一種水平井軌跡校正方法及裝置與流程
2023-05-26 15:54:11 4
本申請涉及油田勘探開發技術領域，特別涉及一種水平井軌跡校正方法及裝置。
背景技術：
石油開採領域中，一般是先在探明具有石油儲量的地層上鑽好油井，然後將開採設備從鑽好的油井探入地層中，進而對蘊藏在地層中的石油進行開採。通常將深度大於6000米的油井稱為超深水平井。目前，超深水平井鑽採技術已廣泛應用於塔北地區哈得遜、塔河、東河塘、哈拉哈塘等油田以及川東北地區元壩氣田開發。
水平井鑽井時，為了精準定位油氣層、獲得地下地質信息、彌補上設計的不確定性，往往先鑽導眼井(直井)穿過目的層段，進行錄井、測井，然後用水泥回填導眼井至目的層之上，再側鑽出水平井，因此水平井和導眼井的井口井位和補心相同。
傳統的對導眼井(直井)進行拉伸校正的方法，該校正是在已知測井儀器的重量和電纜伸縮係數的情況下，對下入井內的電纜長度，即井內深度，乘以相應比例係數，來達到深度校正的目的。但實際上目前更多的是用各種不同的測量方法來提高測量精度，比如磁羅盤單多點測斜、有線隨鑽測斜、MWD無線隨鑽測斜、陀螺測斜等，這些測量雖在某些程度上能減小誤差，但不能消除，誤差仍然隨深度增加不斷累積，特別是深度較大時誤差仍會累積到很大，對於超深水平井來說，這樣的誤差顯然過大。並且後期對採集的原始數據進行處理時又存在多種方法，例如，曲率半徑法、平衡切線法、最小曲率法、切線法、平均角法等，不同方法之間又會再次形成誤差。顯然只要誤差隨深度不斷累積，永遠不可能實現真實的測量
發明人發現現有技術中至少存在如下問題：現有技術通過改進儀器性能或改變測量方法等提高測量精度或者通過拉伸校正等方法對全井段進行校正，但誤差不斷累積，不能對井軌跡進行有效校正。
技術實現要素：
本申請實施例的目的是提供一種水平井軌跡校正方法及裝置，以提高對井軌跡的校正效果。
為解決上述技術問題，本申請實施例提供一種水平井軌跡校正方法及裝置是這樣實現的：
一種水平井軌跡校正方法，包括：
獲取導眼井的測井數據，根據所述導眼井的測井數據確定第一目的層的層頂面位置；
獲取水平井的測井數據，基於所述水平井測井數據確定第二目的層的層頂面位置；
獲取井震數據，基於所述第一目的層的層頂面位置和所述井震數據，建立三維構造面；
根據所述建立的三維構造面，調節所述水平井的第一參數以實現對水平井軌跡的校正。
優選方案中，所述導眼井的測井數據為所述導眼井的測井曲線；所述導眼井的測井曲線包括：所述導眼井的巖性曲線。
優選方案中，所述根據導眼井的測井數據確定第一目的層的層頂面位置，包括：將所述巖性曲線發生偏移的位置作為第一目的層的層頂面位置。
優選方案中，所述水平井測井數據包括：所述水平井的巖性曲線。
優選方案中，所述基於水平井測井數據確定第二目的層的層頂面位置包括：根據所述水平井的巖性曲線和所述導眼井的巖性曲線，確定第二目的層的層頂面位置；具體地，比對所述測井曲線與所述導眼井測井曲線，將所述測井曲線中偏移方向與所述導眼井測井曲線中第一目的層的偏移方向一致的位置作為第二目的層的層頂面位置。
優選方案中，所述導眼井測井數據還包括：導眼井孔隙度曲線和/或導眼井電阻率曲線；所述水平井的測井數據還包括：水平井孔隙度曲線和/或水平井電阻率曲線。
優選方案中，所述基於水平井測井數據確定第二目的層的層頂面位置包括：比對水平井和導眼井的對應測井曲線，確定發生相同方向偏移的位置，所述水平井曲線發生偏移的位置為第二目的層的層頂面位置；所述測井曲線包括：巖性曲線、孔隙度曲線和/或電阻率曲線。
優選方案中，所述根據第一目的層的層頂面位置和所述井震數據，建立三維構造面，具體包括：
根據所述井震數據確定所述第二目的層的構造趨勢面和斷層，
將所述第一目的層的層頂面位置作為基準位置，建立三維構造面；
所述三維構造面包括：基準位置，以及與所述基準位置對應的目標層。
優選方案中，所述第一參數包括所述水平井的補心海拔。
優選方案中，所述根據建立的三維構造面，調節所述水平井的第一參數以實現對水平井軌跡的校正，包括：確定所述三維構造面中的第二目的層的層頂面位置，通過調節第一參數，將所述第二目的層的層頂面位置調整至所述三維構造面中的目標層的層頂面位置。
一種水平井軌跡校正裝置，包括：第一目的層層頂面位置確定模塊、第二目的層層頂面位置確定模塊、三維構造面建立模塊和校正模塊；其中，
所述第一目的層層頂面位置確定模塊，用於獲取導眼井的測井數據，根據所述導眼井的測井數據確定第一目的層的層頂面位置；
所述第二目的層層頂面位置確定模塊，用於獲取水平井的測井數據，基於所述水平井測井數據確定第二目的層的層頂面位置；
所述三維構造面建立模塊，用於獲取井震數據，基於所述第一目的層的層頂面位置和所述井震數據，建立三維構造面；
所述校正模塊，用於根據所述建立的三維構造面，調節所述水平井的第一參數以實現對水平井軌跡的校正。
由以上本申請實施例提供的技術方案可見，本申請實施例提供的水平井軌跡正在方法及裝置，通過建立三維構造面，並在三維構造面中調整水平井的補心海拔來實現對目的層進行垂直方向的校正，在校正過程中，可以保持水平井的水平段整體形態不發生變化，從而避免了水平井垂直深度發生變化，可以消除測井產生的累計誤差，可以以提高對井軌跡的校正效果。
附圖說明
為了更清楚地說明本申請實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本申請中記載的一些實施例，對於本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動性的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
圖1是本申請水平井軌跡校正方法一個實施例的流程圖；
圖2是本申請方法實施例中一個測井曲線和實際水平井軌跡的示意圖；
圖3是本申請根據圖2確定的第一目的層的層頂面位置和第二目的層的層頂面位置的示意圖；
圖4是本申請根據圖3中的第一目的層的層頂面位置建立的三維構造面示意圖；
圖5是本申請根據圖4中構造的三維構造面對圖2中水平井軌跡進行校正的示意圖；
圖6是本申請水平井軌跡校正裝置一個實施例的模塊圖。
具體實施方式
本申請實施例提供一種水平井軌跡校正方法及裝置。
為了使本技術領域的人員更好地理解本申請中的技術方案，下面將結合本申請實施例中的附圖，對本申請實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本申請一部分實施例，而不是全部的實施例。基於本申請中的實施例，本領域普通技術人員在沒有作出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都應當屬於本申請保護的範圍。
圖1是本申請水平井軌跡校正方法一個實施例的流程圖。如圖1所示，所述水平井軌跡校正方法可以包括：
S101：獲取導眼井的測井數據，根據所述導眼井的測井數據確定第一目的層的層頂面位置。
可以獲取導眼井的測井數據，根據所述導眼井的測井數據可以確定第一目的層的層頂面位置。
所述導眼井的測井數據可以為所述導眼井的測井曲線。所述導眼井的測井曲線可以包括：所述導眼井的巖性曲線。所述巖性曲線可以是用於表示巖石性質隨導眼井深度發生變化的曲線。在巖石性質發生強烈變化的地方，所述巖性曲線可能發生較大位置的偏移。
根據所述導眼井測井曲線，可以確定第一目的層的層頂面位置。具體地，可以將所述巖性曲線發生偏移的位置作為第一目的層的層頂面位置。例如，可以將所述導眼井測井曲線中發生向左偏移的曲線所在的位置作為第一目的層的位置，所述導眼井測井曲線向左偏移部分的頂部位置即為所述第一目的層的層頂面位置。
在另一個實施方式中，所述導眼井測井數據還可以包括：導眼井孔隙度曲線和/或導眼井電阻率曲線。進一步地，可以根據所述導眼井巖性曲線、導眼井孔隙度曲線和/或導眼井電阻率曲線來確定所述第一目的層的層頂面位置。
S102：獲取水平井的測井數據，基於所述水平井測井數據確定第二目的層的層頂面位置。
所述第二目的層的層頂面位置可以用於表示根據測井數據確定的目的層的層頂面位置。
所述水平井測井數據可以包括：所述水平井的巖性曲線。
所述基於水平井測井數據確定第二目的層的層頂面位置可以包括：根據所述水平井的巖性曲線和所述導眼井的巖性曲線，確定第二目的層的層頂面位置。具體地，可以比對所述測井曲線與所述導眼井測井曲線，將所述測井曲線中偏移方向與所述導眼井測井曲線中第一目的層的偏移方向一致的位置作為第二目的層的層頂面位置。例如，所述導眼井測井曲線中第一目的層的位置發生了向左偏移，那麼可以將所述水平井測井曲線中發生向左偏移的位置作為第二目的層的層頂面位置。
在另一個實施方式中，所述水平井的測井數據還可以包括：水平井孔隙度曲線和/或水平井電阻率曲線。
進一步地，可以根據所述水平井巖性曲線、水平井孔隙度曲線和/或水平井電阻率曲線來確定所述第二目的層的層頂面位置。具體地，可以比對水平井和導眼井的對應測井曲線，確定發生相同方向偏移的位置，所述水平井曲線發生偏移的位置可以為第二目的層的層頂面位置。
S103：獲取井震數據，基於所述第一目的層的層頂面位置和所述井震數據，建立三維構造面。
可以獲取井震數據。所述井震數據可以包括地層的構造趨勢面和斷層。根據所述第一目的層的層頂面位置和所述井震數據，可以建立三維構造面。
具體地，可以根據所述井震數據確定所述第二目的層的構造趨勢面和斷層，將所述第一目的層的層頂面位置作為基準位置，建立三維構造面。所述三維構造面可以包括：基準位置，以及與所述基準位置對應的目標層。
所述建立三維構造面可以利用斯倫貝謝公司的petrel軟體來實現。需要說明的是，也可以採用其他方式實現三維構造面的建立，本申請對此並不作出限定。
S104：根據所述建立的三維構造面，調節所述水平井的第一參數以實現對水平井軌跡的校正。
根據所述建立的三維構造面，可以調節所述水平井的第一參數以實現對水平井軌跡的校正。
所述第一參數可以包括所述水平井的補心海拔。具體地，可以確定所述三維構造面中的第二目的層的層頂面位置，通過調節第一參數，將所述第二目的層的層頂面位置調整至所述三維構造面中的目標層的層頂面位置。從而可以實現對水平井軌跡的校正。例如，通過調節補心海拔的值，可以垂直上升或下降所述第二目的層的層頂面位置，將所述第二目的層的層頂面位置調整為和所述三維構造面中的目標層層頂面相交，從而實現對所述三維構造面中的水平井軌跡的校正。
其中，所述調整的第一參數的值可以作為所述水平井軌跡的校正量。
下面結合一個實際的例子來說明本申請的方法實施例。
圖2是本申請方法實施例中一個測井曲線和實際水平井軌跡的示意圖。由圖2可以看出，真實的水平井軌跡與測量得到的水平井軌跡存在誤差。
圖3是本申請根據圖2確定的第一目的層的層頂面位置和第二目的層的層頂面位置的示意圖。圖3中，可以將所述水平井測井曲線中發生向左偏移的位置作為第二目的層的層頂面位置，相應地，可以將所述水平井曲線發生向左偏移的位置作為第二目的層的層頂面位置，即圖中A點所在位置。
圖4是本申請根據圖3中的第一目的層的層頂面位置建立的三維構造面示意圖。可以將將所述第一目的層的層頂面位置作為基準位置，建立三維構造面。
圖5是本申請根據圖4中構造的三維構造面對圖2中水平井軌跡進行校正的示意圖。通過調整補心海拔，可以將A點調整至所述三維構造面上。所述補心海拔的值即為水平井軌跡的校正量。
上述實施例公開的水平井軌跡校正方法，通過建立三維構造面，並在三維構造面中調整水平井的補心海拔來實現對目的層進行垂直方向的校正，在校正過程中，可以保持水平井的水平段整體形態不發生變化，從而避免了水平井垂直深度發生變化，可以消除測井產生的累計誤差，可以以提高對井軌跡的校正效果。
本申請還提供一種水平井軌跡校正裝置的實施例。
圖6是本申請水平井軌跡校正裝置實施例的模塊圖。如圖6所示，所述水平井軌跡校正裝置可以包括：第一目的層層頂面位置確定模塊201、第二目的層層頂面位置確定模塊202、三維構造面建立模塊203和校正模塊204。其中，
所述第一目的層層頂面位置確定模塊201，可以用於獲取導眼井的測井數據，根據所述導眼井的測井數據確定第一目的層的層頂面位置。
所述第二目的層層頂面位置確定模塊202，可以用於獲取水平井的測井數據，基於所述水平井測井數據確定第二目的層的層頂面位置。
所述三維構造面建立模塊203，可以用於獲取井震數據，基於所述第一目的層的層頂面位置和所述井震數據，建立三維構造面。具體地，可以根據所述井震數據確定所述第二目的層的構造趨勢面和斷層，將所述第一目的層的層頂面位置作為基準位置，建立三維構造面。
所述校正模塊204，可以用於根據所述建立的三維構造面，調節所述水平井的第一參數以實現對水平井軌跡的校正。具體地，所述第一參數可以包括所述水平井的補心海拔。可以確定所述三維構造面中的第二目的層的層頂面位置，通過調節第一參數，將所述第二目的層的層頂面位置調整至所述三維構造面中的目標層的層頂面位置。
上述實施例公開的水平井軌跡校正裝置與本申請的方法實施例相對應，可以實現本申請的方法實施例，並取得方法實施例的技術效果。
在20世紀90年代，對於一個技術的改進可以很明顯地區分是硬體上的改進(例如，對二極體、電晶體、開關等電路結構的改進)還是軟體上的改進(對於方法流程的改進)。然而，隨著技術的發展，當今的很多方法流程的改進已經可以視為硬體電路結構的直接改進。設計人員幾乎都通過將改進的方法流程編程到硬體電路中來得到相應的硬體電路結構。因此，不能說一個方法流程的改進就不能用硬體實體模塊來實現。例如，可編程邏輯器件(Programmable Logic Device,PLD)(例如現場可編程門陣列(Field Programmable Gate Array，FPGA))就是這樣一種集成電路，其邏輯功能由用戶對器件編程來確定。由設計人員自行編程來把一個數字系統「集成」在一片PLD上，而不需要請晶片製造廠商來設計和製作專用的集成電路晶片2。而且，如今，取代手工地製作集成電路晶片，這種編程也多半改用「邏輯編譯器(logic compiler)」軟體來實現，它與程序開發撰寫時所用的軟體編譯器相類似，而要編譯之前的原始代碼也得用特定的程式語言來撰寫，此稱之為硬體描述語言(Hardware Description Language，HDL)，而HDL也並非僅有一種，而是有許多種，如ABEL(Advanced Boolean Expression Language)、AHDL(Altera Hardware Description Language)、Confluence、CUPL(Cornell University Programming Language)、HDCal、JHDL(Java Hardware Description Language)、Lava、Lola、MyHDL、PALASM、RHDL(Ruby Hardware Description Language)等，目前最普遍使用的是VHDL(Very-High-Speed Integrated Circuit Hardware Description Language)與Verilog2。本領域技術人員也應該清楚，只需要將方法流程用上述幾種硬體描述語言稍作邏輯編程並編程到集成電路中，就可以很容易得到實現該邏輯方法流程的硬體電路。
控制器可以按任何適當的方式實現，例如，控制器可以採取例如微處理器或處理器以及存儲可由該(微)處理器執行的計算機可讀程序代碼(例如軟體或固件)的計算機可讀介質、邏輯門、開關、專用集成電路(Application Specific Integrated Circuit，ASIC)、可編程邏輯控制器和嵌入微控制器的形式，控制器的例子包括但不限於以下微控制器：ARC 625D、Atmel AT91SAM、Microchip PIC18F26K20以及Silicone Labs C8051F320，存儲器控制器還可以被實現為存儲器的控制邏輯的一部分。
本領域技術人員也知道，除了以純計算機可讀程序代碼方式實現控制器以外，完全可以通過將方法步驟進行邏輯編程來使得控制器以邏輯門、開關、專用集成電路、可編程邏輯控制器和嵌入微控制器等的形式來實現相同功能。因此這種控制器可以被認為是一種硬體部件，而對其內包括的用於實現各種功能的裝置也可以視為硬體部件內的結構。或者甚至，可以將用於實現各種功能的裝置視為既可以是實現方法的軟體模塊又可以是硬體部件內的結構。
上述實施例闡明的系統、裝置、模塊或單元，具體可以由計算機晶片或實體實現，或者由具有某種功能的產品來實現。
為了描述的方便，描述以上裝置時以功能分為各種單元分別描述。當然，在實施本申請時可以把各單元的功能在同一個或多個軟體和/或硬體中實現。
通過以上的實施方式的描述可知，本領域的技術人員可以清楚地了解到本申請可藉助軟體加必需的通用硬體平臺的方式來實現。基於這樣的理解，本申請的技術方案本質上或者說對現有技術做出貢獻的部分可以以軟體產品的形式體現出來，在一個典型的配置中，計算設備包括一個或多個處理器(CPU)、輸入/輸出接口、網絡接口和內存。該計算機軟體產品可以包括若干指令用以使得一臺計算機設備(可以是個人計算機，伺服器，或者網絡設備等)執行本申請各個實施例或者實施例的某些部分所述的方法。該計算機軟體產品可以存儲在內存中，內存可能包括計算機可讀介質中的非永久性存儲器，隨機存取存儲器(RAM)和/或非易失性內存等形式，如只讀存儲器(ROM)或快閃記憶體(flash RAM)。內存是計算機可讀介質的示例。計算機可讀介質包括永久性和非永久性、可移動和非可移動媒體可以由任何方法或技術來實現信息存儲。信息可以是計算機可讀指令、數據結構、程序的模塊或其他數據。計算機的存儲介質的例子包括，但不限於相變內存(PRAM)、靜態隨機存取存儲器(SRAM)、動態隨機存取存儲器(DRAM)、其他類型的隨機存取存儲器(RAM)、只讀存儲器(ROM)、電可擦除可編程只讀存儲器(EEPROM)、快閃記憶體或其他內存技術、只讀光碟只讀存儲器(CD-ROM)、數字多功能光碟(DVD)或其他光學存儲、磁盒式磁帶，磁帶磁磁碟存儲或其他磁性存儲設備或任何其他非傳輸介質，可用於存儲可以被計算設備訪問的信息。按照本文中的界定，計算機可讀介質不包括短暫電腦可讀媒體(transitory media)，如調製的數據信號和載波。
本說明書中的各個實施例均採用遞進的方式描述，各個實施例之間相同相似的部分互相參見即可，每個實施例重點說明的都是與其他實施例的不同之處。尤其，對於系統實施例而言，由於其基本相似於方法實施例，所以描述的比較簡單，相關之處參見方法實施例的部分說明即可。
本申請可用於眾多通用或專用的計算機系統環境或配置中。例如：個人計算機、伺服器計算機、手持設備或可攜式設備、平板型設備、多處理器系統、基於微處理器的系統、置頂盒、可編程的消費電子設備、網絡PC、小型計算機、大型計算機、包括以上任何系統或設備的分布式計算環境等等。
本申請可以在由計算機執行的計算機可執行指令的一般上下文中描述，例如程序模塊。一般地，程序模塊包括執行特定任務或實現特定抽象數據類型的例程、程序、對象、組件、數據結構等等。也可以在分布式計算環境中實踐本申請，在這些分布式計算環境中，由通過通信網絡而被連接的遠程處理設備來執行任務。在分布式計算環境中，程序模塊可以位於包括存儲設備在內的本地和遠程計算機存儲介質中。
雖然通過實施例描繪了本申請，本領域普通技術人員知道，本申請有許多變形和變化而不脫離本申請的精神，希望所附的權利要求包括這些變形和變化而不脫離本申請的精神。