磁阻傳感器屏蔽的製作方法
2023-10-25 21:48:47
磁阻傳感器屏蔽的製作方法
【專利摘要】本申請公開了一種磁阻傳感器屏蔽。本文所公開的實施例通過在合成反鐵磁結構(SAF)屏蔽內，提供被降低各向異性的區域，允許被磁阻傳感器檢測到的信號得以改善。SAF屏蔽包含被耦合間隔層所隔離的第一與第二鐵磁材料層。第一與第二鐵磁材料層之間的距離在鄰近傳感器堆棧的區域大於遠離傳感器堆棧的區域。
【專利說明】磁阻傳感器屏蔽
【背景技術】
[0001]在磁性數據存儲與檢索系統中，磁性讀/寫頭包括用於有磁性地檢索磁碟存儲的編碼信息的磁阻傳感器的讀取器部分。來自磁碟表面的磁通量引起磁阻傳感器的傳感層磁化向量的旋轉，反過來引起磁阻傳感器電阻的變化。磁阻傳感器電阻的變化可以通過傳送磁阻傳感器的電流與測量傳感器上的電壓降予以檢測。外部電路將電壓信息轉換成合適的格式並操作這些信息以還原磁碟上的編碼信息。
[0002]目前磁存儲介質的技術改進使得磁碟區域記錄密度是可得的。然而，隨著區域記錄密度的增加，需要更小、更敏感的磁阻傳感器。當磁阻傳感器變得更小時，磁阻傳感器對磁碟被使用的區域表現不期望的磁響應的潛在性。有效的磁阻傳感器能夠減少或消除磁噪聲並且提供足夠幅度的信號以準確地還原寫在磁碟上的數據。
【發明內容】
[0003]這裡所示出了與申請的實施例提供位於傳感器堆棧第一側的屏蔽，屏蔽包括第一鐵磁材料層、第二鐵磁材料層與隔離第一層與第二層的耦合間隔層，其中第一層與第二層在鄰近傳感器堆棧的距離大於遠離傳感器堆棧的距離。
[0004]
【發明內容】
以簡化的形式介紹後續將被進一步詳細說明的被選擇的設計理念。
【發明內容】
並不旨在確定所申請主題的關鍵的、重要特徵，也不是旨在限制所申請主題的範圍。所申請主題的其他特徵、細節、實用性與優點可以從下面各種實施例、附圖進一步描述的與附加權利要求定義的實施例的書面詳細描述所明了。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0005]圖1示出了包含在滑動器上的磁阻傳感器的示例磁碟驅動器組件的俯視圖。
[0006]圖2示出了在頂部屏蔽與底部屏蔽的SAF結構中具有透磁性局部增強的示例磁阻傳感器。
[0007]圖3示出了在頂部屏蔽的SAF結構中具有透磁性局部增強的示例磁阻傳感器。
[0008]圖4示出了包含具有透磁性局部增強的SAF結構、解耦的頂層屏蔽的示例磁阻傳感器。
[0009]圖5示出了在合成反鐵磁結構形成過程中的被執行的沉積操作。
[0010]圖6示出了在SAF形成過程中的被執行的掩膜與研磨操作。
[0011]圖7示出了在SAF結構形成過程中的被執行的掩膜移除與附加的沉積操作。
[0012]圖8示出了在SAF結構形成過程中的被執行的沉積操作。
[0013]圖9示出了在SAF結構形成過程中的被執行的掩膜與沉積操作。
[0014]圖10示出了在SAF結構形成過程中的被執行的掩膜移除與附加的沉積操作。
【具體實施方式】
[0015]脈衝窄化(例如，減少磁阻傳感器檢測到的磁信號的寬度)是提高磁阻傳感器線性密度解析度的一種方法。脈衝窄化，也被稱為PW50降低，可以通過增加傳感器屏蔽的透磁性來實現。但是，增加屏蔽的透磁性會附帶地降低屏蔽的穩定性。具有透磁性全局增強的屏蔽更容易與寫入部件或者換能器頭的外部漏磁場耦合，同時降低了從磁介質讀出信號的信噪比。因此，在磁阻傳感器中，存在增加屏蔽透磁性以提高PW50與保持屏蔽的低透磁性以維持屏蔽穩定性的相互矛盾的目標。
[0016]下面所公開的實施例提供允許在接近傳感器堆棧地方，局部增強屏蔽的透磁性以實現在所期望的PW50降低的同時，減輕信號質量附帶的降低。尤其是，下面所公開的示例磁阻傳感器包括透磁性局部增強的合成反鐵磁屏蔽。依據一個實施例，在一對鐵磁層之間插入一個非磁性層以減少接近傳感器堆棧區域中的SAF屏蔽的各向異性。降低各向異性的區域具有(例如，局部透磁性)比SAF屏蔽的全局透磁性更高的透磁性。如本文所用的，「全局透磁性」指的是磁阻磁阻傳感器屏蔽的一個或多個屏蔽部件的整個的透磁性。
[0017]這裡所公開的技術可以與各種不同類型的磁阻傳感器一起使用(例如，各向異性磁阻傳感器，隧道磁阻傳感器，巨型磁阻傳感器等)。相應地，這裡所公開的實施例同樣適用於基於新的物理現象的傳感器設計，例如，橫向自旋閥(簡稱LSV)，自旋霍爾效應(簡稱SHE)，自旋扭矩振蕩(簡稱ST0)等新的MR傳感器等。
[0018]圖1示出了一個示例磁碟驅動器組件的俯視圖。示例磁碟驅動器組件100包括在執行臂109末端，位於介質磁碟108上的滑動件120。圍繞旋轉106的執行軸的音圈電機用來把滑動件120定位在數據磁軌(例如，數據磁軌140)，圍繞旋轉111的盤軸的主軸電機被用於旋轉介質磁碟108。具體參照視圖A，介質108包括外徑102與內徑104，兩者之間是若干使用原形虛線表示的數據磁軌(例如，數據磁軌140)。軟線130為滑動件120提供必需的電連接，同時允許在操作過程中，執行臂109的軸轉運動。
[0019]滑動件120是具有若干執行多種功能的多層的層疊結構。滑動件120包括具有與迴路或軛或基座相反的電極耦合的主寫電極的記錄器部分(未示出)。磁線圈纏繞著軛或者基座以感應寫入磁極的磁性寫入脈衝。
[0020]滑動件120還包括一個或多個從介質磁碟108讀取數據的磁阻傳感器。視圖B示出了磁碟驅動器組件100使用中，朝向介質磁碟108空氣支撐表面(ABS)的磁阻傳感器的一側。因此，視圖B所示的磁阻傳感器116在可操作地連接到視圖A所示的滑動件時，需要旋轉180度(例如，圍繞Z軸)。
[0021]滑動件120的磁阻傳感器116包含傳感器堆棧114，傳感器堆棧114包含多個執行功能的多個層。在不同的實施例中，這些層的數量與它們的相關的功能可能有變化。不過，圖1所不的不例傳感器堆棧114包含第一軟磁層130與第二軟磁層118。第一軟磁層130 (也被稱為「固定層」)在被AFM層132偏離的給定方向上具有磁性取向。參照層138，也可以使用軟磁性材料製作，磁性地將第一軟磁層130從第二軟磁層118分離開。因此，第二軟磁層118可以響應外部磁層自由地旋轉並被稱為「自由層」。該旋轉使得底部屏蔽136與頂部屏蔽134間的傳感器堆棧114的電阻率發生變化。傳感器堆棧114電阻率的變化與介質磁碟108磁極化區域相關，反過來與磁性介質上存儲的數據相對應。
[0022]頂部屏蔽134與底部屏蔽136將傳感器堆棧114從電磁幹擾中隔離出來，主要是Z方向上的幹擾，並用作連接到處理電路(未示出)的，導電性的第一與第二電導線。在一個實施例中，底部屏蔽136與頂部屏蔽134允許傳感器堆棧114能夠被傳感器堆棧114正下面的數據位的磁場影響，同時減少或者阻止其他相鄰數據位的磁場幹擾。在操作中，沿著介質磁碟108上的磁軌140的數據位可以連續地在頂部屏蔽134的下面，傳感器堆棧114的下面，然後在底部屏蔽136的下面通過。因此，接近頂部屏蔽134的傳感器堆棧的邊緣被稱為傳感器堆棧的「前緣」，接近底部屏蔽136的傳感器堆棧的邊緣被稱為傳感器堆棧的「後緣」。
[0023]磁阻傳感器的頂部屏蔽134包含反鐵磁性(AFM)的固定層128與合成反鐵磁(SAF)結構150。SAF結構150包括上鐵磁層144、耦合隔離層146、非磁性插入層148與下鐵磁層142。如其他SAF結構，鐵磁層144與142在基本上相反的方向具有基本上相同幅度的磁矩。AFM固定層128將上鐵磁層144的磁性取向限定在一組方向，I禹合隔離層146提供PKKY (魯德曼-基特爾-柏屋町-吉田茂)反應，這一反應導致在上鐵磁層144與下鐵磁層142之間產生了強反鐵磁耦合。這個耦合是強烈的，反並行耦合，並提供全局的、增強的磁性各向異性，它被轉換以增加屏蔽的穩定性。
[0024]上鐵磁層144與下鐵磁層142各自在Z方向的厚度比耦合間隔層146大得多。在一個實施例中，上鐵磁層144與下鐵磁層142各自在Z方面的厚度約10?40納米，耦合間隔層146在Z方向上的厚度約為0.3?1.0納米。上、下鐵磁層144與142可以是，例如，鐵磁合金材料，例如鈷鐵，鎳鐵，鈷鎳鐵或者鈷鐵硼。耦合隔離層146可以是能夠提供PKKY反應的非磁性材料，包括，例如，釕，銅，鉻或者鑰。在一個實施例中，耦合間隔層146是一層厚度I納米的釕。
[0025]非磁性插入層148在與傳感器堆棧144中心軸向(沿Z方向)對齊的區域，增加了上鐵磁層144與下鐵磁層142間的距離。下鐵磁層142與上鐵磁層144間增加的間隔局部破壞或中斷了 PKKY耦合併減少SAF結構150各向異性。這種局部減少的各向異性局部增加了接近傳感器堆棧114的前緣的區域的透磁性。結果是，由磁阻傳感器116檢測到PW50減小而沒有顯著影響頂部屏蔽134的穩定性。頂部屏蔽134的穩定性，在至少一個實施例中，可以獨立地優化透磁性。
[0026]有多種合適的材料可以被用於非磁性間隔層148，包含，不限於，釕，鉭，鉻，銅，鉬與這些材料的非磁性合金(例如，鎳釕，鎳鉻，鎳鉬等)。非磁性間隔層148具有交叉磁軌的長度(X方向)大於傳感器堆棧114的交叉磁軌長度。在圖1中，非磁性間隔層148在交叉磁軌方向(X方向)延長一定距離，超出了傳感器堆棧114的任一側。在一個示例實施例中，傳感器堆棧114具有小於或等於50納米的交叉磁軌長度，並且非磁性間隔層148具有大約在50到200納米的交叉磁軌長度。
[0027]除了上面描述的層之外，磁阻傳感器116還包含接近傳感器堆棧114相對側的側屏蔽110與112，它們通過把傳感器堆棧114從X方向(交叉磁軌)的幹擾中隔離來提高磁阻傳感器116的交叉磁軌的解析度。
[0028]圖2示出了傳感器堆棧204的任意側，具有透磁性局部增強區域的示例磁阻傳感器200。磁阻傳感器200包括具有第一 SAF結構226的頂部屏蔽230與具有第二 SAF結構228的底部屏蔽232。SAF結構226與228各自包括一對鐵磁層(例如，第一對鐵磁層206與208與第二對鐵磁層216與218)。另外，SAF結構226與228各自包括耦合間隔層(例如，耦合間隔層212與222)與非磁性插入層(例如，非磁性插入層210與234)。AFM固定層214與236鄰近第一與第二 SAF結構226與228的外邊緣，分別在優先方向(例如，在鐵磁層208與218用箭頭示出的方向)偏離鄰近鐵磁層208與218磁性取向。耦合間隔層212與222在每對鐵磁層(例如，鐵磁層208與206 ;或者鐵磁層216與218)之間各自提供強RKKY反鐵磁稱合。這個強稱合被非磁性插入層210與234局部破壞,這樣在包含非磁性插入層210與234的區域創建了增強的透磁性。
[0029]磁阻傳感器200的傳感器堆棧204包含若干執行多種功能的層(沒有示出)。側屏蔽220與224，可以由硬或軟磁性材料製造而成，被放置在傳感器堆棧204相對側並且在交叉磁軌方向(例如，X方向)的電磁場保護傳感器堆棧204。每個側屏蔽220與224的磁性取向(在側屏蔽220與224裡用箭頭表示出來)受到一個或多個鄰近鐵磁層206與216 (在鐵磁層206與216裡用箭頭表示出)的磁性取向而偏離。
[0030]非磁性插入層210與234各自被放置在傳感器堆棧238的後緣與相鄰的耦合隔離層212或222間。不過，在其他的實施例中，一個或兩個非磁性插入層210或234被放置在相鄰稱合間隔層212或222的相對側。例如，非磁性插入層210可以位於在稱合隔離層212與鐵磁層208之間。
[0031]非磁性插入層210在Z方向具有與耦合隔離層212相同或相似的厚度。在一個實施例中，非磁性插入層210與234中的一個或兩個在Z方向的厚度大約是I納米的數量級。磁阻傳感器200的其他特徵與上圖1的描述的相同或相似。
[0032]雖然SAF結構226與228被示出得完全相同，這樣的結構可能會在組成或結構有所不同。SAF結構226與228的任一個或兩個可能包含除所示那些層之外的層。其他實施例可能會省略所示的層或者使用具有相似功能的替代結構替換一個或多個層。在至少一個實施例中，SAF結構(例如，SAF結構228)被包括在底部屏蔽而不是頂部屏蔽中。
[0033]圖3示出了在頂部屏蔽330的SAF結構326具有局部透磁性增強的示例磁阻傳感器300。SAF結構326包含在耦合間隔層312每側的一對鐵磁層306與308。耦合層312厚度可變(Z方向厚度)，接近磁阻傳感器中心軸350的厚度大於接近邊緣的厚度。在操作中，耦合間隔層312在接近磁阻傳感器300邊緣的地方，鐵磁層306與308之間提供強RKKY反鐵磁耦合。不過，這個RKKY耦合影響在與傳感器堆棧304軸向對齊的中心區域被減小或者消除，在這些地方耦合間隔層312厚度增加。因此，頂部屏蔽330在耦合間隔層312厚度增加的區域透磁性局部增強。
[0034]在一個示例實施例中，耦合隔離層312基本上跨越(X方向)磁阻傳感器300的整個交叉磁軌長度，例如，約10-50微米。耦合隔離層312厚度增加的中心區域在交叉磁軌方向跨越約50-200納米的長度。
[0035]耦合間隔層312鄰近磁阻傳感器300外部邊緣(例如，在交叉磁軌方向橫切面的邊緣)的區域在Z方向的厚度約為I納米，不過厚度增加的中心區域在Z方向的厚度約為2-3納米。
[0036]除了 SAF結構326，磁阻傳感器300包括在優先方向(例如，在鐵磁層308裡用箭頭示出的磁性取向)偏離鐵磁層308磁性取向的AFM固定層314。側屏蔽320與324被放置在傳感器堆棧304的相對側以保護傳感器堆棧304免遭交叉磁軌方向上的電磁場的影響。磁阻傳感器300的其他特徵與圖1-2中描述的相同或相似。
[0037]在透磁性局部增強的區域內(例如，耦合隔離層312厚度增加的區域或者圖1-2所示出了與描述的非磁性插入層)通過允許更多的磁旋轉，解耦SAF結構326與傳感器堆棧304、側屏蔽320與324能夠進一步增加解析度增益。相應地，圖4示出了包含具有透磁性局部增強的SAF結構426，解耦的頂部屏蔽430屏蔽的示例磁阻傳感器400。
[0038]頂部屏蔽430包括反鐵磁固定層414與SAF結構426。SAF結構426還包括一對鐵磁層406與408,稱合間隔層412與非磁性插入層410。稱合間隔層412在鐵磁層406與408之間提供強RKKY反鐵磁耦合。不過，這個RKKY耦合影響在與包含非磁性插入層410的傳感器堆棧404軸向對齊的中心區域被減少或消減。局部消弱RKKY耦合使得與傳感器堆棧404的前緣軸向對齊的磁阻傳感器400的中心區域的各向異性降低。
[0039]通過非磁性解耦層416，將頂部屏蔽430與傳感器堆棧404、側屏蔽420與424解耦。這個解耦允許側屏蔽420與424具有與SAF結構426中的鄰近鐵磁層406磁性取向(在鐵磁層406裡使用箭頭示出)不同的磁性取向(在側屏蔽部件420與424裡用箭頭示出)。在一個實施例中，側屏蔽420與424的磁性取向與鐵磁層406的磁性取向相反或基本相反。
[0040]由於圖4中的SAF結構426與側屏蔽420、424解耦，磁阻傳感器400檢測到PW50比SAF結構426沒有與側屏蔽420、424解耦(例如，圖1_3)改善了。依據一個實施例，磁阻傳感器400產生比SAF結構426與側屏蔽410、420耦合的完全相同的實施例1到1.5納米的PW50增益。
[0041]圖5-7示出了創建具有透磁性局部增強區域的SAF屏蔽的示例操作。圖5示出了具有局部透磁性增強的SAF形成過程中被執行的沉積操作500。在沉積操作500中，鐵磁材料層506與用非磁性材料層510被沉積在部分成型的磁阻傳感器530上。部分成型的磁阻傳感器530包含底部屏蔽536、傳感器堆棧504與側屏蔽520、524。鐵磁材料層506基本上均勻地沉積在部分成型的磁阻傳感器530上以便鐵磁材料層506能夠與側屏蔽520與524都可以接觸。非磁性材料層510被基本上均勻地沉積在鐵磁材料層506的上。
[0042]圖6示出了具有透磁性局部增強的SAF結構形成過程中被執行的的掩膜與研磨操作600。在掩膜與研磨操作600過程中，液體光阻材料薄層被基本上均勻地沉積在部分成型的磁阻傳感器630上。部分成型的磁阻傳感器600包括底部屏蔽636，傳感器堆棧604，側屏蔽620與624，鐵磁材料層606與非磁性材料層610。部分的液態光阻材料被暴露在高強度的光照下，改變了被暴露或者未被暴露部分的可溶性(取決於光阻材料的類型)。沒有改變的那部分光阻材料被顯影液移除，在部分成型的磁阻傳感器630的中心區域留下硬化的光阻材料掩膜622。硬化的光阻材料掩膜622保護下面、中心區域的非磁性材料610，同時，接近部分成型的磁阻傳感器630邊緣，沒有被掩膜的非磁性材料(沒有示出)被研磨掉。
[0043]圖7示出了在透磁性局部增強的SAF結構形成過程中，被執行的掩膜移除與附加的沉積操作。在掩膜移除與層構建操作700中，在底部屏蔽736，傳感器堆棧704，側屏蔽720與724，鐵磁材料706，非磁性材料710形成後，使用光阻材料溶劑從磁阻傳感器730移除硬化的光阻材料掩膜(例如，與圖6中硬化光阻材料掩膜622相同或相似的掩膜)。在硬化的光阻材料掩膜被移除之後，耦合間隔層712被沉積在非磁性材料710上並與之接觸；另一個鐵磁層708被沉積在耦合間隔層712接觸上並與之接觸；AFM層714被沉積在鐵磁層708上並與之接觸。
[0044]圖8-10示出了用於創建具有透磁性局部增強區域的SAF屏蔽的附加的示例操作。圖8示出了透磁性局部增強的SAF結構形成過程中，被執行的沉積操作800。在沉積操作800中，鐵磁材料層806被沉積在部分成型的磁阻傳感器830的上。部分成型的磁阻傳感器820包含底部屏蔽836，與已成型的傳感器堆棧804以及已成型的側屏蔽820與824。鐵磁材料層806基本上均勻地被沉積在部分成型的磁阻傳感器830上，因此鐵磁材料層806與側屏蔽820、824以及傳感器堆棧804均接觸。
[0045]圖9描繪在透磁性局部增強的SAF結構形成過程中，被執行的掩膜與沉積操作900。在掩膜與沉積操作900中，液態光阻材料薄層(沒有示出)被基本上均勻沉積在的磁阻傳感器930的上。磁阻傳感器930包含底部屏蔽936，傳感器堆棧904，側屏蔽920與024，鐵磁材料層906。部分液體光阻材料被暴露在高強度的光照下，改變了被暴露部分或者未暴露部分(取決於光阻材料的類型)的可溶性。沒有被改變的光阻材料被顯影液移除後，在部分成型的磁阻傳感器930的外部邊緣區域留下硬化的光阻材料掩膜922。硬化的光阻材料掩膜922保護下面、在外部邊緣區域的鐵磁材料906，同時在中心區域留下被暴露的鐵磁材料906。一旦硬化光阻材料掩膜在適當的位置，非磁性材料層910被基本上均勻地沉積在部分成型磁阻傳感器930上。
[0046]圖10示出了在透磁性局部增強的SAF結構形成過程中，被執行的掩膜移除與附加的沉積操作1000。在掩膜移除與層構建操作1000中，光阻材料溶劑被用在底部屏蔽1036，傳感器堆棧1004，側屏蔽1020、1024，鐵磁材料層1006與非磁性材料層1010形成後，從磁阻傳感器1030上移除硬化的光阻材料掩膜(例如，與圖9中硬化光阻材料掩膜922相同或相似的掩膜)。在硬化的光阻材料掩膜被移除後，耦合間隔層1012被沉積在非磁性材料1010上並與之接觸；另一個鐵磁材料層1008被沉積在耦合間隔層1012上並與之接觸，AFM層1014沉積在鐵磁層1008上並與之接觸。
[0047]關於這裡公開的每個實施例所討論的特定步驟只是一個選擇並且取決於使用的材料與/或既定系統的設計標準。上面的詳細說明書、示例與數據為本發明的示例性實現與結構提供了全面的描述。因此，在沒有背離本發明的設計理念與範圍，可以製造很多本發明的實施例，因此本發明存在於後面附加的權利要求中。
【權利要求】
1.一種傳感器裝置包括: 位於傳感器堆棧第一側的屏蔽，所述屏蔽包含: 第一鐵磁材料層； 第二鐵磁材料層； 隔離所述第一層與所述第二層的耦合間隔層，其中所述第一層與所述第二層之間在鄰近所述傳感器堆棧的區域的距離大於遠離所述傳感器堆棧的區域的距離。
2.如權利要求1所述傳感器裝置，其中所述耦合間隔層具有可變厚度。
3.如權利要求1所述傳感器裝置，其中所述第一層與所述第二層之間在與所述傳感器堆棧中心軸向對齊的區域的距離大於遠離所述傳感器堆棧的區域的距離。
4.如權利要求1所述傳感器裝置，還包括: 在所述第一層與所述第二層之間的非磁性層。
5.如權利要求4所述傳感器裝置，其中所述非磁性層具有在交叉磁軌方向延伸的，超出所述傳感器堆棧相對的表面的相對的邊緣。
6.如權利要求1所述傳感器裝置，其中所述第一層，所述第二層與所述耦合間隔層構成所述傳感器堆棧的頂部屏蔽的合成反鐵磁(SAF)結構。
7.如權利要求1所述傳感器裝置，其中所述第一層、所述第二層與所述耦合間隔層構成所述傳感器堆棧的底部屏蔽的SAF結構。
8.—種SAF結構包括: 第一鐵磁材料層； 第二鐵磁材料層； 間隔所述第一層與所述第二層的耦合間隔層，其中所述第一層與所述第二層在中心區域的距離大於邊緣區域的距離。
9.如權利要求8所述SAF結構，其中所述耦合間隔層具有可變厚度。
10.如權利要求8所述SAF結構，其中所述耦合間隔層使用釕材料。
11.如權利要求8所述SAF結構,還包括: 在所述第一層與所述第二層之間的非磁性層。
12.如權利要求8所述SAF結構，其中所述SAF結構是傳感器堆棧的頂部屏蔽的一部分。
13.如權利要求8所述SAF結構，其中所述SAF結構是傳感器堆棧的底部屏蔽的一部分。
14.一種傳感器裝置包括: 位於傳感器堆棧第一側的屏蔽，所述屏蔽包括: 第一鐵磁材料層； 第二鐵磁材料層； 隔離所述第一層與第二層的耦合間隔層，其中所述第一層與所述第二層之間在鄰近所述傳感器堆棧的區域的距離大於遠離所述傳感器堆棧區域的距離；與把所述屏蔽從所述傳感器堆棧分開的非磁性層。
15.如權利要求14所述傳感器裝置，其中所述耦合間隔層具有可變厚度。
16.如權利要求14所述傳感器裝置，其中所述第一層與所述第二層間在與所述傳感器堆棧中心軸向對齊的區域距離大於遠離所述傳感器堆棧的區域的距離。
17.如權利要求14所述傳感器裝置，還包括: 在所述第一層與所述第二層之間的非磁性層。
18.如權利要求17所述傳感器，其中所述非磁性層在交叉磁軌方向的長度大於所述傳感器堆棧在所述交叉磁軌方向上的長度。
19.如權利要求14所述傳感器裝置，其中所述第一層、所述第二層與所述耦合間隔層構成所述傳感器裝置的頂部屏蔽的合成反鐵磁結構(SAF)。
20.如權利要求14所述傳感器裝置，其中所述第一層、所述第二層與所述耦合間隔層構成所述傳感器裝置的底部屏蔽的SAF結構。
【文檔編號】G11B5/11GK104347083SQ201410356739
【公開日】2015年2月11日 申請日期:2014年7月24日 優先權日:2013年7月30日
【發明者】K·麥克內爾, A·高根, M·奧姆斯頓, V·B·薩波日尼科夫 申請人:希捷科技有限公司