薄膜集成電路的製造方法和元件基片的製作方法
2023-05-26 10:36:01 3
專利名稱：薄膜集成電路的製造方法和元件基片的製作方法
技術領域：
本發明涉及能存儲大量信息的薄膜集成電路的製造方法以及其中製造了薄膜集成電路的元件基片。
背景技術：
近年來，在諸如安全和貨物管理的需要自動識別的所有領域中都越來越需要能進行無接觸數據通信的具有IC晶片的卡片或者具有IC晶片的標籤。考慮到應用，因為多數IC卡片或IC標籤將在使用之後丟棄，所以需要低成本地製造這種IC卡片或IC標籤。對於用矽晶片構成的IC晶片來說尤其需要降低成本。
作為這種IC晶片的一種應用，IC晶片被置於動物的一部分上並用於控制傳染病及確保牲畜的質量安全管理。類似地，銷售帶有IC晶片的蔬菜，該IC晶片存儲了關於生產商、生產區域、殺蟲劑的使用等信息，以便蔬菜的安全管理。
作為另一應用，提出將IC晶片安裝於債券上以防止其濫用，並允許該債券在返回給合格的管理員後可重新使用(參考文件1日本專利公開No.2001-260580)。
發明內容
用矽晶片構成的這種IC晶片的成本降低接近於極限。但是，預計IC晶片應用的多樣性和IC晶片的需求會增長，並需要進一步降低成本。
因此，本發明的一個目的在於提供一種實現更低成本生產的結構和過程。
考慮到以上目的，本發明的一項特點在於在具有絕緣表面的基片(絕緣基片)上形成薄膜集成電路(也稱作IDF晶片或半導體器件)，分離該絕緣基片，並防止多個IDF晶片相互分離。
當IDF晶片按此方式形成於絕緣基片上時，與將晶片取出圓形矽晶片的情況相比，對母基片的形狀的限制較少。因此，可改進IDF晶片的生產率並可進行其大規模生產。因此，可降低IDF晶片的成本。單位價格極低的IDF晶片可通過降低其單位成本來產生巨大的利潤。
此外，通過分離絕緣基片，可重新使用該絕緣基片。因此，本發明可實現比通過拋光矽晶片變薄的常規IC晶片更低的成本。
極薄IDF晶片可通過分離絕緣晶片來製造。在與絕緣基片分離後，可將IDF晶片轉移到另一絕緣基片(也稱作轉移基片)。此時，轉移基片最好是具有柔性的基片(以下也稱作柔性基片)。在某些情況中，如上所述地將IDF晶片的(包括處於製造過程中的一個)元件轉移到另一基片被稱作「轉移」。
本發明的一個特殊特點在於通過去除絕緣基片上形成的分離層來分離絕緣基片。用於去除分離層的方法包括使用蝕刻劑(氣體或液體)的化學去除方法以及施加應力的物理去除方法。特別地，因為可以抑制殘渣等的生成，較佳地用蝕刻劑化學去除分離層。更佳地通過形成達到分離層的凹槽並將蝕刻劑引入該凹槽來去除分離層。含滷化物的氣體或液體可用作蝕刻劑。例如，ClF3(三氟化氯)、NF3(三氟化氮)、BrF3(三氟化溴)或氟化氫(HF)可用作滷化物。
例如，當天線獨立地形成然後附著時，附著要配備天線的基片(也稱作天線基片)。此後，可去除分離層。換言之，天線基片具備一開口並被附著到具備有IDF晶片和凹槽的絕緣基片；然而，用蝕刻劑化學去除分離層。因此，天線可被附著到集成IDF晶片而不被相互分開。
作為防止IDF晶片相互分開的另一手段，IDF晶片之間形成的絕緣膜或導電膜的一部分保留不去除，同時形成凹槽(不去除的區域稱作連接區)。在這種情況中，通過從選擇性形成的凹槽中引入蝕刻劑來去除分離層。此時，因為IDF晶片通過連接區相互連接，多個IDF晶片集成在一起而不相互分開。隨後，按需形成天線。
其中如上所述地製造IDF晶片的元件基片的一個特點在於具有含多個薄膜集成電路的絕緣基片，它們之間有分離層，並具有與絕緣基片相對放置的天線基片，其中天線基片具備天線和開口，且凹槽設置於薄膜集成電路之間以對應於該開口。
具有另一結構的元件基片的一個特點在於具有含多個薄膜集成電路的絕緣基片，它們之間有分離層，並具有與絕緣基片相對放置的天線基片，其中所述多個薄膜集成電路通過連接區集成，天線基片具備天線和開口，凹槽設置於薄膜集成電路之間以對應於該開口，且開口設置於薄膜集成電路中。
當IDF晶片按此方式形成於絕緣基片上時，與將晶片取出圓形矽晶片的情況相比，對母基片的形狀的限制較少。因此，可改進IDF晶片的生產率並可進行其大規模生產。因此，可降低IDF晶片的成本。單位價格極低的IDF晶片可通過將其單位成本來產生巨大的利潤。
例如，將使用直徑為12英寸的矽晶片的情況中的晶片數量與使用大小為7300×9200mm2的玻璃基片的情況中的晶片數量進行比較。前者(矽晶片)的面積約為73000mm2，而後者(玻璃基片)的面積約為672000mm2。玻璃基片約是矽基片的9.2倍大。不考慮切割邊際，面積約為672000mm2的玻璃基片可具備約672000個1mm2的IDF晶片，這是矽基片的約9.2倍。由於使用大小為7300×9200mm2的玻璃基片的IDF晶片的大規模生產可以用比使用12英寸直徑矽基片的情況更少的步驟來實現，可以將資金投入量降低到三分之一。
當如上所述地製造IDF晶片而不相互分離時，不再涉及在處理期間用IDF晶片阻塞裝置的排出系統。可以降低處理極小IDF晶片的複雜性。大基片上形成的薄IDF晶片可因應力而彎曲。但是，通過製造要集成的IDF晶片可防止翹曲。特別是，通過在IDF晶片之間提供連接區可增強防翹曲效果。
圖1A和1B示出了製造薄膜集成電路的步驟。
圖2A到2C示出了製造薄膜集成電路的步驟。
圖3A到3C示出了製造薄膜集成電路的步驟。
圖4A到4C示出了製造薄膜集成電路的步驟。
圖5A到5C示出了製造薄膜集成電路的步驟。
圖6A到6C示出了製造薄膜集成電路的步驟。
圖7A和7B示出了製造天線的步驟。
圖8A到8C示出了製造薄膜集成電路的步驟。
圖9A到9C示出了製造薄膜集成電路的步驟。
圖10A到10C示出了製造薄膜集成電路的步驟。
圖11A到11C示出了製造薄膜集成電路的步驟。
圖12A到12C示出了製造薄膜集成電路的步驟。
圖13A到13C示出了製造薄膜集成電路的步驟。
圖14A到14E示出了製造薄膜集成電路的步驟。
圖15A和15B示出了安裝有薄膜集成電路的一製品。
圖16A到16C示出了安裝有薄膜集成電路的一製品。
圖17A和17B示出了安裝有薄膜集成電路的一製品。
圖18A示出了安裝有薄膜集成電路的一製品的應用，且圖18B示出了IDF晶片和讀取器/寫入器的電路配置。
圖19A和19B示出了安裝有薄膜集成電路的彎曲製品。
圖20A和20B示出了製造薄膜集成電路的步驟。
圖21A和21B示出了製造薄膜集成電路的步驟。
圖22A到22C示出了薄膜集成電路的模式。
圖23A和23B示出了製造薄膜集成電路的步驟。
圖24示出了薄膜集成電路的製造裝置。
圖25A到25D示出了製造薄膜集成電路的步驟。
圖26A和26B示出了製造薄膜集成電路的步驟。
圖27示出了安裝有薄膜集成電路的製品。
圖28示出了安裝有薄膜集成電路的製品。
圖29示出了安裝有薄膜集成電路的製品。
具體實施例方式
這裡參考附圖描述本發明的較佳實施例。本發明不限於以下描述。本領域的熟練技術人員易於了解，本發明的模式和細節可任意改變而不背離本發明的用途和範圍。因此，本發明不被解釋為限於實施例模式的以下描述。注意在用於示出實施例模式的附圖中，對具有相似功能的相同部分或一部分給出相同的標號，並省去其重複描述。
(實施例模式1)在本實施例模式中描述在附著天線基片後去除分離層的模式。
如圖1A所示，具有一半導體膜作為活性區的分離層102和薄膜電晶體(也稱作TFT)層103順序地形成於絕緣基片100上，從而形成多個IDF晶片104。雖然以下將描述TFT層的詳細結構，半導體薄膜的厚度形成為0.2μm或以下，通常為40nm到170nm，且最好為50nm到150nm。
因為將極薄的半導體薄膜作為活性區，IDF晶片可比用矽晶片形成的晶片更薄。IDF晶片的特定厚度為0.3μm到3μm，通常約2μm。
隨後，在TFT層上IDF晶片之間的邊界處形成凹槽105。凹槽可通過切割、劃線、使用掩模進行蝕刻等而形成。凹槽可形成為具有露出分離層的深度。注意，凹槽並非必然需要形成於IDF晶片之間的每條邊界處，它可以一定間隔在IDF晶片之間的邊界上形成。
如圖21A所示，開口108可形成於TFT層103中。開口需要形成於TFT層103中除形成半導體薄膜的區域以外的區域。當組合凹槽使用這種開口時，可減小凹槽的大小並可縮短去除分離層所需的時間。
由諸如硼矽酸鋇玻璃或硼矽酸鋁玻璃的玻璃製成的基片、石英基片等可用作絕緣基片。此外，由諸如塑料的合成樹脂或丙烯酸製成的基片可用作具有絕緣表面的另一基片，所述塑料由聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)或聚醚碸(PES)代表。也可以使用在其表面上設置了氧化矽、氮化矽等絕緣薄膜的諸如不鏽鋼的金屬、半導體基片等。在使用這種絕緣基片的情況中，與將晶片取出圓形矽晶片的情況相比，對母基片的形狀限制較少。因此，可實現IDF晶片成本的降低。
分離層僅需要是包含矽的薄膜，它可以是非晶半導體、其中混合了非晶態和晶態的半非晶半導體(也稱作SAS)以及結晶半導體的任何情況。注意，SAS包括其中在非晶半導體內可觀察到0.5nm到20nm的晶粒的微晶半導體。分離層可通過濺射法、等離子體CVD法等形成。分離層的厚度最好在30nm到1μm的範圍內，並可以是30nm或以下，只要該厚度不低於為薄膜形成裝置確定的最小厚度。
分離層可添加諸如磷或硼的元素。該元素可通過加熱等激活。可通過添加該元素來增加分離層的反應速度，即蝕刻速度。
基底薄膜形成於分離層上，以使TFT層不被蝕刻。基底薄膜具有包含氧或氮的絕緣膜(諸如氧化矽(SiOx)薄膜、氮化矽(SiNx)薄膜、氧氮化矽(SiOxNy)(x＞y)或氮氧化矽(SiNxOy)(x＞y)(x，y＝1，2…)薄膜)的單層結構或具有其疊層結構。
天線基片111具備預定形狀的多個天線112並適當地配備開口113。開口具有圓形形狀(對應於所謂的孔)、矩形形狀(對應於所謂的縫隙)等。此外，開口最好形成為與凹槽105重疊。
用粘合劑等將絕緣基片100附著到天線基片111。包括分散導體的各向異性導體、超聲波粘合劑或紫外線固化樹脂可用作粘合劑。
如圖1B所示，在天線基片附著到絕緣基片的情況下將蝕刻劑115引入開口和凹槽以去除分離層。包含由ClF3所代表的滷化物的氣體或液體用作所述蝕刻劑。
在去除分離層後分離絕緣基片。此後，通過切割、劃線或雷射切割方法切下每個IDF晶片。例如，可使用由玻璃基片吸收的雷射(諸如CO2雷射)來切割每個IDF晶片。IDF晶片的周邊(諸如側面)可用諸如環氧樹脂的有機樹脂覆蓋。因此，保護IDF晶片與外界隔絕並使其變得容易攜帶。因此形成的IDF晶片可以是5mm平方(25mm2)或以下，最好為0.3mm平方(0.09mm2)到4mm平方(16mm2)。
本發明的IDF晶片可在沒有絕緣表面的情況下完成並安裝於製品上。因此，IDF晶片可變薄並減小重量，安裝了該IDF晶片的製品也可整體地變薄並減輕重量。
可以安裝單獨轉移到轉移基片上的IDF晶片。轉移基片最好是柔性基片。由諸如塑料的合成樹脂或丙烯酸製成的基片可用作上述柔性基片，所述塑料由聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)或聚醚碸(PES)所代表。
熱固性樹脂、紫外線固化樹脂、環氧樹脂、樹脂添加劑、雙面帶等可用作用於附著柔性基片的粘合劑。
作為將IDF晶片轉移到柔性基片上的結果，能增加IDF晶片的斷裂強度。與形成於絕緣基片上的IDF晶片相比，轉移到柔性基片上的IDF晶片可製成更輕、更薄或更柔性。
可重新使用分離的絕緣基片。因此，可降低IDF晶片的成本。在重新使用的情況下，最好控制形成凹槽過程中的切割、劃線等，以不損壞該絕緣基片。然而，即使在損壞絕緣基片的情況下，也可通過塗敷法或微滴排放法形成有機樹脂或無機薄膜而進行平面化處理。注意，微滴排放法是用於選擇性地排放(噴塗)與導電膜、絕緣膜等的材料混合的化合物的微滴(也稱作點)，它取決於其模式也稱作噴墨法。
如上所述，當在具有絕緣表面的基片上形成IDF晶片時，與將晶片取出圓形矽晶片的情況相比，對母基片形狀的限制較少。因此，可改進IDF晶片的生產率並可進行其大規模生產。由於可重新使用絕緣晶片，從而可降低IDF晶片的成本。因此，可實現IDF晶片成本的降低。
與用矽晶片形成的晶片不同，IDF晶片具有作為活性區的0.2μm或以下的半導體薄膜並且很薄。為增加這種薄形IDF晶片的強度，可採用轉移到柔性基片上的方法。與用矽晶片構成的晶片相比，這種薄、輕或高度柔性的IDF晶片更難損壞。
與用矽晶片構成的晶片相比，IDF晶片不存在波吸收的危險且具有良好的信號接收性。因為IDF晶片沒有矽晶片，所以它可以是透光的。
注意，本實施例模式中描述了將IDF晶片附著到天線的情況；然而，天線可直接形成於IDF晶片上。可通過在未設置天線的絕緣基片上而非天線基片上提供開口來防止IDF晶片的分離。因此，可以獲得本發明的效果。
特別地，IDF晶片包括安裝了天線的非接觸式IDF晶片(取決於應用也稱作RFID標籤或RFID晶片，或者RFID存儲器或RFID處理器)、配備與外部電源連接的終端而未安裝天線的接觸式IDF晶片、以及作為非接觸型和接觸型的組合的混合IDF晶片。
本實施例模式中描述了非接觸式IDF晶片，但它也可以是接觸式IDF晶片或混合IDF晶片。即使在沒有天線的接觸式IDF晶片的情況中，也能通過在未設置天線的絕緣基片上而非天線基片上提供開口來防止IDF晶片的分離。因此，可獲得本發明的效果。
(實施例模式2)本實施例模式中描述了選擇性形成凹槽和部分保留在IDF晶片之間設置的絕緣膜、導電膜等的模式。
如圖8A所示，分離層102和TFT層103順序地形成於絕緣基片100上，從而形成與實施例模式1相類似的多個IDF晶片104。注意，以下描述TFT層的細節。
因為IDF晶片之間的邊界處形成的凹槽105是選擇性地形成的，可在IDF晶片之間保留絕緣膜、導電膜等。IDF晶片之間的這種絕緣膜、導電膜等被稱作連接區106。注意，連接區可具有連接要集成的IDF晶片的功能、並可以具有單層結構或疊層結構。
如圖21B所示，開口108可形成於TFT層103中。開口需要形成於TFT層103中除形成半導體膜的區域以外的區域。當結合凹槽使用這種開口時，可減小凹槽大小或者可縮短去除分離層所需的時間。
如圖8B所示，蝕刻劑115被引入凹槽105以去除分離層。如實施例模式1中那樣，包含由ClF3所代表的滷化物的氣體或液體用作所述蝕刻劑。
此時，調節反應時間和引入量，以便也去除連接區106下形成的分離層。連接區下的分離層後退以便去除。因此，絕緣基片被分離；但由於通過連接區集成，IDF晶片相互之間不分離。
如實施例模式1中那樣，分離後的絕緣基片可重新使用。
然後，按需形成天線，如圖8C所示。在本實施例模式中，附著天線基片111上形成的天線112。此時，天線基片不包含開口。
此後，通過切割、劃線或雷射切割法來切割IDF晶片。例如，可使用由玻璃基片吸收的雷射(諸如CO2雷射)來切割IDF晶片。如實施例模式1那樣，IDF晶片的周邊(諸如側面)可用諸如環氧樹脂的有機樹脂覆蓋。
在本實施例模式中，IDF晶片可完成而不轉移到轉移基片上。因此，IDF晶片可變薄並減輕重量，且安裝該IDF晶片的製品整體上也可變薄和減輕重量。如實施例模式1那樣，IDF晶片可轉移到轉移基片上。因此，可增加IDF晶片的斷裂強度。
(實施例模式3)本實施例模式中描述將具備開口的天線基片(如實施例模式1中所述的)附著到具備IDF晶片之間的連接區的絕緣基片(如實施例模式2中所述的)的模式。
如圖20A所示，分離層102和TFT層103順序地形成於絕緣基片100上，且選擇性地形成凹槽105以在IDF晶片104之間具有連接區106，像實施例模式2一樣。
然後，具備天線112和開口113的天線基片111附著其上，像實施例模式1一樣。此時，最好附著天線基片以將開口113定位到凹槽105。
如圖20B所示，蝕刻劑115被引入開口和凹槽。然後，去除分離層並可分離絕緣基片100。此時，由於通過連接區和天線基片集成，IDF晶片彼此之間不分離。
本實施例模式中描述了在附著天線基片後引入蝕刻劑的情況；然而，蝕刻劑可在附著天線基片前引入。即使在該情況中，也可分離絕緣基片而使IDF晶片不彼此分離，因為IDF晶片通過連接區集成。
此後，通過切割、劃線或雷射切割法來切割IDF晶片。例如，可使用由玻璃基片吸收的雷射(諸如CO2雷射)來切割IDF晶片。
此後，像實施例模式1一樣，IDF晶片的周邊(諸如側面)可用諸如環氧樹脂的有機樹脂覆蓋。
在本實施例模式中，IDF晶片可完成而不轉移到轉移基片上。但是，IDF晶片可像實施例模式1中一樣被轉移到轉移基片。因此，可增加IDF晶片的斷裂強度。
(實施例1)本實施例中更詳細地描述實施例模式1中所述模式的方法。
圖2A是在絕緣基片100上形成12個IDF晶片的情況的俯視圖，圖2B是沿圖2A的線a-b的橫截面視圖，且圖2C是沿圖2A的線c-d的橫截面視圖。
如圖2B所示，在絕緣基片100上形成的其間具有分離層102的TFT層包括各自具有絕緣膜的薄膜電晶體128n和128p、形成期望形狀圖案的半導體膜124、用作柵極絕緣膜的絕緣膜125(以下稱作柵極絕緣膜)以及用作柵電極的導電膜126(以下稱作柵電極)。半導體膜包括溝道形成區和雜質區(包括源極區、漏極區、GOLD區和LDD區)並可根據所添加雜質元素的導電性而分成n溝道薄膜電晶體128n和p溝道薄膜電晶體128p。半導體膜還包括布線130，它被形成為連接到每個雜質區。
在本實施例中，厚度為30nm到1μm(最好為30nm到50nm)的SAS被用作分離層；但是，可使用上述其它材料。
在本實施例中，絕緣膜可具有疊層結構並具有第一絕緣膜121、第二絕緣膜122和第三絕緣膜123。例如，氧化矽膜用作第一絕緣膜；氧氮化矽膜用作第二絕緣膜；且氧化矽膜用作第三絕緣膜。考慮到基片的雜質擴散等，最好使用氧氮化矽膜。但是，所關注的是氧氮化矽膜與分離層和半導體膜的粘附力較差。因此，最好提供氧化矽膜，它與分離層、半導體膜和氧氮化矽膜具有良好的粘附力。
半導體膜124可以是非晶半導體、混合了非晶態和晶態的SAS、可在非晶半導體內觀察到0.5nm到20nm晶粒的微晶半導體以及結晶半導體中的任一情況。
在使用能耐膜形成處理溫度的基片(例如石英基片)的情況中，可通過CVD法等在基片上形成結晶半導體膜。
在本實施例中，形成並熱處理非晶半導體膜，以形成結晶化的結晶半導體膜。加熱爐、雷射輻射、從代替雷射的燈發出的光的輻射(以下稱作燈退火)或其組合可用作熱處理。
在使用雷射輻射的情況中可使用連續波雷射器(CW雷射器)或脈衝波雷射器(脈衝雷射器)；可以使用Ar雷射器、Kr雷射器、準分子雷射器、YAG雷射器、Y2O3雷射器、YVO4雷射器、YLF雷射器、YAlO3雷射器、玻璃雷射器、紅寶石雷射器、翠綠寶石雷射器、Ti藍寶石雷射器、銅蒸氣雷射器和金蒸氣雷射器中的一個或多個。通過用以上雷射器的基波以及基波的二次諧波到四次諧波進行輻射，可獲得大粒度的晶體。例如，可使用Nd:YVO4雷射器(1064nm的基波)的二次諧波(532nm)或三次諧波(355nm)。那時雷射器的能量密度需要在約0.01MW/cm2到100MW/cm2(最好為0.1MW/cm2到10MW/cm2)的範圍內。隨後，以約10cm/sec到2000cm/sec的掃描速度進行雷射輻射。
例如，用圖23A所示的光學系統和CW雷射器進行結晶化。首先，從雷射振蕩器290發出的CW雷射束由光學系統291拉長並被處理成直線形狀。具體地，當雷射束通過光學系統291中包含的圓柱透鏡或凸透鏡時雷射束可被處理為直線形狀。雷射束最好被處理為具有200μm到350μm的點長軸長度。
此後，被處理為直線形狀的雷射束通過檢流計反射鏡293和fθ透鏡294進入半導體膜124。此時，調節直線雷射以在半導體膜上形成具有預定大小的雷射點282。此外，fθ透鏡294使得雷射點282的形狀在被輻射對象的表面上恆定，而不管檢流計反射鏡的角度如何。
此時，用於控制檢流計反射鏡的振動的設備(控制設備)296振動該檢流計反射鏡，換言之，改變反射鏡的角度。雷射點282在一個方向上移動(例如，在圖中的X軸方向上)。例如，當檢流計反射鏡振動半個周期時，雷射點在半導體膜上在X軸方向上移動某一寬度(向外)。
隨後，半導體膜在Y軸方向上移動XY段295。雷射點按同樣的方式通過檢流計反射鏡在半導體膜上沿X軸方向移動(返回)。隨著雷射束的這種往返移動，雷射點沿著路徑283移動，以在整個半導體膜上進行雷射退火。
如圖23B所示，在薄膜電晶體上進行雷射退火，使得載流子流向281和雷射束到長軸的移動方向(掃描方向)在同一方向上。例如，在半導體膜230具有如圖23B所示形狀的情況中，半導體膜中形成的源極區230(s)、溝道形成區230(c)和漏極區230(d)可排列成與雷射束到長軸的移動方向(掃描方向)平行。結果，載流子通過的晶粒邊界會被減小或消除；因此，可改善薄膜電晶體的遷移率。
此外，雷射器可具有對半導體膜的入射角θ(0＜θ＜90°)。因此，可防止雷射幹涉。
半導體膜可用基波的連續波雷射和諧波的連續波雷射照射，或者可以用基波的連續波雷射和諧波的脈衝波雷射照射。通過用多種雷射照射能補充能量。
在脈衝波雷射的情況中，脈衝雷射可以一定的重複頻率振蕩，使得下一個脈衝的雷射在熔化半導體膜之後並在凝固半導體膜之前發射。這使獲得在掃描方向上順序生長的晶粒成為可能。換言之，可能使用具有較低重複頻率限制的脈衝束，該重複頻率限制被設定為短於前一光束凝固已熔化半導體膜所需的時間。
實際使用的是重複頻率為10MHz或以上的脈衝束，它是比正常使用的脈衝束的幾十到幾百Hz的重複頻率高出許多的重複頻率。
雷射輻射可在諸如稀有氣體或氮的惰性氣體氣氛中進行。這能抑制由於雷射輻射引起的半導體表面的粗糙，並防止由於界面狀態密度變化引起的閾值變化。
微晶半導體膜可通過使用SiH4和F2或者SiH4和H2形成，隨後用如上所述的雷射進行輻射來結晶。
在使用加熱爐作為另一熱處理的情況中，非晶半導體膜在500℃到550℃的溫度下加熱2到20小時。此時，可在500℃到550℃的範圍內將溫度設定為多個級別，以逐漸達到較高的溫度。由於在第一個較低溫度加熱步驟處釋放非晶半導體膜的氫等，可進行所謂的脫氫以降低結晶期間膜的粗糙度。當加速結晶的金屬元素(例如Ni)進一步形成於非晶半導體膜上時，可降低加熱溫度，這是較佳的。甚至在使用這種金屬元素的情況下，可以600℃到950℃的高溫進行熱處理。
然而，在形成金屬元素的情況下，關注的是金屬元素會負面影響半導體元件的電特徵。因此，需要吸氣步驟來降低或去除金屬元素。例如，可執行該步驟以通過將非晶半導體膜用作吸氣劑來俘獲金屬元素。
或者，結晶半導體膜可直接形成於形成表面上。在這種情況中，可利用熱或等離子體並使用諸如GeF4或F2的氟基氣體或者諸如SiH4或Si2H6的矽烷基氣體將結晶半導體膜直接形成於形成表面上。在如上所述直接形成結晶半導體膜並需要高溫處理的情況中，最好可採用高度耐熱的石英基片。
半導體膜的熱處理被認為會影響分離層。例如，當通過加熱爐或波長為532nm的雷射輻射進行熱處理時，在某些情況中能量會到達分離層。因此，同時還會使分離層結晶。根據分離層的結晶狀態可改進反應速率。
另一方面，為使半導體膜有效結晶，可形成基膜以具有防止雷射能量到達分離層的結構。例如，可選擇基膜的材料、膜厚和疊層順序。
與用矽晶片形成的晶片相比，通過上述手段之一形成的半導體膜包含更多的氫。具體地，半導體膜可形成為包含1×1019/cm3到1×1022/cm3、最好為1×1019/cm3到5×1020/cm3的氫。氫會提供所謂的不飽和鍵終止效應，這會減少半導體膜中的不飽和鍵。此外，氫能增加IDF晶片的柔性。
此外，通過使得IDF晶片中形成圖案的半導體膜的面積率為1％到30％，可防止由於薄膜電晶體的彎曲應力引起的損壞或分離。
具有半導體膜的薄膜電晶體具有0.35V/sec或以下的閾下係數(S-值)，最好為0.25V/sec到0.09V/sec。此外，薄膜電晶體具有10cm2V/sec或以上的遷移率。
當使用這種TFT形成19級環形振蕩器時，在3V到5V的電源電壓下，其重複速率為1MHz或以上，最好為100MHz或以上。在3V到5V的電源電壓下，倒相器每級的延遲時間為26ns，最好0.26ns或以下。
根據上述結構，可獲得與TFT一樣的功能，但最好形成第一層間絕緣膜127和第二層間絕緣膜129。可用來自第一層間絕緣膜的氫修復半導體膜的損壞、缺陷等。換言之，可獲得由於氫引起的不飽和鍵的終止效應。包含氧或氮的絕緣膜(諸如氧化矽(SiOx)薄膜、氮化矽(SiNx)薄膜、氧氮化矽(SiOxNy)(x＞y)或氮氧化矽(SiNxOy)(x＞y)(x，y＝1，2…)薄膜)可用作第一層間絕緣膜。
通過第二層間絕緣膜可改進平面性。有機材料或無機材料可用作該第二層間絕緣膜。聚醯亞胺、丙烯酸、聚醯胺、聚亞胺醯胺、抗蝕劑、苯並環丁烯、矽氧烷或聚矽氧烷可用作有機材料。通過將聚合物材料用作起始材料形成矽氧烷，該聚合物材料中骨架結構由矽和氧的鍵配置並至少包含氫作為取代基或者包含氟、烷基和芳烴中的至少一個作為取代基。通過將包括具有矽(Si)和氮(N)鍵的聚合物材料的液體材料用作起始材料來形成聚矽氧烷。包含氧或氮的絕緣膜(諸如氧化矽(SiOx)薄膜、氮化矽(SiNx)薄膜、氧氮化矽(SiOxNy)(x＞y)或氮氧化矽(SiNxOy)(x＞y)(x，y＝1，2…)薄膜)可用作無機材料。此外，上述絕緣膜的疊層結構可用作第二層間絕緣膜。當使用有機材料形成第二層間絕緣膜時，改善平面性；然而有機材料吸收會吸收的溼氣和氧氣。具有無機材料的絕緣膜最好形成於有機材料上以防止上述情況。當包含氮的絕緣膜用作無機材料時，可防止諸如Na的鹼離子的進入。
更佳地，提供第四絕緣膜131以覆蓋布線130。因為安裝有IDF晶片的製品常用手直接接觸，因此關注諸如Na的鹼離子的擴散。所以，第四絕緣膜最好形成於IDF晶片的頂表面上。包含氧或氮的絕緣膜(諸如氧化矽(SiOx)薄膜、氮化矽(SiNx)薄膜、氧氮化矽(SiOxNy)(x＞y)或氮氧化矽(SiNxOy)(x＞y)(x，y＝1，2…)薄膜)可用作該第四絕緣膜。通常，最好使用氮氧化矽(SiNxOy)膜。
此後，在IDF晶片104之間形成凹槽105。凹槽可通過切割、劃線、使用掩模的蝕刻等形成。使用切割裝置(切塊機)的刀片切割方法常用於切割。刀片是嵌入鑽石磨料的磨石，其寬度為約30μm到50μm。通過快速旋轉刀片來分開TFT層。鑽石劃線法、雷射劃線法等可用於劃線。在蝕刻的情況中，在通過曝光步驟和顯影步驟形成掩模圖案後，TFT層可通過幹法蝕刻、溼法蝕刻等分離。在幹法蝕刻中，可使用大氣等離子體法。因此，通過使用上述方法，可在IDF晶片之間形成凹槽。
注意，凹槽不必形成於IDF晶片之間的所有邊界處，它可以一定間隔在IDF晶片之間的若干邊界形成。
隨後，如圖3A到3C所示地附著天線基片。圖3A是附著有天線基片111的俯視圖，圖3B是沿圖3A的線a-b的橫截面視圖，且圖3C是沿圖3A的線c-d的橫截面視圖。
包括分散導體140的各向異性導體141可用作附著裝置。各向異性導體可將IDF晶片的連接端子電結合到天線的連接端子，因為導體可通過因每個連接端子的厚度引起的壓力相互結合。因為在導體之間保持了足夠的距離，連接端子以外的區域保持不導電。不用各向異性的導體，天線基片可用超聲波粘合劑、紫外線固化樹脂、雙面膠帶等加以附著。
天線基片111配備天線112和開口113。天線的位置對應於IDF晶片。如圖3B所示，開口113的位置對應於凹槽105。以下描述天線和開口的詳細製造步驟。
本實施例中，開口形成於天線之間的每個邊界處；然而，它們也可一定間隔在邊界上形成。此外，本實施例中描述了開口為圓形的情況；但本發明不限於此。例如，開口可形成為具有縫隙的形狀。如上所述，可適當設定凹槽105和開口113的形狀和位置。
隨後，通過引入含以ClF3為代表的滷化物的氣體或液體作為蝕刻劑來去除分離層，如圖4A到4C所示。這裡，通過使用低壓CVD裝置在以下條件下去除分離層，如圖24所示氣體，ClF3(三氟化氯)；溫度，350℃；流速，300sccm；氣壓，6託；時間，3小時。例如，HF可用作蝕刻劑且二氧化矽(SiO2)可用作分離層。
此外，圖24所示的低壓CVD裝置具有鍾狀罩89，它使能多個絕緣基片100的處理。ClF3115通過導氣管引入，且不必要的氣體通過排氣管92排出。此時，IDF晶片不可能被拉入排氣管，因為IDF晶片由天線基片集成。此外，例如加熱器91的加熱裝置可設置於裝置的側面上。
圖4A是示出引入含由ClF3所代表的滷化物的氣體或液體以去除分離層的狀態的俯視圖，圖4B是沿圖4A的線a-b的橫截面視圖，且圖4C是沿圖4A的線c-d的橫截面視圖。
圖4B示出將含由ClF3所代表的滷化物的氣體或液體引入開口113和凹槽105的狀態。當加熱裝置施加的處理溫度在100℃到300℃的範圍內時，可提升反應速率。結果，可減少ClF3氣體的消耗並可縮短處理時間。
通過按此方式引入蝕刻劑，SAS的分離層逐漸後退。隨後，可去除絕緣基片，如箭頭所指示的。
可設定蝕刻劑、氣流速率、溫度等以便不蝕刻TFT的每個層。因為本實施例中使用的ClF3具有選擇性蝕刻矽的特徵，它選擇性地去除SAS的分離層。因此，主要含由SAS代表的矽的層可用作分離層，且含氧或氮的絕緣膜可用作基膜。由於分離層和基膜之間反應速率的差異較大，這意味著選擇性較高，所以可容易地去除分離層同時保護IDF晶片。在本實施例中，因為在TFT層上下設置的基膜和保護膜以及側面上暴露的層間絕緣膜、柵極絕緣膜、布線等的邊緣部分，TFT層不由ClF3蝕刻。
注意，通過200℃或以上的氯和氟的反應的的過程來生成ClF3。ClF3(沸點11.75℃)可取決於反應場的溫度而液化。在這種情況中，也可使用溼法蝕刻，將ClF3用作含滷化物的液體。
與氮混合的ClF3等的氣體可用作含滷化物(由ClF3所代表)的另一氣體。
蝕刻劑不限於ClF3或滷化物，只要它蝕刻分離層且不蝕刻基膜即可。例如，可使用含氟的等離子體氣體，諸如CF4、SF6、NF3或F2。諸如氫氧化四乙銨(TMAH)的強鹼溶液可用作另一蝕刻劑。
在用含諸如ClF3的滷化物的氣體化學去除分離層的情況中，分離層和基膜的組合不限於上述材料，只要選擇性蝕刻的材料用作分離層且不蝕刻的材料用作基膜即可。
即使在如上所述地去除絕緣基片時，IDF晶片也通過天線基片集成。此後，IDF晶片可通過切割、化學或雷射切割法而被切割，從而完成IDF晶片。隨後，可將IDF晶片安裝於製品上。熱固化樹脂、紫外線固化樹脂、環氧樹脂、樹脂添加劑、雙面膠帶等可用作用於安裝的粘合劑。
儘管可根據上述步驟完成IDF晶片，柔性基片仍可如圖5A到5C所示地附著。圖5A是示出用粘合劑151附著柔性基片150的狀態的俯視圖，圖5B是沿圖5A的線a-b的橫截面視圖，且圖5C是沿圖5A的線c-d的橫截面視圖。
由上述諸如塑料的合成樹脂或丙烯酸製成的基片可用作柔性基片。在本實施例中，使用由塑料製成的基片。
熱固化樹脂、紫外線固化樹脂、環氧樹脂、樹脂添加劑、雙面膠帶等可用作粘合劑。
通過將IDF晶片轉移到柔性基片上可提升IDF晶片的斷裂強度。
如圖6A到6C所示，通過切割、劃線或雷射切割法來切割IDF晶片，從而完成在柔性基片上形成的IDF晶片。圖6A是示出切割IDF晶片的狀態的俯視圖，圖6B是沿圖6A的線a-b的橫截面視圖，且圖6C是沿圖6A的線c-d的橫截面視圖。
因此形成的IDF晶片可安裝於製品上。熱固化樹脂、紫外線固化樹脂、環氧樹脂、樹脂添加劑、雙面膠帶等可用作用於安裝的粘合劑。
在按此方式完成前被集成的IDF晶片可降低處理分開的IDF晶片的複雜度。此外，它們可在被安裝到製品上之前都被集成。例如，IDF晶片僅在一個方向上直線切割並置於IDF晶片安裝裝置上，隨後在安裝於製品上時沿另一方向切割。這使得降低處理分開的IDF晶片的複雜度並簡便安裝IDF晶片成為可能。
雖然未示出，但IDF晶片可用樹脂或含氮的絕緣膜覆蓋以便進行保護，且具體地，IDF晶片的側面最好用其覆蓋。保護IDF晶片改進了IDF晶片的便攜性。樹脂或含氮的絕緣膜可由與安裝IDF晶片的製品相同的材料製成。
在本實施例中，按「面向下」方式使用各向異性的導體安裝IDF晶片，其中IDF晶片的連接端子面向天線，如前所述；但IDF晶片也可按「面向上」方式安裝，其中連接端子按相反方向面向天線。此時，布線結合方法可用作連接的手段。
如上所述，薄膜電晶體形成於絕緣基片100上，隨後分離該絕緣基片100。較佳地，薄膜電晶體被進一步轉移到柔性基片。然而，所執行分離的定時或數量不限於本實施例。此外，薄膜電晶體可安裝於製品(安裝製品)上而不將薄膜電晶體轉移到柔性基片。根據轉移的次數來確定按「面向上」還是「面向下」方式安裝IDF晶片。
隨後，參考圖7A和7B描述製造天線的步驟。圖7A和7B示出了天線基片上矩形線圈天線；但天線的形狀並不僅限於此。例如，天線可以是圓形或直線的。
由諸如硼矽酸鋇玻璃或硼矽酸鋁玻璃的玻璃製成的基片、石英基片、諸如由聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)或聚醚碸(PES)所代表的塑料的合成樹脂或丙烯酸製成的基片可用作天線基片。因為天線基片最好較薄，所以薄膜基片是較佳的。
如圖7A所示，天線112通過使用噴嘴160的微滴排放法形成於天線基片111上。天線可通過以下任一方法形成濺射法、印刷法、鍍敷法、光刻法、使用金屬掩模的蒸鍍法及其組合，以代替微滴排放法。第一天線通過濺射法、微滴排放法、印刷法、光刻法或蒸鍍法形成，且第二天線通過鍍敷法形成，從而形成疊層天線。最好通過微滴排放法或印刷法形成天線，因為導電膜不需要形成圖案，從而減少了製造步驟數量。
此外，天線最好具備連接端子135。由於連接端子，天線可容易地與薄膜集成電路連接。可通過增加從噴嘴排放出的微滴或將噴嘴保持於一個位置來形成連接端子。注意，連接端子並非必需提供，且其形狀和放置不限於本實施例。
天線可用諸如Ag(銀)、Al(鋁)、Au(金)、Cu(銅)或Pt(鉑)的導電材料形成。在使用電阻相對較高的Al或Au的情況中，布線電阻是所關心的。但是，在天線佔據較大面積的情況中，通過使天線變厚或變寬可降低布線電阻。天線可用低電阻材料覆蓋並可以是疊層天線。在使用可擴散的諸如Cu的導電材料的情況中，絕緣膜可形成以覆蓋天線的形成表面和/或Cu的周邊。
在本實施例中，混合到十四烷作為溶劑的Ag從噴嘴160排出以形成天線。此時，由氧化鈦(TiOx)製成的基膜可形成於天線基片上以改善Ag的粘附力。
更佳地，在形成後向天線施壓以改善平面性。因此，可使天線變薄。可提供加熱裝置和加壓裝置，且在此情況中，可同時進行壓力處理和熱處理。在使用微滴排放的情況中，需要時可將上述熱處理與用於去除溶劑的熱處理組合。
此外，可在天線基片上形成凹槽，且可在該凹槽中形成天線。因為天線可形成於凹槽中，所以可使天線基片和天線變薄。
此外，天線可形成於天線基片的兩側。在此情況中，天線可通過與上述方法相類似的方法形成於天線基片的另一側上。因此，可擴展天線長度，從而增加通信距離。
根據連接端子的放置，天線的一部分可形成於天線基片的另一側上。例如，當如圖1A和1B所示地盤繞天線時，根據連接端子的放置，天線的一部分有必要與天線的另一部分相交。此時，需要插入絕緣體以便不縮短天線。然而，天線基片可用作絕緣體。
隨後，開口113形成於天線基片中，如圖7B所示。開口可物理或化學地形成。在物理形成開口的情況中，可使用雷射。此外，可施加熱以容易地形成開口，且可用熱針等形成開口。在化學形成開口的情況中，可使用諸如幹法蝕刻或溼法蝕刻的蝕刻方法。
開口的形狀不限於圓形，且可以是矩形、縫隙等。
在本實施例中描述了將天線附著到IDF晶片的情況，但天線可直接形成於IDF晶片上。例如，天線可與布線130形成於同一層中。
在本實施例中描述了非接觸式IDF晶片；但它也可以是接觸式IDF晶片或混合IDF晶片。
在本實施例中，IDF晶片和天線基片被描述為較厚，以使本實施例易於理解。但是，它們實際上形成得非常薄。
(實施例2)在本實施例中詳細描述實施例模式2中所述模式的具體方法。
圖9A是在絕緣基片100上形成12個IDF晶片的情況的俯視圖，圖9B是沿圖9A的線e-f的橫截面視圖，且圖9C是沿圖9A的線g-h的橫跨連接區域106的橫截面視圖。注意，與實施例1一樣，本實施例中將SAS用作分離層。
如圖9B所示，絕緣基片100上形成各自具有絕緣膜的薄膜電晶體128n和128p、形成期望形狀圖案的半導體膜124、柵極絕緣膜125以及柵電極126，其間具有分離層102。此外，提供布線130以連接到半導體膜中所包含的雜質區。
絕緣膜可具有疊層結構。這裡，像實施例1一樣，絕緣膜具有第一絕緣膜121、第二絕緣膜122和第三絕緣膜123。
如實施例1中那樣，與用矽晶片形成的晶片不同，半導體膜可形成為包含1×1019/cm3到1×1022/cm3、最好為1×1019/cm3到5×1020/cm3的氫。氫會提供所謂的不飽和鍵終止效應，這會減少半導體膜中的不飽和鍵。此外，氫能增加IDF晶片的柔性。
此外，通過使得IDF晶片中形成圖案的半導體膜的面積率為1％到30％可防止由於薄膜電晶體的彎曲應力引起的損壞或分離。
此外，像實施例1一樣，可提供第一層間絕緣膜127和第二層間絕緣膜129。更佳地，可提供第四絕緣膜131以覆蓋布線130。
此後，在本實施例中，選擇性地形成凹槽105以保留連接區106。像實施例1一樣，凹槽可通過切割、劃線、使用掩模的蝕刻等形成。在如圖9C所示選擇性地形成凹槽105以保留連接區106的情況中，在通過曝光步驟和顯影步驟形成掩模圖案後，凹槽可通過幹法蝕刻、溼法蝕刻等形成。在幹法蝕刻中，可使用大氣等離子體法。
在通過幹法蝕刻、溼法蝕刻等形成凹槽的情況中，可根據連接區的放置或形狀調節諸如凹槽蝕刻時間的條件。短時間蝕刻減少了對其它膜的影響。
因此，IDF晶片之間形成的凹槽並非必需形成於IDF晶片之間的所有邊界處，它可以一定間隔形成於IDF晶片之間的邊界。
隨後，如圖10A到10C所示，通過引入蝕刻劑來去除分離層。圖10A是示出通過引入含由ClF3所代表的滷化物的氣體或液體來去除分離層的狀態/過程的俯視圖，圖10B是沿圖10A的線e-f的橫截面視圖，且圖10C是沿圖10A的線g-h的橫跨連接區106的橫截面視圖。
如圖10B所示，含由ClF3所代表的滷化物的氣體或液體被引入凹槽105。在本實施例中，ClF3(三氟化氯)用作滷化物，像實施例1一樣。
當處理溫度在100℃到300℃範圍內時，可增加反應速率。結果，可減少ClF3氣體的消耗並可縮短處理時間。
通過引入蝕刻劑，SAS的分離層逐漸後退。隨後，可去除絕緣基片，如箭頭所指示。
蝕刻劑、氣流速率、溫度等被設定成不蝕刻TFT的每個層。本實施例中使用的ClF3選擇性地去除SAS的分離層，同時由於在TFT層上下設置的基膜和保護膜以及側面上暴露的層間絕緣膜、柵極絕緣膜、布線等的邊緣部分，TFT的每個層不由ClF3蝕刻。
即使當去除絕緣基片時，也通過連接區集成IDF晶片。因此，IDF晶片不相互分開。
此後，通過切割、化學或雷射切割法切割IDF晶片。隨後，將IDF晶片安裝於製品上。
儘管可根據上述步驟完成IDF晶片，但可如圖11A到11C所示地將柔性基片附著其上。圖11A是示出用粘合劑151附著柔性基片150的狀態/過程的俯視圖，圖11B是沿圖11A的線e-f的橫截面視圖，且圖11C是沿圖11A的線g-h的橫跨連接區106的橫截面視圖。
由上述諸如塑料的合成樹脂或丙烯酸製成的基片可用作柔性基片。在本實施例中，使用由塑料製成的基片。
熱固化樹脂、紫外線固化樹脂、環氧樹脂、樹脂添加劑、雙面膠帶等可用作粘合劑。
通過將IDF晶片轉移到柔性基片上可提升IDF晶片的斷裂強度。
隨後，如圖12A到12C所示，將天線基片附著其上。圖12A是附著天線基片111的俯視圖，圖12B是沿圖12A的線e-f的橫截面視圖，圖12C是沿圖12A的線g-h的橫跨連接區106的橫截面視圖。
像實施例1一樣，天線基片111在與IDF晶片相對應的位置中配備天線112。對於天線的詳細製造步驟可引用實施例1。在本實施例中，分離絕緣基片；因此，開口可不形成於天線基片上。
此時，IDF晶片104和天線112用各向異性的導體141相互附著。不使用各向異性的導體，IDF晶片和天線可用超聲波粘合劑、紫外線固化樹脂、雙面膠帶等附著。
此後，如圖13A到13C所示，通過切割、劃線或雷射切割法來切割IDF晶片，從而完成在柔性基片上形成的IDF晶片。圖13A是示出切割IDF晶片的狀態的俯視圖，圖13B是沿圖13A的線e-f的橫截面視圖，且圖13C是沿圖13A的線g-h的橫跨連接區106的橫截面視圖。
因此所形成的IDF晶片可安裝於製品上。熱固化樹脂、紫外線固化樹脂、環氧樹脂、樹脂添加劑、雙面膠帶等可用作用於安裝的粘合劑。
雖然未示出，IDF晶片可用樹脂或含氮的絕緣膜覆蓋以便進行保護。特別地，IDF晶片的側面最好用其覆蓋。樹脂或含氮的絕緣膜可由與安裝IDF晶片的製品相同的材料製成。
本實施例中，按「面向下」方式使用各向異性的導體安裝IDF晶片，其中IDF晶片的連接端子面向天線，如前所述；但IDF晶片也可按「面向上」方式安裝，其中連接端子按相反方向面向天線，像實施例1一樣。
如上所述，薄膜電晶體形成於絕緣基片100上，隨後分離該絕緣基片100。較佳地，薄膜電晶體被進一步轉移到柔性基片。然而，所執行的分離的定時或數量並不限於本實施例。此外，薄膜電晶體可安裝於製品(安裝製品)上而不將薄膜電晶體轉移到柔性基片。根據轉移的次數來確定按「面向上」還是「面向下」方式安裝IDF晶片。
在本實施例中描述了將天線附著到IDF晶片的情況，但天線可直接形成於IDF晶片上。例如，天線可與布線130形成於同一層中。
在本實施例中描述了非接觸式IDF晶片；但它也可以是接觸式IDF晶片或混合IDF晶片。
在本實施例中，IDF晶片和天線基片被描述為較厚以使實施例易於理解。但是，它們實際上形成得非常薄。
(實施例3)本實施例中描述了使用與以上實施例不同形狀的薄膜電晶體的情況。
圖25A示出能處理柵電極形成的上述實施例。注意，本實施例中，柵電極具有TaN(氮化鉭)126a和W(鎢)126b的疊層結構。矽也可用作另一柵電極。隨後，形成層間絕緣膜127以覆蓋柵電極。在本實施例中，通過等離子體CVD法形成厚度為100nm的SiO2膜。
隨後，用抗蝕劑44覆蓋整個表面。用深蝕刻法蝕刻並去除抗蝕劑44、層間絕緣膜127和柵極絕緣膜125。因此，側壁76可按自對準方式形成，如圖25B所示。CHF3和He的混合氣體用作蝕刻氣體。
當絕緣膜形成於基片背部、同時形成層間絕緣膜127時，最好將抗蝕劑44用作掩模蝕刻並去除背部上的絕緣膜(背部處理)。
注意，形成側壁76的方法不限於以上方法。例如，可使用圖26A和26B所示的方法。圖26A示出了絕緣膜127具有兩層或更多層的疊層結構的示例。絕緣膜127具有厚度為100nm的SiON(氧氮化矽)和厚度為200nm的LTO(低溫氧化物)的雙層結構。在本實施例中，通過等離子體CVD法形成SiON膜，並通過低壓CVD法形成作為LTO膜的SiO2膜。然後，通過將抗蝕劑44用作掩模進行深蝕可形成L形和弧形的側壁76。
圖26B示出了進行蝕刻以在深蝕刻時使柵極絕緣膜125未被去除的示例。該情況中的絕緣膜127可具有單層結構或疊層結構。
當通過摻雜高濃度的n型雜質在側壁76的下部中形成低濃度雜質區或未摻雜質的偏移區時，側壁用作掩模。在上述形成側壁的任一方法中，可根據要形成的低濃度雜質區或偏移區的寬度設定深蝕刻條件。
隨後，如圖25C所示，新形成抗蝕劑75以覆蓋p型TFT區，且將柵電極126和側壁76用作掩模以高濃度地添加提供n型導電性的雜質元素78(通常是P或As)。用1×1013/cm2到5×1013/cm2的劑量並以60keV到100keV的加速電壓進行摻雜步驟。根據該摻雜步驟，執行摻雜(貫穿摻雜法)，從而形成一對n型的高濃度雜質區79。此時，在側壁下形成偏移區65。
注意，在通過灰化等去除抗蝕劑77後可熱激勵雜質區。例如，SiON膜可形成為具有50nm的厚度，隨後在氮氣氛中以550℃的溫度熱處理4個小時。此外，當含氫的SiNx膜形成為100nm厚並在氮氣氛中以410℃的溫度熱處理1個小時時，可改進結晶半導體膜的缺陷。該步驟被稱作氫化步驟，通過該步驟例如可終止結晶半導體膜中的不飽和鍵。此外，SiON膜可形成為600nm厚用於保護TFT的蓋式絕緣膜。注意，氫化步驟可在形成SiON膜後執行。在這種情況中，可順序形成SiNx膜和SiON膜。因此，SiON、SiNx和SiON的三層絕緣膜形成於TFT上；但其結構和材料不限於此。因為它們還具有保護TFT的功能，最好形成這些絕緣膜。
隨後，如圖25D所示，在TFT上形成層間絕緣膜129。對於層間絕緣膜的製造方法或材料，可引用以上實施例。
層間絕緣膜129可具有疊層結構。換言之，絕緣膜54可層疊於層間絕緣膜上。絕緣膜54可由含諸如DLC(鑽石狀碳)或氮化碳(CN)的碳膜、氧化矽膜、氮化矽膜、氮氧化矽膜等構成。等離子體CVD法、濺射法等可用作其形成方法。
可將填料混合到層間絕緣膜中，以防止TFT層膜因層間絕緣膜和稍後形成的布線的導電材料等之間的熱膨脹係數差異引起的應力而分離或破裂。填料可控制熱膨脹。
隨後，在形成抗蝕劑後，通過蝕刻形成接觸孔。此後，形成用於連接TFT的布線130以及用於將TFT連接到外部天線的連接布線21。雖然將CHF3和He的混合氣體用作蝕刻氣體以形成接觸孔，但本發明不限於此。布線130和連接布線21可以用相同的材料同時形成，或可以分開形成。在此實施例中，與TFT相連的布線130將具有Ti、TiN、Al-Si、Ti和TiN的五層結構，並通過濺射法形成，隨後形成圖案。
當Si被混合到Al層中時，在布線形成圖案期間抗蝕劑烘培時可阻止凸起的出現。不用Si，也可混合約0.5％的Cu。通過在Ti和TiN之間夾入Al-Si可進一步抑制凸起的出現。注意，在形成圖案期間，期望使用由諸如SiON的無機材料構成的掩模。布線的材料和形成方法不限於此。可採用用於柵電極的上述材料。此時，保護膜80可設置於布線上，且可以在連接區中形成開口。
通過上述步驟，完成了具有TFT的IDF晶片。在本實施例中描述了頂部柵極結構；但也可採用底部柵極(反交錯)結構。
如圖25D所示，期望調節IDF晶片中的基膜和層間絕緣膜的厚度，以使從半導體層到基膜底部的距離(tunder)等於或約等於從半導體層到層間絕緣膜頂部的距離(tover)。半導體層上的應力可以釋放，且通過按此方式將半導體層置於IDF晶片的中心處能防止破裂的出現。
此後，可形成凹槽以分開絕緣基片，且可像以上實施例一樣形成天線。
本實施例中所述的具有側壁的薄膜電晶體可與以上實施例模式和以上實施例自由組合。
(實施例4)本實施例中描述了與實施例1和2中所述模式不同的製造薄膜集成電路的方法。
如圖14A所示，根據實施例模式2或實施例2，製備通過連接區106集成的IDF晶片。IDF晶片具備凸起201，它用與布線130相同的材料構成。
此外，製備具有布線203的第二基片202。作為第二基片，可使用由諸如硼矽酸鋇玻璃或硼矽酸鋁玻璃的玻璃製成的基片、石英基片等。由諸如塑料的合成樹脂或丙烯酸製成的基片可用作具有絕緣表面的另一基片，所述塑料由聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)或聚醚碸(PES)所代表。
如圖14B所示，在使用粘合劑204的情況下，集成IDF晶片被附著到具備布線203的第二基片202。此時，將IDF晶片附著到第二基片，以使凸起201連接到布線203。可將各向異性的導體用作粘合劑204。不用各向異性的導體，IDF晶片可用超聲波粘合劑、紫外線固化粘合劑、雙面膠帶等進行附著。
如圖14C所示，通過切割、化學或雷射切割法來切割IDF晶片。
此後，如圖14D所示地形成天線端子205。天線端子可通過微滴排放法、濺射法、CVD法等形成。
隨後，具備天線112的天線基片111被附著到IDF晶片，如圖14E所示。對於天線或天線基片的材料或製造方法可引用以上實施例模式和實施例。天線基片的材料可與安裝有IDF晶片的製品的材料相同。
如上所述，IDF晶片可採用天線的各種安裝形式。換言之，IDF晶片在集成狀態下經過製造工藝，且對於天線的安裝形式或安裝方法沒有特殊限制。
本實施例中描述了非接觸式IDF晶片；但它可以是接觸式IDF晶片或混合IDF晶片，如實施例1或2中所述。
IDF晶片和天線基片在本實施例中被描述為較厚以使得本實施例易於理解。但它們實際上被形成得很薄。
(實施例5)本實施例中描述各種形式的IDF晶片。
如圖22A所示，通過使用具有導體140的各向異性的導體141，IDF晶片104和在天線基片111上形成的天線112用連接端子(例如它們之間的凸起109)相互連接。不用各向異性的導體，可使用超聲波粘合劑、紫外線固化樹脂、雙面膠帶等。
如圖22B所示，IDF晶片通過粘合劑151附著到柔性基片150。熱固化樹脂、紫外線固化樹脂、環氧樹脂、樹脂添加劑、雙面膠帶等可用作粘合劑。
可提供多個天線基片。例如，具備天線112的天線基片可設置於IDF晶片的兩側上，如圖22C所示。因此，可擴展天線長度，從而可增加通信距離。此時，形成導電膜250以將一側的天線連接到另一側的天線。例如，提供微滴排放法將含導體的微滴選擇性地排放於天線基片之間。此後，最好形成絕緣膜251以保護導電膜250。
此外，用於將一側上的天線連接到另一側上的天線的結構不限於本實施例。例如，一側上的天線和另一側上的天線可通過凸起109各自連接到IDF晶片。
如上所述，可完成安裝有天線的IDF晶片。
諸如，本發明的IDF晶片不限於本實施例中所述的形式。例如，具有在與薄膜電晶體中所包含的導電膜相同的層中形成天線、以及不使用天線基片而在IDF晶片上形成天線的模式。
(實施例6)本實施例中描述了安裝有IDF晶片的製品的形式。注意，IDF晶片的安裝位置、要安裝IDF晶片的製品的形狀以及要安裝的IDF晶片的數量不限於本實施例。
圖15A和15B示出了將IDF晶片附著在食物或飲料標籤上、以及將IDF晶片安裝在食物或飲料容器(例如啤酒瓶181)上的情況。
如圖15A所示，具備天線112的IDF晶片104通過雙面膠帶等附著到標籤180。當該標籤具有粘性時，IDF晶片可直接附著到粘性標籤上。
這些物品在傳送帶183等上通過讀取器/寫入器182，如圖15B所示；因此，可輸入或讀取信息。根據IDF晶片中形成的存儲器種類，可重新寫入現有信息。
由於這些信息可非接觸地輸入具備天線的IDF晶片或從其中讀出，可在物品被裝入紙板盒等中的情況下通過讀取器/寫入器管理信息。
安裝有IDF晶片的這些物品可在分銷過程中大大降低人員成本。此外，也可減少人為誤差。
如上所述在物品上安裝的IDF晶片中的信息的範圍從關於生產或製造的基本信息(諸如位置、加工者/製造商、日期等)到過敏信息、主要成分、廣告等。此外，諸如條形碼或磁帶的信息存儲裝置可用於增加信息量或改進安全性。在組合例如條形碼使用IDF晶片的情況中，最好根據用途適當地使用之。例如，不必重寫的信息(諸如基本信息)可輸入到條形碼，且可重寫信息可輸入到IDF晶片。
當不能重寫數據的ROM等形成於ID晶片所包含的存儲器中時，可能防止證券鈔票和支票，以及證件戶口本、居住卡、名片、旅行支票和護照。
將IDF晶片602安裝於包601上的情況被描述為防盜措施的示例。例如，IDF晶片可安裝於圖27所示的包的底部或側部。因為IDF晶片極薄且小，它能在保持此包誘人設計的同時進行安裝。此外，IDF晶片是透光的；因此不易被小偷識別。因此，不用擔心ID晶片會被小偷去除。
在安裝有IDF晶片的包被偷的情況下，通過使用例如GPS(全球定位系統)能獲得有關包實際位置的信息。注意，GPS是用於根據通過接收由GPS衛星發送的信號發現的時間差來確定位置的系統。
除了被盜製品，使用GPS能獲得關於丟失財物或遺留物品的實際位置的信息。
此外，IDF晶片可安裝於諸如汽車或自行車的車輛、手錶、附件等以及包上。
圖16A示出了安裝有IDF晶片的鈔票301。在圖16A中，IDF晶片302固定於鈔票內部，但它可以形成於表面上。這是因為IDF晶片是透光的、且即使在表面上形成時也不影響印刷等。
此外，IDF晶片可安裝於除鈔票以外的證券上。例如，它可安裝於硬幣上。將IDF晶片安裝於鈔票或硬幣上能有助於防止偽造以及改進自動售貨機等中鈔票或硬幣識別的精度。
圖16B示出了安裝有IDF晶片的支票311。在圖16B中，IDF晶片312設置於支票表面。因為IDF晶片是透光的，它可設置於支票表面。當然，IDF晶片也可固定於支票內部。
圖16C示出了安裝有IDF晶片的股票321。儘管圖16C中IDF晶片322被固定於股票內部，但它也可以設置於其表面上。IDF晶片的大小、形狀和安裝位置未排他地受到限制。但是，在包含大量信息的情況下，可使ID晶片更大。即使在這種情況中，IDF也是透光的；因此它不會影響安裝部位的印刷。
鈔票、支票、股票等可使用包括IDF晶片的墨水印刷。此外，當混合鈔票、支票、股票等的材料與化學物質以形成安裝有多個IDF晶片的鈔票、支票、股票等時，多個IDF晶片可被分散。由於IDF晶片可以較低成本製造，可在鈔票、支票、股票等上安裝多個IDF晶片而不會負面影響其製造成本。
如上所述，IDF晶片由厚度大大減小的薄膜集成電路構成；因此IDF晶片可安裝於很薄的紙狀製品上。因此，可保持製品的誘人設計。此外，由於IDF晶片是透光的，它可安裝於製品的表面上。
圖17A示出了安裝有IDF晶片的書本331。IDF晶片332可設置於書本的表面上或封面內。或者，IDF晶片可安裝於書本的任一頁上。
圖17B示出了安裝有IDF晶片的DVD341。IDF晶片342可安裝於DVD封套的表面上或內部。當然，IDF晶片可安裝於諸如CD或錄像帶以及DVD的產品上。
當IDF晶片安裝於進行活躍租賃服務的這種製品上時，出借和返還過程可更簡單和快速地進行。此外，諸如內容、廣告、演員表等的產品信息可寫入IDF晶片中作為數據。
IDF晶片可根據它要附著的物體的大小和形狀對大小和形狀做出一些改變。因此，IDF晶片的應用不限於本實施例中所述的那些應用，且其它各種應用是可能的。
通過將IDF晶片安裝於個人財產上，即使在丟失或被盜時也能定位該財產。
IDF晶片可固定在用於纏繞財物的包裝紙上。此外，可將消息寫入IDF晶片作為音頻數據。在這種情況中，通過讀取器讀出數據並通過再現設備獲得該消息。此外，通過用讀取器讀出數據可經由網絡提供各種信息。
描述了將IDF晶片安裝於諸如食物的物品用於安全管理的情況。
圖28示出了附著安裝有IDF晶片612的標籤613的肉類的包裝611。IDF晶片可安裝於該標籤的表面或內部。在諸如蔬菜的新鮮食物的情況下，IDF晶片也可安裝於玻璃紙上用於覆蓋該新鮮食物。
IDF晶片可存儲關於產品的基本信息，諸如生產區域、製造商、處理日期和過期日期。此外，可以存儲諸如產品的服務建議的應用程式。由於這種基本信息不需要重寫，所以它可以存儲於諸如MROM的不可重寫存儲器。這種應用程式也可存入可重寫和可擦除的存儲器，諸如EEROM。
此外，在處理前能知道動物和植物的情況以便管理食物安全性是重要的。因此，可將IDF晶片植入動物和植物、並可通過讀取器獲得IDF晶片中關於動物和植物的信息。有關動物和植物的信息可包括培育地點、飼養、培育者和傳染病的感染記錄。
在將產品價格存入IDF晶片時，與使用常規條形碼的情況相比，可更簡單和快速地為產品付款。換言之，可同時為安裝IDF晶片的多個產品付款。然而，讀取器需要具有防衝突功能以管理同時讀取這多個IDF晶片的情況。
此外，即使在產品和收銀機之間有一定距離時，也可根據IDF晶片的通信距離在收銀機處為產品付款。此外，IDF晶片還有助於防止入店行竊等。
此外，IDF晶片可結合諸如條形碼和磁條的其它信息媒體進行使用。例如，不必重寫的基本信息可存入IDF晶片，且要更新的信息(例如折扣價格和特定價格)可存入條形碼。這是因為與IDF晶片不同條形碼中的信息易於改變。
按此方式安裝IDF晶片可增加提供給消費者的信息量；因此，消費者可更簡便地購買產品。
以下描述安裝有IDF晶片的產品、和基於IDF晶片中的信息進行控制的製造裝置(裝置機器人)，以進行製造控制。
目前，常製造定製產品，它們在生產線上根據要生產產品的定製信息來製造。例如，在提供車門的自由顏色選擇的汽車生產線中，將IDF晶片安裝於每輛車的一部分上並根據IDF晶片中的信息來控制印刷裝置。因此，可製造定製汽車。當安裝IDF晶片時，不需要調節置入生產線並預先以相同顏色噴漆的汽車的順序和數量。此外，不必根據汽車的順序和數量設定用於控制印刷裝置的程序。換言之，製造裝置可根據每輛車上安裝的IDF晶片中的信息單獨操作。
如上所述，IDF晶片可應用於各種領域。基於IDF晶片中存儲的信息，可獲得特定製造信息、並可基於該信息控制製造裝置。
以下描述將安裝有IDF晶片622的卡621用作電子貨幣的模式。圖29示出卡621用於進行支付。圖29還示出了收銀機623和讀取器/寫入器624。IDF晶片622存儲有關卡621中存放金額的信息。通過讀取器/寫入器624可不接觸地讀取金額信息並將其轉移到收銀機623。收銀機623驗證存入卡621的金額超過要支付的金額，從而進行支付。因此，在支付後貨幣的剩餘量信息被發送給讀取器/寫入器624並通過它寫入卡621的IDF晶片622。
注意，讀取器/寫入器624可配備用於輸入個人識別號等的鍵區625，從而防止卡621在無通知的情況下被第三方用於支付。
IDF晶片最好置於要安裝它的製品(安裝製品)的中心並最好被製品的材料包圍。因此，可改善IDF晶片的機械強度。特別地，當安裝製品的厚度由D表示時，IDF晶片的插入位置(IDF晶片的中心)X可被設定為滿足(1/2)D-30μm＜X＜(1/2)D+30μm。
即使當天線分開形成時，IDF晶片最好置於以上位置。
如上所述，期望調節IDF晶片中基膜和層間絕緣膜的厚度，以使從半導體層到基膜底部的距離(tunder)可等於或約等於從半導體層到層間絕緣膜頂部的距離(tover)。因此，當IDF晶片被置於製品中心且半導體層被置於IDF晶片中心時，可釋放半導體層上的應力並可防止破裂發生。
此外，IDF晶片和天線可分開安裝於製品上。對安裝區域沒有限制，且當IDF晶片和天線安裝於不同面時，增加了設計的自由度。這種情況中的天線可直接安裝於製品上。此後，將天線的連接端子結合到IDF晶片的連接端子。此時，它們可用各向異性的導體相互結合。
(實施例7)假定IDF晶片在一些情況中測量了面積，且與用矽晶片形成的晶片相比高度柔性；因此，需要考慮彎曲狀態的損壞。相應地，在本實施例中，將描述彎曲配備有IDF晶片的鈔票的狀態。
圖19A示出了作為IDF晶片安裝製品並沿箭頭方向280彎曲的鈔票301。一般，薄膜材料易於彎曲或可易於在縱向上彎曲；因此，在本實施例中將描述沿縱向彎曲的情況。
圖19B中示出了這種狀態中的IDF晶片104。IDF晶片具有多個薄膜電晶體230，且薄膜電晶體排列成使載流子流向281與箭頭方向(彎曲方向)280垂直。換言之，每個薄膜電晶體的源極區230(s)、溝道形成區230(c)和漏極區230(d)被排列成與彎曲方向280垂直。結果，可防止由於薄膜電晶體的彎曲應力引起的損壞或分離。
在將使用雷射輻射的結晶半導體膜用作半導體膜的情況中，雷射掃描方向283也被設定為與彎曲方向280垂直。例如，如圖23B所示，在移動雷射輻射區(點)282以結晶化整個表面的情況中，將雷射掃描方向283(主軸側)設定為與彎曲方向280垂直。
通過按此方向彎曲IDF晶片，不會損壞IDF晶片特別是薄膜電晶體。此外，可將載流子流方向的晶粒邊界減小到最小。結果，可改善薄膜電晶體的電特徵，特別是遷移率。
此外，通過使得IDF晶片中形成圖案的半導體膜的面積率為1％到30％，可防止由於薄膜電晶體的彎曲應力引起的損壞或分離。
在本實施例中描述了非接觸式IDF晶片；但也可以是接觸式IDF晶片或混合IDF晶片。
(實施例8)描述了使用配備有薄膜集成電路的製品的應用模式。
圖18A示出了通過配備附著到標籤403的IDF晶片402的藥瓶401、讀取器/寫入器410、具有顯示部分421的個人計算機420等的信息流。例如劑量、效果、副作用、過敏等的IDF晶片中的信息通過讀取器/寫入器輸入個人計算機，並可在顯示部分421上確認該信息。
IDF晶片可包括諸如商業廣告的信息，例如主頁地址。在這種情況中，激活網際網路瀏覽器並通過讀取器/寫入器輸入地址；隨後，可觀看該主頁。通過讀取IDF晶片中記錄的信息，與手動輸入信息的情況相比可避免輸入錯誤。
藥物信息可用具有讀取器/寫入器功能的可攜式電子設備(由行動電話或PDA所代表)讀取。例如，用作行動電話430的天線431的線圈被設計為也用作讀取器/寫入器的天線。IDF晶片中記錄的信息可在行動電話的顯示部分432上確認。
圖18B示出了IDF晶片和讀取器/寫入器的電路配置。
首先，IDF晶片104包括天線線圈501、電容器502、解調電路503、調製電路504、整流器電路505、微處理器506、存儲器507和用於將負荷施加於天線501的開關508。這些電路和微處理器可用薄膜集成電路形成。存儲器507的數量不限於一個，而可使用多個存儲器。
讀取器/寫入器410包括天線線圈511、調製電路512和振蕩裝置513，它們有助於發送信號的生成。讀取器/寫入器410還包括檢測解調電路514，它檢測、放大並調製接收到的信號。由於IDF晶片接收到的信號極其微弱，最好用濾波器等將接收信號分開並放大。隨後，將接收信號發送給門電路ASIC(專用集成電路)515。
輸入到門電路ASIC的數據被發送到微處理器516並進行處理。如有必要，可在微處理器516和存儲器517之間進行信號的手動傳輸，從而實現預定處理。微處理器516中使用的程序、數據等被存入存儲器517。此外，存儲器可用作處理的操作區。此後，可進行微處理器和信號接口519之間的信號傳輸。此外，提供用於這種手動信號交換的電源518。
微處理器516、存儲器517和信號接口519可設置於個人計算機或電話機自身中。
讀取器/寫入器可具有防衝突功能。
此外，同時用作讀取器/寫入器的諸如行動電話的電子設備可包括天線線圈511、調製電路512、振蕩裝置513、檢測解調電路514、門電路ASIC 515、微處理器516、存儲器517、電源518和信號接口519。
當然，以上電路等可形成於個人計算機中以提供讀取器/寫入器功能。
從門電路ASIC 515發送的作為電波通過調製電路512的信號通過天線線圈501中的電磁感應轉換成AC電信號。AC電信號在解調電路503中解調並被發送到微處理器506。此外，利用整流器電路505中的AC電信號生成電源電壓，並將其提供到微處理器506。
在微處理器506中，根據輸入信號進行各種處理。存儲器507不僅可用於存儲微處理器506中使用的程序、數據等還可用作處理中的操作區。將從微處理器506發送到調製電路504的信號調製為AC電信號。開關508可根據來自調製電路504的AC電信號將一負荷施加於天線線圈501。讀取器/寫入器通過電波接收施加於天線線圈501的負荷，從而從微處理器506讀取信號。
圖18B中示出的IDF晶片和讀取器/寫入器的電路配置僅僅是一示例，且本發明不限於此。用於傳送信號的方法不限於本實施例中所示的電磁感應法。也可採用電磁耦合方法、微波方法或其它傳輸方法。此外，本發明的IDF晶片可具有諸如GPS的功能。
本申請基於2004年2月6日提交日本專利局的日本專利申請No.2004-031064，其整體結合在此作為參考。
權利要求
1.一種用於製造薄膜集成電路的方法，包括以下步驟在絕緣基片上形成分離層；在所述分離層上形成至少兩個薄膜集成電路；在所述兩個薄膜集成電路之間形成一凹槽以暴露所述分離層；在所述兩個薄膜集成電路上附著具備開口和天線的天線基片；以及通過將蝕刻劑引入所述開口並去除所述分離層來分離所述絕緣基片，其中通過所述天線基片集成所述兩個薄膜集成電路。
2.一種用於製造薄膜集成電路的方法，包括以下步驟在絕緣基片上形成分離層；在所述分離層上形成至少兩個薄膜集成電路；在所述兩個薄膜集成電路之間選擇性地形成凹槽以露出所述分離層的一部分，並形成作為所述兩個薄膜集成電路的一部分的連接區；以及通過將蝕刻劑引入所述開口並去除所述分離層來分離所述絕緣基片，其中通過所述連接區集成所述兩個薄膜集成電路。
3.一種用於製造薄膜集成電路的方法，包括以下步驟在絕緣基片上形成分離層；在所述分離層上形成至少兩個薄膜集成電路；在所述兩個薄膜集成電路之間選擇性地形成凹槽以露出所述分離層的一部分，並形成作為所述兩個薄膜集成電路的一部分的連接區；在所述兩個薄膜集成電路上附著具備開口和天線的天線基片；以及通過將蝕刻劑引入所述凹槽和開口並去除所述分離層來分離所述絕緣基片，其中通過所述天線基片集成所述兩個薄膜集成電路。
4.如權利要求1所述的用於製造薄膜集成電路的方法，其特徵在於，包括以下步驟將所述兩個薄膜集成電路附著到柔性基片。
5.如權利要求2所述的用於製造薄膜集成電路的方法，其特徵在於，還包括以下步驟將一天線附著到所述兩個薄膜集成電路。
6.如權利要求2所述的用於製造薄膜集成電路的方法，其特徵在於，包括以下步驟將一天線附著到所述兩個薄膜集成電路；以及將所述兩個薄膜集成電路附著到柔性基片。
7.如權利要求3所述的用於製造薄膜集成電路的方法，其特徵在於，包括以下步驟將所述兩個薄膜集成電路附著到柔性基片
8.如權利要求1所述的用於製造薄膜集成電路的方法，其特徵在於，所述兩個薄膜集成電路的每一個包括薄膜電晶體、以及在所述薄膜電晶體上下設置的含氮絕緣膜。
9.如權利要求2所述的用於製造薄膜集成電路的方法，其特徵在於，所述薄膜集成電路的每一個包括薄膜電晶體、以及在所述薄膜電晶體上下設置的含氮絕緣膜。
10.如權利要求3所述的用於製造薄膜集成電路的方法，其特徵在於，所述薄膜集成電路的每一個包括薄膜電晶體、以及在所述薄膜電晶體上下設置的含氮絕緣膜。
11.如權利要求1所述的用於製造薄膜集成電路的方法，其特徵在於，所述蝕刻劑是包含由ClF3所代表的滷化物的氣體或液體。
12.如權利要求2所述的用於製造薄膜集成電路的方法，其特徵在於，所述蝕刻劑是包含由ClF3所代表的滷化物的氣體或液體。
13.如權利要求3所述的用於製造薄膜集成電路的方法，其特徵在於，所述蝕刻劑是包含由ClF3所代表的滷化物的氣體或液體。
14.如權利要求1所述的用於製造薄膜集成電路的方法，其特徵在於，所述絕緣基片是玻璃基片、石英基片或由諸如塑料或丙烯酸的合成樹脂製成的基片。
15.如權利要求2所述的用於製造薄膜集成電路的方法，其特徵在於，所述絕緣基片是玻璃基片、石英基片或由諸如塑料或丙烯酸的合成樹脂製成的基片。
16.如權利要求3所述的用於製造薄膜集成電路的方法，其特徵在於，所述絕緣基片是玻璃基片、石英基片或由諸如塑料或丙烯酸的合成樹脂製成的基片。
17.如權利要求1所述的用於製造薄膜集成電路的方法，其特徵在於，當安裝製品的厚度由D表示時，所述兩個薄膜集成電路的每一個的安裝位置X滿足(1/2)D-30μm＜X＜(1/2)D+30μm。
18.如權利要求2所述的用於製造薄膜集成電路的方法，其特徵在於，當安裝製品的厚度由D表示時，所述兩個薄膜集成電路的每一個的安裝位置X滿足(1/2)D-30μm＜X＜(1/2)D+30μm。
19.如權利要求3所述的用於製造薄膜集成電路的方法，其特徵在於，當安裝製品的厚度由D表示時，所述兩個薄膜集成電路的每一個的安裝位置X滿足(1/2)D-30μm＜X＜(1/2)D+30μm。
20.如權利要求1所述的用於製造薄膜集成電路的方法，其特徵在於，通過各向異性的導體、超聲波粘合劑或紫外線固化樹脂將所述天線附著到所述兩個薄膜集成電路。
21.如權利要求3所述的用於製造薄膜集成電路的方法，其特徵在於，通過各向異性的導體、超聲波粘合劑或紫外線固化樹脂將所述天線附著到所述兩個薄膜集成電路。
22.如權利要求5所述的用於製造薄膜集成電路的方法，其特徵在於，通過各向異性的導體、超聲波粘合劑或紫外線固化樹脂將所述天線附著到所述兩個薄膜集成電路。
23.如權利要求1所述的用於製造薄膜集成電路的方法，其特徵在於，通過選自微滴排放法、濺射法、印刷法、鍍敷法、光刻法、使用金屬掩模的蒸鍍法及其組合的方法形成所述天線。
24.如權利要求3所述的用於製造薄膜集成電路的方法，其特徵在於，通過選自微滴排放法、濺射法、印刷法、鍍敷法、光刻法、使用金屬掩模的蒸鍍法及其組合的方法形成所述天線。
25.如權利要求5所述的用於製造薄膜集成電路的方法，其特徵在於，通過選自微滴排放法、濺射法、印刷法、鍍敷法、光刻法、使用金屬掩模的蒸鍍法及其組合的方法形成所述天線。
26.如權利要求1所述的用於製造薄膜集成電路的方法，其特徵在於，所述分離層是非晶半導體、半非晶半導體、微晶半導體或結晶半導體。
27.如權利要求2所述的用於製造薄膜集成電路的方法，其特徵在於，所述分離層是非晶半導體、半非晶半導體、微晶半導體或結晶半導體。
28.如權利要求3所述的用於製造薄膜集成電路的方法，其特徵在於，所述分離層是非晶半導體、半非晶半導體、微晶半導體或結晶半導體。
29.如權利要求1所述的用於製造薄膜集成電路的方法，其特徵在於，所述兩個薄膜集成電路具有0.3μm到3μm的厚度。
30.如權利要求2所述的用於製造薄膜集成電路的方法，其特徵在於，所述兩個薄膜集成電路具有0.3μm到3μm的厚度。
31.如權利要求3所述的用於製造薄膜集成電路的方法，其特徵在於，所述兩個薄膜集成電路具有0.3μm到3μm的厚度。
32.如權利要求1所述的用於製造薄膜集成電路的方法，其特徵在於，所述兩個薄膜集成電路是5mm2或以下。
33.如權利要求2所述的用於製造薄膜集成電路的方法，其特徵在於，所述兩個薄膜集成電路是5mm2或以下。
34.如權利要求3所述的用於製造薄膜集成電路的方法，其特徵在於，所述兩個薄膜集成電路是5mm2或以下。
35.如權利要求1所述的用於製造薄膜集成電路的方法，其特徵在於，所述兩個薄膜集成電路的每一個包括氫濃度為1×1019/cm3到5×1020/cm3的半導體膜。
36.如權利要求2所述的用於製造薄膜集成電路的方法，其特徵在於，所述兩個薄膜集成電路的每一個包括氫濃度為1×1019/cm3到5×1020/cm3的半導體膜。
37.如權利要求3所述的用於製造薄膜集成電路的方法，其特徵在於，所述兩個薄膜集成電路的每一個包括氫濃度為1×1019/cm3到5×1020/cm3的半導體膜。
38.如權利要求35所述的用於製造薄膜集成電路的方法，其特徵在於，所述半導體膜具有0.2μm或以下的厚度。
39.如權利要求36所述的用於製造薄膜集成電路的方法，其特徵在於，所述半導體膜具有0.2μm或以下的厚度。
40.如權利要求37所述的用於製造薄膜集成電路的方法，其特徵在於，所述半導體膜具有0.2μm或以下的厚度。
41.如權利要求35所述的用於製造薄膜集成電路的方法，其特徵在於，所述半導體膜包括源極區、漏極區和溝道形成區，以及其中所述源極區、漏極區和溝道形成區被形成為與安裝製品的彎曲方向相垂直。
42.如權利要求36所述的用於製造薄膜集成電路的方法，其特徵在於，所述半導體膜包括源極區、漏極區和溝道形成區，以及其中所述源極區、漏極區和溝道形成區被形成為與安裝製品的彎曲方向相垂直。
43.如權利要求37所述的用於製造薄膜集成電路的方法，其特徵在於，所述半導體膜包括源極區、漏極區和溝道形成區，以及其中所述源極區、漏極區和溝道形成區被形成為與安裝製品的彎曲方向相垂直。
44.如權利要求1所述的用於製造薄膜集成電路的方法，其特徵在於，通過按切割、劃線或雷射切割方法切割所述兩個薄膜集成電路來形成薄膜集成電路。
45.如權利要求2所述的用於製造薄膜集成電路的方法，其特徵在於，通過按切割、劃線或雷射切割方法切割所述兩個薄膜集成電路來形成薄膜集成電路。
46.如權利要求3所述的用於製造薄膜集成電路的方法，其特徵在於，通過按切割、劃線或雷射切割方法切割所述兩個薄膜集成電路來形成薄膜集成電路。
47.一種元件基片，包括絕緣基片；所述絕緣基片上的分離層；所述分離層上的至少兩個薄膜集成電路；以及與所述絕緣基片相對設置的天線基片，其中所述天線基片包括天線和開口，且其中在所述兩個薄膜集成電路之間設置一凹槽以對應於所述開口。
48.一種元件基片，包括絕緣基片；所述絕緣基片上的分離層；所述分離層上的至少兩個薄膜集成電路；連接區；以及與所述絕緣基片相對設置的天線基片，其中所述天線基片包括天線和第一開口，其中在所述兩個薄膜集成電路之間設置一凹槽以對應於所述第一開口，其中在所述兩個薄膜集成電路中設置第二開口，且其中通過所述連接區集成所述兩個薄膜集成電路。
49.如權利要求47所述的元件基片，其特徵在於，所述兩個薄膜集成電路的每一個包括薄膜電晶體、以及具有在所述兩個薄膜集成電路上下設置的含氮絕緣膜的層。
50.如權利要求48所述的元件基片，其特徵在於，所述兩個薄膜集成電路的每一個包括薄膜電晶體、以及具有在所述兩個薄膜集成電路上下設置的含氮絕緣膜的層。
51.如權利要求47所述的元件基片，其特徵在於，所述分離層是非晶半導體、半非晶半導體、微晶半導體或結晶半導體。
52.如權利要求48所述的元件基片，其特徵在於，所述分離層是非晶半導體、半非晶半導體、微晶半導體或結晶半導體。
53如權利要求47所述的元件基片，其特徵在於，所述兩個薄膜集成電路具有0.3μm到3μm的厚度。
54.如權利要求48所述的元件基片，其特徵在於，所述兩個薄膜集成電路具有0.3μm到3μm的厚度。
55.如權利要求47所述的元件基片，其特徵在於，所述兩個薄膜集成電路的每一個包括氫濃度為1×1019/cm3到5×1020/cm3的半導體膜。
56.如權利要求48所述的元件基片，其特徵在於，所述兩個薄膜集成電路的每一個包括氫濃度為1×1019/cm3到5×1020/cm3的半導體膜。
57.如權利要求55所述的元件基片，其特徵在於所述半導體膜具有0.2μm或以下的厚度。
58.如權利要求56所述的元件基片，其特徵在於所述半導體膜具有0.2μm或以下的厚度。
59.如權利要求47所述的元件基片，其特徵在於，所述元件基片安裝於選自由標籤、鈔票、支票、證券和卡組成的組的產品。
60.如權利要求48所述的元件基片，其特徵在於，所述元件基片安裝於選自由標籤、鈔票、支票、證券和卡組成的組的產品。
全文摘要
用矽晶片形成的IC晶片的應用形式和需求預計會增加，且需要進一步降低成本。本發明的一個目的在於提供一種能以更低成本生產的IC晶片結構和過程。考慮到上述目的，本發明的一項特點在於提供在絕緣基片上形成分離層、並在分離層上形成具有半導體膜作為反應區的薄膜集成電路的步驟，其中不分離上述薄膜集成電路。與將晶片去除圓形矽晶片的情況相比，在使用絕緣基片的情況中對母基片的形狀的限制較少。因此，可以實現IC晶片成本的降低。
文檔編號H01L21/336GK1914735SQ20058000407
公開日2007年2月14日 申請日期2005年1月27日 優先權日2004年2月6日
發明者山崎舜平, 大力浩二 申請人:株式會社半導體能源研究所