顯示面板、顯示裝置及顯示面板製作方法與流程

2023-10-09 11:47:24

本申請涉及顯示領域，尤其涉及顯示面板、顯示裝置及顯示面板的製作方法。

背景技術：

通常有機發光顯示面板包括多條掃描線和多條數據線，任意相鄰兩條掃描線和任意相鄰兩條數據線交叉設置限定一個像素區。由多條掃描線和多條數據線交叉設置而限定的多個像素區呈陣列排布。每一個像素區對應一個發光單元。各個像素區中包括用於存儲顯示信號的存儲電容，這樣每條數據線對應多個並聯的存儲電容。假設每個像素區的存儲電容相等，在常規的矩形顯示面板中，各條數據線對應的像素區的數量相等，因此各條數據線對應的總存儲電容的電容值也相等。因此不同數據線所對應的各個電容的充放電時間相等，對數據信號的保持時間也相等。

隨著顯示產品應用領域的擴大，相關顯示面板生產廠家紛紛開始設計生產異形顯示面板，其顯示面板外形和顯示區域呈現圓形或非矩形的不規則的多邊形。異形顯示面板中至少有兩條數據線長度不相等。各條數據線所對應的像素區的數量跟其長度成正比。這樣，每一條數據線所對應的存儲電容的數量不再相同。長度較長的數據線的對應的存儲電容的數量較多，而長度較短的數據線對應的存儲電容的數量較少。

由於較短的數據線對應的存儲電容的數量較少，因此，其所對應的各個存儲電容對於其上的數據信號保持時間較短。也就是說，對應較短數據線的各個存儲電容上的數據信號的衰減比較長的數據線的各個存儲電容上的數據信號的衰減快。當顯示面板顯示中低灰階畫面時，由於較短的數據線的各個電容上的數據信號衰減較快，流過該數據線上與各個像素區對應的各個有機發光單元的電流相較數據線長的各個像素區對應的有機發光單元的電流大，因此，有機發光顯示面板上對應較短的數據線的位置處將出現亮條紋現象。

技術實現要素：

鑑於現有技術存在的上述問題，本發明提供一種顯示面板、顯示裝置及顯示面板製作方法，以解決背景技術中所述的至少部分技術問題。

第一方面，本申請實施例提供了一種顯示面板，所述顯示面板包括顯示區；所述顯示區包括多條沿第一方向延伸、沿第二方向排布的數據線，多條沿所述第二方向延伸、沿所述第一方向排布的掃描線以及由所述數據線與所述掃描線交叉形成的陣列排布的多個第一像素區；至少兩條所述數據線的長度不相等；各條所述數據線所對應的任意一個第一像素區與該條數據線對應的顯示區邊緣之間設置有至少一個第二像素區；所述第二像素區至少包括平行的所述第一金屬線段和第二金屬線段；所述第一金屬線段形成於第一金屬層中，所述第二金屬線段形成於第二金屬層中；其中所述第一金屬線段位於一條所述數據線的延長線上。

可選的，所述任意一條所述數據線所對應的第二像素區的數量與該條所述數據線的長度呈負相關。

可選的，在所述第二方向上，所述第一金屬線段的寬度大於所述數據線的寬度。

可選的，所述第一金屬線段和/或所述第二金屬線段包括彎折的線段。

可選的，所述第二像素區還包括與所述第一金屬線段平行的第三金屬線段；所述第三金屬線段與所述掃描線同層設置。

可選的，任意一條所述數據線的長度與該條數據線在所述第二方向上的寬度呈負相關。

可選的，所述顯示面板還包括圍繞所述顯示區的非顯示區；所述數據線包括第一端和第二端；所述陣列基板還包括連接配線區，所述連接配線區設置在靠近所述數據線第一端的所述非顯示區中；所述第二像素區設置在與所述數據線的第一端相鄰的顯示區邊緣；或者所述第二像素區設置在與所述數據線的第二端相鄰的顯示區邊緣；或者所述第二像素區設置在與所述數據線的第一端相鄰的顯示區邊緣及與所述數據線的第二端相鄰的顯示區邊緣。

可選的，所述顯示區的邊緣形狀為多邊形、圓形、橢圓形中的一種。

第二方面，本申請實施例提供了一種顯示裝置，顯示裝置包括上述的顯示面板。

第三方面，本申請實施例提供了一種顯示面板製作方法，顯示面板製作方法包括陣列基板的製作方法，所述陣列基板的製作方法包括：預備第一基板；使用預設方法在所述第一基板上形成陣列排布的多個第一像素區以及多個第二像素區，所述陣列排布的多個第一像素區和所述多個第二像素區構成顯示區；所述預設方法包括在在所述第一基板上形成第一金屬層，使用預設掩膜版對所述第一金屬層進行曝光，使得曝光後的所述第一金屬層中形成多條沿第一方向沿伸、沿第二方向排布的數據線以及位於任意一條所述數據線的延長線上的第一金屬線段；其中，至少兩條所述數據線的長度不相等；在所述第一金屬層之上形成第二金屬層，所述第一金屬層與所述第二金屬層之間互相絕緣；使用預設掩膜版對所述第二金屬層進行曝光，使得曝光後的第二金屬層中包括多條第二金屬線段；任意一條第二金屬線段與一條所述第一金屬線段平行；所述第一金屬線段和所述第二金屬線段位於所述第二像素區中；在所述第二金屬層之上形成多條沿第二方向延伸、沿第一方向排布的掃描線，所述數據線與所述掃描線交叉設置而形成第一像素區；其中，任意一個所述第二像素區形成於一條數據線對應的任意一個第一像素區與該條數據線對應的顯示區邊緣之間。

可選的，任意一條所述數據線所對應的任意一個第一像素區與該條數據線對應的顯示區邊緣之間形成的第二像素區的數量與該條所述數據線的長度呈負相關。

可選的，在所述第二方向上，所述第一金屬線段的寬度大於所述數據線的寬度。

可選的，所述第一金屬線段或所述第二金屬線段包括彎折的線段。

可選的，所述在所述第二金屬層之上形成多條沿第二方向延伸、沿第一方向排布的掃描線包括：在所述第二金屬層遠離所述第一金屬層的一側形成第三金屬層，所述第二金屬層與所述第三金屬層相互絕緣；使用預設掩膜版對所述第三金屬層進行曝光，使得曝光後的第三金屬層包括多條沿第二方向延伸、沿第一方向排布的掃描線；在形成多個所述掃描線的同時形成與所述第一金屬線段平行的多個第三金屬線段；所述第三金屬線段位於所述第二像素區。

可選的，所述數據線包括第一端和第二端；所述預設方法還包括：在所述陣列基板上形成圍繞所述顯示區的非顯示區，以及在靠近所述數據線的第一端的所述非顯示區中形成連接配線區；所述第二像素區位於與所述數據線的第一端相鄰的顯示區邊緣；或者所述第二像素區位於與所述數據線的第二端相鄰的所述顯示區邊緣；或者所述第二像素區位於與所述數據線的第一端相鄰的顯示區邊緣以及與所述數據線的第二端相鄰的顯示區邊緣。

本申請提供的顯示面板、顯示裝置及顯示面板製作方法，通過在各條數據線與各自對應的顯示區域邊緣之間增加至少一個第二像素區，任意一條數據線對應的第二像素區的數量與該數據線的長度負相關。這樣使得較短的數據線對應的總負載電容與較長的數據線對應的總負載電容趨於一致，改善了有機發光顯示面板在顯示中低灰階畫面時，較短的數據線所對應位置處的亮條紋現象。

附圖說明

通過閱讀參照以下附圖所作的對非限制性實施例所作的詳細描述，本申請的其它特徵、目的和優點將會變得更明顯：

圖1為本申請實施例提供的顯示面板的結構示意圖；

圖2為圖1所示顯示面板中，陣列基板的結構示意圖；

圖3為圖2所示陣列基板中，顯示區、掃描線、數據線、第一像素區和第二像素區的一種相對位置關係示意圖

圖4為圖3所示陣列基板沿BB』的截面示意圖；

圖5A為圖4所示的第一金屬線段結構示意圖；

圖5B為圖4所示的第二金屬線段的一種結構示意圖；

圖5C為圖4所示的第二金屬線段的又一種結構示意圖

圖6為圖2所示陣列基板中，顯示區、掃描線、數據線、第一像素區和第二像素區的又一種相對位置關係示意圖；

圖7為圖2所示陣列基板中，顯示區、掃描線、數據線、第一像素區和第二像素區的再一種相對位置關係示意圖；

圖8為本申請實施例提供的顯示裝置示意圖；

圖9為本申請實施例提供的顯示面板製作方法的一個實施例的流程圖。

具體實施方式

下面結合附圖和實施例對本申請作進一步的詳細說明。可以理解的是，此處所描述的具體實施例僅用於解釋相關發明，而非對該發明的限定。另外還需要說明的是，為了便於描述，附圖中僅示出了與有關發明相關的部分。

需要說明的是，在不衝突的情況下，本申請中的實施例及實施例中的特徵可以相互組合。下面將參考附圖並結合實施例來詳細說明本申請。

請參考圖1，其示出了本申請實施例提供的顯示面板的結構示意圖。本申請顯示面板例如可以為有機發光顯示面板。如圖1所示，顯示面板100包括陣列基板11、發光材料層12以及封裝玻璃13。在陣列基板11上包括多個第一像素區111，發光材料層12包括多個發光單元121，每一個發光單元121與一個第一像素區111相對應。

發光單元121的發光亮度與流過其上的發光電流可以成正相關。流過發光單元121的發光電流和施加在第一像素區111中的驅動電晶體的電壓降與存儲於該第一像素區111中存儲電容上的數據信號電壓值之差的平方成正比。

值得指出的是，本申請中的顯示面板還可以為液晶顯示面板或其他類型的顯示面板，此處不作限定。當顯示面板為液晶顯示面板時，顯示面板例如可以包括陣列基板、彩膜基板以及設置在陣列基板與彩膜基板之間的液晶層。陣列基板上可以包括多個第一像素區，彩膜基板上可以包括多個濾光單元，每一個濾光單元與一個第一像素區一一對應。

請參考圖2，圖2為圖1所示顯示面板中，陣列基板的結構示意圖。如圖2所示，陣列基板200包括襯底基板201、第一金屬層202、第二金屬層203以及第三金屬層204。其中，第一金屬層202與第二金屬層203之間互相絕緣，第二金屬層203與第三金屬層204之間互相絕緣。

請參考圖3，圖3為圖2所示陣列基板中，顯示區、掃描線、數據線、第一像素區和第二像素區的一種相對位置關係示意圖。如圖3所示，陣列基板300(圖1中的陣列基板11)包括顯示區31，以及圍繞顯示區31的非顯示區32。

顯示區31中包括多條沿第一方向延伸、沿第二方向排布的數據線301；多條沿第二方向延伸、沿第一方向排布的掃描線302。其中，各條數據線301分別包括第一端3011和第二端3012。掃描線302與數據線301交叉設置。顯示區31還包括由於掃描線302和數據線301交叉設置而形成的多個第一像素區303。多個第一像素區303呈陣列排布。在本實施例中，多條數據線301中至少有兩條數據線301的長度不相等。在本實施例中，在本實施例顯示區31的邊緣形狀為多邊形、圓形、橢圓形中的一種。此處的多邊形是指矩形和正方形之外的多邊形。進一步地，顯示區31的邊緣形狀為矩形和正方形以外的其他任意形狀。

非顯示區32中包括連接配線區307。連接配線區307設置在靠近數據線301第一端3011的非顯示區32中。

陣列基板300中的每個第一像素區303可以包括薄膜電晶體304以及存儲電容305。其中，存儲電容305用於存儲數據線301傳輸到該第一像素區303的顯示信號。

在本實施例中，顯示面板300可以將顯示畫面分為多幀分時進行顯示。在一幀畫面顯示期間，各條數據線301同時傳輸顯示信號；各條掃描線302依次傳輸一次掃描信號，分別對應選擇各行第一像素區303中的存儲電容305對顯示信號進行存儲。相鄰兩幀顯示畫面有一定的時間間隔。

通常希望一幀畫面顯示期間任意一個第一像素區303所存儲的顯示信號可以保持到下一幀畫面顯示時向該第一像素區303輸入顯示信號為止，這樣可以使顯示面板具有流暢的畫面輸出。

對於任意一條數據線301，都對應有多個第一像素區303，通常這多個第一像素區303可以排成一列。在一幀顯示畫面期間，任意一條數據線301依次將數據信號傳輸到其對應的各個第一像素區303中的存儲電容305進行存儲。因此，任意一條數據線301的負載可以包括並聯的多個存儲電容。較長的數據線301對應的第一像素區303的數量較多，因此其對應的並聯的存儲電容305數量較多。較短的數據線301對應的像素區303的數量較少，因此其對應的並聯的存儲電容305的數量較少。從數據線301的角度來看，可以將並聯的多個存儲電容305看作一個總存儲電容。較長的數據線301其對應的總存儲電容的電容值較大；較短的數據線301其對應的總存儲電容的電容值較小。

存儲於電容上的電壓信號能夠被該電容所保持的時間與其電容值的大小呈正相關。因此，對於較短的數據線301，由於其對應的總存儲電容的電容值較小，該數據線301對應的總存儲電容對信號的保持時間也較短。也就是說，存儲於較短的數據線301對應的各個存儲電容的數據信號釋放的比較快。在對顯示面板進行灰階測試時，由於較短的數據線301其對應的各個存儲電容的數據電壓信號釋放的較快，在下一幀顯示信號輸入到該數據線對應的各個像素區之前，該各個像素區分別對應的存儲電容上存儲的數據電壓信號快速下降到預定的閾值以下，使得灰階測試時，較短的數據線301所對應位置的顯示畫面出現亮條紋。

為了解決上面的顯示面板在灰階測試時出現的較短的數據線對應位置處顯示畫面的亮條紋現象，在本實施例中，對各條數據線增加不同數量的輔助電容。具體地，各條數據線所增加的輔助電容的數量可以與其長度成負相關。通過對不同長度的數據線根據其長度增加不同數量的輔助電容，來實現各條數據線總負載電容的均衡化，以改善顯示面板在中低灰階測試時由於較短的數據線對應的總存儲電容的電容值較小引起的亮條紋現象。

在本實施例中，對各條數據線301增加不同數量的輔助電容例如可以在各條數據線301與其對應的顯示區31的邊緣之間設置至少一個第二像素區306。

也就是說，對於任意一條數據線301，在該條數據線301對應的任意一個第一像素區303與該條數據線301對應的顯示區31邊緣之間設置至少一個第二像素區306。具體地，任意一條數據線301所對應的第二像素區306的數量與該條數據線301的長度呈負相關。也就是說，較長的數據線301對應第二像素區306的數量可以較少，較短的數據線301對應的第二像素區306的數量可以較多。

在本實施例中，任意一條數據線301對應的至少一個第二像素區306設置在該條數據線301對應的任意一個第一像素區303與該條數據線301對應的顯示區31邊緣之間。具體地，對應於任意一條數據線301的第二像素區306可以設置在靠近連接配線區307的該條數據線的第一端3011與顯示區31的邊緣之間。也即任意一條數據線301對應的第二像素區306可以設置在與該數據線301的第一端3011相鄰的顯示區31邊緣。

請參考圖4，其示出了圖3所示陣列基板沿BB』的截面示意圖。

如圖4所示，在第二像素區306中，至少包括平行的第一金屬線段3060和第二金屬線段3061。第一金屬段3060、第二金屬線段3061以及第一金屬線段3060和第二金屬線段3061之間的絕緣結構形成電容結構，第一金屬段3060、第二金屬線段3061之間的電容結構可以作為輔助電容Ca。

也就是說對每一條數據線301，可以通過根據其長短增加不同數量的第二像素區306來增加不同數量的輔助電容Ca，具體地，任意一條數據線301所增加的輔助電容Ca的數量與其長度呈負相關。

在本實施例中，第一金屬線段3060可以形成於第一金屬層202中。第一金屬線段3060可以位於一條數據線301的延長線上。也就是說，第一金屬線段3060與數據線301可以同層設置，即數據線301也可以形成於第一金屬層202中。在本實施例中，各條第一金屬線段3060可以與其對應的數據線301電連接。

第二金屬線段3061可以形成於第二金屬層203中。第二金屬層203例如可以為在第一像素區303中與數據線301形成存儲電容的金屬層。

在本實施例的一些可選實現方式中，如圖5A和圖5B所示，圖5A為圖4所示的第一金屬線段結構示意圖，圖5B為圖4所示的第二金屬線段的一種結構示意圖。如圖5A所示，第一金屬線段3060在第二方向上的寬度為W1。第一金屬線段3060在第二方向上的寬度W1可以大於數據線301在第二方向上的寬度W。如圖5B所示，第二金屬線段3061在第二方向上的寬度為W2。第二金屬線段3061在第二方向上的寬度W2可以大於數據線301在第二方向上的寬度W。這樣，在第二像素區306中，可以通過增加第一金屬線段3060在第二方向上的寬度以及第二金屬線段3061在第二方向上的寬度來增加輔助電容Ca的電容值。

在本實施例的一些可選實現方式中，不同數據線301所對應的第二像素區306中的第一金屬線段3060在第二方向上的寬度W1和第二金屬線段3061在第二方向上的寬度W2還可以根據數據線301的長度來進行設置。具體地，對於較長的數據線301，其對應的第二像素區306中的第一金屬線段3060在第二方向上的寬度W1和第二金屬線段3061在第二方向上的寬度W2可以設置的較小；對於較短的數據線301，其對應的第二像素區306中的第一金屬線段3060在第二方向上的寬度W1和第二金屬線段3061在第二方向上的寬度W2可以設置的較大。這樣，較短的數據線301對應的單個第二像素區306中的輔助電容Ca的電容值大於較長的數據線301對應的單個第二像素區306中的輔助電容Ca的電容值。這樣，可以對較短的數據線301設置相對較少的第二像素區306就可以實現各條數據線301所對應的總負載電容的均衡化。

在本實施例的一些可選實現方式中，如圖5C所示，圖5C為圖4所示的第二金屬線段的又一種結構示意圖。圖5C中的第二金屬線段3061可以包括彎折的線段3063。通過在第二金屬線段3061中設置彎折的線段3063，可以增加第二金屬線段3061與第一金屬線段3060之間正對的面積。這樣一來，可以增加第二像素區306中的輔助電容Ca的電容值。進一步可選的，不同數據線301所對應的第二像素區306中的第二金屬線3061的彎折的線段3063的長度可以與各條數據線301的長度成反比。也就是說，較長的數據線301，其對應的第二像素區306中的第二金屬線段的彎折部分的長度較短，單個第二像素區306中的輔助電容Ca的電容值較小。較短的數據線301，其對應的第二像素區306中的第二金屬線段的彎折部分的長度較長，第二像素區306中的輔助電容Ca的電容值較大。這樣，可以對較短的數據線301設置相對較少數量的第二像素區306使得其對應的總負載電容的電容值與較長的數據線301所對應的總負載電容的電容值相等。此外，還可以採取對第一金屬線段3060中設置彎折的線段；或者在第一金屬線段3060和第二金屬線段同時設置彎折的線段以增加第一金屬線段和第二金屬線段之間正對的面積來增加輔助電容Ca的電容值。

繼續參考圖4，第二像素區306中還包括與第一金屬線3060段平行的第三金屬線段3062。在第二像素區306中，第一金屬線段3060與第三線段3062之間以及第二金屬線段3061與第三金屬線段3062之間可以分別形成第一寄生電容C1和第二寄生電容C2。其中第一寄生電容C1、第二寄生電容C2和第二像素區中的輔助電容Ca並聯。在第二像素區306中增加與第一金屬線段3060平行的第三金屬線段3062，可以增加第二像素區306中的總電容的電容值，有利於對較短的數據線301增加較少數量的第二像素區來實現各條數據線301對應的總負載電容的均衡化。進一步可選的，第三金屬線段3062可以與掃描線302同層設置。

在本實施例的一些可選實現方式中，為了使各條數據線301上的總負載電容均衡化，還可以將任意一條數據線301在第二方向上的寬度W根據該條數據線301的長度進行設置。具體地，可以將任意一條數據線301在第二方向上的寬度W與該條數據線301的長度呈負相關設置。這樣，由於任意一條數據線所對應的存儲電容的電容值與該條數據線的寬度呈負相關，對於較長的數據線可以將其寬度設置的較窄；對應較短的數據線，可以將其寬度設置的較寬，這樣有助於各條數據線所對應的總負載電容的均衡化。在設置不同長度的數據線的寬度時，可以結合在數據線與數據線對應的顯示邊緣之間設置第二像素區來實現使用較少的第二像素區來實現各條數據線所對應的總負載電容的均衡化。

本實施例提供的顯示面板，通過對不同長度的數據線在顯示區的邊緣增加不同數量的第二像素區以實現根據各條數據線的長度來增加各自對應的輔助電容的數量，且增加的輔助電容靠近連接配線區。這樣一來，使得各條數據線的總負載電容趨於均衡化，改善了異形顯示面板在灰階測試時，較短的數據線對應的顯示面板的亮條紋現象。

請參考圖6，圖6為圖2所示陣列基板中，顯示區、掃描線、數據線、第一像素區和第二像素區的又一種相對位置關係示意圖。與圖3所示實施例類似，如圖6所示，陣列基板400包括顯示區41，圍繞線區41的非顯示區42。顯示區41的形狀可以為矩形和正方形之外的任意形狀。顯示區41中包括多條沿第一方向延伸、沿第二方向排布的數據線401；多條沿第二方向延伸、沿第一方向排布的掃描線402；多個陣列排布的第一像素區403。每條數據線401可以包括第一端4011和第二端4012。多條數據線401中至少有兩條數據線401的長度不相等。

非顯示區42中設置有連接配線區407。連接配線區407設置在靠近數據線401第一端4011的非顯示區42中。

任意一個第一像素區403中包括一個存儲電容405。每一條數據線401所對應的任意一個第一像素區403與該數據線401對應的顯示區41的邊緣之間至少設置一個第二像素區406。

在本實施例中，任意一條數據線401對應的至少一個第二像素區406設置在該條數據線401對應的任意一個第一像素區403與該條數據線401對應的顯示區41邊緣之間。

任意一條數據線401所對應的第二像素區406的數量與該條數據線401的長度呈負相關

與圖3所示實施例相同，在第二像素區406中例如可以包括平行的第一金屬線段、第二金屬線段。第一金屬線段位於數據線401的延長線上，位於同一數據線401延長線上的各第一金屬線段與該數據線401連接。第二金屬線段與第一金屬線段之間形成輔助電容。

在本實施例的一些可選實現方式中，第二像素區406中第一金屬線段在第二方向上的寬度可以大於數據線401在第二方向上的寬度。通過增加第一金屬線段在第二方向上的寬度以及第二金屬線段在第二方向上的寬度來增加第二像素區中輔助電容的電容值，有助於各條數據線401的總負載電容的均衡化。

在本實施例的一些可選實現方式中，第二金屬線段可以包括彎折的線段。通過在第二金屬線段中設置彎折的線段以增加第二金屬線段與第一金屬線段平行的面積來增加第二像素區中的輔助電容的電容值。進一步可選的，不同數據線401所對應的第二像素區中的第二金屬線的彎折的線段的長度可以與各條數據線401的長度成反比。這樣可以對較短的數據線401設置相對較少的第二像素區就可以實現各條數據線401的總負載電容均衡。此外，第一金屬線段還可以包括彎折的線段，或者第一金屬線段與第二金屬線段同時包括彎折的線段以增加第一金屬線段和第二金屬線段的正對面積來增加輔助電容的電容值。

在本實施例的一些可選實現方式中，在第二像素區406中還可以包括與第一金屬線段平行的第三金屬線段。在第二像素區406中，第一金屬線段與第三金屬線段以及第二金屬線段與第三金屬線段之間分別形成第一寄生電容和第二寄生電容。其中第一寄生電容、第二寄生電容和第二像素區406中的輔助電容並聯。通過在第二像素區406中設置第三金屬線段來增加第二像素區406中的電容值，可以增加較短數據線401的對應的單個第二像素區406中的總電容的電容值。

在本實施例的一些可選實現方式中，任意一條數據線401在第二方向上的寬度W與該條數據線401的長度呈負相關。具體地，可以將設置各條數據線401在第二方向上的寬度W與在數據線401及數據線401對應的顯示區41邊緣設置第二像素區406的方法結合使用來實現各條數據線401所對應的總負載電容的均衡化。

與圖3所示實施例不同的是，任意一條數據線401對應的第二像素區406設置在該條數據線401的第二端4012與和該條數據線401的第二端4012相鄰的顯示區41邊緣之間。也即任意一條數據線401對應的第二像素區406可以設置在與該數據線401的第二端4012相鄰的顯示區41邊緣。

由於任意一條數據線401與連接配線區407中的一條連接配線(圖中未示出)一一對應連接。當第二像素區406設置在數據線401的第二端4012與顯示區41的邊緣之間時，從連接配線區407輸出的信號先經過各個第一像素區403再輸入到各個第二像素區406中。相比圖3所示實施例中連接配線區307輸出的信號先經過至少一個第二像素區306再輸入到各個第一像素區303中，由數據線401傳輸到第一像素區403的信號的衰減比較小，有利於畫面顯示。

請參考圖7，圖7為圖2所示陣列基板中，顯示區、掃描線、數據線、第一像素區和第二像素區的再一種相對位置關係示意圖。與圖3和圖6所示實施例相同，圖7所示的陣列基板500包括形狀為矩形和正方形之外的任意形狀的顯示區51，圍繞顯示區51的非顯示區52。顯示區51中包括多條沿第一方向延伸、沿第二方向排布的數據線501；多條沿第二方向延伸、沿第一方向排布的掃描線502，多個陣列排布的第一像素區503(同圖1中的像素區111)。各條數據線501包括第一端5011和第二端5012。

在非顯示區52中設置有連接配線區域507。連接配線區507設置在靠近數據線501第一端5011的非顯示區52中。

任意一個第一像素區503中包括一個存儲電容505。多條數據線501中至少有兩條數據線501的長度不相等。每一條數據線501所對應的任意一個第一像素區503與該數據線501對應的顯示區51的邊緣之間至少設置一個第二像素區506。

在本實施例中，任意一條數據線501對應的至少一個第二像素區506設置在該條數據線對應的任意一個第一像素區503與該條數據線501對應的顯示區51邊緣之間。

任意一條數據線501所對應的第二像素區506的數量與該條數據線501的長度呈負相關

與圖3和圖6所示實施例相同，在第二像素區506中例如可以包括平行的第一金屬線段、第二金屬線段。第一金屬線段位於數據線501的延長線上，位於同一數據線501延長線上的各第一金屬線段與該數據線501連接。第二金屬線段與第一金屬線段之間形成輔助電容。

在本實施例的一些可選實現方式中，第二金屬線段可以包括彎折的線段。通過在第二金屬線段中設置彎折的線段以增加第二金屬線段與第一金屬線段平行的面積來增加第二像素區506中的輔助電容的電容值。進一步可選的，不同數據線501所對應的第二像素區506中的第二金屬線的彎折部分的長度可以與各條數據線501的長度成反比。這樣可以對較短的數據線501設置相對較少的第二像素區506就可以實現各條數據線501的總負載電容均衡。此外，第一金屬線段還可以包括彎折的線段，或者第一金屬線段與第二金屬線段同時包括彎折的線段以增加第一金屬線段和第二金屬線段的正對面積來增加輔助電容的電容值。

在本實施例的一些可選實現方式中，在第二像素區506中還可以包括與第一金金屬線段平行的第三金屬線段。在第二像素區506中，第一金屬線段與第三線段形成以及第二金屬線段與第三金屬線段之間分別形成第一寄生電容和第二寄生電容。其中第一寄生電容、第二寄生電容和第二像素區506中的輔助電容並聯。通過在第二像素區506中設置第三金屬線段來增加第二像素區506中的電容值，可以增加較短數據線501的對應的單個第二像素區506中的總電容的電容值。

在本實施例的一些可選實現方式中，任意一條數據線501在第二方向上的寬度與該條數據線501的長度呈負相關。具體地，設置各條數據線501在第二方向上的寬度可以與在數據線501及數據線501對應的顯示區51邊緣設置第二像素區506的方法結合使用來實現各條數據線501所對應的總負載電容的均衡化。

與圖3和圖6所示實施例不同的是，與任意一條數據線501對應的第二像素區506設置在該條數據線501的第一端5011與和該條數據線501的第一端5011相鄰的顯示區51邊緣之間以及該條數據線501的第二端5012與和該條數據線501的第二端5012相鄰的顯示區51邊緣之間。也即任意一條數據線501對應的第二像素區506可以設置在與該數據線501的第一端5011相鄰的顯示區51邊緣以及與該數據線501的第二端5012相鄰的顯示區51邊緣。

也就是說，對應任意一條數據線501，在其兩端與顯示區51邊緣之間分別設置至少一個第二像素區。

在數據線的兩端分別設置至少一個第二像素區，這樣更加方便對不同數據線根據其長度來設置不同數量的第二像素區。進一步有利於各條數據線的負載電容的均衡化。可以進一步改善在灰階測試時的較短的數據線對應的顯示面板的亮條紋現象。

請參考圖8，其示出了本申請實施例提供的顯示裝置示意圖。如圖8所示，顯示裝置600為手錶，且該顯示裝置600包括如上所述的顯示面板。此外，本領域技術人員可以明白，本申請的顯示裝置除了包括顯示面板之外，還可以包括其它的一些公知的結構，例如當顯示面板為有機發光顯示面板時，顯示裝置600還包括用於向顯示面板提供顯示信號的集成電路。為了不模糊本申請的重點，將不再對摺線公知的結構進行進一步的描述。需要說明的是，本申請顯示裝置不限於圖8所示的手錶，還可以為電腦、電視機、智能穿戴等裝置。

請參考圖9，其示出了本申請實施例提供的顯示面板製作方法的一個實施例的流程圖。本實施例中的顯示面板的製作方法700具體可以包括：

首先，在步驟701中，預備第一基板。在本實施例中，第一基板例如可以是玻璃基板。

其次，在步驟702中，使用預設方法在第一基板上形成呈陣列排布的多個第一像素區，以及多個第二像素區。多個第一像素區和多個第二像素區構成顯示區。

在本實施例中，上述預設方法包括首先在第一基板上形成第一金屬層。使用預設掩膜版對第一金屬層進行曝光，使得曝光後的第一金屬層中形成多條沿第一方向延伸、沿第二方向排布的數據線以及位於任意一條數據線的延長線上的第一金屬線段。其中，形成的多條數據線中至少有兩條數據線的長度不相等。

然後，在上述第一金屬層之上形成第二金屬層。第一金屬層與第二金屬層之間互相絕緣，也就是說，在第一金屬層和第二金屬層之間還可以設置絕緣層。隨後使用預設掩膜版對第二金屬層進行曝光，使得曝光後的第二金屬層中包括多條第二金屬線段。在形成的多條第二線段中，任意一條第二金屬線段可以與一條第一金屬線段平行，進一步地，任意一條第二金屬線段向第一基板所在平面的正投影與一條第一金屬線段向第一基板所在平面的正投影至少部分地重合。其中，第一金屬線段和第二金屬線段位於第二像素區中。在第二像素區中的一個第一金屬線段與第二金屬線段構成電容結構，即第一金屬線段與第二金屬線段形成輔助電容。

然後在第二金屬層之上形成多條沿第二方向延伸、沿第一方向排布的掃描線。其中，掃描線與數據線交叉設置而形成第一像素區。

在本實施例的一些可選實現方式中，上述在第二金屬層之上形成多條沿第二方向延伸、沿第一方向排布的掃描線可以包括在上述第二金屬層遠離第一金屬層的一側形成第三金屬層。形成的第三金屬層和第二金屬層之間相互絕緣。再使用預設掩膜版對第三金屬層進行曝光，使得曝光後的第三金屬層包括多條沿第二方向延伸、沿第一方向排布的掃描線。

在本實施例的一些可選實現方式中，由交叉的掃描線和數據線限定的任意一個第一像素區內，可以包括用於存儲顯示信號的存儲電容。進一步可選的，存儲電容可以由上述第一金屬層中的金屬線段和第二金屬層中的金屬線段形成。

在本實施例的一些可選實現方式中，在使用上述預設掩膜版形成多條掃描線的同時，還可以形成多條第三金屬線段。其中任意一條第三金屬線段與第一金屬線段平行，且任意一條第三金屬線段位於一個第二像素區中。在一個第二像素區內，第三金屬線段與平行的第一金屬線段之間可以形成第一寄生電容；第三金屬線段與第二金屬線段之間可以形成第二寄生電容。上述輔助電容與第一寄生電容和第二寄生電容共同構成第二像素區中的總電容。

在本實施例中，所有的第一像素區和所有的第二像素區構成顯示面板的顯示區。顯示區的邊緣形狀可以為多邊形、圓形、橢圓形中的一種。其中，多邊形為矩形和正方形之外的多邊形。

根據上述顯示面板的製作方法，任意一條數據線可以對應多個第一像素區以及對應至少一個第二像素區。

在本實施例的一些可選實現方式中，任意一條數據線所對應的任意一個第一像素區與該條數據線對應的顯示區邊緣之間形成的第二像素區的數量與該條數據線的長度呈負相關。這樣一來，較短的數據線所對應的第二像素區的數量相對較長的數據線所對應的第二像素區的數量較多，有利於各條數據線上所對應總負載電容的均衡分布。另一方面，對較短的數據線增加輔助電容，可以延長較短的數據線所對應的存儲電容上的顯示信號的保持時間，改善在灰階測試時較短的數據線所對應的顯示區域的亮條紋現象。

在本實施例的一些可選實現方式中，在第二像素區中，第一金屬線段在第二方向上的寬度可以大於數據線的寬度。這樣，可以通過增加第二像素區中第一金屬線段在第二方向上的寬度來增加單個第二像素區中的輔助電容的電容值。有利於對較短的數據線增加較少的第二像素區使其與較長的數據線具有相同的負載電容，有利於減小顯示面板的版圖面積。

在本實施例的一些可選實現方式中，在第二像素區中，第一金屬線段和/或第二金屬線段包括彎折的線段。這樣，第一金屬線段和/或第二金屬線段包括彎折的線段，可以增加第一金屬線段和第二金屬線段之間形成的輔助電容的電容值。同樣有利於減小顯示面板的版圖面積。

在本實施例的一些可選實現方式中，上述形成的數據線包括第一端和第二端。上述預設方法還包括：在陣列基板上形成圍繞顯示區的非顯示區，以及在靠近數據線的第一端的非顯示區中形成連接配線區。任意一條數據線對應的第二像素區可以設置在該數據線的第二端與和該數據線的第二端相鄰的顯示區邊緣之間；或者第二像素區可以設置在該數據線的第一端與和該數據線的第一端相鄰的顯示區邊緣之間；或者第二像素區還可以設置在該數據線的第一端與和該數據線的第一端相鄰的顯示區邊緣之間以及該數據線的第二端與和該數據線的第二端相鄰的顯示區邊緣之間。在數據線與該數據線對應的顯示區邊緣之間根據其長度設置至少一個第二像素區，有利於各條數據線的總負載電容均衡化。可以改善在灰階測試時的較短的數據線對應的顯示面板的亮條紋現象。

以上描述僅為本申請的較佳實施例以及對所運用技術原理的說明。本領域技術人員應當理解，本申請中所涉及的發明範圍，並不限於上述技術特徵的特定組合而成的技術方案，同時也應涵蓋在不脫離所述發明構思的情況下，由上述技術特徵或其等同特徵進行任意組合而形成的其它技術方案。例如上述特徵與本申請中公開的(但不限於)具有類似功能的技術特徵進行互相替換而形成的技術方案。