量子點防偽標識方法
2023-09-21 10:55:35
專利名稱：量子點防偽標識方法
技術領域：
本發明屬於防偽標識領域，具體涉及ー種利用量子點進行防偽標識的方法，更具體的涉及ー種根據各量子點的發射的波長及發射峰強度的差異來進行防偽標識的方法。
背景技術：
在信息量激増的今天，信息的安全和準確識別已經成為社會廣泛關注的話題。特別是隨著商品經濟的日益繁榮和科學技術的不斷發展，防 偽已成為ー個嶄新的、不斷發展的領域。目前現有的安全識別技術普遍存在製作流程複雜、價格昂貴、精度差、易破解、不穩定和易受外界因素幹擾等多種技術缺陷，已不能滿足當今社會信息安全發展的需要。因此，迫切需要開發新的安全識別技術以用於防偽領域。雖然目前市面存在一些編碼密度高，信息含量大的防偽標識，如常見的黑色ニ維條形碼，但是其印製的內容可被直觀的看見，且使用易得的臺式複印機或印刷機就可以很容易複製，而現有的螢光油墨、防偽纖維雖能夠做到信息的隱蔽式傳遞，但是它們的信息含量較少，無法滿足大容量的信息需求。「量子點」，又可稱為半導體納米晶，是ー種由II-VI族或III-V族元素組成的納米顆粒。量子點的粒徑一般介於I IOnm之間，由於電子和空穴被量子限域，連續的能帶結構變成具有分子特性的分立能級結構，受激後可以發射螢光。量子點應用於防偽已有實例，如中國專利CN 102296486 A《防偽安全帶及施加該防偽安全帶的防偽紙》、CN 102002365A《透明納米螢光材料組合物及其在隱形防偽產品中的應用》，都使用了量子點作為主要的防偽材料。但專利CN102296486A將包含量子點材料的光致發光材料、磁性材料、壓敏材料和生物防偽材料組合僅應用於防偽紙，防偽範圍相對比較窄；而專利CN 102002365A將量子點與包含稀土元素的無機納米氧化物螢光粉、包含不飽和鍵的有機染料和有機發光小分子以及包含稀土元素的有機金屬絡合物分子組合用於隱形防偽領域，其主要通過螢光顔色及光譜掃描儀來鑑別，但是由於其包含多種的螢光材料，需要通過光學過濾器或光柵測量其螢光發射強度及特徵光譜，相對流程複雜、精度不高，且防偽信息量不夠豐富。
發明內容
為了克服上述現有技術中存在的問題和缺點，本發明提供ー種不易被仿製、信息容量大、穩定性好的量子點防偽標識方法。本發明的目的通過以下技術方案來實現ー種量子點防偽標識方法，其包括以下步驟量子點油墨的製備將不同結構和/或尺寸的量子點分散於有機溶劑中，加入透明油墨，混合均勻後製得能發射不同波長的量子點油墨；防偽標識的載入將上述製得的量子點油墨載入到待標記目標產品上,形成防偽標識，使所述防偽標識的各組成部分中至少部分區域含有ー種以上的量子點；防偽標識的檢測及轉換通過光譜檢測儀器讀取各個組成部分中各個量子點的中心波長及各個量子點的發光強度的比值；將各量子點的中心波長及各量子點的發光強度的比值通過編碼規則進行轉換，得到ー組特定的標識信息，並利用該信息來判斷標識。優選地，所述的量子點為元素周期表II-VI族、III-V族、IV-VI族、或IV族半導體化合物製得的量子點或其對應的核殼結構量子點；優選地，所述的元素周期表II-VI族半導體化合物，為ニ元化合物例如CdSe，CdTe，ZnS，ZnSe，ZnTe，ZnO，HgS，HgSe，HgTe，或三元化合物例如 CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS,CdZnSe，CdZnTe，CdHgS，CdHgSe，CdHgTe，HgZnS，HgZnSe ;或四元化合物例如 CdZnSeS，CdZnSeTe，CdZnSTe，CdHgSeS，CdHgSeTe，CdHgSTe，HgZnSeS，HgZnSeTe，HgZnSTe ;所述元素周期表III-V族半導體化合物，為ニ元化合物例如GaN，GaP, GaAs, GaSb, AIN, AlP, AlAs,AlSb, InN, InP，InAs, InSb，或三元化合物例如 GaNP，GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP，AlNAs，AlNSb，AlPAs，AlPSb，InNP，InNAs，InNSb，InPAs，InPSb，GaAlNP ;或四元化合物例如 GaAlNAs，GaAlNSb，GaAlPAs，GaAlP Sb, GaInNP， GaInNAs，GaInNSb，GaInPAs，GaInPSb，InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb ;所述元素周期表IV-VI族半導體化合物為ニ元化合物例如 SnS，SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe，或三元化合物例如 SnSeS，SnSeTe, SnSTe,PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe 或四元化合物例如 SnPbSSe, SnPbSeTe,SnPbSTe ;所述元素周期表IV族半導體化合物為Si，Ge或ニ元化合物例如SiC，SiGe ;所述核殼結構為以前面所述的元素周期表II-VI族、III-V族、IV-VI族、IV族半導體化合物為核，以CdSe，CdS, ZnSe, ZnS, CdO, ZnO, Si02中的一種或多種為殼的核殼結構量子點。優選地，所述的透明油墨為未添加顔料的油墨產品，所述未添加顔料的油墨產品為環氧丙烯酸酯類油墨、聚氨酯丙烯酸酯類油墨、聚酯丙烯酸酯類油墨、聚醚丙烯酸酯類油墨、聚丙烯酸丙酯或不飽和聚酯類油墨中的ー種或多種。優選地，所述量子點油墨通過印刷、噴繪、塗布浸潰或轉移的方式載入到所述目標
女ロ
)PR ο優選地，所述有機溶劑為甲苯、氯仿或正己烷。優選地，所述目標產品可以是空腔的膜材、可印刷產品或紡織品，該可印刷產品可以是紙、薄膜等。若目標產品為紡織品，則量子點油墨先載入到纖維、絲或紗上，在將所述纖維、絲或紗通過已知的紡織方法，如機織或者編織，製成目標產品。ー種量子點防偽標識方法，其包括以下步驟量子點防偽載體的製備將不同結構和/或尺寸的量子點與高分子化合物混合，製成能發射不同波長的量子點防偽載體；或將高分子樹脂製成載體後浸潰到含有不同結構和/或尺寸的量子點溶液中，乾燥後製得能發射不同波長的量子點防偽載體；防偽標識的製作與載入以上述量子點防偽載體製作防偽標識，然後將防偽標識載入待標記防偽的目標產品上；防偽標識的檢測及轉換通過光譜檢測儀器讀取各個組成部分中各個量子點的中心波長及各個量子點的發光強度的比值；將各量子點的中心波長及各量子點的發光強度的比值通過編碼規則進行轉換，得到ー組特定的標識信息，並利用該信息來判斷標識。優選地，所述的量子點為元素周期表II-VI族、III-V族、IV-VI族、或IV族半導體化合物製得的量子點或其對應的核殼結構量子點；優選地，所述的元素周期表II-VI族半導體化合物，為ニ元化合物例如CdSe，CdTe，ZnS，ZnSe，ZnTe，ZnO，HgS，HgSe，HgTe，或三元化合物例如 CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS,CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe ;或四元化合物例如 CdZnSeS,CdZnSeTe，CdZnSTe，CdHgSeS，CdHgSeTe，CdHgSTe，HgZnSeS，HgZnSeTe，HgZnSTe ;所述元素周期表III-V族半導體化合物，為ニ元化合物例如GaN，GaP, GaAs, GaSb, AIN, AlP, AlAs,AlSb, InN, InP，InAs, InSb，或三元化合物例如 GaNP，GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP，AlNAs，AlNSb，AlPAs，AlPSb，InNP，InNAs，InNSb，InPAs，InPSb，GaAlNP ;或四元化合物例如 GaAlNAs， GaAlNSb， GaAlPAs， GaAlPSb， GaInNP， GaInNAs， GaInNSb， GaInPAs， GaInPSb，InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb ;所述元素周期表IV-VI族半導體化合物為ニ元化合物例如 SnS，SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe，或三元化合物例如 SnSeS，SnSeTe, SnSTe,PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe 或四元化合物例如 SnPbSSe, SnPbSeTe,SnPbSTe ;所述元素周期表IV族半導體化合物為Si，Ge或ニ元化合物例如SiC，SiGe ;所述核殼結構為以前面所述的元素周期表II-VI族、III-V族、I V-VI族、IV族半導體化合物為核，以CdSe，CdS, ZnSe, ZnS, CdO, ZnO, Si02中的一種或多種為殼的核殼結構量子點。優選地，所述的高分子化合物為樹脂或纖維。所述樹脂為聚苯こ烯、聚こ烯、聚丙烯、聚氯こ烯、聚酷、酚醛樹脂或丙烯酸樹脂；所述纖維為醋酸纖維素或天然纖維。優選地，所述製得的防偽載體為薄膜或纖維；所述防偽標識通過粘貼或紡織的方法載入到目標產品中。本發明中，術語「量子點」，又可稱為半導體納米晶，是ー種由II-VI族或III-V族元素組成的納米顆粒。量子點的粒徑一般介於I IOnm之間，由於電子和空穴被量子限域，連續的能帶結構變成具有分子特性的分立能級結構，受激後可以發射螢光。本發明的量子點只要具有不同的發射波長即可，既可以是相同組成、不同粒徑大小的量子點，也可以是相同粒徑大小、不同組成的量子點，或者是不同組成，不同粒徑大小的量子點。本發明所述的編碼規則可以通過如下方式進行轉換中心波長為480nm的發射峰對應於a,中心波長為540nm的發射峰對應於b,中心波長為600nm的發射峰對應於c,中心波長為640nm的發射峰對應於g，各個量子點發射峰強度比為I : I時對應於11，發射峰強度比2 I時對應於21，發射峰強度比為3 : 2 : I對應於321。如防偽標識的某ー組成部分經檢測儀器檢測得到的中心波長為540nm和640nm，發射峰強度比為I : 1，則通過上述編碼規則，可得到信息bgll ;如防偽標識的另ー組成部分經檢測儀器檢測得到的中心波長為480nm和600nm，發射峰強度比為2 1，則經過上述編碼規則，可得到信息ac21。以上述方法可得到防偽標識其它組成部分的信息，然後將各部分的信息組合在ー塊，便得到了一個防偽標識的全部信息內容。可見，隨著組成部分的數量的増加及各組成部分中量子點種類的増加，防偽標識所負載的信息含量也將增加。因此防偽標識所負載的信息含量可以根據實際需要來控制量子點的種類。本發明根據量子點的組分不同、粒徑大小不同時所發射的波長不同，以及量子點組合物中各量子點的濃度配比不同時，發射峰強度不同。因而，可以通過調整量子點的尺寸、組分、結構等因素實現對其發光特徵峰位置的精確控制。採用紫外光作為激發光源，光纖光譜儀作為光譜探測終端來讀取量子點標籤的幾何圖案及其光譜特徵信息，並通過計算機對量子點光代碼進行解析轉換和數據吻合分析，從而實現量子點標籤的安全識別。
與現有技術相比，本發明具有如下優點本發明可以通過調節量子點的尺寸和組分來控制其所記錄的信息，該信息不僅不易被仿製，而且信息容量大、穩定性好。
圖I四種不同粒徑的硒化鎘(CdSe)量子點波長-突光強度譜圖。圖2是量子點A的螢光光譜圖。圖3是量子點B的螢光光譜圖。
圖4是不同比例的A、B兩種量子點混合後的螢光光譜圖。圖5是量子點被吸附於有空腔膜材的示意圖。圖6是ニ維條形碼示意圖。圖7是含不同尺寸(CdSe)ZnS量子點的纖維素螢光膜製成LOGO防偽標識粘貼於目標廣品的不意圖。
具體實施例方式本發明的量子點防偽標識方法主要應用於產品的防偽標識，下面通過具體實施方式
對本發明作進ー步的說明，但以下實施方式不能理解為對本發明可實施範圍的限定。以硒化鎘量子點和(CdSe)ZnS核殼量子點為例，對本發明作進ー步的說明實施例I :硒化鎘(CdSe)量子點的製備步驟ー在三ロ燒瓶中加入O. Immol的氧化鎘(CdO)和O. 4mmoI硬脂酸(SA)，採用Schlenk技術，脫氣、充氣數次後加熱到150°C，保持25min，使CdO充分溶解至無色，隨後降溫至50°C。步驟ニ向三ロ燒瓶中加入I. 94g純度大於90%的三正辛基氧膦(TOPO)和L 94g純度大於90%的十六胺(HDA)。採用Schlenk技術，通過真空系統將水和氧氣排乾淨後，在氬氣環境下將其加熱至320°C。此時，使用注射器快速注入用Immol硒(Se)與2ml三正丁基膦(TBP)配置的儲備液，並快速降溫至260°C，保溫反應30min，最後撤出加熱裝置，使產物冷卻至室溫。步驟三向步驟ニ獲得的混合液中加入與該混合液等體積的化學純氯仿，再加入該混合液3倍體積的化學純丙酮後，將有固體析出，待固體析出沉澱完畢，以5000rpm離心10分鐘。步驟四離心完畢後將上層混合液倒掉，再加入體積比為I : 3的氯仿和丙酮混合液清洗固體，再次離心並倒掉上層混合液，殘餘的固體粉末即為硒化鎘(CdSe)量子點。本實施例中，硒化鎘(CdSe)量子點的粒徑大小可以通過步驟ニ中260°C時的保溫反應時間來控制，該反應時間優選l_30min。圖I是根據上述製備方法製得的四種不同粒徑的硒化鎘(CdSe)量子點波長-螢光強度譜圖，其中曲線e、f、g、h分別是步驟ニ中在260°C保溫反應2min、10min、18min、30min得到的硒化鎘(CdSe)量子點的突光光譜圖。實施例2將A、B兩種不同粒徑大小的CdSe量子點単獨激發，得到的螢光光譜圖如圖2和圖3所不，量子點A的中心波長為567nm,量子點B的中心波長為621nm。將A、B兩種CdSe量子點分別以摩爾百分比2 I和4 I混合，混合後的量子點混合液的螢光光譜圖如圖4所示。由圖4可知，量子點A和量子點B以不同比例混合後，兩者發射峰峰值的波長均不變，各量子點的螢光特徵峰能夠清晰地辨別，且量子點的發射峰強度比與其混合比例存在對應關係，並具有相對專ー性。這表明把不同發射波長的量子點材料混合在一起後，各個量子點在混合物中的發射波長與各量子點単獨存在時的發射波長相同，且能通過相應檢測儀器得出各量子點特有的光學信息。以此類推，當防偽標識的某ー組成部分含有η種發射波長的量子點時，便可得到η個中心波長及ー個發射峰強度比共η+1個獨特的信息，由此可見，隨著組成部分的數量的増加或者組成部分中量子點種類的増加，防偽標識的信息含量也會隨著増加。實施例3將不同尺寸的CdSe量子點溶於氯仿，量子點的粒 徑優選為2 8nm，製成質量濃度為10%的CdSe氯仿混合液，然後將膜材(膜材具有多個空腔)浸潰到上述混合液中，使上述不同尺寸的CdSe量子點吸附於膜材的空腔中，如圖5所示，然後利用此膜製成防偽標識，再通過粘貼、包裝等方式載入目標產品。通過光譜檢測儀器如光纖光譜儀讀取膜材空腔中各個量子點的中心波長，及各個量子點的發光強度等光學信息，並將所得到的各個量子點的發射波長、及各個發射波長的發光強度比通過編碼規則進行轉換。例如發射峰中心波長480nm對應於a,發射峰中心波長540nm對應於b,發射峰中心波長600nm對應於c,發射峰中心波長640nm對應於g，各個發射峰強度比I : I時對應於11,各個發射峰強度比2 I時對應於21，各個發射峰強度比3 2 I時對應於321，如防偽標識的某ー組成部分經檢測儀器檢測得到的中心波長為540nm和640nm，發射峰強度比為I : 1，則通過上述編碼規貝1J，可得到信息bgll，以上述方法可得到防偽標識其它組成部分的信息，然後將各部分的信息組合在ー塊，便得到了防偽標識的全部信息內容。實施例4將不同尺寸的(CdSe)ZnS核殼量子點溶於正己燒,量子點的粒徑優選為2 8nm,製成質量濃度為5%的(CdSe)ZnS正己烷混合液。將棉短絨漿投入到溫度為-12°C，含9wt%K0H和15wt%尿素的水混合液中，充分攪拌均勻，即可製得纖維素透明混合液。將纖維素混合液流延，經含有6wt%硫酸/硫酸鉀的凝固浴凝固成形得到纖維素溼膜，將所得的纖維素溼膜浸入上述(CdSe)ZnS正己烷混合液中，浸泡半小時，取出乾燥後即得到纖維素螢光膜。依據上述方法可製得各種包含ー種以上粒徑大小的(CdSe)ZnS量子點的纖維素螢光膜，將所得的纖維素螢光膜製成防偽標識，再通過粘貼等方法載入目標產品中。如圖6所示，可以將所得各種的含有不同尺寸(CdSe)ZnS量子點的纖維素螢光膜製成寬度不一的ニ維條碼，每個條碼可由含相同或不同的纖維素螢光膜組成，接著通過光譜檢測儀器如光纖光譜儀讀取防偽標識各個組成部分中各個量子點的中心波長，及各個量子點的發光強度等光學信息。並將所得到的各個量子點的發射波長、及各個發射波長的發光強度比通過編碼規則進行轉換。編碼規則與實施例3相同，得到一組特定的標識信息，並利用該信息來判斷標識。如圖7所示，也可以將所得各種的含有不同尺寸(CdSe)ZnS量子點的纖維素螢光膜製成LOGO或圖案，LOGO或圖案上的不同部分可以由含相同或不同的纖維素螢光膜組成。此實例中纖維素的溶解、與量子點材料的共混和再生都是物理過程，未發生化學反應，條件溫和，無汙染，易於エ業化。
實施例5往透明油墨中加入粒徑為2 8nm的CdSe量子點，經混合均勻製得質量百分比為
O.1%、含有ー種以上粒徑大小的CdSe量子點油墨。然後通過印刷、噴繪、塗布等方法將CdSe量子點油墨在目標產品上列印出防偽標識，如圖6所示的形如ニ維條形碼的防偽標識,接著通過光譜檢測儀器如光纖光譜儀讀取防偽標識各個組成部分中各個量子點的中心波長，及各個量子點的發光強度等光學信息。並將所得到的各個量子點的發射波長、及各個發射波長的發光強度比通過編碼規則進行轉換。編碼規則與實施例3相同。得到ー組特定的標識信息，並利用該信息來判斷標識。上述添加量子點的透明油墨列印出來的防偽標識是透明的，日常使用中肉眼無法分辨出防偽標識，但是通過光譜檢測儀器就能很清楚地得到標識信息 來驗證真偽，使得該防偽標識隱蔽性更好，不易被仿製。量子點還可被紫外光激發產生螢光，可初略鑑別產品的真偽。實施例6將不同尺寸的CdSe量子點溶於甲苯中，量子點粒徑優選為2 8nm，製成質量濃度為4%的CdSe甲苯混合液，然後把聚苯こ烯加入到上述甲苯混合液中，完全溶解後，聚苯こ烯的質量濃度為30%，經超聲分散均勻，得到聚苯こ烯紡絲液，接著通過紡絲エ藝將該紡絲液紡成纖維。依據上述方法可製得含有ー種以上量子點的各種纖維。將上述ー種或多種纖維編織或機織出設計好的防偽標識，如LOGO、圖案等。該防偽標識可以直接編織或機織在衣物、鞋帽等產品上，也可以先編織或機織成防偽標識，再通過吊墜、裝飾等方式載入目標產品中。接著通過光譜檢測儀器如光纖光譜儀讀取防偽標識各個組成部分中各個量子點的中心波長，及各個量子點的發光強度等光學信息。並將所得到的各個量子點的發射波長、及各個發射波長的發光強度比通過編碼規則進行轉換，編碼規則與實施例3相同，得到ー組特定的標識信息，並利用該信息來判斷標識。上述量子點溶液本身是無色透明的，因此添加量子點與不添加量子點聚苯こ烯紡絲液紡絲出來的纖維顏色是一致的。該纖維應用於衣物、鞋帽等的防偽時，日常使用中肉眼無法分辨出防偽標識，但是通過光譜檢測儀器就能很清楚地得到標識信息來驗證真偽，使得該防偽標識隱蔽性更好，不易被仿製。本發明並不局限於上述實施方式，如果對本發明的各種改動或變形不脫離本發明的精神和範圍，倘若這些改動和變形屬於本發明的權利要求和等同技術範圍之內，則本發明也意圖包含這些改動和變形。
權利要求
1.ー種量子點防偽標識方法，其包括以下步驟 量子點油墨的製備將不同結構和/或尺寸的量子點分散於有機溶劑中，加入透明油墨，混合均勻後製得能發射不同波長的量子點油墨； 防偽標識的載入將上述製得的量子點油墨載入到待標記目標產品上，形成防偽標識，使所述防偽標識的各組成部分中至少部分區域含有ー種以上的量子點； 防偽標識的檢測及轉換通過光譜檢測儀器讀取各個組成部分中各個量子點的中心波長及各個量子點的發光強度的比值；將各量子點的中心波長及各量子點的發光強度的比值通過編碼規則進行轉換，得到ー組特定的標識信息，並利用該信息來判斷標識。
2.根據權利要求I所述的量子點防偽標識方法，其特徵在於所述的量子點為元素周期表II-VI族、III-V族、IV-VI族、或IV族半導體化合物製得的量子點或其對應的核殼結構量子點；所述 II-VI 族半導體化合物為 CdSe，CdTe，ZnS，ZnSe，ZnTe，ZnO，HgS，HgSe，HgTe，CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe,HgSeS,HgSeTe,HgSTe,CdZnS,CdZnSe,CdZnTe,CdHgS，CdHgSe，CdHgTe，HgZnS，HgZnSe CdZnSeS，CdZnSeTe，CdZnSTe，CdHgSeS，CdHgSeTe，CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe 或 HgZnSTe ;所述 III-V 族半導體化合物為 GaN，GaP, GaAs,GaSb，AIN, AlP，AlAs，Al Sb，InN, InP，InAs, InSb，GaNP, GaNAs，GaNSb，GaPAs，GaPSb，AlNP，AlNAs，AlNSb，AlPAs，AlPSb，InNP，InNAs，InNSb，InPAs，InPSb，GaAlNP GaAlNAs，GaAlNSb，GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs,InAlNSb, InAlPAs 或 InAlPSb ;所述 IV-VI 族半導體化合物為 SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe,PbTe, SnSeS, SnSeTe, SnSTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe SnPbSSe,SnPbSeTe或SnPbSTe ;所述IV族半導體化合物為Si，Ge，SiC或SiGe ;所述核殼結構量子點為以所述的II-VI族、III-V族、IV-VI族、IV族半導體化合物為核，以CdSe，CdS, ZnSe,ZnS, CdO, ZnO, SiO2中的一種或多種為殼的核殼結構量子點。
3.根據權利要求I所述的量子點防偽標識方法，其特徵在於，所述的有機溶劑為甲苯、氯仿和正己烷。
4.根據權利要求I所述的量子點防偽標識方法，其特徵在於所述的透明油墨為未添加顔料的油墨產品，所述未添加顔料的油墨產品為環氧丙烯酸酯類油墨、聚氨酯丙烯酸酯類油墨、聚酯丙烯酸酯類油墨、聚醚丙烯酸酯類油墨、聚丙烯酸丙酯和不飽和聚酯類油墨中的ー種或多種。
5.根據權利要求1-4任一項所述的量子點防偽標識方法，其特徵在於所述量子點油墨通過印刷、噴繪、塗布浸潰或轉移的方式載入到所述目標產品。
6.ー種量子點防偽標識方法，其包括以下步驟 量子點防偽載體的製備將不同結構和/或尺寸的量子點與高分子化合物混合，製成能發射不同波長的量子點防偽載體；或將高分子樹脂製成載體後浸潰到含有不同結構和/或尺寸的量子點溶液中，乾燥後製得能發射不同波長的量子點防偽載體； 防偽標識的製作與載入以上述量子點防偽載體製作防偽標識，然後將防偽標識載入待標記防偽的目標產品上； 防偽標識的檢測及轉換通過光譜檢測儀器讀取各個組成部分中各個量子點的中心波長及各個量子點的發光強度的比值；將各量子點的中心波長及各量子點的發光強度的比值通過編碼規則進行轉換，得到ー組特定的標識信息，並利用該信息來判斷標識。
7.根據權利要求6所述的量子點防偽標識方法，其特徵在於所述的量子點為元素周期表II-VI族、III-V族、IV-VI族、或IV族半導體化合物製得的量子點或其對應的核殼結構量子點；所述 II-VI 族半導體化合物為 CdSe，CdTe，ZnS，ZnSe，ZnTe，ZnO，HgS，HgSe，HgTe，CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe,HgSeS,HgSeTe,HgSTe,CdZnS,CdZnSe,CdZnTe,CdHgS，CdHgSe，CdHgTe，HgZnS，HgZnSe CdZnSeS，CdZnSeTe，CdZnSTe，CdHgSeS，CdHgSeTe，CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe 或 HgZnSTe ;所述 III-V 族半導體化合物為 GaN，GaP, GaAs,GaSb，AIN, AlP，AlAs，Al Sb，InN, InP，InAs, InSb，GaNP, GaNAs，GaNSb，GaPAs，GaPSb，AlNP，AlNAs，AlNSb，AlPAs，AlPSb，InNP，InNAs，InNSb，InPAs，InPSb，GaAlNP GaAlNAs，GaAlNSb，GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs,InAlNSb, InAlPAs 或 InAlPSb ;所述 IV-VI 族半導體化合物為 SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe,PbTe, SnSeS, SnSeTe, SnSTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe SnPbSSe,SnPbSeTe或SnPbSTe ;所述IV族半導體化合物為Si，Ge，SiC或SiGe ;所述核殼結構量子點為以所述的II-VI族、III-V族、IV-VI族、IV族半導體化合物為核，以CdSe，CdS, ZnSe,ZnS, CdO, ZnO, SiO2中的一種或多種為殼的核殼結構量子點。
8.根據權利要求6所述的量子點防偽標識方法，其特徵在於，所述的高分子化合物為聚苯こ烯、聚こ烯、聚丙烯、聚氯こ烯、聚酯、醋酸纖維素或天然纖維。
9.根據權利要求6-8任一項所述的量子點防偽標識方法，其特徵在於，所述製得的防偽載體為薄膜或纖維；所述防偽標識通過粘貼或紡織的方法載入到目標產品中。
全文摘要
本發明涉及一種量子點防偽標識方法，其包括以下步驟量子點油墨的製備將不同結構和/或尺寸的量子點分散於有機溶劑中，加入透明油墨，混合均勻後製得能發射不同波長的量子點油墨；防偽標識的載入將上述製得的量子點油墨載入到待標記目標產品上，形成防偽標識，使所述防偽標識的各組成部分中至少部分區域含有一種以上的量子點；防偽標識的檢測及轉換通過光譜檢測儀器讀取各個組成部分中各個量子點的中心波長及各個量子點的發光強度的比值；將各量子點的中心波長及各量子點的發光強度的比值通過編碼規則進行轉換，得到一組特定的標識信息，並利用該信息來判斷標識。本發明的防偽標識方法不易被仿製、信息容量大、穩定性好。
文檔編號G06K7/10GK102693679SQ20121017563
公開日2012年9月26日 申請日期2012年5月30日 優先權日2012年5月30日
發明者劉江國, 廖傑進 申請人:廣東普加福光電科技有限公司