單面拋光襯底外延薄膜厚度和光學參數的測量方法
2023-09-12 05:46:25
專利名稱：單面拋光襯底外延薄膜厚度和光學參數的測量方法
技術領域：
本發明屬於測量技術領域，涉及薄膜光學測量，具體地說是一種測量單面拋光襯底外延薄膜厚度和光學參數的方法。應用於襯底材料為單面拋光且相對於外延材料是透明時，利用透射譜對薄膜的厚度和光學參數進行測量。
背景技術：
在半導材料的生長中，經常使用外延生長技術在襯底上外延生長薄膜，如金屬有機物化學氣相澱積(MOCVD)生長方法。生長在襯底上的許多外延層薄膜，如多晶Si，GaN，AlGaN等常常用於製作光電器件。為了預測所製作光電器件的性能，更好的對器件進行設計，必須首先測量出外延薄膜的折射率和吸收係數隨波長的變化。
目前，外延薄膜折射率的測量有多種方法，如以藍寶石襯底上外延的GaN薄膜的測量為例，常用的一種測量方法就是用稜鏡耦合法測得其折射率，如Begmann M.J.Ozgur Uand Cassy H.C.et.al.Ordinary and extraordinary refractive indices for AlGaN epitaxiallayers[J]Appl.Phys.Lett.1999 Vol 7567-69，文章所公開的就是這種方法。這種稜鏡耦合法存在如下兩方面不足(1)對測量儀器的要求較高，特別是對光源要求苛刻，需用475.9nm，476.5nm，488nm，496.5nm，514.5nm的Ar+離子雷射器、632.8nm的HeNe雷射器、676.2nm，968.3nm的半導體雷射器、729.2nm，837.3nm的Ti藍寶石雷射器等多種雷射器。這些儀器昂貴，一般實驗室是不具備條件的。
(2)測量功能有限，只能測量折射率，不能測量吸收係數隨波長的變化。
另一種常用的方法是基於分光光度計透射譜的測量，由於透射譜比較便宜，是表徵材料的常用儀器，因而用透射譜對外延薄膜材料進行光學參數的測量是一種簡單、代價較小的方法。1983年，Swanepoel介紹了用透射譜對多晶矽的厚度和光學參數進行測量的方法，參見Swanepoel，Determination of the thinckness and optical constants of amorphoussilicon J.Phys.E.Sci.Instrum.16 1214-22。這種方法於1997年和1999已成功的應用於對GaN系薄膜的測量。分別參見Brunner D.Angerer H.and Bustarret E.et.al.Opticalconstants of epitaxial AlGaN films and their temperature dependence[J]J.Appl.Phys.1997.Vol 825090-5096和Muth J.F.Brown J.D.and Johnson M.A.L.et al.Absorption coefficientand refractive index of GaN，AlN and AlGaN MRS Internet J.Nitride Semicond.Res.4SI，G5.21999兩篇文獻。利用該透射譜不僅容易測得材料的厚度和折射率，而且可同時測得吸收係數隨波長的變化規律。但是這些利用分光光度計透射譜的測量方法的最大不足是只能測量雙面拋光的外延生長薄膜的襯底材料，而不能測量單面拋光的外延生長薄膜的襯底材料，實用中，由於許多光電器件並不需要特意製作在雙面拋光襯底外延的薄膜之上，且雙面拋光的襯底材料相對於單面拋光的襯底材料價格較貴，因而不僅造成了成本的極大浪費，也限制了透射譜測量方法的應用範圍。
發明的內容本發明的目的在於解決透射譜測量方法的不足，提供一種可測量單面拋光襯底外延薄膜厚度和光學參數的測量方法，以解決實用中對單面拋光襯底外延生長薄膜參數的測量問題。
本發明的技術方案是這樣實現的本發明依據的原理是當外延薄膜的禁帶寬度比襯底材料的禁帶寬度小時，可等效為一個吸收的薄膜生長在一個透明的襯底之上，如圖1。設薄膜的厚度為d，復折射率為n＝n-ik。式中，n是薄膜折射率，為一個實數，參數k是與吸收係數α有關的量，表示為k＝αλ/4π。當入射光的能量小於薄膜材料的禁帶寬度時，參數k與一般折射率n相比通常要小的多，這樣可假設k＝0，則復折射率n就約等於薄膜折射率n。襯底材料的折射率s是已知的，其吸收係數αs＝0。周圍空氣的折射率是no＝1。根據入射光能量不同，薄膜材料對入射光吸收不同的情況，可將透射譜分為透明區，弱吸收區、中吸收區和強吸收區四個部分。其中，在透明區薄膜的吸收係數α＝0，透射譜的值較大；在弱吸收區吸收係數α很小，由於薄膜對光的吸收，透射譜開始減小，但在吸收係數很小時可視為與透明區相同；在中吸收區吸收係數α比較大，透射譜的減小主要受吸收係數α的影響；在強吸收區由於α的影響透射譜強烈減小。
如果薄膜厚度d是均勻的，將出現明顯的幹涉條紋，幹涉條紋的出現是由於幹涉效應的結果，如圖1所示。由圖1中給出的射譜幹涉效應的基本原理可知，入射光是空氣中垂直射入GaN薄膜，通過薄膜GaN和襯底藍寶石，最終再進入空氣中，通常情況下，襯底材料與外延薄膜材料相比要厚得多，差別常常在幾個量級的水平，因此幹涉條紋的形成主要是由於直接出射光和外延薄膜一次反射光的幹涉引起的。根據幹涉條紋的情況可以用來計算厚度和光學常數。
如果光線垂直入射則透射譜出現幹涉極值的條件為2nd＝mλ(波數m為整數) (1)當波數m為整數時，幹涉使條紋亮度增強到最大，當波數m為半整數時，幹涉使條紋亮度減弱至最小。(1)式雖然同時包含了薄膜折射率n和厚度d的信息，但由於它們是以乘積的形式出現的，所以折射率n和厚度d不能同時確定。可見僅僅利用(1)式不能完成對薄膜厚度和光學參數的測量。
為此，先來考慮襯底是雙面拋光的情況。理論上薄膜的透射譜可表示為入射光波長λ，襯底折射率s，薄膜折射率n，薄膜厚度d和薄膜吸收係數α的函數，即T＝T(λ，s，n，α) (2)襯底材料折射率s已知且為雙面拋光，薄膜材料折射率的虛部k為零，這樣能量小于禁帶寬度的入射光透射率可表示為 參數A、B、C、D、、x表示如下A＝16n2sB＝(n+1)3(n2+s2)C＝2(n2-1)(n2-s2) (4)D＝(n-1)3(n-s2)＝4πnd/λx＝exp(-αd)透射率達到極值時表述如下TM=AxB-Cx+Dx2---(5)]]>Tm=AxB+Cx+Dx2]]>對該透射率極大值TM和Tm進行進一步分析，可知其為波長λ，折射率n(λ)和參數x(λ)的連續函數；另外，在極大值和極小值的包絡線上，任一個極小值都可以在極大值包絡線上找到對應的一個透射率TM，任一個極大值都可以在極小值包絡線上找到對應的一個透射率Tm，如圖2中所標的TM和Tm的曲線，這樣就可以利用插值方法求得每個極值波長對應的兩個透射率極值TM和Tm。
在透明區薄膜材料的吸收係數α＝0，也就是式(4)中的x＝0。將(4)中的各表達式代入式(5)中的第一個表達式中，可得TM=2ss2+1---(6)]]>由(6)式可知，幹涉條紋的極大值僅僅取決於襯底材料的折射率，與其它因素無關。這樣不經測量，僅僅依靠所知道的襯底折射率就可以計算出不同波長所對應得折射率極大值。將(4)中的各表達式代入式(5)中的第二個表達式中，可得Tm=4n2sn4+n2(s2+1)+s2---(7)]]>解得折射率為n＝[M+(M2-s2)1/2]1/2(8)其中M=2sTm-s2+12---(9)]]>由於透射率極小值Tm是薄膜折射率n和襯底折射率s的函數，因此，只要知道Tm就可以通過上述幾個表達式算出折射率n。但是上面(6)～(9)式解決了當襯底材料為雙面拋光時如何利用透明區求解薄膜折射率的問題，但由於計算中用到了透射率的值，而單面拋光襯底由於一面的不光滑性恰恰影響了透射率的值，所以直接用上面的方法計算單面拋光襯底外延薄膜的折射率的值偏差將是很大的。下面我們解決單面拋光襯底上外延薄膜折射率的計算問題。
一.解決透明區和弱吸收區的折射率問題由於無論襯底材料是雙面拋光還是單面拋光，薄膜總是生長在拋光的一面，外延薄膜的質量應該是相同的，因此襯底的選擇本質上對於外延薄膜材料的性質是沒有影響的，它只不過影響了襯底的光透過率。由於單面拋光襯底未生長材料的一側表面不光滑，其粗糙引起了光線的散射，使光線丟失而不能到達探測器，這是導致單面拋光襯底外延薄膜與雙面拋光襯底外延薄膜的透射率相差的原因。而且需要指出的是表面的粗糙對於不同的波長的入射光影響是不同的，波長越短，其影響越大。如果設想能夠恢復由於襯底粗糙而丟失的信息，就可以利用式(6)-(9)計算薄膜的折射率。
由於在光強變化不大的情況下，對同一波長入射光由於襯底的粗糙引起的透射率的變化是同一比例的。因而由式(6)可知，當襯底雙面拋光時透射率極大值的值僅僅由襯底的折射率決定，由於襯底的折射率是已知的，這樣不經測量就可以計得出在某波長透射譜的極大值TM。由於粗糙對同一波長的入射光的透射率引起的變化是同一比例的，這樣就可以將單面拋光時的對透射率極值TM單和Tm單同比例放大，放大比例為TM/TM單，放縮公式為TM＝TM單×TM/TM單Tm＝Tm單×TM/TM單(10)通過對透射率極值TM單和Tm單的同比例放大就可恢復單面拋光時由於散射而丟失的信息，然後再利用式(7)～(9)得出薄膜材料的折射率。為了更準確的得出薄膜材料的折射率，本發明考慮分光光度計光譜寬度對透射率的影響，對縮放後的透射率極值TM和Tm進行如下修正在利用透射譜計算薄膜材料折射率時，由於透射譜中的分光光度計總是有一定的光譜寬度S，這樣照射到薄膜上的光就不是真正的單色光，而是波長範圍為λ±S/2的近似單色光，該近似單色光源，會對薄膜幹涉條紋有所影響。實際上，入射光的非單色性使幹涉條紋的極大值TM變大，而幹涉條紋的最小值Tm變小。設兩個極大值之間或兩個極小值之間的間距為w，幹涉條紋極值T的改變量ΔT隨條紋的透射率T和分光計照射光的寬度成正比，隨著極值之間的間距w的增大而減小，有下列關係ΔT＝(TS/w)2(11)由於單面拋光襯底外延薄膜放縮後的透射譜極大值已經是理論上的極大值，不應再有所增加，因此對於單面拋光襯底外延薄膜所做的修正都應對透射譜極小值Tm進行，故採用下式對薄膜透射譜極值TM和Tm進行修正TM′＝TMTm′＝Tm-(Tm×S/wm)2-(TM×S/wM)2(12)這裡兩個極值之間的寬度w如下式所示wM＝λm(i-1)-λm(i+1)wm＝λM(i-1)-λM(i+1)(13)
其中下標為M表示透射譜極大值，下標為m表示透射譜極小值。
對修正後的透射率極值TM′和Tm′再利用式(7)～(9)，就可以得到透明區和弱吸收區的薄膜的折射率n1。
二.解決薄膜厚度及一般吸收區和強吸收區的折射率問題並對所述的折射率再進行修正首先，計算薄膜的厚度，即根據幹涉極值條件式(1)，在相鄰波峰和波谷之間有下式成立2n1d＝m′λ1(m′為整數) (14)2n2d＝(m′-1/2)λ2其中m′為幹涉極大值對應的波數，λ1為此時的波長，n1為波長在λ1時對應的折射率；(m′-1/2)為幹涉極小值對應的波數，λ2為此時的波長，n2為波長在λ2時對應的折射率，且λ1＜λ2。由於折射率n有如下性質在入射光能量遠小於薄膜材料禁帶寬度的區域，即波長比較長的區域，折射率n的值變化緩慢。所以在較長波長處可令n1＝n2，這樣有m′λ1＝(m′-1/2)λ2(15)得到m′的值為m'=22(2-1)---(16)]]>因為m′的值是整數，所以對求得的結果取整之後得到的值是沒有誤差的。又由於在透射譜中波長是連續變化的而薄膜的厚度是不變的，因此波數的值也應該是連續變化的，即相鄰極值之間波數之間的差值為半整數1/2。這樣得到確切的幾個m′的值後就可以推出所有透射率極值所對應的波數m。
然後，將波數m代入式(14)求出透明區和弱吸收區中各極值點對應的薄膜厚度d1，然後求薄膜厚度d1的算術平均值最終得到薄膜厚度的平均厚度d。
因為幹涉極值條件式(1)不止局限於透明區和弱吸收區，而是適用於整個透射譜區，因此知道了薄膜厚度和波數，就可以利用式(1)求得各極值點折射率n的值，在求得各極值點折射率n的同時對薄膜在透明區和弱吸收區的折射率n1進行了修正。
三.解決薄膜吸收係數的問題對於吸收係數的測量，一般採用下列公式計算
α＝-1/dln(1/B{A+[A2+2BT(1-R2R3)]1/2} (17)在上式中參數A，B為A＝-(1-R1)(1-R2)(1-R3)B＝2T(R1R2+R1R3-2R1R2R3) (18)R1，R2，R3是空氣與薄膜，薄膜與襯底，襯底與空氣之間的反射係數。定義為R1＝[(1-n)/(1+n)]2R2＝[(n-s)/(n+s)]2(19)R3＝[(s-1)/(1+s)]2n為薄膜折射率，s為襯底折射率。T是透射率，它既不是幹涉極大時的TM′，也不是幹涉極小時的Tm′，而是用TM′和Tm′的幾何平均值，計算式為T=TMTm---(20)]]>從而求出吸收係數，這樣就完成了對單面拋光襯底外延材料厚度和光學參數的測量。
根據上述理論描述，本發明的測量過程如下1)對長在單面拋光襯底上的外延薄膜進行透射譜的測量，得到透射譜極值數據TM測和Tm測，以及他們所對應的極值波長λM和λm。根據測量結果在透明區和弱吸收區對TM測和Tm測進行拉格朗日插值計算，求得每一個極值波長所對應的兩個透射率極值TM單和Tm單；2)根據式TM=2ss2+1]]>和襯底材料的折射率s計算出每一極值波長所對應的理論透射率極大值TM，然後對1)中得到的透射率極值TM單和Tm單進行放縮，放縮比例為TM/TM單，放縮式為TM＝TM單×TM/TM單和Tm＝Tm單×TM/TM單，得到放縮後的極值透射率TM和Tm；3)本發明考慮到透射譜中分光光度計光譜寬度對透射率的影響，對縮放後的透射率極值TM和Tm利用式TM′＝TM和Tm′＝Tm-(Tm×S/wm)2-(TM×S/wM)2進行修正，其中兩個極值透射率之間的寬度為wM＝λm(l-1)-λm(l+1)和wm＝λM(i+1)-λm(i+1)，S為分光光度計的光譜寬度，得到修正後的極值透射率TM′和TM′；4)對修正後的極值透射率Tm′，利用式n1＝[M+(M2-s2)1/2]1/2，和式M=2sTm-s2+12]]>計算出透明區和弱吸收區的折射率n1；5)在透明區和弱吸收區根據透射譜測得的兩個相鄰極值波長λ1和λ2(λ1對應極大值波長，λ2對應極小值波長且λ1＜λ2)，利用式m=22(2-1)]]>確定透射率極大值所對應的波數m′，該m′為整數，然後根據相鄰極值之間波數相差半整數1/2這一特性推知所有透射率極值時對應的波數m，得到了的波數m和折射率n1，利用透射率極值條件2n1d＝mλ求出透明區和弱吸收區出現透射率極值時對應的薄膜厚度d1，然後求薄膜厚度d1的算術平均值得到薄膜的平均厚度d；6)由於透射率極值條件2nd＝mλ對所有透射譜區域都成立，這樣利用透射率極值條件2nd＝mλ和得到的薄膜平均厚度d及波數m，求出透射譜範圍內的薄膜的折射率n，同時對n1進行了修正；7)求TM′和Tm′的幾何平均值T=TMTm,]]>然後利用式α＝-1/dln(1/B{A+[A2+2BT(1-R2R3)]1/2}求得吸收係數α，式中A＝-(1-R1)(1-R2)(1-R3)B＝2T(R1R2+R1R3-2R1R2R3)R1，R2，R3為空氣與薄膜，薄膜與襯底，襯底與空氣之間的反射係數，表示為R1＝[(1-n)/(1+n)]2，R2＝[(n-s)/(n+s)]2，R3＝[(s-1)/(1+s)]2經過上面步驟以後就可得到外延薄膜的厚度，折射率以及吸收係數，完成了全部測量。
本發明的方法簡單、對設備要求較低，解決了單面拋光襯底外延薄膜不能應用透射譜測量厚度和光學參數的問題；同時減小了外延薄膜厚度和光學參數測量對襯底材料的要求，降低了費用，在實際應用中有重要的價值。
圖1是以GaN為例的外延薄膜材料透射譜的基本原理示意2是以GaN為例的單面拋光襯底上外延薄膜的透射譜3是GaN薄膜的折射率4是GaN薄膜的吸收係數圖具體實施方式
以下結合實例說明本發明的具體測量過程。
用金屬有機物化學氣相澱積(MOCVD)方法在藍寶石襯底上外延GaN薄膜材料，通常藍寶石襯底比GaN薄膜厚得多，GaN薄膜厚度通常在0.5-5.0μm之間，而藍寶石襯底的厚度通常為330μm是GaN薄膜的幾十到幾百倍。藍寶石襯底的折射率s是已知的，如表1。在所測的透射譜範圍內藍寶石的吸收係數αs＝0。
表1 藍寶石襯底在355-1064nm之間的折射率
本實例通過如下過程測出GaN薄膜的準確厚度、光學參數折射率及吸收係數。
(1)對生長在單面拋光藍寶石襯底上的外延GaN薄膜進行透射譜的測量，得到透射譜極值數據TM測和Tm測，以及他們所對應的波長λ，如表2。
表2 單面拋光藍寶石襯底上的外延GaN薄膜進行透射譜的測量結果
表2首先處理透明區和弱吸收區，只寫出了波長在700nm以上的值。
(2)實測透射譜極值TM測和Tm測進行拉格朗日插值計算，得到每一極值波長所對應的兩個極值透射率TM單和Tm單，如表3所示。
表3 對測量結果插值計算後得到的每一極值波長對應的兩個透射率極值
(3)根據式TM=2ss2+1]]>和由表一中的數據得到的襯底材料的折射率s計算極值波長時理論透射率極大值TM，然後對透射率極值TM單和Tm單進行放縮，放縮比例為TM/TM單，得到放縮後的極值透射率TM和Tm，如表4所示。
表4 轉換後的極值透射率TM和Tm
(4)考慮到透射譜中分光光度計光譜寬度對透射率的影響，利用式TM′＝TM和Tm′＝Tm-(Tm×S/wm)2-(TM×S/wM)2對極值透射率TM和Tm進行修正，得到修正後的極值透射率TM′和Tm′，如表5所示。
表5 修正後的極值透射率TM′和Tm′
(5)對修正後的極值透射率TM′和Tm′，利用式n1＝[M+(M2-s2)1/2]1/2和
M=2sTm-s2+12]]>計算透明區和弱吸收區的折射率n1，如表6所示。
表6 透明區和弱吸收區的折射率n1
(6)利用式m=22(2-1)]]>確定透射率極大值所對應的波數m′，根據相鄰極值之間波數相差半整數1/2這一特性推知其餘透射率極值時對應的波數m；然後根據得到的波數m和折射率n1，利用透射率極值條件2n1d＝mλ求出透明區和弱吸收區每一極值波長薄膜厚度d1；最後求薄膜厚度d1的算術平均值得到薄膜的平均厚度d＝2..0647μm，如表7所示。
表7中還給出了每一極值波長薄膜厚度d1相對於平均厚度d的偏差，總的平均偏差為0.85。
表7 GaN薄膜的厚度及偏差
(7)將薄膜平均厚度d和波數m代入公式2nd＝mλ，求出透射譜範圍內的薄膜的折射率n，同時對n1進行了修正，修正的折射率n如表8所示。
表8 透明區和弱吸收區的折射率n
表8中只給出了波長在700nm以上時GaN薄膜折射率的數值，對全部透射譜範圍內的GaN薄膜的數值由於數據點較多，由圖3給出。
(8)求TM′和Tm′的幾何平均值T=TMTm,]]>和空氣與薄膜，薄膜與襯底，襯底與空氣之間的反射係數R1＝[(1-n)/(1+n)]2，R2＝[(n-s)/(n+s)]2，R3＝[(s-1)/(1+s)]2，然後利用式α＝-1/dln(1/B{A+[A2+2BT(1-R2R3)]1/2}求得吸收係數α，式中A＝-(1-R1)(1-R2)(1-R3)B＝2T(R1R2+R1R3-2R1R2R3)由於得到的數據點較多，得到的結果由圖4給出。
通過上面的過程得到了GaN薄膜的厚度為d＝2.0647，得到的厚度的平均偏差為0.85％，同時圖3和圖4給出了GaN薄膜的折射率和吸收係數。由圖3及圖4可知在GaN材料的禁帶寬度附近，對應於入射光波長364nm左右，GaN材料的折射率n和吸收係數α急劇增加，而隨著入射光波長的增加，GaN材料的折射率n趨向平穩，吸收係數α趨於零，此規律符合材料折射率n和吸收係數α的變化規律，再次驗證了本方法的可行性。
上述實施方式只是本發明的一個實例，該方法不只局限於對GaN薄膜的測量，用本發明的方法可以實現對其它單面拋光襯底外延薄膜厚度和光學參數的測量。
權利要求
1.一種單面拋光襯底外延薄膜厚度和光學參數的測量方法，是要得出外延薄膜厚度d、外延薄膜折射率n和外延薄膜吸收係數α，其具體步驟如下1)對長在單面拋光襯底上的外延薄膜進行透射譜的測量，得到透射譜極值數據TM測和Tm測，以及他們所對應的極值波長λM和λm；2)根據步驟1)的測量結果在透明區和弱吸收區對TM測和Tm測進行拉格朗日插值計算，求得每一個極值波長所對應的兩個透射率極值Tm單和Tm單；3)根據式TM=2ss2+1]]>和已知的襯底材料折射率s，得出每一極值波長所對應的理論透射率極大值TM；4)對步驟1)中得到的透射率極值TM單和Tm單進行放縮，得到放縮後的極值透射率TM和Tm，該放縮係數為TM/TM單，放縮式為TM＝TM單×TM/TM單和Tm＝Tm單×TM/TM單；5)利用式TM′＝TM和Tm′＝Tm-(Tm×S/wm)2-(TM×S/wM)2對縮放後的率極值TM和Tm進行修正，得到修正後的極值透射率TM′和Tm′，式中兩個極值透射率之間的寬度為wM＝λm(i-1)-λm(i+1)和wm＝λM(i-1)-λM(i+1)，S為分光光度計的光譜寬度；6)對修正後的極值透射率Tm′，利用式n1＝[M+(M2-s2)1/2]1/2和式M=2sTm-s2+12]]>得出外延薄膜在透明區和弱吸收區的折射率n1；7)在外延薄膜的透明區和弱吸收區根據1)中測得透射譜的兩個相鄰極值波長λ1和λ2，利用式m=22(2-1)]]>確定透射率極大值所對應的波數m′，式中λ1對應極大值波長，λ2對應極小值波長且λ1＜λ2；並根據相鄰極值之間波數相差半整數1/2這一特性推知所有透射率極值所對應的波數m；8)根據得到的波數m和折射率n1，利用透射率極值條件2n1d＝mλ得出透明區和弱吸收區出現透射率極值時對應的薄膜厚度d1，並對該厚度d1進行算術平均得到薄膜的平均厚度d；9)利用透射率極值條件2nd＝mλ和得到的薄膜平均厚度d及波數m，求出透射譜範圍內的薄膜的折射率n，同時對薄膜在透明區和弱吸收區的折射率n1進行修正；10)按照式T=TMTm]]>得出(5)中修正後的極值透射率TM′和Tm′的幾何平均值，同時利用式α＝-1/dln(1/B{A+[A2+2BT(1-R2R3)]1/2}求得薄膜的吸收係數α，式中A＝-(1-R1)(1-R2)(1-R3)，B＝2T(R1R2+R1R3-2R1R2R3)R1，R2，R3為空氣與薄膜，薄膜與襯底，襯底與空氣之間的反射係數，且R1＝[(1-n)/(1+n)]2，R2＝[(n-s)/(n+s)]2，R3＝[(s-1)/(1+s)]2。
全文摘要
本發明公開了一種單面拋光襯底外延薄膜厚度和光學參數的測量方法，該方法根據襯底外延薄膜結構透射率極大值只與襯底材料有關的特性，對透射譜測得的單面拋光襯底外延薄膜的透射率極值數據T
文檔編號G01N21/41GK1715832SQ20051004286
公開日2006年1月4日 申請日期2005年6月29日 優先權日2005年6月29日
發明者郝躍, 張春福, 周小偉 申請人:西安電子科技大學