器件安裝構造以及器件安裝方法

2023-10-31 00:33:07

專利名稱：器件安裝構造以及器件安裝方法
技術領域：
本發明涉及用於在具有貫通了基板的貫通布線的貫通布線基板的兩面安裝器件的器件安裝構造以及器件安裝方法。本申請基於在2009年4月觀日向日本國申請的特願2009-1099 號主張優先權， 並在此援引其內容。
背景技術：
以往，作為電連接在基板的兩面分別安裝的器件彼此的方法經常使用設置貫通了基板的貫通布線的方法。作為具有貫通布線的基板的一例，在專利文獻1中，記載有具備貫通布線的貫通布線基板，該貫通布線是向具有在與基材的厚度方向不同的方向延伸的部分的微細孔填充導電性物質而構成的。專利文獻1 日本國特開2006-303360號公報

發明內容
在基板的兩面安裝的器件的種類相互不同的情況下，每個器件所需要的電極的配置不同。因此，會需要消除該差異用的表面布線。另外，為了避免布線彼此短路或者在布線中流動的電信號發生幹擾，需要在布線間設置一定的間隔(空間)。但是，在基板的主面上設置上述那樣的表面布線的情況下，主面中的表面布線的佔有面積增大，其結果，存在基板上的器件配置嚴格地被制約的問題。另外，若布線長度長，則還存在會發生信號延遲或者高頻率特性劣化的情況等問題。另外，在各器件與基板對置的面上具有的電極數較多的情況下，僅通過上述那樣的表面布線是不能應對的。該情況下，需要將布線層設置為多層，形成通過層間過孔來連接各層的多層布線構造。因此，會產生由於設置成多層布線而引起的布線長度增大以及與此相伴的高頻率特性劣化等問題，另外，基板製作工藝也會變得繁雜。本發明是鑑於上述事情而提出的，其目的在於提供一種能夠對以高密度且不同布局配置了電極的器件，不採用多層布線構造而將在貫通布線基板的兩面安裝的器件的電極彼此自由地連接的器件安裝構造以及器件安裝方法。為了解決所述課題，本發明採用以下構造。即，本發明的第一方式的器件安裝構造具備貫通布線基板，其具有基板和多個貫通布線，該多個貫通布線形成在從作為該基板的一方主面的第1主面向作為另一方主面的第2主面貫通所述基板的多個貫通孔的內部； 第1器件，其具有多個電極，並且這些電極按照與所述第1主面對置的方式進行配置；和第 2器件，其具有配置與該第1器件的各電極的配置不同的多個電極，並且這些電極按照與所述第2主面對置的方式進行配置，其中，所述各貫通布線具有第1導通部和第2導通部，該第1導通部被設置在所述第1主面的與所述第1器件的電極對應的位置，該第2導通部被設置在所述第2主面的與所述第2器件的電極對應的位置，所述第1器件的各電極與所述第1導通部電連接，所述第2器件的各電極與所述第2導通部電連接。優選所述各貫通布線具有連接所述第1導通部與所述第2導通部之間的大致直線形狀。優選在所述基板的內部設置有流路。另外，本發明的第二方式的器件安裝方法具有準備第1器件和第2器件的步驟， 該第1器件具有多個電極，該第2器件具有配置與該第1器件的各電極的配置不同的多個電極；貫通孔形成步驟，按照在作為所述基板的一方主面的第1主面的與所述第1器件的各電極對應的位置和作為所述基板的另一方主面的第2主面的與所述第2器件的各電極對應的位置進行開口的方式，形成從所述第1主面向所述第2主面貫通所述基板的多個貫通孔； 貫通布線形成步驟，通過在所述各貫通孔內填充導體或者進行成膜來形成具有在所述第1 主面側露出的第1導通部和在所述2主面側露出的第2導通部的貫通布線；和安裝步驟，其將所述第1器件按照與所述基板的所述第1主面對置的方式進行配置，並將該第1器件的各電極與對應的所述第1導通部接合，並且將所述第2器件按照與所述基板的所述第2主面對置的方式進行配置，並將該第2器件的各電極與對應的所述第2導通部接合。優選在所述貫通孔形成步驟中，在所述基板的內部形成流路。優選所述貫通孔形成步驟具有對所述基板中用於形成所述貫通孔的區域以及用於形成所述流路的區域進行改性的步驟和通過蝕刻除去所述被改性的區域的步驟。發明效果根據本發明，能夠將在貫通布線基板的兩面安裝的器件的電極彼此不經由表面布線而電連接，因此即使是電極高密度地配置的小型器件也能夠自由地連接。


圖IA是表示本發明的一方式例的器件安裝構造的俯視圖。圖IB是沿圖IA的A-A線的剖面圖。圖2A是在圖IA以及IB所示的器件安裝構造中所使用的貫通布線基板的俯視圖。圖2B是沿著圖2A的B-B線的剖面圖。圖3是圖2A以及2B所示的貫通布線基板的立體圖。圖4A是表示該方式例的第1變形例的器件安裝構造的俯視圖。圖4B是沿圖4A的C-C線的剖視圖。圖5A是表示該方式例的第2變形例的器件安裝構造的俯視圖。圖5B是沿圖5A的D-D線的剖視圖。圖6A是表示該方式例的第3變形例的器件安裝構造的俯視圖。圖6B是沿圖6A的E-E線的剖視圖。圖7是示意地表示圖6A以及6B所示的器件安裝構造的左下4分之1的部分中的電極的連接關係的部分俯視圖。圖8是表示在本發明的器件安裝構造上設置了凸塊的一例的剖面圖。圖9是表示在本發明的器件安裝構造上設置了鑄模樹脂層的一例的剖面圖。圖10是表示在本發明的器件安裝構造上設置了帶空腔保護部件的一例的剖面圖。
圖IlA是表示具有流路的貫通布線基板的第1例的俯視圖。
圖IlB是沿圖IlA的I-I線的剖視圖。
圖IlC是沿圖IlA的J-J線的剖視圖。
圖12A是表示具有流路的貫通布線基板的第2例的俯視圖。
圖12B是沿圖12A的K-K線的剖視圖。
圖12C是沿圖12A的L-L線的剖視圖。
圖13A是表示具有流路的貫通布線基板的第3例的俯視圖。
圖13B是沿圖13A的M-M線的剖視圖。
圖13C是沿圖13A的N-N線的剖視圖。
圖14A是具有流路的貫通布線基板的製造方法的最初的階段所示的剖視圖。
圖14B是表示繼圖14A之後的階段的剖視圖。
圖14C是表示繼圖14B之後的階段的剖視圖。
圖14D是表示繼圖14C之後的階段的剖視圖。
圖14E是表示繼圖14D之後的階段的剖視圖。
具體實施例方式以下，參照附圖來說明本發明的優選的實施方式。在圖IA 3中表示了本發明的一方式例的器件安裝構造。該器件安裝構造具備 貫通布線基板19，其具有基板10和多個貫通布線16，該多個貫通布線16形成在從該基板 10的一方主面(以下稱作「第1主面」)11向另一方主面(以下稱作「第2主面」)12貫通基板10的多個貫通孔13的內部；第1器件1，其具有多個電極3，並且這些電極3按照與第 1主面11對置的方式進行配置；和第2器件2，其具有配置與第1器件1的各電極3的配置不同的多個電極4，並且這些電極4按照與第2主面對置的方式進行配置，其中，各貫通孔 13具有在第1主面11的與第1器件1的電極3對應的位置設置的第1導通部114和在第 2主面12的與第2器件2的電極4對應的位置設置的第2導通部115，第1器件1的各電極3與第1導通部114電連接，第2器件2的各電極4與第2導通部115電連接。由此，第1器件1的多個電極3與第2器件2的多個電極4經由多個貫通布線16 電連接，所以能夠將這些電極3、4間以大致最短的距離連接。優選各貫通布線16具有連接第1導通部114與第2導通部115之間的大致直線形狀。在本發明中，器件的電極配置(布局)是表示在與該器件的貫通布線基板的主面對置的面內與貫通布線連接的電極的二維配置的意思。總之，僅使器件整體平行移動，將所有的電極的位置向相同的方向挪動相同的距離，該器件的電極配置不變化。在2個器件間， 對應的2個電極間的距離、對應的3個電極間的角度等在至少1個位置相異的情況下，這2 個器件的電極配置相互不同。例如，在2個器件的電極配置是僅電極間的間距不同的相似關係的情況下，這2個器件的電極配置也相互不同。另外，即使在2個器件的電極由具有完全相同的布局的多個模塊構成的情況下，當這些模塊的位置在2個器件間不同時，2個器件的電極配置相互不同。此外，在該電極配置中，未與貫通布線連接的電極即使有也被除外， 僅考慮與貫通布線連接的電極。若在兩面上安裝的器件的電極配置同樣，則與基板的主面垂直地形成所有的貫通布線，或者若即使傾斜也在相同的方向上(平行地)形成所有的貫通布線，則能夠經由這些貫通布線以一對一的對應關係連接兩器件的電極彼此。但是，在本發明中，兩器件的電極配置相互不同。因此，在相對於基板的主面垂直地形成所有的貫通布線，或者即使傾斜也相互平行地形成的情況下，至少一方的器件的電極與導通部的位置不一致，從而需要表面布線。對於本發明，為了省略用於器件間的連接的表面布線，使第1主面11上的第1導通部 114 (開口部14)的配置與第1器件1的電極配置一致，並且使第2主面12上的第2導通部 115(第2開口部15)的配置與第2器件2的電極配置一致。由此，能夠在貫通布線基板19 上不設置表面布線而將器件1、2間連接。在圖IA 3所示的例子中，兩器件1、2的電極配置是電極3、4在器件1、2的周緣部排列的外圍配置。而且兩器件1、2的尺寸(沿基板10的主面11、12的方向的長度、面積等)相互不同。貫通布線基板19的貫通布線16從尺寸小的器件1的電極3向尺寸大的器件2的電極4形成。總之，第1導電部114位於基板10的第1主面11的中心部，第2導電部115靠基板10的第2主面12的外周，貫通布線16呈大致放射狀地延伸。這樣，在本方式例的貫通布線基板19中，設置有貫通布線16的貫通孔13都是非平行的。因此，如後所述，貫通孔13的形成方法採用了能夠向任意的朝向形成貫通孔13的方法。此外，貫通孔13的朝向不取決於從相對於基板10的主面11、12垂直的方向觀察的俯視面，而是包括基板10的厚度方向三維地來理解。例如在圖2A中，相對於基板10的中心朝向一致的貫通孔13彼此在俯視時朝向相同，但是如圖3所示，從三維上來看從第1 主面11側向第2主面12側的方向不同，相互是不平行的。基板10的材料可以舉出玻璃、塑料、陶瓷等絕緣體、矽(Si)等半導體。在半導體基板的情況下，優選在貫通孔13的內壁、主面11、12等上形成絕緣層。在絕緣性基板的情況下，不需要在貫通孔13的內壁上進一步形成絕緣層。此外，在電子器件的基材與安裝電子器件的基板間的線性膨脹係數差大的情況下，由於根據安裝時的溫度兩者的伸展量差異較大，因此在電子器件的電極與連接該電極的基板上的導電部之間易產生位置偏離。其結果，存在兩者間的高精度的連接難以實現，或者兩者間的連接本身難以實現的情況。與此相對，根據本發明能夠使用矽、玻璃作為基板10的材料。因此，例如在基板 10的兩主面上安裝使用了矽基材的電子器件1、2的情況下，能夠減小上述的線性膨脹係數差。其結果，能夠抑制電子器件1、2的電極與基板10上的導通部的位置偏離，能夠位置精確地連接兩者。如上所述，貫通布線16是對具有在基板10的第1主面11的與第1器件1的電極 3對置的位置開口後的第1開口部14和在基板10的第2主面12的與第2器件2的電極4 對置的位置開口後的第2開口部15的貫通孔13中填充導體或者進行成膜來設置的。對貫通孔(微細孔)13的形成，可以使用專利文獻1所記載的石英玻璃的通過飛秒雷射的改性和溼法蝕刻的方法、NC鑽孔等機械手法。在使用飛秒雷射進行改性時，則照射了雷射的部分的構造發生變化，與未照射雷射的部分相比對蝕刻液的耐性被降低，因此能夠容易形成孔。另外，微細孔13的直徑可以在開口部14、15間大致固定，或者也可以變化為呈錐形形狀、臺階狀等。另外，第1開口部14的內徑與第2開口部15的內徑即使不同也沒問題。另外，在開口部14、15附近也能夠形成孔徑從基板10內部向主面11、12側連續地或者分階段地擴大的構造。作為用於貫通布線16的導體，可以舉出銅(Cu)、鎢(W)等金屬、金錫(Au-Sn)等合金、多晶矽等非金屬導體。製作方法能夠適當地使用鍍敷法、濺射法、熔融金屬填充法、CVD、 超臨界成膜法等。此外，優選貫通布線16是通過向微細孔13內部完全地填充導體而形成的。對於本發明的器件安裝構造，按照與貫通布線16的開口部14以及開口部15對置的方式分別配置器件的電極3以及電極4。因此，若貫通布線16是向微細孔13內部完全地填充導體而成的實心構造，則與僅在微細孔13的內壁形成導體層而成的中空構造的情況相比，不論機械上的還是電氣上的連接的穩定性均增大，因此優選。這時，作為向微細孔內部完全地填充導體的方法，能夠採用上述的鍍敷法、濺射法、熔融金屬填充法、CVD、超臨界成膜法等中的任意一種方法。另外，也可以將這些方法適當組合來使用。特別是在孔的長度較長，形狀較複雜的情況下，利用CVD或者超臨界成膜等通過能夠成膜至孔的深部的方法形成導體薄膜即可。通過將該導體薄膜作為種子層或粘接層，接著利用鍍敷法、熔融金屬填充法能夠高效地向微細孔內部完全填充導體。作為器件1、2，可以舉出存儲器(存儲元件)、邏輯器(邏輯元件)等集成電路 (IC)、傳感器等MEMS器件、發光元件、受光元件等光學器件。器件1、2隻要電極配置不同， 與功能相異還是功能相同無關。特別是，通過高密度地集成異種器件，能夠實現3維系統級封裝(SiP)。在本方式例的情況下，如圖IB所示，在第1主面11側多個器件1被層疊在基板10 上。這樣根據本方式例能夠實現更進一步的高密度化。在貫通布線基板19的製造中，形成具有與各個器件1、2的電極配置對應的開口部 14、15的貫通孔13 (貫通孔形成步驟)，通過向該貫通孔13內填充導體或者進行成膜，形成具有在第1主面11側露出的第1導通部114和在所述第2主面12側露出的第2導通部115 的貫通布線16 (貫通布線形成步驟)，進而通過將第1器件1按照與基板10的第1主面11 對置的方式來配置，並將其電極3與對應的第1導通部114接合，並且將第2器件2按照與基板10的第2主面12對置的方式來配置，並將其電極4與對應的第2導通部115接合，將兩器件1、2安裝在貫通布線基板19的兩面上(安裝步驟)。由此，第1器件1的多個電極 3與第2器件2的多個電極4經由多個貫通布線16電連接。在本方式例的情況下，各器件1、2的電極3、4與貫通布線16之間通過在貫通孔13 的開口部14、15上設置的連接盤部17、18和在該連接盤部17、18上設置的作為導電性材料 (焊料、導電性凸塊等)的接合材料5、6來連接。在本發明中，也可以省略連接盤部17、18， 接合材料5、6。例如，也可以利用直接焊料等將電極3、4與貫通布線16接合。在圖IA 3所示的器件安裝構造中，器件1、2的電極配置是電極3、4在器件1、2 的周緣部排列的外圍配置。另外，在圖4A以及4B所示的本方式例的第1變形例的器件安裝構造中，第1器件 1的電極配置是電極3呈十字狀地排列的配置，第2器件2的電極配置是電極4在器件2的周緣部排列的外圍配置。另外，在圖5A以及5B所示的本方式例的第2變形例的器件安裝構造中，第1器件1的電極配置是電極3沿周邊部以及呈十字狀排列的格子型配置，第2器件2的電極配置是電極4在器件2的周緣部排列的外圍配置。另外，在圖6A以及6B所示的本方式例的第3變形例的器件安裝構造中，第1器件 1的電極配置是電極3縱橫地排列的面陣列配置，第2器件2的電極配置是電極4在器件2 的周緣部排列的外圍配置。此外，在圖7中示意地表示了圖6A以及6B所示的器件安裝構造的左下4分之1的部分的電極的連接關係。這裡，符號Al A9表示與第1器件1的電極3連接的第1主面11上的連接盤部 17。另外，符號Bl B9表示與第2器件2的電極4連接的第2主面12上的連接盤部18。 另外，符號Cl C9表示分別將Al A9與Bl B9連接的貫通布線16。另外，本發明不限於以上的例示，也可以組合其他的電極配置。在圖IA 圖7所示的例子中，為了便於說明，第2器件2的在俯視時的尺寸比第1 器件1大。另外，第2器件2的電極4配置在外圍。但是，在本發明中，如以上的例子那樣， 第2器件2的電極4也可以配置在相對於基板10在俯視時與第1器件1重疊的位置上。另外，第1器件1的在俯視時的尺寸也可以與第2器件2同樣。這樣，兩器件1、2的電極3、4不論在各個器件1、2上形成怎樣的電極配置(布局) 也能夠以大致最短的距離連接電極3、4之間，因此有利於器件的高速化。另外，能夠不必像堆積基板那樣進行多層化，而在貫通布線基板19、19A、19B、19C的內部變換布線間的間距， 因此能夠高效率地連接兩器件1、2的電極3、4之間。如圖8所示，對於本發明的器件安裝構造，能夠設置由焊料等構成的凸塊21。在圖8所示的例子中，貫通布線基板19在基板10的第2主面12側具有焊料凸塊等連接端子 21。經由貫通布線16、電路20，能夠將器件1、2與印刷電路基板等外部基板(未圖示)電連接。另外，在第1主面11側層疊有器件1。另外，對於本發明的器件安裝構造，能夠如圖9所示通過鑄模樹脂層22被覆器件 1或者如圖10所示通過帶空腔保護部件23覆蓋器件1。由此，能夠保護器件1。另外，在本發明的器件安裝構造中，如圖IlA 13C所示，能夠在基板10的內部設置流路31。流路31作為使例如水等冷卻用流體流通的流路使用。此外，流路31也能夠作為使DNA(核酸)、蛋白質、脂質等生物溶液流通的流路使用。在將流路31作為使冷卻用流體流通的流路使用的情況下，通過在圖IlA 13C所示的帶流路的貫通布線基板30、30A、30B的第1主面11側安裝第1器件，在第2主面12側第2器件，能夠冷卻帶流路的貫通布線基板30、30A、30B。由此，即使在第1器件以及/或者第2器件的電極高密度地配置的情況下，也能夠有效地降低帶流路的貫通布線基板30、 30A.30B的溫度上升。以下，對將流路31作為使冷卻用流體流通的流路使用的情況進行說明。流路31在其兩端具有流入流出冷卻用流體的出入口 32、33。如圖IlA IlC所示，也可以配置多條流路31。另外，如圖12A所示，也可以是1條流路31按照能夠冷卻基板10整體的方式蛇行配置。另外，如圖13A 13C所示，流路31的出入口 32、33也可以在基板10的主面12
上開口。
8
另外，流路31的圖形(路徑)、截面形狀不限於以上的例示，也能夠適當設計。優選流路31在3維的平面方向或者厚度方向上與貫通孔13具有一定的間隔，以使其與具有貫通布線16的貫通孔13不連通。在本方式例中，貫通孔13相對於基板10的主面11、12傾斜地形成，所以如圖12A 等所示，即使與基板10的主面11、12平行的流路31在俯視時看上去與貫通孔13重合，貫通孔13與流路31也不連通。也就是說，若在基板10的厚度方向上的位置相互錯位，則貫通孔13與流路31不會彼此相連。優選流路31在對基板10形成具有貫通布線16的貫通孔13時一起形成。在圖14A 14E中表示了製造上述帶流路貫通布線基板30的方法的一例。首先，如圖14A、14B所示，向基板10照射雷射34，在基板10內形成將基板10的材料改性而成的改性部35、36。改性部35設置在要形成貫通孔13的區域，改性部36設置在要形成流路31的區域。在本方式例中，使用飛秒雷射作為雷射34的光源，按照在基板10內部對焦的方式照射雷射光束，得到例如直徑為數μ m 數十μ m的改性部35、36。通過控制基板10內部的雷射34的焦點位置，能夠形成具有希望的形狀的改性部35、36。而且，一般地對於改性部 35、36，與基板10的材料相比折射率發生變化。如圖14A 14E所示，要成為流路31的改性部36也可以相對於基板10的主面 11、12平行地形成。這時，當雷射34的照射範圍(特別是從雷射光源到基板10內部的焦點為止的範圍)與要成為貫通孔13的改性部35重合時，由於改性部35的折射率變化，在雷射34與改性部35重合的範圍，雷射34的焦點位置有可能發生偏離。這樣，為了避免與已經形成的其他的改性部35的重合，不僅從第1主面11側照射雷射34，也可以根據位置從第 2主面12側照射雷射34。接下來，將形成了改性部35、36的基板10浸入蝕刻液(藥液)，通過蝕刻(溼法蝕刻)從基板10除去改性部35、36。其結果，如圖14C所示，在改性部35、36所存在的部分形成貫通孔13以及流路31。對於本方式例，使用石英作為基板10材料，使用以氫氟酸(HF) 為主成分的溶液作為蝕刻液。該蝕刻是利用與基板10的未被改性的部分相比，改性部35、 36非常快地被蝕刻的原理，作為結果能夠形成與改性部35、36的形狀對應的貫通孔13以及流路31。在本方式例中，微細孔13的孔徑為50μπι。微細孔13的孔徑能夠根據貫通布線 16的用途，從10 μ m左右到300 μ m左右適當設定。流路31的孔徑可以與微細孔13的孔徑是相同程度，也可以更小(細)或者更大(粗)。流路31的孔徑沒有特別的限定，能夠設置為例如從10 μ m左右到500 μ m左右。另外，流路31的孔徑也可以具有局部的細的部分或局部的粗的部分。而且，蝕刻液不限於氫氟酸，也能夠使用例如向氫氟酸中適量添加了硝酸等的氟硝酸系(7 7硝酸系)的混酸、氫氧化鉀等鹼性水溶液。另外，根據基板10材料，也能夠使用其他的藥液。基板10的材料不限於石英玻璃(silica glass)，能夠使用例如藍寶石等絕緣基板、含有鹼成分等的另外的其他成分玻璃基板，其厚度也能夠在150μπι Imm左右適當設定。
接下來，如圖14D所示，對貫通孔13填充導體或者成膜來形成貫通布線16。對導體的填充或者成膜能夠適當使用鍍敷法、濺射法、熔融金屬填充法、CVD、超臨界成膜法等。 這時，優選在要成為流路31的出入口 32，33的位置上預先設置抗蝕劑等保護層，以使導體不侵入流路31內。抗蝕劑能夠使用樹脂抗蝕劑、無機系材料的薄膜等。進而根據需要，如圖14E所示，在貫通布線16的上下形成連接盤部17、18。對連接盤部17、18的形成，能夠適當使用鍍敷法、濺射法等。這樣，若同時地形成貫通孔13和流路31，則能夠簡略化製造步驟，能夠降低成本。 另外，由於控制貫通孔13與流路31的位置關係較容易，因此能夠防止錯誤地連結貫通孔13 與流路31。而且，在形成多個改性部35、36後，不需要對所有的改性部35、36進行蝕刻來形成貫通孔13、流路31。例如，將一部分的改性部35、36在其兩端設置抗蝕劑等保護層等來進行保護，以使其不被蝕刻，從而能夠選擇要蝕刻的改性部35、36。由此，能夠僅在需要的位置上形成貫通孔13、流路31。例如，在預先按照與器件1、2的所有的電極3、4對應的方式形成改性部35後，根據器件1、2的使用方式等不需要對電極3、4的一部分設置貫通布線16的情況下進行保護， 以使對與不需要該貫通布線16的位置對應的改性部35不進行蝕刻，能夠不對貫通孔13開口。這樣，在形成改性部35的階段一律地形成改性部35後，能夠在蝕刻的階段選擇形成貫通布線16的位置，因此形成改性部35的雷射的照射位置的控制變得容易。另外，對於上述在貫通孔(微細孔)13以及/或者流路31的形成過程中，對通過控制來自飛秒雷射器的雷射的焦點位置在基板10的內部形成具有希望的形狀的改性部35、 36的方法進行了說明，但本發明不僅限於此。例如，將存儲了與改性部35、36的希望的形狀對應的圖形的全息圖配置於飛秒雷射器與基板之間，通過將雷射穿過全息圖向基板照射，能夠在基板的內部一併形成具有希望的形狀的改性部。然後，通過蝕刻該改性部，能夠形成希望的貫通孔(微細孔)以及/或者流路。產業上應用的可能性本發明使用具有貫通了基板的貫通布線的貫通布線基板來在其兩面上安裝器件， 因此能夠被廣泛地利用。附圖標記的說明1第1器件；2第2器件；3、4 電極；10 基板；11第1主面(一方主面)；12第2主面(另一方主面)；13貫通孔(微細孔)；14 第 1 開口部;15 第 2 開口部；16貫通布線；
19、19A、19B、19C 貫通布線基板；30、30A、30B帶流路貫通布線基板；31 流路；35、36被改性的區域(改性部)
權利要求
1.一種器件安裝構造，其具備貫通布線基板，其具有基板和多個貫通布線，該多個貫通布線形成在從作為該基板的一方主面的第1主面向作為另一方主面的第2主面貫通所述基板的多個貫通孔的內部； 第1器件，其具有多個電極，並且這些電極按照與所述第1主面對置的方式進行配置；和第2器件，其具有配置與該第1器件的各電極的配置不同的多個電極，並且這些電極按照與所述第2主面對置的方式進行配置； 該器件安裝構造的特徵在於，所述各貫通布線具有第1導通部和第2導通部，該第1導通部被設置在所述第1主面的與所述第1器件的電極對應的位置，該第2導通部被設置在所述第2主面的與所述第2 器件的電極對應的位置，所述第1器件的各電極與所述第1導通部電連接， 所述第2器件的各電極與所述第2導通部電連接。
2.根據權利要求1所述的器件安裝構造，其特徵在於，所述各貫通布線具有連接所述第1導通部與所述第2導通部之間的大致直線形狀。
3.根據權利要求1或2所述的器件安裝構造，其特徵在於， 在所述基板的內部設置有流路。
4.一種器件安裝方法，其特徵在於，包括準備第1器件和第2器件的步驟，該第1器件具有多個電極，該第2器件具有配置與該第1器件的各電極的配置不同的多個電極；貫通孔形成步驟，按照在作為基板的一方主面的第1主面的與所述第1器件的各電極對應的位置和作為所述基板的另一方主面的第2主面的與所述第2器件的各電極對應的位置進行開口的方式，形成從所述第1主面向所述第2主面貫通所述基板的多個貫通孔；貫通布線形成步驟，通過在所述各貫通孔內填充導體或者進行成膜來形成貫通布線， 該貫通布線具有在所述第1主面側露出的第1導通部和在所述2主面側露出的第2導通部； 和安裝步驟，其將所述第1器件按照與所述基板的所述第1主面對置的方式進行配置，並將該第1器件的各電極與對應的所述第1導通部接合，並且將所述第2器件按照與所述基板的所述第2主面對置的方式進行配置，並將該第2器件的各電極與對應的所述第2導通部接合。
5.根據權利要求4所述的器件安裝方法，其特徵在於， 在所述貫通孔形成步驟中，在所述基板的內部形成流路。
6.根據權利要求5所述的器件安裝方法，其特徵在於，所述貫通孔形成步驟具有對所述基板中形成所述貫通孔的區域以及形成所述流路的區域進行改性的步驟和通過蝕刻除去所述被改性的區域的步驟。
全文摘要
一種器件安裝構造，其具備貫通布線基板，其具有基板和在貫通該基板的多個貫通孔的內部形成的多個貫通布線；第1器件，其具有多個電極，並且這些電極按照與所述第1主面相對的方式配置；和第2器件，其具有配置與該第1器件的各電極的配置不同的多個電極，並且這些電極按照與所述第2主面相對的方式配置；其中，所述各貫通布線具有第1導通部和第2導通部，該第1導通部被設置在所述第1主面的與所述第1器件的電極對應的位置，該第2導通部被設置在所述第2主面的與所述第2器件的電極對應的位置，所述第1器件的各電極與所述第1導通部電連接，所述第2器件的各電極與所述第2導通部電連接。
文檔編號H05K1/11GK102422414SQ20108001817
公開日2012年4月18日 申請日期2010年4月28日 優先權日2009年4月28日
發明者山本敏, 橋本廣和 申請人:株式會社藤倉