碟片驅動器系統的變換器級微型執行機構及其製造方法
2023-06-05 17:55:16 3
專利名稱：碟片驅動器系統的變換器級微型執行機構及其製造方法
技術領域：
本發明涉及碟片驅動器微型執行機構，更具體地說，本發明涉及用於選擇地相對可旋轉碟片的圓周數據軌道徑向地移動浮動塊的變換器部分的高解析度的定位機構。
背景技術：
磁碟上的同心數據軌道的密度不斷地增加(也就是說，數據軌道的尺寸和數據軌道之間的徑向間隔都在減小)，從而需要更加精確地徑向定位頭部。傳統上，通過用諸如音圈電動機之類的大型的執行機構電動機來操作執行機構臂以將頭部定位在執行機構臂端部處的彎曲件上來完成頭部的定位。大型的電動機沒有足夠的解析度和帶寬，以致不能有效地兼容高軌道密度的碟片。因此，需要高解析度的頭部定位機構來兼容更加緊密地間隔的軌道。另一個難題是，為了有效進行數據的寫入和讀取且不會由於磨損而影響頭部至碟片界面的可靠性，必須減小變換頭在磁碟表面上方的飛起高度，所以磁碟的軌道密度就要增加。當飛起高度變低時，將飛起高度精確地保持在一想要的值就變得更加關鍵。略微的減小就可能致使頭部和碟片之間發生接觸，這可能會導致災難性的故障，而在寫入或讀取過程中，略微的增加就可能會導致在與磁碟變換數據時發生錯誤。
用於進行高解析度頭部定位的一種折衷的方法包括除了傳統的低解析度的執行機構電動機之外再採用一高解析度的微型執行機構，從而通過兩階段的驅動來進行頭部定位。已經想到各種微型執行機構的設計方案來完成高解析度的頭部定位。人們已提出了各種微型執行機構的位置，例如包括在浮動塊上、在萬向接頭上、在萬向接頭與浮動塊的界面處以及在執行機構臂上。不過，以前的設計分案存在一些缺點，這些缺點限制了微型執行機構的效用，如明顯的性能限制或製造複雜性，它們使微型執行機構的這些設計方案不實用。有效的微型執行機構設計方案必須提供在定位頭部過程中的高加速度，且同時也產生足夠大和精確的位移，以精確地移動頭部橫跨過碟片上的若干數據軌道。
變換器級微型執行機構允許用於高TPI數據存儲的精確離軌定位和主動飛起高度控制。通常，變換器級微型執行機構包括一主要的浮動塊本體和包含該變換器的一可動轉子。轉子通過彈性彎曲件連接至浮動塊本體。使用一種諸如靜電電極或電磁線圈之類的驅動方法來提供離軌和/或飛起高度驅動(或轉子預加載力)。以前所揭示的變換器級微型執行機構的製造方法十分依賴於轉子與浮動塊本體之間的深活性離子蝕刻(DRIE)和大高寬比的彈性彎曲件。一般來說，浮動塊本體用矽構成，並從浮動塊本體中蝕刻出彈性彎曲件，以形成大高寬比的矽制彈性彎曲件。不過，因為矽不是標準的材料，且不如標準的氧化鋁合碳化鈦(Al2O3TiC)浮動塊那麼為人們所接受，也不如它那麼堅固，所以使用矽基底並不理想。此外，在浮動塊本體的使用中或者如果硬碟驅動器掉落時，矽浮動塊本體產生碎屑、開裂、斷裂和/或發生其它損壞的可能性增大。在本技術領域中需要一種變換器級微型執行機構，這種微型執行機構可用標準的Al2O3TiC或其它基於碳的基底材料製成，更為堅固，不易在使用中斷裂，且易於製造。
發明內容
本發明涉及一種浮動塊。該浮動塊包括具有一前緣和一後緣的一浮動塊本體、與浮動塊本體的後緣間隔開並包括至少一個變換器元件的一變換器本體以及從浮動塊本體的後緣延伸的一彎曲件本體。彎曲件本體包括連接至浮動塊本體的一第一定位點和連接至變換器本體的一第二定位點。在浮動塊本體的後緣上沉積一底塗層，並且該底塗層基本上包圍彎曲件本體，並通過一第一間隙與彎曲件本體分開。在底塗層上形成一第一驅動裝置，並在變換器本體上與浮動塊本體相鄰處形成一第二驅動裝置。
圖1是用於在碟片的軌道之上定位浮動塊的一現有技術的碟片驅動器的驅動系統的立體圖。
圖2是一碟片驅動器的一部分的分解立體圖，該圖示出了採用根據本發明的一微型執行機構的一浮動塊組件。
圖3是根據本發明的浮動塊組件的仰視圖。
圖4A是根據本發明的浮動塊組件的後緣部分的分解立體圖。
圖4B和4C是浮動塊組件的一可選實施例的一後緣部分的分解立體圖。
圖5是根據本發明的浮動塊組件的後緣部分的一部分的立體圖。
圖6-17是示出用於製造根據圖4A和5中所示的實施例的浮動塊組件的工藝過程的圖。
圖18是示出用於製造根據圖4A和5中所示的本發明實施例的浮動塊組件的另一個工藝過程的圖。
圖19-21是示出用於製造根據圖4A和5中所示的本發明實施例的浮動塊組件的彈性彎曲件的工藝過程的圖。
圖22是根據本發明另一實施例的一浮動塊組件的一後緣部分的分解立體圖。
圖23是圖22的浮動塊組件的浮動塊本體後緣部分的一部分的立體圖。
圖24-36是示出用於製造圖22和23中所示的實施例的浮動塊組件的工藝過程的圖。
圖37是根據本發明另一實施例的一浮動塊組件的一後緣部分的分解立體圖。
圖38-43是示出用於製造根據圖37所示的本發明實施例的浮動塊組件的工藝過程的圖。
具體實施例方式
圖1是一現有技術的碟片驅動器的驅動系統10的立體圖。驅動系統10包括一音圈電動機(VCM)12，該VCM12布置成在一主軸上繞一軸線16旋轉一執行機構臂14。一頭部懸架18在一頭部安裝塊20處連接至執行機構臂16。一彎曲件22連接至頭部懸架18的一端，並裝載一浮動塊24。浮動塊24裝載用於在一碟片26上讀取和/或寫入數據的一變換頭(如圖2所示)，所述碟片26繞一軸線28旋轉，並包括其上寫有數據的同心軌道30。當碟片26旋轉時，浮動塊24遇到空氣阻力，以使其在碟片26的表面上方抬起一小段距離。
VCM12有選擇地工作，以使執行機構臂14繞軸線16運動，從而在碟片26的軌道30之間移動浮動塊24。不過，對於具有高軌道密度的碟片驅動器系統而言，VCM12缺乏足夠的解析度和頻率響應，以致不能在碟片26的一所選的軌道之上精確地定位浮動塊24上的一變換頭。因此，需要更高解析度的驅動裝置。
圖2是碟片驅動器的驅動系統10的一部分的分解立體圖，該碟片驅動器的驅動系統10包括根據本發明的一浮動塊組件32。彎曲件22附接在頭部懸架18上，並且浮動塊組件32附接至彎曲件22，以使浮動塊32被帶到碟片26的表面上方(圖1)。浮動塊組件32包括一浮動塊本體(或定子部分)34和可動地附接至浮動塊本體34的一變換器本體(或轉子部分)36。浮動塊本體34有一前緣38和一後緣40，變換器本體36在後緣40處可動地附接至浮動塊本體34。浮動塊組件32的變換器本體36裝載變換頭42，以與碟片26轉換數據。
在碟片驅動器的工作過程中，在由VCM12(圖1)執行粗定位以移動執行機構臂14(圖1)時，頭部懸架18和裝載浮動塊組件32的彎曲件22都一起移動。為了實現變換頭42的精細定位，浮動塊組件32所採用的一微型執行機構(在圖2中沒有示出)進行工作，以相對浮動塊組件32的浮動塊本體34或一定子部分移置浮動塊組件32的變換器本體36或一轉子部分。結果，就高解析度地移置變換頭42，以在碟片26的一所選的軌道之上精確地定位。
圖3是浮動塊組件32的仰視圖，該浮動塊組件32包括一空氣承載表面44、轉子部分36(為了清楚起見，沒有示出變換頭42)以及定子部分34。彎曲件本體46將定子部分34連接至浮動塊組件32的轉子部分36。一微型執行機構(包括圖4A和5中所示的靜電電極)被驅動，以相對定子部分34移動浮動塊組件32的轉子部分36。轉子部分36如箭頭48所示地平行於碟片26移動以及如箭頭50所示地垂直於碟片26移動。相對浮動塊本體34移置浮動塊組件32的變換器本體32相對碟片26精細地定位變換頭38，並控制變換頭42的飛起高度。
圖4A是根據本發明的浮動塊組件32的分解立體圖，圖5是浮動塊組件32的後緣部分40的立體圖。浮動塊本體34包括彎曲件本體46和形成在後緣40上的結合墊52。浮動塊本體34是包括氧化鋁合碳化鈦(Al2O3TiC)或類似材料的一標準浮動塊晶片。在圖4所示的實施例中，彎曲件本體46包括四個彈性彎曲件54a、54b、54c和54d，它們大體呈圓柱形，並形成柔性的柱子。另外的實施例可包括更少或更多的彈性彎曲件。彈性彎曲件54a-54d和結合墊52例如通過電鍍來形成在浮動塊本體34的後緣40上。彈性彎曲件54a-54d和結合墊52用耐腐蝕且機械性能方面堅固和強度高的金屬製成。彈性彎曲件54a-54d和結合墊52可以用相同的金屬或者不同的金屬製成。
在浮動塊組件32的製造過程中，一犧牲側壁56包圍彈性彎曲件54a-54d，該側壁在變換器本體36形成之後較晚地進行蝕刻。浮動塊組件32還包括沉積在浮動塊本體34的後緣40上、以包圍彈性彎曲件54a-54d的犧牲側壁56和結合墊52的一絕緣底塗層58。底塗層58包括提供至彈性彎曲件54a-54d的接觸路徑的開孔60。各彈性彎曲件的一第一端62或第一定位點連接至浮動塊本體34。各彈性彎曲件的一第二端64或第二定位點連接至變換器本體36。在製作變換器本體36之後，去除犧牲側壁56，以在彈性彎曲件54a-54d與絕緣底塗層58之間的形成一間隙，藉此為彈性彎曲件54a-54d移動和移置變換器本體36提供了自由度。
利用沉積工藝在底塗層58上形成定子電極66。轉子部分36通過彈性彎曲件54a-54d連接至定子部分34。浮動塊組件32的轉子部分36包括轉子電極68，利用沉積工藝形成該轉子電極。例如，可以使用美國專利申請序列號第10/286,652號中所揭示的製作方法來形成形成微型執行機構的定子和轉子電極，所述美國專利申請的題目為「包括變換器級微定位的、用於數據存儲裝置的浮動塊及其製作方法(Slider for a Data Storage Device includingTransducer Level Micro-Positioning and Method of Fabrication Thereof)」，該申請已轉讓給Seagate Technology LLC，於此援引該申請，以供參考。轉子部分36還包括沉積在轉子電極68上的一絕緣層70。轉子電極68與定子電極66相互交叉。定子電極66與轉子電極68形成一靜電微型執行機構。驅動微型執行機構可相對定子部分34移動轉子部分36，以相對碟片26(圖1)定位變換頭42(圖2)，並控制變換頭42的飛起高度。
儘管在圖4A和5中沒有示出，結合墊52至變換頭42形成有電氣連接。來自結合墊52的電氣連接是通過導電連接至定子電極66的通道來形成的。形成在轉子電極68中的跨線將定子電極66連接至轉子電極。除了在定位點處外，與定子34和轉子36機械地分隔開的順從的金屬梁提供至轉子電極68和變換頭42的電氣連接。
圖4B和4C是浮動塊組件32的一可選實施例的後緣部分40的分解立體圖。浮動塊組件32包括一電磁微型執行機構。圖4B示出在定子部分34上帶有一沉積的線圈結構67並在轉子部分36上帶有一永久磁體薄膜69的一電磁微型執行機構；圖4C示出了在轉子部分36上帶有沉積的線圈結構67並在定子部分34上帶有一永久磁體薄膜69的一電磁微型執行機構。
圖6-17示出用於製作浮動塊組件32、特別是圖4A和5中所示的浮動塊組件的示範性實施例的一變換器級微型執行機構的工藝流程的圖。圖6-11和14-17示出了圖4A沿著線A-A的橫截面，而圖12和13則示出了圖4A的浮動塊組件沿著線B-B截取的橫截面。圖6-17中所示的圖是簡化的，以清楚地示出用於形成浮動塊組件32的總體工藝流程，因此，沒有示出浮動塊組件32的一些結構特徵，以更加清楚地圖示本發明。在描述工藝流程時，將具體地說明圖4A和5中所示的實施例的不同之處。儘管圖6-17的圖示出了單個浮動塊組件的形成，但那些熟悉本技術領域的人們將會理解，製作較佳的是在各個浮動塊組件分開之前在晶片級處進行，以提高效率。
如圖6所示，一浮動塊晶片80形成一浮動塊本體34的基部。在浮動塊晶片80的頂表面84上沉積一籽晶層82。浮動塊晶片80由諸如Al2O3TiC或類似材料之類的標準的晶片材料構成，不過，在另外的諸實施例中，晶片可以由其它的材料構成，只要這樣的材料允許利用犧牲間隙層來通過附加的電鍍方法來形成彎曲件本體46即可。籽晶層82大體為耐腐蝕、在機械性能方面堅固且強度高的金屬。在本發明另外的諸實施例中，可以使用附加的粘結材料或步驟，以促進浮動塊本體34與彈性彎曲件54a-54d之間的粘結。例如，在頂表面84之上沉積一粘結層，並在粘結層的頂部上沉積籽晶層。在另一例子中，在頂表面84上沉積一兩種顆粒的材料，並進行材料的有選擇的蝕刻，以在浮動塊本體34與彈性彎曲件54a-54d之間產生一粗糙多孔的粘結界面。
在圖7中，在籽晶層82上形成用於彈性彎曲件54a-54d的一電鍍模(platingmold)86的圖案。一般來說，電鍍模46由光致抗蝕劑構成。電鍍模84形成具有彈性彎曲件54a-54d的形狀特徵的凹腔88。如果要用同一金屬籽晶層電鍍出彈性彎曲件和結合墊，則電鍍模86也可以形成用於結合墊52的圖案。不過，在圖6-17所示的製作工藝中，結合墊52是用與彈性彎曲件54a-54d不同的材料、在該工藝的一不同的部分(如圖12和13所示)電鍍出的。在製作中的這個時候，如果結合墊和彈性彎曲件要用相同的材料構成，則電鍍模86可包括界定結合墊52的形狀特徵的凹腔。
在圖8中，在電鍍模86的凹腔88內電鍍出籽晶層82，以形成大高寬比的彈性彎曲件54a和54b。如圖4A和5所示並在本製作過程中所述的彈性彎曲件54a和54b呈圓柱形狀，以形成一柔性柱。
在圖9中，從浮動塊晶片80和籽晶層82上去除了電鍍模86，並從浮動塊晶片80的頂表面84上去除了籽晶層82。利用化學原理從浮動塊晶片80的表面揭掉電鍍模86，並從浮動塊晶片80的頂表面84離子研磨、噴吹或蝕刻掉剩餘的薄金屬籽晶層82。在去除了電鍍模86和籽晶層82之後，可通過活性離子蝕刻(RIE)、離子研磨或溼蝕刻中任一種方法有選擇性地減小彈性彎曲件54a-54d的直徑。
本實施例的彈性彎曲件54a-54d是厚的、高的垂直柱。這些柱在平行於碟片表面的方向和垂直於碟片表面的方向上可以彎曲，以使變換器本體36能移動，以定位變換頭42並調整變換頭42的飛起高度。彈性彎曲件54a-54d沿著柱的縱向軸線是剛性的。各彈性彎曲件的第一端62連接至浮動塊晶片80。
圖10中，在浮動塊晶片80上沉積一犧牲材料90，以完全包圍彈性彎曲件54a-54d並與之相一致。沉積犧牲材料90的一種方法是通過諸如PECVD之類的濺射沉積。犧牲材料90的厚度約為2微米。犧牲材料90的例子包括矽、二氧化矽、鍺(或富含鍺的矽鍺)或類似的材料。如可從圖10中所見，犧牲材料90圍繞各彈性彎曲件的第二端64成一角度而沉積。在製作工藝中後來將去除犧牲材料90，以在彈性彎曲件54a-54d與相鄰的底塗層58之間形成一間隔或間隙。這樣的一個間隔允許彈性彎曲件54a-54d移動，以定位浮動塊組件32的轉子部分36。
在圖11中，例如通過垂直於晶片表面84的一定向的離子研磨來去除沉積在浮動塊晶片80和彈性彎曲件54a-54d的水平表面(亦即頂表面84和第二端64)上的犧牲材料90。箭頭92示出了離子研磨的定向移動。離子研磨不從彈性彎曲件的垂直表面上去除犧牲材料。因此，僅剩餘的犧牲材料90在彈性彎曲件54a和54b的側面94或垂直表面上。犧牲材料90與彈性彎曲件54a和54b的側面94相一致，並圍繞彈性件形成犧牲側壁56、或犧牲材料90的一護套。各彈性彎曲件的第二端64或頂表面是外露的，以提供與浮動塊組件32的轉子部分36之間的連接。
圖12和13是示出結合墊52a、特別是用與彈性彎曲件不同的材料構成而結合墊的製作的圖。由與彈性彎曲件54a-54d相同的材料構成的結合墊52將與彈性彎曲件同時電鍍。例如，用於彈性彎曲件的電鍍模圖案也將形成一用於結合墊的模。
在圖12中，在晶片表面84上沉積一籽晶層96，並在其上沉積一電鍍模98。電鍍模98包括界定結合墊52a的形狀特徵的凹腔100。籽晶層96由光致抗蝕劑構成。在電鍍模98的凹腔100內電鍍出籽晶層96，以形成結合墊52。在圖13中，例如通過剝離電鍍模來從晶片表面84去除結合墊電鍍模98，並例如通過從浮動塊晶片80研磨或蝕刻掉籽晶層來從晶片表面84去除剩餘的籽晶層材料96。
在本發明另的一種實施例中，圍繞結合墊52沉積一犧牲層，以在浮動塊晶片80分開或切塊以在形成單獨的浮動塊組件32的過程中保護結合墊。在切塊過程中，圍繞犧牲保護層的進行切割，蝕刻掉所述犧牲保護層以露出結合墊52。或者，局部地蝕刻用於結合墊52的犧牲保護層，以露出結合墊，但不露出彎曲件本體。
在圖14中，在包括粗糙部分的晶片表面84上沉積一底塗層材料102，以包圍彈性彎曲件54a和54b的犧牲側壁56和結合墊52(未示出)。底塗層102溢過彈性彎曲件54a和54b的高度，以填充在浮動塊晶片80中。底塗層102由氧化鋁或類似的材料構成。
在圖15中，將底塗層102弄平以形成光滑的表面104，用以在底塗層102的頂部上形成微型執行機構的電極和變換器本體36。弄平的表面104使晶片的表面起伏光滑，以形成定子電極66和變換器本體36。底塗層36向下弄平至彈性彎曲件54a-54d和結合墊52的頂表面64。彈性彎曲件54a-54d和結合墊52的露出的頂表面64提供至變換器本體36的連接點或電氣互連。在本發明的另一些實施例中，使用附加的粘結材料或工藝來促進彈性彎曲件54a-54d與轉子部分36的粘結。彈性彎曲件54a-54d的直徑約為5微米，高度在約5微米至約55微米的範圍內，在本實施例中最佳地為約50微米。
圖16示出了在弄平的晶片表面104上所形成的浮動塊組件32的定子電極66、轉子電極68以及變換器本體36。使用包括轉子空氣軸承和頂部結合墊外露的一標準的浮動塊建造工藝。例如，在美國專利申請序列號第10/286,652號中揭示了一種製作微型執行機構(亦即定子和轉子電極66和68)以及轉子部分36的方法，儘管如此，也可以使用本技術領域中通常所知的其它製作方法。在弄平的表面104上形成定子電極66的圖案。在定子電極66和底塗層102上沉積一與犧牲側壁56相同材料、並較佳的是矽的犧牲層106。蝕刻通道108a和108b而穿透犧牲層106至彈性彎曲件54a和54b的頂表面64，以提供彈性彎曲件與變換器本體36之間的互連。儘管在圖6中沒有示出，從跨線上來沉積電氣接線柱，以提供至變換頭42的電纜連接。在犧牲層106和轉子電極68上沉積一第二底塗層110，以形成變換器本體36。將底塗層110弄平。通過標準的晶片形成工藝在變換器本體36中製作出變換頭42，並沉積附加的材料以形成變換器本體36。
在圖17中，例如通過蝕刻從浮動塊組件32去除犧牲材料90和犧牲層106。所用的蝕刻類型取決於犧牲材料。矽作為犧牲材料就使用XeF2氣體蝕刻，二氧化矽則使用HF蒸氣或液體蝕刻，以及鍺(或富含鍺的SiGe)則使用H2O2蝕刻。去除犧牲材料90和犧牲層106而在浮動塊組件32內形成間隔，並露出結合墊52。底塗層58與彈性彎曲件54a和54b之間的間隙112可提供彈性彎曲件運動的機械自由度。由於去除犧牲層106而形成的間隙114可產生定子和轉子電極66和68之間的相互交叉。然後將浮動塊晶片80分開成單獨的浮動塊組件32。
圖18是示出用於建造根據圖4A和5中所示的實施例的彈性彎曲件的一可選工藝流程的圖。在浮動塊晶片80的頂表面84上沉積一籽晶層120，並在籽晶層120的頂上沉積一絕緣薄膜122。絕緣薄膜122形成一定圖案，以形成至籽晶層120的凹腔124，並提供用於彈性彎曲件54的一電鍍模126。在絕緣層122上沉積一犧牲層128，並且該犧牲層形成一定的圖案，以界定至籽晶層120的凹腔124，並進一步形成電鍍模126。例如通過旋壓成形在犧牲層128上沉積諸如SU-8之類的一可光致圖像的環氧樹脂130。可光致圖像的環氧樹脂130形成一定的圖案，以進一步界定至籽晶層120的凹腔124以及進一步形成電鍍模126。此外，蝕刻通道132在環氧樹脂130中形成一定的圖案，以形成至絕緣層122的一開口。在環氧樹脂130形成圖案之後固化它。浮動塊晶片80電鍍成籽晶層120在凹腔124內電鍍和生長，以形成電鍍模126內的彈性彎曲件54。通過溶解犧牲層128來去除環氧樹脂130。通過蝕刻通道132來對犧牲層128施加溶劑。一旦去除了電鍍模126，絕緣層122和籽晶層120就蝕刻掉了，但保留下浮動塊晶片80和彈性彎曲件54。
參照圖18所述的方法用於製作大高寬比的彈性彎曲件，這種彈性彎曲件的高度較佳的是在約35微米至約55微米的範圍內。該方法允許使用和去除環氧樹脂電鍍模126，而不會損壞金屬籽晶層120，環氧樹脂130提供一種成本低廉的、用於獲得大高寬比模126的工藝。SU-8是在環氧樹脂材料上的一種旋壓成形材料，它可以很大的高寬比進行光成圖案，不過，SU-8無法使用傳統的措施來去除。因此，使用絕緣層122和犧牲層128來去除SU-8，且不會對浮動塊晶片80上的金屬籽晶層120造成傷害。絕緣層122允許適用導電的犧牲層，而不用電鍍的籽晶層堵住蝕刻通道132。最後，蝕刻通道132使卸下環氧樹脂130的犧牲層128能被快速地去除。
圖19是一彎曲件本體133的另一種實施例的圖。彎曲件本體133是一圓柱形的結構，包括一基底部分134和一本體部分136。基底部分134的直徑比本體136寬，以提供更大的附接面積和較寬的定位點，從而更好地粘結至浮動塊晶片80。在具有較寬定位點的彎曲件本體133的另一種實施例中，彎曲件本體133具有不同的形狀，或者是側向的(例如下面將參照圖22-43所述的)。
可以使用兩種不同的方法來形成圖19中所示的彈性彎曲件，一種兩抗蝕劑方法和一種電子束固化方法。兩抗蝕劑方法使用兩種具有不同溶解速率的抗蝕劑來形成彎曲件本體133的一電鍍模。電子束固化方法使用控制下的電子束固化來固化一電鍍模的頂部、而不是電鍍模的底部，以在抗蝕劑溶解方面造成一差別，從而能形成產生T形模的一底切割。
在圖20中，在浮動塊晶片80上形成一彈性彎曲件電鍍模138。在浮動塊晶片80的頂表面84上沉積一籽晶層140。在兩抗蝕劑的方法中，在籽晶層138上沉積一第一抗蝕劑層142，並且該第一抗蝕劑層形成一定的圖案，以形成界定彎曲件本體133的基底部分134的一電鍍模138的凹腔135。在第一抗蝕劑層142上沉積一第二抗蝕劑144，並且該第二抗蝕劑形成一定的圖案，以形成界定彎曲件本體133的本體136的一電鍍模138的凹腔137。第一抗蝕劑142的溶解速率比第二抗蝕劑144的快。在電子束固化的方法中，在浮動塊晶片上沉積單個抗蝕劑層。控制下的電子束固化措施使抗蝕劑層的頂層144固化，但不使抗蝕劑層的底層142固化，從而使抗蝕劑層的頂層144和底層142之間產生在抗蝕劑溶解上差別，且底層142的溶解速率比頂層144的快。
在兩種方法中，都是蝕刻和化學溶解抗蝕劑層以形成電鍍模138的圖案。因為底層142或第一抗蝕劑的溶解速率比頂層144或第二抗蝕劑的快，底層142就比頂層144更快地溶解掉。底層142溶解掉以形成電鍍模138的較寬的基部凹腔135，頂層144以比底層142慢的速率溶解掉，以形成電鍍模138的本體凹腔137。
在圖21中，電鍍浮動塊晶片80和籽晶層140以在電鍍模138內形成彎曲件本體133。揭掉抗蝕劑142和144，並蝕刻掉剩餘的籽晶層140，產生如圖19所示的彎曲件本體133。
圖22和23是根據本發明的浮動塊組件32的另一實施例的立體圖。圖22是浮動塊組件32的分解立體圖，圖23是浮動塊本體34的後緣40的立體圖。為了清楚起見，在圖22中沒有示出變換頭42。浮動塊本體34是一由Al2O3TiC或類似材料構成的標準的浮動塊晶片。在浮動塊本體34的後緣40上形成一第一犧牲層150、彎曲件本體152和154、結合墊52、犧牲側壁156以及底塗層158。在圖22所示的實施例中，彎曲件本體152和154是側向梁彈性件或懸臂梁，各具有連接至浮動塊本體34的一第一定位點160和用於連接至變換器本體36的一第二定位點162。彎曲件本體152和154包括具有各種不同形狀的多根懸臂梁。彎曲件本體的其它實施例可具有不同的形狀，或更少或更多的懸臂梁。不過，彎曲件本體的所有實施例將具有至少一個連接至浮動塊本體34的第一定位點和至少一個連接至變換器本體36的第二定位點162。
例如通過電鍍來沿著浮動塊本體34的後緣形成彎曲件本體152、154和結合墊52。彎曲件本體152、154和結合墊52可用耐腐蝕且機械性能方面堅固和強度高的金屬製成。彎曲件本體152、154和結合墊52可以用相同的金屬或者不同的金屬製成。在本發明的另一種實施例中，浮動塊結合墊52形成到形成在與空氣承載表面44相對的一面上的較大的結合墊的連接。
彎曲件本體152、154形成在犧牲層150上，而該犧牲層150則沉積在浮動塊本體34的後緣40上。犧牲側壁156包圍彎曲件本體152和154。個彎曲件本體被犧牲側壁156包住，除了將彎曲件本體連接至浮動塊本體34的第一定位點160和將彎曲件本體連接至變換器本體36的第二定位點之外，所述犧牲側壁156基本包圍彎曲件本體的所有側面。在製作好變換器本體36之後，去除犧牲側壁156和犧牲層150，以分別在彎曲件本體152、154與底塗層158之間以及彎曲件本體152、154與浮動塊本體34之間形成間隙。間隙使彎曲件本體具有機械自由度，以可移動和移置變換器本體36。在浮動塊本體34的後緣40上沉積絕緣底塗層158，並且該絕緣底塗層158包圍彎曲件本體152、154的犧牲側壁156和結合墊52。底塗層158包括形成至彎曲件本體152、154的接觸路徑的開口164利用沉積工藝在底塗層158上形成定子電極168，如上面參照圖4A和5所示。採用與上面參照圖4A和5所述的相同製作工藝形成轉子部分36。浮動塊組件32件的轉子部分36包括轉子電極170，利用沉積工藝來形成該轉子電極170。轉子電極170與定子電極168相互交叉。定子和轉子電極168和170形成一靜電微型執行機構。轉子部分36還包括沉積在轉子電極170上的一絕緣層172。
圖24-36是示出用於製造圖22和23中所示的實施例的浮動塊組件32的工藝流程的圖。圖24-36示出了沿著圖23的線C-C截取的橫截面。在圖24-36中所示的圖是簡化的，以清楚地示出用於形成浮動塊組件32的總體工藝流程，因此，沒有示出浮動塊組件32的一些結構特徵，以更加清楚地圖示本發明。在描述工藝流程時，將具體地說明圖22和23中所示的實施例的不同之處。儘管圖24-36的圖示出了單個浮動塊組件的形成，但那些熟悉本技術領域的人們將會理解，製作較佳的是在各個浮動塊組件分開之前在晶片級處進行，以提高效率。
如圖24所示，一浮動塊晶片174形成一浮動塊本體34的基部。在浮動塊晶片174的頂表面178上沉積一第一犧牲層176。浮動塊晶片174由諸如Al2O3TiC或類似材料之類的標準的晶片材料構成，不過，另外的諸實施例的晶片可以由其它的材料構成，只要這樣的材料允許利用犧牲間隙層來通過附加的電鍍方法來形成彎曲件本體152和154即可。犧牲層176由矽或類似的材料構成，不過，另外的諸實施例的浮動塊組件可以包括由二氧化矽或鍺(或者富含鍺的SiGe)構成的一第一犧牲層。犧牲層176形成一定的圖案，以形成一表面180，彎曲件本體152和154就形成在該表面180上。
在圖25中，在浮動塊晶片174的頂表面178以及犧牲層176上沉積一籽晶層182。在本發明的其它實施例中，可使用附加的粘結材料或步驟來促進浮動塊本體34與彎曲件本體152和154之間的粘結。例如，在頂表面178上沉積一粘結層，並在該粘結層的頂上沉積一籽晶層182。在另一例子中，在頂表面178上沉積一種兩種顆粒的材料，並進行材料的選擇蝕刻，以在浮動塊本體34與彎曲件本體之間產生一粗糙多孔的粘結界面。
在圖26中，在籽晶層182上形成用於彎曲件本體152、154的一電鍍模184的圖案。一般來說，電鍍模184由光致抗蝕劑構成。電鍍模184包括界定彎曲件152的梁結構152a和152b的形狀特徵的凹腔186。如果彎曲件本體152、154和結合墊52將用相同的材料電鍍，則電鍍模184還可形成一定的圖案，以形成用與結合墊52的模。如果彎曲件本體152、154與結合墊52用不同的材料形成，則在該製作工藝的一不同的部分形成結合墊52，如上面參照圖12和13所述。
在電鍍模184的凹腔186內電鍍出籽晶層182，以形成彎曲件本體152、154。彎曲件本體152和154包括側向梁結構、基本上為懸臂梁，包括圖26-36中的梁結構152a和152b。包括第一定位點160的各梁結構的一第一部分188從浮動塊晶片174延伸出。從犧牲層176形成各梁結構的一第二部分190，並且該第二部分190從第一部分188延伸。第二部分190包括第二定位點162。在製作工藝中後來將去除犧牲層176，並在各梁結構的第二部分190與浮動塊晶片174之間形成一間隙。梁結構152a是梁結構的一側視圖，包括第一部分188和第二部分190。梁結構152b是梁結構的端視圖，包括不固定至浮動塊晶片174的第二部分190。彎曲件本體152和154的高度在約5微米至約55微米的範圍內，並最佳的是在約10微米至約20微米的範圍內。
在圖27中，從浮動塊晶片174和籽晶層182上去除電鍍模184。此外，從浮動塊晶片174的頂表面178和犧牲層176上去除籽晶層182。利用化學原理從浮動塊晶片174揭掉電鍍模184，並從浮動塊晶片174的頂表面178離子研磨、噴吹或蝕刻掉剩餘的薄金屬籽晶層182。在去除了電鍍模184和籽晶層182之後，例如通過RIE、離子研磨或溼蝕刻中任一種方法有選擇性地減小彎曲件本體152和154的寬度。
彎曲件本體152和154包括多根包括梁結構152a和152b的摺疊的梁結構。各彎曲件本體具有至少一個連接至浮動塊晶片174的第一定位點160和至少一個用於連接至變換器本體36的第二定位點162。梁結構152a和152b在平行於碟片表面的方向和垂直於碟片表面的方向上可以彎曲，以使變換器本體36能移動，從而定位變換頭42並調整變換頭42的飛起高度。
在圖28中，在浮動塊晶片174上沉積一第二犧牲層192，以完全包圍梁結構152a和152b並與之相一致。沉積犧牲層192的一種方法是諸如PECVD之類的濺射沉積。
在圖29中，例如通過垂直於晶片表面174的一定向的離子研磨來去除沉積在浮動塊晶片174和梁結構152a、152b的水平表面(亦即頂表面178和定表面194)上的犧牲層192。僅剩餘的犧牲層192在梁結構152a、152b的側面196或垂直表面上。犧牲層192與梁結構152a、152b的側面196相一致，以圍繞彎曲件本體形成犧牲側壁56、或犧牲層192的一護套。離子研磨不從梁結構152a、152b的垂直表面196或第一犧牲層176上去除犧牲層192。
儘管在圖245-36中所描述的製作工藝中沒有示出，但在從浮動塊晶片174的水平表面上去除了犧牲層192的離子研磨步驟(示於圖29)之後，可以利用與上面參照圖12和13所述的工藝類似的一製作工藝來在浮動塊晶片174的頂表面178上形成結合墊。特別是，在製作工藝中的這個時刻形成的結合墊是用與彎曲件本體的材料不同的材料製成的。用與彎曲件本體相同的材料形成的結合墊是與彎曲件本體同時製作的。
在圖30中，在晶片表面178上沉積一底塗層材料198，以回填電鍍區域。底塗層198包圍梁結構152a、152b的犧牲側壁156，並填入浮動塊晶片174。底塗層198由氧化鋁或類似的材料構成。沉積的底塗層198溢過梁結構152a、152b的高度。
在圖31中，將底塗層198、梁結構152a、152b以及犧牲層192弄平，以形成用以形成微型執行機構和變換器本體36的一光滑的表面200。弄平的表面200產生光滑的晶片表面形狀，以形成定子電極168和變換器本體36。在本發明的另一些實施例中，使用附加的粘結材料或步驟來促進彎曲件本體152、154與變換器本體36之間的粘結。梁結構152a、152b的高度在約5微米至約25微米的範圍內，並最佳的是在約10微米至約20微米的範圍內。在製作工藝中後來將去除第一和第二犧牲層176和192，以在梁結構152a、152b與浮動塊晶片174之間形成一間隙202，以及在梁結構152a、152b與底塗層之間形成一間隙204。間隙202和204(示於圖36)使梁結構152a、152b具有機械自由度，以實現浮動塊組件32的變換器本體36的移動和移置。
在圖32中，在弄平的晶片表面200上形成定子電極168的圖案。在定子電極168和弄平的表面200、包括底塗層198和第二犧牲層192以及梁結構152a、152b上沉積一第三犧牲層206。在圖33中，在犧牲層206上沉積轉子電極170。儘管在圖33中沒有示出，但在該步驟時，在跨線之上沉積頂部間隙矽，以將結合墊52電氣連接至形成在轉子部分36中的變換頭42。在犧牲層206中蝕刻通道208至梁結構152a和152b的第二定位點162。至第二定位點206的通道208提供梁結構152a、152b與浮動塊組件32的轉子部分36之間的互連。
在圖34中，在轉子電極170和犧牲層22(包括帶有通道208的)上沉積一第二底塗層210。底塗層210a形成轉子部分36的一部分。底塗層210也沉積在通道208內，形成梁結構152a、152b與轉子部分36之間的互連。儘管沒有在圖34中示出，從跨線上來沉積電氣接線柱，以提供至變換頭42的連接。將底塗層210弄平，以提供用於形成變換頭42和轉子部分36的其餘部分的一光滑的表面形狀。
在圖35中，在底塗層198上通過標準的浮動塊形成工藝製作變換頭，並形成轉子部分36的其餘部分。在圖36中，例如通過蝕刻來去除了浮動塊組件32的犧牲層176、192及206，以形成間隙202、204以及212。用於層176、192和206的犧牲材料的例子包括矽、二氧化矽、鍺(或富含鍺的SiGe)或者類似的材料。所用的蝕刻類型取決於犧牲材料。矽作為犧牲材料就使用XeF2氣體蝕刻，二氧化矽則使用HF蒸氣或液體蝕刻，以及鍺(或富含鍺的SiGe)則使用H2O2蝕刻。間隙202、204以及212使梁結構152a、152b具有機械自由度，以可移動和移置變換器本體36。第一間隙202形成在梁結構152a、152b與浮動塊晶片174之間，以使第一定位點160將梁結構連接至浮動塊晶片174，而各梁結構的第二部分190則與浮動塊本體34間隔開。第二間隙204通過去除犧牲側壁156而形成在梁結構152a、152b的側面與底塗層198之間。第三間隙212形成在梁結構152a、152b和浮動塊本體34的底塗層198與轉子部分36的底塗層210之間，以及在諸定子電極168之間。間隙212使微型執行機構的定子電極168與轉子電極170相互交叉。
圖37是根據本發明的浮動塊組件33的另一實施例的分解立體圖。浮動塊組件32包括浮動塊本體34、犧牲層150、彎曲件本體152和154、犧牲側壁156、底塗層160、結合墊52、一犧牲層166、一絕緣的頂塗層220、定子電極168、轉子電極170以及轉子絕緣層172(儘管為了清楚起見，沒有示出變換頭42)。圖37中所示的實施例與圖22中所示的實施例相似，不過，犧牲層166形成一定的圖案以僅覆蓋彎曲件本體152、154，並且在犧牲層166、底塗層160以及彎曲件本體152、154之上沉積絕緣的頂塗層220，以給形成定子電極168提供一較大的表面。定子電極168不是形成在160上，而是形成在頂塗層220(該頂塗層由與塗層160相同的材料構成)之上，這可提供一比底塗層160更大的、用於形成定子電極168的表面(亦即由頂塗層220所界定的表面221約為晶片表面174的大小)。彎曲件本體152、154被犧牲層166覆蓋，以使定子電極168不是形成在彎曲件本體上方，而是在底塗層160上圍繞彎曲件本體。
圖38-43是示出用於製造如圖37所示的浮動塊組件32的工藝流程的圖。用於圖37所示的製作工藝採用與如上所述並示於圖24-31相同的步驟，因此下面不再詳細討論這些步驟。圖38示出從圖31開始並從其往下繼續的製作工藝。圖38-43中所示的圖是簡化的，以清楚地示出用於形成浮動塊組件32的總體工藝流程，因此，沒有示出浮動塊組件32的一些結構特徵，以更加清楚地圖示本發明。在描述工藝流程時，將具體地說明圖37中所示的實施例的不同之處。儘管圖38-43的圖示出了單個浮動塊組件的形成，但那些熟悉本技術領域的人們將會理解，製作較佳的是在各個浮動塊組件分開之前在晶片級處進行，以提高效率。
在圖38中，將底塗層198、犧牲層192以及梁結構152a、152b弄平，以形成用於形成微型執行機構和變換器本體36的光滑表面200。在圖39中，在弄平的表面200上沉積一犧牲層222。犧牲層222形成一定的圖案，以覆蓋梁結構152a、152b的頂表面194。底塗層198是外露的，並形成通道208的圖案以露出梁結構152a，從而提供從變換器本體36至彎曲件本體的一連接途徑。
在圖40中，在通道208中電鍍彈性觸頭224。在底塗層198和犧牲層222上沉積一光致抗蝕劑226。光致抗蝕劑226形成一定的圖案，以形成用於電鍍彈性觸頭224的模，所述彈性觸頭形成梁結構152a的第二定位點162。對梁結構152a進行電鍍，並在通道208內生長金屬的梁結構，以形成彈性觸頭224。從底塗層198和犧牲層222去除光致抗蝕劑模226。在另外的諸實施例中，利用單個電鍍模光刻工藝在單個步驟中電鍍梁結構152a和第二定位點162。
在圖41中，在浮動塊晶片174、包括犧牲層222上沉積附加的底塗層材料。在圖42中，再弄平頂塗層220，以形成用於形成定子電極168和變換器本體36的一光滑的表面228形狀。
圖43是示出包括定子電極168、轉子電極170以及變換器本體36、且在頂塗層220上形成了變換頭42的浮動塊組件32的圖。根據參照圖32-36所述的工藝來製作定子電極168、轉子電極170以及變換器本體36。特別是，在頂塗層220上沉積定子電極168。例如通過蝕刻來去除犧牲層176、192以及222，以形成間隙202、204、212以及230。用於層176、192和206的犧牲材料的例子包括矽、二氧化矽、鍺(或富含鍺的SiGe)或者類似的材料。所用的蝕刻類型取決於犧牲材料，例如，矽作為犧牲材料就使用XeF2氣體蝕刻，二氧化矽則使用HF蒸氣或液體蝕刻，以及鍺(或富含鍺的SiGe)則使用H2O2蝕刻。間隙202、204以及230將梁結構152a、152b與浮動塊本體34、頂塗層220以及底塗層198間隔開，以使彎曲件本體具有機械自由度，從而移動和移置變換器本體36。第一定位點160將梁結構連接至浮動塊本體34，第二定位點162將梁結構152a、152b連接至變換器本體36。間隙212使微型執行機構的定子電極168與轉子電極170相互交叉。
本發明是一種浮動塊組件，該浮動塊組件包括一變換器級微型執行機構，用於有選擇地相對浮動塊組件的一浮動塊本體移動一變換器部分，以在可旋轉碟片的圓周數據軌道的之上徑向地定位一變換頭。此外，還揭示了一種改進的、用於製作變換器級微型執行機構和浮動塊組件的工藝。在本發明中，浮動塊組件包括一浮動塊本體，且彈性彎曲件就製作在該浮動塊本體的後緣上。變換器本體連接至彈性彎曲件的相對端。彈性彎曲件用電鍍金屬製作在一Al2O3TiC的浮動塊晶片基底上，這就允許在晶片基底上進行幾乎完全是標準的變換器製作和浮動塊製作。在本發明的其它實施例中，可以採用附加的粘結材料或步驟，以促進浮動塊晶片基底與彈性彎曲件和/或彈性彎曲件與變換器本體之間的粘結。例如，可以使用一粘結層或選擇性蝕刻以產生粗糙多孔的粘結界面的材料來促進粘結。底塗層基部上包圍彈性彎曲件，不過，在製作過程中，使用犧牲層來形成彈性彎曲件與底塗層之間的間隙，以使彈性彎曲件具有機械自由度，從而可相對浮動塊本體移動變換器本體。
本發明的浮動塊組件可用標準的Al2O3TiC浮動塊晶片或其它適合的材料製成，而並不利用矽晶片的活性離子蝕刻來製作。彈性彎曲件和結合墊並不通過蝕刻浮動塊晶片基底來形成，而是利用電鍍工藝形成在浮動塊本體的後緣上。因此，本發明的浮動塊組件更加堅固，且不易在使用過程中發生斷裂。
儘管已經參照較佳實施例描述了本發明，但熟悉本技術的技術人員會理解，可以在形式和細節方面作出各種修改，而不超出本發明的精神和保護範圍。
權利要求
1.一種浮動塊，該浮動塊包括具有一前緣和一後緣的一浮動塊本體；與浮動塊本體的後緣間隔開的一變換器本體，該變換器本體包括至少一個變換器元件；以及從浮動塊本體的後緣延伸的一彎曲件本體，該彎曲件本體具有連接至浮動塊本體的一第一定位點和連接至變換器本體的一第二定位點；沉積在浮動塊本體的後緣上的一底塗層，該底塗層基本上包圍彎曲件本體，並通過一第一間隙與彎曲件本體分開；形成在底塗層上的一第一驅動裝置；以及形成在變換器本體上與浮動塊本體相鄰處的一第二驅動裝置。
2.如權利要求1所述的浮動塊，其特徵在於，彎曲件本體是一柔性柱。
3.如權利要求2所述的浮動塊，其特徵在於，柔性柱的第一定位點的寬度比柔性柱的第二定位點的寬度大。
4.如權利要求1所述的浮動塊，其特徵在於，彎曲件本體是一摺疊的梁結構。
5.如權利要求4所述的浮動塊，其特徵在於，還包括將摺疊的梁與浮動塊本體間隔開的一第二間隙。
6.如權利要求1所述的浮動塊，其特徵在於，第一驅動裝置包括一電磁線圈，第二驅動裝置包括一永久磁體薄膜。
7.如權利要求1所述的浮動塊，其特徵在於，第一驅動裝置包括一永久磁體薄膜，第二驅動裝置包括一電磁線圈。
8.如權利要求1所述的浮動塊，其特徵在於，還包括在浮動塊本體與彎曲件本體的第一定位點之間的一粘結界面。
9.如權利要求8所述的浮動塊，其特徵在於，粘結界面包括沉積在浮動塊本體後緣的一部分上的一兩種顆粒的材料。
10.如權利要求1所述的浮動塊，其特徵在於，彎曲件本體的高度在約5微米至約55微米的範圍內。
11.如權利要求1所述的浮動塊，其特徵在於，浮動塊本體由氧化鋁合碳化鈦(aluminum titanium carbide)構成。
12.如權利要求1所述的浮動塊，其特徵在於，彎曲件本體由金屬構成。
13.如權利要求1所述的浮動塊，其特徵在於，底塗層由氧化鋁構成。
14.一種浮動塊，該浮動塊包括具有一前緣和一後緣的一定子部分；形成在定子部分的後緣上的一彈性彎曲件，該彈性彎曲件具有一第一端和一第二端，並且第一端附接至定子部分；沉積在定子部分的後緣上的一底塗層，該底塗層包圍彈性彎曲件的側面，並且在底塗層與彈性彎曲件之間形成一間隙；連接至彈性彎曲件的第二端的一轉子部分，該轉子部分裝載一變換頭；以及用於相對定子部分移動轉子部分的一驅動機構。
15.如權利要求14所述的浮動塊，其特徵在於，彈性彎曲件是一柔性柱。
16.如權利要求14所述的浮動塊，其特徵在於，彈性彎曲件是一懸臂梁，並且，轉子部分附接在懸臂梁的第二端的一部分上。
17.如權利要求16所述的浮動塊，其特徵在於，懸臂梁通過所述間隙與底塗層和定子部分間隔開。
18.如權利要求17所述的浮動塊，其特徵在於，懸臂梁的第二端通過所述間隙與定子部分間隔開。
19.如權利要求14所述的浮動塊，其特徵在於，彈性彎曲件的第一端的寬度比彈性彎曲件的第二端的寬度大。
20.如權利要求14所述的浮動塊，其特徵在於，在定子部分上電鍍彈性彎曲件。
21.如權利要求14所述的浮動塊，其特徵在於，驅動機構包括在底塗層上的多個定子電極和在轉子部分上、且懸垂在諸定子電極之間的多個轉子電極。
22.如權利要求14所述的浮動塊，其特徵在於，還包括從定子部分的後緣延伸的一結合墊。
23.如權利要求14所述的浮動塊，其特徵在於，一粘結材料將轉子部分連接至彈性彎曲件。
24.如權利要求14所述的浮動塊，其特徵在於，定子部分的後緣被弄得粗糙，以在定子部分與彈性彎曲件之間的產生一粘結界面。
25.如權利要求14所述的浮動塊，其特徵在於，彈性彎曲件是金屬的。
26.一種浮動塊組件，該浮動塊組件包括具有一前緣和一後緣的一定子部分；從定子部分的後緣延伸的一彈性彎曲件，該彈性彎曲件由與定子部分的材料不同的材料構成；沉積在定子部分的後緣上的一底塗層，該底塗層基本上包圍彈性彎曲件，並且一間隙基本上包圍彈性彎曲件，以使底塗層與彈性彎曲件間隔開；在底塗層上的多個定子電極；通過彈性彎曲件連接至定子部分的一轉子部分，該轉子部分裝載一變換頭；以及在轉子部分上、且懸垂在諸定子電極之間的多個轉子電極。
27.如權利要求26所述的浮動塊，其特徵在於，彈性彎曲件是一柔性柱，該柔性柱具有連接至定子部分的一第一端和連接至轉子部分的一第二端。
28.如權利要求27所述的浮動塊，其特徵在於，彈性彎曲件的第一端的寬度比彈性彎曲件的第二端的寬度大。
29.如權利要求26所述的浮動塊，其特徵在於，彈性彎曲件具有連接至定子部分的一第一定位點和連接至轉子部分的一第二定位點，並且，所述間隙將彈性彎曲件與底塗層和定子部分間隔開。
30.如權利要求29所述的浮動塊，其特徵在於，彈性彎曲件是一懸臂梁。
31.如權利要求30所述的浮動塊，其特徵在於，底塗層包圍懸臂梁的側面，並與之間隔開。
32.如權利要求30所述的浮動塊，其特徵在於，還包括沉積在底塗層和懸臂梁頂表面的一部分上的一頂塗層，並且該頂塗層與懸臂梁的頂表面間隔開。
33.如權利要求26所述的浮動塊，其特徵在於，還包括從定子部分的後緣延伸的一結合墊，並且該結合墊基本上被底塗層圍繞，但結合墊的一部分露出以供電氣接觸。
34.如權利要求26所述的浮動塊，其特徵在於，定子部分後緣的一部分被弄得粗糙，以在定子部分與彈性彎曲件之間的產生一粘結界面。
35.如權利要求26所述的浮動塊，其特徵在於，還包括將轉子部分連接至彈性彎曲件的一粘結材料。
全文摘要
一種浮動塊，該浮動塊包括一變換器級微型執行機構，用於選擇地相對可旋轉碟片的圓周數據軌道的徑向地定位一浮動塊的變換器部分。浮動塊包括具有一前緣和一後緣的一浮動塊本體、一變換器本體以及一彎曲件本體。變換器本體與浮動塊本體的後緣間隔開，並包括至少一個變換器元件。彎曲件本體從浮動塊本體的後緣延伸，並包括連接至浮動塊本體的一第一定位點和連接至變換器本體的一第二定位點。在浮動塊本體的後緣上沉積底塗層，並且該底塗層基本上包圍彎曲件本體，其中，一間隙將彎曲件本體與底塗層分開。在底塗層上形成一第一驅動裝置，並在變換器本體上與浮動塊本體相鄰處形成一第二驅動裝置。
文檔編號G11B5/56GK1629938SQ20041010017
公開日2005年6月22日 申請日期2004年12月3日 優先權日2003年12月5日
發明者R·L·小希普韋爾, K·M·巴塞洛繆, L·E·斯託弗, W·A·博寧, J·A·特恩, Z·－E·鮑特格霍 申請人:西加特技術有限責任公司