層 21進行剪切，以便區分成以沿著臨時基材11的長度方向空出規定的間隔Dl 的方式進行配置的用作粘接膜21a的多個部分和除此以外的部分的工序；除去 臨時基材11上的粘接劑層21中的粘接膜21a以外的部分的工序；將臨時基材 11上的粘接膜21a，以沿著粘合劑層22的長度方向空出間隔D2的方式轉移 到粘合劑層22上的工序；在轉移到粘合劑層22上的粘接膜21a上貼合支撐膜 IO的工序。在臨時基材11上相鄰的粘接膜21a的間隔Dl，比支撐膜10上相 鄰的粘接膜21a的間隔D2狹窄。圖5所示的實施方式所涉及的製造方法，還 具備對粘接膜21a上的粘合劑層22和基膜12進行剪切，使得將粘合劑層 22區分成用作粘合膜22a的多個部分、包圍該部分的環狀部分22c以及除它 們以外的部分的工序；將粘合劑層22中的環狀部分22c與該環狀部分22c上 的部分的基膜12c —起除去的工序。
粘接劑層21通過如下方法形成在臨時基材11上例如，將含有粘接劑和 溶解或分散著該粘接劑的溶劑的粘接劑溶液塗布於臨時基材11上，從塗布的 粘接劑溶液中除去溶劑。作為臨時基材11優選使用樹脂膜，尤其優選利用有機矽系的脫模劑實施了脫模處理的聚對苯二曱酸乙二醇酯膜。粘接劑層21， 通常以被上膜13覆蓋的狀態來供給。
使上膜13經過輥61的外周面而從粘接劑層21上剝離後，使用具有圓形 的刀刃的切割機31將粘接劑層21剪切成圓形。此時，以不完全切斷臨時基材 11的方式，只切斷粘接劑層21。粘接劑層的一部分21b是作為粘接膜21a而 殘留的圓形部分以外的部分，該粘接劑層的一部分21b經過被設置在切割機 31的下遊側的輥63的外周面而被除去。除去粘接劑層的一部分21b之後，以 空出規定的間隔D1的方式被配置的粘接膜21a殘留於臨時基材11上。
間隔D1並不取決於作為最終製品的多層膜1的相鄰的粘接膜21a彼此之 間的間隔D2，可以任意地設定。本實施方式的情形中，間隔D1被設定成小 於間隔D2。
通過減小間隔D1而高密度地形成粘接膜21a,由此可以大幅度減少作為 不需要的部分而被除去的粘接劑層的一部分21b的量。特別是，像本實施方式 這樣，用於晶片接合用的粘接劑通常價格昂貴，減小不需要的部分所帶來的優 點很大。另外，如上所述，在切割時，為了確保在向環狀肋骨上貼附時所用的 突出部22A的空間，而需要將多層膜l中的粘接膜21a彼此之間的間隔D2設 定得比較大，因此，本發明所帶來的優點就極大。
優選的是，間隔Dl (相鄰的粘接膜彼此之間的最短距離)被設定在 0 60mm的範圍。在臨時基材11上相鄰的粘接膜21 a也可以不空出間隔，即 以間隔DbO的方式來配置。如果間隔D1大於該範圍，則作為不需要部分被 除去的粘接劑層的一部分21b的量增多，本發明所產生的效果就減小。
間隔D2可以不根據間隔D1來調節，多個間隔D2可以各不相同。
在圖4、 5所示的實施方式中，使粘接膜21a轉移到支撐膜10上的工序， 與將粘接膜21a和粘合劑層22貼合的工序同時進行。粘接膜21a被從臨時基 材11上改貼合在粘合劑層22上，對粘合劑層22上的粘接膜21a貼附支撐膜 10。經過涉及的一系列的工序，粘接膜21a從臨時基材11上轉移到支撐膜10 上。這裡，粘接膜21a被貼合於支撐膜10和粘合劑層22上的順序，可以任一 方在先，也可以兩者同時被貼合。即，代替如圖4的實施方式所示的將臨時基 材11上的粘接膜21a與粘合劑層22貼合而轉移到粘合劑層22上後，使支撐膜10貼合於粘合劑層22上的粘接膜21a上，例如可以將臨時基材11上的粘 接膜21a與支撐膜10貼合而轉移到支撐膜10上後，使粘合劑層22貼合於支 撐膜10上的粘接膜21a。
粘合劑層22以具有基膜12和粘合劑層22的切割膜9的方式來供給。粘 合劑層22從通常用作切割用的膜狀粘合劑的物質中適當地選擇。從巻筒紙巻 出的長的切割膜9在輥66的外周面上移動。與輥66相向來配置輥65,輥66 -陂設置成可沿著箭頭B的方向移動。載置粘接劑層21a的臨時基材11在輥65 的外周面上移動，粘接膜21a到達輥65,66之間時，輥66向輥65加壓。由此， 粘接膜21a被轉移到粘合劑層22上。粘接膜21a通過輥65,66之間後，輥66 以離開輥65的方式沿著箭頭B的方向移動，在下一個粘4妄膜21a到達之前就 杜"乙疋的1ii直Ji^^兒。,人渾!H安/提21a劉咼曰3'l&ti丁丞^Pf丄丄紋近井昆65的夕卜周面7皮 排出。
在輥65,66的上遊側，設置可以;險測粘接膜21a的外觀狀態的CCD相機 等檢查部80，利用檢查部80檢查粘接膜21a的外觀。被判定為檢查結果不好 的粘接膜21a在通過轉印用的輥65,66之間時，輥66維持在離開輥65的位置， 不好的粘接膜21a不轉印到粘合劑層22上，而是與臨時基材11 一起排出。換 種說法就是，在臨時基材11的多個粘接膜21a之中，只有通過^f全查粘接膜21a 的外觀的工序被判定為合格品的粘接膜，才被轉移到支撐膜10上。粘接膜21a 的好壞，基於根據想要的製品規格而預先設定的基準來判定。這樣，可以得到 實質上不含不好的粘接膜21a的多層膜1。
對於與粘合劑層22貼合的粘接膜21a,經過輥68的外周面被貼附在供給 的支撐膜10上。通過輥68對粘合劑層22壓接支撐膜10。然後，如圖5所示， 通過具有被設計成環狀的刀刃的切割機32，沿著環狀的露出部90的形狀切斷 (剪切)粘合劑層22和基膜12。環狀的粘合劑層的一部分22c和基膜的一部 分12c經過輥69的外周面被除去，形成粘合膜22a。通過以上工序，得到圖1、 2所示的多層膜1。
作為支撐膜10,優選使用聚對苯二曱酸乙二醇酯膜等樹脂膜。經過在支 保粘接膜自支撐膜的充分的脫樣性。如果脫模性不足，則將含有粘接膜的層疊
10體從支撐膜上剝離時，有時會剝離掉粘接膜和粘合膜。因此，支撐膜的表面通 常需要進行脫模處理。但是，如果在支撐膜的粘接膜側的表面上形成有有機矽 系脫模劑等脫模劑的層，則有可能脫模劑轉移到粘合膜的突出部中的與支撐膜 接觸的部分的表面上，使得突出部的粘合力降低。此外，由於脫模劑的混入而 有可能降低粘接膜的特性，或者由脫模劑而汙染半導體元件等。
與此相對，在本實施方式中，不在支撐膜IO上塗布粘接劑溶液，而是將
在臨時基材11上形成的粘接膜21a轉移到支撐膜IO上，因此，支撐膜10的 粘接膜21a側的表面即使不實施脫模處理，也可以使粘接膜21a自支撐膜10 上的剝離性良好。因而，根據本實施方式，可以採用這樣的支撐膜10,即， 既維持粘接膜21a自支撐膜10的充分的脫模性，脫模劑又不實質性地附著在 粘才妻膜2la側的表面上。由於不需要支撐月莫10的脫才莫處理，因此，才艮據本實 施方式可以避免上述這樣的問題的產生。這裡，即使粘接膜10與臨時基材11 的密合性強至某種程度，也可以進行粘接膜10的重新貼附，因此，未必需要 進行臨時基材11的脫模處理。
另外，經過在支撐膜上塗布粘接劑溶液的工序而在支撐膜上形成粘接膜 的情形下，在殘留於支撐膜上的粘接膜的周圍，有時有一部分粘接劑層殘存於 支撐膜上。尤其是如果支撐膜不進行脫模處理，就容易殘存粘接劑層。有可能 殘存的粘接劑被轉移到粘合膜的突出部，使得突出部的粘合性降低。根據本實 施方式，也可以解除這樣的問題。
此外，經過在支撐膜上塗布粘接劑溶液的工序而在支撐膜上形成粘接膜的 情形下，需要在支撐膜上剪切粘接膜，因此在剪切粘接膜時在支撐膜表面上容 易產生剪切傷。如果有該剪切傷，則有時在粘接膜的周圍在支撐膜表面上殘存 膜塵等異物。根據本實施方式，可以抑制這樣的剪切傷的產生和異物的殘存。
圖6、 7和8是表示多層膜1的製造方法的其他的實施方式的示意圖。在 圖6所示的實施方式中，通過代替圖4中的輥63,使包含具有銳角形狀的截 面的剝離板40的銳角部分跟隨來除去臨時基材11。在除去臨時基材11的同 時，將粘接膜21a插入對向配置的1對輥70,71之間。分別對輥70的外周面 供給切割膜9，對輥71的外周面供給支撐膜10。在1對輥70,71之間，粘接 膜21a被插入粘合劑層22和支撐膜10之間。在圖7所示的實施方式中，通過使用切割機31的剪切法將臨時基材11 上的粘接劑層21與上膜13 —起剪切成圓形。通過殘留粘接膜21a和存在於該 粘接膜21a上的上膜13a，作為不需要部分的粘接劑層的一部分21b和上膜的 一部分13b經過輥72的外周面被除去。然後，通過使包含具有銳角形狀的截 面的剝離板40的銳角部分跟隨來除去臨時基材11。在除去臨時基材11的同 時，粘接膜21a和上膜13a被貼附於經輥74供給的切割膜9的粘合劑層22上。 在剝離板40的下遊側，以夾持切割膜9的方式在粘接膜21a的相反側的位置 上設置吸附墊50，通過吸附墊50的作用，將切割膜9吸附在吸附墊50上。 吸附墊50通過靜電、真空壓力等作用吸引切割膜9。在被吸附於吸附墊50的 切割膜9上，利用輥75來壓接粘接膜21a。然後，除去上膜13a，利用輥76 將支撐膜10層疊在露出的粘接膜21a上。
在圖8所示的實施方式中，臨時基材11通過輥77自含有粘接膜21a和上 膜13a的層疊體上剝離。在剝離臨時基材11的位置上，該層疊體被吸附於在 與該層疊體的臨時基材11相反側待機的吸附墊51上。載置含有粘接膜21a和 上膜13a的層疊體的吸附墊51移動至下遊側，粘接膜21a被貼附於由輥78供 給的切割膜9的粘合劑層22上。然後，除去上膜13a，支撐膜10利用輥76 被層疊在露出的粘接膜21a上。
通過圖6 8所示的工序之後，與圖5的實施方式同樣操作，形成粘合膜
22a。
本發明並不限於以上說明的實施方式，只要不脫離本發明的主旨，就可 以進行適當的變形。例如，可以使臨時基材的寬度小於支撐膜的寬度。這樣， 即使在橫向上也可以削減粘接劑層的不需要的部分。另夕卜，只要是粘接膜從臨 時基材移動至支撐膜，將粘合膜形成在粘接膜上這樣的一系列的工序，就可以 沒有特別限制地採用，各構成部件的貼附或重新粘貼的順序等也可以進行適當 的變更。
根據本發明，在具有設置於支撐膜上的多個粘接膜的多層膜的製造中，可 以以與最終製品的間隔不同的任意設定的間隔或者不空出間隔的方式有效地 形成多個粘接膜。結果，例如，可以減少作為不需要的部分而除去的粘接劑層 的量，實現廢棄物的減量和製造成本的削減。另外，才艮據本發明，可以抑制支 撐膜表面的剪切傷的產生和由剪切傷的產生所引起的膜塵等異物的殘留。
1權利要求
1.一種多層膜的製造方法，所述多層膜具備支撐膜和沿著所述支撐膜的長度方向配置在所述支撐膜上的多個粘接膜，其特徵在於，該製造方法具備將形成在臨時基材上的粘接劑層進行剪切，以便區分成以沿著所述臨時基材的長度方向空出規定的間隔或者不空出間隔的方式配置的用作所述粘接膜的多個部分和除此以外的部分的工序(A)；以及將所述臨時基材上的多個所述粘接膜，以沿著所述支撐膜的長度方向空出規定的間隔的方式轉移到所述支撐膜上的工序(B)；其中，用作所述粘接膜的多個部分以沿著所述臨時基材的長度方向空出規定間隔的方式進行配置時，在所述臨時基材上相鄰的所述粘接膜的間隔，不同於在所述支撐膜上相鄰的所述粘接膜的間隔。
2. 根據權利要求1所述的製造方法，其中，在所述工序(A)和所述工序(B) 之間，進一步具備除去所述臨時基材上的所述粘接劑層中的所述粘接膜以外的部分的一部分或全部，將所述粘接膜殘留於所述臨時基材上的工序(C) 。
3. 根據權利要求1所述的製造方法，其中，用作所述粘接膜的多個部分以沿著臨時基材的長度方向空出規定的間隔的方式進行配置，在所述臨時基材上相鄰的所述粘接膜的間隔，比在所述支撐膜上相鄰的所述粘接膜的間隔狹窄。
4. 根據權利要求1所述的製造方法，其中，所述支撐膜實質上不具有沿著所述粘接膜外周的剪切傷。
5. 根據權利要求1所述的製造方法，其中，所述多層膜進一步具備設置在所述粘接膜上的，具有從所述粘接膜的外周突出的突出部的粘合膜，該製造方法進一步具備使所述粘接膜和粘合劑層進行貼合的工序(a);對所述粘接膜上的所述粘合劑層進行剪切，以便區分成用作所述粘合膜的多個部分和除此以外的部分的工序(b);以及將所述粘合劑層中的所述粘合膜以外的部分的一部分或全部除去，使所述粘合膜殘留於所述粘接膜上的工序(C)。
6. 根據權利要求5所述的製造方法，其中，在所述工序(a)中，通過貼合所述粘接膜和所述粘合劑層，沿著所述粘合劑層的長度方向，空出與在所述臨時基材上相鄰的所述粘接膜的間隔不同的規定的間隔，使所述臨時基材上的多個所述粘接膜轉移到所述粘合劑層上，所述工序(B)依次包含所述工序(a)和工序(d),其中，所述工序(d)是通過貼合所述粘合劑層上的所述粘接膜和所述支撐膜，將多個所述粘接膜以貼合於所述粘合劑層的狀態，沿著所述支撐膜的長度方向空出規定的間隔，轉移到所述支撐膜上的工序，該製造方法在所述工序(B)之後具備所述工序(b)和(c)。
7. 根據權利要求5所述的製造方法，其中，在所述工序(B)之後具備所述工序(a)、 (b)和(c),在所述工序(a)中，將在所述工序(B)中轉移到所述支撐膜上的所述粘接膜，以貼合於所述支撐膜的狀態，貼合於所述粘合劑層。
8. 根據權利要求5所述的製造方法，其中，在所述工序(c)中，對所述粘合劑層進行剪切，以便區分成用作所述粘合膜的多個部分、將該部分中的每一個包圍的部分和它們以外的部分，除去將所述粘合劑層中多個所述粘合膜的每一個包圍的部分。
9. 根據權利要求5所述的製造方法，其中，所述粘接膜是晶片接合用的粘接膜，所述粘合膜是切割用的粘合膜。
10. 根據權利要求1~9中任一項所述的製造方法，其中，進一步具備檢查所述臨時基材上的所述粘接膜的外觀的工序。
11. 根據權利要求10所述的製造方法，其中，在所述臨時基材上的多個所述粘接膜之中，只有通過檢查所述粘接膜的外觀的工序判定為合格品的粘接膜，被轉移到所述支撐膜上。
全文摘要
本發明提供一種多層膜的製造方法，該方法具備如下工序將形成在臨時基材上的粘接劑層進行剪切，以區分成以沿著臨時基材的長度方向空出規定的間隔進行配置的用作粘接膜的多個部分和除此以外的部分的工序；將臨時基材上的多個粘接膜，以沿著支撐膜的長度方向空出規定的間隔的方式轉移到支撐膜上的工序。在臨時基材上相鄰的粘接膜的間隔，不同於在支撐膜上相鄰的粘接膜的間隔。
文檔編號C09J7/02GK101541906SQ20088000026
公開日2009年9月23日 申請日期2008年4月18日 優先權日2007年4月26日
發明者玉置剛士 申請人:日立化成工業株式會社