用於電互連的摻雜合金、其製造方法及其用途的製作方法
2023-09-21 06:58:40
專利名稱：用於電互連的摻雜合金、其製造方法及其用途的製作方法
技術領域：
本發明領域為電子元件、半導體元件以及其它相關層狀材料應用中的熱互連繫統、熱界面系統和界面材料。
背景技術：
電子元件用在數量日益增加的用電設備和商業電子產品中。這些用電設備和商業產品的一些實例為電視、個人電腦、網際網路伺服器、蜂窩式電話、傳呼機、掌上管理器、手提收音機、汽車用立體聲收音機或者遙控裝置。隨著這些用電設備和商業電子設備增加的需要，需要那些相同的產品變得更小、更多功能以及更便攜以用於用電設備和商業。
作為在這些產品中尺寸降低的結果，包括該產品的元件也必須變得更小。那些需要減少尺寸或者縮小比例的元件的一些實例為印刷電路、接線板、電阻器、線路、鍵盤、觸摸墊以及晶片封裝。
因此，拆開並研究該元件，從而確定是否有更好的、允許其縮小比例的構造和媒介材料、手段和方法，從而滿足更小的電子元件的需要。確定是否有更好的構造材料、手段和方法的部分步驟是研究製造設備以及構造和安裝該元件的方法是如何操作的。
對於那些需要電互連的元件而言，可使用圓球狀(sphere)、球狀(ball)、粉末、預製件或一些其它的基於焊料的元件，該元件可在兩個元件之間提供電互連。在為BGA球的情況下，該球在封裝和印刷電路板之間形成電互連，和/或在半導體晶片和封裝或板之間形成電互連。將該球接觸該板、封裝或晶片的地方稱之為接合焊盤。焊料回流期間，該接合焊盤金屬同該球的相互作用可確定連接的質量，很小的相互作用或反應將導致容易在接合焊盤處的故障連接。該接合焊盤金屬太多的反應或相互作用可通過過多地形成易碎金屬間化合物或不期望的產品而導致相同的問題，該不期望的產品起源於金屬間化合物的形成。
有幾種途徑糾正和/或減少在此提出的焊料問題。例如，日本專利JP07195189A在BGA球中同時使用鉍、銅和銻作為摻雜劑，從而增強連接完整性。可添加或可不添加磷；本專利中的結果表明磷的添加進行地很差。同其它成分相比，以高重量百分比添加磷。銅的水平在100ppm-1000ppm的範圍內。
在C.E.Ho，等的「Effect of Cu Concentration on the reactionsbetween Sn-Ag-Cu Solders and Ni」Journal of ElectronicMaterials，Vol.31 No 6，p584，2002和C.R.Kao和C.E Ho的中國專利公開149096I(2001年3月23)，研究了在ENIG接合焊盤上，銅的添加對提高Sn-Pb低共熔體性能的影響。未研究含有低於2000ppm銅的組合物。
Joen等「Studies of Electroless Nickel Under Bump Metallurgy-Solder Interfacial Reactions and Their Effects on Flip Chip JointReliability」，Journal of Electronic Materials，p520-528，Vol31，No5，2002和Jeon等「Comparison of Interfacial Reactions and Reliabilities ofSn3.5Ag and Sn4.0Ag0.5Cu and Sn0.7Cu Solder Bumps on ElectrolessNi-PUBMs」Proceeding of Electronic Components and TechnologyConference，IEEE，p1203，2003討論了與無電鍍鎳接合焊盤相比，在純鎳接合焊盤上金屬間化合物的生長更快。這兩篇文章都研究和討論了濃度為0.5％(5000ppm)或更高的銅的優點。
Zhang等「Effects of Substrate Metallization on Solder/UnderBumpMetallization Interfacial Reactions in Flip-Chip Packages duringMultiple Reflow Cycles」，Journal of Electronic Materials，Vol 32 No3，p123-130，2003表明磷不會對減緩金屬間化合物消耗產生影響(其同Jeon的文章相反)。Shing Yeh，「Copper Doped Eutectic Tin-Lead Bumpfor Power Flip Chip Applications」，Proceeding of ElectronicComponents and Technology Conference，IEEE，p338，2003記載1％的銅的添加降低了鎳層的消耗。
Niedrich專利和申請(EP0400363 A1 EP0400363 B1和US5011658)表明在Sn-Pb-In焊料中將銅用作摻雜劑，從而最小化銅接合焊盤或連接件的消耗(即未使用鎳阻擋層)。發現該焊料中的銅降低了銅連接件的溶解。Niedrich使用銅通過形成銅金屬間化合物或(Cu、Ni)Sn金屬間化合物來抑制鎳阻擋層的相互作用。該Niedrich專利在銅的使用方面同US2671844很相似，其以大於0.5wt％的量將銅添加到焊料中，從而在精細焊接操作期間，最小化銅烙鐵頭的溶解。
Ozaki的美國出版專利4,938,924中記載添加2000-4000ppm的銅提高了Sn-36Pb-2Ag合金的潤溼性和長期連接安全性。日本專利JP60166191A「Solder Alloy Having Excellent Resistance to FatigueCharacteristic」公開了添加300-5000ppm銅的SnBiPb合金，從而提高其抗疲勞性。
美國出版專利6,307,160教導使用至少2％的銦，以提高低共熔Sn-Pb合金在無電鍍鎳/浸金(ENIG)接合焊盤上的結合強度。
美國出版專利4,695,428「Solder Composition」公開了用於管道工程連接的無Pb焊料組合物。使用的銅濃度超過1000ppm，還添加其它幾種元素作為合金添加劑，從而提高該焊料的液相線、固相線、流動性能以及表面拋光。
美國出版專利2303193A教導將0.1-1.5％的Cu(1000-15,000ppmCu)添加到Cd和Sb中，從而提高該焊料的抗蠕變性。該參考文獻具體說明「低於所標明量的銅實質上不足以將使用期限提高得超過普通的鉛-錫合金」。
因此，持續需要a)研究對大多數焊料性能沒有有害影響、但減緩鎳阻擋層的消耗、從而減緩富磷層的生長的焊料材料和焊料摻雜劑，從而在回流和回流後(post reflow)熱老化期間維持連接完整性；b)設計和製造滿足用電設備規格的電互連，同時最小化製造成本和最大化包括該電互連的產品質量；以及c)研究製造電互連和包括該互連的元件的安全方法。
發明內容
在此公開的焊料材料和摻雜劑包括至少一種焊料材料、至少一種磷基摻雜劑和至少一種銅基摻雜劑。形成摻雜焊料材料的方法包括a)提供至少一種焊料材料；b)提供至少一種磷基摻雜劑；c)提供至少一種銅基摻雜劑，以及d)將該至少一種焊料材料、該至少一種磷基摻雜劑以及該至少一種銅基摻雜劑混合，從而形成摻雜焊料材料。
還在此公開層狀材料，其包括a)表面或基底；b)電互連；c)如那些在此公開的、包括至少一種磷基摻雜劑和至少一種銅基摻雜劑的焊料材料，以及d)半導體晶片或封裝。還設想了電子和半導體元件，其包括在此公開的焊料材料和/或層狀材料。
發明詳述與前述參考文獻不同，已經研究並在此公開了摻雜焊料材料和焊料摻雜劑，其對大多數焊料性能沒有有害影響，但仍減緩鎳阻擋層的消耗以及因此減緩富磷層的生長，從而在回流和回流後熱老化期間維持連接完整性。這種焊料摻雜劑既滿足a)設計和製造滿足用電設備規格的電互連，同時最小化製造成本和最大化包括該電互連的產品質量；又b)研究製造電互連和包括該互連的元件的安全方法。
在基底、封裝或板上的金屬化通常為銅，電互連如BGA球通常連接到該基底、封裝或板。銅同大多數焊料(錫)的主要成分快速反應，從而形成Cu-Sn金屬間化合物，該化合物快速生長，並自界面剝落或破裂。該破裂降低了該焊料連接的強度和完整性。
為了降低接合焊盤的消耗，可使用阻止Sn和Cu直接接觸的阻擋層。通常將這些額外的層稱之為接合焊盤金屬或凸決下金屬(UBM)。用於BGA球的接合焊盤金屬通常涉及鍍鎳的使用，從而提供用於銅的阻擋層和黃金薄塗層，以維持可焊接性。儘管鎳會同Sn相互作用從而形成金屬間化合物，該金屬間化合物生長速度比Cu-Sn金屬間化合物的生長速度慢得多。歷史上，曾使用電解鎳電鍍。這種類型電鍍中的鎳沉積物相當純，幾乎沒有不期望的元素如磷的共沉積物。
為了降低製造成本，實施一種新式類型的電鍍——無電鍍鎳(EN)，之後進行浸金(IG)。該無電鍍鎳沉積浴通常涉及次磷酸鹽(H2PO2-)溶液的使用，其導致EN塗層中的磷共沉積物達到7-15原子％的水平。在該IG電鍍期間，在回流或隨後的熱漂移中，該添加磷可導致問題。在IG電鍍期間，較低磷含量塗層的抗腐蝕性很差，需要使用者致力於更高磷的沉積物。
焊料回流期間，該薄IG塗層幾乎立即溶解。然後該焊料中的錫同EN塗層中的鎳反應，從而形成Ni-Sn金屬間化合物。該金屬間化合物的形成不涉及磷，只要該金屬間化合物在高溫生長，就可在金屬間界面排斥越來越多的磷。這種磷可積聚在薄的富磷Ni-P層，其使焊料連接減弱，或者作為晶體Ni-P，其也減弱焊料連接。通過這種富磷層出現焊料連接故障。在工業中，已知這種類型的故障為「黑墊」故障，因為由於該故障而暴露的富磷層可具有微黑的表面。由於即使在固態，該金屬間化合物也可快速生長，所以當該連接暴露於高溫時，這些故障可在熱老化連接中發生，其在焊料回流後似乎立即好起來。
在此設想的焊料材料和摻雜劑包括至少一種焊料材料、至少一種磷基摻雜劑以及至少一種銅基摻雜劑。形成在此公開的摻雜焊料材料的方法包括a)提供至少一種焊料材料；b)提供至少一種磷基摻雜劑；c)提供至少一種銅基摻雜劑，以及d)將該至少一種焊料材料、該至少一種磷基摻雜劑以及該至少一種銅基摻雜劑混合，從而形成摻雜焊料材料。在設想的實施方案中，添加到該焊料合金或材料中的銅和磷摻雜劑降低了鍍有無電鍍鎳(EN)的阻擋層的消耗。將該摻雜劑添加到焊料合金中，通過如在共同擁有的美國出版專利No.6579479中公開的工藝可將該合金用來製造粉末、糊、錠、絲、預製件或BGA球，在此以引用的方式將其全文包括在內。
在此還公開了層狀材料，其包括a)表面或基底；b)電互連；c)如那些在此公開的、包括磷基摻雜劑和銅基摻雜劑的焊料材料，以及d)半導體晶片或封裝。設想的表面可包括印刷電路板或適宜的電子元件。還設想了電子和半導體元件，該電子和半導體元件包括在此公開的焊料材料和/或層狀材料。
在此公開的設想實施方案與所引用的參考文獻不同，因為所製備的合金添加劑的濃度和作為添加劑添加到焊料的磷的使用不同，且十分顯著。在多篇論文如前面引用的Jeon論文中表明焊料中高水平的銅可降低金屬間化合物層的消耗。在此使用的水平降低2.5-＞10指數。Ho的著作表明對於低於0.2％(2000ppm)的銅成分而言，在鎳/焊料界面形成不同的金屬間化合物。沒有任何地方記載了本文所述水平的銅和磷的組合。對於每一種元素而言，用於降低鎳消耗的機制是不同的。
而且，前述Niedrich專利通過形成銅金屬間化合物或(Cu，Ni)Sn金屬間化合物，使用銅來抑制鎳阻擋層的相互作用。在銅的使用方面，該Niedrich專利同US2671844很相似，其以超過0.5wt％的量將銅添加到焊料中，從而在精細焊接操作期間，最小化銅烙鐵頭的溶解。這些銅的添加均需要顯著高於在此設想的量。Qzaki專利同樣如此，其中，銅的添加顯著高於在此設想的量。
該焊料材料可包括任意適宜的焊料材料、合金或金屬，如銦、鉛、銀、銅、鋁、錫、鉍、鎵及其合金、塗銀銅、塗銀鋁或其組合。優選的焊料材料可包括鉛-錫合金，其包括鉛(37％)-錫(63％)低共熔合金、銦錫(InSn)化合物及合金、銦銀(InAg)化合物及合金、銦基化合物、錫銀銅化合物(其已經包括銅)及合金(SnAgCu)、錫鉍化合物及合金(SnBi)、鋁基化合物及合金，以及其組合。如在此使用，術語「金屬」是指那些在元素周期表中d區和f區的元素，以及那些具有類金屬性質的元素如矽和鍺。如在此使用，術語「d區」是指那些在該元素原子核周圍具有填充3d、4d、5d和6d軌道電子的元素。如在此使用，術語「f區」是指那些在該元素原子核周圍具有填充4f和5f軌道電子的元素，其包括鑭系元素和錒系元素。優選的金屬包括如銦、鉛、銀、銅、鋁、錫、鉍、鎵及其合金、塗銀銅及塗銀鋁。術語「金屬」還包括合金、金屬/金屬複合物、金屬陶瓷複合物、金屬聚合物複合物以及其它金屬複合物。如在此使用，術語「化合物」是指具有恆定組成的物質，可通過化學工藝將其裂解為元素。
設想的摻雜劑包括至少一種磷基化合物/摻雜劑以及至少一種銅基化合物/摻雜劑。在此設想的摻雜劑水平對於磷而言低於約100ppm，對於銅而言低於約800ppm。在一些實施方案中，將該摻雜劑的水平設想為對於磷而言，約為10-100ppm，對於銅而言，約為25-800ppm。在一些實施方案中，將該摻雜劑的水平設想為對於磷而言，約為10-70ppm，對於銅而言，約為25-500ppm。在其它實施方案中，將該摻雜劑的水平設想為對於磷而言，約為20-60ppm，對於銅而言，約為40-600ppm。在另一些實施方案中，將該摻雜劑的水平設想為對於磷而言，約為30-60ppm，對於銅而言，約為300-500ppm。
在鑄模期間，可將該摻雜劑材料直接添加到焊料主要成分中。當使用少量的摻雜劑時，可期望製備主合金以及用無摻雜焊料將其稀釋，從而更好地控制摻雜劑濃度。
可通過任意適宜的方法提供該至少一種焊料材料、該至少一種磷基化合物/摻雜劑，和/或該至少一種銅基化合物/摻雜劑，其包括a)從供應商購買該至少一種焊料材料、該至少一種磷基化合物/摻雜劑，和/或該至少一種銅基化合物/摻雜劑；b)使用由其它供貨源提供的化學試劑由供應商本廠生產該至少一種焊料材料、該至少一種磷基化合物/摻雜劑，和/或該至少一種銅基化合物/摻雜劑中的至少一些；和/或c)使用也由本廠或本地生產或提供的化學試劑由供應商本廠生產該至少一種焊料材料、該至少一種磷基化合物/摻雜劑和/或該至少一種銅基化合物/摻雜劑。
還可將在此公開的焊料材料、球以及其它相關的材料用來生產焊糊、聚合物焊料以及其它基於焊料的配方及材料，該材料如在下面Honeywell International Inc.的出版專利和未決專利申請中發現的，該專利是共同擁有的，且在此將其全文包括在內US專利申請系列No.09/851103，60/357754，60/372525，60/396294和09/543628；以及PCT未決申請系列No.PCT/US02/14613以及所有相關的繼續、分案、部分繼續以及外國申請。還可將在此公開的焊料材料、塗層組合物以及其它相關的材料用作元件，或者構造基於電子的產品、電子元件和半導體元件。在設想的實施方案中，可將在此公開的合金用於生產BGA球，可將之用在含有BGA球的電路組合如凸形或球形晶片、封裝或基底中，可將之用作陽極、絲或糊或者還可將之以浴的形式使用。
在設想的實施方案中，將該球附著到該封裝/基底或晶片上，並以與無摻雜球相似的方式回流。對於EN塗層而言，該摻雜劑減緩了消耗速度，並導致完整性更高(更高強度)的連接。
在準備將之用在工業上或被其它用電設備使用的意義上，可對電基產品進行「精加工」。精加工的用電設備產品的實例為電視、計算機、蜂窩式電話、傳呼機、掌上管理器、手提收音機、汽車用立體聲收音機以及遙控裝置。還設想「中間」產品如可能用在精加工產品中的電路板、晶片封裝和鍵盤。
在從概念模型到最終的成品(scale-up)/實物模型的任何研究階段，電子產品還可包括原型元件。原型可或可不包括所有在精加工產品中預計的實際元件，原型可具有一些由複合材料構造的元件，從而在開始測試時，使其對其它元件的起始影響無效。
如在此使用，術語「電子元件」是指任何可用在電路，從而獲得一些期望的電子行為的裝置或部件。可按許多方式將在此設想的電子元件分類，包括分成有源元件和無源元件。有源元件為具有動態功能如增益、振動或信號控制的電子元件，其通常需要電源，以用於其操作。實例為雙極電晶體、場效應電晶體以及集成電路。無源元件為在操作中為靜態即通常不能增益或振動，且一般不需要電源以用於其特徵操作的電子元件。實例為常規的電阻器、電容器、電感器、二極體、整流器以及保險絲。
還可將在此設想的電子元件分為導體、半導體或絕緣體。在此，導體為允許電荷載體(如電子)如在電流中一樣易在原子之間移動的元件。導體元件的實例為包括金屬的電路軌跡和通路。絕緣體為其中功能實質上與材料極度抵抗電流傳導的能力相關的元件，如用來電隔離其它元件的材料，而半導體為具有這樣功能的元件，該功能實質上與材料以在導體和絕緣體之間的自然電阻率來傳導電流的能力相關。半導體元件的實例為電晶體、二極體、一些雷射器、整流器、可控矽整流器以及光敏元件。
還可將在此設想的電子元件分為電源或用電設備。通常將電源元件用來給其它元件提供電力，其包括電池、電容器、線圈以及燃料電池。如在此使用，術語「電池」是指通過化學反應生產可用數量電能的裝置。類似地，可充電或二次電池為通過化學反應儲存可用數量電能的裝置。電能消耗元件包括電阻器、電晶體、IC、傳感器等等。
此外，還可將在此設想的電子元件分為分散的或集成的。分散元件為集中在電路中的一個地方提供一種特殊電性能的裝置。實例為電阻器、電容器、二極體以及電晶體。集成元件為可在電路中的一個地方提供多種電性能的元件的組合。實例為IC，即集成電路，其中組合多個元件和連接軌道，從而執行多種或複雜的功能如邏輯。
實施例在此說明四種代表性實施例，其包括摻雜有下面量的銅和磷摻雜劑的Sn37Pb實施例#140ppm+/-10ppm銅和磷實施例#2500ppm+/-10ppm銅和30ppm+/-10ppm磷實施例#3200ppm+/-10ppm銅和30ppm+/-10ppm磷實施例#4200ppm+/-30ppm銅和15ppm+/-5ppm磷實施例#5未摻雜Sn-37Pb合金(控制)
該數據表明沒有一種合金摻雜劑會導致熔點自未摻雜材料(實施例#5)大幅下降。對所有合金而言，對裸露銅的潤溼性良好。焊接到ENIG接合焊盤金屬的剪切球(shear ball)所需要的總能量對於摻雜球而言更高，隨著摻雜劑水平的提高，故障模式從未摻雜材料的易碎故障改變為更期望的易延展故障模式。
因此，已經公開了用作電互連的、摻雜焊料材料和焊料摻雜劑的具體實施方案和應用。但是，對本領域技術人員而言，除了已經公開的內容，顯然不違背文中創造性概念而進行多種修改是可能的。此外，在解釋說明書的過程中，應與上下文一致，以可能的、最寬的方式解釋所有術語。特別地，關於元素、元件或步驟，應以非唯一的方式解釋術語「包括」和「含有」，這表明所引用的元素、元件或步驟可同其它未明顯引用的元素、元件或步驟共同存在、使用或組合。
權利要求
1.一種摻雜焊料材料，其包括至少一種焊料材料；至少一種磷基摻雜劑；以及至少一種銅基摻雜劑。
2.權利要求1的摻雜焊料材料，其中該至少一種焊料材料包括銦、鉛、銀、銅、鋁、錫、鉍、鎵及其合金、塗銀銅、塗銀鋁或其組合。
3.權利要求2的摻雜焊料材料，其中該至少一種焊料材料包括鉛-錫合金、銦錫(InSn)化合物及合金、銦銀(InAg)化合物及合金、銦基化合物、錫銀銅化合物及合金(SnAgCu)、錫鉍化合物及合金(SnBi)、鋁基化合物及合金，以及其組合。
4.權利要求3的摻雜焊料材料，其中該鉛-錫合金包括鉛(37％)-錫(63％)低共熔合金。
5.權利要求1的摻雜焊料材料，其中該至少一種磷基摻雜劑以低於約100ppm磷的量存在。
6.權利要求5的摻雜焊料材料，其中該至少一種磷基摻雜劑以低於約70ppm磷的量存在。
7.權利要求6的摻雜焊料材料，其中該至少一種磷基摻雜劑以低於約60ppm磷的量存在。
8.權利要求1的摻雜焊料材料，其中該至少一種銅基摻雜劑以低於約800ppm銅的量存在。
9.權利要求8的摻雜焊料材料，其中該至少一種銅基摻雜劑以低於約600ppm銅的量存在。
10.權利要求9的摻雜焊料材料，其中該至少一種銅基摻雜劑以低於約500ppm銅的量存在。
11.權利要求1的摻雜焊料材料，其中該至少一種磷基摻雜劑和該至少一種銅基摻雜劑以約10-100ppm磷和約25-800ppm銅的量存在。
12.權利要求1的摻雜焊料材料，其中該至少一種磷基摻雜劑和該至少一種銅基摻雜劑以約10-70ppm磷和約25-500ppm銅的量存在。
13.權利要求1的摻雜焊料材料，其中該至少一種磷基摻雜劑和該至少一種銅基摻雜劑以約20-60ppm磷和約40-600ppm銅的量存在。
14.權利要求1的摻雜焊料材料，其中該至少一種磷基摻雜劑和該至少一種銅基摻雜劑以約30-60ppm磷和約300-500ppm銅的量存在。
15.一種形成摻雜焊料材料的方法，包括提供至少一種焊料材料；提供至少一種磷基摻雜劑；提供至少一種銅基摻雜劑，以及將該至少一種焊料材料、該至少一種磷基摻雜劑以及該至少一種銅基摻雜劑混合，從而形成摻雜焊料材料。
16.權利要求15的方法，其中該至少一種焊料材料包括銦、鉛、銀、銅、鋁、錫、鉍、鎵及其合金、塗銀銅、塗銀鋁或其組合。
17.權利要求16的方法，其中該至少一種焊料材料包括鉛-錫合金、銦錫(InSn)化合物及合金、銦銀(InAg)化合物及合金、銦基化合物、錫銀銅化合物及合金(SnAgCu)、錫鉍化合物及合金(SnBi)、鋁基化合物及合金，以及其組合。
18.權利要求17的方法，其中該鉛-錫合金包括鉛(37％)-錫(63％)低共熔合金。
19.權利要求15的方法，其中該至少一種磷基摻雜劑以低於約100ppm磷的量存在。
20.權利要求19的方法，其中該至少一種磷基摻雜劑以低於約70ppm磷的量存在。
21.權利要求20的方法，其中該至少一種磷基摻雜劑以低於約60ppm磷的量存在。
22.權利要求15的方法，其中該至少一種銅基摻雜劑以低於約800ppm銅的量存在。
23.權利要求22的方法，其中該至少一種銅基摻雜劑以低於約600ppm銅的量存在。
24.權利要求23的方法，其中該至少一種銅基摻雜劑以低於約500ppm銅的量存在。
25.權利要求15的方法，其中該至少一種磷基摻雜劑和該至少一種銅基摻雜劑以約10-100ppm磷和約25-800ppm銅的量存在。
26.權利要求15的方法，其中該至少一種磷基摻雜劑和該至少一種銅基摻雜劑以約10-70ppm磷和約25-500ppm銅的量存在。
27.權利要求15的方法，其中該至少一種磷基摻雜劑和該至少一種銅基摻雜劑以約20-60ppm磷和約40-600ppm銅的量存在。
28.權利要求15的方法，其中該至少一種磷基摻雜劑和該至少一種銅基摻雜劑以約30-60ppm磷和約300-500ppm銅的量存在。
29.一種層狀材料，其包括表面或基底；電互連；一種含有至少一種磷基摻雜劑和至少一種銅基摻雜劑的焊料材料；以及半導體晶片或封裝。
30.一種含有權利要求1的摻雜焊料材料的電子元件。
31.一種含有權利要求1的摻雜焊料材料的半導體元件。
全文摘要
在此公開的焊料材料和摻雜劑包括至少一種焊料材料、至少一種磷基摻雜劑和至少一種銅基摻雜劑。形成摻雜焊料材料的方法包括a)提供至少一種焊料材料；b)提供至少一種磷基摻雜劑；c)提供至少一種銅基摻雜劑，以及d)使該至少一種焊料材料、該至少一種磷基摻雜劑和該至少一種銅基摻雜劑混合，從而形成摻雜焊料材料。在此還公開了層狀材料，其包括a)表面或基底；b)電互連；c)如在此所述的、含有至少一種磷基摻雜劑和至少一種銅基摻雜劑的焊料材料，以及d)半導體晶片或封裝。還設想了電子和半導體元件，其包括在此公開的焊料材料和/或層狀材料。
文檔編號H01L21/78GK1943030SQ200480025512
公開日2007年4月4日 申請日期2004年9月7日 優先權日2003年9月8日
發明者南希·迪安, 詹姆斯·弗林特 申請人:霍尼韋爾國際公司