一種電池用複合中間反射層以及多結多疊層矽基薄膜電池的製作方法
2023-10-22 20:35:22
一種電池用複合中間反射層以及多結多疊層矽基薄膜電池的製作方法
【專利摘要】本發明公開了一種電池用複合中間反射層及一種多結多疊層矽基薄膜電池。該複合中間反射層包括至少一層中間反射層，每層中間反射層的前一層和後一層均為不含氧或氮的n型摻雜層；所述中間反射層為n型摻雜的SiOx或SiNx。該複合中間反射層通過氧化或氮化比例可以靈活調整折射率以適應多結多疊層的薄膜太陽能電池中不同膜層對不同波段的選擇性反射需求。所需材料均為矽基薄膜主流材料，所用製備工藝均與大規模產業化製造的工藝兼容；採用這種複合中間反射層的多結多疊層薄膜電池相比不採用中間反射層的結構，電池效率將能提高10%以上。
【專利說明】—種電池用複合中間反射層以及多結多疊層矽基薄膜電池
【技術領域】
[0001]本發明涉及一種具有複合中間反射層結構的薄膜太陽能電池結構，可方便應用於大規模產業化的矽基薄膜太陽能電池的製造技術中。
【背景技術】
[0002]1994年，瑞士 MT小組率先提出非晶/微晶矽疊層電池的設計概念，獲得轉換效率為9.1%的電池，這種疊層電池結構被認為是獲得高效率、高穩定性矽基薄膜太陽能電池的有效途徑。但是這種串聯疊層結構面臨著一個挑戰，即受光誘導衰減的限制，通常a-Si電池的厚度必須適當減薄，而由於厚度較薄，其電流通常限制著串聯器件的電流；1996年，Fischer D等首次提出在疊層電池中加入ZnO中間反射層可使電池的量子效率和短路電流得到顯著改善，由此獲得了 13.1%的電池轉換效率，中間反射層的引入被認為是解決非晶層減薄所造成的效率損失的有效途徑之一 ；2006年，Kaneka開發出一種新的中間層材料，其在600nm波長的折射率為1.7，對短波光線具有更好的反射效果，利用該材料製備的疊層電池效率達到13.4%，但是此中間層的材料和結構並未披露。隨後對ZnO基中間反射層的研究中發現，當ZnO的厚度小於IOOnm時，頂電池的短路電流密度Jsc隨中間反射層厚度的增加呈線性增加，研究指出作為中間反射層的ZnO材料的厚度應小於lOOnm。但是對於工業生產來說，ZnO基中間反射層存在兩個主要缺陷，首先是需要額外的非原位沉積步驟來沉積ZnO基中間反射層，其次是需要額外的雷射劃刻來進行整體系列的相互連接，以避免電池模組部分的側向分流。2008年，Buehlmann等提出摻雜SiOx作為中間反射層,通過原位沉積即可實現，實驗證實此SiOx基中間反射層的折射率接近2，並且具有較好的電學性質，製備出頂電池、SiOx基中間反射層、底電池厚度分別為270nm，95nm和1800nm的非微晶電池，其效率達到 12.2% (Voc=L 40V, FF=71.9%, Jsc=12.1mA/cm2)。
[0003]中間反射層的概念是在頂底電池之間弓丨入一個薄的反射層，在不增加頂電池吸收層厚度的情況下，增加頂電池的光吸收，從而提高頂電池的短路電流密度。通常中間反射層的折射率(1.5〈n〈2.2)要低於Si的折射率(nSi?4),這樣才能在頂電池中起到反射光的作用，同時中間反射層必須要透明，具有較小的光吸收係數，儘可能減少活性層以外對光吸收產生的電流損失；同時中間反射層還應具有較好的電導率，避免阻礙電流。
[0004]在多結多疊層矽基薄膜太陽能電池的製造技術中，如何控制電池光致衰減和提升電池效率一直是最為重要的兩個課題。而中間反射層技術的提出很好的化解了此相互矛盾的課題，使得在減薄亞穩態非晶層厚度的同時，電池的穩定性得到提高，電池效率不會損失甚至會得到提高。而中間反射層的導電性能和選擇性反射性能一直是能否有效提升電池性能的關鍵，儘管陸續有不同設計和不同材料的中間反射層被提出和應用，但是此問題並未得到很好的解決。
[0005]多年來IMT、Julich、Kaneka等知名學術機構和公司一直致力於中間層的研究和開發，但大多為單層設計的中間層，據我們所知，迄今為止公開文獻上尚未有人提出本發明所描述的新型複合結構的中間反射層。而採用單層設計存在過厚的中間層引起的諸多問題:(1)中間反射層通過引入氧元素來調節折射率，厚的單層結構氧化膜本身電導率不佳，不利於電池效率的進一步提升；(2)中間層通常置於前層PIN結的η型層中，單層結構會削弱電池內部內建電場，導致開路電壓有所損失；(3)單層結構僅存在一個選擇性反射界面，而多層複合結構存在多個反射界面，相比較更有利於提高光線的選擇性反射，從而使短波光線更有效的反射而被前層電池所吸收。
【發明內容】
[0006]針對傳統中間反射層技術中存在的缺陷，例如膜層電導率低、選擇性反射效果差，提出一種複合中間反射層及相應的電池結構，所述的複合中間反射層為多層交替的複合結構，優點如下:(I)提升中間反射層電導率；(2)增加反射機率而改善選擇性反射效果；(3)有效保持電池PIN結構的結電場。這樣，一方面可以提升不同能隙材料對其特定波段光能的有效吸收，提高該結電池的電流密度和電壓；另一方面可以改善電池電導率，減少轉換電能在電池內部的損耗。
[0007]為解決上述技術問題，本發明所採用的技術方案是:
[0008]本發明的技術方案之一:
[0009]一種電池用複合中間反射層，該複合中間反射層是包括至少一層中間反射層的多層膜結構，與每層中間反射層相鄰的前一層和後一層均為不含氧或氮的η型摻雜層；所述中間反射層為摻雜的η型SiOx或SiNx膜層；所述η型摻雜層為η型摻雜的μ C-Si1^xGex,η型摻雜的μ c-S1、η型摻雜的a-SihGe^n型摻雜的a_Si, η型摻雜的μ c_SiC、n型摻雜的a-SiC半導體材料層中的一種或多種，其中O≤X≤I。
[0010]優選，按照光線入射順序，後一層中間反射層的折射率要低於前一層中間反射層的折射率，且每一層中間反射層的折射率在1.46~3.5之間。
[0011]優選，所述中間反`射層的數量為1-7層。
[0012]所述中間反射層優選為η型摻雜的SiOx材料，採用等離子體增強化學氣相沉積方法形成，製備條件優選是:襯底溫度為150°C~400°C，工藝壓力為0.2mbar~5mbar，射頻功率密度 50W/cm2 ~250mW/cm2，(0.5%PH3/H2)/SiH4 的體積流量比為 3 ~15，C02/SiH4 的體積流量比0.5~5，SiH4/H2的體積流量比為0.005~0.1 ;所述各層中間反射層厚度總和為10nm_80nmo
[0013]所述中間反射層也優選為η型摻雜的SiNx材料，採用等離子體增強化學氣相沉積方法形成，製備條件優選是:襯底溫度為150°C~400°C,工藝壓力為0.2mbar~5mbar,射頻功率密度50mff/cm2~250mff/cm2, (0.5%PH3/H2)/SiH4的體積流量比為3~15，NH3/SiH4的體積流量比0.2~2，SiH4/H2的體積流量比為0.005~0.1，所述中間反射層厚度為10nm-80nm。其中0.5%PH3/H2表示PH3與H2的混合氣體，而PH3體積分數為0.5%。
[0014]所述η型摻雜層的每一層的厚度優選為lnm-20nm。優選位於兩層中間反射層之間的η型摻雜層厚度為2.5nm-3.5nm,位於中間反射層外層的η型摻雜層的厚度為llnm-13nm。
[0015]本發明的技術方案之二:一種多結多疊層矽基薄膜電池，在每兩個相鄰的PIN結之間有上述的複合中間反射層。
[0016]優選為以下電池結構之一:[0017](I)基片 /TCO/n-μ C-SihGex/!-μ C-SihGeyp-μ C-SihGex/ 複合中間反射層 /η~u c-Si/1-μ c-Si/ρ-μ c-Si/ 複合中間反射層 /n-A-Si^xGexZ1-A-Si^xGexZp-A-S!L1-JiGex/複合中間反射層/n-A-Si/1-A-Si/p-A-Si/複合中間反射層/η_μ c-SiC/1-μ c_SiC/P-μ c-SiC/ 複合中間反射層 /n-A-SiC/1-A-SiC/p-A-SiC/TCO/ 減反射膜；
[0018](2)基片 ACO/n-μ C-Si1^Gex/i_μ C-Si1^GexZp-U C-Si1^Gex/ 複合中間反射層 /n~u c-Si/1-μ c-Si/ρ-μ c-Si/ 複合中間反射層 /n-A-Si^xGexZ1-A-Si^xGexZp-A-S!L1-JiGex/複合中間反射層 /n-A-Si/1-A-Si/p-A-Si/ 複合中間反射層 /n-A-SiC/1-A-SiC/p-A-SiC/TCO/減反射膜；
[0019](3)基片 ACO/n-μ C-Si1^Gex/i_μ C-Si1^GexZp-U C-Si1^Gex/ 複合中間反射層 /n~u c-Si/1-μ c-Si/ρ-μ c-Si/ 複合中間反射層 /n-A-Si^xGexZ1-A-Si^xGexZp-A-S!L1-JiGex/複合中間反射層/n-A-Si/1-A-Si/p-A-Si/TCO/減反射膜；
[0020](4)基片 /TCO/n-μ C-Si1^Gex/1-μ C-Si1^GexZp-U C-Si1^Gex/ 複合中間反射層 /η-μ c-Si/1-μ c-Si/ρ-μ c_Si/ 複合中間反射層 /n-A-Si/1-A-Si/p-A-Si/TCO/減反射膜；[0021 ] 其中，TCO層與相鄰的複合中間反射層以及相鄰兩複合中間反射層之間構成一結，
I 表示兩層之間的界面，基片為玻璃、不鏽鋼或高分子材料。
[0022]下面對本發明做進一步解釋和說明:
[0023]所述每一層中間反射層的折射率必須低於光線入射順序上的前一層PIN結的折射率。製備過程中，調節反應氣體CO2或NH3的流量可實現對摺射率的調節，折射率範圍在1.46~3.5，調節摻雜氣體PH3可實現對電導率的調節，要求電導率>1 X l(T7S/cm。
[0024]所述中間反射層在大面積基片上沉積需具備較好的均勻性，如在1.1X1.3m2的基片上沉積，要求均分15X13點陣測量的膜厚不均勻性不得超過10%。
[0025]本發明的上述複合中間`反射層，通過對每一層中間反射層折射率的調節，可增強中間反射層的選擇性反射效果，可以更有效的將長波與短波分離。通過對每一層厚度的調節及PH3摻雜比例的調節，可以調控電導率，克服傳統的單層反射層結構電導率不佳的問題，同時還可以有效保持電池PIN結構的結電場。
[0026]多結多疊層矽基薄膜電池新型中間反射層及其工藝製備方法包括:採用PECVD及其衍生類型的CVD技術製成，其射頻頻率範圍為13~130MHz，適用於大面積產業化的工藝。
[0027]所述中間反射層為η型摻雜的SiOx材料或η型摻雜的SiNx材料，其製成工藝中摻雜氣體使用磷烷(PH3),並可依照膜層對導電率的需求調節氧或氮含量，以實現材料的不同折射率的變化；
[0028]所述中間反射層採用PECVD及其衍生類型的CVD技術製成，其射頻頻率範圍為13~130MHz，適用於大面積產業化的工藝；
[0029]所述的中間反射層的η型摻雜的SiOx材料，其要求在大面積基片上沉積具有好的均勻性，如在1.1X1.3m2的基片均分為15X13的點陣測量膜厚不均勻性不得超過10%，要求電導率大於I X 10_7S/Cm，折射率依據應用所處的PIN結的材料性能和應用的膜層位置在
1.46~3.5的範圍可調；
[0030]所述的中間反射層的η型摻雜的SiNx材料，其要求在大面積基片上沉積具有好的均勻性，如在1.1X1.3m2的基片均分為15X13的點陣測量膜厚不均勻性不得超過10%，要求電導率大於I X 10_7S/Cm，折射率依據應用所處的PIN結的材料性能和應用的膜層位置在1.46~3.5的範圍可調；
[0031]所述單層或多層複合結構內的各層中間反射層(η型摻雜層除外)的總厚度範圍為10~80nm，多層複合結構中單獨每層中間反射層厚度為5~50nm，總中間反射層厚度不能超過80nm。
[0032]所述與中間反射層(η型摻雜的SiOx材料或η型摻雜的SiNx材料)相鄰的η型摻雜的矽基薄膜外層材料均選自η型摻雜的矽基薄膜，可以是η型摻雜的μ C-Si1^xGex, η型摻雜的μ c-S1、η型摻雜的A-SihGe^ η型摻雜的A-Si，η型摻雜的μ c_SiC、η型摻雜的A-SiC等半導體材料中的某一種或者多種，其電導率大於lOS/cm。 [0033]所述η型摻雜的矽基薄膜外層材料厚度為I~20nm，在滿足維持內建電場作用的前提下越薄越好，夾在中間反射層之間的η型摻雜層優化厚度為3nm左右，最外層的η型摻雜層優化厚度為12nm左右。複合結構中儘可能薄的η型摻雜層可以減少光能的無效吸收損失。
[0034]專利號為CN101866963A提出了多結多疊層矽基薄膜電池的設計理念，能夠實現對全光譜太陽光的有效吸收，從而有潛力獲得最高效率的太陽能電池，而將本專利中的複合結構的中間反射層應用於此多結多疊層電池設計的中間反射層部分，可進一步提升效率，有望開發出具有突破性進展的薄膜電池產品。
[0035]與現有技術相比，本發明的優勢是:
[0036]1、採用此複合中間反射層的多結多疊層薄膜電池相比不採用此複合中間反射層的結構，電池效率將能提高10%以上。
[0037]2、採用此複合中間反射層可以(I)提升中間反射層電導率；(2)增加反射機率而改善選擇性反射效果；(3)有效保持電池PIN結構的結電場。這樣，一方面可以提升不同能隙材料對其特定波段光能的有效吸收，提高該結電池的電流密度和電壓；另一方面可以改善電池電導率，減少轉換電能在電池內部的損耗。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0038]圖1是說明本發明所應用的高轉化率多結多疊層矽基薄膜電池的結構示意圖；
[0039]圖2是本發明新型複合中間反射層的結構示意圖；
[0040]圖3是本發明複合中間反射層(含有I層中間反射層)的電池結構示意圖；
[0041]圖4是本發明實施例中的複合中間反射層(含有2層中間反射層)的電池結構示意圖；
[0042]圖5是本發明實施例中的複合中間反射層(含有3層中間反射層)的電池結構示意圖；
[0043]圖6是本發明新型複合中間反射層材料與同次實驗中沒有中間反射材料製備的雙結疊層電池的光譜響應曲線，實線是具有中間反射層的電池量子效率響應譜，虛線是沒有中間反射層的電池量子效率響應譜；此圖說明採用中間反射層帶來的選擇性反射效果可增強頂電池(藍光吸收為主)的光譜響應而削弱底電池(紅光吸收為主)的光譜響應，是引入中間反射層改善電池基礎原理；
[0044]圖7是本發明複合中間反射層(含有3層中間反射層)、複合中間反射層(含有I層中間反射層)與沒有中間反射層製備的雙結疊層電池的1-V曲線。此圖表明引入中間反射層能顯著提升電池效率，而採用3層複合中間反射層結構的電池相比僅採用I層中間反射層結構的電池有進一步的提升，效率更高(圖中體現為具有相同Isc和Voc，而採用3層結構的填充因子FF更高)；
[0045]圖8是本發明的一個實施示例的工藝製備流程圖。
【具體實施方式】
[0046]下面結合實施例對本發明做進一步的說明。
[0047]在非晶矽/微晶矽雙結疊層電池的實際案例中，應用本發明複合中間反射層的設計結構製備出高效矽基薄膜太陽能電池，其中分別採用2層和3層中間反射層結構設計，參照附圖4、5:
[0048](1)2層中間反射層複合結構:玻璃基板/TCO前電極/p-A-Si/1-A-
[0049]Si/n-A-Si/n-μ c_Si/ 中間反射層 /n-μ c_Si/ 中間反射層 /n-μ c-Si/ρ-μ c_Si/1-μ c-S1: Η/η- μ c-Si/TCO背電極/封裝材料(兼背反射層)/玻璃背板；
[0050](2) 3層中間反射層複合結構:玻璃基板/TCO前電極/p-A-Si/1-A-Si/n-A-Si/η-μ c-Si/中間反射層/η_ μ c_Si/中間反射層/η_ μ c_Si/中間反射層/η_ μ c_Si/P- μ c-Si/1- μ c-S1: Η/η- μ c-Si/TCO背電極/封裝材料(兼背反射層)/玻璃背板；
[0051]上述兩種應用結構的製備方法非常類似，在中間反射複合層沉積的數量上有所不同，這兩種中間層結構電池的製備工藝流程均如圖8所示，具體步驟為:
[0052]1.前板玻璃清洗
[0053]利用產業化清洗機，以鹼性配比清洗劑清洗基片，去離子水漂洗並風乾。
[0054]2.TCO前電極沉積
[0055]在真空設備中，以LPCVD方法通入DEZ，B2H6與H2O發生反應沉積B摻雜的ZnO(BZO)材料作為前電極，沉積厚度為1500?1800nm ；
[0056]3.TCO前電極雷射分割(子電池形成過程I)
[0057]採用波長為355nm的雷射器分割TCO前電極，為子電池的電路結構奠定基礎；
[0058]4.非晶矽頂電池沉積
[0059]採用PECVD方法，射頻頻率為40.68MHz，襯底溫度200°C，沉積包含PIN完整結構的非晶矽頂電池，厚度在200?300nm之間，可選擇性沉積窗口層、緩衝層等優化膜層，並融入界面處理技術改善膜層性能。非晶矽的沉積依照已經公布的已知工藝方法完成。
[0060]5.複合中間反射層沉積
[0061]採用原位沉積，在同一 PECVD設備中，沉積複合中間反射層。(I)在溫度為200°C的襯底上，通入SiH4、H2>0.5%PH3/H2混合氣體,使用2?3mbar的工藝壓力，沉積約I?20nm的界面調節η型摻雜層；(2)然後保持相同襯底溫度，在0.2?5mbar的工藝壓力下，通入SiH4' H2,0.5%PH3/H2混合氣體、CO2,流量比分別為:(0.5%PH3/H2) /SiH4流量比為3?15(0.5%PH3/H2為PH3混合於載氣H2中的總體積分數為0.5%)，C02/SiH4流量比0.5?5，SiH4/H2流量比為0.005?0.1，使用的射頻功率密度為50?250mW/cm2，沉積約5?50nm的η型SiOx中間反射層；(3)與前述η型摻雜層相同的沉積條件形成I?20nm的η摻雜層；(4)與前述中間反射層相同的條件再形成約5?50nm的中間反射層；(注:如果為3層中間反射層結構，則重複步驟(3 ) (4)各I次);(5 )與步驟(I)相同的條件沉積η型摻雜層約I?20nm ；
[0062]6.微晶娃底電池沉積
[0063]釆用PECVD方法，射頻頻率為40.68MHz，襯底溫度160°C，沉積包含PIN完整結構的微晶矽底電池，可選擇性引入界面處理技術改善膜層性能。微晶矽的沉積依照已經公布的已知工藝方法完成。
[0064]7.矽基薄膜層雷射分割(子電池形成過程2)
[0065]參考前一道雷射劃刻的位置偏移約IOOum,米用波長為532nm的雷射器分割娃薄膜，為子電池的電路結構奠定基礎；
[0066]8.TCO背電極沉積
[0067]在真空設備中，以LPCVD方法通入DEZ，B2H6與H2O發生反應沉積B摻雜的ZnO(BZO)材料作為背電極，沉積厚度為1500?1800nm ；
[0068]9.矽基薄膜層和TCO背電極雷射分割(子電池形成過程3)
[0069]參考前一道雷射劃刻的位置偏移約IOOum,米用波長為532nm的雷射器分割娃薄膜和TCO背電極，這樣3道雷射分割工藝完成，共同形成電池的基本電路連接架構；
[0070]10.電路連接
[0071]基於雷射劃刻形成的電池基本架構，以導電膠將導電帶粘接到電池的正負極，導電帶之間以與之垂直的交導電帶通過焊接橋接，形成3組串並聯電路結構，獲得低電壓性倉泛。
[0072]11.電池封裝和零部件組裝
[0073]以EVA作為封裝和背反射層材料，與背板玻璃一起封裝整個電池，並安裝接線盒等零部件，完成性能測試並下線。
【權利要求】
1.一種電池用複合中間反射層，其特徵是，該複合中間反射層是包括至少一層中間反射層的多層膜結構，與每層中間反射層相鄰的前一層和後一層均為不含氧或氮的η型摻雜層；所述中間反射層為摻雜的η型SiOx或SiNx膜層；所述η型摻雜層為η型摻雜的μ C-Si1^xGex, η型摻雜的μ c_S1、η型摻雜的A-SipxGe^ η型摻雜的A_Si，η型摻雜的μ c-SiC、η型摻雜的A-SiC半導體材料層中的一種或多種，其中OχI。
2.根據權利要求1所述電池用複合中間反射層，其特徵是，按照光線入射順序，後一層中間反射層的折射率低於前一層中間反射層的折射率，且每一層中間反射層的折射率在1.46~3.5之間。
3.根據權利要求1所述電池用複合中間反射層，其特徵是，所述中間反射層的數量為1_7 層。
4.根據權利要求1所述電池用複合中間反射層，其特徵是，所述中間反射層為η型摻雜的SiOx材料，採用等離子體增強化學氣相沉積方法形成，製備條件是:襯底溫度為150°C~400 0C，工藝壓力為 0.2mbar ~5mbar，射頻功率密度 50W/cm2 ~250mW/cm2，(0.5%PH3/H2) /SiH4的體積流量比為3~15 (0.5%PH3/H2為PH3混合於載氣H2中的總體積分數為0.5%)，C02/SiH4的體積流量比0.5~5，SiH4/H2的體積流量比為0.005~0.1 ;所述中間反射層的總厚度為10nm-80nm。
5.根據權利要求1所述電池用複合中間反射層，其特徵是，所述中間反射層為η型摻雜的SiNx材料，採用等離子體增強化學氣相沉積方法形成，製備條件是:襯底溫度為I5O °C~400 °C，工藝壓力為0.2mbar~5mbar,射頻功率密度5OmW/cm2~250mW/cm2,(0.5%PH3/H2)/SiH4的體積流量比為3~15，NH3/SiH4的體積流量比0.2~2，SiH4/H2的體積流量比為0.005~0.1，所述中間反射層的總厚度為10nm-80nm。
6.根據權利要求1所述電池用複合中間反射層，其特徵是，所述每層η型摻雜層的厚度為 lnm_20nmo
7.根據權利要求1所述電池用複合中間反射層，其特徵是，位於兩層中間反射層之間的η型摻雜層厚度為2.5nm-3.5nm,位於中間反射層外層的η型摻雜層的厚度為llnm-13nm。
8.一種多結多疊層矽基薄膜電池，其特徵是，在每兩個相鄰的PIN結之間有權利要求1-7之一所述的複合中間反射層。
9.根據權利要求8所述多結多疊層矽基薄膜電池，其特徵是，為以下電池結構之一: (1)基片/TCO/n- μ c_S「_xGex/i_ μ C-Si1^GexZp- U C-Si1^Gex/ 複合中間反射層 /n~ U c-Si/1-μ c-Si/ρ-μ c-Si/ 複合中間反射層 /n-A-Si^xGexZ1-A-Si^xGexZp-A-S!L1-JiGex/複合中間反射層/n-A-Si/1-A-Si/p-A-Si/複合中間反射層/η_μ c-SiC/1-μ c_SiC/P-μ c-SiC/ 複合中間反射層 /n-A-SiC/1-A-SiC/p-A-SiC/TCO/ 減反射膜； (2)基片/TCO/n-μ c_S「_xGex/i_μ C-Si1^GexZp-U C-Si1^Gex/ 複合中間反射層 /n~ U c-Si/1-μ c-Si/ρ-μ c-Si/ 複合中間反射層 /n-A-Si^xGexZ1-A-Si^xGexZp-A-S!L1-JiGex/複合中間反射層 /n-A-Si/1-A-Si/p-A-Si/ 複合中間反射層 /n-A-SiC/1-A-SiC/p-A-SiC/TCO/減反射膜； (3)基片/TCO/n-μ c_S「_xGex/i_μ C-Si1^GexZp-U C-Si1^Gex/ 複合中間反射層 /n~ U c-Si/1-μ c-Si/ρ-μ c-Si/ 複合中間反射層 /n-A-Si^xGexZ1-A-Si^xGexZp-A-S!L1-JiGex/複合中間反射層/n-A-Si/1-A-Si/p-A-Si/TCO/減反射膜； (4)基片 /TCO/n-μ c_S「_xGex/i_μ C-Si1^GexZp-U C-Si1^Gex/ 複合中間反射層 /η-μ c-Si/1-μ c-Si/ρ-μ c_Si/複合中間反射層/n-A-Si/1-A-Si/p-A-Si/TCO/減反射膜；其中，TCO層與相鄰的複合中間反射層以及相鄰兩複合中間反射層之間構成一結，0≤x≤1表示兩層之間的界面，基片為玻璃、不鏽鋼或高分子材料。
【文檔編號】H01L31/076GK103579400SQ201310544108
【公開日】2014年2月12日 申請日期:2013年11月6日 優先權日:2013年11月6日
【發明者】譚學仕, 李廷凱, 張峰, 毛炳雪 申請人:湖南共創光伏科技有限公司