製造有源矩陣基底和有機發光顯示裝置的方法

2023-05-26 09:12:56 1

專利名稱：製造有源矩陣基底和有機發光顯示裝置的方法
技術領域：
下面的描述涉及製造有源矩陣基底和有機發光顯示裝置的方法。
技術背景
近來，平面顯示裝置由有源矩陣方法來驅動，其中，發光裝置形成在包括多個薄膜 電晶體的有源矩陣基底上。具體而言，有機發光顯示裝置使用由多晶矽材料形成的薄膜晶 體管。當使用低溫晶化方法來形成多晶矽膜時，平板顯示裝置的製造工藝非常複雜，因此產 率降低。也就是說，為了形成有源矩陣基底，使用採用光刻工藝的多道圖案化工藝。在這種 情況下，在每道圖案化工藝中使用與期望的圖案對應的光掩模。因此，由於使用大量的設備來執行光刻工藝，所以製造成本增加，並且由於光刻工 藝，總工藝時間增加，從而降低了產率。另外，在各道工藝期間產生的顆粒導致低成品率。

發明內容
本發明的實施例的多個方面涉及一種通過減少圖案化工藝的道數並減小低成品 率的概率來製造有源矩陣基底的方法和一種製造有機發光顯示裝置的方法。根據本發明的實施例，一種製造有源矩陣基底的方法包括在基底上以第一圖案 形成第一電極；在所述基底上形成第一絕緣膜，以覆蓋所述第一電極；通過將半導體晶片 放置在所述第一絕緣膜上，將所述半導體晶片的表面上的第一層附著到所述第一絕緣膜； 將所述第一層轉印到所述第一絕緣膜上，以在所述第一絕緣膜上形成半導體層；利用摻雜 劑摻雜所述半導體層的一部分並將所述半導體層圖案化，以形成有源層；在所述第一絕緣 膜上形成第二絕緣膜，以覆蓋所述有源層；在所述第二絕緣膜上形成結合到所述有源層的 摻雜區域的第二電極。在一些實施例中，利用摻雜劑摻雜所述半導體層的一部分並將所述半導體層圖案 化以形成有源層的步驟包括在所述半導體層上形成第一光致抗蝕劑層，以覆蓋所述半導 體層的第一部分，並通過所述第一光致抗蝕劑層中的開口暴露所述半導體層的第一區域； 通過所述第一光致抗蝕劑層中的開口利用摻雜劑摻雜所述半導體層的第一區域；將所述半 導體層圖案化成第二圖案，以形成所述有源層。在所述半導體晶片的表面上形成所述第一層的步驟可包括將包含氫離子的氣體 離子注入到所述半導體晶片的表面中。所述半導體晶片可以由單晶矽形成。所述第一光致抗蝕劑層中的所述開口的圖案可以與除了所述第一光致抗蝕劑層的與所述第一電極的第一圖案對應的部分之外的部分被蝕刻的圖案基本相同。形成所述第一光致抗蝕劑層的步驟可包括根據所述第一電極的圖案，使所述第 一光致抗蝕劑層暴露於來自所述基底的下側的光；蝕刻所述第一光致抗蝕劑層，以保持所 述第一光致抗蝕劑層的部分在位置上與所述第一電極的第一圖案基本對應。可以在形成所述第一光致抗蝕劑層的步驟之前，執行將所述半導體層圖案化成所 述第二圖案的步驟。在一個實施例中，一種製造有機發光顯示裝置的方法包括在基底形成第一柵電 極和第二柵電極；在所述基底上形成第一絕緣膜，以覆蓋所述第一柵電極和所述第二柵電 極；通過將半導體晶片放置在所述第一絕緣膜上，將所述半導體晶片的表面上的第一層附 著到所述第一絕緣膜；將所述第一層轉印到所述第一絕緣膜上，以在所述第一絕緣膜上形 成半導體層；摻雜所述半導體層的第一區域和第二區域，並將所述半導體層圖案化，以形成 具有所述第一區域的第一有源層和具有所述第二區域的第二有源層，其中，至少所述第一 區域和所述第二區域摻雜有相同類型的摻雜劑；在所述第一絕緣膜上形成第二絕緣膜，以 覆蓋所述第一有源層和所述第二有源層；在所述第二絕緣膜中形成孔，以暴露所述半導體 層的所述第一區域和所述第二區域；在所述第二絕緣膜上形成結合到(例如，電結合到)所 述第一區域和所述第二區域的第二電極 ，並形成結合到(例如，電結合到)所述第二區域 的像素電極；在所述第二絕緣膜上形成第三絕緣膜，以覆蓋所述第二電極和所述像素電極； 在所述第三絕緣膜中形成開口，以暴露所述像素電極的至少一部分；在通過所述第三絕緣 膜中的開口暴露的所述像素電極的所述至少一部分上形成包括發光層的有機膜；形成相對 電極，以覆蓋所述有機膜。形成所述第一有源層和所述第二有源層的步驟可包括在所述半導體層上形成 第一光致抗蝕劑層，以覆蓋所述半導體層，並使開口暴露所述半導體層的所述第一區域和 所述第二區域；通過所述第一光致抗蝕劑層的開口，利用摻雜劑摻雜所述半導體層的所述 第一區域和所述第二區域；去除所述第一光致抗蝕劑層；將所述半導體層圖案化成第二圖 案，以形成所述第一有源層和所述第二有源層。形成所述第一層的步驟可包括將包含氫離子的氣體離子注入到所述半導體晶片 的表面中。所述半導體晶片可以由單晶矽形成。所述第一光致抗蝕劑層中的所述開口的圖案可以與除了所述第一光致抗蝕劑層 的與所述第一電極的第一圖案對應的部分之外的部分被蝕刻的圖案基本相同。形成所述第一光致抗蝕劑層的步驟可包括根據所述第一柵電極和所述第二柵電 極的圖案，使所述第一光致抗蝕劑層暴露於來自所述基底的下側的光；蝕刻所述第一光致 抗蝕劑層，以保持所述第一光致抗蝕劑層的部分在位置上與所述第一柵電極和所述第二柵 電極的圖案基本對應。可以在形成所述第一光致抗蝕劑層的步驟之前，執行將所述半導體層圖案化成所 述第二圖案的步驟。根據本發明的各個實施例的方面，在製造有機發光顯示裝置的過程中，使用少量 的光掩模簡單地將有源矩陣基底(即，基體基底)圖案化，從而降低了製造成本，並提高了良率。
另外，因為薄膜電晶體的半導體層可由單晶半導體材料形成，所以能夠實現具有 進一步改善的電路。


附圖與說明一起示出本發明的示例性實施例，並與描述一起用於解釋本發明的原理。圖1是根據本發 明實施例的在基底上形成的第一導電膜的示意性剖視圖；圖2是圖1的第一導電膜的第一圖案的示意性剖視圖；圖3是在圖2的基底上形成的第一絕緣膜的示意性剖視圖；圖4是示出對半導體晶片進行離子注入的示意性剖視圖；圖5是示出圖4的半導體晶片附著到圖3的第一絕緣膜的示意性剖視圖；圖6是通過將圖5的半導體晶片從半導體層剝離而在第一絕緣膜上形成的半導體 層的示意性剖視圖；圖7是示出在半導體層上形成第二光致抗蝕劑膜之後利用摻雜劑摻雜半導體層 的狀態的示意性剖視圖；圖8是圖案化半導體層的示意性剖視圖；圖9是第二絕緣膜覆蓋圖8的圖案化的半導體層的示意性剖視圖；圖10是在圖9的第二絕緣膜上形成圖案化的第二絕緣膜的示意性剖視圖；圖11是在圖10的第二絕緣膜上順序地形成第三絕緣膜、有機膜和相對電極 (facing electrode)的示意性剖視圖。
具體實施例方式在以下詳細描述中，僅通過示例方式示出並描述了本發明的特定示例性實施例。 本領域技術人員應當明白，本發明可以以許多不同的形式來實施，而不應當被解釋為局限 於在此闡述的實施例。另外，在本申請的上下文中，當元件被稱作「在」另一元件「上」時， 該元件可以直接在另一元件上，或者可以在一個或多個中間元件設置在它們之間的情況下 間接在另一元件上。在整個說明書中，相同的標號表示相同的元件。圖1至圖11是示出根據本發明實施例的製造有源矩陣基底和有機發光顯示裝置 的方法的示意性剖視圖。參照圖1，在基底1上形成第一導電膜2。基底1可以由透明玻璃材料形成，並通 常包含鹼土離子。在基底1上也可以形成主要由SiO2形成的緩衝層。第一導電膜2可以由用於形成電極的高導電金屬(例如，包含Al、Ti、Mo、Ag和/ 或Cr的合金)形成。通過使用第一光掩模的光刻工藝將第一導電膜2圖案化為如圖2所示的第一圖 案。光刻工藝可以是任何合適的光刻工藝。也就是說，在第一導電膜2上形成第一光致抗 蝕劑膜之後，通過第一光掩模暴露第一光致抗蝕劑膜，並通過顯影工藝和蝕刻工藝將第一 導電膜2圖案化為如圖2所示的第一圖案，然後，去除留在第一導電膜2上的第一光致抗蝕 劑膜。第一圖案包括作為數據布線的第一柵電極21、第二柵電極22和電容器下電極23。
接下來，參照圖3，在基底1上形成第一絕緣膜3，第一絕緣膜3覆蓋包括第一柵電 極21、第二柵電極22和電容器下電極23的第一圖案。第一絕緣膜3可以被形成為透光絕 緣膜，並可以由包含鹼離子和/或鹼土離子(例如，矽基)的氧化物材料形成。在第一絕緣膜3上形成半導體膜。根據本發明實施例，使用在美國專利公布號US2004/0229444中公開的半導體層 轉印法來形成半導體膜，通過引用將該專利的全部內容包含於此。S卩，參照圖4，在製備了半導體晶片45之後，使用離子注入半導體晶片45的表面。 半導體晶片45可以是單晶矽晶片，但不限於此，並可以是由諸如SiGe、SiC、Ge、GaAs, GaP 或InP等的半導體材料形成的單晶晶片。離子注入可以使用氫離子來執行，但不限於此，並可以使用硼離子和氫離子的混合物或者氦離子和氫離子的混合物來執行。由於離子注入，在半導體晶片45的表面上形成作為弱化區域(weakenedregion) 的半導體層4。在清洗工藝之後，將以這種方式形成的半導體層4氧化。氧化處理可以是氧等離 子體處理、過氧化氫處理、過氧化氫和氨處理或者過氧化氫和酸處理。由於氧化處理，羥基 形成在半導體層4的表面上，並且半導體層4的表面變得親水。接下來，參照圖5，將半導體晶片45放置在第一絕緣膜3上，使得半導體層4接觸 第一絕緣膜3，並位於半導體晶片45和第一絕緣膜3之間。這裡，根據一個實施例，在將半 導體晶片45放置在第一絕緣膜3上之前，清洗第一絕緣膜3的表面，並使其平坦化。接下來，如下面更詳細描述的，使用電解方法將半導體層4和第一絕緣膜3彼此附著。 首先，在將半導體層4和第一絕緣膜3附著之前，將半導體層4和第一絕緣膜3加 熱至彼此不同的溫度。保持溫度差，以使半導體層4和第一絕緣膜3的熱膨脹係數匹配，從 而在隨後的工藝中，由於半導體層4和半導體晶片45之間的熱應力，使得半導體層4與半 導體晶片45分離開(剝離開)。在一些實施例中，溫度差為100°C至150°C之間(或者在大 約100°C和大約150°C之間)。接下來，在相對第一絕緣膜3按壓半導體層4的同時分別以均勻的溫度保持半導 體層4和第一絕緣膜3。然後，比如，使用半導體層4作為陽極，並使用第一絕緣膜3作為陰 極，將電壓施加到半導體層4和第一絕緣膜3。由於施加了電壓，在第一絕緣膜3和半導體層4之間的界面處存在的鹼離子和/ 或鹼土離子運動到第一絕緣膜3。因此，在第一絕緣膜3和半導體層4之間的界面處存在 沒有鹼離子的區域和/或沒有鹼土離子的區域，因此，第一絕緣膜3和半導體層4更強地附著。在將按壓和施加電壓的工藝保持了一段時間(例如，預定的一段時間)之後，以室 溫冷卻組裝的結構。然後，由於半導體層4和半導體晶片45之間的熱應力，半導體晶片45 與半導體層4分離開。參照圖6，使用剝離工藝將半導體晶片45與半導體層4分離開。這裡，半導體層4 保持附著到第一絕緣膜3。在如上所述形成半導體層4之後，可以通過表面清洗工藝和蝕刻工藝以基本均勻的厚度保持半導體層4。根據本發明的形成半導體層4的方法不限於所公開的實施例，例如，半導體層可 以通過在第一絕緣膜3上沉積非晶矽來形成。參照圖7，在半導體層4上塗覆了第二光致抗蝕劑膜46之後，將第二光致抗蝕劑膜 46圖案化為第二圖案。這裡，不使用另外的光掩模，而是使用第一圖案(S卩，第一柵電極21和第二柵電極 22和電容器下電極23的圖案)，通過將光從基底1的下側朝第二光致抗蝕劑膜46照射，執 行將第二光致抗蝕劑膜46圖案化成第二圖案的步驟。即，當從基底1的下側照射光時，第二 光致抗蝕劑膜46的被第一圖案的第一導電膜2基本上阻擋住光(即，被第一柵電極21、第 二柵電極22和電容器下電極23阻擋住光)的區域與第二光致抗蝕劑膜46的穿過光的區 域具有不同的硬化度，因此，當蝕刻第二光致抗蝕劑膜46時，獲得如圖7所示的第二圖案。 在圖7的第二圖案中，第二光致抗蝕劑膜46在與第一圖案的第一導電膜2(8卩，第一柵電極 21、第二柵電極22和電容器下電極23)的上部對應的區域中保留在半導體層4上，並暴露 半導體層4的其他區域。在這種情形下，用p+離子摻雜半導體層4的暴露區域。p+離子可以是能夠在p型 金屬氧化物半導體(PM0S)薄膜電晶體中形成有源層的任意摻雜劑，例如B2H6離子。接下來，參照圖8，在去除第二光致抗蝕劑膜46之後，將半導體層4圖案化。這裡， 光刻工藝可以是任何合適的光刻工藝。即，在去除第二光致抗蝕劑膜46之後，在半導體層4上塗覆第三光致抗蝕劑膜。接 下來，通過第二光掩模在第三光致抗蝕劑膜上照射光並使第三光致抗蝕劑膜顯影來暴露半 導體層4的設定在或預定區域。在蝕刻了被暴露的半導體層4之後，去除第三光致抗蝕劑 膜的剩餘部分。因此，獲得如圖8所示的具有第三圖案的半導體層4。第三圖案包括電容器上電極43、第一有源層41和第二有源層42。電容器上電極43形成在電容器下電極23的上方，並被圖案化為與電容器下電極 23對應，以形成存儲電容器Cst。第一有源層41和第二有源層42分別是薄膜電晶體中的 有源層。接下來，參照圖9，覆蓋電容器上電極43、第一有源層41和第二有源層42的第二 絕緣膜5形成在第一絕緣膜3上。使用光刻工藝將第二絕緣膜5圖案化，以形成接觸孔，通過接觸孔暴露第一有源 層41和第二有源層42的源/漏區域。在這點上，光刻工藝可以是任何合適的光刻工藝。S卩，在第二絕緣膜5上塗覆第四光致抗蝕劑膜之後，通過第三光掩模在第四光致 抗蝕劑膜上照射光並使第四光致抗蝕劑膜顯影來暴露第二絕緣膜5的區域(例如，預定區 域)。在蝕刻了被暴露的第二絕緣膜5之後，將第四光致抗蝕劑膜的剩餘部分去除。因此， 獲得如圖9所示的具有第四圖案的第二絕緣膜5。接下來，如圖10所示，在第二絕緣膜5上塗覆第二導電膜6之後，通過使第二導電 膜6圖案化來形成第五圖案。可以使用任何合適的光刻工藝來形成第二導電膜6的第五圖案。S卩，首先，在第二絕緣膜5上塗覆第二導電膜6之後，在第二導電膜上塗覆第五光 致抗蝕劑膜。通過第四光掩模在第五光致抗蝕劑膜上照射光並使第五光致抗蝕劑膜顯影來暴露第二導電膜6的區域(例如，預定區域)。在蝕刻了第二導電膜6之後，將第五光致抗 蝕劑膜的剩餘部分去除，因此，獲得如圖10所示的第二導電膜6。第二導電膜6的第五圖案包括結合到(例如，電結合到)第一有源層41的第一源 電極61和第一漏電極62以及結合到(例如，電結合到)第二有源層42的第二源電極63 和第二漏電極64。根據另一實施例，第一源電極61和第二源電極63是漏電極，第一漏電極 62和第二漏電極64是源電極。在以上結構中，第一柵電極21、第一有源層41、第一源電極61和第一漏電極62構 成第一薄膜電晶體T1，第二柵電極22、第二有源層42、第二源電極63和第二漏電極64構成
第二薄膜電晶體T2。在示例性實施例中，第一薄膜電晶體T1和第二薄膜電晶體T2是PM0S電晶體。另外，第二薄膜電晶體T2是像素驅動薄膜電晶體，第二漏電極64用作像素電極。 在下文中，標號64用於指示第二漏電極和像素電極。如上所述，形成第一源電極61、第一漏電極62、第二源電極63和第二漏電極64的 第二導電膜6可以由用於形成像素電極的任何材料形成。當像素電極64用作有機發光顯示裝置的陽極時，像素電極64可以包括由具有高 逸出功(絕對值)的金屬氧化物(例如，氧化銦錫(IT0)、氧化銦鋅(IZ0)和/或氧化鋅 (ZnO))形成的層。另外，在一些實施例中，如果有機發光顯示裝置具有沿朝向有機發光顯示 裝置的上側的方向(即，與基底1相對(或反面遠離基底1)的方向)投射圖像的結構，則 有機發光顯示裝置還包括由例如A1和Ag的合金形成的反射膜。另外，在一些實施例中，像 素電極64用作有機發光顯示裝置的陰極，像素電極66由具有低逸出功(絕對值)的高導 電金屬(例如，Al、Ag和/或Mg)形成。在這種情況下，上述的反射膜不是必需的。使用上述工藝形成根據本發明示例性實施例的有源矩陣基底。如上所述，在有源 矩陣基底的製造過程中，僅使用用於圖案化的四個光掩模。因此，可以減少工藝的道數，從 而提高產率，並因此降低製造成本。參照圖11，根據其他實施例，在製造出具有第二導電膜6的圖案的有源矩陣基底 之後，在具有第五圖案的第二導電膜6上形成第三絕緣膜7。使用任何合適的光刻工藝將第 三導電膜7圖案化，以形成至少暴露像素電極64的一部分的開口 71。即，在第二導電膜6上塗覆第三絕緣膜7之後，在第三絕緣膜7上塗覆第六光致抗 蝕劑膜。接下來，通過第五光掩模在第六光致抗蝕劑膜上照射光並使第六光致抗蝕劑膜顯 影來暴露第三絕緣膜7的區域(例如，與開口 71對應的預定區域)。在蝕刻了被暴露的第 三絕緣膜7之後，去除剩餘的第六光致抗蝕劑膜，因此獲得如圖11所示的具有第六圖案的 第三絕緣膜7。接下來，在第三絕緣膜7上沉積有機膜8。有機膜8可以包括能夠在每個像素中發 射不同顏色的發光層，發光層僅形成在通過開口 71暴露的像素電極64上。在一些實施例中，包括發光層的有機膜8由通常用於形成任何適當的有機發光顯 示裝置的材料形成，並包括選自功能層(例如，空穴傳輸層(HTL)、空穴注入層(HIL)、電子 傳輸層(ETL)和/或電子注入層(EIL))的至少一個公共層。這裡，所述至少一個公共層是 指形成在整個像素上的層。在形成有機膜8之後，在有機膜8上形成相對電極9。在操作過程中，將極性與施加到像素電極64的電壓極性相反的電壓施加到相對電極9。即，如果像素電極64是陽極， 則相對電極9是陰極，反之亦然。如果有機發光顯示裝置是沿朝向相對電極9的方向投射從有機膜8發出的圖像的 頂部發射型，則將相對電極9形成為具有高透光率，如果有機發光顯示裝置是沿朝向基底1 的方向投射圖像的底部反射型，則將相對電極9形成為具有高反光率。根據本發明的示例性實施例，在製造有機發光顯示裝置的過程中，使用數量減少 的光掩模簡單地將有源矩陣基底(即，基體基底)圖案化，從而降低了製造成本，並提高了 產率。另外，薄膜電晶體的半導體層由單晶半導體材料形成，因此能夠實現具有進一步 改善特性的電路。雖然已經結合特定的示例性實施例描述了本發明，但應當理解，本發明不限於所 公開的實施例，而是相反，本發明意在覆蓋包括在權利要求及其等同物的精神和範圍內的 各種修改和等同布置。
權利要求
一種製造有源矩陣基底的方法，所述方法包括以下步驟在基底上形成具有第一圖案的第一電極；在所述基底上形成第一絕緣膜，以覆蓋所述第一電極；通過將半導體晶片放置在所述第一絕緣膜上，將所述半導體晶片的表面上的第一層附著到所述第一絕緣膜；將所述第一層轉印到所述第一絕緣膜上，以在所述第一絕緣膜上形成半導體層；利用摻雜劑摻雜所述半導體層的一部分並將所述半導體層圖案化，以形成有源層；在所述第一絕緣膜上形成第二絕緣膜，以覆蓋所述有源層；在所述第二絕緣膜上形成結合到所述有源層的摻雜區域的第二電極。
2.根據權利要求1所述的方法，其中，將所述半導體晶片的表面上的第一層附著到所 述第一絕緣膜的步驟包括在所述半導體晶片的表面上形成所述第一層；利用第一溫度加熱所述半導體晶片，並利用與所述第一溫度不同的第二溫度加熱所述第一絕緣膜；使所述半導體晶片的表面上的所述第一層與所述第一絕緣膜接觸； 在所述半導體晶片和所述第一絕緣膜之間施加電壓；將所述半導體晶片的一部分與所述第一絕緣膜剝離開，以使所述第一層保持附著到所 述第一絕緣膜。
3.根據權利要求2所述的方法，其中，在所述半導體晶片的表面上形成所述第一層的 步驟包括將包含氫離子的氣體離子注入到所述半導體晶片的表面中。
4.根據權利要求1所述的方法，其中，所述半導體晶片包括單晶矽。
5.根據權利要求1所述的方法，其中，利用摻雜劑摻雜所述半導體層的一部分並將所 述半導體層圖案化以形成有源層的步驟包括在所述半導體層上形成第一光致抗蝕劑層，以覆蓋所述半導體層的第一部分，並通過 所述第一光致抗蝕劑層中的開口暴露所述半導體層的第一區域；通過所述第一光致抗蝕劑層中的開口利用摻雜劑摻雜所述半導體層的第一區域； 將所述半導體層圖案化成第二圖案，以形成所述有源層。
6.根據權利要求5所述的方法，其中，所述第一光致抗蝕劑層中的所述開口的圖案與 除了所述第一光致抗蝕劑層的與所述第一電極的第一圖案對應的部分之外的部分被蝕刻 的圖案相同。
7.根據權利要求6所述的方法，其中，形成所述第一光致抗蝕劑層的步驟包括 根據所述第一電極的圖案，使所述第一光致抗蝕劑層暴露於來自所述基底的下側的光；蝕刻所述第一光致抗蝕劑層，以保持所述第一光致抗蝕劑層的部分在位置上與所述第 一電極的第一圖案對應。
8.根據權利要求5所述的方法，其中，在形成所述第一光致抗蝕劑層的步驟之前，執行 將所述半導體層圖案化成所述第二圖案的步驟。
9.一種製造有機發光顯示裝置的方法，所述方法包括以下步驟 在基底形成第一柵電極和第二柵電極；在所述基底上形成第一絕緣膜，以覆蓋所述第一柵電極和所述第二柵電極； 通過將半導體晶片放置在所述第一絕緣膜上，將半導體層的表面上的第一層附著到所 述第一絕緣膜；將所述第一層轉印到所述第一絕緣膜上，以在所述第一絕緣膜上形成半導體層； 摻雜所述半導體層的第一區域和第二區域，並將所述半導體層圖案化，以形成具有所 述第一區域的第一有源層和具有所述第二區域的第二有源層，其中，至少所述第一區域和 所述第二區域摻雜有相同類型的摻雜劑；在所述第一絕緣膜上形成第二絕緣膜，以覆蓋所述第一有源層和所述第二有源層； 在所述第二絕緣膜中形成孔，以暴露所述半導體層的所述第一區域和所述第二區域； 在所述第二絕緣膜上形成結合到所述第一區域和所述第二區域的第二電極，並形成結 合到所述第二區域的像素電極；在所述第二絕緣膜上形成第三絕緣膜，以覆蓋所述第二電極和所述像素電極； 在所述第三絕緣膜中形成開口，以暴露所述像素電極的至少一部分； 在通過所述第三絕緣膜中的開口暴露的所述像素電極的所述至少一部分上形成包括 發光層的有機膜；形成相對電極，以覆蓋所述有機膜。
10.根據權利要求9所述的方法，其中，將所述半導體晶片的表面上的第一層附著到所 述第一絕緣膜的步驟包括在所述半導體晶片的表面上形成所述第一層；以第一溫度加熱所述半導體晶片，並以與所述第一溫度不同的第二溫度加熱所述第一 絕緣膜；使所述半導體晶片的表面上的所述第一層與所述第一絕緣膜接觸； 在所述半導體晶片和所述第一絕緣膜之間施加電壓；將所述半導體晶片的一部分與所述第一絕緣膜剝離開，以使所述第一層保持附著到所 述第一絕緣膜。
11.根據權利要求10所述的方法，其中，形成所述第一層的步驟包括將包含氫離子的 氣體離子注入到所述半導體晶片的表面中。
12.根據權利要求9所述的方法，其中，所述半導體晶片包括單晶矽。
13.根據權利要求9所述的方法，其中，形成所述第一有源層和所述第二有源層的步驟 包括在所述半導體層上形成第一光致抗蝕劑層，以覆蓋所述半導體層，所述第一光致抗蝕 劑層具有開口以暴露所述半導體層的所述第一區域和所述第二區域；通過所述第一光致抗蝕劑層的開口，利用摻雜劑摻雜所述半導體層的所述第一區域和 所述第二區域；去除所述第一光致抗蝕劑層；將所述半導體層圖案化成第二圖案，以形成所述第一有源層和所述第二有源層。
14.根據權利要求13所述的方法，其中，所述第一光致抗蝕劑層中的所述開口的圖案 與除了所述第一光致抗蝕劑層的與所述第一電極的第一圖案對應的部分之外的部分被蝕 刻的圖案相同。
15.根據權利要求14所述的方法，其中，形成所述第一光致抗蝕劑層的步驟包括根據所述第一柵電極和所述第二柵電極的圖案，使所述第一光致抗蝕劑層暴露於來自 所述基底的下側的光；蝕刻所述第一光致抗蝕劑層，以保持所述第一光致抗蝕劑層的部分在位置上與所述第 一柵電極和所述第二柵電極的圖案對應。
16.根據權利要求13所述的方法，其中，在形成所述第一光致抗蝕劑層的步驟之前，執 行將所述半導體層圖案化成所述第二圖案的步驟。
全文摘要
本發明提供了一種製造有源矩陣基底和有機發光顯示裝置的方法。由於在圖案化工藝期間圖案化工藝的道數減少和顆粒產生減少，所以製造有源矩陣基底的方法能夠提高產率。該方法包括在基底上形成圖案化的電極，並利用絕緣膜覆蓋第一電極。然後，通過將形成在半導體晶片的表面上的第一層附著到第一絕緣膜，在絕緣膜上形成單晶半導體層；然後，通過利用圖案化的電極作為光掩模而從基底的下側照射光，以將半導體層圖案化，並部分地進行摻雜。這樣部分地得到形成用於薄膜電晶體的單晶有源層，然後將其構造為形成用於有源矩陣基底的像素。
文檔編號H01L21/82GK101859732SQ201010001459
公開日2010年10月13日 申請日期2010年1月8日 優先權日2009年4月6日
發明者崔雄植 申請人:三星移動顯示器株式會社