顯示裝置兼容型圖象傳感器裝置的製作方法
2023-09-20 10:20:45 2
專利名稱：顯示裝置兼容型圖象傳感器裝置的製作方法
技術領域：
本發明涉及既可作為有源矩陣型顯示裝置使用又可作為圖象傳感器使用的新型裝置(顯示裝置兼容型圖象傳感器裝置)。
背景技術：
在特開平8-54836號和特開平8-126358號中披露了使用EL(場致發光)元件或LED(發光二極體)元件等電流控制型發光元件的有源矩陣型顯示裝置。由於在此類型的顯示裝置中使用的任何一個發光元件都自己發光，所以與液晶顯示裝置不同，它不需要背光，此外，該類型的顯示裝置還有視野角度依賴性少等優點。另一方面，在傳真機向一般家庭普及的推進中，要求比作為家電產品更便宜的傳真機。
但是，在以往的傳真機等中使用的圖象傳感器中，由於昂貴的光學系統、機械系統、傳感器、照明系統等是必須的，所以難以實現傳真機等的低價格化。
這裡，本發明者利用驅動條件，著眼於使所述電流型發光元件也有作為PD(發光二極體)元件的功能，提出既可作為有源矩陣型顯示裝置使用還可作為圖象傳感器使用的新型裝置的建議。
就是說，本發明的課題在於，使用帶有發光元件和受光元件功能的薄膜光電轉換元件，提供既可作為有源矩陣型顯示裝置使用又可作為圖象傳感器使用的顯示裝置兼容型圖象傳感器裝置。
發明的公開為了解決上述問題，在本發明的顯示裝置兼容型圖象傳感器裝置中，有按矩陣狀設置的多個象素，供給依次選擇該象素所用的掃描信號的掃描線，和第一至第三布線，第一至第三布線用作使由所述掃描信號選擇的象素髮光或受光時的信號線；其特徵在於，所述象素包括第一象素部分和第二象素部分，第一象素部分配有通過所述掃描線供給所述掃描信號的第一導通控制電路，和通過該第一導通控制電路所述第一布線與所述第二布線連接且可以發光和受光的第一薄膜光電轉換元件；而第二象素部分配有通過所述掃描線供給所述掃描信號的第二導通控制電路，和通過該第二導通控制電路所述第一布線與所述第三布線連接且可以發光和受光的第二薄膜光電轉換元件。
在本發明的顯示裝置兼容型圖象傳感器裝置中，由於在各象素中分別構成具有作為發光元件和受光元件功能的第一和第二薄膜光電轉換元件，所以只要改變這些薄膜光電轉換元件的驅動方法，就可以作為圖象傳感器裝置和顯示裝置來使用。此外，在本發明的顯示裝置兼容型圖象傳感器裝置中，由於用薄膜光電轉換元件構成各光電轉換元件，所以與液晶顯示裝置的有源矩陣基板一樣，可以用半導體工藝來製造。而且，由於不需要昂貴的光學系統、機械系統、傳感器、照明等，所以可以實現傳真機的讀出部分等的低價格化。
在本發明中，有用一個薄膜電晶體(以下稱為TFT)構成第一和第二象素部分中的所述導通控制電路的情況，也有用兩級薄膜電晶體構成第一和第二象素部分中的所述導通控制電路的情況。
在用一個TFT構成導通控制電路的情況下，首先在所述第一導通控制電路和所述第二導通控制電路中分別構成一個將所述掃描信號供給柵電極的TFT。在這些TFT內，所述第一導通控制電路的所述TFT的源和漏區的一方與所述第二布線連接，而另一方與所述第一薄膜光電轉換元件的象素電極連接。此外，所述第二導通控制電路的所述第二TFT的源和漏區的一方與所述第三布線連接，而另一方與所述第二薄膜光電轉換元件的象素電極連接。
在有這樣結構的情況下，在將所述薄膜光電轉換元件作為發光元件使用時，在所述第二和第三布線內連接該薄膜光電轉換元件的布線與點火和熄火控制信號的輸出電路連接，而在將所述薄膜光電轉換元件作為受光元件使用時，設有在所述第二和第三布線內連接該薄膜光電轉換元件的布線與光電流檢測電路連接的轉換電路，對於所述第一布線來說，最好與穩壓電源連接。如果形成這樣的結構，那麼不僅用轉換電路可轉換第二和第三布線的連接狀態，而且對於第一和第二象素部分來說，可使雙方都具有作為發光部分或受光部分的功能，同時可以使一方具有發光部分功能，而另一方具有受光部分功能。
在本發明中，在用兩級TFT構成導通控制電路的情況下，首先在所述第一導通控制電路和所述第二導通控制電路中，分別構成將所述掃描信號供給柵電極的第一TFT和通過該第一TFT柵電極與所述第一布線連接的第二TFT。在這些TFT內，所述第一導通控制電路的所述第二TFT的源和漏區的一方與所述第二布線連接，而另一方與所述第一薄膜光電轉換元件的象素電極連接。此外，所述第二導通控制電路的所述第二TFT的源和漏區的一方與所述第三布線連接，而另一方與所述第二薄膜光電轉換元件的象素電極連接。
在有這樣結構的情況下，在將所述薄膜光電轉換元件作為發光元件使用時，在所述第二和第三布線內連接該薄膜光電轉換元件的布線與穩壓電源連接，而在將所述薄膜光電轉換元件作為受光元件使用時，設有在所述第二和第三布線內連接該薄膜光電轉換元件的布線與光電流檢測電路連接的轉換電路，對於所述第一布線來說，與控制所述第二TFT導通狀態的信號輸出電路連接。如果有這樣的結構，那麼不僅用轉換電路可轉換第二和第三布線的連接狀態，而且對於第一和第二象素部分來說，使雙方都具有作為發光部分或受光部分的功能，同時可以使一方具有發光部分功能，而另一方具有受光部分功能。
本發明中，所述第一薄膜光電轉換元件的象素電極形成區域和所述第二薄膜光電轉換元件的象素電極形成區域可以相互組合。如果有這樣的結構，那麼在將顯示裝置兼容型圖象傳感器裝置作為圖象傳感器裝置使用時，從具有作為發光部分功能的象素部分側射出的光用文件、圖紙、相片等的讀出對象反射，在具有作為受光部分功能的象素部分側達到高效率。
本發明中，所述第一薄膜光電轉換元件的象素電極形成區域和所述第二薄膜光電轉換元件的象素電極形成區域，與直線地隔開該象素電極外框的結構相比，可以使雙方的重心位置更靠近。例如，所述第一薄膜光電轉換元件的象素電極形成區域可以由所述第二薄膜光電轉換元件的象素電極形成區域包圍其周圍。這種情況下，所述第一薄膜光電轉換元件的象素電極形成區域可以處於所述第二薄膜光電轉換元件的象素電極形成區域的中央部分。在這種結構的情況下，在將顯示裝置兼容型圖象傳感器裝置作為圖象傳感器裝置使用時，從具有作為發光部分功能的象素部分側射出的光用文件、圖紙、相片等的讀出對象反射，在具有作為受光部分功能的象素部分側達到高效率。
本發明中，在所述第一薄膜光電轉換元件的象素電極和所述第二薄膜光電轉換元件的象素電極之間，可以形成遮光層。如果形成這樣的結構，那麼即使從具有作為發光部分功能的象素部分側向全方向發射光，利用遮光層也可以防止這些光向具有作為受光部分功能的象素部分的方向漏出。因此，可以按高S/N比從讀出對象中讀取圖象。
附圖的簡單說明圖1是在本發明實施例1的顯示裝置兼容型圖象傳感器裝置中使用的有源矩陣的等效電路圖。
圖2是放大表示在圖1所示的顯示裝置兼容型圖象傳感器裝置的有源矩陣內構成的多個象素中的一個象素的平面圖。
圖3(A)、(B)分別是表示圖2所示象素中構成的各元件結構的剖面圖。
圖4(A)、(B)分別是圖1所示的顯示裝置兼容型圖象傳感器裝置的有源矩陣中，相對於相鄰兩個象素供給的掃描信號等的波形圖。
圖5是本發明實施例2的顯示裝置兼容型圖象傳感器裝置使用的有源矩陣的等效電路圖。
圖6是放大表示圖5所示的顯示裝置兼容型圖象傳感器裝置的有源矩陣內構成的多個象素中的一個象素的平面圖。
圖7(A)、(B)分別表示圖6所示的象素中構成的各元件結構的剖面圖。
圖8(A)、(B)分別是在圖5所示的顯示裝置兼容型圖象傳感器裝置的有源矩陣中，相對於相鄰兩個象素供給的掃描信號等的波形圖。
圖9(A)、(B)是分別表示在本發明實施例3的顯示裝置兼容型圖象傳感器裝置中，在有源矩陣的各象素中形成的兩個象素電極形成區域的說明圖。
圖10是表示在本發明實施例4的顯示裝置兼容型圖象傳感器裝置中，在有源矩陣的各象素中形成的兩個象素電極形成區域的說明圖。
圖11(A)是表示在本發明實施例5的顯示裝置兼容型圖象傳感器裝置中，形成在有源矩陣的各象素中的兩個象素電極形成區域的說明圖，而圖11(B)是表示有這種結構時的作用、效果的說明圖。
1 顯示裝置兼容型圖象傳感器裝置2 透明基板
11A 第一薄膜光電轉換元件11B 第二薄膜光電轉換元件10A～10F 象素開關用TFT13A、13B 保持電容30、301、302 數據側驅動電路501、502 光電流檢測電路401、402 轉換電路D11、D21 第一布線D12、D22 第二布線D13、D23 第三布線OP 對置電極PX、PX11、PX12、PX21、PX22 象素PXA 第一象素部分PXB 第二象素部分SA、SB 有機半導體膜SWA 第一導通控制電路SWB 第二導通控制電路S/D TFT的源和漏區VA、XB 空穴注入層bank 阻擋層cc 穩壓電源com 共用供電線gate 掃描線實施發明的優選實施例下面，參照
本發明的實施例[實施例1](有源矩陣基板的整體結構)圖1至圖4分別是在顯示裝置兼容型圖象傳感器裝置中使用的有源矩陣的等效電路圖，放大表示該有源矩陣內構成的多個象素中的一個象素的平面圖，展示在該象素中構成的各元件結構的剖面圖，和展示兩個象素中的電位變化的波形圖。
與液晶顯示裝置的有源矩陣基板同樣，在本實施例的顯示裝置兼容型圖象傳感器裝置中使用的有源矩陣基板利用半導體工藝來製造。如圖1和圖2所示，在本實施例的顯示裝置兼容型圖象傳感器裝置1中，在透明基板2上構成多條掃描線gate。在與這些掃描線gate的延伸方向交叉的方向上，構成具有作為供給電壓的共用布線功能的第一布線D11和具有作為信號線功能的第二及第三布線D12、D13，並按矩陣狀地構成各象素PX(象素PX11、PX12…PX21、PX22…)使之與第二布線D12(或第三布線D13)和掃描線gate的交叉部分相對應。在掃描線gate的端部，相對於該掃描線gate，構成將象素選擇用的脈衝作為掃描信號輸出的掃描側驅動電路20。
(象素的結構)如圖1至圖3所示，在本實施例中，各個象素PX由第一象素部分PXA和第二象素部分PXB構成，第一象素部分PXA包括通過掃描線gate提供象素選擇用的掃描信號的第一導通控制電路SWA，和通過該第一導通控制電路SWA使第一布線D11和第二布線D12在電路上進行連接的第一薄膜光電轉換元件11A；而第二象素部分PXB包括通過該第一象素部分PXA和共用的掃描線gate提供所述掃描信號的第二導通控制電路SWB，和通過該第二導通控制電路SWB將第一布線D11和第三布線D13在電路上進行連接的第二薄膜光電轉換元件11B。在圖2和圖3中雖未示出，但在第一和第二象素部分PXA、PXB的其中任何一個中，都形成保持電容器13A、13B，以便相對於第一和第二薄膜光電轉換元件11A、11B可並聯連接。
第一和第二導通控制電路SWA、SWB分別由配有從掃描線gate供給掃描信號的柵電極的P溝道型的TFT10A、TFT10B構成。第一導通控制電路SWA側的TFT10A的源和漏區S/D的一方與第二布線D12連接，而另一方與第一薄膜光電轉換元件11A的象素電極PEA連接。第二導通控制電路SWB側的TFT10B的源和漏區S/D的一方與第三布線D13連接，而另一方與第二薄膜光電轉換元件11B的象素電極PEB連接。
圖3(A)、(B)分別表示圖2中A-A』線的剖面和圖2中B-B』線的剖面。如圖3(A)、(B)所示，第一和第二象素部分PXA、PXB有相同的基本結構，構成第一和第二導通控制電路SWA、SWB的TFT10A、10B都有形成在溝道區61、溝道區61兩側的源和漏區S/D，至少形成在溝道區61表面上的柵極絕緣膜62，形成在該柵極絕緣膜62表面上的柵電極63，在柵電極63的表面側形成層間絕緣膜64。通過該層間絕緣膜64的接觸孔，第二和第三布線D12、D13分別與一個源和漏區S/D電連接。而在另一個源和漏區S/D，第一和第二薄膜光電轉換元件11A、11B的象素電極PEA、PEB分別電連接。再有，圖3中雖未示出，但可參照圖1的說明，第一和第二象素部分PXA、PXB的其中任何一個都構成相對於第一和第二薄膜光電轉換元件11A、11B並聯電連接的保持電容器13A、13B。可以通過延伸例如象素電極PEA、PEB或與象素電極PEA、PEB電連接的源和漏區S/D的那一部分，並使它們通過絕緣膜與對置電極OP相對來形成這些保持電容器13A、13B。此外，通過形成可連通第一和第二象素部分PXA、PXB的電容線，在所述源和漏區S/D的延伸部分或象素電極PEA、PEB上通過絕緣膜，使該電容線對置，也可以形成保持電容器13A、13B。這種情況下，電容線有固定電位。
(薄膜光電轉換元件)第一和第二薄膜光電轉換元件11A、11B有相同的結構，都有作為發光元件和受光元件的其中任何一個元件的功能。就是說，第一薄膜光電轉換元件11A按這樣的順序層積由ITO膜構成的透明象素電極PEA、空穴注入層VA、有機半導體膜SA和由含有鋰的鋁、鈣等金屬膜構成的對置電極OP。同樣，第二薄膜光電轉換元件11B也按這樣的順序層積由ITO膜構成的透明象素電極PEB、空穴注入層VB、有機半導體膜SB和由含有鋰的鋁、鈣等金屬膜構成的對置電極OP，這些層分別與第一薄膜光電轉換元件11A的象素電極PEA、空穴注入層VA、有機半導體膜SA和對置電極OP同時形成。
首先，說明使薄膜光電轉換元件具有作為發光元件功能的情況。在第一和第二薄膜光電轉換元件11A、11B中，由於把這些元件作為發光元件(電流控制型發光元件)使用，因而當將對置電極OP和象素電極PEA、PEB分別作為負極和正極施加電壓時，則在所施加電壓超過薄膜光電轉換元件的閾值電壓的狀態下，流過有機半導體膜SA、SB的電流(驅動電流)便急劇地增大，第一和第二薄膜光電轉換元件11A、11B作為LE元件或LED元件發光。將這種光用對置電極OP反射，穿過透明的象素電極PEA、PEB和透明基板2射出。
接著，說明使薄膜光電轉換元件具有作為受光元件功能的情況。在穿過透明基板2和透明象素電極PEA、PEB的光到達第一和第二薄膜光電轉換元件11A、11B上時，在有機半導體膜SA、SB中產生光電流。此時，薄膜光電轉換元件具有作為在對置電極OP和象素電極PEA、PEB之間產生電位差的受光元件的功能。
即使製造了這種結構的第一和第二薄膜光電轉換元件11A、11B，在本實施例中，在層間絕緣膜64的表面側形成黑色抗蝕劑層後，形成空穴注入層VA、VB和有機半導體膜SA、SB，並這樣殘留所述抗蝕劑，以便包圍將作為發光區域或受光區域的區域，形成阻擋層bank。在形成阻擋層bank後，從相對於阻擋層bank的內側區域的噴墨頭排出用於構成空穴注入層VA、VB的液狀材料(前驅體)，在阻擋層bank的內側區域形成空穴注入層VA、VB。同樣，相對於阻擋層bank的內側區域從噴墨頭排出用於構成有機半導體膜SA、SB的液狀材料(前驅體)，在阻擋層bank的內側區域形成有機半導體膜SA、SB。其中，由於阻擋層bank由抗蝕劑構成，所以有疏水性。與此相對，由於空穴注入層VA、VB和有機半導體膜SA、SB的前驅體把親水性的溶劑作為主溶劑使用，所以空穴注入層VA、VB和有機半導體膜SA、SB的塗敷區域可由阻擋層bank來可靠地限定，在相鄰的象素部分中未溢出。因此，可以僅在預定區域內形成空穴注入層VA、VB和有機半導體膜SA、SB。此外，在第一象素部分PXA的象素電極PEA和第二象素部分PXB的象素電極PEB之間，可形成遮光性的阻擋層bank(遮光層)。但是，如果預先由阻擋層bank構成的隔壁有大約1μm的高度，那麼即使阻擋層bank沒有疏水性，阻擋層bank仍有足以作為隔壁的功能。再有，如果形成阻擋層bank，那麼代替噴射法，在用塗敷法形成空穴注入層VA、VB和有機半導體膜SA、SB的情況下，也可以規定其形成區域。
再有，在薄膜光電轉換元件11A、11B中，發光效率雖稍稍下降，但存在省略空穴注入層VA、VB的情況。此外，代替空穴注入層VA、VB，有在有機半導體膜SA、SB的相反側構成電子注入層的情況，也有構成電子注入層和空穴注入層VA、VB雙方的情況。
(驅動電路)由圖2可知，至少在象素區域上形成對置電極OP，在本實施例中，對置電極按條紋狀這樣形成，以便作為各象素PX間的共用電極跨越多個象素PX。如圖1所示，將該對置電極OP本身作為第一布線D11使用，將該電極與穩壓電源cc連接。
在本實施例中，可有以下這樣的結構，以便在所有象素PX中，可以將第一薄膜光電轉換元件11A和第二薄膜光電轉換元件11B作為發光元件或受光元件使用，並且，可以把第一薄膜光電轉換元件11A和第二薄膜光電轉換元件11B中的一個作為發光元件使用，而另一個作為受光元件使用。
在圖1中，在透明基板2上，構成第一數據側驅動電路301和第二數據側驅動電路302，第一數據側驅動電路301輸出控制第二布線D12中點火和熄火狀態的信號，第二數據側驅動電路302輸出控制第三布線D13中點火和熄火狀態的信號。此外，在透明基板2上，構成從第二布線D12檢測第一薄膜光電轉換元件11A受光時流出的光電流的第一光電流檢測電路501，和從第三布線D13檢測第二薄膜光電轉換元件11B受光時流出的光電流的第二光電流檢測電路502。其中，第一光電流檢測電路501和第二光電流檢測電路502內裝微小電流放大電路、電壓放大電路等，可捕捉各布線的微小變化。
(轉換電路)此外，如圖1所示，在透明基板2上，構成第一轉換電路401和第二轉換電路402，第一轉換電路401連接將第一薄膜光電轉換元件11A作為發光元件使用時的第二布線D12和第一數據側驅動電路301，並連接將第一薄膜光電轉換元件11A作為受光元件使用時的第二布線D12和第一光電流檢測電路501，而第二轉換電路連接將第二薄膜光電轉換元件11B作為發光元件使用時的第三布線D13和第二數據側驅動電路302，並連接將第二薄膜光電轉換元件11B作為受光元件使用時的第三布線D13和第二光電流檢測電路502。
在本例中，在第一轉換電路401中，構成分別供給極性相反信號的信號線cg1、sg1，在第二轉換電路402中，構成分別供給極性相反信號的信號線cg2、sg2。這些信號線cg1、sg1、cg2、sg2分別與N溝道型的TFT41、42、43、44的柵電極連接。構成TFT41，以便控制第一光電流檢測電路501與第二布線D12的連接狀態，構成TFT42，以便控制第一數據側驅動電路301和第二布線D12的連接狀態。同樣，構成TFT43，以便控制第二光電流檢測電路502與第三布線D13的連接狀態，構成TFT44，以便控制第二數據側驅動電路302與第三布線D13的連接狀態。
(使用方法)在將這樣構成的顯示裝置兼容型圖象傳感器裝置1作為貼緊型圖象傳感器裝置使用的情況下，使要讀取圖象的相片等讀出對象貼緊透明基板2的內面側。其中，在各象素PX中，在將第一薄膜光電轉換元件11A作為發光元件使用，將第二薄膜光電轉換元件11B作為受光元件使用的情況下，在第一轉換電路401中，TFT41為截止狀態，TFT42為導通狀態。與此相對，在第二轉換電路402中，TFT43為導通狀態，TFT44為截止狀態。
在該狀態下，在掃描線gate和第二布線D12中，輸出如圖4(A)、(B)所示波形的信號。
圖4(A)、(B)分別表示在與第一至第三布線D11、D12、D13延伸方向(與掃描線gate交叉的方向上)相鄰的兩個象素PX(前級側的象素PX11和後級側的象素PX21)中供給各掃描線gate的掃描信號Vgate、第一布線D11的電位電平、供給第二布線D12的點火和熄火控制用信號VD12、第三布線D13的電位變化和作為發光元件使用的第一薄膜光電轉換元件11A的象素電極PEA的電位變化。
由圖4可知，一方面在掃描線gate中供給在各象素中使TFT10A、10B導通和截止並且順序選擇各象素的掃描信號Vgate，另一方面在第二布線D12中，在第一象素部分PXA供給用於把第一薄膜光電轉換元件11A轉換成點火和熄火狀態的點火和熄火控制用信號VD12。因此，在由掃描信號Vgate選擇的象素PX中，在第一象素部分PXA中，根據點火和熄火控制信號VD12，第一薄膜光電轉換元件11A從熄火狀態經預定期間轉換成點火狀態，並再次返回熄火狀態。在此期間，在第二象素部分PXB中，不斷反射從第一象素部分PXA照射相片等讀出對象的光使第二薄膜光電轉換元件11B受光。其結果，在第二薄膜光電轉換元件11B中流動光電流，與此對應，在第二薄膜光電轉換元件11B的象素電極PEB和對置電極OP之間產生預定的電位差。由於該電位差出現在第三布線D13上，所以可以用第二光電流檢測電路502順序檢測該電位差。利用從掃描側驅動電路20輸出給掃描線gate的掃描信號，在被依次選擇的各象素中進行這種動作。因此，顯示裝置兼容型圖象傳感器裝置1作為貼緊型圖象傳感器裝置可以從相片等讀出對象中讀取圖象信息。
用顯示裝置兼容型圖象傳感器裝置1可以顯示這樣讀取的圖象信息等。就是說，將從照片等讀出對象中這次讀出的圖象信息記錄在RAM等信息存儲裝置中，在顯示該圖象信息時，將與該圖象信息對應的調製圖象信號從第一數據側驅動電路301送給第二布線D12。其結果，在利用從掃描線gate供給的掃描信號順序選擇的象素PX中，第一象素部分PXA的第一薄膜光電轉換元件11A根據調製圖象信號控制點火和熄火狀態，從而可顯示期望的圖象。
在進行這種顯示動作時，如果在第二轉換電路402中TFT43為截止狀態，TFT44為導通狀態，並且將所述調製圖象信號從第二數據側驅動電路302送給第三布線D13，那麼第二象素部分PXB的第二薄膜光電轉換元件11B也可以根據調製圖象信號控制點火和熄火。這樣，如果用第一和第二象素部分PXA、PXB雙方進行顯示動作，那麼可以進行更高亮度的顯示。
再有，與上述例相反，在第一和第二轉換電路401、402中，如果TFT41、43為導通狀態，TFT42、44為截止狀態，那麼在第一和第二象素部分PXA、PXB雙方中，可以將各薄膜光電轉換元件11A、11B作為受光元件來使用。於是，可以進行更高靈敏度的讀取動作。
(本實施例的效果)如以上說明，在本實施例的顯示裝置兼容型圖象傳感器裝置1中，在各象素PX中，由於構成具有作為發光元件和受光元件功能的第一和第二薄膜光電轉換元件11A、11B，所以只要改變這些薄膜光電轉換元件的驅動方法，就可以作為圖象傳感器裝置和顯示裝置來使用。此外，在本實施例的顯示裝置兼容型圖象傳感器裝置1中，由於可以用半導體工藝製造各元件，並且不需要昂貴的光學系統、機械系統、傳感器、照明等，所以可以實現傳真機等的讀出部分的低價格化。
而且，只要用轉換電路401、402轉換第二和第三布線D12、D13的連接狀態，那麼對於第一和第二象素部分PXA、PXB來說，就可以使雙方具有作為發光部分或受光部分的功能，同時還可以使一方具有作為發光部分的功能，另一方具有作為受光部分的功能。
此外，由於在第一象素部分PXA的象素電極PEA和第二象素部分PXB的象素電極PEB之間形成遮光性的阻擋層bank，所以即使從具有作為發光部分功能的第一象素部分PXA側向所有方向發射光，那麼利用阻擋層bank也可以防止該光會漏向具有作為受光部分功能的第二象素部分PXB。因此，可以用高S/N比讀出來自讀出對象的圖象。
(有源矩陣基板的總體結構)圖5至圖8分別是在顯示裝置兼容型圖象傳感器裝置中使用的有源矩陣的等效電路圖，放大表示在該有源矩陣中構成的多個象素中的一個象素的平面圖，展示在該象素中構成的各元件結構的剖面圖，和展示在兩個象素中的電位變化波形圖。再有，在以下的說明中，對於具有與實施例1相同功能的部分被附以相同的符號，並省略其詳細說明。
與液晶顯示裝置的有源矩陣基板同樣，在本實施例的顯示裝置兼容型圖象傳感器裝置中使用的有源矩陣基板也利用半導體工藝來製造。如圖5和圖6所示，本實施例的顯示裝置兼容型圖象傳感器裝置1也在透明基板2上，在與掃描線gate延伸方向交叉的方向上，構成第一布線D21、第二布線D22和第三布線D23，並構成因第一至第三布線D21、D22、D23與掃描線gate的交叉而按矩陣狀形成的各象素PX(象素PX11、PX12…PX21、PX22…)。此外，至少在象素區域上形成對置電極OP，在本實施例中，還按條紋狀形成對置電極OP以便它們作為各象素PX間的共用電極跨越多個象素PX。
(象素的結構)如圖5至圖8所示，在任何一個象素PX中都分別形成第一和第二象素部分PXA、PXB。在第一象素部分PXA中，構成通過掃描線gate供給象素選擇掃描用信號的第一導通控制電路SWA和通過該第一導通控制電路SWA將一個電極(象素電極PEA)與第一布線D21和第二布線D22雙方電路連接的第一薄膜光電轉換元件11A。此外，在第二象素部分PXB中，構成通過形成該象素部分和一個象素PX的第一象素部分PXA和共用掃描線gate供給所述掃描信號的第二導通控制電路SWB和通過該第二導通控制電路SWB將一個電極(象素電極PEB)與第一布線D21和第三布線D23雙方電路連接的第二薄膜光電轉換元件11B。其中，第一和第二薄膜光電轉換元件11A、11B有將另一個電極作為共用的對置電極OP的結構。
第一和第二導通控制電路SWA、SWB分別有將掃描信號供給柵電極的TFT10C、10E和通過該第一TFT10C、10E將柵電極與第一布線D21連接的第二TFT10D、10F。在本例中，TFT10C、10E為N溝道型，TFT10D、10F為P溝道型。第一導通控制電路SWA的第二TFT10D將源和漏區S/D的一個與第二布線D22連接，而另一個與第一薄膜光電轉換元件11A的象素電極PEA連接。第二導通控制電路SWB的第二TFT10F將源和漏區S/D的一個與第三布線D23連接，而另一個與第二薄膜光電轉換元件11B的象素電極PEB連接。再有，圖6和圖7中雖未示出，但在第一和第二象素部分PXA、PXB的任何一個中，相對於第二TFT10D、10F的柵電極，都連接保持電容器13A、13B的一個電極，承擔保持在該柵電極上施加的電位的作用。
如圖7(A)、(B)中分別表示圖6的C-C』線、D-D』線和圖6的E-E』線、F-F』線的各剖面所示，第一和第二象素部分PXA、PXB有相同的基本結構，構成第一和第二導通控制電路SWA、SWB的第一TFT10C、10E和第二TFT10D、10F的任何一個都形成溝道區域61、形成在該溝道區域61兩側的源和漏區S/D、至少形成在溝道區域61表面上的柵極絕緣膜62、形成在該柵極絕緣膜62表面上的柵電極63、形成在該柵電極63表面側的第一層間絕緣膜64。
在構成第一和第二導通控制電路SWA、SWB的第一TFT10C、10E中，通過層間絕緣膜64的接觸孔，第一布線D21分別與源和漏區S/D的一方電連接。電位保持電極65通過層間絕緣膜64的接觸孔電連接在TFT10C、10E另一方的源和漏區S/D上，該電位保持電極65與第二TFT10D、10F的柵電極63的延伸部分630電連接。
在電位保持電極65和第一布線D21的表面側上形成第二層間絕緣膜66。
在構成第一導通控制電路SWA的第二TFT10D中，通過層間絕緣膜64的接觸孔，第二布線D22與源和漏區S/D的一方分別電連接。在構成第二導通控制電路SWB的第二TFT10F中，通過層間絕緣膜64的接觸孔，第三布線D23與源和漏區S/D的一方分別電連接。在第二TFT10D、10F的另一個源和漏區S/D上，通過層間絕緣膜64的接觸孔與中繼電極67電連接，在該中繼電極67上，通過層間絕緣膜66的接觸孔與象素電極PEA、PEB電連接。
再有，圖7中雖未示出，但參照圖4的說明，在第一和第二象素部分PXA、PXB的任何一個中，保持電容器13A、13B的一個電極與第一TFT10C、10E的柵電極63連接。例如，將第二TFT10D、10F的柵電極63延伸至第二布線D22或第三布線D23之下，通過層間絕緣膜64互相相對。這些保持電容器13A、13B也可以以這樣的方式形成，即這樣形成電容線，以便穿過例如第一和第二象素部分PXA、PXB，並使該電容線通過層間絕緣膜64與所述電位保持電極65相互對置。這種情況下，電容線保持固定電位。
(薄膜光電轉換元件)如在實施例1中所述的那樣，第一和第二薄膜光電轉換元件11A、11B有相同的結構，都有作為發光元件和受光元件的其中任一個元件的功能。就是說，第一和第二薄膜光電轉換元件11A按這樣的順序層積由ITO膜構成的透明象素電極PEA、PEB、空穴注入層VA、VB、有機半導體膜SA、SB和由含有鋰的鋁、鈣等金屬膜構成的對置電極OP，這些層是在第一薄膜光電轉換元件11A側和第二薄膜光電轉換元件11B側同時形成的層。
首先，說明使薄膜光電轉換元件具有作為發光元件功能的情況。在第一和第二薄膜光電轉換元件11A、11B中，由於把這些元件作為發光元件使用，因而當將對置電極OP和象素電極PEA、PEB分別作為負極和正極施加電壓時，在所施加電壓超過薄膜光電轉換元件的閾值電壓的狀態下，流過有機半導體膜SA、SB的電流(驅動電流)急劇地增大，第一和第二薄膜光電轉換元件11A、11B作為LE元件或LED元件發光。這種光被對置電極OP反射，穿過透明的象素電極PEA、PEB和透明基板2射出。
首先，說明使薄膜光電轉換元件具有作為受光元件功能的情況。在穿過透明基板2和透明象素電極PEA、PEB的光到達第一和第二薄膜光電轉換元件11A、11B上時，在有機半導體膜SA、SB中產生光電流。此時，薄膜光電轉換元件具有作為在對置電極OP和象素電極PEA、PEB之間產生電位差的受光元件的功能。
即使製造了這種結構的第一和第二薄膜光電轉換元件11A、11B，與第一實施例同樣，也在層間絕緣膜65的表面側形成黑色的抗蝕劑層後，形成空穴注入層VA、VB和有機半導體膜SA、SB，並這樣殘留所述抗蝕劑，以便包圍應作為發光區域或受光區域的區域，形成阻擋層bank。在形成阻擋層bank後，相對於阻擋層bank的內側區域從噴墨頭排出用於構成空穴注入層VA、VB的液狀材料(前驅體)，在阻擋層bank的內側區域形成空穴注入層VA、VB。同樣，相對於阻擋層bank內側區域從噴墨頭排出用於構成有機半導體膜SA、SB的液狀材料(前驅體)，在阻擋層bank的內側區域形成有機半導體膜SA、SB。其結果，在第一象素部分PXA的象素電極PEA和第二象素部分PXB的象素電極PEB之間，可形成遮光性的阻擋層bank。
此外，第一和第二薄膜光電轉換元件11A、11B層積由ITO構成的透明象素電極PEA或PEB、空穴注入層VA、作為發光薄膜的有機半導體膜SA，而且在有機半導體膜SA的表面上，按該順序形成由含有鋰的鋁或鈣等金屬膜構成的對置電極OP。與此相對，在第一和第二薄膜光電轉換元件中向相反方向流動驅動電流的情況下，也有從下層側向上層側，按這樣的順序層積由ITO膜構成的象素電極PEA或PEB、由具有透光性且含有較少鋰的鋁電極構成的對置電極OP、有機半導體層SA、空穴注入層VA、由含有鋰的鋁或鈣等金屬膜構成的對置電極OP(正極)，構成發光元件40的情況。
(驅動電路)由圖6可知，至少在象素區域上形成對置電極OP，作為各象素PX間共用的電極，可形成條紋狀，以便可跨越例如多個象素PX。對置電極OP保持固定電位。
在本實施例中，有以下那樣的結構，以便在所有象素PX中，第一和第二薄膜光電轉換元件11A、11B都可作為發光元件或受光元件使用，並且，可以把第一和第二薄膜光電轉換元件11A、11B中的一個作為發光元件使用，另一個作為受光元件使用。
在圖5中，在透明基板2上，在第一布線D21中，構成輸出控制點火和熄火狀態的信號以及控制受光和非受光狀態的信號的數據側驅動電路30。此外，在透明基板2上，構成從第二布線D22檢測第一薄膜光電轉換元件11A受光時流出的光電流的第一光電流檢測電路501，和從第三布線D23檢測第二薄膜光電轉換元件11B受光時流出的光電流的第二光電流檢測電路502。其中，第一光電流檢測電路501和第二光電流檢測電路502內裝微小電流放大電路、電壓放大電路等，可捕捉各布線的微小變化。
(轉換電路)如圖5所示，在透明基板2上，構成第一轉換電路401和第二轉換電路402，第一轉換電路連接在將第一薄膜光電轉換元件11A作為發光元件使用時的第二布線D22和連接與穩壓電源cc連接的共用供電線com，並連接將第一薄膜光電轉換元件11A作為受光元件使用時的第二布線D22和第一光電流檢測電路501，而第二轉換電路402連接將第二薄膜光電轉換元件11B作為發光元件使用時的第三布線D23和所述共用供電線com，連接將第二薄膜光電轉換元件11B作為受光元件使用時的第三布線D23與第二光電流檢測電路502。
在本例中，在第一轉換電路401中，構成分別供給高電平、低電平相互相反變化的兩個信號的信號線cg1、sg1，而在第二轉換電路402中，構成分別供給高電平、低電平相互相反變化的兩個信號的信號線cg2、sg2。這些信號線cg1、sg1、cg2、sg2分別連接N溝道型的TFT45、46、47、48的柵電極。其中，這樣構成TFT45的結構，以便控制共用供電線com與第二布線D22的連接狀態，並這樣構成TFT46的結構，以便控制第一光電流檢測電路501與第二布線D22的連接狀態。同樣，構成TFT47的結構，以便控制共用供電線com與第三布線D23的連接狀態，構成TFT48的結構，以便控制第二光電流檢測電路502與第三布線D23的連接狀態。
(使用方法)在把這樣構成的顯示裝置兼容型圖象傳感器裝置1作為貼緊型圖象傳感器裝置使用的情況下，將要讀取圖象的相片等讀出對象貼緊透明基板2的內面側。其中，在各象素PX中，在將第一薄膜光電轉換元件11A作為發光元件使用，將第二薄膜光電轉換元件11B作為受光元件使用的情況下，在第一轉換電路401中TFT45為導通狀態，TFT46為截止狀態。與此相對，在第二轉換電路402中，TFT47為截止狀態，TFT48為導通狀態。
在該狀態下，在掃描線gate和第一布線D21中，輸出圖8(A)、(B)所示波形的信號。
圖8(A)、(B)分別表示在與第一至第三布線D21、D22、D23延伸方向(與掃描線gate垂直的方向上)相鄰的兩個象素PX(前段側的象素PX11和後段側的象素PX21)中供給各掃描線gate的掃描信號Vgate、供給第一布線D21的點火和熄火控制用(受光和非受光控制)的信號VD21、第二布線D22的電位電平(共用供電線com的電位電平)、第三布線D23的電位變化、第一和第二薄膜光電轉換元件11A、11B的電位保持電極65的電位變化、對置電極OP的電位電平。
由圖8可知，在掃描線gate中供給通過第一TFT10C、10E導通和截止順序選擇各象素的掃描信號Vgate。此外，在第一布線D21中，供給使第二TFT10D導通和截止並在第一薄膜光電轉換元件11A和第二布線D22之間進行導通狀態和絕緣狀態轉換的點火和熄火控制信號VD21。同時，通過使第二TFT10F導通和截止，信號VD21在第二薄膜光電轉換元件11B和第三布線D23之間進行導通狀態和絕緣狀態的轉換。
因此，在由掃描信號Vgate選擇的象素PX中，在第一象素部分PXA中，根據點火和熄火控制信號VD21，第一薄膜光電轉換元件11A從熄火狀態變為點火狀態，並維持該點火狀態。在這期間，在第二象素部分PXB中，反射從第一象素部分PXA照射相片等讀出對象的光，反射的光使第二薄膜光電轉換元件11B受光。其結果，在第二薄膜光電轉換元件11B中流過電流，按照該電流，在第二薄膜光電轉換元件11B的象素電極PEB與對置電極OP之間產生預定的電位差。通過第三布線D23用第二光電流檢測電路502可以順序檢測該電位差。利用從掃描側驅動電路20輸出給掃描線gate的掃描信號對各象素依次進行這種動作。因此，顯示裝置兼容型圖象傳感器裝置1作為貼緊型圖象傳感器裝置可以從相片等讀出對象中讀取圖象信息。
可以用顯示裝置兼容型圖象傳感器裝置1顯示這樣讀出的圖象信息。就是說，將從照片等中這次讀出的圖象信息記錄在RAM等信息記錄裝置中，在顯示該圖象信息時，將該圖象信息對應的調製圖象信號從數據側驅動電路30送給第一布線D21。其結果，在利用從掃描線gate供給的掃描信號順序選擇的象素PX中，第一象素部分PXA的第一薄膜光電轉換元件11A根據調製圖象信號控制點火和熄火狀態，從而可顯示期望的圖象。
在進行這種顯示動作時，如果在第二轉換電路402中TFT48為截止狀態，TFT47為導通狀態，第三布線23與共用供電線com連接，那麼在利用從掃描線gate供給的掃描信號順序選擇的象素PX中，根據從數據側驅動電路30輸出給第一布線D21的調製圖象信號，第二象素部分PXB的第一薄膜光電轉換元件11B也可以控制點火和熄火狀態。這樣，如果用第一和第二象素部分PXA、PXB雙方進行顯示動作，那麼可以進行更高亮度的顯示。
再有，在第一和第二轉換電路401、402中，如果TFT46、48為導通狀態，TFT45、47為截止狀態，那麼在第一和第二象素部分PXA、PXB雙方中就可以將各薄膜光電轉換元件11A、11B作為受光元件使用。於是，可以完成更高靈敏度的讀出動作。
(本實施例的效果)如以上說明，在本實施例的顯示裝置兼容型圖象傳感器裝置1中，在各象素PX中，由於構成具有作為發光元件和受光元件功能的第一和第二薄膜光電轉換元件11A、11B，所以只要改變這些薄膜光電轉換元件的驅動方法，就可以作為圖象傳感器裝置和顯示裝置來使用。此外，在本實施例的顯示裝置兼容型圖象傳感器裝置1中，由於可以用半導體工藝製造各元件，並且不需要昂貴的光學系統、機械系統、傳感器、照明等，所以可以實現傳真機等的讀出部分的低價格化。
並且，僅用轉換電路401、402轉換第二和第三布線D22、D23的連接狀態，對於第一和第二象素部分PXA、PXB來說，可以使雙方都具有作為發光部分或受光部分的功能，同時也可以使一方具有作為發光部分的功能，另一方具有作為受光部分的功能。
而且，由於在第一象素部分PXA的象素電極PEA和第二象素部分PXB的象素電極PEB之間形成遮光性的阻擋層bank，所以即使從具有作為發光部分功能的第一象素部分PXA側向所有方向發射光，利用阻擋層bank也可以防止該光會漏向具有作為受光部分功能的第二象素部分PXB。因此，可以用高S/N比讀出來自讀出對象的圖象。
本實施例也有與實施例1大體相同的結構，下面，對於不同點進行論述。在上述實施例1、2中，第一薄膜光電轉換元件11A的象素電極PEA形成區域與第二薄膜光電轉換元件11B的象素電極PEB形成區域之間的交界部分為直線，而在本實施例中，如圖9(A)、(B)所示，不同點在於第一薄膜光電轉換元件11A的象素電極PEA形成區域與第二薄膜光電轉換元件11B的象素電極PEB形成區域有相互組合的結構。如果構成這樣的結構，那麼在將顯示裝置兼容型圖象傳感器裝置1作為圖象傳感器裝置使用時，從第一象素部分PXA發射的光反射在照片等讀出對象上，在第二象素部分PXB上達到高效率。在構成這種結構的情況下，如果也在第一象素部分PXA的象素電極PEA和第二象素部分PXB的象素電極PEB之間形成遮光性的阻擋層bank，那麼即使從第一象素部分PXA側向所有方向發射光，利用阻擋層bank也可以防止該光漏向具有作為受光部分功能的第二象素部分PXB。
本實施例的結構也與實施例1大體相同，下面，對於不同點進行論述。在本實施例中，例如，如圖10所示，如果將第一薄膜光電轉換元件11A的象素電極PEA形成區域構成為可用第二薄膜光電轉換元件11B的象素部分PEB形成區域包圍周邊的結構，那麼與將象素電極之間以直線隔開象素電極外框的結構相比，象素電極PEB的形成區域比較寬，可以使第一薄膜光電轉換元件11A的象素電極PEA形成區域的重心位置與第二薄膜光電轉換元件11B的象素電極PEB形成區域的重心位置靠近。
如果構成這樣的結構，那麼在把顯示裝置兼容型圖象傳感器裝置1作為圖象傳感器裝置使用時，由於象素電極PEA、PEB相互的重心位置(發光和受光的中心位置)靠近，所以從第一象素部分PXA發射的光反射在照片等上，在第二象素部分PXB上達到高效率。
在構成這種結構的情況下，如果在第一象素部分PXA的象素電極PEA和第二象素部分PXB的象素電極PEB之間形成遮光性的阻擋層bank，那麼即使從第一象素部分PXA側向所有方向發射光，利用阻擋層bank也可以防止該光漏向具有作為受光部分功能的第二象素部分PXB。
本實施例結構也與實施例1大體相同，僅對不同點進行論述。在本實施例中，如圖11(A)所示，第一薄膜光電轉換元件11A的象素電極PEA的形成區域可以按處於第二薄膜光電轉換元件11B的象素電極PEB形成區域中央部分那樣構成。如果形成這樣的結構，那麼第一薄膜光電轉換元件11A的象素電極PEA的形成區域和第二薄膜光電轉換元件11B的象素電極PEB形成區域雙方的重心位置達到完全重合。因此，如圖11(B)所示，在從第一象素部分PXA發射的光hv被相片和文件等讀出對象等反射並達到第二象素部分PXB時，在對讀出對象的照射光的強度分布和來自讀出對象的反射光的強度分布中，由於其峰值處於象素PX的中央部分，所以在第二象素部分PXB中，在第二薄膜光電轉換元件11B的象素電極PEB的整個表面可高效率受光。
發明的利用可能性如以上的說明，在本發明的顯示裝置兼容型圖象傳感器裝置中，在各象素中，由於構成具有作為發光元件和受光元件功能的第一和第二薄膜光電轉換元件，所以只要改變這些薄膜光電轉換元件的驅動方法，就可以作為圖象傳感器裝置和顯示裝置的其中任何一個裝置來使用。此外，在本實施例的顯示裝置兼容型圖象傳感器裝置中，由於可以用半導體工藝製造各元件，不需要昂貴的光學系統、機械系統、傳感器、照明等，所以可以實現傳真機等的讀出部分的低價格化。
權利要求
1.一種顯示裝置兼容型圖象傳感器裝置，該顯示裝置兼容型圖象傳感器裝置有按矩陣狀設置的多個象素，供給依次選擇該象素所用的掃描信號的掃描線，和第一至第三布線，第一至第三布線用作使由所述掃描信號選擇的象素進行發光或受光時的信號線；其特徵在於，所述象素包括第一象素部分和第二象素部分，第一象素部分配有通過所述掃描線供給所述掃描信號的第一導通控制電路，和通過該第一導通控制電路連接所述第一布線和所述第二布線且可以發光和受光的第一薄膜光電轉換元件；而第二象素部分配有通過所述掃描線供給所述掃描信號的第二導通控制電路，和通過該第二導通控制電路連接所述第一布線和所述第三布線且可以發光和受光的第二薄膜光電轉換元件。
2.如權利要求1所述的顯示裝置兼容型圖象傳感器裝置，其特徵在於，所述第一和第二導通控制電路分別由將所述掃描信號供給柵電極的薄膜電晶體構成所述第一導通控制電路的所述薄膜電晶體的源和漏區的一方與所述第二布線連接，同時另一方與所述第一薄膜光電轉換元件的象素電極連接，所述第二導通控制電路的所述薄膜電晶體的源和漏區的一方與所述第三布線連接，同時另一方與所述第二薄膜光電轉換元件的象素電極連接。
3.如權利要求2所述的顯示裝置兼容型圖象傳感器裝置，其特徵在於，包括轉換電路，在將所述薄膜光電轉換元件作為發光元件使用時，在所述第二和第三布線內連接該薄膜光電轉換元件的布線與點燈和熄火控制用信號的輸出電路連接，而在將所述薄膜光電轉換元件作為受光元件使用時，在所述第二和第三布線內連接該薄膜光電轉換元件的布線與光電流檢測電路連接，所述第一布線與穩壓電源連接。
4.如權利要求1所述的顯示裝置兼容型圖象傳感器裝置，其特徵在於，所述第一和第二導通控制電路分別由將所述掃描信號供給柵電極的第一薄膜電晶體和通過該第一薄膜電晶體連接柵電極和所述第一布線的第二薄膜電晶體構成，所述第一導通控制電路的所述第二薄膜電晶體的源和漏區的一方與所述第二布線連接，同時另一方與所述第一薄膜光電轉換元件的象素電極連接，所述第二導通控制電路的所述第二薄膜電晶體的源和漏區的一方與所述第三布線連接，同時另一方與所述第二薄膜光電轉換元件的象素電極連接。
5.如權利要求4所述的顯示裝置兼容型圖象傳感器裝置，其特徵在於，包括轉換電路，在將所述薄膜光電轉換元件作為發光元件使用時，在所述第二和第三布線內連接該薄膜光電轉換元件的布線與穩壓電源連接，而在將所述薄膜光電轉換元件作為受光元件使用時，在所述第二和第三布線內連接該薄膜光電轉換元件的布線與光電流檢測電路連接，所述第一布線與控制所述第二薄膜電晶體導通狀態的信號的輸出電路連接。
6.如權利要求1至5中任何一項所述的顯示裝置兼容型圖象傳感器裝置，其特徵在於，所述第一薄膜光電轉換元件的象素電極形成區域和所述第二薄膜光電轉換元件的象素電極形成區域相互混合。
7.如權利要求1至5中任何一項所述的顯示裝置兼容型圖象傳感器裝置，其特徵在於，作為所述第一薄膜光電轉換元件的象素電極形成區域和作為所述第二薄膜光電轉換元件的象素電極形成區域，與直線隔開該象素電極外框的結構相比，雙方的重心位置更靠近。
8.如權利要求1至5中任何一項所述的顯示裝置兼容型圖象傳感器裝置，其特徵在於，所述第一薄膜光電轉換元件的象素電極形成區域被所述第二薄膜光電轉換元件的象素電極形成區域所包圍。
9.一種顯示裝置兼容型圖象傳感器裝置，該顯示裝置兼容型圖象傳感器裝置有按矩陣狀設置的多個象素，供給依次選擇該象素所用掃描信號的掃描線，和第一至第三布線，第一至第三布線用作使由所述掃描信號選擇的象素髮光或受光時的信號線；其特徵在於，所述象素包括第一象素部分和第二象素部分，第一象素部分配有通過所述掃描線供給所述掃描信號的第一導通控制電路，和通過該第一導通控制電路連接所述第一布線與所述第二布線且可以發光和受光的第一薄膜光電轉換元件；而第二象素部分配有通過所述掃描線供給所述掃描信號的第二導通控制電路，和通過該第二導通控制電路連接所述第一布線與所述第三布線且可以發光和受光的第二薄膜光電轉換元件；所述第一薄膜光電轉換元件的象素電極形成區域的重心與所述第二薄膜光電轉換元件的象素電極形成區域的重心與該象素電極的大小相比十分靠近。
10.如權利要求1至9中任何一項所述的顯示裝置兼容型圖象傳感器裝置，其特徵在於，在所述第一薄膜光電轉換元件的象素電極與所述第二薄膜光電轉換元件的象素電極之間形成遮光層。
全文摘要
本發明的目的在於提供一種使用具有發光元件和受光元件功能的薄膜光電轉換元件,且可作為有源矩陣型顯示裝置使用和作為圖象傳感器使用的顯示裝置兼容型圖象傳感器裝置,在排列成矩陣狀的任何一個象素(PX)中,都包括第一象素部分(PXA)和第二象素部分(PXB),第一象素部分配有通過掃描線(gate)供給掃描信號的第一導通控制電路(SWA),和通過該電路第一布線(D21)與第二布線(D22)電路連接且可以發光和受光的第一薄膜光電轉換元件(11A);而第二象素部分配有通過相同的掃描線(gate)供給掃描信號的第二導通控制電路(SWB),和通過該電路第一布線(D21)與第三布線(D23)電路連接且可以發光和受光的第二薄膜光電轉換元件(11B)。
文檔編號H04N5/374GK1242904SQ98801628
公開日2000年1月26日 申請日期1998年9月1日 優先權日1997年9月1日
發明者小澤德郎 申請人:精工愛普生株式會社