信息記錄介質及其製造方法

2023-09-12 07:13:40 1

專利名稱：：信息記錄介質及其製造方法
技術領域：
：本發明涉及一種通過光學裝置或者電裝置對信息進行記錄或者進行再現的信息記錄介質及其製造方法。
背景技術：
：作為光學信息記錄介質之一例，有藍光光碟(Blu-rayDisc)。作為其介質的層結構，可列舉在基板表面上依次形成反射層、第三界面層、第二電介質層、第二界面層、記錄層、第一界面層、第一電介質層及保護層的示例。第一電介質層及第二電介質層具有下述功能，即，通過調節光距(二折射率X物理距離)來提高記錄層的光吸收效率、使結晶相的反射率及非晶質相的反射率之差變大，提高信號振幅。另外，還兼具有保護記錄層不受水分等影響的功能。作為這些電介質層的材料的一例，可列舉80mol%的ZnS和20mol。/o的Si02的混合物(下面記做(ZnS)80(Si02)20)(例如參照專利文獻l)。這種材料是非晶質材料，具有熱傳導率低、高折射率且高透明性的特性。另外，成膜時的成膜速度快，機械特性及耐潮性也優良。由於具有這樣優良的特性，因而，(ZnS)80(Si02)2o作為非常適於形成電介質層的材料而被實用化。第一界面層及第二界面層是在用雷射照射記錄層進行反覆重寫記錄時，出於防止(ZnS)80(Si02)20中的硫(下面簡稱S)元素擴散到記錄層的目的而設置的。若S元素擴散到記錄層中，將會使介質的反射率明顯降低，進而使記錄介質的反覆重寫特性顯著惡化。作為該界面層的材料，例如公開有含有Zr02和0203的材料(例如參照專利文獻2)。這種材料不含S元素，相對於藍紫色波長域(405nm附近)的雷射透明度高，且由於為高熔點，因而也是一種耐熱性高的優良材料。反射層具有下述的功能，g卩，在光學方面使被記錄層吸收的光量增大，在熱學方面使在記錄層產生的熱量快速擴散，從而使記錄層快速冷卻而易於實現非晶質化。除此之外，還具有保護記錄層、界面層及電介質層不受使用環境影響的功能。因此，作為反射層的材料，優選使用熱傳導率高的Ag合金。在第二電介質層使用(ZnS)80(Si02)20、反射層使用Ag合金時，第三界面層具有防止(ZnS)80(Si02)20中的S元素擴散到反射層的功能。若S元素擴散到反射層，則與Ag合金中的Ag發生化學反應生成Ag2S。即使在常溫常溼度環境中也會生成該Ag2S，而使介質的可靠性明顯降低。作為該第三界面層的材料，可使用除硫化物之外的電介質，除Ag之外的金屬、半金屬、半導體。本發明者們發現了在第二電介質層使用含S元素的電介質並設置第二界面層及第三界面層而引起的多種問題。就第三界面層而言，首先，列舉記錄層產生的熱量難以擴散的問題。在信息記錄介質中，若冷卻效果好則易於非晶質化從而得到良好的記錄標記。雖然在元素中熱傳導率最高的是Ag，但是如上所述，不能在第三界面中使用Ag合金。因此，通過設置第三界面將降低記錄層的冷卻效果。另外，出於提高防止元素彼此的擴散效果的目的，或者使用不同的材料而使界面層多層化，或者使膜厚變厚，由此喪失冷卻效果而難以快速冷卻，從而使信號品質降低。第二，設置第三界面層，將增加構成介質的層數。若增加層數，將產生或者增加對製造介質的設備的投資額或者延長製造時間的問題，介質的成本升高。關於第二界面也一樣，通過設置該層，將造成或者降低冷卻效果，或者提高介質成本。專利文獻l:日本特公平06—090808號公報；專利文獻2:日本特開2003_323743號公報。
發明內容本發明是解決上述問題的，其目的在於提供一種不含S元素、相對於藍紫色波長域雷射具有高透明度且耐潮性優良的電介質材料。另一目的在於提供一種信息記錄介質，其通過將該電介質材料應用於第二電介質層，從而不需要第二及第三界面層，不僅信號品質高而且記錄靈敏度及反覆重寫特性優良。為了實現上述目的，本發明中的信息記錄介質具備氧化物一氟化物電介質層，該氧化物一氟化物電介質層包含In元素、元素M1(其中，Ml為選自Zr、Hf、Y、Ti、Nb、Ta、Cr、Ga及Si的至少一種元素)、氧元素(0)、元素M2(其中，M2為選自La、Ce、Pr、Nd、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Yb、Mg、Ca及Sr的至少一種元素)、氟元素(F)。另外，本發明的信息記錄介質的製造方法，是使用包含下述元素的濺射靶來形成氧化物一氟化物電介質層的，其中，上述元素為In元素、元素M1(其中，Ml為選自Zr、Hf、Y、Ti、Nb、Ta、Cr、Ga及Si的至少一種元素)、氧元素(O)、元素M2(其中，M2為選自La、Ce、Pr、Nd、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Yb、Mg、Ca及Sr的至少一種元素)、氟元素(F)。根據本發明的信息記錄介質，即使在反射層和電介質層之間不設置界面層，也可提供一種不僅信號品質高而且記錄靈敏度及反覆重寫特性優良的信息記錄介質。另外，根據本發明的信息記錄介質的製造方法，可製造出實現如上所述效果的信息記錄介質。圖1是本發明實施方式1中的信息記錄介質1的局部剖面圖；圖2是本發明實施方式2中的信息記錄介質2的局部剖面圖；圖3是本發明實施方式3中的信息記錄介質3的局部剖面圖；圖4是本發明實施方式4中的信息記錄介質4的局部剖面圖；圖5是對於本發明的信息記錄介質進行信息的記錄再現的記錄再現裝置的局部結構的簡略圖；圖6是本發明實施方式7中的信息記錄介質607的局部剖面圖；圖7是使用圖6所示的信息記錄介質的系統之一例的示意圖；圖8是具有四個信息層的信息記錄介質的局部剖面圖。符號說明1、2、3、4、55、607、5:信息記錄介質301、302、501、502、503、504:信息層50:記錄再現裝置11、43、601:基板12、33、85:反射層13、34、86:第二電介質層14:第二界面層15、35、605、87:記錄層16、88:第一界面層17、37、89:第一電介質層18:保護層19:能量束(雷射)31、81、82、83:光學分離層32、84:透射率調節層36:界面層41:偽基板42:粘接層51:主軸電動機52-半導體雷射器53-光學頭54-物鏡56:雷射602:下部電極603:記錄部604:上部電極606:電介質層608:脈衝發生部609:電阻測量器610、611:開關612:施加部613:判斷部614:電寫入/讀取裝置具體實施例方式下面，參照本發明的實施方式。下面的實施方式都是例示性的，本發明並不局限於下面的實施方式。(實施方式1)作為本發明的實施方式1，說明使用雷射進行信息的記錄及再現的信息記錄介質之一例。圖1表示其光學信息記錄介質的局部剖面。圖1所示的信息記錄介質1，是在基板11的表面上順次層疊反射層12、第二電介質層13、第二界面層14、記錄層15、第一界面層16、第一電介質層17、以及保護層18而形成的。從第一電介質層17側向該信息記錄介質照射記錄*再現用的能量束(一般為雷射)19。保護層18例如由光硬化型樹脂(特別為紫外線硬化型樹脂)及遲效性熱硬化型樹脂等樹脂、或者電介質等構成，優選對於所使用的雷射光吸收小的材料。另外，在保護層18上，也可以使用聚碳酸酯、非晶聚烯烴(7乇少777求y才^70)，或者聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)等樹脂，或者玻璃。使用這些材料時，例如通過使用光硬化型樹脂(特別為紫外線硬化型樹脂)或遲效性熱硬化型樹脂等樹脂將保護層18粘貼於第一電介質層17而形成。基板11是圓盤狀的透明基板。對於基板11的材料，例如可使用聚碳酸酯、非晶聚烯烴，或者PMMA等樹脂，或者玻璃。在基板ll的記錄層15側的表面，也可以根據需要形成用於引導雷射的導向槽(道間距0.32/xm)。優選基板11的與記錄層15的相反側的面是平滑的。另外，雖然基板11的厚度是500/rni1300itmi左右，但在保護層18的厚度為100nmi左右(NA=0.85是可進行良好的記錄再現的厚度)的情況下，優選基板11的厚度在1050/xm1150/mi的範圍。記錄層15例如由因雷射的照射而在結晶相和非晶質相之間引起可逆相變的材料構成。作為這種材料，例如有用式GepM5qM6/Te，-(p+q^(原子％)表示的材料。根據這種材料，可形成非晶質相穩定且信號振幅大、並且熔點的上升和結晶化速度的降低比較少的記錄膜。其中，M5是選自Sb及Bi的元素，M6是選自Si、Ti、V、Fe、Co、Ni、Cu、Zr、Nb、Mo、Se、Ru、Rs、Pd、Mn、Ag、Al、Cr、Sn、Ga、In、Ta、Dy、Gd、Td、Os、Ir、W、Pt、Au的元素。優選p滿足30《p〈50，更優選p滿足35《p《48。另夕卜，優選q滿足(Xq《20，優選r滿足0《r《20，優選35《p+q+r《60。為了得到良好的記錄特性，優選記錄層15的膜厚在5nm15nm的範圍內。當記錄層15過厚時，使得因熱向面內方向的擴散而引起的向相鄰區域的熱影響變大。而當記錄層15過薄時，由於信息記錄介質1的反射率變小，因此更優選膜厚為8nm12nm。另外，記錄層15還可用含有Sb、M7(其中，M7為選自V、Mn、Ga、Ge、Se、Ag、In、Sn、Te、Pb、Bi及Au的至少一種元素)的材料形成。具體而言，記錄層15可用由SbsM7剛—s(原子％)表示的材料來形成。在s滿足50《s《95時，可使記錄層15在結晶相的情況和非晶質相的情況之間的信息記錄介質1的反射率差變大，因而可得到良好的記錄再現特性。其中，在75《s《95的情況下，結晶化速度特別快，可在高的傳輸速率下得到良好的重寫性能。另外，在50《s《75的情況下，非晶質相特別穩定，可在低的傳輸速度下得到良好的記錄性能。另外，記錄層15可用非可逆的相變材料形成。作為非可逆的相變材料，例如如日本國專利公報平7—25209公報(特許第2006849號)所公示的，優選使用TeOx+M8(其中，M8為Pd或Ge等元素)。在記錄層為非可逆的相變材料時，雖然是只能寫入一次的一次寫入多次讀出型的信息記錄介質，但是，由於這樣的信息記錄介質也會對記錄靈敏度、信號儲存性的課題有所改善，因而也適用本發明。另外，記錄層15並非局限於相變材料，也可以使用通過施加磁場和照射光進行記錄消去再現的光磁材料。作為該材料，可使用包含由Tb、Gd、Dy、Nd、Sm組成的稀土類金屬族中的至少一種元素、和由Sc、Cr、Fe、Co、Ni組成的過渡性金屬族中的至少一種元素的材料。具體而言，可列舉Tb—Fe、Te—Fe—Co、Gd—Fe、Gd—Fe—Co、Dy—Fe—Co、Nd一Fe—Co、Sm一Co、丁b—Fe—Ni、Gd—Tb—Fe—Co、Dy—Sc一Fe一Go等。在記錄層的材料為光磁材料時，信息記錄介質的結構不一定與圖l相一致，但優選使用本發明中的記錄層的兩側的界面層構成及材料。反射層12具有使被記錄層15吸收的光量增大的光學性能。另外，反射層12還具有使在記錄層15產生的熱快速擴散、易於使記錄層15非晶質化的熱學性能。再者，反射層12還具有保護多層膜不受使用的環境影響的性能。反射層12的材料，例如可使用Ag、Au、Cu、Al、Pt、Ti及W這些熱傳導率高的單體金屬。另外，還可以使用下述的合金，即，在Al中添加了Cr、Ni、Ti等的Al合金、在Au中添加了Cu、Cr、Nd等的Au合金、在Ag中添加了Cu、Pd、Ga、In、Nd等的Ag合金、或者在Ag—Cu中添加了Pd、Ti、Ru、Al、Au、Ni、Nd、Ga、Ca、In、Gd、Y等的Ag合金、在Ag—Nd中添加了Au及Pd等的Ag合金、在Ag—In中添加了Sn及Ga等的Ag合金、以及Ag—Ga—Sn、Ag—Ga—Y、Ag—Ga—Al、Ag—Zn—Al、Cu—Si這些合金。特別是由於Ag合金熱傳導率高，因而優選作為反射層12的材料。而添加濃度優選在3原子％以下。反射層12的膜厚，優選熱擴散性能很充分的30nm以上。在該範圍內，反射層12厚度大於240nm時，因其熱擴散性能過強，反而使記錄靈敏度降低。因此，更優選反射層12的膜厚在30nm240nm的範圍內。第二界面層14、第一界面層16具有作為防止元素擴散到記錄層及水分混入到記錄層的阻擋層的功能。另外，由於與記錄層15鄰接設置，因而具有促進或者抑制記錄層的結晶化速度的效果，理想的是與由硫屬化物材料構成的記錄層15的粘合性優良。這些界面層優選使用光吸收少的材料，作為界面層14及16的材料，例如可使用下述材料，即Zr02、Hf02、Si02、MgO、Cr203、Ga203、ln203、Y203及A1203等氧化物，C_N、Ti一N、Zr—N、Nb—N、Ta—N、Si—N、Ge—N、Cr一N、Al—N、Ge—Si—N及Ge—Cr—N等氮化物，SiC等碳化物，LaF3、CeF3及YF3等氟化物。另外，也可以是選自其中的混合物。作為其混合物的一例可列舉為了Zr02的穩定而添加有Y203的Zr02—￥203(穩定化氧化鋯或者部分穩定化氧化鋯)，除此之外，還可列舉Zr02—Cr203、Zr02—Si02—Cr203、Zr02—Y203—Cr203、Zr02—ln203、Zr02_Si02—ln203、Zr02_Y203—ln203、HfO廣Ce203、Hf02—Si02—Cr203及Zr02_Si02—Cr203—LaF3等。優選界面層14及16的膜厚為lnm12nm。若界面層的膜厚太薄，則得不到作為阻擋層的充分效果，導致元素向記錄層的擴散及水分混入記錄層，致使信號品質惡化。而若界面層太厚，則對記錄層的結晶化促進及抑制效果太大，致使記錄*再現特性惡化。因此，更優選膜厚為3nm10nm。，第一電介質層17具有下述作用，g卩，保護記錄層15不受水分等影響、調節光學距離提高記錄層15的光吸收率、使在記錄前後的反射光量的變化率變大以提高信號振幅。第一電介質層17例如可使用下述材料，艮P,Ti02、Zr02、Hf02、Si02、MgO、ZnO、Nb202、Ta2Os及A1203等氧化物，C一N、Ti_N、Zr_N、Nb—N、Ta—N、Si—N、Ge—N、Cr—N、Al—N、Ge—Si—N及Ge—Cr—N等氮化物。另夕卜，也可使用ZnS等硫化物及SiC等碳化物。另外，還可使用上述材料的混合物。另外，可使用本發明中的氧化物—氟化物電介質(詳細情況將在下面的第二電介質層13進行說明)。在這些材料中，例如由於ZnS和Si02的混合物是非晶質材料，成膜速度快，而且折射率高、機械強度及耐潮性良好，因此，作為應用於第一電介質層17的材料特別優良。第一電介質層17的膜厚可通過基於矩陣法的計算，根據既要提高記錄層15在結晶相狀態和非晶質相狀態的反射光量的反射率，又要提高在記錄層15的光吸收率的條件來確定。作為具體的膜厚，優選在10nm150nm的範圍內，更優選在30nm80nm的範圍內。第二電介質層13是構成本發明的特徵的部分。第二電介質層13與第一電介質層17—樣，也具有調節光學距離提高記錄層15的光吸收率的作用和使在記錄前後的反射光量的變化率變大以提高信號振幅的作用。另外，還具有將在記錄層15產生的熱快速擴散到反射層12，使記錄層15冷卻的作用。在這種熱擴散效果優良的情況下，將減輕對記錄層15的熱負荷，得到良好的反覆重寫特性。雖然第二電介質層13可使用與上述第一電介質層17—樣的材料，但其中，還是特別優選使用本發明中的氧化物一氟化物電介質。這種氧化物一氟化物電介質，包含有In元素、元素M1(其中，Ml為選自Zr、Hf、Y、Ti、Nb、Ta、Cr、Ga及Si的至少一種元素)、氧元素、元素M2(其中，M2為選自La、Ce、Pr、Nd、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Yb、Mg、Ca及Sr的至少一種元素)、氟元素。在此，通過使氧化物一氟化物電介質中含有由In元素和氧元素構成的In的氧化物，可提高與反射層材料及記錄層材料的粘合性，進而可提高信息記錄介質的耐候性，耐潮性。其中，In的氧化物相對於藍紫色域及紅色域波長的光光吸收率高。若將這種光吸收率高的電介質應用於電介質層，則在記錄層以外產生雷射的損失，因而需要高的記錄功率。即，將會使記錄靈敏度惡化。另外，還可以考慮由於電介質層的雷射吸收而使熱蓄積於電介質層，致使重寫特性變差。為了改善這種缺點，想出了含有元素M1、氧元素、元素M2及氟元素的方案。通過使氧化物—氟化物電介質含有由元素Ml和氧元素構成的Ml的氧化物，可使電介質既具有高透明性，又具有高熔點。因此，由於不僅熱量不會蓄積在電介質層，而且耐熱性優良，因而可提高信息記錄介質的重寫特性。另外，B及Cr的氧化物與反射層材料及記錄層材料的粘合性優良，可提高信息記錄介質的耐候性耐潮性。氧化物—氟化物電介質的特徵在於，元素M2的絕大多數為離子半徑大，另外，由元素M2和氟元素構成的M2的氟化物表現出對水的難溶解性，認為可提高耐潮性。另外認為，通過在氧化物一氟化物電介質中混合氧化物和氟化物，可使電介質的構造複雜化，降低熱傳導率，使熱不會擴散到面內，從而能夠以低的記錄功率鮮明地寫上記錄標記。§卩，這意味著提高了記錄靈敏度。但是，由於若熱傳導率下降得太低，將使快速冷卻太快而使重寫特性惡化，因此，必須調整所含有的比例，尋求記錄靈敏度和重寫特性的平衡。這樣，通過很均衡地含有In元素、元素M1、氧元素、元素M2及氟元素，可得到滿足高粘合性、高耐熱性、高透明性及低熱傳導率的電介質。由此，可得到高耐候性，耐潮性(與界面的高粘合性)且記錄靈敏度優秀、重寫特性良好的信息記錄介質。具體而言，構成上述氧化物一氟化物電介質的元素系列，例如可列舉如下，艮卩，In—Zr—O—La—F、In_Zr—O—Ce—F、In_Zr—O—Nd—F、In—Zr—0—Dy—F、In_Hf_0_La—F、In—Hf—O—Ce—F、In—Hf—O—Nd—F、In—Hf—O—Dy—F、In—Y—O—La—F、In—Y—O—Ce—F、In—Y—O—Nd—F、In—Y—O—Dy—F、In—Ti—0—La—F、In—Ti—O—Ce—F、In—Ti—0_Nd—F、In—Ti—O—Dy—F、In—Cr一0—La—F、In—Cr—O—Ce—F、In—Cr—O—Nd—F、In—Cr—O—Dy—F、In_Si—O—La—F、In—Si—0—Ce—F、In—Si_0_Nd_F、In_Si_0_Dy—F、In—Zr—Y—0—La—F、In—Zr—Y—0—Ce—F、In_Zr_Cr—O—La—F、In—Zr—Cr—O—Ce—F、In—Zr—Si—O—La—F、In—Zr—Si—0—Ce—F、In—Hf—Y_0—La—F、In—Hf—Y—O—Ce—F、In—Hf—Cr一O—La—F、In_Hf_Cr—0_Ce—F、In—Hf—Si—O—La—F、In—Hf—Si—O—Ce—F、In_Y_Cr—0_La_F、In—Y—Cr一0—Ce—F、In—Cr一Si—0—La—'F、In-Cr一Si—0-Ce—F、In-Zr—Y—Si—0_La—F、In—Zr-Y-Si—O—Ce—F、In—Zr—Y—Cr—O—La—F、In—Zr—Y—Cr—O—Ce—F、In—Zr—Cr—Si—O—La—F、In—Zr—Cr—Si—O—Ce—F、In—Zr—Y—Cr_Si—O—La—F、In—Zr—Y—Cr一Si—0—Ce—F、In—Zr—O—La—Ce—F、In—Zr—O—La—Nd—F、In—Zr—0—La—Dy—F、In—Hf—O—La—Ce—F、In—Y—O—La—Ce_F、In—Ti—0—La—Ce—F、In—Cr一O—La—Ce—F、In_Si—O—La—Ce—F、In—Zr—O—La—Ce—Nd—F、In—Zr—O—La—Ce—Dy—F、In—Zr—Y—O—La—Ce—F、In—Zr—Cr—O—La—Ce—F、In—Zr—Si—O—La—Ce—F、In—Zr—Y—Cr—O—La—Ce—F、In—Zr—Y—Si—O—La—Ce—F、In—Zr—Cr—Si—O—La—Ce一F及In—Zr—Y—Cr—Si—O—La—Ce—F等。另外，例如考慮到將In元素和氧元素在薄膜中形成In2Cb這一穩定的形式。上述具體例所列舉的氧化物一氟化物電介質，可考慮以下述的形式存在。這些形式是，In203_Zr02—LaF3、In203_Zr02—CeF3、In203_Zr02—NdF3、ln203—Zr02—DyF3、In203_Hf02—LaF3、In203_Hf02_CeF3、ln203_Hf02_NdF3、ln203_Hf02_DyF3、ln203—Y203—LaF3、ln203—Y203—CeF3、ln203—Y203—NdF3、ln203_Y203—DyF3、ln203—TiO廣LaF3、ln203—Ti02_CeF3、ln203—Ti02—薩3、ln203—Ti02—DyF3、ln203—Cr203—LaF3、In203_Cr203_CeF3、ln203—Cr203_NdF3、ln203—Cr203—DyF3、In203—Si02—LaF3、In203—Si02—CeF3、ln203—Si02_NdF3、ln203一SiO廣DyF3、ln203—ZrO廣Y203—LaF3、In203—Zr02—Y203—CeF3、In203_Zr02_Cr203_LaF3、ln203—Zr02—Cr203—CeF3、In203—Zr02—Si02—LaF3、ln203—ZrO廣Si02_CeF3、ln203—ZrSi04_LaF3、ln203—ZrSi04_CeF3、In203—Hf02—Y203—LaF3、ln203—Hf02—Y203—CeF3、ln203—Hf02_Cr203_LaF3、In203_Hf02—Cr203_CeF3、In203—Hf02_Si02—LaF3、In203_Hf02—SiO廣CeF3、In203_Y203—Cr203—LaF3、ln203—Y203—Cr203—CeF3、ln203—Cr203_Si02—LaF3、ln203_Cr203—Si02_CeF3、ln203—Zr02—Y203_Si02_LaF3、ln203—Zr02—Y203—Si02—CeF3、ln203—Zr。2_Y203—Cr203—LaF3、ln203_Zr。2—Y203_Cr203—CeF3、In203_Zr02—Cr203_Si02_LaF3、ln203—Zr02—Cr203—Si02—CeF3、In203_Zr02_Y203—Cr203_Si02—LaF3、ln203—Zr02_Y203—Cr203_Si02_CeF3、ln203—Zr02_LaF3—CeF3、ln203—Zr02_LaF3—NdF3、In203_Zr02—LaF3—DyF3、ln203—Hf02_LaF3_CeF3、ln203—Y203一LaF廣CeF3、ln203—Ti02—LaF3—CeF3、ln203_Cr203-LaF3_CeF3、In203_Si02—LaF3_CeF3、ln203—ZrO廣LaF廣CeF廣NdF3、In203—Zr02_LaF3—CeF廣DyF3、ln203—Zr02—Y203—LaF3—CeF3、In203_Zr02—Cr203_LaF3_CeF3、In203_Zr02—Si02—LaF3—CeF3、ln203—ZrSiO廣LaF3—CeF3、ln203—Zr02—Y203_Cr203—LaF3—CeF3、ln203—Zr02—Y203—Si02_LaF3—CeF3、ln203_Zr02—Cr203—Si02—LaF3_CeF3及ln203—Zr。3—Y203_Cr203—Si02—LaF3_CeF3等。另外，為了得到良好的記錄靈敏度、反覆重寫特性、粘合性，在用式InaMUOeM2dF腦-a-b-e-d(原子％)表示氧化物—氟化物電介質的情況下，優選滿足3《a《38、3《b《38、10《c《60、l《d《35及a+b+c+d<100。而在用式(ln203)j(Dl)k(D2)k(mol%)表示氧化物一氟化物電介質的情況下，優選滿足20《j《85、20《k《85及j+k〈100。第二電介質層13的膜厚與第一電介質層17—樣，可通過基於矩陣法的計算來確定。作為具體的膜厚，優選在3nm75nm的範圍內，更優選在5nm40nm的範圍內。下面，說明在本實施方式作了說明的信息記錄介質1的製造方法。反射層12、第二電介質層13、第二界面層14、記錄層15、第一界面層16及第一電介質層17，可通過氣相成膜法之一的濺射法來形成。首先，將基板ll(例如厚度為1100/mi)配置於成膜裝置內。接著，首先成膜反射層12。此時，在基板11上形成有導向槽時，在該導向槽側成膜反射層12。反射層12是通過將由構成反射層12的金屬或者合金構成的濺射耙，在Ar氣體環境中、或者在Ar和反應氣體(例如氧氣或氮氣)的混合氣體環境中進行濺射而形成的。"^然後，在反射層12上成膜第二電介質層13。通過使用含有In元素、元素M1、氧元素、元素M2、氟元素的濺射靶，在Ar氣體環境中、或者在Ar和反應氣體的混合氣體環境中的濺射，形成第二電介質層13。具體而言，該混合物的濺射靶例如若用式InaMlbOeM2dF1Q-a—b-e-d(原子％)表示，則優選滿足3《a《38、3《b《38、10《c《60、1《d《35及a+b十c+d<100。另外，使用用式(ln203)j(Dl)k(D2)濯-j-k(mol%)(其中，滿足20《j《85、20《k《85及j+k〈100)表示的濺射耙也可形成第二電介質層13，進而，通過使用多個電源，對含有111203、D1及D2之中所必須的電介質的濺射靶同時進行濺射也可形成第二電介質層13。接著，在第二電介質層13上成膜第二界面層14。可通過使用由組成第二界面層14的電介質的混合物構成的濺射耙，在Ar氣體環境中、或者在Ar和反應氣體的混合氣體環境中的濺射形成第二界面層14。或者通過使用含有構成金屬元素的濺射靶，在Ar和反應氣體的混合氣體環境中的反應性濺射也可形成第二界面層14。接著，在第二界面層14上成膜記錄層15。記錄層15可根據其組成，通過使用由Ge—M5—Te—M6合金構成的濺射靶，在Ar氣體環境中、Kr氣體環境中、Ar和反應氣體的混合氣體環境中、或者Kr和反應氣體的混合氣體環境中的濺射而形成。接著，在記錄層15上成膜第一界面層16。第一界面層16可通過使用由組成第一界面層16的化合物構成的濺射靶，在Ar氣體環境中、或者在Ar和反應氣體的混合氣體環境中的濺射而形成。或者也可通過使用含有構成金屬元素的濺射耙，在Ar和反應氣體的混合氣體環境中的反應性濺射而形成。然後，在第一界面層16上成膜第一電介質層17。第一電介質層17，可通過使用由組成第一電介質層17的化合物構成的濺射靶，在Ar氣體環境中、或者在Ar和反應氣體的混合氣體環境中的濺射而形成。或者也可通過使用含有構成金屬元素的濺射耙，在Ar和反應氣體的混合氣體環境中的反應性濺射而形成。上述各濺射工序中的電源可使用直流(DC:DirectCurrent)電源及高頻(RF:RadioFrequency)電源，供電功率均設為1W10kW。並且，將使用DC電源進行的濺射稱為DC濺射，將使用RF電源進行的濺射稱為RF濺射。另外，濺射過程中的成膜室的壓力為0.01Pa100Pa。最後，在第一電介質層17上形成保護膜18。保護膜18，可在將光硬化型樹脂(特別為紫外線硬化型樹脂)或遲效性熱硬化型樹脂等樹脂塗敷於第一電介質層17上並進行旋塗之後，通過使樹脂硬化而形成。另外，保護層18也可以使用聚碳酸酯、非晶聚烯烴，或者聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)等樹脂，或者圓盤狀的玻璃基板。這種情況是通過在第一電介質層17上塗敷光硬化型樹脂(特別為紫外線硬化型樹脂)或遲效性熱硬化型樹脂等樹脂，使這些基板緊密粘合，利用旋塗均勻地展平，使樹脂硬化而形成。另外，作為各層的成膜方法，除濺射法之外，還可使用真空蒸鍍法、離子鍍敷法、化學氣相沉積法(CVD法ChemicalVaporDeposition)及分子束外延法(MBE法MolecularBeamEpitaxy)。另外，在形成第一電介質層17之後或者形成保護層18之後，也可以根據需要進行使記錄層15的整個面結晶化的初始化工序。該初始化可通過照射雷射進行。以上述為例主要說明了重寫型的信息記錄介質，但是，本實施方式同樣也可應用於一次寫入多次讀出型或者再現專用型的信息記錄介質。另外，各層的成膜順序並非僅限於上述順序。(實施方式2)作為本發明的實施方式2，說明使用雷射進行信息的記錄及再現的信息記錄介質的另一例。圖2是表示其光學信息記錄介質的局部剖面圖。圖2所示的信息記錄介質2，是在基板11的表面上依次層疊反射層12、第二電介質層13、記錄層15、第一界面層16、第一電介質層17、以及保護層18而形成的。從電介質層17側向該信息記錄介質2照射記錄*再現用的能量束(一般為雷射)19。基板11、反射層12、記錄層15、第一界面層16、第一電介質層17及保護層18，分別與在實施方式1中所示的材料、功能及形狀相同。第二電介質層13的材料和實施方式1的一樣。其功能除實施方式1之外，還由於與記錄層15鄰接設置而具有促進或者抑制記錄層的結晶化速度的效果。另外，理想的是與由硫屬化物構成的記錄層15的粘合性優良。第二電介質層13的膜厚與實施方式1一樣，可根據基於矩陣法的計算來確定。作為具體的膜厚，優選在3nm80nm的範圍內，更優選在5nm45nm的範圍內。下面，說明在本實施方式作了說明的記錄介質2的製造方法。首先，將基板ll(例如厚度1100/mi)配置於成膜裝置內。接著，依次成膜反射層12、第二電介質層13、記錄層15、第一界面層16、第一電介質層17。形成方法都與實施方式1所示的相同。最後，用與實施方式1一樣的方法形成保護層18。另外，在成膜第一電介質層17之後或者在形成保護層18之後，也可以根據需要進行使記錄層15的整個面結晶化的初始化工序。該初始化可通過照射雷射進行。以上述為例說明了重寫型的信息記錄介質，但是，本實施方式同樣也可應用於一次寫入多次讀出型或者再現專用型的信息記錄介質。另外，各層的成膜順序並非僅限於上述順序。(實施方式3)作為本發明的實施方式3，說明使用雷射進行信息的記錄及再現的信息記錄介質的另一例。圖3是表示其光學信息記錄介質的局部剖面圖。本實施方式的信息記錄介質3包含兩個(記為信息層301及信息層302)記錄再現信息的信息層，通過照射來自單側的能量束(一般是雷射)19，可對各信息層記錄再現信息。首先，說明信息層302的結構。信息層302是通過在基板11的表面上依次層疊反射層12、第二電介質層13、第二界面層14、記錄層15、第一界面層16及第一電介質層17而形成的。基板11、反射層12、第二電介質層13、第二界面層14、記錄層15、第一界面層16及第一電介質層17分別與在實施方式1中所示的材料、功能及形狀相同。在信息層302中不需要一定設置第二界面層14。18光學分離層31優選由光硬化型樹脂(特別為紫外線硬化型樹脂)或遲效性熱硬化型樹脂等樹脂、或者電介質等構成，並且相對於所使用的雷射光吸收率小。光學分離層31是為了區別開信息層301及信息層302的焦點位置而使用的，厚度必須為由物鏡的數值孔徑(NA)和雷射的波長X所確定的焦點深度AZ以上。在假設焦點的光強度的基準為無像差時的80%時，AZ可用AZ二入/{2(NA)}來近似。另外，也可以在光學分離層31的雷射的入射側形成導向槽。下面說明信息層301的結構。信息層301通過在光學分離層31的表面上依次層疊透射率調節層32、反射層33、第二電介質層34、記錄層35、界面層36及第一電介質層37而形成。反射層33可使用與在實施方式1所示的反射層12—樣的材料，而且，功能及形狀也一樣。界面層36可使用與在實施方式1所示的第一界面層16—樣的材料，而且，功能及形狀也一樣。第一電介質層37可使用與在實施方式1所示的第一電介質層17相同的材料，另外，功能及形狀也一樣。作為膜厚，優選在10nm120nm的範圍內，更優選在20nm70nm的範圍內。第二電介質層34的材料可使用實施方式1的第二電介質層23或第二界面層14的材料。第二電介質層34具有調節光學距離提高記錄層35的光吸收率的作用、和提高在記錄前後的反射光量的變化率以提高信號振幅的作用。另外，還具有將在記錄層35產生的熱量快速擴散到反射層33使記錄層35冷卻的作用。另外，由於與記錄層35鄰接設置，因而還具有促進或者抑制記錄層的結晶化速度的效果。作為膜厚，優選在3nm75nm的範圍內，更優選在5nm40nm的範圍內。雖然記錄層35可使用與在實施方式1所示的記錄層15—樣的材料，而且功能及形狀也一樣，但是，為了提高雷射的透射率，優選膜厚儘可能變薄，更優選在4nm9nm的範圍內。透射率調節層32具有調節信息層301的透射率的作用。通過設置該層，可同時提高記錄層在結晶相時的信息層301的透射率Te(%)和記錄層在非晶質相時的信息層301的透射率Ta(%)。具體而言，在設置了透射率調節層32的情況下，與沒有透射率調節層32的情況相比，可將Tc和L提高210%。另外，還具有將在記錄層35產生的熱量快速擴散到反射層33使記錄層35冷卻的作用。為了進一步提高透射率，優選透射率調節層32的折射率nl及衰減係數kl滿足nl》2.0及kl《0.1，更優選2.0《nl《3.0及kl《0.05。透射率調節層32可使用Ti02、Zr02、Hf02、ZnO、Nb2Os、Ta205、A1203、Bi203、Y203及Ce02等氧化物或Ti—N、Zr—N、Nb—N、Ta—N、Si—N、Ge—N、Cr—N、A1—N、Ge—Si—N及Ge—Cr一N等氮化物，優選其膜厚dl滿足(1/16)入/nl《dl《(7/32)入/nl或者(9/16)X/nl《dl《(21/32)X/nl。最後，在第一電介質層37上形成保護層18，製造出信息記錄介質3。而保護層18與在實施方式1所示的材料、功能及形狀都一樣。本實施方式中，說明了將信息層限定為兩層的信息記錄介質，但在將這種信息層設置多個的情況下，也可通過同樣的結構、同樣的形成方法來製造信息記錄介質，這樣，就使得信息記錄介質的大容量化成為可能。例如，在設置有四層信息層的情況下，可以基於信息記錄介質3的結構，在信息層301和保護層18之間，用與信息層301同樣的結構再設置兩層調整了各層膜厚的信息層。另外，各信息層也可以是重寫型、一次寫入多次讀出型或者再現專用型的任意一種。下面，說明在本實施方式作了說明的信息記錄介質3的製造方法。首先，將基板ll(例如厚度1100/mi)配置於成膜裝置內。接著，為了形成信息層302而依次形成反射層12、第二電介質層13、第二界面層14、記錄層15、第一界面層16及第一電介質層17。形成方法都與實施方式l所示的相同。接著，在第一電介質層17上形成光學分離層31。光學分離層31通過將光硬化型樹脂(特別為紫外線硬化型樹脂)或遲效性熱硬化型樹脂等樹脂塗敷於信息層302上進行旋塗之後，使樹脂硬化而形成。而在光學分離層31上設置導向槽的情況下，使表面上形成有規定形狀的槽的轉印用基板(模型)粘合於硬化前的樹脂上，之後，對基板11和轉印用基板進行旋塗，然後使樹脂硬化，進而，通過從硬化了的樹脂上剝離轉印用基板，可形成帶有規定的導向槽的光學分離層31。然後，形成信息層301。要形成信息層301首先要形成透射率調節層32。透射率調節層32，可通過使用由組成透射率調節層32的電介質構成的濺射靶，在Ar氣體環境中或者在Ar和反應氣體的混合氣體環境中的濺射而形成。另外，透射率調節層32還可通過使用包含構成的金屬元素的濺射靶，在Ar和反應氣體的混合氣體環境中的反應性濺射而形成。接著，在透射率調節層32上形成反射層33。反射層33可使用與在實施方式1做過說明的反射層12同樣的方法形成。然後，在反射層33上形成第二電介質層34。第二電介質層34可使用與在實施方式1做過說明的第二電介質層13或者第二界面層14同樣的方法形成。接著，在第二電介質層34上形成記錄層35。記錄層35可使用與在實施方式1做過說明的記錄層15同樣的方法形成。接著，在記錄層35上形成第一界面層36。第一界面層36可使用與在實施方式1做過說明的第一界面層16同樣的方法來形成。然後，在第一界面層36上形成第一電介質層37。第一電介質層37可使用與在實施方式1做過說明的第一電介質層17同樣的方法來形成。最後，在第一電介質層37上，使用與在實施方式1同樣的方法形成保護層18。在成膜第一電介質層17之後或者形成保護層18之後，根據需要也可以進行使記錄層15的整個面結晶化的初始化工序。另外，也可以在成膜第一電介質層37之後或者形成保護層18之後，根據需要進行使記錄層35的整個面結晶化的初始化工序。不論哪一種場合的初始化都可通過照射雷射進行。以上述為例說明了重寫型的信息記錄介質，但是，本實施方式同樣也可應用於一次寫入多次讀出型或者再現專用型的信息記錄介質。另外，各層的成膜順序並非僅限於上述順序。(實施方式4)作為本發明的實施方式4，來說明使用雷射進行信息的記錄及再現的信息記錄介質的另一例。圖4是表示其光學信息記錄介質的局部剖面圖。圖4所示的信息記錄介質4通過在基板43的表面上依次層疊第一電介質層17、第一界面層16、記錄層15、第二界面層14、第二電介質層13、反射層12、粘接層42及偽基板41而形成。從第一電介質層17側向該信息記錄介質照射記錄，再現用的能量束(一般為雷射)19。基板43及偽基板41是透明圓盤狀的基板。基板43及偽基板41，與實施方式1的基板11一樣，例如可使用聚碳酸酯、非晶聚烯烴、或者PMMA,樹脂、或者玻璃。在基板43的第一電介質層17側的表面，也可以根據rf要設置用於引導雷射束的導向槽(道間距為0.615/mi)。優選基板43的第一電介質層17側的相反側的表面以及偽基板41的粘接層42側的相反側的表面是平滑的。基板43以及偽基板41的厚度優選為0.3mm0.9mm的範圍內，以具有足夠的強度且信息記錄介質4的厚度達到1.2mm左右。粘接層42由光硬化型樹脂(特別為紫外線硬化型樹脂)或遲效性樹脂等樹脂構成，優選相對於雷射束19的光吸收小的樹脂，且優選在短波長域光學雙折射率小的樹脂。而粘接層42的厚度基於與光學分離層31同樣的原因，優選在0.6/mi50/mi的範圍內。反射層12、第二電介質層13、記錄層15及第一界面層16分別與在實施方式1所示的材料、功能、形狀一樣。另外，第一電介質層17與在實施方式l所示的材料、功能一樣，優選膜厚在30nm250nm的範圍內，更優選在70nm180nm的範圍內。另外，第二電介質層13與在實施方式l所示的材料、功能一樣，優選膜厚在10nm100nm的範圍內，更優選在20nm70nm的範圍內。下面，說明在本實施方式作了說明的記錄介質4的製造方法。首先，將基板43(例如厚度600/mi)配置於成膜裝置內。接著，依次成膜第一電介質層17、第一界面層16、記錄層15、第二界面層14、第二電介質層13、反射層12。形成方法分別與實施方式1所示的相同。然後，使用粘接層42將層疊有信息層的基板43和偽基板41(例如厚度600/mi)粘貼在一起。具體而言，就是將光硬化型樹脂(特別為紫外線硬化型樹脂)或遲效性樹脂等樹脂塗敷於偽基板41上，使層疊有信息層的基板43粘貼於偽基板41上並進行旋塗，之後，使樹脂硬化。另外，還可預先在偽基板41上均勻地塗敷粘合性的樹脂，然後將其粘貼於層疊有信息層的基板43上。在使基板43與偽基板41粘合之後，根據需要也可以進行使記錄層15的整個面結晶化的初始化工序。這種初始化可通過照射雷射進行。以上述為例說明了重寫型的信息記錄介質，但是，本實施方式同樣也可應用於一次寫入多次讀出型或者再現專用型的信息記錄介質。另外，各層的成膜順序並不限於上述順序。(實施方式5)作為本發明的實施方式5，說明對在實施方式1實施方式3做過說明的記錄介質13進行信息的記錄再現的方法。圖5示意性示出應用於本實施方式的記錄再現方法的記錄再現裝置50的局部結構。記錄再現裝置50具有使信息記錄介質旋轉的主軸電動機51、具備半導體雷射器52的光學頭53、使從半導體雷射器52射出的雷射56進行聚光的物鏡54。為了將雷射的光點直徑調節到0.4/mi0.7/mi的範圍內，優選物鏡54的數值孔徑(NA)在0.51.0的範圍內。優選雷射的波長為450nm以下(更優選350nm450nm的青紫域)。記錄再現信息時的線速度，優選不易發生因再現光引起的結晶化且可得到充分的清除率的3m/秒20m/秒的範圍內。信息向記錄介質的記錄、消去及覆蓋記錄，通過將雷射的功率調製成高功率的波峰功率和低功率的偏置功率(77八°7—)來進行。通過照射波峰功率的雷射，可在信息記錄介質的記錄膜的局部的一部分形成非晶質相，該非晶質相就成為記錄部(記錄標記)。在記錄標記間照射偏置功率的雷射，可形成結晶相，該結晶相就成為消去部。在照射波峰功率的雷射時，通常是做成由脈衝列形成的多脈衝。多脈衝既可以在波峰功率和偏置功率的功率級進行調製，也可以在OmW波峰功率的任意功率級進行調製。當在基板11上設置有導向槽時，也可以將信息記錄於靠近雷射的入射側的槽面(溝)，或者遠離雷射入射側的槽面(紋間表面)，或者該兩方。另外，通過向信息記錄介質照射雷射，用檢測器讀出來自信息記錄介質的信號來進行信息的再現。將再現時的雷射功率做成不受記錄標記的光學狀態的影響、且能夠得到用於信息記錄介質的記錄標記檢測的充足的反射光量的功率。(實施方式6)作為本發明的實施方式6，說明對在實施方式4做過說明的記錄介質4進行信息的記錄再現的方法。應用於本發明的記錄再現方法的記錄再現裝置50的局部結構與實施方式5—樣，如圖5所示。在此，對與實施方式5相重複的地方，省略說明。為了將雷射的光點直徑調節到0.4/mi0.7/mi的範圍內，優選物鏡54的數值孔徑(NA)在0.51.0的範圍內。優選雷射的波長為700nm以下(更優選700nm600nm的範圍內)。記錄再現信息時的線速度，優選不易發生因再現光而引起的結晶化且可得到充分的清除率的3m/秒20m/秒的範圍內。(實施方式7)作為本發明的實施方式7，示出一例利用施加電能而實施信息的記錄及再現的信息記錄介質。圖6示出該信息記錄介質的局部剖面。圖6是在基板601的表面上依次形成下部電極602、記錄部603及上部電極604的存儲器607。存儲器607的記錄部603由圓柱狀的記錄層605和包圍該記錄層605的電介質層606構成。該存儲器607的結構與上面的圖1圖4所示的光學信息記錄介質不同，記錄層605及電介質層606在同一個面上形成，而不是層疊的關係。但是，由於將他們形成為包含基板601、下部電極602及上部電極604的層疊結構的一部分，所以可以分別稱其為"層"。因此，本發明的信息記錄介質也包含在同一面上形成有記錄層和電介質層的結構。作為基板601，具體而言，可使用Si等半導體基板、或者聚碳酸酯基板、Si02、Al203等絕緣性基板等。另外，作為下部電極602及上部電極604，具體而言，使用如實施方式1所示的反射層12的材料。形成記錄部603的記錄層605由利用施加電能產生的焦耳熱而發生相變的材料形成。作為記錄層605的材料，具體而言，使用如實施方式l所示的記錄層15的材料。形成記錄部603的電介質層606具有下述功能，即通過在下部電極602和上部電極604之間施加電壓，防止通過記錄層605的電流散失到周邊部，從而對記錄層605進行電遮斷及熱遮斷。作為電介質層606的材料，可使用本發明的氧化物一氟化物電介質(例如，含有In元素、元素M1、氧元素、元素M2及氟元素的電解質)。下部電極602、上部電極604、記錄層605及電介質層606的形成，可使用濺射法、真空蒸鍍法、離子鍍敷法、CVD法及MBE法。(實施方式8)作為本發明的實施方式8，示出使用在實施方式7做過說明的信息記錄介質(存儲器)607的系統之一例。圖7示出該系統的模式圖。通過用Au或者Al導線將兩個施加部612分別焊接於下部電極602及上部電極604上，使電寫入/讀出裝置614通過施加部612連接於存儲器607。在該電寫入/讀出裝置614中，在分別連接於下部電極602和上部電極604的施加部612之間，通過開關610連接有脈衝發生部608，還通過開關611連接有電阻測量器609。電阻測量器609與對由電阻測量器609測出的電阻值的高低進行判斷的判斷部613連接。利用脈衝發生部608並通過施加部612使電流脈衝通過下部電極602及上部電極604之間，由電阻測量器609測量下部電極602和上部電極604之間的電阻值，由判斷部613來判斷該電阻值的高低。通常，由於因記錄層605的相變而使電阻值發生變化，因此，基於該判斷結果可知道記錄層605的相的狀態，由此，可判斷是否在存儲器607有信息的寫入和消去。實施例(實施例1)下面，通過實施例更詳細地說明本發明。在本實施例中說明信息記錄介質1之一例。以下是實施例1的信息記錄介質的製造方法。首先，作為基板ll，準備形成有導向槽(深度20nm，道間距0.32/mi)的聚碳酸酯基板。利用濺射法在該基板上依次形成下述的層，即，作為反射層12將Ag—Pd—Cu膜形成80nm，作為第二電介質層13、第二電介質層14將Zr02—&02—111203膜(具體而言就是式(Zr02)25(Si02)25(ln203)50(mol%))形成5nm，作為記錄層15將Ge—Bi—Te—Sn膜(具體而言就是用式Ge44.oBi3.QTe5o.7Sn2.3(原子％)表示的膜)形成llnm，作為第一界面層16將Zr02—Si02—Cr203膜(具體而言就是式(Zr02)25(Si02)25(Cr203)5Q(mol%))形成5nm，作為第一電介質層17形成ZnS—Si02膜(具體而言就是式(ZnS)80(Si02)20(mol%))。然後，將紫外線硬化樹脂塗敷於第一電介質層17，使其與聚碳酸酯基板(直徑120rnm、厚度70/mi)粘合，進行旋塗，之後，利用紫外線使樹脂硬化，形成保護層18，製造出信息記錄介質1。最後，利用雷射束進行了使記錄層15的整個面結晶化的初始化工序。第二電介質層13及第一電介質層17的膜厚通過基於矩陣法的計算來確定，具體而言，就是以下述方式來確定，即，在405nm的雷射入射時，使記錄層15為結晶相時的信息記錄介質的反射率(基板的鏡面部的反射)達到15%25%，記錄層15為非晶質相時的信息記錄介質的反射率(基板的鏡面部的反射)達到1%5%。針對以上述方式製作出的信息記錄介質1和現有例的信息記錄介質，對反射層12和第二電介質層13的粘合性、記錄靈敏度、以及反覆重寫性能進行評價。粘合性的評價所用的方法是，將信息記錄介質在溫度9(TC、相對溼度80%的條件的恆溫箱內放置100個小時，之後用光學顯微鏡觀察一次腐蝕、剝離。再放置100個小時(合計放置200個小時)之後，用光學顯微鏡進行觀察，判斷最終有無腐蝕、剝離。記錄靈敏度及反覆重寫性能的評價，是使用如圖5所示的記錄再現裝置50進行的。雷射波長為405nm，物鏡的數值孔徑NA為0.85，測量時的線速度為4.9m/s，最短標記長為0.149/mi，在溝上進行了信息的記錄。記錄是使用自0.149gm(2T)至0.596]um(8T)的隨機信號在同一個溝上連續進行的。每次重寫都進行信號的再現，利用時間間隔測定器測量了前端跳動(記錄標記的前端部的跳動)、後端跳動(記錄標記的後端部的跳動)及前端跳動和後端跳動的平均跳動。在平均跳動峰值功率特性的曲線圖上，記錄靈敏度是跳動值最小的峰值功率值。而在本實施例，記錄靈敏度為5.7mW以下的為O，大於5.7mW且6.0mW以下的為A，大於6.0mW的為X。另外，將相對於第一次的跳動值增加3%的重寫次數作為信息記錄介質的反覆重寫性能的上限值。作為重寫次數的上限值，優選1000次以上，而本實施例，達到5000次以上評價為良好。下面的實施例也同樣，關於對粘合性、記錄靈敏度及反覆重寫特性這三個項目所作的評價，將這些特性合在一起，用、〇、A及X綜合判斷了信息記錄介質的性能。自依次表示信息記錄介質優良。作為本實施例的信息記錄介質1的一例，對於第二電介質層13，在用式InaMlbOcM2dF1-a-b—c-d(原子％)(其中，Ml為選自Zr、Hf、Y、Ti、Nb、Ta、Cr、Ga及Si的至少一種元素，M2為選自La、Ce、Pr、Nd、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Yb、Mg、Ca及Sr的至少一種元素)表示的氧化物一氟化物電介質中，應用了下述組合，即，(Ml，M2)=(Zr，La)、(Zr，Ce)、(Zr，Pr)、(Zr，Dy)、(Zr，Mg)、(Hf，La)、(Hf，Ce)、(Hf，Gd)、(Si，La)、(Si，Ce)、(Cr，La)、(Cr，Ce)、(Y，La)、(Ti，La)、(Ta，La)及(Ga，La)，(a，b，c，d)=(20，10，50，5)。將這些盤編號分別記為1一1011一116。作為另一例，對於第二電介質層13，在用式IllaMlbOeM2dFn)0-a-b-c-d(原子％)表示的氧化物一氟化物電介質中，應用了下述組合，即，(Ml，M2)=(ZrSi，La)、(ZrSi，Ce)、(HfSi，La)、(HfSi，Ce)、(CrSi;La)、(CrSi，Ce)、(ZrY，La)及(ZrY,Ce)，(a，b，c，d)=(15，15，56，4)。將這些盤編號分別記為1一1171一124。作為另外一例，對於第二電介質層13，在用式InaMlbOeM2dFK)h-h-￡1(原子％)表示的氧化物一氟化物電介質中，應用了下述組合，即，(Ml，M2)=(Zr，LaCe)、(Hf，LaCe)、(Si，LaCe)及(Cr，LaCe)，(a，b，c，d)=(17，9，25，33)。將這些盤編號分別記為1_1251—128。作為另外一例，對於第二電介質層13，在用式InJV[lbOeM2dF訓Tb-c—d(原子。/。)表示的氧化物一氟化物電介質中，應用了下述組合，S卩，(Ml，M2)=(ZrSi，LaCe)、(HfSi，LaCe)、(CrSi，LaCe)及(ZrY，LaCe)，(a，b，c，d)=(24，12，53，6)。將這些盤編號分別記為1_1291_132。另外，為了與現有的第二電介質層進行比較，製作出作為上述結構的信息記錄介質的第二電介質層應用了(ZnS)80(Si02)20、ln203、Zr02、LaF3、(ln203)50(Zr02)50、(ln203)50(LaF3)50及(Zr02)50(LaF3)so的信息記錄介質(將盤編號記為1_0001_006)，進行同樣的評價。評價結果如表1所示。表ltableseeoriginaldocumentpage29如表1所示，可得到下述結果，即關於粘合性，本實施例的所有的信息記錄介質1都沒有產生相對於反射層12的剝離、腐蝕，比現有例1_000有很大的改善。即表示，作為本實施例的第二電介質層而使用的所有氧化物一氟化物和Ag沒有反應性，不會使信息記錄介質的特性惡化。另外，在本實施例的所有的信息記錄介質l中，記錄靈敏度、反覆重寫特性，都比現有例1一0011一006的特性有很大的改善。記錄靈敏度都在6.0mW以下，為良好。另外還表明，可進行一萬次級的重寫。在將信息記錄介質用於圖像、聲音、動畫的儲存時，優選1000次的重寫次數，尤其是在作為計算機的外部存儲器使用時，更優選一萬次以上的重寫次數。即表示，本實施例的信息記錄介質l也可以作為計算機的外部存儲器使用。另外可看出，在用M1及M2中的所有元素進行驗證時，若Ml使用選自Zr、Hf、Y、Cr及Si的至少一種元素，M2使用選自La、Ce、Pr及Nd的至少一種元素，則反覆重寫次數達到一萬次以上，更為合適。如上所述，在本發明可得到具有超過現有例的特性的信息記錄介質。(實施例2)在本實施例中，對於實施例1所示的記錄介質1的第二電介質層13，在用式InaMlbOeM2dF謂-『h-d(原子％)表示的氧化物一氟化物電介質中，應用了下述組合，艮P，(Ml，M2)=(Zr，Ce)，(a，b，c，d)=(2，12，40，5)、(3，12，40，5)、(14，12，40，5)、(24，12，40，5)、(38，12，40，5)及(40，12，40，5)。將這些盤編號分別記為1_2011_206。與實施例1一樣，評價了與反射層12的粘合性、記錄靈敏度及反覆重寫性能。評價結果如表2所示。表2tableseeoriginaldocumentpage31結果是，所有的盤都未發生剝離及腐蝕。另外，所有的盤都可得到重寫次數達到5000次以上的良好的反覆重寫性能。特別是在作成3《a《38的情況下，可得到記錄靈敏度良好且重寫次數達到一萬次以上的極為良好的性能。另外，同樣應用了下述組合，即，(M1，M2)=(Zr，Ce)，(a，b，c，d)=(12，2，40,5)、(12，3，40，5)、(12，14，40，5)、(12，24，40，5)、(12，38，40，5)及(12，40，40，5)，將這些盤編號分別記為1_2071_212。同樣地，評價了與反射層12的粘合性、記錄靈敏度及反覆重寫性能。評價結果如表3所示。表3tableseeoriginaldocumentpage31結果是，所有的盤都未發生剝離及腐蝕。另外，所有的盤都可得到重寫次數達到5000次以上的良好的反覆重寫性能。特別是在3《b《38的情況下，可得到記錄靈敏度良好且重寫次數達到一萬次以上的極為良好的性能。另外，同樣應用了下述組合，g卩，(Ml，M2)=(Zr，Ce)，(a，b，c，d)=(12，12，5，5)、(12，12，10，5)、(12，12，20，5)、(12，12，40，5)、(12，12，60，5)及(12，12，65，5)，將這些盤編號分別記為1_2131_218。同樣地，評價了與反射層12的粘合性、記錄靈敏度及反覆重寫性能。評價結果如表4所示。表4tableseeoriginaldocumentpage32結果是，若在10《c《60的範圍外，則在粘合性評價中，經過100個小時後未發生剝離，但是，在200個小時後發生了剝離。因此，優選10另外，同樣應用了下述組合，艮P，(Ml,M2)=(Zr，Ce)，(a，b，c，d)=(12，12，35，0.5)、(12，12，35，1)、(12，12，35，15)、(12，12，35，25)、(12，12，35，35)及(12，12，35，40)，將這些盤編號分別記為1—2191—224。同樣地，評價了與反射層12的粘合性、記錄靈敏度及反覆重寫性能。評價結果如表5所示。表5tableseeoriginaldocumentpage33結果是，所有的盤都未發生剝離及腐蝕。另外，所有的盤都可得到重寫次數達到5000次以上的良好的反覆重寫性能。特別是在l《d《35的情況下，可得到記錄靈敏度良好且重寫次數達到一萬次以上的極為良好的性能。同樣地，在用M1及M2中的所有元素進行驗證時，得到了與上述同樣的結果。(實施例3)本實施例中，對於實施例1所示的信息記錄介質1中的第二電介質層13，在用式(ln203)j(Dl)k(D2)100_j—k(mol%)(其中，Dl為由選自Zr、Hf、Y、Ti、Nb、Ta、Cr、Ga及Si的至少一種元素構成的氧化物，D2為由選自La、Ce、Pr、Nd、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Yb、Mg、Ca及Sr的至少一種元素構成的氟化物)表示的氧化物一氟化物電介質中，應用了下述組合，艮口，(Dl，D2)=(Zr02，LaF3)、(Zr02，CeF3)、(Zr02，PrF3)、(Zr02，DyF3)、(Zr02，MgF)、(Hf02，LaF3)、(Hf02，CeF3)、(Hf02，GdF3)、(Si02，LaF3)、(Si02，CeF3)、(Cr203，LaF3)、(Cr203，CeF3)、(Y203，LaF3)、(Ti02，LaF3)、(Ta2Os，LaF3)及(Ga203，LaF3)，(j，k)二(50，25)。將這些盤編號分別記作1一3011一316。作為另一例，對於第二電介質層13，在用式(ln203)j(Dl)k(D2)層-j-k(mol%)表示的氧化物一氟化物電介質中，應用了下述組合，艮口，(Dl，D2)=(ZrSi04，LaF3)、(ZrSi04，CeF3)、(HfO廣Si02，LaF3)、(Hf02—Si02，CeF3)、(Cr203—Si02，LaF3)、(Cr203_Si02，CeF3)、(Zr02—Y203，LaF3)及(Zr02—Y203，CeF3)，(j，k)=(50，25)。將這些盤編號分別記作1_3171_324。作為另一例，對於第二電介質層13，在用式(ln203)j(Dl)k(D2)10-j-k(mol%)表示的氧化物一氟化物電介質中，應用了下述組合，艮口，(Dl，D2)=(Zr02，LaF廣Ce03)、(Hf02，LaF廣Ce03)、(Si02，LaF3_CeF3)及(Cr203，LaF3_CeF3)，(j，k)=(50，25)。將這些盤編號分別記作1_3251_328。作為另一例，對於第二電介質層13，在用式(ln203)j(Dl)k(D2)100n-k(mol%)表示的氧化物一氟化物電介質中，應用了下述組合，艮口，(Dl，D2)=(ZrSi04，LaF3_CeF3)、(Hf02—Si02，LaF廣CeF3)、(Cr203—Si02，LaF3_CeF3)及(Zr02—Y203，LaF廣CeF3)，(j，k)=(50，25)。將這些盤編號分別記作1一3291一332。評價結果如表6所示。tableseeoriginaldocumentpage35如表6所示，可得到下述結果，即關於粘合性，本實施例的所有的信息記錄介質1都沒有產生相對於反射層12的剝離、腐蝕，比現有例1_000有很大的改善。即表示，作為本實施例的第二電介質層而使用的所有氧化物—氟化物電介質和Ag沒有反應性，不會使信息記錄介質的特性惡化。另外還表明，在本實施例的所有的信息記錄介質l中，記錄靈敏度、反覆重寫特性，都比現有例1一0011一006的特性有很大的改善。另外可看出，在用D1及D2中的所有元素進行驗證時，若Dl使用由選自Zr、Hf、Y、Cr及Si的至少一種元素構成的氧化物，D2使用由選自La、Ce、Pr及Nd的至少一種元素構成的氟化物，則反覆重寫次數達到一萬次以上，更為合適。(實施例4)本實施例中，對於實施例1所示的信息記錄介質1中的第二電介質層13，在用式(ln203)j(DOk(D2)lOO-j—k(mol%)表示的氧化物一氟化物電介質中，應用了下述組合，即，(Dl，D2)=(Zr02，CeF3)，(j，k)=(15，25)、(20，25)、(40，25)、(60，25)、(85，13)及(90，8)。將這些盤編號分別記作1一4011一406。與實施例1一樣，評價了與反射層12的粘合性、記錄靈敏度及反覆重寫性能。評價結果如表7所示。表7tableseeoriginaldocumentpage36結果是，當j〈20時，在粘合性評價方面，雖然經過100個小時後未發生剝離，但在200個小時後發生了剝離。另外，所有的盤都可得到重寫次i達到5000次以上的良好的反覆重寫性能。另外，當j〉85時，Dl及D2的含量減少，反覆重寫特性降低。因此，特別是20《j《85時，可得到記錄靈敏度良好且重寫次數達到一萬次以上的極為良好的性能。另外，同樣地使用了(Dl，D2)=(Zr02，Ce03)，(j，k)=(25，15)、(25，20)、(25，40)、(25，60)、(13，85)及(8,90)的組合。將這些盤編號分別記作1_4071_412。同樣地，評價了與反射層12的粘合性、記錄靈敏度及反覆重寫性能。評價結果如表8所示。表8tableseeoriginaldocumentpage37結果是，當k〈20時，由於D1的含量減少，電介質的透明性降低，因而重寫特性變差(<5000次)。另外，k〉85時，D2的含量減少，記錄靈敏度變差。因此，特別是20《k《85時，可得到記錄靈敏度良好且重寫次數達到一萬次以上的極為良好的性能。同樣地，在用Dl及D2中的所有元素進行驗證時，得到了與上述同樣的結果。(實施例5)在本實施例中，說明信息記錄介質2之一例。信息記錄介質2的各層的形成方法與實施例1一樣。在本實施例，對於第二電介質層13，在用式(ln203)j(Dl)k(D2)勵—j-k(mol%)表示的氧化物一氟化物電介質中，應用了下述組合，即，(Dl，D2)=(Zr02，LaF3)、(Zr02，CeF3)、(Zr02，DyF3)、(Zr02，MgF)、(Hf02，LaF3)、(Hf02，CeF3)、(Ti02，LaF3)、(Ti02，CeF3)、(Si02，LaF3)、(Si02，CeF3)、(Cr203，LaF3)、(Cr203，CeF3)、(Ga203，LaF3)及(Nb205，CeF3)，(j，k)=(50，25)。將這些盤編號分別記作2_1011_214。評價了與記錄層的粘合性。另外，與實施例1一樣，製作了在第二電介質層13中使用了現有的(ZnS)80(Si02)20的信息記錄介質(將盤編號記為2_000)，並進行了比較。評價結果如表9所示。表9盤編號No.第二電介質層13與記錄層15的粘合性2—101(In2O3)50(ZrO2)25(LaF3)25無剝離、腐蝕2—102(In2O3)50(ZrO2)25(CeF3)25無剝離、腐蝕2—103(In2O3)50(ZrO2)25(DyF3)25有剝離、無腐蝕(IOO個小時後無剝離)2—104(In2O3)50(ZrO2)25(MgF)25有剝離、無腐蝕(IOO個小時後無剝離)2—105(In2O3)50(HfO2)25(LaF3)25無剝離、腐蝕2—106(In2O3)50(HfO2)25(CeF3)25無剝離、腐蝕2—107(In2O3)50(TiO2)25(LaF3)25無剝離、腐蝕2—108(In2O3)50(TiO2)25(CeF3)25無剝離、腐蝕2—109(In2O3)50(SiO2)25(LaF3)25無剝離、腐蝕2—110(In2O3)50(SiO2)25(CeF3)25無剝離、腐蝕2—111(In2O3)50(Cr2O3)25(LaF3)25無剝離、腐蝕2—112(In2O3)50(Cr2O3)25(CeF3)25無剝離、腐蝕2—113(In2O3)50(Ga2O3)25(LaF3)25有剝離、無腐蝕(100個小時後無剝離)2—114(In2O3)50(Nb2O5)25(CeF3)25有剝離、無腐蝕(100個小時後無剝離)2—000(ZnS)80(Si02)20發生多處圓形腐蝕如表9所示，在本實施例中的所有的信息記錄介質2中，均未對記錄層15發生腐蝕。根據Dl及D2的選擇，有的在100個小時後未發生剝離，但在200個小時後發生了剝離，儘管如此，仍表現出比現有例(盤編號2-000)的粘合性優秀的特性。(實施例6)在本實施例，說明信息記錄介質3之一例。信息記錄介質3的信息層302的形成方法與第一實施例一樣。在本實施例中，對於第二電介質層13，在用式(ln203)j(Dl)k(D2)H)o-j-k(mol%)表示的氧化物一氟化物電介質中，應用了下述組合，即，(Dl，D2)=(Zr02，LaF3)、(Zr02，CeF3)、(Hf02，LaF3)、(HfD2，CeF3)、(Si02，LaF3)、(Si02，CeF3)、(Cr203，LaF3)及(Cr203，CeF3)，(j，k)=(50，25)。將這些信息記錄介質的盤編號No.分別記作3—1013—108。接著，在信息層302上形成設置了導向槽的光學分離層31。接著，在光學分離層31上形成信息層301。信息層301是利用濺射法依次形成下述膜而成的，即成膜順序依次是，作為透射率調節層32將Ti02形成21nm(—(11/80)X/n)，作為反射層33將Ag—Pd—Cu膜形成10nm，作為第二電介質層34形成Zr02—Si02—In20j莫(具體而言，就是式(Zr02)25(Si02)25(ln203)5o(mol%))、作為記錄層35將Ge—Bi—Te—Sn膜(具體而言，就是用式Ge42.7Bi"Te化oSn2.2(原子％)表示的膜)形成6.5nm，作為界面層36將Zr02—Si02_Cr203膜(具體而言就是式(Zr02)25(Si02)25(Cr203)5(mol%))形成5nm，作為第一電介質層37形成ZnS—Si02膜(具體而言就是式(ZnS)80(Si。2)20(mol%))。最後，將紫外線硬化樹脂塗敷於第一電介質層37，使其與聚碳酸酯基板(直徑120mrn。厚度70/mi)粘合，進行旋塗，之後，利用紫外線使樹脂硬化，形成保護層18，製造出信息記錄介質3。第二電介質層34及第一電介質層37的膜厚，通過基於矩陣法的計算來確定，具體而言，就是以下述方式來確定，即，當入射405nm的雷射時，使記錄層35為結晶相時信息記錄介質的反射率(基板的鏡面部的反射)達到4%10%，記錄層35為非晶質相時信息記錄介質的反射率(基板的鏡面部的反射)達到1%5%,透射率Te(%)及透射率Ta(%)同時達到45%55%。對於以上述製作出的信息記錄介質3(盤編號No.3—1013—108)，與第一實施例一樣，評價了反射層33和第二電介質層34的粘合性、信息層302的記錄靈敏度及反覆重寫性能。在本實施例中，將記錄靈敏度為11.4mW以下的評價為O，將大於11.4mW並在12.0mW以下的評價為△，將大於12.0mW的評價為X。另外，與第一實施例一樣，還製作了將現有的(ZnS)80(Si02)20、ln203、Zr02、LaF3、(ln203)50(Zr02)50、(ln203)50(LaF3)50及(Zr02)so(LaF3)5o應用於第二電介質層13的信息記錄介質(盤編號No.3—0003—006)，並進行了比較。評價結果如表10所示。表10tableseeoriginaldocumentpage40如表10所示，可得到下述結果，即關於粘合性，在本實施例的所有的信息記錄介質3中，相對於反射層12都未發生剝離、腐蝕，比現有例3一000得到很大的改善。另外，在本實施例的所有的信息記錄介質3中，其記錄敏感度、反覆重寫特性，都比現有例3—0013—006的特性得到很大的改善。記錄靈敏度都在12.0mW以下，評價為良好。另外，還表現出，所有的盤都可進行一萬次以上的重寫，表明本實施例的信息記錄介質3都可作為計算機的外部存儲器使用。如上所述，在本發明得到了具有超過現有例的特性的信息記錄介質。(實施例7)本實施例中，在如實施例6所述的信息記錄介質3中，對於第二電介質層13，在用式(ln203)j(Dl)k(D2)1-j-k(mol%)表示的氧化物一氟化物電介質中，應用了下述組合，即，(Dl，D2)=(Zr02，CeF3)，(j，k)二(50，25)，對於信息層301中的第二電介質層34，在用式(ln203)j(Dl)k(D2)nx)-j-k(mol%)表示的氧化物一氟化物電介質中，應用了下述組合，即，(Dl，D2)=(Zr02，LaF3)、(Zr02，CeF3)、(Zr02，DyF3)、(Zr02，MgF)、(Hf02，LaF3)、(Hf02，CeF3)、(Ti02，LaF3)、(Ti02，CeF3)、(Si02，LaF3)、(Si02，CeF3)、(Cr203，LaF3)、(Cr203，CeF3)、(Ga203，LaF3)及(Nb205，CeF3)，(j，k)=(50，25)。將這些盤編號No.分別記作3—2013—214。評價了與記錄層的粘合性。另夕卜，與第一實施例一樣，還製作了將現有的(ZnS)80(Si02)20應用於第二電介質層34的信息記錄介質(盤編號No.3—007)，並進行了比較。評價結果如表ll所示。表11tableseeoriginaldocumentpage42如表11所示，本實施例中的所有的信息記錄介質3相對於記錄層35都未發生腐蝕。因Dl及D2的選擇，有的在100個小時後未發生剝離，但在200個小時後發生了剝離，儘管如此，仍表現出比現有例(盤編號No.3—007)的粘合性優異的特性。(實施例8)在本實施例，說明信息記錄介質4之一例。以下是實施例8的信息記錄介質的製造方法。首先，作為基板43，預先備好形成有導向槽(深度40nm，道間距0.62^m)的聚碳酸酯基板。利用濺射法在該基板上依次形成下述的層，艮p，作為第一電介質層17形成ZnS—SiOj莫(具體而言就是式(ZnS)8o(Si02)20(mol%))、作為第一電介質層16將Zr02—Si02—Cr203膜(具體而言就是式(Zr02)25(Si02)25(Cr203)5q(mol%))形成5nm，作為記錄層15將Ge—Bi—Te—Sn膜(具體而言就是用式Ge44.GBi3.Te5.7Sn2.3(原子％)表示的膜)形成10nm，作為第二電介質層14將Zr02—Si02—Cr20j莫(具體而言就是式(Zr02)25(Si02)25(Cr203)5G(mol%))形成5nm，作為第二電介質層13、反射層12將Ag—Pd—Cu膜形成100nm。然後，通過將紫外線硬化性樹脂塗敷於偽基板41上，使基板43的反射層12與偽基板41粘合旋轉，形成均勻的樹脂層(厚度20^m)，之後，通過照射紫外線使樹脂硬化，由此使基板43和偽基板41藉助粘接層42而粘接在一起。最後，利用雷射束進行使記錄層15的整個面結晶化的初始化工序。第二電介質層13及第一電介質層17的膜厚，通過基於矩陣法的計算來確定，具體而言，就是以下述方式來確定，即，在入射660nm的雷射時，使記錄層15為結晶相時信息記錄介質的反射率(基板的鏡面部的反射)達到13%20%，記錄層15為非晶質相時信息記錄介質的反射率(基板的鏡面部的反射)達到0.5%4%。對於以上述方式製作出的信息記錄介質4及現有例的信息記錄介質，評價了反射層12和第二電介質層13的粘合性、記錄靈敏度及反覆重寫性能。粘合性的評價與第一實施例一樣，用下述方法進行，g卩，在將信息記錄介質在溫度90。C、相對溼度80%的條件的恆溫箱內放置100個小時之後，使用光學顯微鏡觀察一次腐蝕、剝離。再放置100個小時(合計放置200個小時)之後，用光學顯微鏡進行觀察，判斷最終有無腐蝕、剝離。記錄靈敏度及反覆重寫性能的評價，使用如圖5所示的記錄再現裝置50進行。雷射波長為660nm,物鏡的數值孔徑NA為0.65，測量時的線速度為8.2m/s，最短標記長為0.42pm，在溝及紋間表面上進行信息的記錄。記錄使用自0.42|Lim(3T)至1.54/mi(11T)的隨機信號在同一個溝上及紋間表面上連續進行。每次重寫都進行信號的再現，利用時間間隔測定器測量了前端跳動(記錄標記的前端部的跳動)、後端跳動(記錄標記的後端部的跳動)及前端跳動和後端跳動的平均跳動。記錄靈敏度是在平均跳動峰值功率特性的曲線圖上，跳動值最小的峰值功率。在本實施例中，將記錄靈敏度為12.0mW以下的評價為O，將大於12.0mW且14.0mW以下的評價為△，大於14.0mW的評價為X。另夕卜，將相對於第一次的跳動值增加3%的重寫次數作為信息記錄介質的反覆重寫性能的上限值。作為重寫次數的上限值，優選1000次以上，在本實施例中，5000次以上評價為良好。作為本實施例的信息記錄介質4之一例，對於第二電介質層13，在用式(ln203)」(Dl)k(D2)1-j-k(mol%)表示的氧化物—氟化物電介質中，應用了下述組合，即，(Dl，D2)=(Zr02，LaF3)、(Zr02，CeF3)、(Hf02，LaF3)、(Hf02，CeF3)、(Si02，LaF3)、(Si02，CeF3)、(Cr203，LaF3)及(Cr203，CeF3)，(j，k)=(50，25)。將這些盤編號No.分別記作4—1014_108。另外，為了與現有例的第二電介質層進行比較，還製作了作為上述結構的信息記錄介質中的第二電介質層使用了(ZnS)8。(Si02)2Q、ln203、Zr02、LaF3、(ln203)50(Zr02)50、(ln203)50(LaF3)50及(Zr02)50(LaF3)50的信息記錄介質(盤編號No.4—0004一006)，並進行了同樣的評價。評價結果如表12所示。tableseeoriginaldocumentpage45如表12所示，可得到下述結果，g卩，關於粘合性，本實施例中的所有的信息記錄介質4相對於反射層12都未發生剝離、腐蝕，比現有例4一000得到很大的改善。即表現出，作為本實施例的第二電介質層而使用的所有的氧化物一氟化物電介質和Ag均無反應性，不會使信息記錄介質的特性惡化。另外，在本實施例的所有的信息記錄介質4中，其記錄敏感度、反覆重寫特性，都比現有例4一0014一006的特性得到很大的改善。記錄靈敏度都在12.0mW以下，評價為良好。另外，還表現出可進行一萬次級的重寫。在將信息記錄介質作為圖像、聲音、動畫的儲存器應用時，優選1000次的重寫次數，而在作為計算機中的外部存儲器應用時，優選10000次以上的重寫次數。S卩，表明本實施例中的信息記錄介質4都可作為計算機的外部存儲器使用。如上所述，在本發明得到了具有超過現有例的特性的信息記錄介質。(實施例9)在本實施例說明信息記錄介質(存儲器)607之一例。以下是實施例8的信息記錄介質的製造方法。首先，在進行了表面氮化處理的長5mm、寬5mm、厚lmm的Si基板601上，利用濺射法依次形成下面的膜，艮卩，在l.OmmXl.Omm的區域以厚度0.1/mi形成Au的下部電極602，在0.2mm直徑的圓形區域以厚度0.1/mi形成Ge38SbK)Te52的記錄層605，在0.6mmX0.6mm的區域(但是除去記錄層605部)以厚度0.1/mi形成(ln203)5(Zr02)25(LaF3)25(本發明的氧化物一氟化物電介質)的電介質層606，在0.6mmX0.6mm的區域以厚度0.1/rni形成Au的上部電極604。在本實施例中，記錄層605的熔點為650°C，結晶化溫度為180°C，結晶化時間為140ns。下部電極602和上部電極604之間的電阻值，在記錄層605的相為非晶質狀態時是IOOOQ，在結晶狀態時為30Q。在記錄層605為非晶質狀態時，若在下部電極602和上部電極604之間施加20mA、150ns的電流脈衝，將會使電極間的電阻值下降，使記錄層605的相從非晶質狀態轉變成結晶狀態。另外，在記錄層605為結晶狀態時，若在下部電極602和上部電極604之間施加200mA、100ns的電流脈衝，將會使電極間的電阻值上升，使記錄層605的相從結晶狀態轉變成非晶質狀態。根據上述結果，通過將本發明的氧化物一氟化物電介質(ln203)50(Zr02)25(LaF3)25應用於電介質層606，可通過施加電能而引起記錄層605發生相態變化，由此表現出信息記錄介質607具有記錄信息的功能。另外，通過設置電介質層606，可抑制電流從記錄層605擴散到周邊部，可利用由電流產生的焦耳熱有效地提升記錄層605的溫度。特別是在記錄層605的相態從結晶狀態轉變為非晶質狀態的情況下，雖然記錄層605—旦溶解就必須有快速冷卻的過程，但通過設置電介質層606，可利用更小的電流使記錄層605的溫度達到熔點以上。另外，通過在記錄部603中將多個記錄層605做成彼此用電介質層606隔開的結構，可設置多個記錄層605，進而可以或者增大信息記錄介質607的存儲容量，或者提高存取速度及開關功能。另外，還可將信息記錄介質607自身進行多個連接。(實施例10)在實施例中，在實施方式3中所述的具有四個信息層的信息記錄介質(記為信息記錄介質5)中，對於如圖8所示的最靠近雷射入射側的信息層501的第二電介質層86，在用式(ln203)j(Dl)k(D2)1—j-k(mol%)表示的氧化物一氟化物電介質中，應用了下述組合，g卩，(Dl，D2)=(Zr02，LaF3)、(Zr02，CeF3)、(Zr02，DyF3)、(Zr02，MgF)、(Hf02，LaF3)、(Hf02，CeF3)、(Ti02，LaF3)、(Ti02，CeF3)、(Si02，LaF3)、(Si02，CeF3)、(Cr203，LaF3)、(Cr203，CeF3)、(Ga203，LaF》及(Nb205，CeF3)，(j，k)=(50，25)。將這些盤編號No.分別記作5—1015—114。進行了與記錄層的粘合性的評價。另外，與實施例l一樣，還製作了將現有的(ZnS)80(Si02)20應用於第二電介質層34的信息記錄介質(盤編號No.5—001)，並進行了比較。評價結果如表13所示。表13tableseeoriginaldocumentpage47如表13所示，本實施例中的所有的信息記錄介質5相對於記錄層87都未發生腐蝕。根據Dl及D2的選擇，有的在100個小時後未發生剝離，但在200個小時後發生了剝離，雖然如此，仍表現出比現有例(盤編號No.5—001)的粘合性優異的特性。上面，舉例說明了本發明的實施方式，但是，本發明並不限定於上述的實施方式，而是可基於本發明的技術思想應用其它的實施方式。工業實用性本發明的信息記錄介質及其製造方法，由於能夠實現具有優良的電介質材料且大容量的光學信息記錄介質，因此例如對諸如藍光光碟(Blu—myDisc)及DVD—RAM之類的DVD(DigitalVersatileDisc)有用。另外，還可應用於直徑為6cm及8cm這樣的小直徑盤。另外，作為電信息記錄介質，可作為電氣開關元件使用。不論是重寫型、一次寫入多次讀出型還是再現專用型都可應用。權利要求1、一種信息記錄介質，至少具備記錄層，所述記錄層通過照射雷射束或者施加電流而發生相變，所述信息記錄介質具備氧化物-氟化物電介質層，該氧化物-氟化物電介質層包含In元素、元素M1、氧元素(O)、元素M2、氟元素(F)，其中，M1為選自Zr、Hf、Y、Ti、Nb、Ta、Cr、Ga及Si的至少一種元素，M2為選自La、Ce、Pr、Nd、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Yb、Mg、Ca及Sr的至少一種元素。2、如權利要求1所述的信息記錄介質，其中，至少具備兩個信息層，其中至少一個信息層至少具有所述記錄層和所述氧化物一氟化物電介質層。3、如權利要求1或2所述的信息記錄介質，其中，所述氧化物一氟化物電介質層用式InaMlbOeM2dF,Q{)-a—b-e-d(原子％)表示，滿足3《a《38、3《b《38、10《c《60、l《d《35及a+b+c+d<100。4、如權利要求1或2所述的信息記錄介質，其中，所述氧化物一氟化物電介質層包含選自所述元素M1的元素M3、選自所述元素M2的元素M4，其中，M3為選自Zr、Hf、Y、Cr及Si的至少一種元素，M4為選自La、Ce、Pr及Nd的至少一種元素。5、如權利要求4所述的信息記錄介質，其中，所述氧化物一氟化物電介質層用式IneM3fOgM4hF鵬—e十g-h(原子％)表示，滿足3《e《38、3《f《38、10《g《60、l《h《35及e+f+g+h<100。6、如權利要求1或2所述的信息記錄介質，其中，所述氧化物一氟化物電介質層包含In元素的氧化物、氧化物D1、氟化物D2，其中，Dl為由選自Zr、Hf、Y、Ti、Nb、Ta、Cr、Ga及Si的至少一種元素構成的氧化物，D2為由選自La、Ce、Pr、Nd、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Yb、Mg、Ca及Sr的至少一種元素構成的氟化物。7、如權利要求6所述的信息記錄介質，其中，所述氧化物_氟化物電介質層用式(ln203)j(D1)k(D2)勵—j—k(mol%)表示，滿足20《j《85、20《k《85及j+k〈100。8、如權利要求1或2所述的信息記錄介質，其中，所述氧化物一氟化物電介質層包含選自所述氧化物Dl的氧化物D3、選自所述氟化物D2的氟化物D4，其中，D3為由選自Zr、Hf、Y、Cr及Si的至少一種元素構成的氧化物，D4為由選自La、Ce、Pr及Nd的至少一種元素構成的氟化物。9、如權利要求8所述的信息記錄介質，其中，所述氧化物一氟化物電介質層用式(ln203)m(D3)n(D4)1。—m—n(mol%)表示，滿足20《m《85、20《n《85及m+n<100。10、如權利要求8所述的信息記錄介質，其中，所述氧化物一氟化物電介質層用式(ln203)m(D3)n(D4)1Q。_m—n(mol%)表示，滿足25《m《65、20《n《60及m+n<100。11、如權利要求1所述的信息記錄介質，其中，依次具備反射層、第二電介質層、所述記錄層及第一電介質層，所述第一電介質層及所述第二電介質層的至少一個為所述氧化物一氟化物電介質層。12、如權利要求1所述的信息記錄介質，其中，依次具備反射層、第二電介質層、所述記錄層及第一電介質層，所述第二電介質層為所述氧化物一氟化物電介質層。13、如權利要求2所述的信息記錄介質，其中，在最靠近雷射束入射側的信息層中，依次具備光學分離層、反射層、第四電介質層、記錄層及第三電介質層，所述第三電介質層及所述第四電介質層的至少一個為所述氧化物一氟化物電介質層。14、如權利要求2所述的信息記錄介質，其中，在最靠近雷射束入射側的信息層中，依次具備光學分離層、反射層、第四電介質層、記錄層及第三電介質層，所述第四電介質層為所述氧化物_氟化物電介質層。15、一種信息記錄介質的製造方法，是權利要求l或2所述的信息記錄介質的製造方法，其中，使用包含In元素、元素M1、氧元素、元素M2、氟元素的濺射靶，通過濺射法而形成所述氧化物一氟化物電介質層。16、如權利要求15所述的信息記錄介質的製造方法，其中，所述濺射靶用式InaMlbOeM2dF1Q—a-b—e-d(原子％)表示，滿足3《a《38、3《b《38、10《c《60、l《d《35及a+b+c+d<100。17、如權利要求15所述的信息記錄介質的製造方法，其中，所述濺射靶包含選自所述元素Ml的元素M3、選自所述元素M2的元素M4，其中，M3為選自Zr、Hf、Y、Cr及Si的至少一種元素，M4為選自La、Ce、Pr及Nd的至少一種元素，所述濺射靶用式IneM3fOgM4hF1{)—e-f—g-h(原子％)表示，滿足3《e《38、3《f《38、10《g《60、l《h《35及e+f+g+h<100。18、如權利要求15所述的信息記錄介質的製造方法，其中，所述濺射靶包含In的氧化物、氧化物Dl、氟化物D2，其中，Dl為由選自Zr、Hf、Y、Ti、Nb、Ta、Cr、Ga及Si的至少一種元素構成的氧化物，D2為由選自La、Ce、Pr、Nd、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Yb、Mg、Ca及Sr的至少一種元素構成的氟化物，所述濺射靶用式(ln203)j(Dl)k(D2)K)Q-j-k(mol%)表示，滿足20《j《85、20《k《85及j+k〈100。19、如權利要求15所述的信息記錄介質的製造方法，其中，所述濺射靶包含選自所述氧化物D1的氧化物D3、選自所述氟化物D2的氟化物D4，其中，D3為由選自Zr、Hf、Y、Cr及Si的至少一種元素構成的氧化物，D4為由選自La、Ce、Pr及Nd的至少一種元素構成的氟化物，所述濺射靶用式(ln203)m(D3)n(D4)100_m—n(mol%)表示，滿足20《m《85、20《n《85及m+n〈100。全文摘要本發明提供一種不含S元素的電介質材料，並提供一種即使在反射層和電介質層之間不設置界面層、仍能得到高信號品質且記錄靈敏度及重寫特性優良的信息記錄介質。為此，在本申請中，信息記錄介質至少具備記錄層，所述記錄層因照射雷射束或者施加電流而發生相變，其具備包含In元素、元素M1、氧元素(O)、元素M2、氟元素(F)的氧化物-氟化物電介質層，其中，M1為選自Zr、Hf、Y、Ti、Nb、Ta、Cr、Ga及Si的至少一種元素，M2為選自La、Ce、Pr、Nd、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Yb、Mg、Ca及Sr的至少一種元素。文檔編號G11B7/24038GK101317225SQ20068004470公開日2008年12月3日申請日期2006年11月1日優先權日2005年11月30日發明者兒島理惠,槌野晶夫,西原孝史申請人:松下電器產業株式會社