電子器件和電子器件的製造方法

2023-09-18 16:40:40 2

專利名稱：電子器件和電子器件的製造方法
技術領域：
本發明涉及一種電子器件和電子器件的製造方法。
背景技術：
日本未審專利公布No. 2000-299404公開了一種構造，其中布線圖案形成在芯襯 底的兩個表面上或單側表面上，並且在其中布線圖案電連接到通過穿過芯襯底形成的導體 部分的多層布線襯底中，芯襯底包括通過鍍形成的導通孔柱和導體芯部分組成的導體部分 以及電絕緣導通孔柱與導體芯部分的絕緣體部分。通過利用化學鍍銅或濺射等形成導體 層，隨後形成抗蝕劑圖案，並進行利用導體層作為饋電層的電解銅鍍，來形成導通孔柱和導 體芯部分。通過在芯襯底上形成布線圖案，然後移除導體襯底，來獲得多層布線襯底。日本未審專利公布No. 2001-308532公開了一種印刷線路板的製造方法，包括 從單側包銅層壓襯底的樹脂層側向銅箔表面鑽孔的步驟；通過利用銅箔作為饋電層的 電解鍍填充在樹脂層中形成的孔的步驟；平坦化孔的填充表面的步驟；粗化樹脂層的表 面的步驟；在樹脂層上形成導電圖案的步驟；在其中形成導電圖案的樹脂層上形成積層 (build-up)樹脂層的步驟；鑽孔積層樹脂層直到填充表面的表面的步驟；和通過利用銅箔 作為饋電層的電解鍍填充在積層樹脂層中形成的孔的步驟。

發明內容
然而，在日本未審專利公布No. 2000-299404中公開的技術中，存在下述問題無 論在什麼時候進行電解鍍，都需要通過濺射或化學鍍形成用作電解鍍饋電層的膜，這導致 了高製造成本。在一個實施例中，提供一種電子器件，包括具有第一表面和與第一表面相反的第 二表面的多層布線襯底；第一絕緣膜，其形成多層布線襯底的第二表面側；多個第一導電 部件，其形成在第一絕緣膜中以被暴露在多層布線襯底的第二表面側，並且其與第一絕緣 膜一起組成第一布線層；第二絕緣膜，其形成多層布線襯底的第一表面側；多個第二導電 部件，其形成在第二絕緣膜中，並且其與第二絕緣膜一起組成第二布線層；和第一電子組 件，其安裝在多層布線襯底的第一表面處，並且電連接到多個第二導電部件中的任一個，其 中多個第二導電部件分別直接連接到多個第一導電部件中的任一個或通過不同的導電材 料連接到多個第一導電部件中的任一個，並且多個第一導電部件包括虛導電部件，並且虛 導電部件直接連接到多個第二導電部件中的任一個或通過不同的導電材料連接到多個第 二導電部件中的任一個，但是沒有形成與連接的第二導電部件連接的電流路徑。在另一個實施例中，提供一種電子器件的製造方法，包括在形成在饋電層上方並 且分別電連接到饋電層的多個第三導電部件的上方形成第三絕緣膜；分別形成多個開口， 其將多個第三導電部件中的至少一個暴露於第三絕緣膜；通過從饋電層饋電的電解鍍方法在第三絕緣膜中的多個開口內部形成多個第四導電部件，以形成包括多個第四導電部件和 第三絕緣膜的第三布線層；在第三布線層上方安裝第四電子組件，並將多個第四導電部件 中的任一個電連接到第四電子組件；以及移除饋電層，其中在形成多個第四導電部件時，在 多個第四導電部件和饋電層之間提供為了從饋電層饋電而提供的虛導電部件。根據這種構造，通過提供虛導電部件，利用從饋電層饋電的電解鍍方法，能夠形成 多個第二導電部件或多個第四導電部件。從而，無論在什麼時候進行電解鍍，都不需要通過 濺射或化學鍍形成用作電解鍍饋電層的膜。因此，能夠通過簡單的過程形成多個第二導電 部件和多個第四導電部件。同時，上面提到的組件的任意組合，以及在這些方法、器件等等之中由本發明的表 達的轉換所獲得的方法都有效地作為本發明的方面。根據本發明，能夠以簡單的過程形成多層布線襯底的導電部件。


結合附圖，由下面某些優選實施例的描述，本發明的上述和其它的目的、優點和特 徵將更明顯，其中圖1是示出根據本發明的實施例的電子器件的構造的示例的截面圖。圖2是用於說明圖1中示出的電子器件的每個導通孔和每個布線圖案的連接狀態 的截面圖。圖3A和:3B是示出根據本發明的實施例的電子器件的製造過程的示例的工藝截面 圖。圖4A和4B是示出根據本發明的實施例的電子器件的製造過程的示例的工藝截面 圖。圖5A和5B是示出根據本發明的實施例的電子器件的製造過程的示例的工藝截面 圖。圖6A和6B是示出根據本發明的實施例的電子器件的製造過程的示例的工藝截面 圖。圖7A和7B是示出根據本發明的實施例的電子器件的製造過程的示例的工藝截面 圖。圖8A和8B是示出根據本發明的實施例的電子器件的製造過程的示例的工藝截面 圖。圖9是示出根據本發明的實施例的電子器件的製造過程的示例的工藝截面圖。圖10是示出根據本發明的實施例的電子器件的製造過程的示例的工藝截面圖。圖11是示出根據本發明的實施例的電子器件的製造過程的示例的工藝截面圖。圖12是示出根據本發明的實施例的電子器件的構造的另一示例的截面圖。圖13是示出根據本發明的實施例的電子器件的構造的另一示例的截面圖。圖14是示出根據本發明的實施例的電子器件的構造的另一示例的截面圖。圖15是示出根據本發明的實施例的電子器件的構造的另一示例的截面圖。圖16A和16B是示出根據本發明的實施例的電子器件的製造過程的另一示例的工 藝截面圖。
圖17A和17B是示出根據本發明的實施例的電子器件的製造過程的另一示例的工 藝截面圖。
具體實施例方式現在這裡將參考示出的實施例描述本發明。本領域的技術人員將認識到，利用本 發明的教導能夠實現許多替代實施例，並且本發明不限於為說明為目的示出的實施例。在下文中，將參考附圖描述本發明的實施例。在所有圖中，相同的元件用相同的附 圖標記表示，並將不重複其描述。圖1是示出根據實施例的電子器件100的構造的截面圖。電子器件100包括多層布線襯底102、安裝在多層布線襯底102的第一表面上的電 子組件146 (第一電子組件和第四電子組件)和電子組件152 (第二電子組件)、以及安裝在 多層布線襯底102的第二表面上的電子組件160 (第三電子組件)。例如，電子組件146、電子組件152和電子組件160能夠是諸如LSI的半導體晶片 或諸如電阻器的無源組件等。在實施例中，將描述電子組件146、電子組件152和電子組件 160分別為半導體晶片的示例。此外，在實施例中，電子組件146、電子組件152和電子組件 160分別通過倒裝晶片連接安裝在多層布線襯底102上。電子器件100能夠是SiP或PoP寸。多層布線襯底102包括從第二表面側(圖中的下側)按順序層壓的布線層110(第 一布線層和第四布線層)、布線層120和布線層130 (第二布線層和第三布線層)。布線層 130形成在多層布線襯底102的第一表面側上。布線層110包括絕緣膜112(第一絕緣膜和第四絕緣膜)和形成在絕緣膜112中 的多個導通孔114(包括導通孔IHc和114d)(第一導電部件和第五導電部件)。多個導 通孔114被暴露在多層布線襯底102的第二表面中。布線層120包括絕緣膜122以及形成 在絕緣膜122中的布線圖案123和多個導通孔128。布線圖案123由濺射的布線膜124和 鍍的布線膜126組成。布線層130包括絕緣膜132 (第二絕緣膜和第三絕緣膜)、布線圖案 133(第三導電部件)和形成在絕緣膜132中的多個導通孔138(第二導電部件和第四導電 部件)。布線圖案133包括濺射的布線膜134和鍍的布線膜136。絕緣膜112、絕緣膜122和絕緣膜132能夠由例如聚醯亞胺膜形成。此外，在實施 例中，絕緣膜112和絕緣膜132能夠由阻焊劑層形成。布線圖案和導通孔中的每一個能夠由例如銅或鎳等形成。此外，在布線層130中， 連接到諸如電子組件146的電子組件和諸如端子的不同部件的導通孔138能夠被構造為例 如諸如錫和銀的合金的焊料材料被提供給連接到不同部件的一側。例如，每個導通孔138 可以被構造成從圖的下側開始具有銅膜和錫與銀的合金膜的層壓結構、或鎳膜和錫與銀的 合金膜的層壓結構等。另外，每個導通孔13可以被構造為在其表面上進一步形成金。電子組件146通過凸塊142電連接到布線層130的多個導通孔138中的任一個。 在電子組件146和多層布線襯底102之間提供底部填料144以掩埋凸塊142。電子組件146 通過底部填料144結合到多層布線襯底102。另外，電子組件152類似地通過凸塊148電連接到布線層130的多個導通孔138 中的任一個。在電子組件152和多層布線襯底102之間提供底部填料150以掩埋凸塊148。電子組件152通過底部填料150與多層布線襯底102結合。凸塊142和凸塊148能夠由焊 料材料形成。端子140是要連接到電子組件152的背側的端子。在多層布線襯底102的第一表 面中，電子組件146、電子組件152和端子140用密封樹脂154密封。密封樹脂154能夠由 例如環氧樹脂形成。在實施例中，由於電子組件146和電子組件152用密封樹脂154密封， 所以可以不提供底部填料144和底部填料150。在多層布線襯底102的第二表面上提供分別連接到布線層110的多個導通孔114 中的任一個的焊球162和焊球164。電子組件160通過凸塊156連接到布線層110的多個 導通孔114中的任一個。在電子組件160和多層布線襯底102之間提供底部填料158以掩 埋凸塊156。電子組件160通過底部填料158與多層布線襯底102結合。在實施例中，在多層布線襯底102中，形成在布線層130中的多個導通孔138通過 其它導電材料分別連接到形成在布線層110中的多個導通孔114中的任一個。另外，形成 在布線層110中的多個導通孔114通過其它導電材料連接到形成在布線層130中的多個導 通孔138中的任一個，但是包括在連接的導通孔138之間沒有電流路徑的虛導通孔(虛導 電部件)。這裡，虛導電部件能夠被構造成沒有連接到其它布線或諸如電子組件的矽表面。圖2是示出與圖1中示出的電子器件100相同構造的截面圖。這裡，為了描述的目的，除了其一部分之外，沒有陰影繪製每個組件。另外，通過為 每個布線層中導通孔和布線圖案分配附圖標記，使組件彼此區分開。另外，由箭頭(虛線) 示出彼此電連接且在其間形成電流路徑的地方。例如，布線層130的導通孔138a和布線圖案133a、布線層120的導通孔128a和布 線圖案123a、以及布線層110導通孔11 形成電流路徑，用於通過凸塊142連接電子組件 146和焊球162。另外，布線層130的導通孔13 和布線圖案13北、布線層120的導通孔12 和布 線圖案123b、以及布線層110的導通孔114b形成電流路徑，用於分別通過凸塊142和凸塊 156連接電子組件146和電子組件160。另外，布線層130的導通孔138c、布線圖案133c和導通孔138d形成電流路徑，用 於分別通過凸塊142和凸塊148連接電子組件146和電子組件152。另外，布線層130的導通孔138e、布線圖案133d的一部分和導通孔138f形成電流 路徑，用於通過凸塊148連接電子組件152和端子140。另外，布線層110的導通孔114e、布線層120的布線圖案123e、和通導孔114f形 成電流路徑，用於通過凸塊156連接電子組件160和焊球164。另一方面，在圖中用陰影繪製的布線層120的導通孔128c和布線圖案123c以及 布線層Iio的導通孔IHc沒有形成與布線層130的導通孔138c、布線圖案133c和導通孔 138d連接的電流路徑。類似地，在圖中用陰影繪製的布線層130的布線圖案133d的剩餘部 分、布線層120的導通孔128d和布線圖案123d、以及布線層110的導通孔114d沒有形成 與布線層130的導通孔138e、布線圖案133d的一部分和導通孔138f連接的電流路徑。也 就是說，這些是虛導電部件。虛導電部件(導通孔114c和導通孔114d)沒有相互連接凸塊 142、凸塊148、凸塊156、焊球162、焊球164和端子140。同時，在實施例中，多層布線襯底102的第二表面中的虛導電部件的暴露表面能夠形成為與絕緣材料接觸。從而，能夠防止多層布線襯底102的第二表面側中的虛導電部 件的短路等。在實施例中，作為絕緣材料，能夠使用底部填料158。此外，在實施例中，虛導電部件可以形成為暴露在多層布線襯底102的第二表面 中與電子組件160重疊的區域中。也就是，在實施例中，作為在多層布線襯底102的第二表 面中暴露的虛導電部件的導通孔114c和導通孔114d能夠形成為暴露在與電子組件160重 疊的區域內。這裡，與電子組件160重疊的區域能夠是其中形成底部填料158的區域。在 實施例中，作為虛導電部件的導通孔114c和導通孔114d能夠在其暴露的表面處與底部填 料158接觸。接下來，將描述實施例中的電子器件100的製造過程。圖3A至11是示出實施例 中的電子器件100的製造過程的工藝截面圖。首先，在支撐體190上形成饋電層192。該饋電層192能夠由例如銅膜等形成。支 撐體190能夠由例如矽等形成。饋電層192能夠通過濺射形成。隨後，在饋電層192上形成具有開口 170的絕緣膜112(圖3A)。接下來，通過從饋電層192饋電的電解鍍方法形成多個導通孔114(導通孔114a、 導通孔114b、導通孔114c、導通孔114d、導通孔IHe和導通孔114f)。從而，形成布線層 110(圖 3B)。其後，通過濺射在布線層110上形成濺射的布線膜124(圖4A)。隨後，在濺射的布 線膜IM上形成具有開口 174的抗蝕劑膜172(圖4B)。隨後，通過從濺射的布線膜IM饋電的電解鍍方法形成鍍的布線膜126(圖5A)。 接下來，移除抗蝕劑膜172(圖5B)。其後，在濺射的布線膜IM和鍍的布線膜1 上形成具有開口 175的抗蝕劑膜 173(圖6A)。通過從濺射的布線膜IM饋電的電解鍍方法形成多個導通孔128(導通孔 U8a、導通孔U8b、導通孔128c和導通孔128d)(圖6B)。接下來，移除抗蝕劑膜173，並利用鍍的布線膜1 作為掩模來蝕刻濺射的布線膜 124。由此，形成布線圖案123(布線圖案123a、布線圖案123b、布線圖案123c、布線圖案 123d和布線圖案123e)(圖7A)。隨後，在多個布線圖案123和多個導通孔128的整個表面上形成絕緣膜122，以覆 蓋它們。接下來，切割絕緣膜122的表面，然後平坦化其表面，並暴露多個導通孔128。從而 形成布線層120(圖7B)。接下來，與布線層120的布線圖案123類似地，在布線層120上形成布線圖案 133(布線圖案133a、布線圖案13 、布線圖案133c和布線圖案133d)，然後在布線圖案133 上形成絕緣膜132(圖8A)。之後，在絕緣膜132上形成多個開口 178(圖8B)。能夠通過在絕緣膜132上形成 具有開口的抗蝕劑膜(未示出)，並利用該抗蝕劑膜作為掩模蝕刻絕緣膜132，來形成開口 178。隨後，通過從饋電層192饋電的電解鍍方法，在開口 178內形成多個導通孔 138(導通孔138a、導通孔138b、導通孔138c、導通孔138d、導通孔138e和導通孔138f)。在 實施例中，多個這些導通孔138能夠形成為具有例如銅膜以及錫與銀的任何合金膜的層壓 結構，或者鎳膜以及錫與銀的任何合金膜的層壓結構。另外，可以在多個導通孔138的表面上形成鍍金膜。由此，形成布線層130(圖9)。接下來，在布線層130的整個表面上形成具有在導通孔138f上開口的開口 139的 抗蝕劑膜180。其後，通過從饋電層192饋電的電解鍍方法在開口 139內形成端子140。之後，移除抗蝕劑膜180，並通過下面的過程在多層布線襯底102的第一表面上安 裝電子組件146和電子組件152。首先，通過諸如焊料的凸塊142和凸塊148將電子組件 146和電子組件152安裝在多層布線襯底102上。接下來，分別在電子組件146和電子組 件152與多層布線襯底102之間提供底部填料144和底部填料150。由此，分別用底部填料 144和底部填料150覆蓋凸塊142和凸塊148。隨後，用密封樹脂IM密封電子組件146、電 子組件152和端子140(圖11)。之後，通過例如磨削移除支撐體190。接下來，通過蝕刻等移除饋電層192，並使多 個導通孔114暴露於多層布線襯底102的第二表面側。之後，在多層布線襯底102的背側 上安裝電子組件160。首先，通過諸如焊料的凸塊156將電子組件160安裝在多層布線襯底 102上。接下來，在電子組件160和多層布線襯底102之間提供底部填料158。由此，用底 部填料158覆蓋凸塊156。另外，安裝焊球162和焊球164。由此，獲得了具有圖1中所示 構造的電子器件100。另外，利用另一示例，通過與布線層130中的過程相同的過程，也能夠形成布線層 120。在下文中，將參考圖16A和16B以及圖17A和17B進行描述。圖16A和16B以及圖 17A和17B是示出實施例中的電子器件100的製造過程的另一示例的工藝截面圖。在參考圖5A和5B描述的過程之後，利用鍍的布線膜1 作為掩模蝕刻濺射的布 線膜124。由此，形成布線圖案123(布線圖案123a、布線圖案12 、布線圖案123c、布線圖 案123d和布線圖案123e)(圖16A)。隨後，在布線層110的整個表面上形成絕緣膜122，以覆蓋布線圖案123(圖16B)。 之後，在絕緣膜122中形成開口 176(圖17A)。能夠通過在絕緣膜122上形成具有開口的抗 蝕劑膜(未示出)，並利用該抗蝕劑膜作為掩模來蝕刻絕緣膜122，從而形成開口 176。隨後，通過從饋電層192饋電的電解鍍方法在開口 176內形成多個導通孔128 (導 通孔128a、導通孔128b、導通孔128c和導通孔128d)。由此，形成布線層120 (圖17B)。之 後，通過與參考圖8A至11描述的過程相同的過程，能夠獲得圖1中所示的電子器件100。如上所述，在實施例中，從電路設計的角度看起來沒有連接到支撐體上的饋電層 的、用於執行安裝在多層布線襯底102的第一表面側上的電子組件146和電子組件152的 連接或電子組件152和端子140的連接的導通孔138，還通過導電材料連接到多層布線襯底 102的第二表面側中的布線層110的導通孔114。由此，獲得了下面的效果。根據實施例中的電子器件100的製造過程，提供了虛導電部件，並且布線層130的 每個導通孔138通過諸如布線圖案123、導通孔1 和布線圖案133的導電材料連接到導通 孔114中的任一個。為此，能夠通過從饋電層192供電的電解鍍方法形成導通孔138中的 每一個。這裡，當沒有從饋電層192進行饋電時，需要每次進行電解鍍都新通過濺射或化學 鍍形成用於電解鍍的饋電層。然而，根據實施例中的電子器件100的製造過程，不需要新形 成這樣的用於電解鍍的饋電層，因此能夠通過簡單的過程形成導通孔138。另外，根據實施例中的電子器件100的製造過程，在形成導通孔138之前形成最上 層的絕緣膜132。為此，能夠平坦化絕緣膜132的表面。由此，能夠平坦化其上安裝電子組件146或電子組件152的布線層130的表面，以在形成底部填料144或底部填料150時減 少底部填充空隙，並獲得電子器件100的良好電氣特性。此外，在實施例中，虛導電部件當中暴露於多層布線襯底102的第二表面側的虛 導通孔(導通孔114)被暴露於重疊電子組件160的區域。另外，暴露於多層布線襯底102 的第二表面側的導通孔(導通孔114)被底部填料158掩埋。由此，能夠防止多層布線襯底 102的第二表面側處的虛導電部件的短路等。另外，通過提供這樣的虛導電部件，能夠在提供到多層布線襯底102的背側的電 子組件160以及提供到多層布線襯底102的表面側的電子組件146和電子組件152之間提 供散熱通道。由此，能夠提高電子器件100的散熱能力。另外，例如，對於多層布線襯底102的第一表面側上的布線層130，認為與參考圖 7B描述的布線層120的形成過程類似地，在形成導通孔1 到形成絕緣膜122，然後平坦化 絕緣膜122的表面時，也能夠平坦化布線層130的表面。然而，由於多層布線襯底102的最 上表面中的導通孔138連接到諸如電子組件146的半導體晶片，例如，可以在其表面上形成 金等以減小電阻。在這種情況下，當進行如上所述的絕緣膜的平坦化時，就會存在將切割導 通孔138的表面上形成的金的問題。然而，在實施例中，通過利用從饋電層192供電的電解 鍍方法，能夠在形成絕緣膜132之後形成導通孔138，因此能夠在沒有進行平坦化工藝的情 況下平坦化布線層130的表面。接下來，將描述實施例中的電子器件100的另一示例。圖12中示出的電子器件100的構造與圖1示出的電子器件100的構造的不同之 處在於其不包括電子組件152。即使在這種構造中，布線層130也被提供有例如用於連接連 接到電子組件146的多個凸塊142的電流路徑，或用於連接電子組件146和端子140的電 流路徑。另外，布線層110和布線層120被提供有連接到這些電流路徑的虛導電部件。這 裡，圖中由虛線圍繞的地方對應於沒有形成電流路徑的虛導電部件。圖13中示出的電子器件100的構造與圖12中示出的電子器件100的構造的不同 之處在於凸塊156b和凸塊156c被提供到多層布線襯底102的第二表面，其中凸塊156b 和凸塊156c被提供為連接到虛導電部件(導通孔IHc和導通孔114d)並且沒有電連接到 不同部件。即使在這種情況下，凸塊156b和凸塊156c也能夠被構造成被提供到重疊電子 組件160的區域，並且由底部填料158掩埋。這裡，凸塊15 和凸塊156c沒有電連接到電 子組件160。即，凸塊156b和凸塊156c沒有用作外部端子。此外，在圖1中示出的電子器 件100的構造中，還能夠提供分別連接到導通孔IHc和導通孔114d並且沒有電連接到電 子組件160的凸塊。圖14中示出的電子器件100與圖12中示出的電子器件100的不同之處在於其不 包括端子140，並且在布線層130和布線層120中不包括虛導電部件。這裡，圖中由虛線圍 繞的地方對應於沒有形成電流路徑的虛導電部件。在示例中，虛導電部件僅被提供到布線 層 110。圖15中示出的電子器件100與圖1中示出的電子器件100的不同之處在於其不 包括電子組件160。這裡，圖中由虛線圍繞的地方對應於沒有形成電流路徑的虛導電部件。 雖然在圖中沒有示出，但是在這種構造中，多層布線襯底102的第二表面中的虛導電部件 的暴露表面能夠形成為與絕緣材料接觸。例如，能夠將絕緣材料提供到暴露於多層布線襯底102的第二表面側的導通孔114g和導通孔114h的暴露表面。如上所述，雖然已經參考附圖闡述了本發明的實施例，但是它們僅僅是本發明的 示例，能夠採用除上述構造之外的各種構造。在上述實施例中，已經示出了諸如電子組件146的電子組件以倒裝晶片方式連接 的示例。然而，當電子組件是半導體晶片時，能夠通過例如引線鍵合將電子組件電連接到多 層布線襯底102。此外，在上述實施例中，示出了多層布線襯底102包括三個布線層的構造。然而， 多層布線襯底102能夠包括兩層或更多層範圍內的任意數目的布線層。顯然，本發明並不限於上述實施例，並且在沒有偏離本發明的範圍和精神的前提 下，可以進行修改和變化。
權利要求
1.一種電子器件，包括多層布線襯底，其具有第一表面和與所述第一表面相反的第二表面，第一絕緣膜，其形成所述多層布線襯底的所述第二表面側，多個第一導電部件，其形成在所述第一絕緣膜中以被暴露在所述多層布線襯底的所述 第二表面側，並且與所述第一絕緣膜一起組成第一布線層，第二絕緣膜，其形成所述多層布線襯底的所述第一表面側，多個第二導電部件，其形成在所述第二絕緣膜中，並且與所述第二絕緣膜一起組成第 二布線層，和第一電子組件，其被安裝在所述多層布線襯底的所述第一表面處，並且電連接到所述 多個第二導電部件中的任一個，其中所述多個第二導電部件分別直接連接到所述多個第一導電部件中的任一個或通 過不同的導電材料連接到所述多個第一導電部件中的任一個，以及所述多個第一導電部件包括虛導電部件，並且所述虛導電部件直接連接到所述多個第 二導電部件中的任一個或通過不同的導電材料連接到所述多個第二導電部件中的任一個， 但是沒有形成與所述連接的第二導電部件連接的電流路徑。
2.如權利要求1所述的電子器件，進一步包括第一部件，其形成在所述多層布線襯底 的所述第一表面上，且通過所述多個第二導電部件中的任一個電連接到所述第二導電部 件，其中將所述多個第二導電部件電連接到所述第一部件的所述第二導電部件直接連接 到所述虛導電部件或通過不同的導電材料連接到所述虛導電部件。
3.如權利要求2所述的電子器件，其中所述第一部件是第二電子組件。
4.如權利要求1所述的電子器件，進一步包括第三電子組件，其安裝在所述多層布線 襯底的所述第二表面上，並電連接到所述多個第一導電部件中的任一個，其中所述虛導電部件形成為暴露在所述多層布線襯底的所述第二表面中與所述第三 電子組件重疊的區域內。
5.如權利要求4所述的電子器件，進一步包括凸塊，其將所述第三電子組件連接到所 述多個第一導電部件中的任一個；和底部填料，其用於掩埋所述凸塊，其中所述第三電子組件是半導體晶片，並且所述虛導電部件形成為暴露在所述多層布線襯底的所述第二表面中形成所述底部填 料的區域內。
6.如權利要求5所述的電子器件，其中所述多層布線襯底的所述第二表面中的所述虛 導電部件的暴露表面形成為與所述底部填料接觸。
7.如權利要求5所述的電子器件，進一步包括在所述多層布線襯底的所述第二表面上 的凸塊，所述凸塊被提供為連接到所述虛導電部件且沒有電連接到不同部件。
8.如權利要求1所述的電子器件，其中所述多層布線襯底的所述第二表面中的所述虛 導電部件的暴露表面形成為與絕緣材料接觸。
9.如權利要求1所述的電子器件，其中所述多個第二導電部件中的每一個是導通孔。
10.如權利要求1所述的電子器件，其中所述多個第二導電部件中的每一個是下述導 通孔，所述導通孔形成為具有錫與銀的合金膜和銅膜的層壓結構，或錫與銀的合金膜和鎳膜的層壓結構。
11.一種電子器件的製造方法，包括在形成在饋電層上方並且分別電連接到所述饋電層的多個第三導電部件的上方形成第三絕緣膜，分別形成多個開口，所述開口將所述多個第三導電部件中的至少一個暴露於所述第三 絕緣膜，通過從所述饋電層饋電的電解鍍方法，在所述第三絕緣膜中的所述多個開口內形成多 個第四導電部件，以形成包括所述多個第四導電部件和所述第三絕緣膜的第三布線層，在所述第三布線層上方安裝第四電子組件，並電連接所述多個第四導電部件中的任一 個和所述第四電子組件，以及 移除所述饋電層，其中當形成所述多個第四導電部件時，在所述多個第四導電部件和所述饋電層之間提 供為了從所述饋電層饋電而提供的虛導電部件。
12.如權利要求11所述的電子器件的製造方法，其中移除所述饋電層的所述步驟包括 在移除了所述饋電層的表面中暴露所述虛導電部件。
13.如權利要求11所述的電子器件的製造方法，其中所述多個第四導電部件包括所述 虛導電部件。
14.如權利要求11所述的電子器件的製造方法，其中所述電子器件與所述饋電層接 觸，並且包括第四布線層，所述第四布線層包括第四絕緣膜和形成在所述第四絕緣膜內並 分別電連接到所述饋電層的多個第五導電部件，並且至少所述多個第五導電部件包括所述 虛導電部件。
全文摘要
提供了一種電子器件和電子器件的製造方法。多層布線襯底具有其中層壓第一布線層和第二布線層的構造，其中，第一布線層包括形成在第一絕緣膜中且形成為暴露在第二表面側的多個第一導電部件，第二布線層包括在與第二表面相反的側上的第一表面側上形成的第二絕緣膜中形成的多個第二導電部件。多個第二導電部件分別直接連接到多個第一導電部件中的任一個或通過不同的導電材料連接到多個第一導電部件中的任一個。多個第一導電部件直接連接到多個第二導電部件中的任一個或通過不同的導電材料連接到多個第二導電部件中的任一個，但是包括沒有形成與連接的第二導電部件連接的電流路徑的虛導電部件。
文檔編號H05K3/46GK102118919SQ20101060161
公開日2011年7月6日 申請日期2010年12月20日 優先權日2009年12月21日
發明者副島康志, 川野連也 申請人:瑞薩電子株式會社