一種優化分離柵器件高溫化學氣相澱積氧化物厚度的方法
2023-10-23 13:59:52 2
專利名稱：一種優化分離柵器件高溫化學氣相澱積氧化物厚度的方法
技術領域：
本發明涉及一種嵌入式快閃記憶體工藝，特別涉及一種優化分離柵器件高溫 化學氣相澱積氧化物厚度的方法。
技術背景目前的分離柵快閃記憶體器件(示意圖參見圖l)中，控制柵與襯底之間的氧化 層厚度和控制柵與浮柵之間的氧化層厚度有不同的要求。控制柵與襯底之 間的氧化物需要承受高壓，因此要求厚一些；控制柵與浮柵之間的氧化物 是存儲單元擦寫隧道電子經過的地方，因此越薄越容易擦除，從而反覆擦 除的次數越多。但在目前的工藝中，同一個厚度被選擇來滿足兩者共同的要求，比如40埃熱氧加180埃HTO(高溫化學氣相澱積氧化物)，因此工藝窗 口很窄，通常只有10埃量級。 發明內容本發明要解決的技術問題是提供一種優化分離柵器件高溫化學氣相澱 積氧化物厚度的方法，以分別優化兩處氧化物厚度以滿足反覆擦寫和高壓 的要求。為解決上述技術問題，本發明方法包括步驟一、在控制柵與襯底之 間生成滿足高壓要求的浮柵；步驟二、在控制柵與襯底之間塗上一層防護 層；步驟三、然後用各向異性的方法去除浮柵上以及控制柵和浮柵之間的 防護層；步驟四、最後用溼法或幹法刻蝕浮柵。本發明由於分別優化控制柵與浮柵和控制柵與襯底之間氧化物厚度，
在滿足控制柵和襯底之間高壓要求的前提下，反覆擦寫的次數從目前低於100K提高到大於300K，工藝窗口從10埃提高到3 0 A。
圖1是分離柵快閃記憶體器件的示意圖；圖2是本發明的一個具體實施例的示意圖；圖3是本發明方法的流程圖。
具體實施方式
下面結合附圖和具體實施例對本發明作進一步詳細的說明。 本發明方法包括四個步驟，如圖3所示，即步驟一、在控制柵與襯 底之間生成滿足高壓要求的浮柵，步驟二、在控制柵與襯底之間塗上一層 防護層，步驟三、然後用各向異性的方法光刻所述浮柵上以及控制柵和浮 柵之間的膠，步驟四、最後用溼法或幹法減少浮柵厚度。如圖2所示，是本發明的一個具體實施例的示意圖，首先在長一層能 滿足控制柵與襯底之間高壓要求的HT0(比如200埃)之後，在控制柵與襯 底之間塗上一層防護層，比如先在矽片上塗上一層平坦化的光刻膠，然後 用各向異性的方法把浮柵上以及控制柵和浮柵之間的光刻膠，然後用溼法 或幹法去掉一層HTO (比如4 0埃)以滿足反覆強調擦寫的要求。在本發明的另一個具體實施例中，在浮柵形成之後，塗上一層l 5 0 0埃平坦化的膠，用幹法刻掉l 1 0 0埃膠，然後用2 0 0: 1稀HF酸 去掉40埃HT0。根據實施例得出上述各參數的優化範圍為1、高溫化學氣相澱積氧化 物厚度從50埃到1000埃；2、平坦花BARC層(調節光反射層)的厚度從100埃到2000埃；3、氧化物刻蝕IO埃到500埃。
採用本發明方法，在滿足控制柵和襯底之間高壓要求的前提下，反覆 擦寫的次數從目前低於100K提高到大於300K，工藝窗口從10埃提高到 3 0埃。
綜上所述，本發明方法提出了一種分別優化分離柵器件兩處氧化物厚 度，可以以滿足反覆擦寫和高壓的要求。
權利要求
1、 一種優化分離柵器件高溫化學氣相澱積氧化物厚度的方法，其特徵 在於，包括步驟一、在控制柵與襯底之間生成滿足高壓要求的浮柵； 步驟二、在所述控制柵與襯底之間塗上一層防護層；步驟三、然後用各向 異性的方法去除所述浮柵上以及控制柵和浮柵之間的防護層；步驟四、最 後用溼法或幹法刻蝕所述浮柵。
2、 根據權利要求l所述的優化分離柵器件高溫化學氣相澱積氧化物厚 度的方法，其特徵在於，所述浮柵為高溫化學氣相澱積氧化物，厚度從50 埃到1000埃；所述防護層為平坦化BARC，厚度從100埃到2000埃；所述步驟 四刻蝕厚度為10埃到500埃。
全文摘要
本發明公開了一種優化分離柵器件高溫化學氣相澱積氧化物厚度的方法，包括步驟一、在控制柵與襯底之間生成滿足高壓要求的浮柵；步驟二、在控制柵與襯底之間塗上一層防護層；步驟三、然後用各向異性的方法去除浮柵上以及控制柵和浮柵之間的防護層；步驟四、最後用溼法或幹法刻蝕浮柵。本發明可以分別優化兩處氧化物厚度以滿足反覆擦寫和高壓的要求。
文檔編號H01L21/336GK101123187SQ20061002999
公開日2008年2月13日 申請日期2006年8月11日 優先權日2006年8月11日
發明者龔新軍 申請人:上海華虹Nec電子有限公司