清洗液生成裝置、清洗液生成方法、基板清洗裝置及基板清洗方法
2023-09-19 15:39:00 1
清洗液生成裝置、清洗液生成方法、基板清洗裝置及基板清洗方法
【專利摘要】提供一種能夠使製品品質提高的清洗液生成裝置、清洗液生成方法、基板清洗裝置及基板清洗方法。實施方式的清洗液生成裝置（2）具備：儲存磷酸水溶液的儲存部（11），將磷酸水溶液加熱的加熱部（12），浸漬在儲存部（11）內的磷酸水溶液中的第1矽部件（13）及第2矽部件（14），以及使第1矽部件（13）與第2矽部件（14）之間產生電位差的電壓施加部（15）。
【專利說明】清洗液生成裝置、清洗液生成方法、基板清洗裝置及基板清洗方法
【技術領域】
[0001 ] 本發明涉及清洗液生成裝置、清洗液生成方法、基板清洗裝置及基板清洗方法。
【背景技術】[0002]基板清洗裝置在半導體裝置、液晶顯示裝置等電子部件的製造工序中被廣泛地使用。作為該基板清洗裝置，有在作為半導體裝置一例的半導體器件的製造工序中、對半導體基板上的氮化膜和氧化膜有選擇地進行刻蝕的基板處理裝置。
[0003]這裡，在製造半導體器件的工序中，在半導體基板上層疊有刻蝕對象膜的氮化膜(例如Si3N4膜)和刻蝕阻擋膜的氧化膜(例如SiO2膜)。但是，若半導體器件微細化，則膜本身成為薄膜，所以需要提高刻蝕對象膜與刻蝕阻擋膜之間的選擇比。若不能足夠取得該選擇比，則在刻蝕工序中刻蝕阻擋膜消失，這會對器件製造帶來妨礙。
[0004]在作為刻蝕對象膜的氮化膜的刻蝕中，使用高溫的磷酸(H3PO4)水溶液，刻蝕對象膜的氮化膜與刻蝕阻擋膜的氧化膜之間的選擇比低。此時，已知若磷酸水溶液中的矽濃度變高則氮化膜與氧化膜之間的選擇比變高，通常，使磷酸水溶液中的矽濃度變高。通常，作為使磷酸水溶液中的矽濃度變高的方法，採用將氮化膜刻蝕、對其刻蝕液進行再利用的方法。
[0005]但是，在如上述那樣地採用將氮化膜的刻蝕液再利用的方法的情況下，需要至少一次使用具有氮化膜的偽(dummy)半導體基板進行刻蝕處理，但在將該偽半導體基板產生的刻蝕液再利用的方法中，難以得到希望的矽濃度的磷酸水溶液。因此，難以得到足夠的選擇比，這存在對器件製造帶來妨礙的情況，製品品質下降。
【發明內容】
[0006]本發明要解決的課題在於，提供一種能夠使製品品質提高的清洗液生成裝置、清洗液生成方法、基板清洗裝置及基板清洗方法。
[0007]實施方式的清洗液生成裝置具備:儲存部，儲存磷酸水溶液；加熱部，將磷酸水溶液加熱?』第I矽部件及第2矽部件，浸潰在儲存部內的磷酸水溶液中；電壓施加部，使第I矽部件與第2矽部件之間產生電位差。
[0008]實施方式的清洗液生成方法具有以下工序:將磷酸水溶液積存在儲存部中後進行加熱、或將磷酸水溶液加熱後積存到儲存部中的工序；使浸潰在加熱後的儲存部內的磷酸水溶液中的第I矽部件與第2矽部件之間產生電位差的工序。
[0009]實施方式的基板清洗裝置具備:儲存部，儲存磷酸水溶液；加熱部，將磷酸水溶液加熱；第I矽部件及第2矽部件，浸潰在儲存部內的磷酸水溶液中；電壓施加部，使第I矽部件與第2矽部件之間產生電位差；清洗部，通過含有從第I矽部件或第2矽部件溶解的矽的磷酸水溶液將基板清洗。
[0010]實施方式的基板清洗方法具有以下工序:將磷酸水溶液積存在儲存部中後進行加熱、或將磷酸水溶液加熱後積存在儲存部中的工序；使浸潰在加熱後的儲存部內的磷酸水溶液中的第I矽部件與第2矽部件之間產生電位差的工序；通過含有從第I矽部件或第2矽部件溶解的矽的磷酸水溶液將基板清洗的工序。
[0011]根據上述清洗液生成裝置、清洗液生成方法、基板清洗裝置或基板清洗方法，能夠使製品品質提聞。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0012]圖1是表示一實施方式的基板清洗裝置的概略結構的圖。
[0013]圖2是表示圖1所示的基板清洗裝置具備的清洗液生成裝置的概略結構的圖。
[0014]圖3是表示圖1所示的基板清洗裝置進行的基板清洗工序(還包括清洗液生成工序)的流程的流程圖。
【具體實施方式】
[0015]參照附圖對一實施方式進行說明。
[0016]如圖1所示，實施方式的基板清洗裝置I包括:清洗液生成裝置2，生成清洗液；清洗液循環部3，使由該清洗液生成裝置2生成的清洗液循環；清洗部4，用從該清洗液循環部3供給的清洗液將基板W清洗；以及控制部5，對各部進行控制。
[0017]清洗液生成裝置2如圖2所示，具備:儲存部11，儲存磷酸水溶液；加熱部12，將該儲存部11內的磷酸水溶液加熱；第I矽部件13及第2矽部件14，浸潰在儲存部11內的磷酸水溶液中；以及電壓施加部15，使這些第I矽部件13與第2矽部件14之間產生電位差。
[0018]儲存部11是儲存磷酸水溶液的上部開放的箱。該儲存部11例如由氟類的樹脂或石英等材料形成。在儲存部11的內部，設有對儲存在該內部中的磷酸水溶液的溫度進行檢測的溫度檢測部11a。該溫度檢測部Ila連接於控制部5，將檢測出的磷酸水溶液的溫度向控制部5輸出(參照圖1)。此外，儲存部11連接有與其內部相連的供給管道16。在該供給管道16的中途，設有作為供給驅動源的泵16a(參照圖1)。該泵16a電連接於控制部5，根據該控制部5的控制，使儲存部11內的磷酸水溶液向供給管道16流動。另外，在泵16a的驅動停止後，雖然儲存部11內的磷酸水溶液的量減少，但常溫的磷酸水溶液從儲存部11的上部開口部供給到儲存部11內，儲存部11內的磷酸水溶液的量保持一定。
[0019]加熱部12作為對儲存部11進行支撐的支撐臺而設在該儲存部11的下部，形成得能夠將儲存部11加熱。該加熱部12電連接於控制部5 (參照圖1)，根據該控制部5的控制，與儲存部11 一起將該儲存部11內的磷酸水溶液加熱。作為加熱部12，例如可以使用加熱器。液體的溫度在例如150°C?160°C的範圍內(150°C以上160°C以下的範圍內)設定。此時，控制部5使用由溫度檢測部Ila檢測出的儲存部11內的磷酸水溶液的溫度，對加熱部12即加熱器功率進行控制，以使得將矽溶解中的磷酸水溶液的溫度維持一定。另外，也可以將加熱部12使用聯機(inline)加熱器而設置到儲存部11內。
[0020]第I矽部件13及第2矽部件14以能夠浸潰到儲存部11內的磷酸水溶液中且相互分離的方式設在儲存部11內。這些第I矽部件13及第2矽部件14作為一對電極而發揮功能。在本實施方式中，第I矽部件13為正極(陽極)，第2矽部件14為負極(陰極)。
[0021]另外，作為第I矽部件13及第2矽部件14，例如為了使電傳導性提高，優選使用摻雜了硼或磷的低電阻(作為一例，是I Ω.cm以下的低電阻)的矽部件。硼及磷是在半導體中經常使用的元素，由於對半導體裝置的製造工藝的影響少而被使用，但並不限定於此，只要能夠使矽部件為低電阻，也可以使用其他元素。此外，第I矽部件13及第2矽部件14這兩者既可以使用相同的元素也可以使用不同的元素。另外，如果考慮液體中的電子的交換反應(直流的情況)，則優選的是作為正極而使用摻雜了磷的矽部件、作為負極而使用摻雜了硼的矽部件。
[0022]電壓施加部15如圖2所示，具備:向第I矽部件13與第2矽部件14之間施加電壓的直流的電源15a，對流到第I矽部件13及第2矽部件14的電流進行計測的電流計15b，和對供給到第I矽部件13及第2矽部件14的電壓進行計測的電壓計15c。該電壓施加部15電連接於控制部5(參照圖1)，根據該控制部5的控制而施加電壓。此外，電壓施加部15將由電流計15b計測出的電流值及由電壓計15c計測出的電壓值向控制部5輸出(參照圖1)。
[0023]該電壓施加部15，在由加熱部12加熱後的儲存部11內的磷酸水溶液的溫度成為規定的溫度的情況下，向第I矽部件13與第2矽部件14之間施加電壓而流過電流。詳細地講，控制部5基於由溫度檢測部Ila檢測出的磷酸水溶液的溫度，判斷由加熱部12加熱後的儲存部11內的磷酸水溶液的溫度是否成為了規定的溫度，在判斷為該磷酸水溶液的溫度已成為規定的溫度的情況下，對電壓施加部15輸出執行電壓施加的指示。接受該指示，電壓施加部15向第I娃部件13與第2娃部件14之間施加電壓。
[0024]另外，向第I矽部件13與第2矽部件14的電極間施加的電壓優選設定在0.3V?
5.0V的範圍內(0.3V以上5.0V以下的範圍內)。這是因為，如果電壓(電位)比0.3V小，則利用第I矽部件13及第2矽部件14難以實現矽溶解，如果比5.0V大，則第I矽部件13或第2矽部件14的兩表面容易氧化。此外，根據第I矽部件13及第2矽部件14的各電阻值，施加的電壓的最優值不同。
[0025]當通過這樣的電壓施加部15在第I矽部件13與第2矽部件14間產生電位差時，矽通過電分解而成為離子，溶解到磷酸水溶液中。此時，通過始終使用電流計15b檢測(監視)流過第I矽部件13的電流值，能夠根據法拉第的電分解法則(在電分解中關於流過的電量與生成物質的質量的法則)來掌握磷酸水溶液中的矽濃度(矽溶解濃度)。另外，法拉第的電分解法則是這樣的法則，即:在電分解中，析出的物質的量與流過的電量成比例，由相同的電量析出的物質的量與物質的化學當量成比例。
[0026]因而，控制部5利用由電流計15b計測出的電流值，計算磷酸水溶液中的矽濃度。在該磷酸水溶液中的矽濃度成為規定的濃度的情況下，驅動泵16a而將儲存部11內的磷酸水溶液經供給管道16向清洗液循環部3供給。另外，規定的矽濃度例如設定在20ppm?150ppm的範圍內(20ppm以上150ppm以下的範圍內),特別優選的是設定在30ppm?IOOppm的範圍內(30ppm以上IOOppm以下的範圍內)。
[0027]回到圖1，清洗液循環部3具備:緩衝箱等箱21，儲存從清洗液生成裝置2供給的規定的矽濃度的磷酸水溶液；與該箱21相連的循環管道22 ;與該循環管道22相連、將規定的矽濃度的磷酸水溶液噴出的噴出管道23 ;以及連接管道24，使清洗後的磷酸水溶液返回箱21。
[0028]箱21是儲存從清洗液生成裝置2經供給管道16供給的規定矽濃度的磷酸水溶液的箱。該箱21設有對儲存在其內部中的磷酸水溶液的量和矽濃度進行檢測的檢測部21a。該檢測部21a連接於控制部5，將檢測出的磷酸水溶液的量及矽濃度向控制部5輸出。另夕卜，箱21連接有清洗液生成裝置2的供給管道16、循環管道22及連接管道24。
[0029]循環管道22以使箱21內的磷酸水溶液流過循環管道22並再次向箱21內返回的方式進行連接。在該循環管道22的中途，設有:作為循環驅動源的泵22a ;將流過循環管道22的磷酸水溶液加熱的加熱器22b ;從流過循環管道22的磷酸水溶液中將異物除去的過濾器22c ;和將循環管道22開閉的開閉閥VI。
[0030]泵22a電連接於控制部5，根據該控制部5的控制，使箱21內的磷酸水溶液流向循環管道22。此外，加熱器22b電連接於控制部5，根據該控制部5的控制，將流過循環管道22的磷酸水溶液在一定溫度下加熱。加熱器溫度例如設定在150°C?160°C的範圍內(150°C以上160°C以下的範圍內)。開閉閥Vl電連接於控制部5，根據該控制部5的控制，將循環管道22開閉。
[0031]噴出管道23連接在循環管道22的過濾器22c與開閉閥Vl之間，是將規定的矽濃度的磷酸水溶液噴出的管道，其噴出側的前端部朝向基板W的表面而設置。在該噴出管道23的中途，設有將噴出管道23開閉的開閉閥V2。該開閉閥V2電連接於控制部5，根據該控制部5的控制，將噴出管道23開閉。控制部5，若在由檢測部21a檢測出的矽濃度是規定的濃度的情況下接受到清洗開始的指示，則使循環管道22中途的開閉閥Vl成為閉狀態，使噴出管道23中途的開閉閥V2成為開狀態，從循環管道22向噴出管道23流過規定的矽濃度的磷酸水溶液。
[0032]連接管道24以將清洗部4與箱21連接的方式而設置。在該連接管道24的中途，設有作為驅動源的泵24a、和將連接管道24開閉的開閉閥V3。泵24a電連接於控制部5，根據該控制部5的控制，使清洗部4內的使用後的清洗液流向連接管道24。開閉閥V3電連接於控制部5，根據該控制部5的控制，將連接管道24開閉。此外，在連接管道24中途的開閉閥V3的下遊側，連接有清洗液排出用的排出管道24b。在該排出管道24b的中途，還設有將該排出管道24b開閉的開閉閥V4。開閉閥V4電連接於控制部5，根據該控制部5的控制，將排出管道24b開閉。
[0033]清洗部4是使用規定的矽濃度的磷酸水溶液、將半導體基板等基板W的表面上的氮化膜相對於氧化膜有選擇地刻蝕而除去的清洗裝置。該清洗部4具備:使基板W旋轉的旋轉機構4a ；以及噴嘴4b，將規定的矽濃度的磷酸水溶液供給到通過該旋轉機構4a而旋轉的基板W上。該噴嘴4b是噴出管道23的一端部，從該噴嘴4b將規定的矽濃度的磷酸水溶液作為清洗液噴出。即，清洗部4將規定的矽濃度的磷酸水溶液從噴嘴4b作為清洗液朝向旋轉的基板W的表面供給，從而將基板W的表面上的氮化膜有選擇地除去。另外，在基板W上，層疊有刻蝕對象膜的氮化膜(例如Si3N4膜)、和刻蝕阻擋膜的氧化膜(例如SiO2膜)。
[0034]這裡，從基板W的表面流到清洗部4的底面的清洗液，流過與該底面連接的連接管道24，通過泵24a的驅動而被回收到箱21中。此時，開閉閥V3是開狀態，開閉閥V4是閉狀態。但是，基板W上的氮化膜被刻蝕，矽濃度超過規定的範圍時，清洗液不被回收到箱21中而從排出管道24b排出。此時，開閉閥V3是閉狀態，開閉閥V4是開狀態。
[0035]控制部5具備將各部集中控制的微型計算機、以及存儲與清洗液生成及基板清洗有關的各種處理信息及各種程序等的存儲部。該控制部5基於各種處理信息及各種程序，進行整體控制，即:由清洗液生成裝置2生成規定的矽濃度的磷酸水溶液作為清洗液，使生成的規定的矽濃度的磷酸水溶液循環並加熱而將其溫度維持為規定溫度，然後，根據清洗開始的指示，使用規定的矽濃度的磷酸水溶液，由清洗部4對基板W進行清洗。
[0036]接著，參照圖3對上述基板清洗裝置I進行的基板清洗工序(也包括生成清洗液的清洗液生成工序)進行說明。
[0037]如圖3所示，實施方式的基板清洗工序具有:對電極間施加電壓而生成規定的矽濃度的磷酸水溶液的工序(步驟SI)、維持箱21內的磷酸水溶液的量、磷酸水溶液的溫度及矽濃度的工序(步驟S2)、通過規定的矽濃度的磷酸水溶液對基板進行清洗的工序(步驟S3)、最後將基板水洗並乾燥的工序(步驟S4)。
[0038]詳細地講，在步驟SI中，由加熱部12將儲存部11內的磷酸水溶液加熱，當由溫度檢測部IIa檢測出的磷酸水溶液的溫度成為規定的溫度(例如150°C?160°C)時，由電壓施加部15向儲存部11內的第I矽部件13與第2矽部件14之間施加電壓。由此，在第I矽部件13與第2矽部件14之間產生電位差，所以通過電分解，矽成為離子，溶解到磷酸水溶液中。
[0039]此時，儲存部11內的磷酸水溶液中的矽濃度，使用由電流計15b檢測出的電流值由控制部5來計算。如果該磷酸水溶液中的矽濃度成為規定的濃度，則通過控制部5將泵16a驅動，將儲存部11內的具有規定的矽濃度的磷酸水溶液經供給管道16向箱21供給。然後，當由檢測部21a檢測出的箱21內的磷酸水溶液的量成為規定量時，由控制部5停止泵16a的驅動。
[0040]在步驟S2中，將清洗液循環部3的泵22a通過控制部5驅動，箱21內的磷酸水溶液在循環管道22中循環。此時，循環管道22中途的開閉閥Vl是開狀態，噴出管道23中途的開閉閥V2是閉狀態。在循環管道22中流動的磷酸水溶液被加熱器22b加熱到一定溫度(例如150°C?160°C )，並且，由過濾器22c從在循環管道22中流動的磷酸水溶液中將異物(雜質)去除。該磷酸水溶液的循環進行到清洗部4的清洗開始為止。
[0041]在步驟S3中，指示清洗的開始，由檢測部21a檢測出的矽濃度是規定的濃度時，使循環管道22中途的開閉閥Vl成為閉狀態，使噴出管道23中途的開閉閥V2成為開狀態，從循環管道22向噴出管道23流過規定的矽濃度的磷酸水溶液。該磷酸水溶液在噴出管道23中前進，從該噴出管道23的前端部即噴嘴4b朝向基板W的表面噴出，由規定的矽濃度的磷酸水溶液將基板W上的氮化膜有選擇地除去。在該清洗時，基板W利用旋轉機構4a在平面內以一定的轉速旋轉。在規定的處理時間後，使循環管道22中途的開閉閥Vl成為開狀態，使噴出管道23中途的開閉閥V2成為閉狀態。由此，停止從噴出管道23噴出磷酸水溶液，在循環管道22中循環的磷酸水溶液的循環再次開始。
[0042]在清洗中，從基板W的表面向清洗部4的底面流下的磷酸水溶液，通過泵24a的驅動而在連接管道24中流動，被回收到箱21。此時，當由檢測部21a檢測出的箱21內的磷酸水溶液的矽濃度下降時，泵16a被控制部5驅動，儲存部11內的具有規定的矽濃度的磷酸水溶液經供給管道16被向箱21供給。然後，當由檢測部21a檢測出的箱21內的磷酸水溶液中的矽濃度成為規定的濃度時，泵16a的驅動被控制部5停止。
[0043]在步驟S4中，在上述磷酸水溶液的噴出停止後(清洗完成後)，使用噴出超純水或加熱後的超純水的噴嘴(未圖示)，用超純水或加熱後的超純水將基板W水洗，基板W在該水洗後被乾燥並被向接下來的製造工序運送。另外，在乾燥中，可以採用如下乾燥方法等，即:通過清洗部4的旋轉機構4a使基板W旋轉，通過其離心力將基板W上的水甩掉的乾燥方法、或在塗敷具有速乾性的有機溶劑(例如IPA:異丙醇)後與上述同樣地將基板W上的有機溶劑甩掉的乾燥方法等。
[0044]如以上說明的那樣，根據實施方式，將儲存部11內的磷酸水溶液加熱，使浸潰到儲存部11內的磷酸水溶液中的第I矽部件13與第2矽部件14之間產生電位差。由此，第I矽部件13與第2矽部件14產生電位差，通過電分解，矽成為離子，溶解到磷酸水溶液中。因此，容易得到希望的矽濃度的磷酸水溶液，能夠得到足夠的選擇比，所以能夠防止對半導體裝置的製造帶來妨礙從而製品品質下降，使製品品質提高。
[0045]此外，由於第I矽部件13及第2矽部件14中的雙方或一方是摻雜了硼或磷的矽部件，所以能夠使第I矽部件13或第2矽部件14為低電阻而使電傳導性提高。此外，由於硼或磷是在半導體中經常使用的元素，所以能夠抑制對半導體裝置的製造工藝的影響。
[0046]此外，通過使第I矽部件13與第2矽部件14之間在0.3V以上5.0V以下的範圍內產生電位差，來自第I矽部件13與第2矽部件14的矽溶解變得容易，還能夠防止第I矽部件13或第2矽部件14的兩表面的氧化膜(具有絕緣性)形成。因此，能夠可靠地得到希望的矽濃度的磷酸水溶液。
[0047]此外，通過將流過第I矽部件13及第2矽部件14的電流值用電流計15b檢測，根據該電流，按照法拉第的電分解法則，能夠容易且正確地得到儲存部11內的磷酸水溶液的矽濃度。
[0048]另外，在上述實施方式中，使用由電流計15b檢測出的電流值，計算儲存部11內的磷酸水溶液中的矽濃度，但作為該電流值的使用，除此以外例如也可以是，使用由電流計15b檢測出的電流值，控制電壓施加部15、即流過第I矽部件13及第2矽部件14的電流值，以使得抑制第I矽部件13的表面的氧化及第2矽部件14的表面的氧化。在此情況下，由於能夠防止第I矽部件13或第2矽部件14的兩表面的氧化膜形成，所以能夠可靠地得到希望的矽濃度的磷酸水溶液。此外，通過控制流過第I矽部件13及第2矽部件14的電流值，還能夠控制矽對儲存部11內的磷酸水溶液的溶解量，所以能夠更可靠地得到希望的矽濃度的磷酸水溶液。
[0049]此外，在上述實施方式中，使第I矽部件13的電位為正的電位，使第2矽部件14的電位為負的電位，來將各電位的正負固定，但並不限定於此，也可以反覆切換第I矽部件13和第2矽部件14相互的電位的正負。在此情況下，由於能夠防止第I矽部件13及第2矽部件14的兩表面的氧化膜形成，所以能夠可靠地得到希望的矽濃度的磷酸水溶液。另外，作為電位正負的切換方法，除了直流電源以外還可以使用交流電源作為電源15a，或者也可以使用將電壓用脈衝的正負進行切換的方法。
[0050]此外，在上述實施方式中，儲存部11是上部開放的箱，但並不限定於此，例如也可以使用這樣的結構，即:設置進行排氣以使得不將儲存部11的內部加壓的具有疏水閥(卜7 7°)結構的蓋，抑制磷酸水溶液的水分蒸發。
[0051]此外，在上述實施方式中，將儲存部11內的磷酸水溶液用加熱部12加熱，但並不限定於此，例如也可以不設置該加熱部12，在供給磷酸水溶液的供給源用其他加熱部將磷酸水溶液加熱後供給到儲存部11內，使接觸於第I矽部件13及第2矽部件14的磷酸水溶液的溫度成為比常溫高的溫度。即，既可以將磷酸水溶液積存在儲存部11中後進行加熱，也可以將磷酸水溶液加熱後積存在儲存部11中。但是，將儲存部11內的磷酸水溶液加熱能將磷酸水溶液的溫度維持一定，特別是，在第I矽部件13及第2矽部件14的矽溶解中也能夠調整磷酸水溶液的溫度。
[0052]此外，在上述實施方式中，在噴出管道23的中途沒有設置泵，但並不限定於此，例如也可以是，為了從噴出管道23以一定的流量將磷酸水溶液噴出，在噴出管道23的中途設置定量泵，通過該定量泵的驅動來將磷酸水溶液噴出。
[0053]此外，在上述實施方式中，使噴出管道23的噴嘴4b為固定狀態，但並不限定於此，例如也可以沿著利用旋轉機構4a而旋轉的基板W的表面(例如圓板狀的基板W的半徑方向)使噴出管道23的噴嘴4b往復移動。
[0054]此外，在上述實施方式中，使用對基板W —個個地進行處理的單片式清洗方法，但並不限定於此，例如也可以使用將多個基板W同時浸潰在處理槽中進行處理的批量式清洗方法。在該批量式清洗方法中，將噴出規定的矽濃度的磷酸水溶液的噴出管道23連接於批量式的處理槽，向該處理槽內供給規定的矽濃度的磷酸水溶液。在將磷酸水溶液以規定量供給到處理槽中之後，使處理槽內的磷酸水溶液流到與該處理槽相連的循環系統管道中並循環，通過加熱器保持為一定溫度。然後，將多個基板W通過自動裝置(robot)—次浸潰到該處理槽內的磷酸水溶液中，將這些基板W上的各氮化膜有選擇地除去。在規定的處理時間後，通過自動裝置從處理槽內的磷酸水溶液中將全部的基板W撈起，並立即浸潰到旁邊的超純水槽或溫超純水槽中，通過流水充分水洗後進行乾燥。
[0055]以上，說明了本發明的一些實施方式，但這些實施方式是作為例子提示的，並不意味著限定發明的範圍。這些新的實施方式能夠以其他各種形態實施，在不脫離發明的主旨的範圍內能夠進行各種省略、替換、變更。這些實施方式及其變形包含在發明的範圍及主旨中，並且包含在權利要求書所記載的發明及其等價的範圍中。
【權利要求】
1.一種清洗液生成裝置，其特徵在於，具備: 儲存部，儲存磷酸水溶液； 加熱部，將上述磷酸水溶液加熱； 第I矽部件及第2矽部件，浸潰在上述儲存部內的磷酸水溶液中；以及 電壓施加部，使上述第I矽部件與上述第2矽部件之間產生電位差。
2.如權利要求1所述的清洗液生成裝置，其特徵在於， 上述第I矽部件及上述第2矽部件雙方或一方是摻雜了硼或磷的矽部件。
3.如權利要求1或2所述的清洗液生成裝置，其特徵在於， 上述電壓施加部在0.3V以上5.0V以下的範圍內產生上述電位差。
4.如權利要求1或2所述的清洗液生成裝置，其特徵在於， 上述電壓施加部具備電流計，該電流計檢測流過上述第I矽部件及上述第2矽部件的電流值。
5.如權利要求4所述的清洗液生成裝置，其特徵在於， 該清洗液生成裝置還具備控制部，該控制部使用由上述電流計檢測出的上述電流值來控制上述電壓施加部，以使得抑制上述第I矽部件的表面的氧化及上述第2矽部件的表面的氧化。
6.如權利要求1或2所述的清洗液生成裝置，其特徵在於， 上述電壓施加部反覆切換上述第I矽部件和上述第2矽部件的相互的電位的正負。
7.一種清洗液生成方法，其特徵在於，具有以下工序: 將磷酸水溶液積存在儲存部中後進行加熱、或將磷酸水溶液加熱後積存在儲存部中的工序；以及 使浸潰在加熱後的上述儲存部內的磷酸水溶液中的第I矽部件與第2矽部件之間產生電位差的工序。
8.一種基板清洗裝置，其特徵在於，具備: 儲存部，儲存磷酸水溶液； 加熱部，將上述磷酸水溶液加熱； 第I矽部件及第2矽部件，浸潰在上述儲存部內的磷酸水溶液中； 電壓施加部，使上述第I矽部件與上述第2矽部件之間產生電位差；以及 清洗部，通過含有從上述第I矽部件或上述第2矽部件溶解的矽的磷酸水溶液將基板清洗。
9.一種基板清洗方法，其特徵在於，具有以下工序: 將磷酸水溶液積存在儲存部中後進行加熱、或將磷酸水溶液加熱後積存在儲存部中的工序； 使浸潰在加熱後的上述儲存部內的磷酸水溶液中的第I矽部件與第2矽部件之間產生電位差的工序；以及 通過含有從上述第I矽部件或上述第2矽部件溶解的矽的磷酸水溶液將基板清洗的工序。
【文檔編號】H01L21/02GK103579055SQ201310346630
【公開日】2014年2月12日 申請日期:2013年8月9日 優先權日:2012年8月9日
【發明者】宮崎邦浩, 檜森洋輔, 林航之介, 安部正泰 申請人:芝浦機械電子株式會社