陣列基板及其製作方法、顯示裝置與流程

2023-08-22 17:37:31 1

本發明涉及顯示技術領域，特別是指一種陣列基板及其製作方法、顯示裝置。

背景技術：

目前，隨著顯示技術的發展，為了提升產品競爭力，顯示產品的解析度越來越高，顯示產品的解析度可以達到4K、甚至8K；同時，為了節省顯示產品的成本，GOA(Gate Driver on Array)技術得到了廣泛的應用，GOA技術即陣列基板行驅動技術，是利用薄膜電晶體(Thin Film Transistor)製程將柵極掃描驅動電路製作在薄膜電晶體陣列基板上，以實現逐行掃描的驅動方式，具有降低生產成本和實現面板窄邊框設計的優點，為多種顯示產品所使用。

由於顯示產品的解析度很高，顯示產品像素的行數可以達到幾千，導致每行像素的充電時間很短，在薄膜電晶體的有源層採用a-Si時，由於a-Si的遷移率比較低，所以很難保證顯示產品的充電率滿足要求；金屬氧化物半導體的遷移率遠遠高於a-Si，可以輕鬆滿足高解析度顯示產品的充電率要求，但是在採用金屬氧化物半導體作為薄膜電晶體的有源層時，在長時間偏壓作用下，薄膜電晶體的閾值電壓Vth漂移嚴重，使得薄膜電晶體的特性發生變化，GOA單元將不能實現正常的掃描功能，綜上所述，現有的高分辨顯示產品無法應用GOA技術。

技術實現要素：

本發明要解決的技術問題是提供一種陣列基板及其製作方法、顯示裝置，能夠使得高解析度顯示裝置應用GOA技術。

為解決上述技術問題，本發明的實施例提供技術方案如下：

一方面，提供一種陣列基板的製作方法，所述陣列基板包括顯示區域和GOA區域，所述製作方法包括：

利用金屬氧化物半導體材料製作所述顯示區域的第一薄膜電晶體的有源層；

利用非金屬氧化物的半導體材料製作所述GOA區域的第二薄膜電晶體的有源層。

進一步地，所述陣列基板的製作方法具體包括：

提供一襯底基板；

在所述襯底基板上沉積柵金屬層，對所述柵金屬層進行構圖形成所述第一薄膜電晶體的柵電極和所述第二薄膜電晶體的柵電極；

形成柵絕緣層；

在所述柵絕緣層上沉積非金屬氧化物的半導體層，對所述非金屬氧化物的半導體層進行構圖形成所述第二薄膜電晶體的有源層；

在所述柵絕緣層上沉積金屬氧化物半導體層，對所述金屬氧化物半導體層進行構圖形成所述第一薄膜電晶體的有源層；

在形成有所述第一薄膜電晶體的有源層和所述第二薄膜電晶體的有源層的襯底基板上沉積源漏金屬層，對所述源漏金屬層進行構圖形成所述第一薄膜電晶體的源電極、漏電極和所述第二薄膜電晶體的源電極、漏電極。

進一步地，所述陣列基板的製作方法具體包括：

提供一襯底基板；

在所述襯底基板上沉積柵金屬層，對所述柵金屬層進行構圖形成所述第一薄膜電晶體的柵電極和所述第二薄膜電晶體的柵電極；

形成柵絕緣層；

在所述柵絕緣層上沉積金屬氧化物半導體層，對所述金屬氧化物半導體層進行構圖形成所述第一薄膜電晶體的有源層；

在所述柵絕緣層上沉積非金屬氧化物的半導體層，對所述非金屬氧化物的半導體層進行構圖形成所述第二薄膜電晶體的有源層；

在形成有所述第一薄膜電晶體的有源層和所述第二薄膜電晶體的有源層的襯底基板上沉積源漏金屬層，對所述源漏金屬層進行構圖形成所述第一薄膜電晶體的源電極、漏電極和所述第二薄膜電晶體的源電極、漏電極。

進一步地，所述陣列基板的製作方法具體包括：

提供一襯底基板；

在所述襯底基板上沉積緩衝層；

在所述緩衝層上沉積非金屬氧化物的半導體層，對所述非金屬氧化物的半導體層進行構圖形成所述第二薄膜電晶體的有源層；

在所述緩衝層上沉積金屬氧化物半導體層，對所述金屬氧化物半導體層進行構圖形成所述第一薄膜電晶體的有源層；

在形成有所述第一薄膜電晶體的有源層和所述第二薄膜電晶體的有源層的襯底基板上沉積源漏金屬層，對所述源漏金屬層進行構圖形成所述第一薄膜電晶體的源電極、漏電極和所述第二薄膜電晶體的源電極、漏電極；

形成柵絕緣層；

在所述柵絕緣層上沉積柵金屬層，對所述柵金屬層進行構圖形成所述第一薄膜電晶體的柵電極和所述第二薄膜電晶體的柵電極。

進一步地，所述陣列基板的製作方法具體包括：

提供一襯底基板；

在所述襯底基板上沉積緩衝層；

在所述緩衝層上沉積金屬氧化物半導體層，對所述金屬氧化物半導體層進行構圖形成所述第一薄膜電晶體的有源層；

在所述緩衝層上沉積非金屬氧化物的半導體層，對所述非金屬氧化物的半導體層進行構圖形成所述第二薄膜電晶體的有源層；

在形成有所述第一薄膜電晶體的有源層和所述第二薄膜電晶體的有源層的襯底基板上沉積源漏金屬層，對所述源漏金屬層進行構圖形成所述第一薄膜電晶體的源電極、漏電極和所述第二薄膜電晶體的源電極、漏電極；

形成柵絕緣層；

在所述柵絕緣層上沉積柵金屬層，對所述柵金屬層進行構圖形成所述第一薄膜電晶體的柵電極和所述第二薄膜電晶體的柵電極。

進一步地，所述非金屬氧化物的半導體材料採用多晶矽或非晶矽；

所述金屬氧化物半導體材料採用IGZO、IZO、ZnON、CuO或SnO。

本發明實施例還提供了一種陣列基板，採用如上所述的製作方法製作得到，所述陣列基板包括顯示區域和GOA區域，所述顯示區域的第一薄膜電晶體的有源層採用金屬氧化物半導體材料，所述GOA區域的第二薄膜電晶體的有源層採用非金屬氧化物的半導體材料。

進一步地，所述陣列基板具體包括：

襯底基板；

位於所述襯底基板上的所述第一薄膜電晶體的柵電極和所述第二薄膜電晶體的柵電極；

柵絕緣層；

位於所述柵絕緣層上的所述第一薄膜電晶體的有源層和所述第二薄膜電晶體的有源層；

所述第一薄膜電晶體的源電極、漏電極和所述第二薄膜電晶體的源電極、漏電極。

進一步地，所述陣列基板具體包括：

襯底基板；

位於所述襯底基板上的緩衝層；

位於所述緩衝層上的所述第一薄膜電晶體的有源層和所述第二薄膜電晶體的有源層；

所述第一薄膜電晶體的源電極、漏電極和所述第二薄膜電晶體的源電極、漏電極；

柵絕緣層；

位於所述柵絕緣層上的所述第一薄膜電晶體的柵電極和所述第二薄膜電晶體的柵電極。

本發明實施例還提供了一種顯示裝置，包括如上所述的陣列基板。

本發明的實施例具有以下有益效果：

上述方案中，陣列基板的顯示區域的薄膜電晶體的有源層和GOA區域的薄膜電晶體的有源層採用不同的材料製成，陣列基板的顯示區域的薄膜電晶體的有源層採用金屬氧化物半導體材料製成，這樣當顯示產品的解析度很高時，由於金屬氧化物半導體材料的遷移率比較高，也能夠滿足高解析度顯示產品的充電率要求；陣列基板的GOA區域的薄膜電晶體的有源層採用非金屬氧化物的半導體材料製成，這樣能夠防止薄膜電晶體在長期偏壓作用下Vth漂移，保證薄膜電晶體的特性不會發生變化，保證GOA單元正常的掃描功能。通過本發明的技術方案，能夠使得高解析度顯示裝置應用GOA技術。

附圖說明

圖1為本發明實施例陣列基板的結構示意圖；

圖2為本發明實施例在襯底基板上形成第一薄膜電晶體和第二薄膜電晶體的柵電極後的示意圖；

圖3為本發明實施例形成柵絕緣層後的示意圖；

圖4為本發明實施例先在襯底基板上形成第一薄膜電晶體的有源層的示意圖；

圖5為本發明實施例後在襯底基板上形成第二薄膜電晶體的有源層的示意圖；

圖6為本發明實施例先在襯底基板上形成第二薄膜電晶體的有源層的示意圖。

附圖標記

1 襯底基板 2 顯示區域的薄膜電晶體的柵電極 3 柵絕緣層

4 顯示區域的薄膜電晶體的有源層 5顯示區域的薄膜電晶體的漏電極

6 顯示區域的薄膜電晶體的源電極 7GOA區域的薄膜電晶體的柵電極

8 GOA區域的薄膜電晶體的有源層 9GOA區域的薄膜電晶體的漏電極

10 GOA區域的薄膜電晶體的源電極

具體實施方式

為使本發明的實施例要解決的技術問題、技術方案和優點更加清楚，下面將結合附圖及具體實施例進行詳細描述。

本發明的實施例針對現有技術中高分辨顯示產品無法應用GOA技術的問題，提供一種陣列基板及其製作方法、顯示裝置，能夠使得高解析度顯示裝置應用GOA技術。

實施例一

本實施例提供一種陣列基板的製作方法，所述陣列基板包括顯示區域和GOA區域，所述製作方法包括：

利用金屬氧化物半導體材料製作所述顯示區域的第一薄膜電晶體的有源層；

利用非金屬氧化物的半導體材料製作所述GOA區域的第二薄膜電晶體的有源層。

本實施例中，陣列基板的顯示區域的薄膜電晶體的有源層和GOA區域的薄膜電晶體的有源層採用不同的材料製成，陣列基板的顯示區域的薄膜電晶體的有源層採用金屬氧化物半導體材料製成，這樣當顯示產品的解析度很高時，由於金屬氧化物半導體材料的遷移率比較高，也能夠滿足高解析度顯示產品的充電率要求；陣列基板的GOA區域的薄膜電晶體的有源層採用非金屬氧化物的半導體材料製成，這樣能夠防止薄膜電晶體在長期偏壓作用下Vth漂移，保證薄膜電晶體的特性不會發生變化，保證GOA單元正常的掃描功能。通過本發明的技術方案，能夠使得高解析度顯示裝置應用GOA技術。

具體實施例中，在製作底柵型的陣列基板中，可以先形成顯示區域的薄膜電晶體的有源層，再形成GOA區域的薄膜電晶體的有源層。所述陣列基板的製作方法具體包括：

提供一襯底基板；

在所述襯底基板上沉積柵金屬層，對所述柵金屬層進行構圖形成所述第一薄膜電晶體的柵電極和所述第二薄膜電晶體的柵電極；

形成柵絕緣層；

在所述柵絕緣層上沉積非金屬氧化物的半導體層，對所述非金屬氧化物的半導體層進行構圖形成所述第二薄膜電晶體的有源層；

在所述柵絕緣層上沉積金屬氧化物半導體層，對所述金屬氧化物半導體層進行構圖形成所述第一薄膜電晶體的有源層；

在形成有所述第一薄膜電晶體的有源層和所述第二薄膜電晶體的有源層的襯底基板上沉積源漏金屬層，對所述源漏金屬層進行構圖形成所述第一薄膜電晶體的源電極、漏電極和所述第二薄膜電晶體的源電極、漏電極。

具體實施例中，在製作底柵型的陣列基板中，可以先形成GOA區域的薄膜電晶體的有源層，再形成顯示區域的薄膜電晶體的有源層。所述陣列基板的製作方法具體包括：

提供一襯底基板；

在所述襯底基板上沉積柵金屬層，對所述柵金屬層進行構圖形成所述第一薄膜電晶體的柵電極和所述第二薄膜電晶體的柵電極；

形成柵絕緣層；

在所述柵絕緣層上沉積金屬氧化物半導體層，對所述金屬氧化物半導體層進行構圖形成所述第一薄膜電晶體的有源層；

在所述柵絕緣層上沉積非金屬氧化物的半導體層，對所述非金屬氧化物的半導體層進行構圖形成所述第二薄膜電晶體的有源層；

在形成有所述第一薄膜電晶體的有源層和所述第二薄膜電晶體的有源層的襯底基板上沉積源漏金屬層，對所述源漏金屬層進行構圖形成所述第一薄膜電晶體的源電極、漏電極和所述第二薄膜電晶體的源電極、漏電極。

具體實施例中，在製作頂柵型的陣列基板中，可以先形成GOA區域的薄膜電晶體的有源層，再形成顯示區域的薄膜電晶體的有源層。所述陣列基板的製作方法具體包括：

提供一襯底基板；

在所述襯底基板上沉積緩衝層；

在所述緩衝層上沉積非金屬氧化物的半導體層，對所述非金屬氧化物的半導體層進行構圖形成所述第二薄膜電晶體的有源層；

在所述緩衝層上沉積金屬氧化物半導體層，對所述金屬氧化物半導體層進行構圖形成所述第一薄膜電晶體的有源層；

在形成有所述第一薄膜電晶體的有源層和所述第二薄膜電晶體的有源層的襯底基板上沉積源漏金屬層，對所述源漏金屬層進行構圖形成所述第一薄膜電晶體的源電極、漏電極和所述第二薄膜電晶體的源電極、漏電極；

形成柵絕緣層；

在所述柵絕緣層上沉積柵金屬層，對所述柵金屬層進行構圖形成所述第一薄膜電晶體的柵電極和所述第二薄膜電晶體的柵電極。

具體實施例中，在製作頂柵型的陣列基板中，可以先形成顯示區域的薄膜電晶體的有源層，再形成GOA區域的薄膜電晶體的有源層。所述陣列基板的製作方法具體包括：

提供一襯底基板；

在所述襯底基板上沉積緩衝層；

在所述緩衝層上沉積金屬氧化物半導體層，對所述金屬氧化物半導體層進行構圖形成所述第一薄膜電晶體的有源層；

在所述緩衝層上沉積非金屬氧化物的半導體層，對所述非金屬氧化物的半導體層進行構圖形成所述第二薄膜電晶體的有源層；

在形成有所述第一薄膜電晶體的有源層和所述第二薄膜電晶體的有源層的襯底基板上沉積源漏金屬層，對所述源漏金屬層進行構圖形成所述第一薄膜電晶體的源電極、漏電極和所述第二薄膜電晶體的源電極、漏電極；

形成柵絕緣層；

在所述柵絕緣層上沉積柵金屬層，對所述柵金屬層進行構圖形成所述第一薄膜電晶體的柵電極和所述第二薄膜電晶體的柵電極。

進一步地，所述非金屬氧化物的半導體材料具體可以採用多晶矽或非晶矽；所述金屬氧化物半導體材料具體可以採用IGZO、IZO、ZnON、CuO或SnO。

實施例二

下面以製作底柵型的陣列基板為例，結合附圖對本發明的陣列基板的製作方法進行進一步介紹：

本實施例的陣列基板的製作方法具體包括以下步驟：

步驟1、如圖2所示，提供一襯底基板1，在襯底基板1上形成顯示區域的薄膜電晶體的柵電極2、GOA區域的薄膜電晶體的柵電極7和柵線的圖形；

其中，襯底基板可為玻璃基板或石英基板。具體地，可以採用濺射或熱蒸發的方法在襯底基板1上沉積厚度約為的柵金屬層，柵金屬層可以是Cu，Al，Ag，Mo，Cr，Nd，Ni，Mn，Ti，Ta，W等金屬以及這些金屬的合金，柵金屬層可以為單層結構或者多層結構，多層結構比如Cu\Mo,Ti\Cu\Ti，Mo\Al\Mo等。在柵金屬層上塗覆一層光刻膠，採用掩膜板對光刻膠進行曝光，使光刻膠形成光刻膠未保留區域和光刻膠保留區域，其中，光刻膠保留區域對應於柵線和柵電極的圖形所在區域，光刻膠未保留區域對應於上述圖形以外的區域；進行顯影處理，光刻膠未保留區域的光刻膠被完全去除，光刻膠保留區域的光刻膠厚度保持不變；通過刻蝕工藝完全刻蝕掉光刻膠未保留區域的柵金屬薄膜，剝離剩餘的光刻膠，形成顯示區域的薄膜電晶體的柵電極2、GOA區域的薄膜電晶體的柵電極7和柵線的圖形。

步驟2、如圖3所示，在完成步驟1的襯底基板1上形成柵絕緣層3；

具體地，可以採用等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)方法在完成步驟1的襯底基板1上沉積厚度為的柵絕緣層3，柵絕緣層3可以選用氧化物、氮化物或者氧氮化合物，對應的反應氣體是SiH4、NH3、N2或SiH2Cl2、NH3、N2。

步驟3、如圖4所示，在柵絕緣層3上沉積金屬氧化物的半導體層，對金屬氧化物的半導體層進行構圖形成顯示區域的薄膜電晶體的有源層4；

具體地，在柵絕緣層3上沉積一層金屬氧化物的半導體材料，金屬氧化物半導體材料具體可以採用IGZO、IZO、ZnON、CuO或SnO。在金屬氧化物的半導體材料上塗覆一層光刻膠，採用半色調或灰色調掩膜板對光刻膠進行曝光，使光刻膠形成光刻膠未保留區域和光刻膠完全保留區域，其中，光刻膠完全保留區域對應於顯示區域的薄膜電晶體的有源層4所在區域，光刻膠未保留區域對應於顯示區域的薄膜電晶體的有源層4的圖形以外的區域；進行顯影處理，光刻膠未保留區域的光刻膠被完全去除，光刻膠完全保留區域的光刻膠厚度保持不變，通過刻蝕工藝完全刻蝕掉光刻膠未保留區域的金屬氧化物的半導體材料，形成顯示區域的薄膜電晶體的有源層4的圖形，剝離剩餘的光刻膠。

步驟4、如圖5所示，在柵絕緣層3上沉積非金屬氧化物半導體層，對非金屬氧化物半導體層進行構圖形成GOA區域的薄膜電晶體的有源層8；

具體地，在柵絕緣層3上沉積一層非金屬氧化物的半導體材料，非金屬氧化物的半導體材料具體可以採用多晶矽或非晶矽。在非金屬氧化物的半導體材料上塗覆一層光刻膠，採用半色調或灰色調掩膜板對光刻膠進行曝光，使光刻膠形成光刻膠未保留區域和光刻膠完全保留區域，其中，光刻膠完全保留區域對應於GOA區域的薄膜電晶體的有源層8所在區域，光刻膠未保留區域對應於GOA區域的薄膜電晶體的有源層8的圖形以外的區域；進行顯影處理，光刻膠未保留區域的光刻膠被完全去除，光刻膠完全保留區域的光刻膠厚度保持不變，通過刻蝕工藝完全刻蝕掉光刻膠未保留區域的非金屬氧化物的半導體材料，形成GOA區域的薄膜電晶體的有源層8的圖形，剝離剩餘的光刻膠。

步驟5、如圖1所示，在經過步驟4的襯底基板1上形成顯示區域的薄膜電晶體的源電極5、漏電極6、GOA區域的薄膜電晶體的源電極9、漏電極10和數據線。

具體地，可以在完成步驟4的襯底基板1上採用磁控濺射、熱蒸發或其它成膜方法沉積一層厚度約為的源漏金屬層，源漏金屬層可以是Cu，Al，Ag，Mo，Cr，Nd，Ni，Mn，Ti，Ta，W等金屬以及這些金屬的合金。源漏金屬層可以是單層結構或者多層結構，多層結構比如Cu\Mo，Ti\Cu\Ti，Mo\Al\Mo等。在源漏金屬層上塗覆一層光刻膠，採用掩膜板對光刻膠進行曝光，使光刻膠形成光刻膠未保留區域和光刻膠保留區域，其中，光刻膠保留區域對應於源電極、漏電極和數據線的圖形所在區域，光刻膠未保留區域對應於上述圖形以外的區域；進行顯影處理，光刻膠未保留區域的光刻膠被完全去除，光刻膠保留區域的光刻膠厚度保持不變；通過刻蝕工藝完全刻蝕掉光刻膠未保留區域的源漏金屬層，剝離剩餘的光刻膠，形成顯示區域的薄膜電晶體的源電極5、漏電極6、GOA區域的薄膜電晶體的源電極9、漏電極10和數據線。

經過上述步驟即可在襯底基板上製作完成顯示區域的薄膜電晶體和GOA區域的薄膜電晶體，之後可以在形成有顯示區域的薄膜電晶體和GOA區域的薄膜電晶體的襯底基板上形成鈍化層和像素電極，即可製作得到陣列基板。

實施例三

下面以製作底柵型的陣列基板為例，結合附圖對本發明的陣列基板的製作方法進行進一步介紹：

本實施例的陣列基板的製作方法具體包括以下步驟：

步驟1、如圖2所示，提供一襯底基板1，在襯底基板1上形成顯示區域的薄膜電晶體的柵電極2、GOA區域的薄膜電晶體的柵電極7和柵線的圖形；

其中，襯底基板可為玻璃基板或石英基板。具體地，可以採用濺射或熱蒸發的方法在襯底基板1上沉積厚度約為的柵金屬層，柵金屬層可以是Cu，Al，Ag，Mo，Cr，Nd，Ni，Mn，Ti，Ta，W等金屬以及這些金屬的合金，柵金屬層可以為單層結構或者多層結構，多層結構比如Cu\Mo,Ti\Cu\Ti，Mo\Al\Mo等。在柵金屬層上塗覆一層光刻膠，採用掩膜板對光刻膠進行曝光，使光刻膠形成光刻膠未保留區域和光刻膠保留區域，其中，光刻膠保留區域對應於柵線和柵電極的圖形所在區域，光刻膠未保留區域對應於上述圖形以外的區域；進行顯影處理，光刻膠未保留區域的光刻膠被完全去除，光刻膠保留區域的光刻膠厚度保持不變；通過刻蝕工藝完全刻蝕掉光刻膠未保留區域的柵金屬薄膜，剝離剩餘的光刻膠，形成顯示區域的薄膜電晶體的柵電極2、GOA區域的薄膜電晶體的柵電極7和柵線的圖形。

步驟2、如圖3所示，在完成步驟1的襯底基板1上形成柵絕緣層3；

具體地，可以採用等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)方法在完成步驟1的襯底基板1上沉積厚度為的柵絕緣層3，柵絕緣層3可以選用氧化物、氮化物或者氧氮化合物，對應的反應氣體是SiH4、NH3、N2或SiH2Cl2、NH3、N2。

步驟3、如圖6所示，在柵絕緣層3上沉積非金屬氧化物半導體層，對非金屬氧化物半導體層進行構圖形成GOA區域的薄膜電晶體的有源層8；

具體地，在柵絕緣層3上沉積一層非金屬氧化物的半導體材料，非金屬氧化物的半導體材料具體可以採用多晶矽或非晶矽。在非金屬氧化物的半導體材料上塗覆一層光刻膠，採用半色調或灰色調掩膜板對光刻膠進行曝光，使光刻膠形成光刻膠未保留區域和光刻膠完全保留區域，其中，光刻膠完全保留區域對應於GOA區域的薄膜電晶體的有源層8所在區域，光刻膠未保留區域對應於GOA區域的薄膜電晶體的有源層8的圖形以外的區域；進行顯影處理，光刻膠未保留區域的光刻膠被完全去除，光刻膠完全保留區域的光刻膠厚度保持不變，通過刻蝕工藝完全刻蝕掉光刻膠未保留區域的非金屬氧化物的半導體材料，形成GOA區域的薄膜電晶體的有源層8的圖形，剝離剩餘的光刻膠。

步驟4、如圖5所示，在柵絕緣層3上沉積金屬氧化物的半導體層，對金屬氧化物的半導體層進行構圖形成顯示區域的薄膜電晶體的有源層4；

具體地，在柵絕緣層3上沉積一層金屬氧化物的半導體材料，金屬氧化物半導體材料具體可以採用IGZO、IZO、ZnON、CuO或SnO。在金屬氧化物的半導體材料上塗覆一層光刻膠，採用半色調或灰色調掩膜板對光刻膠進行曝光，使光刻膠形成光刻膠未保留區域和光刻膠完全保留區域，其中，光刻膠完全保留區域對應於顯示區域的薄膜電晶體的有源層4所在區域，光刻膠未保留區域對應於顯示區域的薄膜電晶體的有源層4的圖形以外的區域；進行顯影處理，光刻膠未保留區域的光刻膠被完全去除，光刻膠完全保留區域的光刻膠厚度保持不變，通過刻蝕工藝完全刻蝕掉光刻膠未保留區域的金屬氧化物的半導體材料，形成顯示區域的薄膜電晶體的有源層4的圖形，剝離剩餘的光刻膠。

步驟5、如圖1所示，在經過步驟4的襯底基板1上形成顯示區域的薄膜電晶體的源電極5、漏電極6、GOA區域的薄膜電晶體的源電極9、漏電極10和數據線。

具體地，可以在完成步驟4的襯底基板1上採用磁控濺射、熱蒸發或其它成膜方法沉積一層厚度約為的源漏金屬層，源漏金屬層可以是Cu，Al，Ag，Mo，Cr，Nd，Ni，Mn，Ti，Ta，W等金屬以及這些金屬的合金。源漏金屬層可以是單層結構或者多層結構，多層結構比如Cu\Mo，Ti\Cu\Ti，Mo\Al\Mo等。在源漏金屬層上塗覆一層光刻膠，採用掩膜板對光刻膠進行曝光，使光刻膠形成光刻膠未保留區域和光刻膠保留區域，其中，光刻膠保留區域對應於源電極、漏電極和數據線的圖形所在區域，光刻膠未保留區域對應於上述圖形以外的區域；進行顯影處理，光刻膠未保留區域的光刻膠被完全去除，光刻膠保留區域的光刻膠厚度保持不變；通過刻蝕工藝完全刻蝕掉光刻膠未保留區域的源漏金屬層，剝離剩餘的光刻膠，形成顯示區域的薄膜電晶體的源電極5、漏電極6、GOA區域的薄膜電晶體的源電極9、漏電極10和數據線。

經過上述步驟即可在襯底基板上製作完成顯示區域的薄膜電晶體和GOA區域的薄膜電晶體，之後可以在形成有顯示區域的薄膜電晶體和GOA區域的薄膜電晶體的襯底基板上形成鈍化層和像素電極，即可製作得到陣列基板。

實施例四

本實施例提供了一種陣列基板，採用如上所述的製作方法製作得到，所述陣列基板包括顯示區域和GOA區域，所述顯示區域的第一薄膜電晶體的有源層採用金屬氧化物半導體材料，所述GOA區域的第二薄膜電晶體的有源層採用非金屬氧化物的半導體材料。

本實施例中，陣列基板的顯示區域的薄膜電晶體的有源層和GOA區域的薄膜電晶體的有源層採用不同的材料製成，陣列基板的顯示區域的薄膜電晶體的有源層採用金屬氧化物半導體材料製成，這樣當顯示產品的解析度很高時，由於金屬氧化物半導體材料的遷移率比較高，也能夠滿足高解析度顯示產品的充電率要求；陣列基板的GOA區域的薄膜電晶體的有源層採用非金屬氧化物的半導體材料製成，這樣能夠防止薄膜電晶體在長期偏壓作用下Vth漂移，保證薄膜電晶體的特性不會發生變化，保證GOA單元正常的掃描功能。通過本發明的技術方案，能夠使得高解析度顯示裝置應用GOA技術。

進一步地，在陣列基板為底柵型的陣列基板時，所述陣列基板具體包括：

襯底基板；

位於所述襯底基板上的所述第一薄膜電晶體的柵電極和所述第二薄膜電晶體的柵電極；

柵絕緣層；

位於所述柵絕緣層上的所述第一薄膜電晶體的有源層和所述第二薄膜電晶體的有源層；

所述第一薄膜電晶體的源電極、漏電極和所述第二薄膜電晶體的源電極、漏電極。

進一步地，在陣列基板為頂柵型的陣列基板時，所述陣列基板具體包括：

襯底基板；

位於所述襯底基板上的緩衝層；

位於所述緩衝層上的所述第一薄膜電晶體的有源層和所述第二薄膜電晶體的有源層；

所述第一薄膜電晶體的源電極、漏電極和所述第二薄膜電晶體的源電極、漏電極；

柵絕緣層；

位於所述柵絕緣層上的所述第一薄膜電晶體的柵電極和所述第二薄膜電晶體的柵電極。

實施例五

本實施例提供了一種顯示裝置，包括如上所述的陣列基板。所述顯示裝置可以為：液晶電視、液晶顯示器、數碼相框、手機、平板電腦等任何具有顯示功能的產品或部件，其中，所述顯示裝置還包括柔性電路板、印刷電路板和背板。

本實施例中，顯示裝置的顯示區域的薄膜電晶體的有源層和GOA區域的薄膜電晶體的有源層採用不同的材料製成，陣列基板的顯示區域的薄膜電晶體的有源層採用金屬氧化物半導體材料製成，這樣當顯示產品的解析度很高時，由於金屬氧化物半導體材料的遷移率比較高，也能夠滿足高解析度顯示產品的充電率要求；陣列基板的GOA區域的薄膜電晶體的有源層採用非金屬氧化物的半導體材料製成，這樣能夠防止薄膜電晶體在長期偏壓作用下Vth漂移，保證薄膜電晶體的特性不會發生變化，保證GOA單元正常的掃描功能。通過本發明的技術方案，能夠使得高解析度顯示裝置應用GOA技術。

以上所述是本發明的優選實施方式，應當指出，對於本技術領域的普通技術人員來說，在不脫離本發明所述原理的前提下，還可以作出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也應視為本發明的保護範圍。