陶瓷圓筒形靶材及圓筒形濺鍍靶的製作方法

2023-10-30 11:27:52

本發明所揭示的實施方式涉及陶瓷圓筒形靶材及圓筒形濺鍍靶。

背景技術：

已知有一種磁子型旋轉陰極濺鍍裝置，是在圓筒形的靶材的內側具有磁場產生裝置，從內側冷卻靶材，同時進一步一邊使此靶材旋轉，一邊進行濺鍍。在這種濺鍍裝置中，靶材的外周表面的全面會被腐蝕且被均勻地切削。因此，相對於在以往的平板型磁子濺鍍裝置中使用效率為20至30％，在磁子型旋轉陰極濺鍍裝置中可得到70％以上非常高的使用效率。

另外，在磁子型旋轉陰極濺鍍裝置中，藉由一邊使靶材旋轉一邊進行濺鍍，從而相比於平板型磁子濺鍍裝置，可於每單位面積投入大的功率，故可得到高的成膜速度。

這種旋轉陰極濺鍍方式，在使用對圓筒形狀容易加工且機械強度強的金屬制的靶材者已廣泛普及化。相對於此，陶瓷製的靶材相比於金屬制的靶材，具有機械強度低且脆的特性。

進一步，陶瓷材料的熱膨脹係數小於使用來作為圓筒形支撐管的金屬材料的熱膨脹係數，故容易於靶材產生起因於圓筒形靶材與支撐管的熱膨脹量差異的龜裂。因此，有關陶瓷製的圓筒形靶材遂研究起克服此等課題的對策。

專利文獻1中已揭示在利用低融點焊料將相對密度95％以上的陶瓷圓筒形靶材接合於圓筒形基材的圓筒形濺鍍靶，抑制接合時的龜裂的技術。然而，對於濺鍍中的靶材的龜裂對策尚未被考量。

專利文獻2揭示一種控制陶瓷圓筒形靶材的研磨角度及外周面的表面粗糙度以抑制於濺鍍初期所產生的龜裂的技術。然而，外周面的表面粗糙度所造成的靶材的龜裂產生在濺鍍開始後極短的期間內，在該技術中為濺鍍中，無法特別抑制濺鍍末期的靶材的龜裂。

專利文獻3揭示一種將陶瓷圓筒形靶材及圓筒形基材以接合材接合而成的圓筒形濺鍍靶中，減少接合材不存在的處的面積，以降低濺鍍中的靶材的龜裂、缺陷、異常放電、小結粒的技術。然而，在該文獻的技術內容中對於抑制陶瓷圓筒形靶材的龜裂並不充分。

[現有技術文獻]

[專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2005-281862號公報

[專利文獻2]日本特開2009-30165號公報

[專利文獻3]日本特開2010-18883號公報。

技術實現要素：

[發明欲解決的課題]

如此地，上述已知技術依然無法得到對於抑制龜裂非常優異的陶瓷圓筒形靶材及圓筒形濺鍍靶，而仍有進一步改善的餘地。

實施方式的一個具體實施例是有鑑於上述而成，目的在於提供一種至使用壽命結束為止可進一步抑制龜裂發生的陶瓷圓筒形靶材及圓筒形濺鍍靶。

[用以解決課題的手段]

實施方式的陶瓷圓筒形靶材內周面的表面粗糙度ra為1.2μm以下。

[發明的效果]

若依據實施方式的一個具體實施例，可提供一種至使用壽命結束為止可進一步抑制龜裂發生的陶瓷圓筒形靶材及圓筒形濺鍍靶。

附圖說明

圖1表示陶瓷圓筒形靶材及圓筒形濺鍍靶的構成概要的示意圖。

圖2是圖1的a-a』剖面圖。

主要組件符號說明

1圓筒形濺鍍靶(圓筒形靶)

2陶瓷圓筒形靶材(圓筒形靶材)

2a外周面

2b內周面

2c兩端面

3支撐管

3a外周面

4接合材。

具體實施方式

以下，參照附隨的附圖，詳細說明本案揭示的陶瓷圓筒形靶材及圓筒形濺鍍靶的實施方式。另外，本發明不受以下所示的實施方式所限。

圖1是表示圓筒形濺鍍靶的構成概要的示意圖，圖2是圖1的a-a』剖面圖。另外，為容易了解說明，於圖1及圖2是圖示以垂直向上為正方向，以垂直向下為負方向的包含z軸的3維正交座標系。

如圖1及圖2所示，圓筒形濺鍍靶(以下，稱為「圓筒形靶」)1具備陶瓷圓筒形靶材(以下，稱為「圓筒形靶材」)2及支撐管3。圓筒形靶材2及支撐管3藉由接合材4接合。

此處，圓筒形靶材2是以具有剖面同心圓狀的外周面2a及內周面2b、及規定長度方向的兩端的端面2c1、2c2的圓筒形所形成的陶瓷所構成。構成如此的圓筒形靶材2的陶瓷可舉例如含有in、zn、al、ga、zr、ti、sn、mg及si中至少一種的氧化物等。具體而言，可例示sn的含量以sno2換算為1至10質量％的ito(in2o3-sno2)、in的含量以in2o3換算為10至60質量％、ga的含量以ga2o3換算為10至60質量％、zn的含量以zno換算為10至60質量％的igzo(in2o3-ga2o3-zno)、al的含量以al2o3換算為0.1至5質量％的azo(al2o3-zno)及zn的含量以zno換算為1至15質量％的izo(in2o3-zno)等，但不限定於此。另外，端面2c1、2c2總括稱為兩端面2c。

另外，支撐管3是可插通地形成於圓筒形靶材2的中空部分的圓筒形的構件，也稱為圓筒形靶1的基材。如此的支撐管3的材料可適宜選擇使用已知所使用者。例如，可應用不鏽鋼、鈦、鈦合金等作為支撐管3，但不限定於此。

另外，接合材4將圓筒形靶材2的內周面2b與支撐管3的外周面3a接合。這種接合材4可適宜選擇使用已知所使用者。例如，可應用銦、銦-錫合金等作為接合材4，但不限定於此。

在已知的平板型磁子濺鍍裝置所使用的平板型靶材的使用效率低，使用後殘存的靶材為使用前的靶材的厚度的一半左右，故因靶材的強度降低所造成的龜裂的風險性低。因此，在平板型的靶材中很少考量濺鍍中的龜裂，特別是不會考量到有關與被稱為支撐板的基材的接合面的表面形狀。同樣地，至今為止，在圓筒形靶中也絲毫未考量到有關內周面2b側的表面形狀。

另一方面，在如圖1及圖2所示般所構成的圓筒形靶1中，圓筒形靶材2的外周面2a成為濺鍍面，圓筒形靶材2從外周面2a側依序被濺鍍消耗。在圓筒形靶1中所使用的圓筒形靶材2相比於上述的平板型靶材，使用效率高，且隨著使用而圓筒形靶材2的厚度從外周面2a側整體地薄化。此時，圓筒形靶材2的內周面2b即使繼續濺鍍，也不被消耗而仍殘留至最後。

如上述，圓筒形靶1中受到支撐管3的熱膨脹而對圓筒形靶材2施予徑向力。因此，在濺鍍中特別經薄化的濺鍍末期中的圓筒形靶材2較濺鍍前的圓筒形靶材2更容易龜裂。相對於此，藉由適當控制至今未考量到的圓筒形靶材2的內周面2b側的表面形狀，特別明顯地可保持在濺鍍中經薄化的濺鍍末期的圓筒形靶材2的機械強度達可抑制龜裂的發生的程度。以下進一步說明有關實施方式的圓筒形靶材2。

實施方式的圓筒形靶材2的內周面2b的表面粗糙度ra為1.2μm以下，優選1.0μm以下，更優選0.8μm以下，進一步更優選0.5μm以下。若內周面2b的表面粗糙度ra超過1.2μm，則在例如因實施使用率80％以上的經長期濺鍍，圓筒形靶材2薄化時容易產生龜裂。另外，抑制起因於內周面2b的表面形狀的龜裂是內周面2b的表面粗糙度ra愈低愈佳，但內周面2b的表面粗糙度ra愈低，內周面2b與接合材4的潤溼性愈差。若內周面2b與接合材4的潤溼性差，使圓筒形靶材2與支撐管3接合後，於內周面2b與接合材4之間容易產生剝離。若於內周面2b與接合材4之間產生剝離，濺鍍中剝離後的部分無法被充分冷卻，而圓筒形靶材2容易龜裂。若鑑於此，內周面2b的表面粗糙度ra以0.05μm以上為優選，以0.1μm以上為較優選，以0.15μm以上為更優選，以0.2μm以上為特優選。

此處，所謂表面粗糙度ra相當於jisb0601：2013的「算術平均粗糙度ra」的值。另外，表面粗糙度ra可於內周面2b的表面加工中藉由改變常用的磨石編號或加工速度來控制。

另外，圓筒形靶材2的外周面2a的表面粗糙度ra優選1.5μm以下，更優選1.0μm以下，最優選0.5μm以下。若外周面2a的表面粗糙度ra超過1.5μm，有時對濺鍍初期的小結粒(nodule)的發生或支撐管3的接合中的龜裂會造成影響。然而，如上述，圓筒形靶材2的外周面2a會受濺鍍依序被消耗，故除了使用初期，對於圓筒形靶材2的龜裂的影響極少。另外，外周面2a的表面粗糙度ra的最小值並無特別規定，但加工作業的效率上，優選0.05μm以上。

另外，圓筒形靶材2的兩端面2c的表面粗糙度ra優選1.4μm以下，更優選1.2μm，進一步更優選1.0μm以下。若圓筒形靶材2的兩端面2c的表面粗糙度ra為1.4μm以下，可防止或抑制例如起因於濺鍍時的熱膨脹等的圓筒形靶材2的龜裂。另外，濺鍍時產生的微粒及電弧會降低，可得到良好的膜質。另外，圓筒形靶材2的兩端面2c的表面粗糙度ra的最小值並無特別規定，但加工作業的效率上，優選0.05μm以上。

另外，圓筒形靶材2的相對密度優選95％以上，更優選98％以上，進一步更優選99％以上。若圓筒形靶材2的相對密度為95％以上，可防止或抑制例如起因於濺鍍時的熱膨脹等的圓筒形靶材2的龜裂。另外，濺鍍時產生的微粒及電弧會降低，可得到良好的膜質。此處，有關圓筒形靶材2的相對密度的測定方法，說明於以下。

圓筒形靶材2的相對密度依據阿基米德法來測定。具體而言，將圓筒形靶材2的空中重量除以體積(＝圓筒形靶材2的水中重量/計測溫度中的水比重)，相對於依據下述式(x)的理論密度ρ(g/cm3)的百分率的值設為相對密度(單位：％)。

[數1]

上述式(x)中，c1至ci分別表示構成圓筒形靶材2的構成物質的含量(質量％)，ρ1至ρi表示對應於c1至ci的各構成物質的密度(g/cm3)。

另外，圓筒形靶材2內外徑的偏心優選為0.2mm以下，更優選0.1mm以下，進一步更優選0.05mm以下。若偏心超過0.2mm，如前述，受支撐管3的熱膨脹對圓筒形靶材2不均勻地施加徑向力的傾向變大，即使內周面2b的表面粗糙度ra非常小，也易產生龜裂。進一步因濺鍍所致的消耗而殘存的圓筒形靶材2的厚度形成不均，有時圓筒形靶材2的使用效率會降低。此處，所謂「內外徑的偏心」是圓筒形靶材2的外徑的中心點、及內徑的中心點的偏移幅寬。

另外，實施方式的圓筒形靶1的圓筒形靶材2與接合材4的接合率優選為98％以上，更優選98.5％以上，再更優選99％以上，特優選99.5％以上。若接合率未達98％，未被接合的部分的冷卻未充分進行，而即使內周面2b的表面粗糙度ra非常小，圓筒形靶材2易龜裂。此處，所謂「接合率」是相對於圓筒形靶材2的內周面2b的面積，於圓筒形靶材2的內周面2b接合接合材4的面積的比率。此接合率可從超聲波探傷檢査或x射線檢査所得的圖像以圖像解析軟體測定面積並求出。另外，從測定的正確性、容易性的觀點，以超聲波探傷檢査為優選。另一方面，在x射線檢査中因將彎曲的薄膜插入於支撐管3的內部而進行檢查，故有無法正確測定面積、或圓筒形靶材2與接合材4的剝離不易被檢測出等不佳情形。

另外，在上述中，說明有關圓筒形靶1是在1個支撐管3的外側接合1個圓筒形靶材2的例，但不限定於此。例如，也可使用於1或2個以上的支撐管3的外側將2個以上的圓筒形靶材2排列在同一軸線上而被接合者作為圓筒形靶1。

其次，說明有關圓筒形靶材2的製造方法的一例。圓筒形靶材2經過如下步驟製作：造粒含有陶瓷原料粉末及有機添加物的漿料，製作顆粒體的造粒步驟；使此顆粒體成形，製作圓筒形的成形體的成形步驟；燒制此成形體而製作燒制體的燒制步驟。另外，燒制體的製作方法不限定於上述者，而可為任何的方法。

在上述的燒制步驟中所得的燒制體，以比預先設計為圓筒形靶材2的尺寸更長且厚的方式製作。而且，對於燒制體的長度方向藉由例如切斷或切削，對於外徑及內徑藉由例如研磨，以成為各別設計的尺寸的方式被加工。

研磨成為圓筒形靶材2的燒制體的外周面2a側及內周面2b側的方法，有：橫移方向研磨及柱塞方向研磨的2種方式。所謂橫移方向研磨是一邊朝與燒制體的圓筒軸平行的方向移動磨石，一邊進行研磨的方式。所謂柱塞方向研磨是賦予不進行磨石的進退移動而僅切入方向的運動而進行研磨的方法。

另外，研磨燒制體的研磨裝置有兩種：一邊使燒制體的圓筒軸為橫向旋轉，一邊進行加工的橫軸圓筒研磨盤；一邊使燒制體的圓筒軸豎起而旋轉，一邊進行加工的縱軸圓筒研磨盤，可使用任一種。另外，加工內周面2b側時，使用縱軸圓筒研磨盤者，因不易受到重力的影響，且表面粗糙度ra或加工精度提升，故為優選。尤其，在超過長度500mm的長條物中，加工燒制體的內周面2b側時，使用縱軸圓筒研磨盤者，因比較容易減少表面粗糙度ra，故為有利。然而，也可於內周面2b側的加工上使用橫軸圓筒研磨盤，另外，也可使用圓筒研磨盤以外的研磨裝置。

最後，說明有關端面加工步驟。端面加工步驟是加工端面而製作特定的長度的圓筒形靶材2的步驟。端面的加工可為例如以切斷所形成者，也可為以切削或研磨所形成者。另外，也可組合切斷或切削及研磨，加工方法無限制。

如此，實施方式的圓筒形靶材2及圓筒形靶1可進一步抑制濺鍍中的龜裂的發生。

[實施例]

[實施例1]

調配以bet(brunauer-emmett-teller)法所測定的比表面積(bet比表面積)為5m2/g的sno2粉末10質量％、及bet比表面積為5m2/g的in2o3粉末90質量％，於罐(pot)中藉由氧化鋯球粒進行球磨機混合，調製原料粉末。

於此罐，相對於上述原料粉末100質量％，分別加入0.3質量％的聚乙烯醇、0.2質量％的聚羧酸銨、0.5質量％的聚乙二醇、及50質量％的水，進行球磨機混合而調製漿料。然後，將此漿料供給至噴霧式乾燥裝置，以噴霧器旋轉數14000rpm、入口溫度200℃、出口溫度80℃的條件進行噴霧式乾燥，調製顆粒體。

將此顆粒體壓入並填充於具有外徑157mm的圓柱狀的中子(芯棒)的內徑220mm(厚度10mm)、長度450mm的圓筒形狀的氨基甲酸酯橡膠模內，密閉橡膠模後，以800kgf/cm2的壓力進行cip(冷均壓，coldisostaticpressing)成形，製作圓筒形的成形體。

將此成形體以600℃加熱10小時而除去有機成分。升溫速度設為50℃/h。進一步，燒制經加熱的成形體，製作燒制體。燒制在氧環境中以燒制溫度1550℃、燒制時間12小時、升溫速度300℃/h的條件進行。另外，降溫速度將1550℃至800℃設為50℃/h、800℃以下設為30℃/h來進行。所得的燒制體的相對密度為99.8％。

接著，使用橫軸圓筒研磨盤而研磨加工所得的燒制體。首先，藉由使用#170的磨石的柱塞方向研磨，加工外周面2a側直至燒制體的外徑成為153.2mm後，藉由使用#170的磨石的柱塞方向研磨，加工內周面2b側直至燒制體的內徑成為134.8mm為止。

繼而，藉由橫移方向研磨進行燒制體的內周面2b側的加工。磨石使用以玻璃化物(vitrified)作為結合劑且磨粒粒度為#600的磨石，以每1道次的磨石的切入量為0.003mm、磨石於圓筒軸方向的移動速度為300mm/min、燒制體的旋轉速度為70rpm來進行研磨。

將上述橫移方向研磨1道次1道次地重複進行直至燒制體的內徑為135mm為止後，以切入量0使磨石朝圓筒軸方向移動的火花散放(sparkout)進行2道次(即，1次往返)。

接著，進行燒制體的外周面2a側的加工。磨石使用以玻璃化物作為結合劑且磨粒粒度為#600的磨石。每1道次的磨石的切入量為0.002mm、磨石朝圓筒軸方向的移動速度為150mm/min、燒制體的旋轉速度為20rpm，1道次1道次地重複進行加工直至外徑成為153mm為止後，進行2道次的火花散放。最後，切斷燒制體的兩端而將長度加工成300mm，製造外徑153mm、內徑135mm、長度300mm的圓筒形靶材2。

準備9根上述圓筒形靶材2，於外徑133mm、內徑123mm、長度1500mm的鈦制的支撐管3使用in焊料作為接合材4而分別接合3根圓筒形靶材2，製作3組圓筒形靶1。各圓筒形靶材2間的間隔(分割部的長度)設為0.5mm。另外，於接合前對圓筒形靶材2的內周面2b使用超聲波焊錫進行in焊料的底塗布。

[實施例2]

調配bet比表面積為4m2/g的zno粉末44.2質量％、bet比表面積為7m2/g的in2o3粉末25.9質量％、及bet比表面積為10m2/g的ga2o3粉末29.9質量％，在罐中藉由氧化鋯球粒進行球磨機混合，調製成原料粉末。

於此罐中，相對於上述原料粉末100質量％，分別加入0.3質量％的聚乙烯醇、0.4質量％的聚羧酸銨、1.0質量％的聚乙二醇、50質量％的水，進行球磨機混合，調製成漿料。

然後，以與實施例1同樣的方法進行顆粒體的調製、成形體的製作及源自成形體的有機成分的除去。進一步，以燒制溫度1400℃、燒制時間10小時、升溫速度300℃/h、降溫速度50℃/h的條件下進行成形體的燒制，製作燒制體。所得的燒制體的相對密度為99.7％。

而且，與實施例1同樣地進行所得的燒制體的研磨及以切斷所得的圓筒形靶材2的製造以及圓筒形靶材2與支撐管3的接合，製作圓筒形靶1。

[實施例3]

調配bet比表面積為4m2/g的zno粉末95質量％、bet比表面積為5m2/g的al2o3粉末5質量％，於罐中藉由氧化鋯球粒進行球磨機混合而調製陶瓷原料粉末。

於此罐中，相對於上述原料粉末100質量％，分別添加0.3質量％的聚乙烯醇、0.4質量％的聚羧酸銨、1.0質量％的聚乙二醇、及50質量％的水，進行球磨機混合而調製成漿料。

然後，以與實施例1同樣的方法，進行顆粒體的調製、成形體的製作及源自成形體的有機成分的除去。進一步，以燒制溫度1400℃、燒制時間10小時、升溫速度300℃/h、降溫速度50℃/h的條件下進行成形體的燒制，製作燒制體。所得的燒制體的密度為99.9％。

而且，與實施例1同樣地，進行所得的燒制體的研磨及以切斷加工所得的圓筒形靶材2的製造以及圓筒形靶材2與支撐管3的接合，製作圓筒形靶1。

[實施例4]

使用橫軸圓筒研磨盤加工以與實施例1同樣方式所得的燒制體(ito)，製造外徑153mm、內徑135mm、長度300mm的圓筒形靶材2。首先，藉由使用#170磨石的柱塞方向研磨，加工外周面2a側直至燒制體的外徑成為153.2mm後，藉由使用#170磨石的柱塞方向研磨，加工內周面2b側直至燒制體的內徑成為134.8mm。

繼而，藉由橫移方向研磨進行燒制體的內周面2b側的加工。磨石使用以玻璃化物作為結合劑且磨粒粒度為#1000的磨石，每1道次的磨石的切入量為0.002mm、磨石朝圓筒軸方向的移動速度為300mm/min、燒制體的旋轉速度為70rpm，進行研磨。

1道次1道次地重複進行上述橫移方向研磨直至燒制體的內徑成為135mm為止後，進行2道次的火花散放。

然後，進行燒制體的外周面2a側的加工。磨石使用以玻璃化物作為結合劑且磨粒粒度為#600的磨石，每1道次的磨石的切入量為0.002mm、磨石朝圓筒軸方向的移動速度為150mm/min、燒制體的旋轉速度為20rpm，1道次1道次地重複進行加工直至外徑成為153mm為止後，進行2道次的火花散放。最後，切斷燒制體的兩端加工長度成為300mm，製造外徑153mm、內徑135mm、長度300mm的圓筒形靶材2。

而且，與實施例1同樣地，進行圓筒形靶材2與支撐管3的接合，製作圓筒形靶1。

[實施例5]

除了使用以與實施例2同樣做法所得的燒制體(igzo)以外，其餘與實施例4同樣做法而製作圓筒形靶材2及圓筒形靶1。

[實施例6]

除了使用以與實施例3同樣做法所得的燒制體(azo)以外，其餘與實施例4同樣做法而製作圓筒形靶材2及圓筒形靶1。

[實施例7]

與實施例1同樣做法而加工所得的燒制體(ito)，製造外徑153mm、內徑135mm、長度300mm的圓筒形靶材2。使用橫軸圓筒研磨盤進行外周面2a側的加工，使用縱軸圓筒研磨盤進行內周面2b側的加工。

首先，藉由使用#170磨石的柱塞方向研磨，加工外周面2a側直至燒制體的外徑成為153.2mm後，藉由使用#170磨石的柱塞方向研磨，加工內周面2b側直至燒制體的內徑成為134.8mm為止。

繼而，藉由橫移方向研磨進行燒制體的內周面2b側的加工。磨石使用以玻璃化物作為結合劑且磨粒粒度為#600的磨石，以每1道次的磨石的切入量為0.003mm、磨石於圓筒軸方向的移動速度為300mm/min、燒制體的旋轉速度為70rpm來進行研磨。

將上述橫移方向研磨1道次1道次地重複進行直至燒制體的內徑為135mm為止後，進行2道次的火花散放。

接著，進行燒制體的外周面2a側的加工。磨石使用以玻璃化物作為結合劑且磨粒粒度為#600的磨石。每1道次的磨石的切入量為0.002mm、磨石朝圓筒軸方向的移動速度為150mm/min、燒制體的旋轉速度為20rpm，1道次1道次地重複進行加工直至外徑成為153mm為止後，進行2道次的火花散放。最後，切斷燒制體的兩端而將長度加工成300mm，製造外徑153mm、內徑135mm、長度300mm的圓筒形靶材2。

而且，與實施例1同樣地，進行圓筒形靶材2與支撐管3的接合，製作圓筒形靶1。

[實施例8]

除了使用以與實施例2同樣做法所得的燒制體(igzo)以外，其餘與實施例7同樣做法而製作圓筒形靶材2及圓筒形靶1。

[實施例9]

除了使用以與實施例3同樣做法所得的燒制體(azo)以外，其餘與實施例7同樣做法而製作圓筒形靶材2及圓筒形靶1。

[實施例10]

除了使研磨燒制體(ito)的內周面2b側的磨石的磨粒粒度設為#320以外，其餘與實施例1同樣做法而製作圓筒形靶材2及圓筒形靶1。

[實施例11]

除了使研磨燒制體(igzo)的內周面2b側的磨石的磨粒粒度設為#320以外，其餘與實施例2同樣做法而製作圓筒形靶材2及圓筒形靶1。

[實施例12]

除了使研磨燒制體(azo)的內周面2b側的磨石的磨粒粒度設為#320以外，其餘與實施例3同樣做法而製作圓筒形靶材2及圓筒形靶1。

[實施例13]

除了使研磨燒制體(ito)的內周面2b側的磨石的磨粒粒度設為#170以外，其餘與實施例1同樣做法而製作圓筒形靶材2及圓筒形靶1。

[實施例14]

除了使研磨燒制體(igzo)的內周面2b側的磨石的磨粒粒度設為#170以外，其餘與實施例2同樣做法而製作圓筒形靶材2及圓筒形靶1。

[實施例15]

除了使研磨燒制體(azo)的內周面2b側的磨石的磨粒粒度設為#170以外，其餘與實施例3同樣做法而製作圓筒形靶材2及圓筒形靶1。

[實施例16]

除了使研磨燒制體(ito)的內周面2b側的磨石的磨粒粒度設為#1500以外，其餘與實施例1同樣做法而製作圓筒形靶材2及圓筒形靶1。

[實施例17]

除了使研磨燒制體(igzo)的內周面2b側的磨石的磨粒粒度設為#1500以外，其餘與實施例2同樣做法而製作圓筒形靶材2及圓筒形靶1。

[實施例18]

除了使研磨燒制體(azo)的內周面2b側的磨石的磨粒粒度設為#1500以外，其餘與實施例3同樣做法而製作圓筒形靶材2及圓筒形靶1。

[比較例1]

使用橫軸圓筒研磨盤而加工以與實施例1同樣做法所得的燒制體(ito)，製造外徑153mm、內徑135mm、長度300mm的圓筒形靶材2。首先，藉由使用#170磨石的柱塞方向研磨，加工外徑直至153.2mm後，藉由使用#170磨石的柱塞方向研磨，加工內徑至134.8mm為止。

繼而，藉由橫移方向研磨進行燒制體的內周面2b側的加工。磨石使用以玻璃化物作為結合劑且磨粒粒度為#80的磨石，以每1道次的磨石的切入量為0.005mm、磨石於圓筒軸方向的移動速度為300mm/min、燒制體的旋轉速度為70rpm而進行研磨。

1道次1道次地重複進行上述橫移方向研磨直至燒制體的內徑成為135mm後，進行2道次的火花散放。

接著，進行燒制體的外周面2a側的加工。磨石使用以玻璃化物作為結合劑且磨粒粒度為#600的磨石。以每1道次的磨石的切入量為0.002mm、磨石朝圓筒軸方向的移動速度為150mm/min、燒制體的旋轉速度為20rpm，1道次1道次地重複進行加工直至外徑成為153mm為止後，進行2道次的火花散放。最後，切斷燒制體的兩端而將長度加工成300mm，製造外徑153mm、內徑135mm、長度300mm的圓筒形靶材2。

而且，與實施例1同樣地進行圓筒形靶材2與支撐管3的接合，製作圓筒形靶1。

[比較例2]

除了使用以與實施例2同樣做法所得的燒制體(igzo)，與比較例1同樣做法而製作圓筒形靶材2及圓筒形靶1。

[比較例3]

除了使用以與實施例3同樣做法所得的燒制體(azo)，與比較例1同樣做法而製作圓筒形靶材2及圓筒形靶1。

以目視觀察在實施例1至比較例3所製作的接合後的圓筒形靶1，在全部中看不出龜裂。其次，進行將3根圓筒形靶材2接合於支撐管3的3組圓筒形靶1的濺鍍，使用圓筒形靶材2至使用率80％(質量基準)後，以目視觀察圓筒形靶材2，確認有無龜裂。濺鍍的條件為基板溫度：100℃、濺鍍壓力：0.2pa、功率：20kw、靶旋轉數：10rpm。

將藉由實施例1至比較例3所得的結果表示於表1至表3。另外，就圓筒形靶材2而言，在表1中表示為ito，在表2中使用igzo，在表3中表示為azo。各表中，表示出外周面2a及內周面2b的表面粗糙度ra、圓筒形靶材2的偏心以及圓筒形靶材2與接合材4的接合率的數值，在各9根的圓筒形靶材2的測定值中，表示最小值與最大值。此處，有關圓筒形靶材2中的各值的定義表示於下。

[內周面、外周面、兩端面的表面粗糙度ra的測定]

使用表面粗糙度測定器(surfcoderse1700/小坂研究所股份有限公司制)測定圓筒形靶材2的外周面2a、內周面2b、兩端面2c的表面粗糙度ra。外周面2a與內周面2b的測定處在圓筒形靶材2的兩端面2c(即，端面2c1，2c2)附近，圓周方向約等間隔各4處(即，外周面2a、內周面2b均為8處)。兩端面2c的測定處是將圓筒形靶材2的兩端面2c(即，端面2c1，2c2)在圓周方向約等間隔分別設有4處(即8處)。所測定的8處的表面粗糙度ra中，將最大值設為在各面的圓筒形靶材2的表面粗糙度ra的值。另外，在實施例、比較例中的圓筒形靶材2的兩端面2c的表面粗糙度ra的任一者均為1.4μm以下。

[偏心的測定]

以遊標尺任意地測定圓筒形靶材2的端部的厚度，使最厚處的厚度(最大厚度)與規格厚度(9.00mm)的差設為偏心的測定值。例如，最大厚度為9.10mm時，偏心的值為0.10mm。

[接合率的測定]

使用超聲波探傷檢査裝置(sds-win24235t/kjtd股份有限公司制)，以0.5mm節距檢査圓筒形靶材2的內周面2b與接合材4的接合狀態。從所得的圖像，使用圖像解析軟體(粒子解析ver.3日鐵住金technology股份有限公司制)而測定接合圓筒形靶材2的內周面2b與接合材4的處的面積，算出相對於內周面2b的面積的比率而設為接合率的值。

[表1]

[表2]

[表3]

本發明技術領域技術人員可容易地導出進一步的效果或變形例。因此，本發明的更廣範的具體實施例並非限定於如以上表示及所記載的特定詳細內容及代表性的實施方式。因此，不超出權利要求書及依其均等物所定義的總括發明概念的精神或範圍，可為各種變更。