電極構造、薄膜構造體的製造方法
2023-10-11 15:05:04 3
專利名稱：電極構造、薄膜構造體的製造方法
技術領域：
本發明涉及用半導體加工技術形成的電極構造、薄膜構造體的製造方法。
背景技術：
圖17是表示現有的電極構造的剖面圖，表示電極構造包含的薄膜構造體101。薄膜構造體101包括支承部103和由支承體103支承著的浮置部105，用導電材料形成於基板107上。浮置部105與基板107相隔規定間隔配置，從支承部103的上部向外方伸出。
基板107包括基板主體111、第一絕緣膜113、配線115、以及第二絕緣膜117。第一絕緣膜113形成於基板主體111上。配線115設在第一絕緣膜113的表面上，第一絕緣膜113的表面和配線115的表面基本沒有臺階，是平坦的。第二絕緣膜117覆蓋著配線115、第一絕緣膜113的表面以及側面。但是，第二絕緣膜117具有在配線115的表面上開口的孔部117a，在這裡選擇性地露出配線115的表面。支承部103經由孔部117a形成於配線115上。
圖14～圖16是依次表示現有的薄膜構造體的製造工序的剖面圖。首先，如圖14所示，在基板107上的整個面上形成腐蝕膜121。但是，在這一階段，在基板107上第二絕緣膜117沒有孔部117a。
然後，從腐蝕膜121的表面側進行腐蝕，在腐蝕膜121上設有開口121a、在第二絕緣膜117上設有孔部117a而形成地錨孔(anchorhole)122，選擇性地露出配線115的表面。這樣，便得到圖15所示的構造。
接著，如圖16所示，在腐蝕膜121上、在通過地錨孔122露出的基板107上，用導電材料形成薄膜層123。
然後，選擇性地去除薄膜層123，這樣，形成圖案後的薄膜層123的殘留部分便形成薄膜構造體101。接著，去除腐蝕膜121，得到圖17所示的構造。薄膜層123的殘留部分中嵌入地錨孔122內的部分成為支承部103，位於腐蝕膜121上的部分成為浮置部105。
在這種現有的製造方法中，最好腐蝕膜121用通過腐蝕容易去除的材料製成，例如採用氧化矽膜。另外，基板主體111採用容易進行精細加的半導體加工技術的矽基板。為了容易在矽基板上形成第一絕緣膜113，第一絕緣膜113與腐蝕膜121一樣，也採用氧化矽膜。
在用腐蝕方法去除腐蝕膜121時，為了使第一絕緣膜113不被腐蝕，第二絕緣膜117採用比氧化矽膜難腐蝕的、且容易加工的材料，例如氮化矽膜製成。
但是，當第二絕緣膜117使配線115的表面完全暴露出來時，腐蝕膜121的腐蝕所用的腐蝕劑會滲入配線115的側面和第二絕緣膜117之間，到達第一絕緣膜113的可能性很大。
圖18是從地錨孔122的開口側觀察圖15所示的構造的俯視圖。像這樣，在地錨孔122的俯視形狀為矩形或正方形等具有尖頂角的情況下，應力易集中於該角部。因此，容易從該角部開始向腐蝕膜121、第一絕緣膜113和第二絕緣膜117產生裂紋。尤其是在用氮化矽膜形成第二絕緣膜117的場合，其殘餘應力是拉伸方向，而氧化矽膜即腐蝕膜121、第一絕緣膜113的殘餘應力是壓縮方向，更容易產生裂紋。這種裂紋的發生不僅自身的強度成問題，而且還存在著上述腐蝕膜121的腐蝕所採用的腐蝕劑達到第一絕緣膜113的可能性很大的問題。
發明內容
本發明的目的在於提供一種在不會去除其他的絕緣膜的情況下去除腐蝕膜的電極構造，薄膜構造體的製造方法。還有一個目的是提供抑制產生裂紋的電極構造、薄膜構造體的製造方法。
本發明的電極構造的第1形式包括以下部分選擇性地配置在第一絕緣膜(33)上的配線(45)；第二絕緣膜(47)，它覆蓋上述第一絕緣膜，具有從上述配線表面的邊部(45a)僅進入上述配線內方第一規定距離(d1)，選擇性地露出上述配線表面的孔部(47c)，選擇性地覆蓋上述配線；腐蝕膜(51)，它具有選擇性地露出上述配線的表面的開口(51a)，至少選擇性地形成於上述第二絕緣膜上；由導電材料構成的薄膜層(53)，該薄膜層與經由上述開口及孔部選擇性地露出的上述配線的表面相連接。
根據電極構造的第1形式，由於孔部覆蓋從配線表面的邊部開始的第一規定距離，故腐蝕腐蝕膜用的腐蝕劑滲入第一絕緣膜的路徑長。因此，該腐蝕劑到達第一絕緣膜的可能性減小。所以，即使第一絕緣膜和腐蝕膜由同一材料構成，在腐蝕膜的腐蝕過程中，第一絕緣膜受腐蝕的可能性也減小。
本發明電極構造的第2形式是在電極構造的第1形式中，上述薄膜層(53)填充上述孔部(47c)。
根據電極構造的第2形式，可更有效地阻止用於腐蝕膜的腐蝕中的腐蝕劑的滲入。
本發明電極構造的第3形式是在電極構造的第2形式中，上述開口(51a)從孔部(47c)僅後退第二規定距離(d2)而開口。
根據電極構造的第3形式，支承薄膜層的浮置構造的部分設得較粗，可提高結構的強度。
本發明電極構造的第4形式是在電極構造的第3形式中，上述薄膜層(53)填充開口(51a)。
根據電極構造的第4形式，用於腐蝕膜的腐蝕中的腐蝕劑滲入第一絕緣膜的路徑更長。
本發明電極構造的第5形式是在電極構造的第1形式中，上述孔部(47c)俯視時，呈現有(47r)形成圓角的多邊形或橢圓形。
根據電極構造的第5形式，由於孔部的平面形狀沒有角，故可避免殘餘應力的其中，抑制裂紋的產生。
本發明電極構造的第6形式是在電極構造的第1形式中，上述開口(51a)俯視時，呈現角(51r)形成圓角的多邊形或橢圓形。
根據電極構造的第6形式，由於開口的平面形狀沒有角，故可避免殘餘應力集中，抑制裂紋的發生。
本發明電極構造的第7形式包括以下部分選擇性地配置在第一絕緣膜(33)上的配線(45)；第二絕緣膜(47)，它覆蓋上述第一絕緣膜，具有從上述配線表面的邊部(45a)僅進入上述配線內方第一規定距離(d1)，選擇性地露出上述配線表面的孔部(47c)，選擇性地覆蓋上述配線，殘餘應力的方向與上述第一絕緣膜的不同；導電性的薄膜構造體，它具有與經由上述孔部選擇性地露出的上述配線的表面連接的支承部(23b)，和由上述支承部支承的、與上述第二絕緣膜相隔規定間隔的浮置部(23a)。
根據電極構造的第7形式，殘餘應力的方向和第一絕緣膜不同的第二絕緣膜的孔部(47c)由於與配線表面的邊部(45a)僅相隔第一規定距離，故作用於兩者之間的剪切應力減小。
本發明電極構造的第8形式是在電極構造的第7形式中，上述支承部(23b)覆蓋上述孔部(47c)。
根據電極構造的第8形式，由於支承部與第二絕緣膜和形成於第一絕緣膜上的配線兩者連接起來，所以第一絕緣膜與第二絕緣膜兩者剝離的可能性減小。
在電極構造的第8形式中，例如上述第一絕緣膜(33)的殘餘應力是壓縮應力，第二絕緣膜的殘餘應力是拉伸應力。另外，例如上述第一絕緣膜(33)是氧化膜，上述第二絕緣膜是氮化膜。
本發明電極構造的第9形式是在電極構造的第7形式中，上述孔部(47c)俯視時，呈現角(47r)形成圓角的多邊形或橢圓形。
根據電極構造的第9形式，由於孔部的平面形狀沒有角，故可避免殘餘應力的集中，抑制裂紋的產生。
本發明電極構造的第10形式是在電極構造的第7形式中，上述開口(51a)俯視時，呈現角(51r)形成圓角的多邊形或橢圓形。
根據電極構造的第10形式，由於開口的平面形狀沒有角，故可避免殘餘應力的集中，抑制裂紋的產生。
本發明的電極構造中，最好上述第一絕緣膜的表面和上述配線的表面位於同一平面上。
本發明薄膜構造體的製造方法的第1形式包括下述工序(a)選擇性地在第一絕緣膜(33)上形成配線(45)的工序；(b)在上述配線及第一絕緣膜上形成第二絕緣膜(47)的工序；(c)選擇性地去除上述第二絕緣膜，從上述配線表面的邊部(45a)僅進入配線內方第一規定距離(d1)，形成選擇性地使述配線(45)的表面露出的孔部(47c)的工序；(d)在上述第二絕緣膜上形成腐蝕膜(51)的工序；(e)選擇性地去除上述腐蝕膜，形成露出上述配線的表面的開口(51a)，從而形成地錨孔(52)的工序；(f)用導電材料在上述地錨孔及上述腐蝕膜上形成薄膜層(53)的工序；(g)用腐蝕方法去除上述腐蝕膜的工序。
根據薄膜構造體的製造方法的第1形式，孔部從配線表面的邊部開始覆蓋第一規定距離，故用於腐蝕膜的腐蝕中的腐蝕劑滲入第一絕緣膜的路徑長。因此，即使第一絕緣膜和腐蝕膜用相同材料製成，在工序(g)中腐蝕膜的腐蝕時，第一絕緣膜被腐蝕的可能性也減小。
本發明薄膜構造體的製造方法的第2形式是在薄膜構造體製造方法的第1形式中，上述開口(51a)從上述孔部(47c)僅後退第二規定距離(d2)而開口。
根據薄膜構造體製造方法的第2形式，支承薄膜層的浮置結構的部分設得較粗，使結構的強度提高。在工序(f)中，若薄膜層填充地錨孔，則用於腐蝕膜的腐蝕中的腐蝕劑滲入第一絕緣膜的路徑更長。
本發明薄膜構造體製造方法的第3形式是在薄膜構造體製造方法的第1形式中，上述孔部(47c)俯視時，呈現角(47r)形成圓形的多邊形或橢圓形。
根據薄膜構造體製造方法的第3形式，由於孔部的平面形狀沒有角，故可避免殘餘應力集中，抑制裂紋的產生。
本發明薄膜構造體製造方法的第4形式是在薄膜構造體製造方法的第1形式中，上述開口(51a)俯視時，呈現角(51r)形成圓角的多邊形或橢圓形。
根據薄膜構造體製造方法的第4形式，由於開口的平面形狀沒有角，故可避免殘餘應力集中，抑制裂紋的產生。
本發明薄膜構造體製造方法中，例如，上述第一絕緣膜(33)及上述腐蝕膜(51)是氧化膜，上述第二絕緣膜(47)是氮化膜。
本發明薄膜構造體的製造方法中，最好上述第一絕緣膜的表面和上述配線的表面位於同一平面上。
本發明的目的、特徵、情況及優點，通過下述詳細詳明和附圖可以更加明了。
圖1是表示本發明的電極構造、可使用薄膜構造體的製造方法的半導體加速度傳感器主要部分構造的俯視圖。
圖2是沿圖1的A-A線的剖面圖。
圖3～圖9是表示圖2所示構造的製造工序的剖面圖。
圖10～圖13是地錨孔附近的俯視圖。
圖14～圖16是依次表示現有的薄膜構造體的製造工序的剖面圖。
圖17是表示現有的電極構造的剖面圖。
圖18是表示現有的電極構造的俯視圖。
具體實施例方式
A、實施形式1圖1是表示可使用本發明的薄膜構造體的製造方法的半導體加速度傳感器100的主要部分結構的俯視圖。圖2是沿圖1的A-A線剖面圖。半導體加速度傳感器100包括作為傳感器基板的基板1，和形成於該基板1的上方(圖1中為紙面的前側)、具有檢測加速度功能的傳感器部3。
傳感器部3包括可動的質量體21、數個固定結構23和數個梁25，是作為薄膜構造體形成的。該薄膜構造體是用導電材料，例如，在聚氧化矽中摻雜有雜質，例如用摻雜有磷的摻雜多晶矽形成的。
質量體21具有沿著垂直於應檢測的加速度方向B的方向C延伸的數個可動電極部21a。固定構造23包括沿著方向C延伸設置的固定電極部23a，和支承固定電極部23a的支承部23b。固定電極部23a沿著方向B相隔規定間隔設置。數個固定構造23通過其支承部23b與配線43、45中的任一個連接。但是，本發明的應用不依賴於固定構造23是否與配線43、45中的任一個連接。
如圖2所示，固定電極部23a配置在離基板1規定間隔處而浮置。支承部23b是在基板1上，更具體地說是在A-A位置上與配線45連接。可動電極部21a也和固定電極部23a一樣，與基板1相隔規定距離配置。
梁25和質量體21形成一體，質量體21懸架在基板1的上方。各梁25包括從基板1向上方突出的支承部25a；設在質量體21的方向B端緣的彈簧部25c；以及將支承部25a和彈簧部25c結合起來的結合部25b。彈簧部25c至少可沿著方向b彈性地進行彎曲變形。這樣，質量體21便可沿著方向B具有復原力地移動。支承部25a的一方在其下方與配線41連接。
固定電極部23a和可動電極部21a在方向B上相隔一定間隔交替地配置。沿著方向B將加速度賦予加速度傳感器100時，質量體21移動，可動電極部21a與固定電極部23a的距離發生變化。因此，通過用配線41、43、45從外部測定可動電極部21a和固定電極部23a產生的靜電容量，便可檢測所施加的加速度。
基板1如圖2所示，它包括基板主體31、氧化膜33、配線43和45，以及氮化膜47。而且，如圖1所示，還包括配線41。氧化膜33設在基板主體31上。氧化膜33的表面是平坦的，配線41、43、45形成於氧化膜33上。例如，氧化膜33的表面和配線41、43、45的表面設在同一平面上。
氮化膜47分別覆蓋配線41、43、45及氧化膜33的表面和側面。但是，氮化膜47具有孔部47a、47b、47c，各孔選擇性地露出配線41、43、45的表面。圖2所示為支承部23b通過孔部47c與配線45連接的狀態。
配線45表面的邊部45a對配線45延伸設置的方向(圖2上垂直於紙面的方向)的表面的寬度進行限定。孔部47c從邊部45a僅進入配線45的內方規定距離d2。這樣，經由孔部47a、47b，支承部25a、支承部23b分別與配線41、45連接。配線41在傳感器部3的下方露出很多。
如上所述，氧化膜33和氮化膜47因其殘餘應力的方向不同，故兩者之前有剪切應力作用。但是，氮化膜47的端部形成有孔部47c，以規定距離d1與配線45相鄰接。因此，可抑制剝離的發生。
如圖2所示，支承部23b覆蓋孔部47c較理想。更具體地說，支承部23b設得比孔部47c僅寬規定距離d2。通過使支承部23b與氮化膜47和配線45雙方連接，設有配線45的氧化膜33與氮化膜47剝離的可能性減小。而且，支承部23b較粗，還可提高固定結構23的強度。
圖3～圖9是按工程順序表示製造半導體加速度傳感器101的方法的剖面圖，表示相當於圖1的位置A-A的位置的剖面圖。
首先，準備好基板主體31，在其上形成氧化膜33。基板主體31例如可用半導體矽製成，氧化膜33通過基板主體31的熱氧化而形成。配線41、43、45可通過例如下述工序形成。首先，在應形成配線41、43、45的區域，在氧化膜33上設凹部。使相當於該凹部那麼深的厚度的導電材料，例如摻雜多晶矽成膜，形成比凹部的寬度窄的圖案。通過這些處理，殘置的摻雜多晶矽便形成配線41、43、45，它們選擇性地形成於氧化膜33上。接著，在氧化膜33及配線41、43、45上形成氮化膜47，於是，得到圖3所示的構造。但是，位置A-A上沒有配線41，故配線41不出現在圖3～圖8中。腐蝕膜51例如用氧化膜、PSG(磷矽酸鹽玻璃phospho silicate glass)膜或BPSG(硼磷矽酸鹽玻璃boro-phospho silicate glass)膜形成。
接著，利用腐蝕方法對氮化膜47進行選擇性去除，在氮化膜47上形成孔部47c，得到圖4所示的構造。孔部47c按規定距離d1覆蓋配線45表面的邊部45a。孔部47a、47b也可同樣形成。
接著，在經由孔部47c露出的配線45的表面上和氮化膜47上形成腐蝕膜51，得到圖5所示的構造。腐蝕膜51例如用氧化膜、PSG(phospho silicate glass)膜或BPSG(boro-phospho silicateglass)膜形成。
接著，在應形成支承部25a、23b的位置上，對腐蝕膜51進行腐蝕，選擇性地去除膜後形成露出配線41、43、45的表面的開口51a(見6)。在位置A-A上形成應與配線45連接的支承部23b，故在圖6中不是在配線43的上方而是在配線45的上方形成開口51a。開口51a比孔部47c僅後退規定距離d2進行開口。開口51a和孔部47c一起形成露出配線45的地錨孔52。在孔部47a、47b上也同樣形成地錨孔。
腐蝕膜51的腐蝕可採用幹腐蝕。這種場合，最好同時採用各方同性腐蝕。如圖7所示，這是因為可消除開口51a之開口側的稜角的緣故。這種處理的優點將在後面說明。
圖10是從地錨孔52的開口側觀察圖7所示的地錨孔52附近的狀況的俯視圖。
接著，如圖8所示，在殘存的腐蝕膜51上，在通過地錨孔52露出的基板1上形成薄膜層53。例如，薄膜層53的膜厚比腐蝕膜51的膜厚要厚。這種場合，地錨孔52用薄膜層53填充。
接著，如圖9所示，有選擇地去除薄膜層53而形成圖案。通過這道工序，殘留有薄膜層53的部分便形成質量體21、梁25及固定電極23。為了這一目的，薄膜層53用導電材料例如摻雜多晶矽製成。根據圖8，嵌入地錨孔52內的部分的薄膜層53成為支承部23b，位於腐蝕膜51上的部分的薄膜層53成為固定電極部23a。支承部25a、質量體21、彈簧部25c、結合部25b也同樣由薄膜層53形成。
其後，去除腐蝕膜51，得到圖1及圖2所示的構成。以腐蝕膜51如圖6所示的形狀形成薄膜層53時，薄膜層53的膜厚在開口51a附近形成較薄的部分。該較薄部分有可能導致固定構造23的強度不夠，故不希望出現這種情況。因此，如圖7所示，最好去掉開口51a之開口側的稜角，即使形成薄膜層53，也不產生其膜厚較薄的部分。
圖9所示的電極構造中，孔部47c以離開緣部45a規定距離d1覆蓋配線45，故其後進行的用於腐蝕膜51的腐蝕中的腐蝕劑向氧化膜33滲入的路徑可以設得長一些。這樣，該腐蝕劑到達氧化膜33的可能性減小。也就是說，即使氧化膜33和腐蝕膜51均由氧化矽膜構成，在腐蝕膜51的腐蝕過程中氧化膜33被腐蝕的可能性也小。
薄膜層53填充孔部47c。因此，可更有效地阻止用於腐蝕膜51的腐蝕中的腐蝕劑滲入氧化膜33。
開口51a僅從孔部47c後退規定距離d2而開口，薄膜層53也填充開口51a。這樣，由於薄膜層53填充地錨孔52，故用於腐蝕膜51的腐蝕中的腐蝕劑滲入氧化膜33的路徑可設得更長。而且，支承部23b變粗，固定結構23的強度提高。
B.實施形式2本實施形式中，對孔部47c和開口51a俯視時的理想的形狀作說明。圖11是表示其一例的俯視圖。和實施形式1的圖10所示的構造一樣，從邊部45a僅進入規定距離d1設置孔部47c，比孔部47c僅後退規定距離d2設置開口51a。
本實施形式的特點在於，孔部47c在俯視時幾乎呈正方形，但其角47r形成圓角。形成氧化膜33的殘餘應力和氮化膜47的殘餘應力的剪切應力在氧化膜47上易集中於開口的孔部47c的角上。但是，如本實施形式那樣，俯視孔部47c時的形狀為角部形成圓角的多邊形，故可緩解應力集中現象。
俯視孔部47c時的形狀不僅是將角部形成圓角的正方形，也可將角部形成圓角的多邊形。形成的角的數量越多，應力集中越容易緩和。或者，如圖12所示，孔部47c的俯視形狀也可呈橢圓形(含圓形)。這種場合，靠邊部45a最近的孔部47c的輪廓僅離開規定距離d1即可。
圖13是表示另外的例子的俯視圖。和實施形式1的圖10所示的構造一樣，從邊部45a僅進入規定距離d1設置孔部47c，比孔部47c僅後退規定距離d2設置開口51a。
但是，圖13所示的結構中，開口51a俯視時大致呈正方形，但其角51r形成圓角。因此，這種場合也可緩解應力集中現象。圖13示出不僅開口51a、而且孔部47c的角47r也形成圓角的樣子，但是，也可以僅開口51a的角51r形成圓角。另外，開口51a也可以和孔部47c一樣，其俯視形狀不僅是角部形成圓角的正方形，也可以是角部形成圓角的多邊形，還可以是橢圓形(含圓形)。
根據上述實施形式1和實施形式2可知，圖示的雖然是規定距離d2比規定距離d1大的情況，但，即使是0＜d2＜d1的關係，也可取得本發明的效果。
對本發明作了詳細說明，上述的說明所有的情況均為例示，本發明不受這些例子的限制。未例示的無數的變形例，均可理解為不脫離本發明範圍。
權利要求
1.一種電極構造，包括選擇性地配置在第一絕緣膜(33)上的配線(45)；第二絕緣膜(47)，它覆蓋上述第一絕緣膜，具有從上述配線表面的邊部(45a)僅進入上述配線內方第一規定距離(d1)，選擇性地露出上述配線表面的孔部(47c)，選擇性地覆蓋上述配線；腐蝕膜(51)，它具有選擇性地露出上述配線的表面的開口(51a)，至少選擇性地形成於上述第二絕緣膜上；由導電材料構造的薄膜層(53)，該薄膜層與經由上述開口及孔部選擇性地露出的上述配線的表面相連接。
2.根據權利要求1所述的電極構造，上述薄膜層(53)填充上述孔部(47c)。
3.根據權利要求2所述的電極構造，上述開口(51a)從上述孔部(47c)僅後退第二規定距離(d2)而開口。
4.根據權利要求3所述的電極構造，上述薄膜層(53)填充上述開口(51a)。
5.根據權利要求1所述的電極構造，上述孔部(47c)俯視時，呈現角(47r)形成圓角的多邊形或橢圓形。
6.根據權利要求1所述的電極構造，上述開口(51a)俯視時，呈現角(51r)形成圓角的多邊形或橢圓形。
7.根據權利要求1所述的電極構造，上述第一絕緣膜的表面與上述配線的表面位於同一平面上。
8.一種電極構造，包括選擇性地配置在第一絕緣膜(33)上的配線(45)；第二絕緣膜(47)，它覆蓋上述第一絕緣膜，具有從上述配線表面的邊部(45a)僅進入上述配線內方第一規定距離(d1)，選擇性地露出上述配線表面的孔部(47c)，選擇性地覆蓋上述配線，殘餘應力的方向與上述第一絕緣膜的不同；導電性的薄膜構造體，它具有與經由上述孔部選擇性地露出的上述配線的表面連接的支承部(23b)，和由上述支承部支承的、與上述第二絕緣膜相隔規定間隔的浮置部(23a)。
9.根據權利要求8所述的電極構造，上述支承部(23b)覆蓋上述孔部(47c)。
10.根據權利要求8所述的電極構造，上述第一絕緣膜(33)的殘餘應力為壓縮壓力，上述第二絕緣膜的殘餘應力為拉伸應力。
11.根據權利要求10所述的電極構造，上述第一絕緣膜(33)是氧化膜，上述第二絕緣膜是氮化膜。
12.根據權利要求8所述的電極構造，上述第一絕緣膜的表面和上述配線的表面位於同一平面。
13.根據權利要求8所述的電極構造，上述孔部(47c)俯視時，呈現角(47r)形成圓角的多邊形或橢圓形。
14.根據權利要求8所述的電極構造，上述開口(51a)俯視時，呈現角(51r)形成圓角的多邊形或橢圓形。
15.一種薄膜構造體的製造方法，包括下述工序(a)選擇性地在第一絕緣膜(33)上形成配線(45)的工序；(b)在上述配線及上述第一絕緣膜上形成第二絕緣膜(47)的工序；(c)選擇性地去除上述第二絕緣膜，從上述配線表面的邊部(45a)僅進入配線內方第一規定距離(d1)，形成選擇性地使上述配線(45)的表面露出的孔部(47c)的工序；(d)在上述第二絕緣膜上形成腐蝕膜(51)的工序；(e)選擇性地去除上述腐蝕膜，形成露出上述配線的表面的開口(51a)，從而形成地錨孔(52)的工序；(f)用導電材料在上述地錨孔及上述腐蝕膜上形成薄膜層(53)的工序；(g)用腐蝕方法去除上述腐蝕膜的工序。
16.根據權利要求15所述的薄膜構造體的製造方法，上述開口(51a)從上述孔部(47c)僅後退第二規定距離(d2)而開口。
17.根據權利要求15所述的電極構造，上述孔部(47c)俯視時，呈現角(47r)形成圓形的多邊形或橢圓形。
18.根據權利要求15所述的電極構造，上述開口(51a)俯視時，呈現角(51r)形成圓形的多邊形或橢圓形。
19.根據權利要求15所述的薄膜構造體的製造方法，上述第一絕緣膜(33)及上述腐蝕膜(51)是氧化膜，上述第二絕緣膜(47)是氮化膜。
20.根據權利要求15所述的薄膜構造體的製造方法，上述第一絕緣膜的表面和上述配線的表面處於同一平面上。
全文摘要
本發明的主要目的在於提供一種不會去除其他的絕緣膜而去除腐蝕膜的電極構造、薄膜構造體的製造方法。為了達到上述目的而形成地錨孔(52)，該地錨孔是將腐蝕膜(51)、氮化膜(47)所覆蓋的配線(45)的表面開口而形成的。地錨孔(52)由具有氮化膜(47)的孔部(47c)和腐蝕膜(51)的開口(51a)構成。孔部(47c)從配線(45)表面的邊部(45a)僅進入配線(45)的內方第一規定距離(d1)而開口。開口(51a)從孔部(47c)僅後退第二規定距離(d2)而開口。由於第一及第二規定距離(d1、d2)的存在，故去除腐蝕膜(51)用的腐蝕劑滲入氧化膜(33)的距離長。
文檔編號B81B3/00GK1466775SQ01816484
公開日2004年1月7日 申請日期2001年7月30日 優先權日2001年7月30日
發明者堀川牧夫, 石橋清志, 奧村美香, 志, 香 申請人:三菱電機株式會社