具有不同類型的多晶片封裝的存儲模塊的製作方法
2023-10-10 10:43:34
專利名稱：具有不同類型的多晶片封裝的存儲模塊的製作方法
技術領域：
本發明涉及一種半導體存儲模塊，尤其涉及一種具有不同類型的多晶片封裝的存儲模塊，其能夠用作小型計算機中的硬碟和內存的替代。
背景技術：
圖1A和1B為示出一般存儲模塊的圖。圖1A為一般存儲模塊的頂視圖，而圖1B為前視圖。
參考圖1A和1B，在一般存儲模塊中，單一種類的存儲晶片11被安裝在印刷電路板(PCB)12上。在存儲模塊中，存儲晶片11可以安裝在PCB 12的一個或兩個表面上。此外，內置於每個存儲晶片11內部的存儲器13可以是例如DRAM或SRAM的易失性存儲器或者例如NAND閃速存儲器或NOR閃速存儲器的非易失性存儲器。
常規地，僅將DRAM晶片、SRAM晶片或閃速存儲器型晶片安裝到一個存儲模塊，因為只能將單一種類的存儲晶片安裝到存儲模塊。
對於可能最新的、將來的小型計算機而言，硬碟驅動器(HDD)和內存未必要單獨安裝，而可能會使用非易失性存儲器來取代例如硬碟。此外，在可攜式計算機中，很耐外部衝擊的非易失性存儲器，而不是硬碟被用於存儲數據，因為硬碟對衝擊很脆弱。
此外，有一種將可攜式計算機的尺寸總體上最小化的趨勢。因此，為了將可攜式或用於車內的小型計算機的尺寸最小化，可能需要通過例如將標準內存和硬碟集成為單塊存儲模塊來減小計算機的體積。
發明內容
舉例來說，本發明的實施例通過集成幾種類型的存儲器，例如用於硬碟、ROM和RAM的存儲器，提供了一種可以用在小型或可攜式計算機中的存儲模塊。
本發明的實施例還提供了一種可以用於小型計算機的硬碟的存儲模塊。
在一個實施例中，存儲模塊包括包括一個或多個非易失性存儲器的第一組多晶片封裝；以及包括一個或多個易失性存儲器的第二組多晶片封裝。第一和第二組多晶片封裝電連接到基板。
通過參考附圖詳細描述本發明的示範性實施例，本發明的上述和其他特徵和優勢將變得更加明顯，附圖中圖1A和1B為示出一般存儲模塊的圖；圖2為示出根據本發明實施例的存儲模塊的圖；圖3為示出一實施例的圖，其中在一個多晶片封裝中包括了易失性存儲器和非易失性存儲器；圖4為示出在圖2所示的存儲模塊中的數據信號線的實施例的圖；圖5為示出在圖2所示的存儲模塊中的數據信號線的另一實施例的圖。
具體實施例方式
現在將參考附圖更全面地描述本發明，附圖中示出了本發明的示範性實施例。附圖中類似的參考標號指示類似的元件。
圖2為示出根據本發明實施例的存儲模塊的圖。
在存儲模塊20中，根據本發明，在PCB 23上安裝不同種類的多晶片封裝(MCP)。一種MCP為多晶片封裝21，其包括NAND型閃速存儲器24和NOR型閃速存儲器25。另一種多晶片封裝為多晶片封裝22，其包括DRAM26和單位電晶體RAM(UtRAM)27。這些僅僅是本發明實施例中的幾個可能的封裝組合的例子。
在一實施例中，根據圖2所示的本發明，一種多晶片封裝21為僅由非易失性存儲器構成的多晶片封裝。另一種多晶片封裝22為僅由易失性存儲器構成的多晶片封裝。不過，在根據本發明的實施例中，易失性存儲器和非易失性存儲器二者都可以包括在一個多晶片封裝中。圖3示出了一實施例，其中易失性存儲器和非易失性存儲器包括在一個多晶片封裝中。在圖3所示的實施例中，三個閃速存儲器32、33、34和一個DRAM 31包括在一個多晶片封裝30中。
即，圖2所示的存儲模塊可以包括由非易失性存儲器構成的第一組多晶片封裝和由易失性存儲器構成的第二組多晶片封裝，或者其中組合了非易失性存儲器和易失性存儲器的第三組多晶片封裝。此外，根據本發明另一實施例的存儲模塊可以包括第一組多晶片封裝和第三組多晶片封裝。
圖2所示的存儲模塊20在一個存儲模塊中同時包括非易失性存儲器和易失性存儲器，且能夠用在例如可攜式計算機中。即，存儲模塊20中的非易失性存儲器和易失性存儲器可以分別充當硬碟、ROM和RAM。通過這種方式，硬碟和ROM的功能可以集成到一個存儲模塊中，從而具有該集成存儲模塊的計算機可以具有顯著減小的體積，同時能夠足以承受任何外界衝擊。值得注意的是，將這種計算機和常規的具有分立硬碟和ROM的計算機進行比較。
具體地，根據本發明的實施例，可以讓可攜式計算機最小化，直到其演化為手錶型計算機的程度，硬碟、ROM和RAM的功能全都集成到存儲模塊中。
圖4示出了如圖2所示的存儲模塊40中的數據信號線的實施例。在存儲模塊40中，數據信號線被安裝在存儲模塊40中的易失性存儲器(例如DRAM或UtRAM)和非易失性存儲器(例如NAND閃速存儲器或NOR閃速存儲器)所共享。
即，在存儲模塊40中，通過數據輸入/輸出連接引腳41向易失性存儲器和非易失性存儲器輸入數據或從它們輸出數據。此外，在存儲模塊40中，可以共享電源線和時鐘信號線。
圖5示出了如圖2所示的存儲模塊50的數據信號線的另一實施例。在存儲模塊50中，安裝在存儲模塊50中的易失性存儲器(DRAM或UtRAM)和非易失性存儲器(NAND閃速存儲器或NOR閃速存儲器)的數據信號線是彼此不同的。在根據本發明的這一實施例的存儲模塊中，非易失性存儲器的輸入/輸出數據線數量相對較小並具有與其他RAM不同的輸入/輸出特性，可以為這些不同的存儲器類型使用分立的數據信號。連接到圖5所示易失性存儲器的數據信號線使用形成於存儲模塊50下部的輸入/輸出連接引腳51，而連接到非易失性存儲器的數據信號線使用形成於存儲模塊50的右和/或左側上的輸入/輸出連接引腳52。此外，存儲模塊50可以分立地使用電源線和時鐘信號線以及數據信號線。
具體地，如果非易失性存儲器和易失性存儲器使用獨立的電源電壓可能是最有效的，因為用在閃速存儲器中的電源電壓電平與用在例如DRAM或UtRAM中的電源電壓是不同的。
根據本發明的半導體存儲模塊，有可能通過集成例如硬碟、ROM和RAM的存儲器在小型計算機中使用集成的存儲器。
儘管已經參考其示範性實施例特別展示和描述了本發明，本領域的普通技術人員要理解的是，在不背離如權利要求所限定的本發明的精神和範圍的情況下可以做出多種形式和細節的變化。
本申請要求於2005年1月5日在韓國知識產權局提交的韓國專利申請No.10-2005-000810的權益，其公開全文引入於此以作參考。
權利要求
1.一種存儲模塊，包括第一組多晶片封裝，包括一個或多個非易失性存儲器；以及第二組多晶片封裝，包括一個或多個易失性存儲器，其中所述第一和第二組多晶片封裝電連接到基板。
2.根據權利要求1所述的存儲模塊，還包括第三組多晶片封裝，其包括一個或多個非易失性存儲器和一個或多個易失性存儲器。
3.根據權利要求1所述的存儲模塊，其中所述第一組多晶片封裝包括一個或多個NAND閃速存儲器和一個或多個NOR閃速存儲器。
4.根據權利要求1所述的存儲模塊，其中所述第二組多晶片封裝包括一個或多個DRAM存儲器和一個或多個SRAM或UtRAM存儲器。
5.根據權利要求2所述的存儲模塊，其中所述第三組多晶片封裝包括一個或多個閃速存儲器和一個或多個DRAM存儲器。
6.根據權利要求1所述的存儲模塊，其中所述第一和第二組多晶片封裝共享數據輸入/輸出線。
7.根據權利要求2所述的存儲模塊，其中所述第一、第二和第三組多晶片封裝共享數據輸入/輸出線。
8.根據權利要求1所述的存儲模塊，其中所述第一和第二組多晶片封裝分別具有分立獨立的數據輸入/輸出線。
9.根據權利要求2所述的存儲模塊，其中所述第一、第二、第三組多晶片封裝分別具有分立的數據輸入/輸出線。
10.根據權利要求1所述的存儲模塊，其中所述第一和第二組多晶片封裝共享電源線。
11.根據權利要求2所述的存儲模塊，其中所述第一、第二和第三組多晶片封裝共享電源線。
12.根據權利要求1所述的存儲模塊，其中所述第一和第二多晶片封裝分別具有分立的電源線。
13.根據權利要求2所述的存儲模塊，其中所述第一、第二和第三組多晶片封裝分別具有分立的電源線。
14.根據權利要求1所述的存儲模塊，被用作小型計算機的數據存儲裝置，其中所述非易失性存儲器充當ROM和硬碟。
15.根據權利要求2所述的存儲模塊，被用作小型計算機的數據存儲裝置，其中所述非易失性存儲器充當ROM和硬碟。
全文摘要
本發明公開了一種存儲模塊，所述存儲模塊包括包括一個或多個非易失性存儲器的第一組多晶片封裝和包括一個或多個易失性存儲器的第二組多晶片封裝，其中所述第一和第二組多晶片封裝電連接到基板。可以將多種類型的存儲器封裝集成到單個模塊中，該模塊安裝到如印刷電路板的基板上，用於改善尺寸效率。
文檔編號H01L23/48GK1838409SQ20061005130
公開日2006年9月27日 申請日期2006年1月5日 優先權日2005年1月5日
發明者李昌煥 申請人:三星電子株式會社