日照屏蔽體及日照屏蔽體形成用分散液的製作方法
2023-09-19 23:50:05 2
專利名稱：日照屏蔽體及日照屏蔽體形成用分散液的製作方法
技術領域：
本發明涉及車輛、大樓、辦公樓、一般住宅等窗材以及電話盒、陳列窗、照明用燈、透明容器等使用的單板玻璃、複合玻璃、塑料等日照屏蔽體，特別涉及具有規定的日照屏蔽特性組件的日照屏蔽體和用於形成該日照屏蔽體的日照屏蔽體形成用分散液。
背景技術：
作為從陽光或電燈等外部光源除去·減少熱成分的方法，原來是在玻璃表面形成由反射紫外線的材料構成的被膜，製成熱線反射玻璃。然而，該材料選自FeOx、CoOx、CrOx、TiOx等金屬氧化物，或Ag、Au、Cu、Ni、Al等金屬材料。
但是，由於這些材料具有對於影響熱效果大的紅外線以外的可見光也同時反射或吸收的性質，所以，存在可見光透過率低的問題。特別是對建材、乘坐工具、電話盒等中使用的基材要求在可見光區域必須有高透過率，所以利用上述金屬氧化物等材料時其膜厚必須非常薄。因此，採用噴霧燒結或CVD法、或者濺射法或真空蒸鍍法等物理成膜法，成膜10nm水平的薄膜。
然而，這些成膜方法必須有大型裝置或真空設備，具有生產性及大面積化的難點，具有膜的製造成本高的缺點。另外，當欲採用這些材料來提高日照屏蔽特性時，可見光區域的反射率也同時有提高的傾向，也有給出鏡子一般的閃耀的外觀而有損美觀的缺點。另外，採用這些材料形成的膜，電阻較低，對電波的反射增高，例如，手提電話或電規、無線電收音機等電波反射而不能接收，對周邊地區引起電波障礙等缺點也存在。
為了改善這種缺點，作為膜的物理特性，要求其在可見光區域的光反射率低而在紅外線區域的反射率高，並且，膜的表面電阻值必須控制在約106Ω/□以上的膜。
另外，作為可見光透過率高，並且具有優良的日照屏蔽功能的材料，原來已知有銻錫氧化物(下面簡稱ATO)及銦錫氧化物(下面簡稱ITO)。
然而，由於這些材料的可見光反射率較低，難以給予閃耀的外觀。但是，由於在近紅外區域有等離子體頻率，故在接近可見光的近紅外區域，反射·吸收效果不充分。另外，這些材料由於單位重量的日照屏蔽能力低，為得到高屏蔽能力，其用量加大，存在成本升高的問題。
發明內容
本發明針對該問題點，其課題在於提供一種這種日照屏蔽體要求的新型適用標準，同時提供滿足該標準的日照屏蔽體和日照屏蔽體形成用分散液。
即，涉及日照屏蔽體的第一發明，該日照屏蔽體是含有日照屏蔽用微粒的日照屏蔽體，其特徵在於，其透過率在波長400～700nm有極大值，同時在波長700～1800nm有極小值，並且，當透過率極大值為P、透過率極小值為B、可見光透過率為VLT時，具有在60％≤VLT≤80％時滿足下式(1)的日照屏蔽特性P/B+0.2067×VLT≥17.5 (1)另外，涉及日照屏蔽體的第二發明，是含有日照屏蔽同微粒的日照屏蔽體，其特徵在於，其透過率在波長400～700nm有極大值，同時在波長700～1800nm有極小值，並且，當透過率極大值為P、透過率極小值為B、可見光透過率為VLT時，具有在38％≤VLT≤55％時滿足下式(2)的日照屏蔽特性P/B+2.4055×VLT≥133.6 (2)另外，涉及日照屏蔽體形成用分散液的發明，是具有溶劑和分散在該溶劑中的日照屏蔽用微粒的適於形成日照屏蔽體的日照屏蔽體形成用分散液，其使用平均1次粒徑在400nm或400nm以下，晶格常數為4.100～4.160，並且，在L*a*b*色度圖中粉體顏色L*為30～60、a*為-5～10、b*為-10～2的硼化物微粒構成上述日照屏蔽用微粒。
圖1是採用作為基準的日照屏蔽體形成用分散液製成的日照屏蔽體的VLT和P/B的關係圖。
圖2是表示實施例1涉及的日照屏蔽體的透過分布圖。
具體實施例方式
為了更詳細地說明本發明，參照附圖對其進行說明。
首先，本發涉及的日照屏蔽體，其特徵在於，如上所述，其透過率在波長400～700nm有極大值，同時在波長700～1800nm有極小值，並且，當透過率極大值為P、極小值為B、可見光透過率為VLT時，具有在60％≤VLT≤80％時滿足下式(1)，而在38％≤VLT≤55％時滿足下式(2)的日照屏蔽特性P/B+0.2067×VLT≥17.5 (1)P/B+2.4055×VLT≥133.6(2)在這裡，可見光透過率VLT，可按照可見光透過率計算法(JIS A 5759)算出，具體的是用分光光度計在波長380nm～780nm之間，用10nm間隔測定各波長的分光透過率τ(λ)，為從下列數學式(3)算出的值v=380780DV/380780DV---(3)]]>在這裡τv為可見光透過率VLT，Dλ為在CIE白晝光D65中的分光分布值(參照JIS A 5759的附表)、Vλ為CIE照明適應標準比視感度(明順応標準比視感度)、τ(λ)為分光透過率。還有，CIE為國際照明委員會的簡稱。
另外，上述數學式(1)、(2)，採用作為標準的日照屏蔽體形成用分散液(主要成分為硼化物微粒、樹脂粘合劑或無機粘合劑及有機溶劑)，例如，是用透明的3mm玻璃或透明的50μmPET膜等透明基體和用上述日照屏蔽體形成用分散液形成的膜厚10μm或10μm以下的被膜，構成該日照屏蔽特性顯示合格標準的日照屏蔽體，用分光光度計測定的從上述日照屏蔽體的透過分布圖，求出透過率的極大值P和透過率的極小值B，求出(極大值P/極小值B)之比，並且把該值(P/B)對可見光透率過率(VLT)作圖，與其同樣操作，改變上述被膜的膜厚(即，伴隨膜厚變化，該VLT也不同)，並且，重複製作幾個日照屏蔽特性顯示合格標誰的日照屏蔽體，分別測定透過分布圖，將該曲線近似為直線，從得到的直線可以得到。還有，作為膜厚10μm或10μm以下的上述被膜粘合劑，可以採用UV固化樹脂或矽酸鹽系粘合劑，只要在可見光區域透明即可而未作特別限定。
而且，日照屏蔽體中被膜透過率的極大值和極小值之比(P/B)，該值愈大日照屏蔽特性愈優良。這是由於硼化物微粒的透過率分布圖，在波長400～700nm有極大值，在波長700～1800nm有極小值，在可見光波長區380～780nm，在可見度550nm附近出現峰的釣鍾型所致。即，從該透過特性可知，可見光有效透過，而其他的熱線可有效反射·吸收。
例如，採用平均1次粒徑250nm、分散粒徑為600nm的LaB6微粒、UV固化樹脂及環戊酮和甲苯的混合液作為主成分的標準日照屏蔽體形成用分散液，製成可見光透過率(VLT)不同且日照屏蔽特性顯示互相合格標準的多種上述日照屏蔽體，同時，從製成的各日照屏蔽體分別求出(P/B)值，以橫軸作為VLT，以縱軸作為(P/B)進行作圖，根據該實驗結果，日照屏蔽特性達到顯示合格標準的各日照屏蔽體中的透過率的極大值與極小值之比(P/B)，如同圖1的○符號所示，伴隨著可見光透過率(VLT)值，有變至拋物線的傾向。但是，在作為日照屏蔽體有興趣的範圍的60％≤VLT≤80％中，以良好的精度近似於直線(數學式1)，在同樣感興趣的範圍38％≤VLT≤55％中也以良好的精度近似於直線(數學式2)。
而且，通過上述實驗確認的日照屏蔽特性顯示合格標準的日照屏蔽體中，透過率的極大值與極小值之比(P/B)，存在於上述數學式(1)或數學式(2)的用等號表示的直線上，故日照屏蔽體中的透過率的極大值與極小值之比(P/B)，在上述數學式(1)或數學式(2)的用等號表示的直線上的值相同，或比該值大時，該日照屏蔽體顯示具有充分的日照屏蔽特性。即，日照屏蔽體為了具有良好的日照屏蔽特性，必須滿足數學式(1)或數學式(2)。
其次，本發明中採用的日照屏蔽用微粒，可採用平均1次粒徑為400nm或400nm以下、晶格常數4.100～4.160，並且，在L*a*u*色度圖中粉體顏色L*為30～60、a*為-5～10、b*為-10～2的硼化物微粒構成上述日照屏蔽微粒，另外，作為上述硼化物微粒，可以舉出用XB6(式中，X選自Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Zr、Ba、Sr及Ca中的至少1種或1種以上)表示的六硼化物微粒。
在這裡，上述平均1次粒徑是按下法算出的值。即，往溶劑中放入硼化物粒子、分散劑、空心顆粒等，用塗料混合機將上述硼化物粒子粉碎·分散處理，在處理後蒸發溶劑，通過加熱分解除去分散劑後，測定硼化物粒子的比表面積(N2吸附法等)，從該測定值依下式算出的值。
D＝6/ρ×SA(式中d為1次平均粒徑，ρ為硼化物密度，SA為比表面積)而且，硼化物微粒，例如可用固相反應法或蒸發急冷法、等離子體CVD法等氣相法進行製造。
舉1例說明固相反應法，但只要具有上述粉體特性即可，而部限定於製造方法。
下面說明採用固相反應法的LaB6(硼化鑭)製造方法。首先，往硼化合物和鑭化合物中添加還原劑，使它們在高溫反應，生成硼化鑭。但是，採用一般的反應條件，生成1次平均粒徑超過400nm的粗粉末，得不到所希望的光學特性。在這裡，為了控制粒徑分布，例如在後工序採用噴射式磨機或珠磨機等機械方法進行粉碎，或添加粒子成長抑制劑進行配製。採用該法可以得到平均1次粒徑400nm或400nm以下的硼化鑭粒子。
另外，上述硼化物微粒，適用在國際照明委員會(CIE)推薦的L*a*b*色度圖中(JIS Z 8729)粉體顏色L*為30～60、a*為-5～10、b*為-10～2範圍內微粒。日照屏蔽體中使用的硼化物粒子，其表面未被氧化的優選，但通常得到的多數稍有氧化，另外，在微粒分散工序不可避免會引起某種程度的表面氧化。然而，即使在該場合，呈現日照屏蔽效果的有效性不會變化。但是，當該氧化的程度超過一定限度時，屏蔽效果顯著下降也是事實，上述粉末的特性範圍與粒子表面氧化程度有關。
另外，作為1例舉出六硼化物粒子(XB6)，作為結晶的完全性愈高，得到的日照屏蔽效果愈大。然而，即使結晶性低，X線衍射產生極寬大的衍射峰，微粒內部的基本結合仍由X和B鍵構成，如果平均1次粒徑為400nm或400nm以下、晶格常數4.100～4.160，並且，粉體顏色L*為30～60、a*為-5～10、b*為-10～2的範圍內，則可以呈現所希望的日照屏蔽效果。
其次，上述日照屏蔽體，可以把含有溶劑和分散在該溶劑中的硼化物粒子等日照屏蔽用微粒的日照屏蔽體形成用分散液塗布在適當的透明基材上，或把上述日照屏蔽體形成用分散液混入板、片、膜等中進行製造。
另外，通過使在上述溶劑中分散的硼化物微粒的分散粒徑充分細至800nm或800nm以下，並且，採用均勻分散的日照屏蔽體形成用分散液，可以得到滿足上述數學式(1)或數學式(2)條件的日照屏蔽體。
在這裡，所謂分散粒徑，意指溶劑中硼化物微粒的凝聚粒徑，可採用市場銷售的種種粒度分布計進行測定。例如，在硼化物微粒的凝聚體也存在的狀態下，從硼化物微粒在溶劑中分散的分散液中取樣，可採用以動態光散射法為原理的大塚電子(株)社製造的ELS-800進行測定。然而，上述硼化物微粒的分散粒徑希望在800nm或800nm以下。當形成超過800nm的大粒徑時，難以滿足上述數學式(1)或數學式(2)的條件，或有時形成透過率單調減小的灰色膜或成型體(板、片等)。另外，當含大量凝聚的粗大粒子時，形成作為光散射源的膜或成型體(板、片等)時濁度(霧度)加大，成為可見光透過率下降的原因，是不理想的。另外，硼化物微粒在溶劑中的分散方法，只要是均勻分散在分散液中的方法即可而未作特別限定，例如，可以舉出珠磨機、球磨機、砂磨機、塗料混合機、超聲均化器等。根據採用這些器材的分散處理條件，硼化物粒子在溶劑中分散的同時，因硼化物粒子彼此碰撞等而形成微粒，硼化物粒子從而可更微粒化進行分散(即被粉碎·分散處理)。
其次，上述日照屏蔽體形成用分散液，如上所述，是硼化物微粒在溶劑中分散的分散液，但對溶劑未作特別限定，最好根據塗布條件、塗布環境、及含有無機粘合劑或樹脂粘合劑時，與粘合劑相適應的適當選擇。例如，可以使用水或乙醇、丙醇、丁醇、異丙醇、異丁醇、二丙酮醇等醇類；甲醚、乙醚、丙醚等醚類；酯類；丙酮、甲乙酮、二乙酮、環己酮、異丁酮等酮類等各種有機溶劑，另外，可根據需要，添加酸或鹼調節pH。還有，為了更進一步提高分散液中的微粒分散穩定性，添加各種表面活性劑、偶合劑等，這是不言而喻的。
另外，在配合粘合劑時，對該無機粘合劑及樹脂粘合劑的種類未作特別限定。例如，作為無機粘合劑，可以舉出矽、鋯、鈦、或鋁的金屬烷氧基化物及這些的部分水解縮聚物或有機矽氧烷，另外，作為樹脂粘合劑，可以利用丙烯酸樹脂等熱塑性樹脂、環氧樹脂等熱固性樹脂或UV固化樹脂等。
另外，採用上述日照屏蔽體形成用分散液在透明基材上形成被膜時的膜導電性，由於沿著經由硼化物微粒的接觸處所的導電通路而得到，所以，例如通過增加或減少表面活性劑及偶合劑的量，可以部分切斷導電通路，使達到106Ω/□或106Ω/□以上的表面電阻值，從而容易使膜的導電性降低。另外，也可以通過增減無機粘合劑或樹脂粘合劑的含量控制導電性。
在日照屏蔽體形成用分散液中，為了提高膜強度，可以含有至少1種選自ZrO2、TiO2、Si3N4、SiC、SiO2、Al2O3、Y2O3的化合物。還有，作為含有選自ZrO2、TiO2、Si3N4、SiC、SiO2、Al2O3、Y2O3化合物的含量，希望把(上述化合物的重量/硼化合物微粒的重量)×100的值設定在0.1～250％的範圍。這是由於當小於0.1％時，有時未確認有添加效果，而當大於250％時，使硼化合物微粒的比例下降，由於日照屏蔽功能下降，分散液性能有時下降。
其次，本發明的日照屏蔽體，如上所述，可以把日照屏蔽體形成用分散液塗布在適當的透明基材上，或把上述日照屏蔽體形成用分散液混入板、片、膜等中進行製造。另外當上述日照屏蔽體由透明基材和其上形成的被膜構成時，日照屏蔽體形成用分散液中含有的樹脂粘合劑或無機粘合劑，可在塗布、固化後，使上述硼化物微粒對基材的粘合性提高，對進一步提高膜的強度也有效。另外，在這樣得到的被膜上，進一步被著由矽、鋯、鈦、或鋁的金屬烷氧基化物、及這些的部分水解縮聚物構成的被膜作為第2層，通過形成矽、鋯、鈦、或鋁的氧化物膜，可更加提高對以硼化物微粒作為主成分的被膜基材的粘合力及膜的硬度、耐氣候性。另外，在日照屏蔽體形成用分散液中不含有樹脂粘合劑或無機粘合劑時所得到的被膜，在基材上形成僅堆積上述硼化物微粒的膜結構。而且，即使這樣也顯示日照屏蔽效果，但在該膜上再塗布由矽、鋯、鈦、或鋁的金屬烷氧基化物、及這些的部分水解縮聚物等的含無機粘合劑或樹脂粘合劑的塗布液，形成被膜，來構成多層膜也可。通過這樣處理，由於上述塗布液成分嵌入第1層的硼化物微粒的堆積間隙而成膜，膜的霧度降低，可見光透過率提高，微粒對基材的粘合性提高。
其次，對把上述日照屏蔽體形成用分散液在適當的透明基材上塗布、形成被膜時的塗布方法未作特別限定。例如，可採用旋塗法、棒塗法、噴塗法、浸漬塗布法、絲網印刷法、輥筒塗布法、流延塗布法等，把分散液平坦、薄而均勻塗布的任何一種方法均可以採用。另外，作為含有無機粘合劑的矽、鋯、鈦、或鋁的金屬烷氧基化物、及這些的水解聚合物的分散液塗布後的基材加熱溫度，在低於100℃時，塗膜中含有的烷氧基化物或其水解聚合物的聚合反應未完成而殘留的情況多，水或有機溶劑殘留在膜中，成為加熱後膜的可見光透過率下降的原因，所以，100℃或100℃以上是優選的，更優選在分散液中溶劑的沸點以上進行加熱。另外，當使用樹脂粘合劑時，也可以採用各種固化方法進行固化。例如，如果採用紫外線固化樹脂，則適當照射紫外線，另外，如果是常溫固化樹脂，則在塗布後直接放置即可。因此，現有的窗玻璃等可在現場塗布。
並且，例如，由透明基材和其上形成的被膜所構成的本發明日照屏蔽體，由於硼化物微粒適度分散在上述被膜內，故結晶緻密地嵌入膜內而具有鏡面狀表面，與採用物理成膜法形成的氧化物薄膜相比，在可見光區域的反射少，可以避免形成閃耀的外觀。另一方面，由於從可見光區域至近紅外區具有等離子體頻率，所以，由此等離子體反射在近紅外區加大。另外，在想要更加抑制可見光區域的反射時，通過形成SiO2或MgF2等低折射率膜，可容易得到可視反射率1％或1％以下的多層膜。
其次，為了對本發明的日照屏蔽體再賦予紫外線屏蔽功能，也可以添加無機系的氧化鈦及氧化鋅、氧化鈰等粒子、有機系的二苯甲酮或苯並三唑等的1種或2種以上。另外，為了提高透過率，還可以再混合ATO、ITO、鋁添加氧化鋅等粒子。這些透明粒子，當添加量增加時，由於750nm附近的透過率增加，屏蔽近紅外線，所以，可得到可見光透過率高並且日照屏蔽特性更高的日照屏蔽體。另外，如在分散了ATO、ITO、鋁添加氧化鋅等粒子的分散液中添加本發明的日照屏蔽體形成用分散液，例如，上述LaB6(硼化鑭)的膜色由於著色而變成綠色膜，同時，也可以增加其日照屏蔽效果。此時，對於作為主體的ATO或ITO等即使稍許一點添加量也可以增強其日照屏蔽效果，ATO或ITO的必要量可大幅減少，分散液的成本降低。
另外，本發明的日照屏蔽體形成用分散液，由於不是由燒結時的熱而液體成分分解或利用化學反應來形成目的日照屏蔽體的分散液，所以，可以形成特性穩定的日照屏蔽體。
另外，發揮日照屏蔽效果的硼化物微粒是無機材料，與有機材料相比，耐氣候性優良，例如，即使在陽光(紫外線)直射的部位使用，顏色及諸性能的老化也幾乎不發生。
下面通過實施例對本發明加以具體說明。但本發明又不受以下實施例限定。
對於各實施例及各比較例中使用的微粒a～j的粉末色(標準光源D65，10°視野)或採用各微粒分散的分散液，得到的日照屏蔽體A～J的光學特性，用日立製作所(株)製造的分光光度計U-4000進行測定。
另外，關於日照屏蔽特性，從各日照屏蔽體的透過分布圖求出透過率的極大值P、極小值B及可見光透過率VLT，同時從得到的各數值求出上述數學式(1)P/B+0.2067×VLT≥17.5，或數學式(2)P/B+2.4055×VLT≥133.6的左邊值。
還有，各實施例的VLT，可通過被膜的膜厚或填料濃度加以控制。
實施例1把平均粒徑約2μm的LaB6粒子40重量％、高分子系分散劑12重量％、異丙醇48重量％，用已放入0.3mmφZrO2空心顆粒的塗料混合機，粉碎·分散處理24小時，配製LaB6分散液(A液)。另外，上述LaB6粒子通過該粉碎·分散處理，如下表1中所示的平均1次粒徑達到35nm。
其次，調整所得到的LaB6分散液內的LaB6微粒使其達到8g，把該分散液、UV固化樹脂12g、環戊酮和甲苯的混合液22g充分混合·攪拌，配製日照屏蔽體形成用分散液(B液)。在這裡，日照屏蔽體形成用分散液(B液)內的LaB6微粒的分散粒徑，如表1所示達到83nm。
另外，下表1中給出的「粉體顏色」及「晶格常數」的數值，是測定除去上述A液的溶劑後的微粒a的數值。
其次，採用棒(バ一)No.8(JIS K5400)棒塗機，在50μm厚的PET(聚對苯二甲酸乙二醇酯)膜上塗布上述日照屏蔽體形成用分散液(B液)後，在70℃、1分鐘的條件下用高壓水銀燈照射，得到實施例1的日照屏蔽體A。
所得到的日照屏蔽體A的透過分布圖示於圖2。
然後，把從該透過分布圖求出的透過率極大值P、極小值B及用上述可見光透過率計算法(JIS A 5759)算出的可見光透過率VLT的各數值，代入上述數學式(1)，算出日照屏蔽特性的結果達到下表1所示的24.6％。
因此，可以確認實施例1的日照屏蔽體A的日照屏蔽特性滿足合格標準。
實施例2除了採用Si3N4空心顆粒代替ZrO2空心顆粒以外，與實施例1同樣操作，製得實施例2的日照屏蔽體B。該日照屏蔽特性也示於表1。
實施例3
除了採用SiC空心顆粒代替ZrO2空心顆粒以外，與實施例1同樣操作，製得實施例3的日照屏蔽體C。該日照屏蔽特性也示於表1。
實施例4除了採用SiO2空心顆粒代替ZrO2空心顆粒以外，與實施例1同樣操作，製得實施例4的日照屏蔽體D。該日照屏蔽特性也示於表1。
實施例5除了採用Al2O3空心顆粒代替ZrO2空心顆粒以外，與實施例1同樣操作，製得實施例5的日照屏蔽體E。該日照屏蔽特性也示於表1。
實施例6除了採用Y2O3空心顆粒代替ZrO2空心顆粒以外，與實施例1同樣操作，製得實施例6的日照屏蔽體F。該日照屏蔽特性也示於表1。
實施例7除了採用TiO2空心顆粒代替ZrO2空心顆粒以外，與實施例1同樣操作，製得實施例7的日照屏蔽體G。該日照屏蔽特性也示於表1。
實施例8除了採用CeB6微粒代替LaB6微粒以外，與實施例1同樣操作，製得實施例8的日照屏蔽體H。該日照屏蔽特性也示於表1。
實施例9除了採用NdB6微粒代替LaB6微粒以外，與實施例1同樣操作，製得實施例9的日照屏蔽體I。該日照屏蔽特性也示於表1。
比較例1除了採用平均粒徑15μm LaB6微粒並且粉碎·分散處理後的平均1次粒徑353nm(參照表1)以及日照屏蔽體分散液中LaB6微粒的分散粒徑為910nm以外，與實施例1同樣操作，製得比較例1的日照屏蔽體J。該日照屏蔽特性也示於表1。
實施例10除了採用實施例1的B液配製法，使LaB6分散液中LaB6微粒達到8.8g，並且採用棒No.8(JIS K5400)棒塗機以外，與實施例1同樣操作，製得實施例10的日照屏蔽體K。
而且，從上述數學式(2)求出的日照屏蔽特性示於表1。
實施例11除了採用Si3N4空心顆粒代替ZrO2空心顆粒以外，與實施例10同樣操作，製得實施例11的日照屏蔽體L。從上述數學式(2)求出的日照屏蔽特性示於表1。
實施例12除了採用SiC空心顆粒代替ZrO2空心顆粒以外，與實施例10同樣操作，製得實施例12的日照屏蔽體M。從上述數學式(2)求出的日照屏蔽特性示於表1。
實施例13除了採用SiO2空心顆粒代替ZrO2空心顆粒以外，與實施例10同樣操作，製得實施例13的日照屏蔽體N。從上述數學式(2)求出的日照屏蔽特性示於表1。
實施例14除了採用Al2O3空心顆粒代替ZrO2空心顆粒以外，與實施例10同樣操作，製得實施例13的日照屏蔽體O。從上述數學式(2)求出的日照屏蔽特性示於表1。
實施例15
除了採用Y2O3空心顆粒代替ZrO2空心顆粒以外，與實施例10同樣操作，製得實施例15的日照屏蔽體P。從上述數學式(2)求出的日照屏蔽特性示於表1。
實施例16除了採用TiO2空心顆粒代替ZrO2空心顆粒以外，與實施例10同樣操作，製得實施例16的日照屏蔽體Q。從上述數學式(2)求出的日照屏蔽特性示於表1。
實施例17除了採用CeB6微粒代替LaB6微粒以外，與實施例10同樣操作，製得實施例17的日照屏蔽體R。從上述數學式(2)求出的日照屏蔽特性示於表1。
實施例18除了採用NdB6微粒代替LaB6微粒以外，與實施例10同樣操作，製得實施例18的日照屏蔽體S。從上述數學式(2)求出的日照屏蔽特性示於表1。
比較例2除了與比較例1同樣，採用LaB6微粒的分散粒徑為910nm的分散液以外，與實施例10同樣操作，製得比較例2的日照屏蔽體T。從上述數學式(2)求出的日照屏蔽特性示於表1。
評價從下表1中記載的日照屏蔽特性數值可以確認，除比較例1和2以外，各實施例的日照屏蔽體的日照屏蔽特性全部超過「17.5％」(VLT＝65％)或「133.6％」(VLT＝50％)，實施例的日照屏蔽特性優異。
另外，與實施例不同，比較例1的日照屏蔽體的日照屏蔽特性達到「17.5％」以下的「14.6％」、比較例2的日照屏蔽體的日照屏蔽特性達到「133.6％」以下的「122.2％」的理由是由於該日照屏蔽體形成用分散液中的LaB6微粒的分散粒徑超過800nm所致。
表1
(注)上述日照屏蔽特性(％)一欄的數值是，實施例1-9以及比較例1的VLT65％時的值，實施例10-18以及比較例2的VLT50％時的值。
產業上利用的可能性如上所述，由於本發明的日照屏蔽體具有優異的日照屏蔽特性，故適於車輛、大樓、辦公樓、一般住宅等窗材以及，電話盒、陳列窗、照明用燈、透明容器等使用的單板玻璃、複合玻璃、塑料等要求屏蔽特性的可見光透過材料。
權利要求
1.一種日照屏蔽體，其特徵在於，在含有日照屏蔽用微粒的日照屏蔽體中，其透過率在波長400～700nm有極大值，同時，在波長700～1800nm有極小值，並且，透過率極大值為P、極小值為B、可見光透過率為VLT時，具有在60％≤VLT≤80％時滿足下列數學式(1)的日照屏蔽特性P/B+0.2067×VLT≥17.5(1)。
2.一種日照屏蔽體，其特徵在於，在含有日照屏蔽用微粒的日照屏蔽體中，其透過率在波長400～700nm有極大值，同時，在波長700～1800nm有極小值，並且，透過率極大值為P、極小值為B、可見光透過率為VLT時，具有在38％≤VLT≤55％時滿足下列數學式(2)的日照屏蔽特性P/B+2.4055×VLT≥133.6(2)。
3.按照權利要求1或2所述的日照屏蔽體，其特徵在於，其由平均1次粒徑為400nm或400nm以下，晶格常數為4.100～4.160，並且，在L*a*b*色度圖中粉體顏色L*為30～60、a*為-5～10、b*為-10～2的硼化物微粒構成上述日照屏蔽體用微粒。
4.按照權利要求3所述的日照屏蔽體，其特徵在於，上述硼化物微粒是用XB6(式中，X為選自Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Zr、Ba、Sr及Ca中的至少1種或1種以上)表示的六硼化物微粒。
5.一種日照屏蔽體形成用分散液，其含有溶劑和在該溶劑中分散的日照屏蔽用微粒，適用於日照屏蔽體的形成，其特徵在於，上述日照屏蔽用微粒由權利要求3或4所述的硼化物微粒構成，並且，在溶劑中分散的硼化物微粒的分散粒徑為800nm或800nm以下。
6.按照上述權利要求5所述的日照屏蔽體形成用分散液，其特徵在於，含有至少1種選自ZrO2、TiO2、Si3N4、SiC、SiO2、Al2O3、Y2O3的化合物。
7.按照上述權利要求6所述的日照屏蔽體形成用分散液，其特徵在於，(上述化合物的重量/硼化物微粒的重量)×100設定在0.1～250％範圍。
8.一種日照屏蔽體，其特徵在於，採用權利要求5所述的日照屏蔽體形成用分散液來形成。
9.一種日照屏蔽體，其特徵在於，採用權利要求6或7所述的日照屏蔽體形成用分散液來形成。
全文摘要
本發明涉及的該日照屏蔽體，其特徵在於，透過率在波長400～700nm有極大值，同時，在波長700～1800nm有極小值，並且，當透過率極大值為P、極小值為B、可見光透過率為VLT時，具有在60％≤VLT≤80％時，滿足下列數學式(1)，在38％≤VLT≤55％時，滿足下列數學式(2)的日照屏蔽特性。P/B+0.2067×VLT≥1 7.5(1)；P/B+2.4055×VLT≥133.6 (2)。
文檔編號C03C14/00GK1708567SQ20038010243
公開日2005年12月14日 申請日期2003年12月18日 優先權日2003年1月23日
發明者長南武, 足立健治 申請人:住友金屬礦山株式會社