用於核酸擴增反應的微晶片及其製造方法
2023-09-21 09:50:15
專利名稱：用於核酸擴增反應的微晶片及其製造方法
技術領域：
本公開涉及一種用於核酸擴增反應的微晶片及其製造方法，更具體地說，涉及一種用於這樣的核酸擴增反應的微晶片等:其中包含用於核酸擴增反應的一種或多種成分的試劑以特定形狀固定在井中，該井被配置作為核酸擴增反應的反應場所。
背景技術：
近年來，通過應用半導體工業中的微細加工技術，已經開發出了在矽或玻璃製成的基板上形成的微晶片，具有井和流動通道，用來進行化學和生物分析。這些微晶片已開始被用於例如液相色譜法的電化學檢測器或在實際醫療現場的小型電化學傳感器。使用這種微晶片的分析系統被稱作μ-TAS (微型總體分析系統)、晶片實驗室(Lab-on-chip)、生物晶片等等,並作為一種可以加速化學和生物分析、提高其效率、整合化學和生物分析、或者減小分析裝置尺寸的技術而受到關注。由於μ-TAS可以分析少量樣品並且微晶片可以是一次性的(單次使用的)，期望將它應用到處理，具體來說，微量的珍貴樣品或許多測試體的生物分析。μ -TAS應用的一個例子是光學檢測器，它將物質引入到設置在微晶片上的多個區域，並用化學方法檢測該物質。光學檢測器的一個例子是反應裝置(例如實時PCR裝置)，該裝置引起多種物質的反應，例如在微晶片的井中進行的核酸擴增反應，並且用光學方法檢測所產生的物質。在相關技術中，微晶片型核酸擴增裝置採用以下方法執行反應:通過提前將用於核酸擴增反應的所有試劑與模板DNA混合，並將混合液引入到設置在微晶片中的多個井。然而，在該方法中，需要花費一定的時間將混合液體引入井。有一個問題就是，在該段時間反應在混合液中進行，促進了非特異性擴增，並定量性能降低。關於上述問題，日本未經審查專利申請公開第2007-43998號中公開，例如，將一部分用於核酸擴增反應的固態試劑保持在流動通道裡的微晶片。在日本未經審查專利申請公開第2007-43998號中所公開的微晶片內，沒有關於固態試劑形狀和詳細位置的描述。
發明內容
因此，希望提供一種簡單且精度高的用於核酸擴增反應的微晶片及製造方法。本發明人專注於和研究在微晶片內用於核酸擴增反應的試劑的固定形狀。結果就是，他們已經發現，通過對微晶片的井(well)的要固定試劑的內表面施加親水性處理、將包含用於核酸擴增反應的物質的溶液滴入井中並乾燥該溶液，試劑被固定為少數位於井的中心部分而多數位於井的邊 緣部分的離心形狀。固定在井內的試劑具有大的表面區域且具有特定的均勻形狀，一旦核酸擴增反應開始，該試劑容易溶解，並減少了各井之間的差異。根據本公開的實施方式，提供了一種用於核酸擴增反應的微晶片，包括被配置作為核酸擴增反應的反應場所的井，其中至少一部分用於核酸擴增反應的物質以少數位於井的中心部分而多數位於井的邊緣部分離心形狀固定。
期望用於核酸擴增反應的微晶片的井具有親水性表面。期望在用於核酸擴增反應的微晶片中，該物質具有從井的中心部分至邊緣部分高度降低的碗形形狀。更期望在用於核酸擴增反應的微晶片，該物質被環形地放置在除井的中心部分以外的區域。根據本公開的實施方式，提供了一種用於核酸擴增反應的微晶片的製造方法，包括對基板層的表面施加親水性處理，在基板層上形成有被配置作為核酸擴增反應的反應場所的井，將用於核酸擴增反應的至少一部分物質滴入井中，乾燥該物質並將其固定在井內。在用於核酸擴增反應的微晶片的製造方法中，對井在其上形成的表面的親水性處理，優選包括將表面暴露於等離子體。在用於核酸擴增反應的微晶片的製造方法中，將物質固定在井內優選包括冷凍乾燥滴入井中的物質。根據本公開的實施方式，提供了用於核酸擴增反應的簡單且具有高精度的微晶片。根據對如附圖所 示的具體實施方式
的以下詳細描述，本公開的上述和其他目標、特徵和優點將會變得更加明顯。
圖1是根據本公開實施方式的用於核酸擴增反應的微晶片的示意性頂視圖；圖2A和圖2B是分別示出了固定在井內的試劑的形狀的示意圖；圖3A和圖3B是根據本 公開實施方式中用於核酸擴增反應的微晶片的示意性局部截面圖(圖1:p-p』截面)；圖4是示出了根據本公開實施方式中用於核酸擴增反應的微晶片的製造方法的流程圖；圖5A至圖5C是代替附圖的照片，分別示出了實施例中固定在用於核酸擴增反應的微晶片的井內的試劑的形狀；還有圖6A至圖6C是代替附圖的照片，分別示出了實施例中固定在用於核酸擴增反應的微晶片的井內的溶解試劑的狀態。
具體實施例方式在下文中，將描述用於實現本公開的優選實施方式。應該指出的是，下面描述的實施方式僅示出了本公開的典型實施方式的例子，本公開的範圍並不是由這些實施方式狹義地解釋。將按照以下順序描述這些實施方式。1.根據本公開實施方式的用於核酸擴增反應的微晶片(1-1)用於核酸擴增反應的微晶片的配置( 1-2)用於核酸擴增反應的試劑( 1-3)分支流動通道和井的連通部分2.根據本公開實施方式的用於核酸擴增反應的微晶片的製造方法(2-1)基板層的形成
(2-2)井內的親水性處理(2-3)將試劑滴入井中( 2-4 )將試劑固定在井內(2-5)基板層的接合1.根據本公開實施方式的用於核酸擴增反應的微晶片將描述根據本公開實施方式的用於核酸擴增反應的微晶片(以下簡稱為「微晶片」)。使用根據本公開實施方式中微晶片的「核酸擴增反應」，包括涉及溫度循環的過去的PCR (聚合酶鏈式反應)方法和不涉及溫度循環的各種等溫擴增方法。等溫擴增方法的例子包括LAMP (環介導等溫擴增)法、SMAP (智能擴增過程)法、NASBA (基於核酸序列的擴增)法、ICAN (等溫的和嵌合引物引發的核酸擴增)法TM、TRC (轉錄反轉錄協同)法、SDA (鏈置換擴增)法、TMA (轉錄介導的擴增)法、RCA (滾環擴增)法等等。「核酸擴增方法」涉及用來擴增核酸的各種各樣的其他變溫或等溫核酸擴增反應。這些核酸擴增反應包含用來定量擴增的核酸的反應，如實時PCR法。(1-1)用於核酸擴增反應的微晶片的配置圖1是根據本公開實施方式的用於核酸擴增反應的微晶片的示意性頂視圖。微晶片A包括，進料口 I，樣本溶液從外部被供給到其中，井4，被配置作為核酸擴增反應的反應場所，主流動通道2，其在一端與進料口 I連通，而在另一端與出口 5連通，還有分支流動通道3，其從主流動通道2分出，並且與井4連通。這裡，樣品溶液是指含有核酸，如DNA、RNA等的溶液，該核酸是要在核酸擴增反應中被擴增的模板核酸。微晶片A包括多個基板層。基板層可以用玻璃和各種塑料(聚丙烯、聚碳酸酯、環烯烴聚合物、聚二甲基矽氧烷等)製成。理想的是，基板層的材料具有透光性、較少的自體螢光和小的波長色散，當以光學方法檢測或定量井4內擴增的核酸鏈時，這會導致較少的光學誤差。微晶片A包括多個基板層，並且它們的數量不受限制。此外，微晶片A可以通過粘接多種材料而製成，例如，通過粘接玻璃基板層和塑料基板層。不管使用何種材料作為基板層，設置在基板層上的井4的內表面最好是親水性的。在(2-2)中，將描述井4內表面的親水性處理。儘管圖1示出了設置在微晶片A上的九個井4，但是可以在一個微晶片上設置任何數量的井4，井4的形狀可以不僅限於圓柱形。此外，形成在微晶片上的主流動通道2和分支流動通道3不限於圖1中所示的實施方式。一個微晶片可以包括多個進料口 I和多個主流動通道2。也可以不設置將從進料口 I送入微晶片A的樣品溶液向外部排出的出口 5。樣品溶液可以不被排出到外部。(1-2)用於核酸擴增反應的試劑圖2A和圖2B是示意圖，分別示出了根據本公開實施方式的微晶片A的井4中，用於核酸擴增反應的試劑(下文中稱為「試劑」)的一種形狀。試劑R以少數位於井4的中心部分而多數位於井4的邊緣部分的離心形狀固定在井4的內表面上。例如，如圖2A所示，離心形狀是從井4的邊緣部分到中心部分的高度降低的碗形形狀。圖2B示出了根據本公開實施方式的另一實施方式。當碗形形狀的試劑R從井4的邊緣部分到中心部分的容積(bulk)減小，並且在到達井4的中心 部分前容積變為零(lose)，如圖2B所示，試劑R環形地放置在除井4中心部分以外的區域。
固定在井4內的試劑R包含在核酸擴增反應裡用來提供擴增的核酸鏈的至少一部分物質。具體的例子包括與待擴增的DNA和RNA等的至少一部分的鹼基序列互補的寡核苷酸引物(以下簡稱為「引物」)、核酸單體(dNTPs)、酶、反應緩衝溶液所含成分等等。作為用於檢測擴增的核酸鏈的物質，試劑R可以包含具有用於擴增核酸的檢測的螢光標記等標記的探針、以及用於嵌入雙鏈核酸的檢測試劑，儘管包含它們並不直接用於核酸擴增反應。固定在井4內的試劑中所含成分是用於核酸擴增反應和檢測的一種或多種物質。當多種成分被包含在試劑R中時，試劑R可以為包括均勻混合的多種成分的單層。或者，試劑R可以為多種成分在井4內按順序層疊的疊層結構。在井4內層疊的包含在試劑R的一層中的物質種類沒有特別的限制。一個井4內的試劑R的層數也沒有限制。物質在井4內層疊的順序可以是任意的。例如，可以為「引物、dNTPs、酶、反應緩衝液中所含成分」的四層結構、或「反應緩衝液中所含成分、酶、dNTPs和引物」的三層結構以及被提前混合在一層中的用於核酸擴增反應的多種物質。具體而言，當在井4內引物層被層疊作為底層，而包含其他試劑的層被層疊作為頂層時，在核酸擴增反應開始時就會有利地防止非特異性核酸擴增，因為僅當包含引物的底層溶解後，核酸擴增反應才開始。當一個微晶片A具有多個井4時，試劑R的層疊層的種類和數量在各井4之間可以不同。例如，在圖1所示微晶片A的九個井4中，可以固定具有包括不同物質的不同層疊層的試劑R:只包括一種用於核酸擴增反應的物質的試劑R、具有一層包括多種用於反應的物質的試劑R、具有包括用於反應的多種按順序層疊的物質的層疊層的試劑R等。試劑R具有層狀結構，包括多種用於核酸擴增反應的物質，以便用於各種反應的物質可以以獨立的狀態被保持在微晶片A內，不同於使用單一層的情況，並且當開始核酸擴增反應時，加入到包含待擴增核酸的樣本溶液中的物質種類可以減少。結果，根據本公開實施方式的微晶片A可以更方便地進行分析。此外，直到核酸擴增反應開始之前防止用於擴增反應的物質的混合，從而引物二聚體等的非特異性擴增可以被抑制，從而能夠使用微晶片A進行高精度的分析。( 1-3)分支流動通道和井的連通部分在微晶片A中，從進料口 I送入的樣品溶液流經主流動通道2，在分支流動通道3處被分支，併到達井4。分支流動通道3可以與井4在其任何側表面上連通，而與固定在井4內的試劑R的體積無關。在根據本公開實施方式的微晶片A中，分支流動通道3和井4的連通部分優選高於固定在井4內用於核酸擴增反應的物質最厚部分的位置。圖3A是對應圖1中P-P』截面的示意性局部截面圖，圖3B示出了另一實施方式。圖3A和3B示出了連通部分的形狀。在圖3A所示的局部P-P』截面中，微晶片A包括兩個基板層:基板層被連接到基板層a2上，分支流動通道3和井4在基板層上形成。分支流動通道3和井4的連通部分被設置在井4的側表面上，在高於固定在井4內的試劑R最厚高度h的位置處，以便試劑R不會充滿連通部分。因此，樣品溶液流經分支流動通道3，從連通部分被送入井4，並與固定的試劑R表面相接觸。試劑R以少數位於井4的中心部分而多數位於井4的邊緣部分地離心放置，是碗形形狀或環形的，與樣品溶液具有較大的接觸面積，一旦樣品溶液被送入，該試劑R就迅速溶解。在圖3中，試 劑R的形狀與圖2A中的類似，但也可以是圖2B所示的形狀，或任何形狀，只要是少數在井4內表面的中心部分而多數在井4內表面的邊緣部分的離心形狀。在圖3B所示的局部P-P』截面中，微晶片A包括三個基板層:具有用於井4的中空部分的基板層a2 ;基板層，分支流動通道3的底部形成在其上，並接合到基板層a2的一面上；以及基板層a3，與基板層a2另一面接合。分支流動通道3和井4的連通部分被設置在井4的側表面上，在固定在井4內的試劑R最厚高度h的下方位置，以便試劑R充滿連通部分。因此，樣品溶液流經分支流動通道3，並被送入井4同時溶解試劑R。樣本溶液到達連通部分，滲透試劑R，到達井4的中心部分，並類似於圖3A那樣與試劑R的表面相接觸。在圖3B中，優選在分支流動通道3和井4的連通部分設置一個單向閥，為了防止在樣品溶液被供給後，從井4到分支流動通道3的反應液逆流，因為連通部分被設置在試劑R最厚部分的高度h下方。在根據本公開實施方式的具有上述配置的微晶片A中，通過供給未固定在井4內的用於核酸擴增反應的剩餘物質和包含待擴增模板DNA或RNA的樣本溶液，核酸擴增反應可以開始。在根據本公開實施方式的微晶片中，因為固定在井4內的試劑R以少數位於井4的中心部分而多數位於井4的邊緣部分地離心放置，而且是碗形形狀或環形的，所以當反應開始時，能夠避免井4之間試劑R的混合差異等。此外，當試劑R在井4的中心部分是較薄時，或者當固定在井4內的試劑R在中心部分不存在時，試劑R具有大的表面面積，在與樣品溶液混合時容易溶解，並且這防止了試劑R不溶解而殘留在井4的中心部上。因此，例如，當用光學方法檢測核酸時，它能夠避免因為試劑R不溶解且殘留，而在井4的中心部分上檢測到非常高的信號強度。2根據本公開實施方式的用於核酸擴增反應的微晶片的製造方法根據本公開實施方式的用於核酸擴增反應的微晶片的製造方法(以下簡稱為「微晶片」)，將根據圖4所示的流程圖描述。(2-1)基板層的形成在圖4中，符號SI表示基板層的形成。在SI中，圖1示出的所有的進料口1、主流動通道2、分支流動通道3、井4和出口 5都形成在基板層上。在形成時，玻璃基板層可以被溼法蝕刻或幹法刻蝕，而塑料基板層可以被納米壓印、注塑成型或機器加工。如圖3所示，例如井4的各個組件可以只在基板層上形成，或者如圖3B所示，在多個基板層上形成，可以根據每個組件例如主流動通道2、分支流動通道3和井4在微晶片上的位置來進行選擇。(2-2)井內的親水性處理在圖4中，符號S2表示井4內表面的親水性處理。在S2中，將如上所述在形成過程SI中在基板層上形成的井4的內表面進行親水性處理。親水性處理包括應用親水性樹月旨、光催化劑的表面處理、鹼金屬矽酸鹽等的無機類塗覆處理、蝕刻處理、等離子體處理等。或者，當基板層形成時，作為親水性處理，可以通過壓模在井4的內表面上製造壓印(凹凸)形狀。在根據本公開實施方式的微晶片A中，優選親水性處理是將井4的內表面暴露於等離子體。(2-3)將試劑滴入井中在圖4中，符號S3表 示將包含用於核酸擴增反應的至少一部分物質的試劑R滴入微晶片A的井4中。在S3中，包含用於擴增反應的物質的液體或凝膠形式的試劑R被滴入如上所述在S2中經過親水性處理的井4中。通過井4表面的親水性處理，滴入井4中的試劑R液滴少數位於井4的中心部分而多數位於井4的邊緣部分的離心放置。離心地位於井4內的試劑R的形狀可以是，例如，如圖2A所示的碗形形狀，或如圖2B所示的環形，取決於井4內表面的親水性程度、試劑R的量和性質等。在試劑R被滴入井4中，試劑R所含成分在試劑R被滴入之前可根據需要進行任何預定處理。例如，當包含引物的試劑R被滴入時，試劑R要提前在約為95°C溫度下處理，將引物改性為單鏈引物，從而可以少產生引物二聚體，而且在核酸擴增反應時可以減少核酸的非特異性擴增。在圖4中，試劑R到井4中的滴入過程S3在基板層的形成SI和對井4內表面的親水性處理S2之後。在根據本公開實施方式的製造微晶片A的方法中，通過準備其上形成有井4等、經過了親水性處理的基板層，可以開始到井4的滴入過程S3。(2-4)將試劑固定在井內在圖4中，符號S4表不井4內試劑R的乾燥和將試劑R固定在井4的內表面上。在試劑R的滴入過程S3中滴入井4的試劑R通過井4的內表面的親水性處理保持這樣的形狀:試劑R少數位於井4的中心部分而多數位於井4的邊緣部分地離心放置。在S4中，在保持試劑R的形狀並將其固定在井4內情況下，乾燥試劑R。優選利用冷凍乾燥。在冷凍乾燥之前，為了充分冷凍，可提前冷 卻試劑R。滴入井4的試劑R具有上述形狀，因此具有增加的表面面積，並且在冷卻時被均勻冷卻。試劑R的均勻冷卻在固定時使試劑R的形狀穩定。冷卻和冷凍乾燥的組合防止冷凍乾燥時井4內試劑R的暴沸等，並且井4內試劑R的形狀在滴入時可以很容易地被保持，即使滴入後也是如此。可以是固定在微晶片A的井4內的試劑R的用於核酸擴增反應的一部分物質，可以通過重複井4內試劑R的滴入S3和固定S4而在井4內層疊。當試劑R是層疊在井4內時，經過第二輪的滴入S3和固定S4後，為了防止固定在井4內的試劑R溶解，優選在試劑R的滴入時微晶片A被保持在低溫下，並在滴入後立即冷凍。( 2-5 )基板層的接合在圖4中,符號S5表不基板層的接合。在S5中，在固定過程S4中保持井4內的試劑R的基板層被接合到其他基板層。可以通過包括粘接劑或具有粘性的薄板、熱熔融接合、陽極鍵合、超聲波接合等來執行接合。另外，在基板層的表面可以通過氧等離子體處理或真空紫外線處理的活化來接合。塑料如聚二甲基矽氧烷，與玻璃具有高的親和力。當包括塑料的基板層的表面通過處理被活化，並且與其接觸，自由鍵反應以形成強共價鍵，即，S1-O-Si矽烷醇鍵，從而提供具有足夠強度的粘合。根據基板層的材料來設定氧等離子處理或真空紫外光處理的適當條件。根據本公開實施方式的用於核酸擴增反應的微晶片的製造方法，在根據該方法製造的微晶片A中，通過井4內表面的親水性處理，固定在井4內的試劑R具有特定的均勻形狀。當試劑與送入微晶片A的樣品液體混合時，井4之間在固定的試劑R溶解性程度方面的差異可被減小。試劑R以試劑被離心放置的形狀被固定，並減少從井4邊緣部分到中心部分的容積，從而增加試劑R的表面積。因此，在與樣本溶液混合時，試劑R很容易溶解。因為固定的試劑R具有上述形狀，所以能夠防止試劑R不溶解而殘留在井4的中心部分，當用光學方法檢測核酸時，避免核酸擴增反應開始時，在井4的中心部分上檢測非常高的信號強度。因此，根據本公開實施方式的用於核酸擴增反應的微晶片的製造方法製造的微晶片可以被用來簡單地以高精度執行核酸擴增反應。應當注意的是，本公開也可以採取如下配置。(I) 一種用於核酸擴增反應的微晶片，包括:井，被配置作為核酸擴增反應的反應場所，並且具有中心部分和邊緣部分，以及物質，以少數位於井的中心部分而多數位於井的邊緣部分的離心形狀固定，其中該物質是用於核酸擴增反應的至少一部分物質。 ( 2 )根據上述(I)的用於核酸擴增反應的微晶片，其中，井具有親水性表面。( 3 )根據上述(I)或(2 )的用於核酸擴增反應的微晶片，其中，物質具有高度從井的邊緣部分到中心部分降低的碗形形狀。(4)根據上述(I)到(3)中任何一項的用於核酸擴增反應的微晶片，其中，物質以環形被放置在除井的中心部分以外的區域。(5) 一種用於核酸擴增反應的微晶片的製造方法，包括:對基板層的表面施加親水性處理，在所述基板層上形成有被配置作為核酸擴增反應的反應場所；
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將用於核酸擴增反應的至少一部分物質滴入井中；並且乾燥該物質並將其固定在井內。(6)根據上述(5)的用於核酸擴增反應的微晶片的製造方法，其中，親水性處理包括將表面暴露於等離子體。(7)根據上述(5)或(6)的用於核酸擴增反應的微晶片的製造方法，其中，所述固定包括冷凍乾燥滴入井的物質。基於根據本公開實施方式的微晶片的製造方法，製造了微晶片。觀察了固定在井內的試劑的形狀和試劑溶解時的狀態。在作為微晶片材料的聚二甲基矽氧烷(PDMS)基板層上，形成了主流動通道、分支流動通道和井。只有PDMS基板層的沒有流動通道並且沒有井的表面被活化，並被粘合到玻璃板上。然後，流動通道等通過金屬掩膜保護。只有井的內表面通過反應性離子蝕刻(IOcc，50W，15秒)進行親水性處理。這樣得到的微晶片如上所述被用作實施例。作為比較例，像實施例中那樣製造微晶片，除了井的內表面沒有經過親水性處理。在實施例和比較例中，包含引物的試劑液體被滴入微晶片的每個井中。實施例中的微晶片被放置在-28°C下以冷凍試劑。比較例中的微晶片被分成兩組。一組被放置在-28°C下像實施例那樣以冷凍試齊U。另一組在減壓(1000帕)下，在室溫中乾燥，以將試劑固定在井內。在-28°C下冷凍的一組是比較例I。在減壓下乾燥的另一組是比較例2。在實施例和比較例I中，試劑被冷凍後，試劑在冷凍乾燥機(25帕)中被固定在井內。然後，將含有酶的試劑液體滴入實施例、t匕較例I或2的微晶片的、固定有包含引物的試劑液體的各個井中、並固定。在滴入後的固定中，與含有引物的試劑液的情況一樣，在實施例和比較例I中，被冷凍後，冷凍乾燥該試劑，在比較例2中，在減壓下乾燥該試劑。圖5示出了在實施例和比較例I和2中，從每個微晶片的頂表面對固定在井內的試劑的形狀進行觀察的結果。如圖5A所示，在實施例中，試劑被環形地固定在除各井的中心部分以外。在井之間，固定的試劑的形狀是均勻的。如圖5B所示，在比較例I中，固定在各井的試劑在各井的內表面的一側集中，是不均勻的。如圖5C所示，在比較例2中，與比較實施方式I 一樣，試劑被離心固定在各個井的內表面一側上，但在某些井中試劑在其中心部分集中(在圖5C中的箭頭所示)。用於核酸擴增反應的緩衝溶液被加入到實施例、比較例I和2中的各井中，並在30秒後，觀察各井中的試劑的狀態。圖6示出了從每個微晶片的頂表面觀察到的井。圖6A示出了實施例中的井。圖6B和6C分別示出了比較例I和2中的井。儘管在實施例和比較例I和2的任何一個中，觀察到固定的試劑沒有溶解並殘留，但是在比較例2中，觀察到大量的試劑沒有溶解並且殘留在井的中心部分(如圖6C中的箭頭所示)。實施例的結果表明，井內表面的親水性處理和在乾燥前試劑的充分冷凍會影響固定在微晶片的井內試劑的形狀。此外，還表明試劑根據固定的試劑的形狀而被不同地溶解、殘留。通過根據本公開實施方式的用於核酸擴增反應的微晶片，可以簡單地以高精度進行分析。因此，根據本公開實施方式的用於核酸擴增反應的微晶片可以被用作核酸擴增裝置，用於臨床基因分型、接觸傳染物判定等。
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本公開包含的主題涉及於2011年10月25日提交至日本專利局的日本在先專利申請JP 2011-233681中所公開的主題，其全部內容通過引用結合於此。本領域技術人員應當理解，根據設計需求和其他因素，在所附權利要求或其等價方案範圍內，可以進行各種修改、組合、子組合以及更改。
權利要求
1.一種用於核酸擴增反應的微晶片，包括: 井，被配置作為核酸擴增反應的反應場所，並且具有中心部分和邊緣部分，以及 以少數位於井的中心部分而多數位於井的邊緣部分的離心形狀固定的物質，其中該物質是用於核酸擴增反應的至少一部分物質。
2.根據權利要求1所述的用於核酸擴增反應的微晶片，其中，所述井具有親水性表面。
3.根據權利要求2所述的用於核酸擴增反應的微晶片，其中，所述物質具有高度從井的邊緣部分到中心部分降低的碗形形狀。
4.根據權利要求3所述的用於核酸擴增反應的微晶片，其中，所述物質被環狀地放置在除井的中心部分以外的區域。
5.根據權利要求1所述的用於核酸擴增反應的微晶片，其中，所述物質為多種成分在所述井按順序層疊的層疊結構。
6.一種用於核酸擴增反應的微晶片的製造方法，包括: 對基板層的表面施加親水性處理，在所述基板層上形成有被配置作為核酸擴增反應的反應場所的井； 將用於核酸擴增反應的至少一部分物質滴入所述井中；並且乾燥所述物質並將其固定在所述井內。
7.根據權利要求6所述的用於核酸擴增反應的微晶片的製造方法，其中， 所述親水性處理包括將所 述表面暴露於等離子體。
8.根據權利要求7所述的用於核酸擴增反應的微晶片的製造方法，其中， 所述固定包括冷凍乾燥滴入所述井中的所述物質。
全文摘要
本發明提供了用於核酸擴增反應的微晶片及其製造方法，該微晶片包括井，被配置作為核酸擴增反應的反應場所，並且具有中心部分和邊緣部分；物質，以少數位於井的中心部分而多數位於井的邊緣部分離心形狀固定，其中該物質是用於核酸擴增反應的至少一部分物質。
文檔編號C12M1/00GK103074203SQ201210397930
公開日2013年5月1日 申請日期2012年10月18日 優先權日2011年10月25日
發明者小島健介, 佐藤正樹, 松本真寬 申請人:索尼公司