一種ito薄膜鍍膜的製造方法
2023-09-18 05:34:10 5
一種ito薄膜鍍膜的製造方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種ITO薄膜鍍膜機，包括鍍膜機殼體，還包括在所述鍍膜機殼體內依次設置的第一真空室、第二真空室及第三真空室；所述鍍膜機殼體內還設置貫穿所述第一真空室、所述第二真空室及所述第三真空室、並可自由抽出所述鍍膜機殼體的牆板；所述第一真空室與所述第二真空室之間固定設置有第一固定隔離板；所述第二真空室與所述第三真空室之間固定設置有第二固定隔離板；所述第二真空室還包括縱向設置的第一縱向加熱裝置；所述第三真空室還包括縱向設置的第二縱向加熱裝置；所述鍍膜機殼體上固定設置有鈦泵。由於將鍍二氧化矽膜與鍍氧化銦錫膜在不同真空室中完成，使其生產的產品質量高、均勻好、且鍍膜機便於清潔、裝膜和檢修。
【專利說明】一種170薄膜鍍膜機
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及鍍膜機【技術領域】，尤其涉及的是一種110薄膜鍍膜機。
【背景技術】
[0002]1X0 ？111 (1^111111 XIII 0x1(16 ，即氧化銦錫薄膜)是採用卷繞式磁控濺射真空鍍膜機生產的。國外首次生產出普通的110 是在上世紀八十年代末，國產設備首次生產出普通的110 ？111是在1996年。
[0003]普通110 ？111因為同時具有透明、導電兩大功能而被廣泛用於無機場致發光片、電阻式觸控螢幕、太陽能電極和電磁屏蔽等領域。而普通110 相對於110 61^88 (氧化銦錫玻璃)而言，具有輕、薄、不易破損、生產工序少、生產效率高、設備佔地面積少、耗能少、耗水少等優勢。
[0004]2007年蘋果推出手機，當時的手機的電容式觸控螢幕用的是1丁061^88,比較厚和重；而三星智慧型手機上的電容式觸控螢幕用的是高檔110 ？幾1，比較薄和輕。由於人們普遍喜歡輕薄手機，故較多的用戶選擇三星手機。從此高檔110 需求量越來越多，2011年1迪0116也開始把高檔110 用於智慧型手機的電容式觸控螢幕。
[0005]高檔110 ？111與普通110 ？111的主要不同在於光電性能和表觀質量要求更高，導致已有的國產設備生產不出高檔110 ？幾1。高檔110 可用於電容式觸控螢幕，而普通110 則不能。現在，雖然國內有幾家企業花高價進口國外設備有少量生產，但大陸高檔110 絕大部分靠進口。
[0006]目前，國內存在一部分高檔110鍍膜機，但其只有一個鍍膜室，將二氧化矽和氧化銦錫兩層膜放在同一個真空室內完成，此種方法會帶來三個問題:一是由於鍍制二氧化矽和110時所需的氧氣和氬氣不同，雖做了相應的隔離處理，但隔離效果有限，兩個鍍膜區相互間有一定影響，且隨著時間增加，隔離效果也會變差，串氣不可避免，結果導致工藝控制難、產品質量不穩；二是基膜在短時間內連續鍍制二氧化矽和110兩層膜，會導致基膜溫度上升過快，結果導致基膜放氣增加而影響產品；三是鍍制二氧化矽也會使基膜被轟擊出雜質氣體，這些雜質氣體會部分進入臨近的110鍍膜區，結果影響產品質量。
[0007]國產高檔110 鍍膜機除了存在上述三個問題，還因只有橫向加熱裝置(水平放置),不具備橫向方向的工藝調整，結果導致產品均勻性較差；鍍110膜前的基膜處理的設計不理想，基膜處理的手段不夠多，結果導致基膜處理不佳，影響產品質量、穩定性和產能；且傳動系統不能移出真空室，結果導致不方便清潔、裝膜和檢修。
[0008]因此，現有技術還有待於改進和發展。
實用新型內容
[0009]本實用新型要解決的技術問題在於，針對現有技術的上述缺陷，提供一種110薄膜鍍膜機，旨在解決現有技術中由於未將二氧化矽鍍膜室與氧化銦錫鍍膜室分離，而導致1X0 鍍膜機生產的產品質量不穩定、均勻性較差、且110 鍍膜機不方便清潔、裝膜和檢修的缺陷。
[0010]本實用新型解決技術問題所採用的技術方案如下:
[0011]一種110薄膜鍍膜機，包括鍍膜機殼體，其中，還包括:
[0012]在所述鍍膜機殼體內依次設置的用於放卷和預處理的第一真空室、用於鍍二氧化矽薄膜的第二真空室及用於鍍110薄膜及收卷的第三真空室；
[0013]所述鍍膜機殼體內還設置貫穿所述第一真空室、所述第二真空室及所述第三真空室、並可自由抽出所述鍍膜機殼體的牆板；
[0014]所述第一真空室與所述第二真空室之間固定設置有用於分隔真空室的第一固定隔離板；
[0015]所述第二真空室與所述第三真空室之間固定設置有用於分隔真空室的第二固定隔離板；
[0016]所述第二真空室還包括縱向設置的至少兩個用於加熱的第一縱向加熱裝置；
[0017]所述第三真空室還包括縱向設置的至少一個用於加熱的第二縱向加熱裝置；
[0018]所述鍍膜機殼體的近第一真空室側的側壁上固定設置有用於去除活性氣體的鈦慄。
[0019]所述110薄膜鍍膜機，其中，所述第二真空室的近第一固定隔離板側及近第二固定隔離板側均設置一所述第一縱向加熱裝置。
[0020]所述110薄膜鍍膜機，其中，所述第三真空室的近第二固定隔離板側設置一所述第二縱向加熱裝置。
[0021]所述110薄膜鍍膜機，其中，所述第一固定隔離板頂部上方設置一可移動的第一移動隔離板；所述第一移動隔離板與所述第一固定隔離板間還設有用於通過透明薄膜的第一間隙。
[0022]所述110薄膜鍍膜機，其中，所述第二固定隔離板頂部上方設置一可移動的第二移動隔離板；所述第二移動隔離板與所述第二固定隔離板間還設有用於通過透明薄膜的第二間隙。
[0023]所述110薄膜鍍膜機，其中，所述第一真空室還包括:
[0024]固定設置在所述牆板上的用於放卷透明薄膜的放卷裝置；
[0025]固定設置在所述牆板上的、用於將透明薄膜從所述放卷裝置傳動至所述第一空隙的第一傳動棍組；
[0026]固定設置在所述牆板上的，與所述第一縱向加熱裝置和與所述第二縱向加熱裝置的設置方向均垂直的、用於對透明薄膜加熱的橫向加熱裝置；
[0027]設置在所述第一真空室底部的用於去除水分的捕水器。
[0028]所述110薄膜鍍膜機，其中，所述第二真空室還包括:
[0029]固定設置在所述牆板上的用於二氧化矽鍍膜電極的二氧化矽鍍膜鼓；
[0030]固定設置在所述牆板上、用於透明薄膜從所述第一間隙傳動至所述二氧化矽鍍膜鼓的第二傳動輥組；
[0031]固定設置在所述牆板上、用於透明薄膜從所述二氧化矽鍍膜鼓傳動至所述第二間隙的第三傳動輥組；
[0032]所述第二真空室內設置有環繞所述二氧化矽鍍膜鼓、並用於二氧化矽鍍膜電極的中頻孿生矽靶。
[0033]所述110薄膜鍍膜機，其中，所述第三真空室還包括:
[0034]固定設置在所述牆板上的用於氧化銦錫鍍膜電極的氧化銦錫鍍膜鼓；
[0035]固定設置在所述牆板上的用於收卷透明薄膜的收卷裝置；
[0036]固定設置在所述牆板上、用於透明薄膜從所述第二間隙傳動至所述氧化銦錫鍍膜鼓的第四傳動輥組；
[0037]固定設置在所述牆板上、用於透明薄膜從所述氧化銦錫鍍膜鼓傳動至所述收卷裝置的第五傳動輥組；
[0038]所述第三真空室內設置有環繞所述氧化銦錫鍍膜鼓、並用於氧化銦錫鍍膜電極的直流氧化銦錫靶。
[0039]本實用新型所提供的一種110薄膜鍍膜機，包括鍍膜機殼體，還包括在所述鍍膜機殼體內依次設置的第一真空室、第二真空室及第三真空室；所述鍍膜機殼體內還設置貫穿所述第一真空室、所述第二真空室及所述第三真空室、並可自由抽出所述鍍膜機殼體的牆板；所述第一真空室與所述第二真空室之間固定設置有第一固定隔離板；所述第二真空室與所述第三真空室之間固定設置有第二固定隔離板；所述第二真空室還包括縱向設置的第一縱向加熱裝置；所述第三真空室還包括縱向設置的第二縱向加熱裝置；所述鍍膜機殼體上固定設置有鈦泵。由於將鍍二氧化矽膜與鍍氧化銦錫膜在不同真空室中完成，使其生產的產品質量高、均勻好、且鍍膜機便於清潔、裝膜和檢修。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0040]圖1是本實用新型所述110薄膜鍍膜機的剖面圖。
【具體實施方式】
[0041]為使本實用新型的目的、技術方案及優點更加清楚、明確，以下參照附圖並舉實施例對本實用新型進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本實用新型，並不用於限定本實用新型。
[0042]請參見圖1，圖1是本實用新型所述110薄膜鍍膜機的剖面圖。如圖1所示，1丁0薄膜鍍膜機，包括鍍膜機殼體1，其還包括:
[0043]在所述鍍膜機殼體1內依次設置的用於放卷和預處理的第一真空室2、用於鍍二氧化矽薄膜的第二真空室3及用於鍍110薄膜及收卷的第三真空室4 ；所述鍍膜機殼體1內還設置貫穿所述第一真空室2、所述第二真空室3及所述第三真空室4、並可自由抽出所述鍍膜機殼體的牆板5 ；所述第一真空室2與所述第二真空室3之間固定設置有用於分隔真空室的第一固定隔離板6 ；所述第二真空室3與所述第三真空室4之間固定設置有用於分隔真空室的第二固定隔離板7 ；所述第二真空室3還包括縱向設置的至少兩個用於加熱的第一縱向加熱裝置8 ；所述第三真空室4還包括縱向設置的至少一個用於加熱的第二縱向加熱裝置9 ；所述鍍膜機殼體1的近第一真空室側的側壁上固定設置有用於去除活性氣體的鈦泵10。具體實施時，所述鍍膜機殼體1的近第一真空室側的側壁上、且位於所述鈦泵10上方固定設置有用於轟擊透明薄膜去除表面雜質的線性離子源31。
[0044]進一步的，所述第二真空室3的近第一固定隔離板側及近第二固定隔離板側均設置一所述第一縱向加熱裝置8。具體的，也就是所述第二真空室3的左右兩側各設置一個第一縱向加熱裝置8。所述第三真空室4的近第二固定隔離板側設置一所述第二縱向加熱裝置9。具體的，也就是所述第二真空室3的左側設置一個第二縱向加熱裝置9。本實用新型中具體實施時，由於設計了三套縱向加熱裝置(兩個位於第二真空室3的第一縱向加熱裝置8，及一個位於第三真空室第二縱向加熱裝置9),使得透明薄膜在傳動的過程中受熱均勻，提聞了廣品均勻性。
[0045]本實用新型的實施例中由於將現有技術中的鍍膜室與收卷室合二為一，並分別設置兩個隔離的鍍膜室(第二真空室3和第三真空室4),分別用於鍍制二氧化矽和110，這會帶來三個好處:一是消除了串氣問題，從而使得工藝控制變易，產品質量提高；二是避免了薄膜短時間連續鍍制二氧化矽和110而引起的溫升和放氣，從而使得產品質量提高；三是避免了鍍制二氧化矽時薄膜被轟擊出的雜質氣體部分進入110鍍膜區，從而使得產品質量提高。同時由於所述牆板5可移出真空室，故所述110薄膜鍍膜機更容易清潔、裝模和檢修。
[0046]進一步的，所述第一固定隔離板6頂部上方設置一可移動的第一移動隔離板11 ；所述第一移動隔離板11與所述第一固定隔離板6間還設有用於通過透明薄膜的第一間隙12。所述第二固定隔離板7頂部上方設置一可移動的第二移動隔離板13 ；所述第二移動隔離板13與所述第二固定隔離板7間還設有用於通過透明薄膜的第二間隙14。具體實施時，所述第一間隙12和所述第二間隙14為1-5皿。由於所述第一真空室2與所述第二真空室3之間只有一個1-5皿的讓透明薄膜剛好通過的第一間隙12，所述第二真空室3與所述第三真空室4之間也只有一個1-5111111的讓透明薄膜剛好通過的第二間隙14，故每一真空室中氣體無法自由流動到相鄰真空室，有效的避免了串氣問題，確保了每一真空室中氧氣和氬氣保持在適宜的濃度。
[0047]進一步的，所述第一真空室2還包括固定設置在所述牆板5上的用於放卷透明薄膜的放卷裝置15 ；固定設置在所述牆板5上的、用於將透明薄膜從所述放卷裝置15傳動至所述第一空隙12的第一傳動輥組16 ；固定設置在所述牆板5上的，與所述第一縱向加熱裝置8和與所述第二縱向加熱裝置9的設置方向均垂直的、用於對透明薄膜加熱的橫向加熱裝置17 ；設置在所述第一真空室2底部的用於去除水分的捕水器18 ；固定設置在所述牆板5上、靠近所述第一固定隔離板6且接近所述第一間隙12、用於檢測第一真空室2內的氣體物質組成的質譜儀19。
[0048]進一步的，所述第二真空室3還包括固定設置在所述牆板5上的用於二氧化矽鍍膜電極的二氧化矽鍍膜鼓20 ；固定設置在所述牆板5上、用於透明薄膜從所述第一間隙12傳動至所述二氧化矽鍍膜鼓20的第二傳動輥組21 ；固定設置在所述牆板5上、用於透明薄膜從所述二氧化矽鍍膜鼓20傳動至所述第二間隙14的第三傳動輥組22 ；所述第二真空室4內設置有環繞所述二氧化矽鍍膜鼓20、並用於二氧化矽鍍膜電極的中頻孿生矽靶23。具體實施時，所述中頻孿生矽靶23的個數為4個，且所述中頻孿生矽靶23的極性與所述二氧化娃鍍膜鼓20的極性相反。
[0049]進一步的，所述第三真空室4還包括固定設置在所述牆板5上的用於氧化銦錫鍍膜電極的氧化銦錫鍍膜鼓24 ；固定設置在所述牆板5上的用於收卷透明薄膜的收卷裝置25 ；固定設置在所述牆板5上、用於透明薄膜從所述第二間隙14傳動至所述氧化銦錫鍍膜鼓24的第四傳動輥組26 ；固定設置在所述牆板5上、用於透明薄膜從所述氧化銦錫鍍膜鼓24傳動至所述收卷裝置25的第五傳動輥組27 ；所述第三真空室4內設置有環繞所述氧化銦錫鍍膜鼓24、並用於氧化銦錫鍍膜電極的直流氧化銦錫靶28。具體實施時，所述直流氧化銦錫靶28的個數為4個，且所述直流氧化銦錫靶28的極性與所述氧化銦錫鍍膜鼓24相反。所述第五傳動輥組27上還設置一用於測量110薄膜電阻率的方阻測試儀29，所述第五傳動輥組27的兩側還設置有110薄膜可見光透過率的可見光透過率測試儀30。
[0050]綜上所述，本實用新型所提供的一種110薄膜鍍膜機，包括鍍膜機殼體，還包括在所述鍍膜機殼體內依次設置的第一真空室、第二真空室及第三真空室；所述鍍膜機殼體內還設置貫穿所述第一真空室、所述第二真空室及所述第三真空室、並可自由抽出所述鍍膜機殼體的牆板；所述第一真空室與所述第二真空室之間固定設置有第一固定隔離板；所述第二真空室與所述第三真空室之間固定設置有第二固定隔離板；所述第二真空室還包括縱向設置的第一縱向加熱裝置；所述第三真空室還包括縱向設置的第二縱向加熱裝置；所述鍍膜機殼體上固定設置有鈦泵。由於將鍍二氧化矽膜與鍍氧化銦錫膜在不同真空室中完成，使其生產的產品質量高、均勻好、且鍍膜機便於清潔、裝膜和檢修。
[0051]應當理解的是，本實用新型的應用不限於上述的舉例，對本領域普通技術人員來說，可以根據上述說明加以改進或變換，所有這些改進和變換都應屬於本實用新型所附權利要求的保護範圍。
【權利要求】
1.一種ITO薄膜鍍膜機，包括鍍膜機殼體，其特徵在於，還包括: 在所述鍍膜機殼體內依次設置的用於放卷和預處理的第一真空室、用於鍍二氧化矽薄膜的第二真空室及用於鍍ITO薄膜及收卷的第三真空室； 所述鍍膜機殼體內還設置貫穿所述第一真空室、所述第二真空室及所述第三真空室、並可自由抽出所述鍍膜機殼體的牆板； 所述第一真空室與所述第二真空室之間固定設置有用於分隔真空室的第一固定隔離板； 所述第二真空室與所述第三真空室之間固定設置有用於分隔真空室的第二固定隔離板； 所述第二真空室還包括縱向設置的至少兩個用於加熱的第一縱向加熱裝置； 所述第三真空室還包括縱向設置的至少一個用於加熱的第二縱向加熱裝置； 所述鍍膜機殼體的近第一真空室側的側壁上固定設置有用於去除活性氣體的鈦泵。
2.根據權利要求1所述ITO薄膜鍍膜機，其特徵在於，所述第二真空室的近第一固定隔離板側及近第二固定隔離板側均設置一所述第一縱向加熱裝置。
3.根據權利要求2所述ITO薄膜鍍膜機，其特徵在於，所述第三真空室的近第二固定隔離板側設置一所述第二縱向加熱裝置。
4.根據權利要求1所述ITO薄膜鍍膜機，其特徵在於，所述第一固定隔離板頂部上方設置一可移動的第一移動隔離板；所述第一移動隔離板與所述第一固定隔離板間還設有用於通過透明薄膜的第一間隙。
5.根據權利要求4所述ITO薄膜鍍膜機，其特徵在於，所述第二固定隔離板頂部上方設置一可移動的第二移動隔離板；所述第二移動隔離板與所述第二固定隔離板間還設有用於通過透明薄膜的第二間隙。
6.根據權利要求4所述ITO薄膜鍍膜機，其特徵在於，所述第一真空室還包括: 固定設置在所述牆板上的用於放卷透明薄膜的放卷裝置； 固定設置在所述牆板上的、用於將透明薄膜從所述放卷裝置傳動至所述第一空隙的第一傳動棍組； 固定設置在所述牆板上的，與所述第一縱向加熱裝置和與所述第二縱向加熱裝置的設置方向均垂直的、用於對透明薄膜加熱的橫向加熱裝置； 設置在所述第一真空室底部的用於去除水分的捕水器。
7.根據權利要求6所述ITO薄膜鍍膜機，其特徵在於，所述第二真空室還包括: 固定設置在所述牆板上的用於二氧化矽鍍膜電極的二氧化矽鍍膜鼓； 固定設置在所述牆板上、用於透明薄膜從所述第一間隙傳動至所述二氧化矽鍍膜鼓的第二傳動輥組； 固定設置在所述牆板上、用於透明薄膜從所述二氧化矽鍍膜鼓傳動至所述第二間隙的第三傳動輥組； 所述第二真空室內設置有環繞所述二氧化矽鍍膜鼓、並用於二氧化矽鍍膜電極的中頻孿生矽靶。
8.根據權利要求7所述ITO薄膜鍍膜機，其特徵在於，所述第三真空室還包括: 固定設置在所述牆板上的用於氧化銦錫鍍膜電極的氧化銦錫鍍膜鼓； 固定設置在所述牆板上的用於收卷透明薄膜的收卷裝置； 固定設置在所述牆板上、用於透明薄膜從所述第二間隙傳動至所述氧化銦錫鍍膜鼓的第四傳動輥組； 固定設置在所述牆板上、用於透明薄膜從所述氧化銦錫鍍膜鼓傳動至所述收卷裝置的第五傳動輥組； 所述第三真空室內設置有環繞所述氧化銦錫鍍膜鼓、並用於氧化銦錫鍍膜電極的直流氧化銦錫靶。
【文檔編號】C23C14/56GK204224695SQ201420557736
【公開日】2015年3月25日 申請日期:2014年9月26日 優先權日:2014年9月26日
【發明者】曹佐純, 曹菲 申請人:曹佐純