薄膜形成裝置的製作方法

2023-09-19 02:35:00 1

專利名稱：薄膜形成裝置的製作方法
技術領域：
本實用新型涉及薄膜形成裝置，特別涉及能夠對形成於基板的薄膜的膜厚進行調整的薄膜形成裝置。
背景技術：
在通過真空蒸鍍等在基板形成薄膜的薄膜形成裝置中，存在著使薄膜的膜厚在基板之間達到均勻、或者以形成預定的膜厚分布的方式調整膜厚的裝置。作為所述裝置的一例，已知這樣的裝置:在蒸鍍源與基板之間配設修正板，對從蒸鍍源向基板擴散的蒸鍍材料的量進行控制(例如，參照專利文獻I)。專利文獻I記載的蒸鍍裝置是能夠通過基板直線移動來進行蒸鍍的連續蒸鍍裝置，在該裝置中，為了得到預定的膜厚分布而配置在蒸鍍源與基板之間的修正板是以基板最靠近蒸鍍源的位置為中心設置的。具體地說明的話，在專利文獻I記載的蒸鍍裝置中，將修正板設置在蒸鍍源正上方並進行調整以使膜厚達到均勻。通過如上所述地在蒸鍍源與基板之間設置修正板，能夠對形成於基板的薄膜的膜厚進行修正。而且，通過調整修正板的尺寸和形狀，能夠更為主動地控制膜厚。專利文獻1:日本特許公開昭62-89866號公報然而，在通過在蒸鍍源與基板之間配設修正板來調整薄膜的膜厚的情況下，對於為了控制蒸鍍材料的擴散量而附著於修正板的蒸鍍材料，並未作為對基板的成膜材料而有效地利用。即，在利用修正板的薄膜形成裝置中，存在著蒸鍍材料的利用效率低的趨勢。其結果是，對於利用修正板的薄膜形成裝置，運轉成本、即成膜成本隨著附著於修正板的蒸鍍材料的量增多而增加。

實用新型內容因此，本實用新型正是鑑於上述問題而完成的，其目的在於提供一種薄膜形成裝置，能夠在對形成於基板的薄膜的膜厚進行調整的同時提高蒸鍍材料的利用效率。根據本實用新型的薄膜形成裝置，通過下述方式解決所述課題，S卩，薄膜形成裝置具備:真空槽；基板保持部件，所述基板保持部件收納於所述真空槽內；以及蒸鍍源，所述蒸鍍源在所述真空槽中配置於所述基板保持部件的下方位置，其中，作為所述蒸鍍源，所述薄膜形成裝置具備蒸鍍彼此相同的蒸鍍材料的第一蒸鍍源和第二蒸鍍源，所述第一蒸鍍源和所述第二蒸鍍源各自的配置位置是在豎直方向和水平方向上相互不同的位置。在上述薄膜形成裝置、即技術方案I記載的薄膜形成裝置中，著眼於在基板形成的薄膜的膜厚根據蒸鍍源的配置位置而變化的情況，來設置第一蒸鍍源和第二蒸鍍源，並使所述第一蒸鍍源和所述第二蒸鍍源各自的配置位置在豎直方向和水平方向上不同。由此，第一蒸鍍源和第二蒸鍍源分別對基板相輔地成膜。即，第一蒸鍍源和第二蒸鍍源中的一個蒸鍍源以對另一個蒸鍍源所形成的薄膜的膜厚進行修正的方式成膜。因此，在技術方案I記載的薄膜形成裝置中，在調整薄膜的膜厚時，無需在現有的裝置中使用的修正板，或者能夠減小修正板，相應地提高了蒸鍍材料的利用效率。並且，通過蒸鍍材料的利用效率的提高，能夠削減運轉成本。另外，對於第一蒸鍍源和第二蒸鍍源各自的配置位置，通過實驗等掌握蒸鍍源的配置位置與僅利用位於該配置位置的蒸鍍源成膜的薄膜的膜厚的對應關係，然後，基於該對應關係推導出能夠得到具有預期的膜厚的薄膜的位置，並將推導出的該位置設定為配置位置。而且，也可以是，在技術方案I記載的薄膜形成裝置中，所述基板保持部件是能夠繞沿著豎直方向的旋轉中心旋轉的旋轉體，所述第一蒸鍍源配置成，在所述旋轉體的徑向上比所述第二蒸鍍源靠近所述旋轉中心、且在豎直方向上比所述第二蒸鍍源靠下方。根據上述結構，第一蒸鍍源對由基板保持部件保持的基板中靠近旋轉中心的基板集中地成膜。另一方面，第二蒸鍍源對靠基板保持部件的外緣的基板集中地成膜。其結果是，通過技術方案2記載的結構，對於在由基板保持部件保持的各基板形成的薄膜，能夠調整膜厚以在基板間形成預期的膜厚分布。而且，也可以是，在技術方案I記載的薄膜形成裝置中，所述基板保持部件是能夠水平移動的移動體，在所述移動體的移動方向上比所述第一蒸鍍源靠下遊側、且在水平方向中與所述移動方向交叉的交叉方向上夾著所述第一蒸鍍源的位置處配置有多個所述第二蒸鍍源，所述第一蒸鍍源配置成在豎直方向上比所述第二蒸鍍源靠下方。根據上述結構，在基板保持部件通過第一蒸鍍源的上方期間，第一蒸鍍源對基板成膜，然後在基板保持部件移動並通過第二蒸鍍源的上方期間，第二蒸鍍源以與已形成的薄膜重疊的方式對基板成膜。並且，在與基板保持部件的移動方向交叉的交叉方向上，在夾著第一蒸鍍源的位置配置有多個第二蒸鍍源。因此，第二蒸鍍源對由基板保持部件保持的基板中的、在上述交叉方向上遠離第一蒸鍍源的配置位置的基板進行成膜。以上的結果是，通過技術方案3記載的結構，對於在由基板保持部件保持的各基板形成的薄膜，能夠調整膜厚以在基板間形成預期的膜厚分布。根據本實用新型的技術方案I記載的薄膜形成裝置，在調整薄膜的膜厚時，無需在現有的裝置中使用的修正板，或者能夠減小修正板，相應地提高了蒸鍍材料的利用效率。根據本實用新型的技術方案2或3記載的薄膜形成裝置，對於在由基板保持部件保持的各基板形成的薄膜，能夠調整膜厚以在基板間形成預期的膜厚分布。

圖1為示出本實用新型的第一實施方式涉及的薄膜形成裝置的設備結構的示意圖。圖2為關於本實用新型的第一實施方式中的第一蒸鍍源和第二蒸鍍源的位置關係的說明圖。圖3圖4圖。圖5
系的說明圖。
是示出本實用新型的第一實施方式中形成於基板的薄膜的膜厚分布的圖。為示出本實用新型的第二實施方式涉及的薄膜形成裝置的設備結構的示意
為關於本實用新型的第二實施方式中的第一蒸鍍源和第二蒸鍍源的位置關[0022]圖6是示出本實用新型的第二實施方式中形成於基板的薄膜的膜厚分布的圖。標號說明1、11:真空槽;2、12:基板保持器；3、13:基板保持器保持部件；3a:旋轉軸部；3b:保持部件主體；4、14:第一蒸鍍源；5、15:第二蒸鍍源；16:保持部件驅動機構；16a:導軌；STl:第一工位；ST2:第二工位；100,200:真空蒸鍍裝置。
具體實施方式
本實用新型中的特徵性的結構為，薄膜形成裝置具備:真空槽；基板保持部件，所述基板保持部件收納於所述真空槽內；以及蒸鍍源，所述蒸鍍源在所述真空槽中配置於所述基板保持部件的下方位置，其中，所述薄膜形成裝置具備作為所述蒸鍍源的第一蒸鍍源和第二蒸鍍源，所述第一蒸鍍源和所述第二蒸鍍源各自的配置位置是在豎直方向和水平方向上相互不同的位置。下面，為了具體地說明上述結構，參照圖1至圖6對本實用新型的實施方式涉及的兩個例子進行說明。圖1至圖3是用於說明本實施方式的第一實施方式的圖。圖1為示出本實用新型的第一實施方式涉及的薄膜形成裝置的設備結構的示意圖。圖2為關於本實用新型的第一實施方式中的第一蒸鍍源和第二蒸鍍源的位置關係的說明圖。另外，在該圖中，標有符號R的值表示與基板保持器保持部件3的旋轉中心相距的距離，標有符號H的值表示與基板保持器2相距的豎直距離。圖3是示出本實用新型的第一實施方式中形成於基板的薄膜的膜厚分布的圖。另外，在該圖中，橫軸表示相對於基板保持器保持部件3的旋轉中心的位置，縱軸表示在各位置的基板形成的薄膜的膜厚相對於基準膜厚的相對膜厚。圖4至圖6是用於說明本實施方式的第二實施方式的圖。圖4為示出本實用新型的第二實施方式涉及的薄膜形成裝置的設備結構的示意圖。圖5為關於本實用新型的第二實施方式中的第一蒸鍍源和第二蒸鍍源的位置關係的說明圖。另外，在該圖中，標有符號W的值表示與基板保持器12的中央線相距的距離，標有符號H的值表示與基板保持器12相距的豎直距離。圖6是示出本實用新型的第二實施方式中形成於基板的薄膜的膜厚分布的圖。另外，在該圖中，橫軸表示相對於基板保持器12的中央線的位置，縱軸表示在各位置的基板形成的薄膜的膜厚相對於基準膜厚的相對膜厚。首先，對本實用新型的第一實施方式進行說明。第一實施方式的薄膜形成裝置是通過真空蒸鍍法在基板形成膜的真空蒸鍍裝置100，如圖1所示，其具備真空槽1、基板保持器2、基板保持器保持部件3、第一蒸鍍源4和第二蒸鍍源5。真空槽I是大致長方體狀的容器，在槽內收納有基板保持器2、基板保持器保持部件3、第一蒸鍍源4和第二蒸鍍源5。在第一實施方式中，真空槽I以其長度方向沿著豎直方向的方式進行配置。另外，真空槽I內的空氣通過真空泵等排氣裝置(未圖示)排出到槽外。基板保持器2及基板保持器保持部件3協作構成基板保持部件，它們被收納在真空槽I內的上方位置。更為詳細地說明的話，基板保持器2是圓狀平板型的託盤。並且，在基板保持器2的下表面，以呈同心圓狀地排列的方式安裝有多個基板。另外，基板相對於基板保持器2的安裝方法可以利用在現有的真空蒸鍍裝置中採用的公知的安裝方法。基板保持器保持部件3是保持基板保持器2的部件，該基板保持器保持部件3由旋轉軸部3a和與旋轉軸部3a的下端部相鄰的保持部件主體3b構成。保持部件主體3b形成為下端為開口端的大致拱頂形狀，如圖1所示，是用於保持基板保持器2的部分。另外，基板保持器2相對於保持部件主體3b的緊固方法可以利用在現有的真空蒸鍍裝置中採用的公知的緊固方法。旋轉軸部3a是基板保持器保持部件3中設在最上方的大致圓筒狀的部分，該旋轉軸部3a的一部分處於貫通真空槽I的上壁並突出到槽外的狀態。並且，旋轉軸部3a利用突出到槽外的部分承受來自由馬達等構成的未圖示的驅動機構的驅動力，由該驅動力進行旋轉驅動。其結果是，基板保持器保持部件3繞沿著豎直方向的旋轉中心與基板保持器2和基板一體地旋轉。即，作為基板保持部件的基板保持器2和基板保持器保持部件3相當於能夠繞沿著豎直方向的旋轉中心旋轉的旋轉體。另外，如圖2所示，在第一實施方式的真空蒸鍍裝置100中，旋轉中心在俯視觀察時與真空槽I的中央位置大致一致。第一蒸鍍源4和第二蒸鍍源5均是為了在基板形成薄膜而將蒸鍍材料蒸鍍到基板上的部件，所述第一蒸鍍源4和第二蒸鍍源5在真空槽I內配置在基板保持器2的下方位置。在此，蒸鍍源是與在真空蒸鍍裝置中通常使用的蒸鍍源同類的裝置，例如，可以列舉出利用電子束對由未圖示的坩堝保持的蒸鍍材料進行加熱而使其蒸發的電子束蒸鍍裝置等。另外，在第一實施方式中，第一蒸鍍源4和第二蒸鍍源5在基板蒸鍍彼此相同的蒸鍍材料。並且，在第一實施方式的真空蒸鍍裝置100中，如圖2所示，第一蒸鍍源4配置成，在基板保持器2的徑向上比第二蒸鍍源5靠近基板保持器保持部件3的旋轉中心且在豎直方向上比第二蒸鍍源5靠下方。更為具體地說明的話，第一蒸鍍源4的配置位置在上述徑向上與旋轉中心相距大約400mm，且在豎直方向上與基板保持器2的下表面向下方相距大約600mm。另一方面，第二蒸鍍源5的配置位置在上述徑向上與旋轉中心相距大約800mm，且在豎直方向上位於基板保持器2的下表面的下方大約350mm的位置。另外，一般來說，當蒸鍍源的配置位置改變時，由從同一蒸鍍源放出的蒸鍍材料形成的薄膜的膜厚變動。在第一實施方式中，利用這樣的性質，將第一蒸鍍源4和第二蒸鍍源5各自的配置位置設定為上述的位置。具體地進行說明的話，僅由第一蒸鍍源4形成的薄膜的膜厚根據基板在基板保持器2上的位置而變化，在將第一蒸鍍源4配置在上述的位置的情況下，在圖3中，呈現出由黑色菱形塊表示的分布。參照圖3對該分布進行說明的話，僅由第一蒸鍍源4形成的薄膜的膜厚相對於基準膜厚的相對膜厚在與旋轉中心相距的距離為O 400mm的範圍配置的基板中為0.7以上。在此，相對膜厚是表示膜厚相對於基準膜厚的比例的值。另外，基準膜厚是由第一蒸鍍源4和第二蒸鍍源5雙方在基板形成的薄膜的膜厚的最大值，換言之，是將第一蒸鍍源4和第二蒸鍍源5各自單獨形成的薄膜的膜厚合計得到的值的最大值。而且，在與旋轉中心相距的距離超過400mm的位置配置的基板中，上述相對膜厚與距旋轉中心的距離成比例地減小。並且，在該距離為900mm的位置配置的基板中，上述相對膜厚大約為0.2。另一方面，僅由第二蒸鍍源5形成的薄膜的膜厚也根據基板在基板保持器2上的位置而變化，在將第二蒸鍍源5配置在上述的位置的情況下，在圖3中，呈現出由黑色正方形的塊表示的分布。參照圖3對該分布進行說明的話，僅由第二蒸鍍源5形成的薄膜的膜厚相對於基準膜厚的相對膜厚在與旋轉中心相距的距離為O 300mm的範圍配置的基板中為0.1以下。而且，在與旋轉中心相距的距離超過300mm的位置配置的基板中，上述相對膜厚與距旋轉中心的距離成比例地增大。並且，在該距離為800mm的位置配置的基板中，上述相對膜厚大約為0.7。另外，當與旋轉中心相距的距離超過800mm時，相對膜厚又減小，在該距離為900mm的位置配置的基板中，上述相對膜厚大約為0.6。如上所述，第一蒸鍍源4和第二蒸鍍源5各自單獨成膜的薄膜的膜厚根據基板在基板保持器2上的位置而變化。而且，膜厚與基板位置的關係、即基板之間的膜厚分布與蒸鍍源的配置位置對應地變動。這是因為，當蒸鍍源的配置位置變化時，從蒸鍍源到各基板的距離的分布變化。並且，在第一實施方式中，由於第一蒸鍍源4和第二蒸鍍源5各自的配置位置不同，因此第一蒸鍍源4和第二蒸鍍源5彼此相輔地成膜。即，第一蒸鍍源4和第二蒸鍍源5中的一個蒸鍍源以對另一個蒸鍍源所形成的薄膜的膜厚進行修正的方式成膜。特別是在第一實施方式的真空蒸鍍裝置100中，如上所述，第一蒸鍍源4配置成，在基板保持器2的徑向上比第二蒸鍍源5靠近基板保持器保持部件3的旋轉中心且在豎直方向上比第二蒸鍍源5靠下方。在這樣的位置關係中，第一蒸鍍源4相對於靠近旋轉中心的基板集中地成膜，另一方面，第二蒸鍍源5相對於靠近基板保持器2的外緣的基板集中地成膜。其結果是，對於在由基板保持器2保持的各基板形成的薄膜，能夠調整膜厚以在基板間形成預期的膜厚分布。以更容易理解的方式說明的話，在通過位於上述配置位置的第一蒸鍍源4和第二蒸鍍源5雙方形成薄膜的情況下，基板間的膜厚分布是將第一蒸鍍源4和第二蒸鍍源5單獨成膜的情況下的膜厚分布相互合成而得到的，在圖3中，呈現出由黑色三角形的塊表示的分布。觀察所述分布可知，在基板保持器2中無論是配置在哪個位置的基板，均形成了相對膜厚在0.8以上的薄膜。這是因為，對於第一蒸鍍源4的成膜量比較小的範圍(具體來說，與旋轉中心相距的距離超過400mm的範圍)，通過第二蒸鍍源5的成膜填補膜厚，對於第二蒸鍍源5的成膜量比較小的範圍(具體來說，與旋轉中心相距的距離為O 400mm的範圍)，通過第一蒸鍍源4的成膜填補膜厚。並且，如圖3所示，在第一實施方式中，相對於基板保持器2上的基板位置，相對膜厚在0.8 1.0的範圍變動。這樣的膜厚分布根據第一蒸鍍源4和第二蒸鍍源5各自的配置位置確定，換言之，能夠通過調整各蒸鍍源的配置位置來進行修正。[0057]如以上所說明了的，在第一實施方式的真空蒸鍍裝置100中，通過將第一蒸鍍源4和第二蒸鍍源5各自的配置位置設定在上述的位置，能夠進行調整以使基板間的膜厚分布成為預期的分布。另外，在以使基板間的膜厚分布成為預期的分布的方式確定第一蒸鍍源4和第二蒸鍍源5的配置位置時，首先，通過實驗等掌握蒸鍍源的配置位置與由位於該配置位置的蒸鍍源單獨成膜時的膜厚分布的對應關係。然後，基於該對應關係，推導出能夠得到預期的膜厚分布的位置，並將推導出的位置設定為配置位置即可。如上所述，在第一實施方式的真空蒸鍍裝置100中，其特徵在於，構成基板保持部件的基板保持器2和基板保持器保持部件3是能夠繞沿著豎直方向的旋轉中心旋轉的旋轉體，第一蒸鍍源4配置成，在基板保持器2的徑向上比第二蒸鍍源5靠近旋轉中心，且在豎直方向上比第二蒸鍍源5靠下方。接著，對本實用新型的第二實施方式進行說明。第二實施方式的薄膜形成裝置與第一實施方式同樣，是通過真空蒸鍍法在基板形成膜的真空蒸鍍裝置200，特別地，該薄膜形成裝置是在真空槽11內一邊使基板直線地移動一邊進行蒸鍍的串排(inline)方式的蒸鍍裝置。另外，基板的移動方向是圖5中由箭頭示出的方向。如圖4所示，第二實施方式的真空蒸鍍裝置200具備真空槽11、基板保持器12、基板保持器保持部件13、第一蒸鍍源14、第二蒸鍍源15和保持部件驅動機構16。真空槽11是大致長方體狀的容器，在槽內收納有基板保持器12、基板保持器保持部件13、第一蒸鍍源14、第二蒸鍍源15和保持部件驅動機構16。在第二實施方式中，真空槽11以其長度方向沿著水平方向的方式配置，基板在真空槽11內沿著上述長度方向直線行進。而且，在第二實施方式中，真空槽11的內部空間以上述長度方向的中央位置為界劃分為兩個空間。下面，將真空槽11的內部空間中從基板的移動方向觀察位於比中央位置靠上遊側的空間稱作第一工位ST1，將位於下遊側的空間稱作第二工位ST2。另外，除了上述以外的點之外，第二實施方式的真空槽11與第一實施方式的真空槽I是相同的結構。基板保持器12及基板保持器保持部件13與第一實施方式的情況同樣，協作構成基板保持部件，它們被收納在真空槽11內的上方位置。第二實施方式的基板保持器12是在俯視觀察呈大致矩形形狀的託盤，在基板保持器12的下表面，以沿著基板保持器12的長邊和短邊排列的狀態安裝有多個基板。基板保持器保持部件13是用於保持基板保持器12的部件，在第二實施方式中，基板保持器保持部件13形成為下端為開口端的大致箱形狀。並且，基板保持器12安裝在開口側的基板保持器保持部件13的下部，由此被保持在基板保持器保持部件13。並且，第二實施方式的基板保持器保持部件13通過保持部件驅動機構16而在真空槽11內沿真空槽11的長度方向水平移動。更為具體地說明的話，保持部件驅動機構16具備沿真空槽11的長度方向延伸的導軌16a，用於將來自未圖示的驅動源的驅動力通過傳送帶或齒輪等公知的傳動構件傳遞至基板保持器保持部件13。另一方面，基板保持器保持部件13由上述導軌16a支承，當從保持部件驅動機構16側傳遞來驅動力時，未圖示的滾動部件在導軌16a上滾動。其結果是，基板保持器保持部件13與基板保持器12和基板一起沿導軌16a水平移動。S卩，在第二實施方式中，作為基板保持部件的基板保持器12和基板保持器保持部件13相當於能夠水平移動的移動體，各自的移動方向與基板的移動方向一致。另外，在第二實施方式的真空蒸鍍裝置200中，水平方向中的與上述的移動方向交叉的交叉方向上的基板保持器12的中央線(下面稱為保持器中央線)與該交叉方向上的真空槽11的中央線大致一致。第一蒸鍍源14和第二蒸鍍源15為與第一實施方式的第一蒸鍍源4和第二蒸鍍源5相同的結構，它們在真空槽11內配置在比基板保持器12的移動路徑靠下方的位置。另外，第二實施方式的第一蒸鍍源14和第二蒸鍍源15與第一實施方式的第一蒸鍍源4和第二蒸鍍源5同樣用於在基板蒸鍍彼此相同的蒸鍍材料。並且，在第二實施方式的真空蒸鍍裝置200中，第一蒸鍍源14配置在第一工位STl，第二蒸鍍源15配置在第二工位ST2。更為具體地說明的話，如圖5所示，在第一工位ST1，在上述交叉方向上與保持器中央線相距大約400mm的位置分別配置第一蒸鍍源14。S卩，在第一工位ST1，在以保持器中央線為中心對稱的位置配置有兩個第一蒸鍍源14。而且，各第一蒸鍍源14在豎直方向上位於基板保持器12的下表面的下方大約850_的位置。另一方面，在第二工位ST2，在上述交叉方向上與保持器中央線相同的位置和與保持器中央線相距大約500mm的位置分別配置第二蒸鍍源15。S卩，在第二工位ST2，沿交叉方向隔開預定間隔地配置有三個第二蒸鍍源15，所述三個第二蒸鍍源15的配置位置以保持器中央線為中心對稱。而且，配置在與保持器中央線相同的位置的第二蒸鍍源15在豎直方向上位於基板保持器12的下表面的下方大約550mm的位置，配置在與保持器中央線相距大約500mm的位置的第二蒸鍍源15位於基板保持器12的下表面的下方大約500mm的位置。在此，對於第一蒸鍍源14和第二蒸鍍源15之間的位置關係再次說明的話，第二蒸鍍源15在基板保持器12和基板保持器保持部件13的移動方向上位於比第一蒸鍍源靠下遊側的位置。而且，在水平方向中的與上述移動方向交叉的交叉方向上，在夾著第一蒸鍍源14的位置配置有多個第二蒸鍍源15。另一方面，第一蒸鍍源14在豎直方向上配置在比第二蒸鍍源15靠下方的位置。上述位置關係反映了該蒸鍍源所成的薄膜的膜厚根據蒸鍍源的配置位置而變化的情況。即，在第二實施方式中也與第一實施方式同樣，基於蒸鍍源的配置位置與位於該配置位置的蒸鍍源單獨成膜時的膜厚分布的對應關係來確定第一蒸鍍源14和第二蒸鍍源15各自的配置位置。具體地說明的話，第一蒸鍍源14單獨成膜的薄膜的膜厚，換言之，基板保持器12通過第一工位STl時形成的薄膜的膜厚根據基板在基板保持器12上的位置而變化，在圖6中，呈現出由黑色菱形塊表示的分布。參照圖6對該分布進行說明的話，通過第一工位STl時形成的薄膜的膜厚相對於基準膜厚的相對膜厚在大約0.35附近變動。並且，上述相對膜厚在與保持器中央線相距的距離為Omm或600mm的位置附近達到下限值(具體來說，大約
0.32)，並且在400mm的位置附近達到上限值(具體來說，大約0.37)。另外，在第二實施方式中，相對膜厚是表示膜厚相對於基準膜厚的比例的值，基準膜厚意味著由第一蒸鍍源14和第二蒸鍍源15雙方在基板形成的薄膜的膜厚的最大值。另一方面，第二蒸鍍源15單獨成膜的薄膜的膜厚，換言之，基板保持器12通過第二工位ST2時形成的薄膜的膜厚也根據基板在基板保持器12上的位置而變化，在圖6中，呈現出由黑色正方形的塊表示的分布。參照圖6對該分布進行說明的話，通過第二工位ST2時形成的薄膜的膜厚相對於基準膜厚的相對膜厚在大約0.6附近變動。並且，上述相對膜厚在與保持器中央線相距的距離為Omm或500mm的位置附近達到上限值(具體來說，大約0.63)，並且在300mm的位置附近達到下限值(具體來說，大約0.58)。如上所述，在第二實施方式中，也著眼於膜厚與基板位置的關係，即著眼於基板間的膜厚分布根據蒸鍍源的配置位置變動的情況，使第一蒸鍍源14和第二蒸鍍源15各自的配置位置相互不同。由此，第一蒸鍍源14和第二蒸鍍源15彼此相輔地成膜，從而對在各基板形成的薄膜的膜厚進行修正。特別是在第二實施方式中，在與基板保持器12的移動方向交叉的交叉方向上，在夾著第一蒸鍍源14的位置配置有多個第二蒸鍍源15。由此，第二蒸鍍源15對由基板保持器12保持的基板中的、在上述交叉方向上遠離第一蒸鍍源14的配置位置的基板進行成膜。其結果是，在第二實施方式中也與第一實施方式同樣地，對於在由基板保持器12保持的各基板形成的薄膜，能夠調整膜厚以在基板間形成預期的膜厚分布。而且，在第二實施方式中，還針對每個工位求出通過第一工位STl和第二工位ST2時形成的薄膜的膜厚分布，然後，設定第一蒸鍍源14和第二蒸鍍源15各自的配置位置，使得由雙方的膜厚分布合成而成的合成膜厚的分布成為穩定的分布。所述配置位置例如通過數值計算來確定，將第一蒸鍍源14和第二蒸鍍源15分別配置在所確定的配置位置中對應的位置。其結果是，能夠使在由基板保持器12保持的各基板形成的薄膜的膜厚大致均勻。以更容易理解的方式說明的話，在通過位於上述配置位置的第一蒸鍍源14和第二蒸鍍源15雙方形成薄膜的情況下，基板間的膜厚分布是將各工位ST1、ST2的膜厚分布相互合成而得到的，在圖6中，呈現出由黑色三角形的塊表示的分布。觀察所述分布可知，即使基板在基板保持器12上的位置變化，相對膜厚也會穩定在0.9 1.0的範圍。這是因為，在第一蒸鍍源14的成膜量最小的範圍(具體來說，與保持器中央線相距的距離大約為Omm或600_的範圍)中，第二蒸鍍源15的成膜量比較大，相反地，在第二蒸鍍源15的成膜量最小的範圍(具體來說，與保持器中央線相距的距離大約為300mm的範圍)中，第一蒸鍍源14的成膜量比較大。如上所述，在第二實施方式的真空蒸鍍裝置200中，其特徵在於，構成基板保持部件的基板保持器12和基板保持器保持部件13是能夠水平移動的移動體，在基板保持器12的移動方向上比第一蒸鍍源14靠下遊側且在水平方向中與上述移動方向交叉的交叉方向上夾著第一蒸鍍源14的位置處配置有多個第二蒸鍍源15，第一蒸鍍源14配置成在豎直方向上比第二蒸鍍源15靠下方。在以上說明的兩個實施方式中，以本實用新型的薄膜形成裝置為主進行了說明，但上述實施方式是為了便於理解本實用新型的方式，並不是限定本實用新型的。本實用新型能夠不脫離其主旨地進行變更和改進，並且理所當然地，在本實用新型中包括其等價物。例如，真空槽1、11、基板保持器2、12或基板保持器保持部件3、13的形狀和尺寸、第一蒸鍍源4、14和第二蒸鍍源5、15的個數等並不限定於上述實施方式記載的內容，也可以是與上述實施方式不同的內容。而且，在第一實施方式和第二實施方式中，僅設有第一蒸鍍源4、14和第二蒸鍍源5、15，然而並不限定於此，也可以另外設置與第一蒸鍍源4、14和第二蒸鍍源5、15配置位置不同的蒸鍍源。而且，在第一實施方式中，將第一蒸鍍源4和第二蒸鍍源5配置在圖2圖示的配置位置。不過，圖2圖示的例子只不過是本實用新型的技術方案2記載的結構的一例，只要滿足技術方案2記載的要素，也可以將第一蒸鍍源4和第二蒸鍍源5配置在與圖2所示的內容不同的配置位置。同樣地，在第二實施方式中，將第一蒸鍍源14和第二蒸鍍源15配置在圖5圖示的配置位置。不過，圖5圖示的例子只不過是本實用新型的技術方案3記載的結構的一例，只要滿足技術方案3記載的要素，也可以將第一蒸鍍源14和第二蒸鍍源15配置在與圖3所示的內容不同的配置位置。
權利要求1.一種薄膜形成裝置，所述薄膜形成裝置具備:真空槽；基板保持部件，所述基板保持部件收納於所述真空槽內；以及蒸鍍源，所述蒸鍍源在所述真空槽中配置於所述基板保持部件的下方位置，其特徵在於， 作為所述蒸鍍源，該薄膜形成裝置具備蒸鍍彼此相同的材料的第一蒸鍍源和第二蒸鍍源， 所述第一蒸鍍源和所述第二蒸鍍源各自的配置位置是在豎直方向和水平方向上相互不同的位置。
2.根據權利要求1所述的薄膜形成裝置，其特徵在於， 所述基板保持部件是能夠繞沿著豎直方向的旋轉中心旋轉的旋轉體， 所述第一蒸鍍源配置成，在所述旋轉體的徑向上比所述第二蒸鍍源靠近所述旋轉中心、且在豎直方向上比所述第二蒸鍍源靠下方。
3.根據權利要求1所述的薄膜形成裝置，其特徵在於， 所述基板保持部件是能夠水平移動的移動體， 在所述移動體的移動方向上比所述第一蒸鍍源靠下遊側、且在水平方向中與所述移動方向交叉的交叉方向上夾著所述第一蒸鍍源的位置處配置有多個所述第二蒸鍍源， 所述第一蒸鍍源配置成在豎直方向上比所述第二蒸鍍源靠下方。
專利摘要本實用新型提供一種薄膜形成裝置，在調整形成於基板的薄膜的膜厚的同時提高了蒸鍍材料的利用效率。真空蒸鍍裝置(100)具備真空槽(1)；基板保持器(2)和基板保持器保持部件(3)，它們收納於所述真空槽(1)內；以及蒸鍍源，其在真空槽(1)中配置於基板保持器(2)的下方位置，作為蒸鍍源，具備蒸鍍彼此相同的蒸鍍材料的第一蒸鍍源(4)和第二蒸鍍源(5)，第一蒸鍍源(4)和第二蒸鍍源(5)各自的配置位置是在豎直方向和水平方向上相互不同的位置。
文檔編號C23C14/50GK202968674SQ20122069414
公開日2013年6月5日 申請日期2012年12月14日 優先權日2012年12月14日
發明者林達也, 姜友松, 鹽野一郎, 長江亦周 申請人:株式會社新柯隆