氧化矽玻璃坩堝及其製造方法
2023-09-18 01:23:40 1
專利名稱：氧化矽玻璃坩堝及其製造方法
技術領域：
本發明涉及ー種氧化矽(silica)玻璃坩堝及其製造方法。
背景技術：
一般來講，作為半導體製造用單晶矽的製造方法廣泛使用切克勞斯基法(CZ法)。在這種CZ法中，如圖I及圖2所示，首先，將單晶的晶種102浸潰於熔融在氧化矽玻璃制坩堝100內的多晶矽101中。此時，由於晶種102受到急劇的熱衝擊，在晶種前端部發生位錯。為了除去該位錯，利用規定方法形成頸部103，由此防止位錯延續到其後成長的矽上。此後，ー邊控制拉晶速度以及融液溫度，ー邊旋轉晶種102並緩慢提升，由此逐漸加大直徑而形成肩部104。達到預期直徑之後，控制保持一定直徑並繼續提升，由此形成直筒部105。最後，慢慢縮小直徑而形成尾部106,由此製造單晶娃徒107ο 通常,對於這種單晶娃拉晶用的氧化娃玻璃;t甘禍(vitreous silica crucible)來說，如圖I所示，為了提高坩堝的機械強度而在外側部分使用天然氧化矽玻璃108，在內側部分使用避免雜質混入的合成氧化矽玻璃109。在此，所謂「天然氧化矽玻璃」是指以天然氧化矽粉為原料所形成的氧化矽玻璃，所謂「合成氧化矽玻璃」是指以合成氧化矽粉為原料所形成的氧化矽玻璃。一般來講，在該合成氧化矽玻璃109和矽熔液101之間的界面上，發生SiO2 (固體)一Si (液體)+20的反應，由此熔化合成氧化矽玻璃109。進行單晶矽拉晶時，根據拉晶溫度的上升或周邊環境壓力的降低等因素，發生Si(液體)+O — SiO(氣體)的反應，由此產生SiO氣體，如圖3(a)以及圖3(b)所示，存在因矽熔液101從合成氧化矽玻璃109表面彈出而產生熔液面振動的可能性。在圖3(a)以及圖3(b)中，為了清楚地表示熔液面振動狀態，誇張地描繪了熔液面振動。如果發生這種熔液面振動，則無法將晶種102接合到平坦的熔液面，並且，在拉晶過程中會發生矽的多晶化等問題。特別是，作為單晶矽拉晶エ序之初期階段的晶種附著和肩部形成エ序中，容易受到熔液面振動的影響，其大大影響被提升的單晶矽錠的品質。為此，期待著能研究出一種在這些エ序中能夠抑制矽熔液的熔液面振動的技術。專利文獻I中掲示了一種為了抑制填充到氧化矽玻璃坩堝內的矽熔液的熔液面振動，而將開始拉晶時的熔液面附近的坩堝內周面層的氣泡含有率調整到一定範圍內的技木。該項技術是發現拉晶開始時的矽熔液的熔液面振動會受該熔液面附近的坩堝內表面層的氣泡含有率的影響的現象而研究出來的的。作為一例，氧化娃玻璃i甘禍內含有大量氣泡時，隨著進行如上所述的Si02(固體)一Si (液體)+20的反應，導致氧化矽玻璃熔化，由此產生如圖4所示的開ロ氣泡201。該開ロ氣泡201能以如同沸騰石防止突沸的原理來抑制熔液面振動。背景技術文獻
專利文獻
專利文獻I日本專利申請特開2004-250304號公報。
發明內容
發明要解決的課題
然而，在專利文獻I所述技術中，由於在氧化矽玻璃中含有大量氣泡202，因此，實際上，相對氧化矽玻璃坩堝體積的坩堝本身所佔比例變小。因此相較於不設置氣泡的場合，存在ー種溶解速度變快的問題，其導致縮短氧化矽玻璃坩堝壽命的問題。近幾年，為了提升大口徑單晶矽，需要大口徑的坩堝，與此相伴，導致氧化矽玻璃坩堝的高價化，因此，除了上述熔液面振動的抑制效果之外，還期待著溶解速度小、壽命長的氧化矽玻璃坩堝。並且，坩堝周壁部內面正下方的未開ロ氣泡在拉晶過程中膨脹並破裂，其引起氧化矽片混入到矽熔液中的問題，業界一直以來期待著單晶矽成品率的提高。本發明的目的在於提供一種能夠抑制填充在坩堝內部的矽熔液的熔液面振動，並且，壽命長的單晶矽拉晶用氧化矽玻璃坩堝及其製造方法。解決課題的手段為了達到上述目的，本發明的主要構成如下所述。(I) 一種單晶矽拉晶用氧化矽玻璃坩堝，具有周壁部、彎曲部及底部，其特徵在於上述周壁部內面的特定區域上設置有多個微小凹部。(2)根據上述(I)所述的單晶矽拉晶用氧化矽玻璃坩堝，其中，上述特定區域位幹，將上述氧化矽玻璃坩堝的高度為H時的、從上述底部測量的O. 50H O. 99H區域內。(3)根據上述(I)所述的單晶矽拉晶用氧化矽玻璃坩堝，其中，在上述特定區域中，在上述氧化矽玻璃坩堝的高度方向上，在每ー個以O. Imm 5. Omm的範圍間隔劃分的圓環狀內面部分上，具有至少I個上述微小凹部。(4)根據上述(I)所述的單晶矽拉晶用氧化矽玻璃坩堝，其中，上述微小凹部的平均直徑的範圍是I 500 μ m。(5)根據上述(I)所述的單晶矽拉晶用氧化矽玻璃坩堝，其中，上述微小凹部的平均深度的範圍是上述周壁部的坩堝厚度之O. 05% 50%。(6)根據上述(I)所述的單晶矽拉晶用氧化矽玻璃坩堝，其中，上述微小凹部的平均直徑與上述微小凹部的平均深度之比小於O. 8。(7) 一種單晶矽拉晶用氧化矽玻璃坩堝的製造方法，其中，該單晶矽拉晶用氧化矽玻璃坩堝具有周壁部、彎曲部及底部，並且，其形成為以天然氧化矽玻璃層為外層以及以合成氧化矽玻璃層為內層的兩層結構，該方法的特徵在於包括形成由天然氧化矽粉構成的外層的エ序；在上述外層的內面上形成由合成氧化矽粉構成的內層的エ序；從上述內層的內面側產生電弧放電並熔化上述氧化矽粉末，由此形成具有周壁部、彎曲部及底部的氧化矽玻璃坩堝的エ序；在形成該氧化矽玻璃坩堝的エ序之後，在特定區域形成多個微小凹部的エ序。(8)根據上述(7)所述的單晶矽拉晶用氧化矽玻璃坩堝的製造方法，其中，上述微小凹部是通過使用ニ氧化碳雷射或金剛石工具等的物理磨削來形成。發明效果
根據本發明，通過在周壁部內面的特定區域上具備多個微小凹部，由此可以提供ー種抑制填充在內部的矽熔液的熔液面振動，並且，壽命長的單晶矽拉晶用氧化矽玻璃坩堝及其製造方法。
圖I是說明單晶矽製造方法的截面示意圖。圖2是通過拉晶方法製造的通常的矽錠的主視圖。圖3 (a)是說明矽熔液的熔液面振動的截面示意圖，圖3 (b)是表示矽熔液的熔液面振動的俯視示意圖。圖4是表示包含在現有氧化矽玻璃坩堝中的氣泡的坩堝周壁部的截面示意圖。圖5是表示本發明相關的單晶矽拉晶用氧化矽玻璃坩堝的截面示意圖。 圖6是表示氧化矽玻璃坩堝製造方法的截面示意圖。圖7是局部放大表示氧化矽玻璃坩堝和矽熔液界面的截面示意圖。圖8是表示微小凹部的形成圖形的截面示意圖。
具體實施例方式接下來，結合
本發明的實施方式。另外，在所有附圖中，對相同構成要素上賦予相同符號，並適當省略說明。〔氧化矽玻璃坩堝〕
首先，結合
本實施方式所涉及的單晶矽拉晶用氧化矽玻璃坩堝。作為本實施方式的單晶矽拉晶用氧化矽玻璃坩堝I的一例，如圖5所示，其具有周壁部2，彎曲部3以及底部4，並具有由天然氧化矽玻璃層8外層以及合成氧化矽玻璃層9內層所構成之兩層結構。在該單晶矽拉晶用氧化矽玻璃坩堝I中，藉由在周壁部2內面的特定區域6上具備多個微小凹部5的結構可以抑制填充在坩堝內部的矽熔液的熔液面的振動。並且，該單晶矽拉晶用氧化矽玻璃坩堝I並非是使在合成氧化矽玻璃層9有意包含大量氣泡的設備，因此，在不增加溶解速度的狀態下，能實現坩堝的長壽命化。一般來講，如圖6所示，在單晶矽拉晶用氧化矽玻璃坩堝I中，藉由將離心カ將天然氧化矽粉末8a和合成氧化矽粉末9a固定成坩堝的形狀，使得外側部分形成有天然氧化矽粉8a，內側部分形成有合成氧化矽粉9a，在其中進行電弧放電，並熔化天然氧化矽粉末8a和合成氧化矽粉末9a，之後進行冷卻，由此形成具有天然氧化矽玻璃8和合成氧化矽玻璃9的兩層結構。這裡所謂的合成氧化矽粉9a是指由合成氧化矽構成的物質。所謂的合成氧化矽是以化學方式合成·製造的原料，合成氧化矽玻璃粉是非晶質材料。由於合成氧化矽的原料是氣體或液體，因此能夠輕易精製，而且合成氧化矽粉的純度可以做到比天然氧化矽粉的純度高。作為合成氧化矽粉的原料，有四氯化矽等氣體的原料來源和如矽醇鹽等的液體的原料來源。本實施方式的合成氧化矽粉，可以把所有雜質控制在O. Ippm以下。一方面，天然氧化矽粉8a意味著由天然氧化矽組成的粉末。所謂天然ニ氧化矽，是挖出自然界中存在的石英原石，並經過粉碎·精製等的エ序所獲得的原料，天然氧化矽粉由石英的結晶組成。天然ニ氧化矽粉中含有Ippm以上的鋁(Al)、鈦(Ti)。而且，其他金屬雜質的含量也比合成ニ氧化矽粉的含量高。天然氧化矽粉幾乎不含矽烷醇。熔化天然氧化矽粉而獲得的氧化矽玻璃的矽烷醇量小於50ppm。
對於這些天然氧化矽玻璃8以及合成氧化矽玻璃9，例如測量用波長為245nm的紫外線激發所得的螢光光譜並通過觀察螢光峰值來進行判斷。在本實施方式中，作為天然氧化矽玻璃8和合成氧化矽玻璃9的原料使用氧化矽粉末，而這裡所謂的「氧化矽粉末」如果滿足上述條件，這並非局限於石英，也可以是含有ニ氧化矽(silica)的水晶、矽砂等，作為氧化矽玻璃坩堝I的原材料，也可以包含這些周知材料的粉體。氧化矽玻璃坩堝I內的矽熔液的量隨著單晶矽的拉晶而變化。從而，特定區域6可以根據用戶使用時的氧化矽玻璃坩堝I內的矽熔液的量來適宜選擇即可，至少是肩部形成時的熔液面所處的區域(在圖5中的從hi高度位置到h2高度位置之間的區域)即可。特別是，把坩堝高度表示為H吋，該特別區域處於從底部測量的O. 50H O. 99H的區域內為優選，更優選處於O. 60H O. 90H的區域內。 接下來，說明在熔液面所處區域中容易發生熔液面振動的理由。圖7表示局部放大了內部容納有矽熔液的氧化矽玻璃坩堝I的熔液面位置的截面示意圖，由於氧化矽玻璃坩堝I的潤溼性，液體矽熔液在與固體氧化矽玻璃坩堝的界面上，呈現出如圖7中的區域I所示的截面形狀。與該區域I範圍之外的區域相比，在該區域I中，由於與矽熔液中的低氧濃度的液面之間的距離近，因此氧的濃度梯度變大，通過上述SiO2 (固體)一Si (液體)+20反應所產生的氧的擴散快。從而，容易進行該反應，促進坩堝的溶解。一般來講，該區域I出現在坩堝高度方向上的O. Imm 5. Omm範圍內，因此，在坩堝高度方向上，特定區域6在姆個以O. Imm 5. Omm範圍(更優選為O. 2mm 4. Omm)的間隔劃分(在圖8中以h3的間隔被劃分)的圓環狀內面部分上，至少具有I個微小凹部5為好。微小凹部5的平均直徑在I μ m 500 μ m的範圍內為好，更優選在10 μ m 300 μ m的範圍內。當微小凹部5平均直徑不滿Iym時，無法充分獲得如同上述沸石一祥的效果，一方面，微小凹部5平均直徑超過500 μ m吋，不僅無法充分獲得如同上述沸石一祥的效果，而且，還會因為坩堝的溶解導致微小凹部5容易消失。微小凹部5的平均深度，優選為周壁部2的坩堝厚度的O. 05% 50%，更優選為O. 10% 30%。微小凹部5的平均深度小於周壁部2的坩堝厚度的O. 05%吋，氧化矽玻璃坩堝I的溶解導致微小凹部5容易消失，一方面，微小凹部5的平均深度超過周壁部2的坩堝厚度的50%時，有可能會影響坩堝的牆壁強度。另外，作為周壁部2厚度，例如優選在100 μ m 1000 μ m的範圍內。並且，在本實施方式的氧化矽玻璃坩堝I中，形成在周壁部2的特定區域6上的微小凹部5的下方位置(即，微小凹部5外側)並不含有氣泡。如果氧化矽玻璃中含有大量氣泡，則能確實地使坩堝本身在氧化矽玻璃坩堝I的體積中所佔的比例變小，因此，與未含有氣泡的情況相比，存在其溶解速度變快的問題。並且，大量形成的氣泡有可能會降低氧化矽玻璃坩堝I的強度。 而且，微小凹部5的平均直徑對平均深度之比，優選為大於O且小於O. 8，特別優選為大於O. I且小於O. 7。為了抑制氧化矽玻璃坩堝I的溶解引起的凹部消失問題，需要抑制上述SiO2 (固體)一Si (液體)+20的反應。為此，如果提高氧化矽玻璃坩堝I和融液之間的界面上的矽熔液中的氧濃度，則上述反應就會難以進行。對此，只要通過上述反應產生的氧氣不從從微小凹部5擴散即可，並將直徑及深度設置為上述比例範圍內，使得難以受到矽熔液熱對流的影響。《氧化矽玻璃坩堝的製造方法》
關於本實施方式的單晶矽拉晶用氧化矽玻璃坩堝I的製造方法，作為一例，如圖5及圖6所示，該單晶矽拉晶用氧化矽玻璃坩堝具有周壁部2、彎曲部3及底部4，並且，其形成為以天然氧化矽玻璃層8為外層以及以合成氧化矽玻璃層9為內層的兩層結構，該方法包括形成由天然氧化矽粉8a構成的外層的エ序，在該外層的內面上形成由合成氧化矽粉9a構成的內層的エ序,從該內層的內面側產生電弧放電使其熔化，由此形成具有周壁部2、彎曲部3及底部4的氧化矽玻璃坩堝I的エ序，以及在特定區域6形成多個微小凹部5的エ序，由此，提供一種可以抑制填充在坩堝內部的矽熔液之熔液面振動，並且，壽命長的矽單晶拉晶用氧化矽玻璃坩堝I。微小凹部5是通過ニ氧化碳雷射或者金剛石工具形成為好。例如，面對坩堝內表面而配設ニ氧化碳雷射的照射面，通過照射例如10. 6 μ m的紅外光來形成微小凹部5。或 者，作為金剛石工具，例如，在三菱綜合材料株式會社制金剛石表面塗層脆性材加工用鑽頭上,ー邊撒水ー邊接觸於氧化矽玻璃坩堝I的內面，由此形成微小凹部5。反覆進行磨削 坩堝旋轉或者升降，由此在某特定區域6內面全體上形成微小凹部5。《氧化矽玻璃坩堝製造方法的變形例I》
如上所述，本發明的發明人通過在氧化矽玻璃坩堝I內面設置規定的凹槽(微小凹部5)的方式來獲得抑制熔融矽的熔液面振動的技木。然而，關於這項技木，利用例如雷射或機器磨削方式在坩堝內面形成凹槽時，在氧化矽玻璃坩堝I中有可能會被導入加工變形。當氧化矽玻璃坩堝I中導入加工變形時，單晶矽拉晶時的坩堝溶解速度變快，由此發生氧化矽玻璃坩堝I壽命變短的在現有技術中未曾認知的新問題。在此，本發明的發明人為了解決此問題進行銳意討論的結果發現，在形成微小凹部5的エ序中，對於氧化矽玻璃坩堝I中被導入的加工變形實施消除或解放處理，由此，找到ー種抑制填充在其內部的矽熔液的熔液面振動，並且，壽命長的單晶矽拉晶用氧化矽玻璃坩堝I的製造方法。即，本實施方式的單晶矽拉晶用氧化矽玻璃坩堝I的製造方法進ー步包括對於微小凹部5形成エ序中導入的加工變形進行消除或解放的エ序。此時，該加工變形的消除或解放エ序還可以包括對氧化矽玻璃坩堝I進行熱處理的エ序。在對氧化矽玻璃坩堝I進行熱處理的エ序中，以1200°C 1400°C範圍對氧化矽玻璃坩堝I進行加熱為好，特別優選為，以1250°C 1350°C範圍進行加熱。以1200°C以下溫度進行加熱的話，無法期待對加工變形的消除或解放效果，並且，加熱溫度超過1400°C的話，有可能會導致氧化矽玻璃坩堝I自身熔化。另外，該熱處理並非必須實施於氧化矽玻璃坩堝I全體，只要充分得到加工變形的消除或解放效果的話，僅對特定區域6實施也足夠。並且，為了充分得到加工變形的消除或解放效果，所述熱處理實施5分鐘以上為好，特別優選為10分以上。不過，為了不降低生產率，所述熱處理時間優選為I小時以內，特別優選為30分鐘以內。並且，該加工變形的消除或解放エ序還可以包括對氧化矽玻璃坩堝I進行酸處理的エ序。優選的，該酸處理工序包括將氧化矽玻璃坩堝I多次浸潰於規定濃度的氟化氫酸水溶液中的エ序。並且，作為氟化氫酸水溶液，為了充分得到加工變形的消除或解放效果且不會使得氧化矽玻璃坩堝I本身熔化，氟化氫濃度優選為20% 30%的範圍，氟化氫濃度特別優選為23% 27%的範圍。另外，該酸處理並非必須實施於氧化矽玻璃坩堝I全體，只要充分得到加工變形的消除或解放效果的話，僅對特定區域6實施也足夠。並且，至於浸潰次數，為了充分得到加工變形的消除或解放效果且不會使得氧化矽玻璃坩堝I本身熔化，處理一次以上為好，處理兩次以上更好，特別是處理三次為好。不過，浸潰次數十次以下為好，最好是5次以下。通過酸處理，為了充分得到加工變形的消除或解放效果且不會使得坩堝本身熔化，最好對氧化矽玻璃坩堝I的內面實施10 μ m 15 μ m左右的蝕刻，更優選的，實施11 μ m 14 μ m左右的蝕刻。這樣，在本實施方式中，在形成微小凹部5的エ序中被導入在氧化矽玻璃坩堝I中的加工變形是通過如上所述的氧化矽玻璃坩堝I的熱處理工序或酸處理工序被消除或解放的。為此，可以提供ー種抑制填充在氧化矽玻璃坩堝I內部的矽熔液的熔液面振動，並且，壽命長的單晶矽拉晶用氧化矽玻璃坩堝及其製造方法。《氧化矽玻璃坩堝製造方法的變形例2》
有時，在高溫矽熔液和氧化矽玻璃坩堝I的界面上形成有茶色環狀圖案。其稱之為褐色環(brown ring)，是在單晶矽拉晶溫度·壓カ範圍內，來源於SiO2的穩定結晶結構的白矽石。該褐色環成長之後，開始從環的中央部分剝離，所述剝離的白矽石的結晶片導致單晶矽單晶化率的降低，其導致降低成品率的問題。作為抑制剝離這種白矽石的技術，在現有技術中，在坩堝內表面塗布鋇，使白矽石層結晶化。然而，僅僅在氧化矽玻璃坩堝I內表面上撒布鋇粉末的話，鋇粉末會下落，無法塗布足夠量的鋇粉末，由此，無法使得上述白矽石層充分結晶化。為此，本發明的發明人為了解決此問題進行銳意討論的結果發現在特定區域6上塗布結晶促進劑(crystallization promoter),由此能夠塗布足夠量的鋇粉末,並且,可以使得特定區域6結晶化。由此，特定區域6的結晶化，能夠抑制白矽石的剝離，能夠以高成品率提升單晶娃。即，本實施方式的氧化矽玻璃坩堝的製造方法進ー步包括對特定區域6導入結晶促進劑的エ序。並且，優選的，對特定區域6導入結晶促進劑的エ序包括對特定區域6塗布結晶促進劑的エ序。在該導人工序中，對於形成有微小凹部5的特定區域6，通過ー邊旋轉該氧化矽玻璃坩堝I ー邊撒布結晶促進劑，在整體上能夠均勻塗布結晶促進劑。並且，對於設置在特定區域6上的微小凹部5，還可以利用管嘴等工具注入結晶促進劑。此時，由於在凹部中注入更多的結晶促進劑，因此得到結晶促進劑難以落下的有利效果。另外，導入結晶促進劑時，可以利用粉末塗布，噴墨法，溶膠-凝膠封入法等方法進行導入。作為結晶促進劑，從偏析係數的觀點考慮，優選使用鋇(Ba)粉末。其原因在於，鋇(Ba)的偏析係數小，因此混入到單晶矽的鋇非常少，很難產生混入到矽熔液的問題。由此，與僅在特定區域設置微小凹部5的場合相比，通過表面的結晶化，能夠降低氧化矽玻璃坩堝I的溶解速度，可以進一歩抑制熔液面振動。並且，可以提高氧化矽玻璃坩堝I的機械強度，提高單晶矽的成品率。如上所述，結合
了本發明的實施方式，不過，這些僅僅是本發明的優選實施方式，本發明還可以採用如上所述之外的各種結構。產業上的利用可能性根據本發明，通過在周壁部內面的特定區域上設置多個微小凹部，由此可以提供ー種穩定地抑制填充在坩堝內部的矽熔液的熔液面振動，並且，壽命長的單晶矽拉晶用氧化矽玻璃坩堝及其製造方法。
符號的說明 I氧化矽玻璃坩堝 2周壁部 3彎曲部 4底部 5微小凹部 6特定區域 8天然氧化矽玻璃 8a天然氧化矽粉末 9合成氧化矽玻璃 9a合成氧化矽粉末 H坩堝高度 100氧化矽玻璃坩堝 101熔融多晶矽 102 晶種(seed crystal)
103頸部 104肩部 105直筒部 106尾部
107 娃澱(silicon ingot)
108天然氧化矽玻璃 109合成氧化矽玻璃 201開ロ氣泡 202獨立氣泡
權利要求
1.一種單晶矽拉晶用氧化矽玻璃坩堝，具有周壁部、彎曲部以及底部，其特徵在於上述周壁部內面的特定區域上設置有多個微小凹部。
2.如權利要求I所述的單晶矽拉晶用氧化矽玻璃坩堝，其特徵在於設上述氧化矽玻璃坩堝的高度為H吋，上述特定區域位於從上述底部測量高度為O. 50H O. 99H的區域內。
3.如權利要求I所述的單晶矽拉晶用氧化矽玻璃坩堝，其特徵在於在上述特定區域中，在上述氧化矽玻璃坩堝的高度方向上的每ー個以O. Imm 5. Omm範圍內的間隔劃分的圓環狀內面部位上，具有至少I個上述微小凹部。
4.如權利要求I所述的單晶矽拉晶用氧化矽玻璃坩堝，其特徵在於上述微小凹部的平均直徑是I μ m 500 μ m。
5.如權利要求I所述的單晶矽拉晶用氧化矽玻璃坩堝，其特徵在於上述微小凹部的平均深度是上述周壁部的坩堝厚度的O. 05% 50%。
6.如權利要求I所述的單晶矽拉晶用氧化矽玻璃坩堝，其特徵在於上述微小凹部的平均直徑與上述微小凹部的平均深度之比小於O. 8。
7.如權利要求I所述的單晶矽拉晶用氧化矽玻璃坩堝，其特徵在於至少上述特定區域被結晶化。
8.如權利要求7所述的單晶矽拉晶用氧化矽玻璃坩堝，其特徵在於上述結晶化是通過至少在上述特定區域內塗布結晶促進劑的方式進行的。
9.如權利要求8所述的單晶矽拉晶用氧化矽玻璃坩堝，其特徵在於上述結晶促進劑是鋇粉末。
10.一種單晶矽拉晶用氧化矽玻璃坩堝的製造方法，其中，該單晶矽拉晶用氧化矽玻璃坩堝具有周壁部、彎曲部及底部，並且，其形成為以天然氧化矽玻璃層為外層以及以合成氧化娃玻璃層為內層的兩層結構，該方法的特徵在於包括 形成由天然氧化矽粉構成的外層的エ序； 在上述外層的內面上形成由合成氧化矽粉構成的內層的エ序； 從上述內層的內面側產生電弧放電來熔化上述氧化矽粉末，並形成具有周壁部、彎曲部及底部的氧化矽玻璃坩堝的エ序；以及 在該氧化矽玻璃坩堝的形成エ序之後，在特定區域形成多個微小凹部的エ序。
11.如權利要求10所述的單晶矽拉晶用氧化矽玻璃坩堝的製造方法，其特徵在於上述微小凹部形成エ序包括使用ニ氧化碳雷射或金剛石工具等的物理磨削來形成微小凹部的エ序。
12.如權利要求10所述的單晶矽拉晶用氧化矽玻璃坩堝的製造方法，其特徵在於進ー步包括除去或解除在上述微小凹部形成エ序中被導入的加工變形的エ序。
13.如權利要求12所述的單晶矽拉晶用氧化矽玻璃坩堝的製造方法，其特徵在於上述除去或解除加工變形的エ序包括對上述氧化矽玻璃坩堝進行熱處理的エ序。
14.如權利要求13所述的單晶矽拉晶用氧化矽玻璃坩堝的製造方法，其特徵在於上述熱處理工序包括在1200 1400°C的範圍內對上述氧化矽玻璃坩堝進行加熱的エ序。
15.如權利要求12所述的單晶矽拉晶用氧化矽玻璃坩堝的製造方法，其特徵在於包括上述除去或解除加工變形的エ序包括對上述氧化矽玻璃坩堝進行酸處理的エ序。
16.如權利要求15所述的單晶矽拉晶用氧化矽玻璃坩堝的製造方法，其特徵在於上述酸處理工序包括將上述氧化矽玻璃坩堝多次浸潰於規定的氟化氫酸水溶液中的エ序。
17.如權利要求10所述的單晶矽拉晶用氧化矽玻璃坩堝的製造方法，其特徵在於進ー步包括對於上述特定區域導入結晶促進劑的エ序。
全文摘要
本發明提供一種能夠抑制填充在坩堝內部的矽熔液的熔液面振動，並且，壽命長的單晶矽拉晶用氧化矽玻璃坩堝及其製造方法。本發明的單晶矽拉晶用氧化矽玻璃坩堝，其具有周壁部、彎曲部及底部，其中，在周壁部內面的特定區域上設置有多個微小凹部。
文檔編號C30B29/06GK102762781SQ20108000827
公開日2012年10月31日 申請日期2010年12月14日 優先權日2009年12月14日
發明者岸弘史, 鈴木江梨子, 須藤俊明 申請人:日本超精石英株式會社