使用結合了間隔元件的工具進行微型結構元件的成型的製作方法

2023-10-09 00:08:09 1

專利名稱：使用結合了間隔元件的工具進行微型結構元件的成型的製作方法
技術領域：
本發明屬於藉助於包括壓花和模壓步驟的複製過程來製造光學元件的領 域，特別是折射光學元件和域衍射微型光學元件。更確切的說，其涉及一種如 相對應的3te權禾腰求中的前述部分中戶艦的用於製造多個元件的方法和複製 工具。
背景技術：
由同一申請人申請的WO 2004/068198描述了用於製造微型光學元件的過
程，在此處弓l入其全文作為參考。禾傭複製工具在初級產品內M:複製/TO(模
壓,花，似的過程)3D結構來製造結構(或微型結構)元件。複製工具包 括從複製表面上突出的間隔部分。被復帝啲微型光學元件被稱之為複製件。
間隔部分可允許對在基底上的可形變材料的厚度進行自動和精確的控制。 它可包括安裝在工具上的"腿狀"結構。另外因為間隔突出超過了在工具上的 最高結構細部，其阻止了微光學形貌的變形。
複製件(例如微型光學元件或微型光學元件部分或光學微型系統)可由環 氧樹脂製得，當複製工具還在其位置的時候，環^5(鵬可被固化如UV固化。UV 光固化是個決速的過程，其可以允許對硬化過禾MiS行很好的控制。
複製過程可以是壓花過程，其中可形變的或具有粘性的或液態的被塑形的 初級產品的成份被放置在基底上，該基底可以具有任何尺寸。例如其可以是具 有一定表面積的小尺寸，其中該表面積^^應於一個或一些被製造元件的區域。 作為選擇，基底在尺寸上可以是晶片規模的。相對於半導體晶片來說，"晶片規 模"指的是與碟片相似尺寸或與盤狀相似尺寸的基底尺寸，例如具有直徑在2 英寸和12英寸之間的碟片。隨後，複製工具被壓^此表面上。
一旦間隔部分臨近抵靠在基底上表面上，就停lhffi花步驟。所述表面因此 用作壓花的停止表面。
作為選擇，複製過程可以是l軀過程。相比較下，在，軀過程中包括例如 包括腿狀結構的間隔部分的工具首先壓靠在基底表面上以便形成固定模穴，該模;^iatlffi過程隨後被填充。
間隔部分雌的J^共方式是其至少"分布"在複製工具的一主要片段上， 例如在整個複製工具上或在邊緣上。這意疇間隔部分的特徵存在於複製工具 的主要片段上，例如，間隔部分由多個間隔組成，這些間隔分布在複製工具的 複製表面上。這些間隔可允許對在基底上的可形變材料的厚度進行自動和精確 的控制。

發明內容
本發明的目的是提供用於製造多個最初所述類型的元件的方法和復帝IJ工 具，其在現在所知工具和方法上提供一種改進。
根據本發明的第一個方面， 一種通過複製來製造多個元件的方S^括以下
步驟
參,包括多個複製區域的複製工具，其中該複製區域具有界定元件皿 的凹陷結構特徵，該工具進一步包括多個具有平表面部分的第一間隔部分; 參衝共基底；
參將複製工具和基底相對彼此移動，同時塑性可變形的或粘性的或液態的 複製材f，於工具和基底之間；
參施加作用力以便將工具和基底相對彼此移動，直至第一間隔部分位於遠 離基底一定距離的地方，平表面部分平行於基底表面，同時複製材料保持 在第一間隔部分和基底之間，禾口； 參硬化複製材料以形i^件。
第一間隔部分也可被稱之為"浮動間隔"，因此第一間隔部分的平表面部分 "浮動"在基底表面上，通過一薄複製材料層將其分開。
第一間隔部分被設置如，從而晶圓切割線位於第一間隔部分被設置的位置， 其中在複製、硬化和移出複製工具後在該切害機處該具有硬化複製材料的基底 被分成如晶片的賴虫部分。因此，沿著晶圓切害,〗贈lj下相對薄的複製材料M" 基層。這有助於防止複製材料從基底上的分層。
在平表面部分和基底之間的距離-即複製材料層的厚度-可通過第二間隔部 分(接觸間隔)決定，其在複製工具上突出高過第一間隔部分並且其在複製過 程中鄰接在基底表面上。作為選擇地或另外的，所淑巨離可通過施加的作用力 的量和複製材料內的粘著力之間的平衡、並且-根據複製材料的特性-也可能是
6在複製材料和基底和工具之間的粘著力來確定。作為另一選擇，該距離可通過
主動距離調整驢(active distance adjuster)和/或控制驢(如遮罩對準器)或 其它,來確定。
在實施例中，在第一間隔部分和基底之間的距離是由第二間隔部分相對於 第一間隔部分的相對高度限定的。這提供了更高的精度，禾,
參第二間隔部分吸收至少一部分在工具和基底之間的作用力並決定相對於 基底的第一間隔部分的參考高度，禾口
參第一間隔部分-潛在的最接近於被複製的元#~精確確定局部高度差。還
有，第一間隔部分(經過複製材糾如果必須的話可吸收殘餘作用力並且 設置一預先設定的與基底之間的距離。第一間隔部分也使得工具適應較小 的基底平坦性的不規則。
為了達到此目的，複製材料,是施加在工具上或基底上而沒有覆蓋第二 間隔支撐區域，由此在工具相對於基底移動後沒有複製材料存在於第二間隔部 分和基底之間。也就是說，工具和基底都有第二間隔支撐區秦相對於工具而言， 這就是工具自己本身的接觸區±或，對於基底而言其是工具的接觸區鄉每被放置 在其上的區域。
4雄，在工具相對於基底的運動方向，通過元件間隔高度差，第一間隔部 分的高度和第二間隔部分的高度有所區別，元件間隔高度差在1至500， 是 5至30，理想的是在7-15微米的範圍內。
第二間隔部分 也包括平行於基底的平表面部分。
在本發明的伏選實施例中，第一間隔部分和第二間隔部分界定了在基底之 上的元件的高度。這是可能的因為在基底上的工具的最終定位和相對於基底的 元件的結構表面的高度是精確控制的，如上所述。雌的是，該元件是反射光 學元件並且在基底之上的元件的高度是根據元件所需的光學特性預定的。此種 特徵對於反射元件是特別的-例如反射itl竟，其中在頂部和底部表面的距離或關 系起到了一定作用，其與衍射元件相反，其中光學上的功能是由結構表面(衍 射模式)功能來界定的，其中該結構表面是由複製區域來界定的。
複製材料可在基底或用於旨工具規模複製的複製工具上被分配在單個分 酉應作(如單個泡)或一些單個分酉激作中-針操作樹共複製材料用於多個復 制區域。如果是這種情形，第二間隔部分-如果M^雌紅具規模的間隔部分，例如設置在圍繞著複製區域的工具的周邊。第二間隔部分此時並不包括或 界定倒可複製區域。
作為一種選擇，複製材料可被分配在一批單個、分開的分配操作(或泡) 中。潛在的預定複製材料體積被設置在一批點上，對應於隨後通過切割被分開 的部分的位置，並且例如每個複製材料泡被限定成一部分。每個部分包括將要 被生產的一個元件或一養-例如四個-元件，並且具有在部分之間沒有複製材料 的區域。在本發明的該實施例中，第二間隔部分—如果掛^"-可分布在整個複製 工具上。例如，^^分可包括一個第二間隔部分。
這種選擇的分配複製材料允許給複製區^ilf共最佳的複製材料量並且M^ 瑕疵出現的機率。這方面的進一步詳細情況在同一申請人共同提交申請的"用 於製造光學元件的方法和工具"中有所描述並且具有和本申請相同的申請日。
被製造的元件典型的是反射光學元件或衍射光學元#~例如透鏡，而且例
如在至少一區i^h也可具有微型機械功能。
工具包括多個複製區域，因此允許在共同的基底上同時製造一批元件，共 同的基底可以是光電或微光電組件的一部分，其中該組件包括被製造在晶片規 豐1±的光學和電子元件並且隨後被分割成分離的部分。
在本發明的一個tm實施例中，施加作用力的步驟^iM^合工具一預定的 重量並將工具放置在基底上、或通過給基底一預定的重量並將基底放置在工具 上來實現的，並用重力來擠壓。以這種方式，壓力能被精確控制並以簡單的方 式實現。即使沒有第二間隔或，其中周邊的第二間隔部分存在，複製工具的硬
度不足以精確局部界定z尺寸(z-dimension)，由此在第一間隔部分和基底之間 的距離能被精確的控審拼且可靠的重複。
根據本發明的另一方面，提供一種製造多個光學元件的複製工具，其中該 光學元件是通過從複製材料中複製得到的。複製工具包括多個具有凹陷結構特 徵的複製區域，這些凹陷結構特徵界定元件的形狀，復偉U工具進一步包括多個 具有平表面部分的第一間隔部分，並且進一步包括一個或多個用於界定在複製 過程中工具和基底之間距離的第二間隔部分，其中在複製工具相對於基底運動 的方向上，第二間隔部分的高度皿第一間隔部分的高度。
在本發明的一個雌實施例中，針複製區域具有圍繞它的或被設置在復 制區域周圍的相關的第一間隔部分。第一間隔部分因此界定由複製區域製造的元件的皿^件的周iiii界。
在本發明的一個，實施例中，被第一間隔部分覆蓋的^P面積在0.1%和 50%之間，雌在0.5%和20%之間，特別ttii在2%和10%之間的覆蓋基底的 工具的所有面積。作為一般原則，如果被第一間隔部分覆蓋的面積足夠大，並 且超過一定限制，那麼第二空間部分不是必需的。所述限制的確切值根據複製 材料的流動特性和工具擠壓在基底上的作用來定。
在本發明的一^MW實施例中，被第二間隔部分覆蓋的^P面積-如果存在 -介於1%和50%之間，,在5%和25%之間，特另寸,在10%和20°/。之間所 有覆蓋基底的工具的面積。
在本發明的一個,實施例中，被(任選的)第二間隔部分覆蓋的全部面 積介於10%和1000%之間，雌在25%和400%之間，特別雌在50%和200% 之間的所有被第一間隔部分覆蓋的面積。
進一步的優選實施例體現在從屬權利要求中。方法權利要求的特徵可結合 裝置權利要求的特徵並且反之亦然。


參考 實施例，本發明的主旨將在下文中進行詳細的描述， 實施例 示出在附圖中，其示意性的表示是-圖1是穿過複製工具的橫截面； 圖2是複製工具的俯視圖； 圖3是另一複製工具的俯視圖； 圖4^6是複製過程的步驟； 圖7-10是另一工具和複製步驟；禾口 圖ll是複製af呈的流程圖。
在附圖中所使用的附圖標記、和它們的含義以匯總的形式被列出在附圖標 記清單中。原則上，在附圖中相同的部分4頓相同的附圖斷己。 皿實施例詳述
圖1示出了複製工具9的橫截面。複製工具9包括多個複製區域3，即凹陷 結構特徵，其界定了利用工具9製造的元件6的微。針複製區域3在其周 邊部分或全部被第一間隔部分或局部(local) ^f:件間隔部分1所包圍。由復 制區域3和以這種方式散布在其間的第一間隔部分1所覆蓋的區域被稱之為複製區間12。複製工具可進一步包含使雜大規*勤乂平上具有尺寸剛性的剛性支
承板8。
一方面在,基底7的地方，第一間隔部分1在一側用於界定元件6的形 狀或邊界，並且在另外一方面界定元件6相對於基層的高度。依靠複製工具9 的尺寸穩定性，其可進一步被用於界定元件6相對於基底7的高度。也就是說， 第一間隔部分1抵靠在基底7上停止移動或距離基底7有一可控制的距離。後 面提到的距離，基層厚度，此處也被稱為"元件間隔高度差"，在此處是由相對 於第一間隔部分1的第二間隔部分2的垂，伸界定的。
在本文中，為了方便起見，垂直於包含基本平面的基底7表面的尺寸被稱 之為"高度"。實際上，整個設置也可以顛倒的配置方式使用或也可以基底平面 垂直於水平面或相對於水平面有一定的角度的方式來配置。因此垂直於平面的 方向被定義為z方向。術語"周邊"、"側面"、"邊"涉及的是關於垂直於z方 向的方向。術語元件的"周邊"和"邊"因此被理解為當看基底時是從垂直於 基本平面的方向來看。元件覆蓋一部分基底，並且圍繞基底的其它部分可被復 制材料覆蓋，該其它部分也就是都鄰近基底和元件的功能部分的空間區域，特 別是在第一間隔部分之下，並不會防礙元件的功能。
基底4腿是由具有娜性的材料製成，例如PDMS (聚二甲基矽辦)或 其它彈性材料。這使得對被帶臘的元件6進行適當的厚度控制，即使基底表面 不完全平坦，其中在基底表面上進行過程操作，或者如果複製工具不完全平坦。
圖2示出了複製工具的俯視圖。單個複製區域3被第一間隔部分1包圍。 每個第一間隔部分1可以連續環的方式包圍複製區域3，或可包^益出或溢^M 道10，該通道使得複製材料5容易的流入區域或溢出空間(溢流空間)4內。 一些分離的第二間隔部分2被設置成圍繞複製部分3，位於工具9的外圍。
圖3示出了另一複製工具的俯視圖，其中單個第二間隔部分2形成一個圍 繞複製部分3的格子的環。
工具9 ^於用在晶片規模生產中，也就是說含有複製區域陣列的基底 可以是碟片形狀。因ltbl具9的直徑 處於5cm至30cm範圍內。晶片規模 結合微電子生產是可能的，如在同一申請人的WO2005/083789中所揭示的，此 處作為參考引入。
圖4-6示出了包括複製材料的單個分配操作的複製過程的步驟在圖4中，
10複製材料5施加到基底7上，並且工具9定位在基底7上。第二間隔部分2相 對相應的在基底7上的第二支承區域13方向定位。如環氧樹脂的複製材料5是 塑性可變形的鄉佔性的或液態的。雌的是，複製材料5僅施加到基底7上的 不會接觸到第二間隔部分2的區域，也就是不施加到第二支承區域13。當以相 反的配置進行操作的時候進行同樣的控制，用基底7在工具9之上，並且複製 材料5施加到工具9上。可提供用於控制工具9相對水平位移和/或向下運動的 弓l導元件，但是沒有示出。
在本發明的一^H^實施例中，對於將複製材料5施加到基底7上的情況， 基底7或複製工具包括具有流動Plih裝置的流動PM:區域11 ，其用於防止複製 材料5流到與第二間隔部分2接觸的區域上。在基底上的流動PM:裝置可以是 例如在基底7上的坎鵬的機械體，淑幾械或嫩拠理，其旨^斷隨底7 的溼潤能九選擇性的或另外的，此種PIih體可以通過使用不同的材料影響 至瞎底7上的[51ih區域11，鄉加化學物質到戶做區域，以便M^、基底7的溼 潤能力。在複製工具上的流動卩M:裝置可包括例如邊緣的不連續的部分，其阻 止複製材料通過毛細管作用力和/或表面張力到達某些區域。選擇性的或另外的 對於基底和/或複製工具的流動Sih體來說，通過動力學控制流動也可鄉蹄iJ， 也就^3I3i確保在複製材料至腿第二支承區域前第二間隔部分2鄰近基底來實 現。
在本發明的一^Htt實施例中，第一間隔部分l並不是包圍每個複製區域
3，但其是例如分散在複製區間12上的分開的柱子。以這種方式，基底7的某 些區域可保持被沒有功能的複製材料5的厚部分所覆蓋，相對於元件6來說。
在圖5中，工具9已被移動M在基底7上，驅動]^促動的作用力 僅 是作用在工具9上的重力。因此，工具9的重量，包括支承板8和任選的附加 重量，界定了工具9抵靠在基底7上的作用力。這允許對作用力、和可能發生 的工具9的倒可彈性變形進行非常準確的控制。複製區域3充滿了複製材料5， 並且溢出空間也至少部分被複製材料5充滿。
第二間隔部分2接觸基底7而沒有倒可複製材料5在其間，由此大部分的 工具9的重量施加在第二間隔部分2上。通過元件間隔高度差第一間隔部分1 與基底7被分離開，所得到的空間被充滿了複製材料5。
根據幾何的和熱機械的限制選擇理想的元件間隔高度差。高度差決定了在浮動空間下的複製材料層的厚度，即所謂的基層。該厚度可或者根據元件的設 計給出或者根據由於熱機械特性給出的規格來給出。作為一實例，可要 層
厚度低於15 u m以避免在切割過程中分層，如以下的進一，釋一樣。 複製材料5隨後通過熱或UV或化學固^^硬化。
在圖6中，工具9已!彭人基底7上移開，留下在基底7上的硬化元件6。進 一步的處理要根據元件6的自然嵐性和作用，也就是元件6可從基底7上分開 或留在基底7上以用於在晶片規模製it3i程中和隨後切割成分開部分的下一步 驟。
圖7中複製工具9並不包括ftf可接觸間隔。第一間隔部分l、 l銅繞著複製 區域3但是也被設置在這些部分之間，這些部^S括至少一複製區域。在陣列 部分之間的區域例如是在複製後切害蟣l雌擇所處的健。在圖7中，在工具 上對應的位置有箭頭示出。M部分之間的在區域內的第一間隔部分V僅剩下 薄複製材料基層。這在切割過程可是有利的，在此處因為太厚的複製材料層可 能發生分層。製造光學元件的方法、特別魏於分割過程有禾啲所使用的方法 在由Rudmann和Rossi與本申請同一日提出的美國專利申請11/384，558"製造光 學元件"中有描述，雜此處被引入作為參考。
在圖8中所示的復帝U工具包括圍繞複製區域的第一間隔部分1並腿一步 包括分布在工具上的第二間隔部分2。此種複製工具特別適合於"陣歹愎制"， 此時複製材料以陣列的方式被分配，該陣列的方式就象多個泡被施加至lj點上， 其中在該點處光學元件被製造。在示出的實施例中，複製材料5被分配到基底 上。
複製材料5也可分散到工具上，即SA構成複製區域的模穴。這在圖9中 被示出(僅工具被示出而沒有基底，基底在遇到工具前，例如並不包含fti可復 制材料)。這種在工具上分散複製材料的原則適用於所有的在此處描述的本發明 的實施例，也就是，具有和不具有第二間隔的工具，具有分散或集中的第二間 隔的工具等。
圖10示出了在複製過程中的位置，在複製工具9和基底7根據例如圖8或 圖9己經相互彼此相向移動後。在複製中，第二間隔部分2鄰近基底表面，然 而可有複製材ltt第一間隔部分1之下，如圖9中所示。根據由複製材料空間 所決定的精度，複製材料可被放置入溢流空間4並且例如形成沿著第一間隔的外邊沿凸出部分14。
圖ll示出了複製過程的流程圖。
雖然用本發明所提出的優選實施例來描述本發明，應當清楚的理解是本發 明並不受其限制，另夕卜的變形例和實施方式也在權利要求的要求f娥的範圍內。
權利要求
1、一種通過複製而製造多個光學元件的方法，其包括以下步驟●提供包括多個複製區域的複製工具，其中該複製區域具有界定元件形狀的凹陷結構特徵，該工具進一步包括多個具有平表面部分的第一間隔部分；●提供基底；●將複製工具和基底相對彼此移動，同時塑性可變形的或粘性的或液態的複製材料位於工具和基底之間；●加作用力以便將工具和基底相對彼此移動，直至第一間隔部分位於遠離基底一定距離的地方，平表面部分平行於基底表面，複製材料保持在第一間隔部分和基底之間，和；●硬化複製材料以形成元件。
2、 根據權利要求1的方法，包Mffi過給工具一預定的重量並將工具放置在 基底上以確定所述作用力的步驟，^il過給基底一預定的重量並將基底放置在 工具上以確定所述作用力的步驟，讓重量來施加擠壓。
3、 根據權利要求1或2的方法，其中工具進一步包括一個或多個第二間隔 部分，該第二間隔部分用於界定工具和基底之間的距離，並且其中相對基底移 動工具的方法步驟包括參相對基底移動工具直至第二間隔部分接觸到基底表面。
4、 根據權利要求3的方法，其中第二間隔部他括平表面部分。
5、 根據權利要求3或4的方法，其中第一間隔部分散布在複製區域中，並 且其中第二間隔部分設置在包圍複製區域的工具外圍，並且第二間隔部分並不 包括或界定任何複製區域。
6、 根據權利要求3至5中任一權禾腰求的方法，包括將複製材料施加到工 具上或基底上而並不覆蓋對應於至少一第二間隔部分的側部位置的區域的步 驟，從而在工具相對基底移動後沒有複製材料存在於第二間隔部分和基底之間。
7、 根據權利要求3至6中任一權利要求的方法，其中複製區域包括第一和 第二間隔部分。
8、 根據權禾腰求3至7中任一權禾腰求的方法，其中，在工具相對基底移 動的方向上，第一間隔部分的高度和第二間隔部分的高度的不同是通過元件間隔高度差來體現的，元件間隔高度差在5貨妹至30M的範圍內。
9、 根據前述任一權利要求的方法，其中第一間隔部分界定在基底上的元件高度。
10.
11、 根據前述任一權利要求的方法，其中在將複製工具和基底相向彼此移 動之前，複製材料以材料的單個連續量或以材料的多個連續量的方式被分配，其中在多個連續量中每個材料量覆蓋多個戶;M複製區域。
12、 根據權利要求1-10中任一權利要求的方法，其中在將複製工具和基底相向彼此移動之前，複製材料以材料陣列量的方式被分配，每個被限制在包含 一複製區域的部分中。
13、 根據前述任一權利要求的方法，其中在複製材料硬化後，複製工具被 移出並且基底部分或包括基底的組件部分沿著切割線彼此分開，每個部分帶有 至少一個所述光學元件，其中所述切割線沿著基底的側部位置，該基底的側部 位置是在複製過程中第一間隔部分定位的地方。
14、 一種用於製造多個光學元件的複製工具，其中該光學元件是通過從復 制材料複製得到，包括多個復帝'J區域的複製工具，其中該複製區域具有界定元 件形狀的凹陷結構特徵，複製工具進一步包括多個具有平表面部分的第一間隔 部分並且進一步包括一個或多個第二間隔部分，該第二間隔部分用於界定在復 制過程中工具和基底之間的距離，其中在複製工具相向基底運動的方向上，第 二間隔部分的高度皿第一間隔部分的高度。
15、 根據權利要求14的複製工具，在垂直於工具的主平面的方向上，第一 間隔部分的高度和第二間隔部分的高度的不同是通過元件間隔高度差來體現 的，元件間隔高度差在5 M至30微米的範圍內。
16、 根據權禾腰求14或15的複製工具，其中每個第一間隔部分被設置成 圍繞著相關的複製區域並且界定由複製區域製造的元件周邊的糊犬。
17、 根據權利要求14-16中任一權利要求的複製工具，其中由第一間隔部 分覆蓋的總面積在所有工具覆蓋基底面積的0.5%和20%之間。
18、 根據權利要求14-17中任一權利要求的複製工具，其中由第二間隔部 分覆蓋的總面積在所有工具覆蓋基底面積的5%禾口 25%之間。
19、 根據權利要求14-18中任一權利要求的複製工具，其中第一間隔部分散布在複製區域中，並且其中第二間隔部分設置在包圍複製區域的工具外圍， 並且第二間隔部分並不包括或界定招可複製區域。
20、 一種M複製審隨多個光學元件的方法，每個光學元件包括折射itl竟， 包括以下步驟參掛共包括多個複製區域的複製工具，其中該複製區鵬有界定元件艦犬 的凹陷結構特徵，每個複製區域包括圓頂形狀部分和圍繞著圓頂皿部分 的突出扁平部分，該扁平部分用於作為間隔並且決定折射透鏡的高度； 參提供基底；參將複製工具和基底相對彼此移動，同時塑性可^^的鄉佔性的或液態的 複製材茅iHi於工具和基底之間； 參硬化複製材料以形^件； 參移去複製工具；和參將基底的各個部分彼此分離開，每個部分攜帶有至少其中一個戶;^反射纖。
21、 根據權禾腰求20的方法，其中將複製工具和基底彼此相向移動的步驟 包括施加作用力以將複製工具和基底彼此相向移動，直到第一間隔部分定位在 遠離基底一定距離的地方，扁平表面部分平行於基底表面，同時複製材料保持 在第一間隔部分和基底之間。
22、 根據權利要求21的方法，其中圍繞圓頂皿部分的扁平部分立即M; 圓頂開i部分。
23、 根據權利要求20-22中任一權利要求的方法，其中所述基底部分沿著 切割線被彼此分開，並且其中戶脫分割線沿著基底的側部位置，基底的側部位 置是在複製過程中第一間隔部分所處的^S。
24、 根據權利要求20-23中任一權利要求的方法，其中將複製工具和基底 彼此相向移動的步驟包括將工具相對基底移動直至第二間隔部分接觸到基底表 面。
25、 一種通過複製帝隨的透明光學元件，該光學元件包括基底和在其上硬 化的複製材料，該硬化的複製材料包括被複製的光學功能部分，複製材料進一 步包括圍繞光學功能部分的扁平部分。
全文摘要
本發明涉及一種通過複製來製造多個元件的方法，包括提供包括多個複製區域的複製工具的步驟，該複製區域具有界定元件形狀的凹陷結構特徵，該工具進一步包括多個第一間隔部分；提供基底，將工具相對基底移動，同時塑性可變形的或粘性的或液態的複製材料位於工具和基底之間；硬化複製材料以形成元件，其中將工具相對基底移動的步驟包括施加預定的作用力以便將工具相向基底移動，直至第一間隔部分定位在遠離基底一定距離的地方，所述距離由所述作用力的量決定，同時複製材料保留在第一間隔部分和基底之間。
文檔編號B29D11/00GK101432126SQ200780009717
公開日2009年5月13日 申請日期2007年3月19日 優先權日2006年3月20日
發明者H·魯德曼, M·羅西, S·海姆加特納, S·韋斯滕霍弗 申請人:赫普塔岡有限公司