用於電致變色設備的導電支件、包含所述導電支件的電致變色設備及其製造法的製作方法
2023-10-05 15:54:49
本發明目的在於一種導電支件、包含所述導電支件的電致變色設備及其製造法。以傳統的方式，電致變色玻璃體的下電極是基於氧化銦（一般是以縮寫ito而更為熟知的摻雜有錫的氧化銦（厚度為100nm至600nm的量級））的透明層，並且其方阻大於10歐姆—15歐姆。為了實現具有大於1米的兩個金屬接觸之間的距離的大尺寸電致變色模塊並且為了保持有色狀態與無色狀態之間的滿意切換時間，希望的是在保持大於70%的透明度的同時將方阻降低到小於5ohm/sq的值。此外，製造處理有待於簡化以及在工業規模上可靠化而不產生損壞，甚至是改善電致變色設備的光學和電學性能。為此，本發明提出一種用於電致變色設備的導電支件，包括：-玻璃襯底（透明的，如果在表面處紋理化，則有可能地尤其是半透明的），由有機或無機玻璃製成，具有從1.45到1.8的範圍內的折射率n1，具有稱為第一表面的第一主面，-電極，其包括被布置成柵格（稱為金屬柵格）的層，由（多個）金屬材料（純的或合金，優選地為單層甚至多層）製成，呈現小於10ω/□（更好的小於5ω/□）的方阻，所述金屬柵格呈現至少100nm並且優選地至多1500nm的厚度e2，所述金屬柵格由具有小於或等於50μm的寬度a的股線（另外稱為軌道）形成並且被分離開小於或等於5000μm而且至少50μm的股線之間的距離b，這些股線被具有如下的表面的多個電絕緣的非導電域分離：所述表面最遠離所述襯底而被稱為高表面，各域優選地具有大於1.65的折射率。所述導電支件從第一表面側起包括給定組分的優選地電絕緣的第一無機層，所述第一層直接在所述第一表面上或者在一下部層上，該下層尤其是阻擋層—無機物單層或多層—阻擋溼氣（如果是塑料襯底的話）或阻擋鹼性物質（如果是玻璃的話），所述第一層在厚度上被部分地或完全地構造而具有貫通孔或腔體，貫通孔或腔體具有寬度wc以用於至少部分地錨定所述金屬柵格，所述高表面是所述第一層的表面或是上層—優選地具有小於或等於200nm的厚度的無機物—的表面。所述股線沿著其長度呈現在與高表面齊平的（平坦）旁側區域之間的中心區域，並且所述中心區域的表面粗糙度大於（平滑的）所述旁側區域的表面粗糙度，所述旁側區域的粗糙度參數rq優選地至多是5nm。所述導電支件另外包括由無機材料（單個或多個材料）製成的導電塗層，該導電塗層優選地直接覆蓋高表面，在所述旁側區域之上並且與所述旁側區域電連接，有可能地呈現在所述中心區域之上並且與所述中心區域電連接，具有小於或等於500mn—更好地小於或等於200nm—的厚度e5，具有小於20ω.cm並且大於所述金屬柵格的電阻率的電阻率ρ5，並且其具有至少1.5—更好地至少1.55—並且甚至至少1.7的折射率n5。並且在所述中心區域中，當所述中心區域從所述高表面過齊平時，股線表面的中間和所述高表面相距如下的豎向距離h：該豎向距離h是正交於所述第一表面取得的並且小於或等於500nm，更好地小於或等於300nm並且甚至小於或等於100nm。所述金屬柵格（其中心區域）優選地至少部分地被錨定在所述第一層中，並且有可能地被完全地錨定在所述第一層上的有可能的電絕緣上層（單層或多層）中。選取可能的最平滑的高表面—所述第一層的表面或有可能的上層的表面—以便減少洩漏電流。（所述第一層或所述上層的）所述高表面可以優選地呈現小於10nm、更好地小於5nm並且甚至小於2nm的粗糙度rq。rq可以是根據iso4287規範定義的，並且可以通過原子力顯微鏡來測量。在欠齊平情況下將h限制於500nm，以使得輪廓儘可能不陡峭。儘可能多地減少過齊平，以錨定層並且允許通過各非導電域進行柵格側壁的鈍化。優選地，（平坦）旁側區域的（表面的）粗糙度參數rq至多是5nm並且甚至至多3nm並且甚至至多2nm或者還至多1nm。並且優選地，每個（平坦）旁側區域中的rmax（最大高度）至多是20nm並且甚至至多10nm。通過液相法（如自動催化沉積（通過鍍銀等））特別是針對柵格材料的沉積而獲得大於所述旁側區域的表面粗糙度的所述中心區域的粗糙度。所述中心區域的粗糙度隨所述金屬柵格的厚度增加（所述旁側區域的平滑性質獨立於厚度）。所述中心區域中的粗糙度參數rq（或rms）可以是至少10nm並且甚至至少20nm並且優選地至多60nm。並且甚至所述中心區域中的粗糙度參數rmax（最大高度）可以是至少100nm並且甚至至少150nm並且優選地至多500nm。所述金屬柵格的rmax和rq可以是根據iso4287規範定義的，並且可以通過原子力顯微鏡來測量。根據本發明，與高表面齊平的旁側區域可以嚴格地處於與高表面相同的平面上，或可以從其偏離至多10nm並且更好地至多5nm。每個（平坦）旁側區域與所述高表面齊平的事實還出自通過液相法（如基於reposer溶液中的金屬鹽的還原的自動催化（按英語的「electroless（無電）」）沉積）對金屬的沉積，沉積是通過掩模層的開孔在通過溼法蝕刻（部分地或完全地）構造的層上執行的。該齊平現象獨立於金屬厚度。特別是，在自動催化沉積（如鍍銀（按英語的「silvering（鍍銀）」））的示例中，金屬（如銀）沉積在被（部分地或完全地）構造的層（單獨的上層，或者上層和第一層）的孔中。由於在通過溼法蝕刻構造的層的形成期間產生的橫向蝕刻，孔比掩模層的開孔更寬。銀沉積在側壁上並且沉積在位於每個孔之上的掩模層的被稱為內表面的表面上，內表面在高表面的平面中並且因此超出每個孔的側壁。由於旁側區域與本身具有平滑內表面的掩模層接觸，與高表面齊平的旁側區域是平坦、平滑的。至於內表面，其再現高表面的平滑、平坦性質。溼法蝕刻在內表面和平滑側壁以及腔體底部上不生成顯著粗糙度（相對於在平滑表面上的沉積，這些潛在地生成的粗糙不增加柵格表面的粗糙度）。在物理氣相沉積（「pvd」）（如磁控陰極濺射）期間，由於通過掩模層（如（光）樹脂）的開孔的陰影效果，股線的旁側區域呈盆形，形成具有等於在隨後製造電致變色設備時易於生成短路的（部分地或完全地）所構造出的層的腔體的高度的深度的形態的破裂。在該類型的沉積中，對於欠齊平或過齊平的柵格而言，股線不具有平滑的並且與高表面齊平的旁側區域。另外，鍍銀比物理氣相沉積「pvd」更簡單，更不複雜（沒有真空設施等），並且適合於任何尺寸的金屬柵格。此外，通過鍍銀沉積的銀的電導率是足夠的（典型地比通過pvd產生的銀柵格的電導率低30%至40%）。在優選的實施方式中，因為對於製造是可靠的並且最簡單，所以中心區域欠齊平於高表面，並且h大於100nm，甚至大於150nm。在測試期間，申請人確證了在中心區域的金屬柵格的表面與高表面之間的足夠的間隙的優點。實際上，在過齊平的金屬柵格的情況下或者在具有更小h值的欠齊平的金屬柵格的情況下，申請人觀測到出現具有20nm至200nm的量級的高度h1以及具有沿著旁側區域的內部邊沿延伸的20nm至500nm的量級的半高寬w1的金屬凸起。這些凸起是連續的或不連續的。這些凸起是有害的，因為易於增加洩漏電流。根據本發明的大於100nm、甚至大於150nm的間隙h允許顯著減少這些凸起及其高度，甚至於抑制它們。根據本發明，當金屬柵格欠齊平於高表面（其中h大於100nm，更好地大於150nm）時，根據本發明的金屬股線中的大部分並且甚至每一金屬股線沒有這些凸起。根據本發明，當沿著旁側區域的內部邊沿延伸的這些凸起具有小於10nm的高度時，金屬股線表面（優選地為銀）被看作為沒有凸起。在另一實施方式中，h小於或等於100nm，並且甚至優選地，中心區域欠齊平於高表面，優選地，金屬股線表面沒有沿著旁側區域的內部邊沿（中心區域側）延伸的高度大於10nm的（金屬）凸起。在小的間隙h的情況下，在去除掩模層期間生成凸起。假設當間隙h小（幾乎齊平的股線）時，（部分地或完全地）構造的層的孔中所沉積的柵格金屬（銀）與掩模層的側壁上的柵格金屬之間的破裂歸因於柵格金屬與掩模層上的柵格金屬之間的更大的接觸區域而在實施上更為棘手。然而，可以通過化學侵蝕消除這些凸起。以有利的方式，導電支件可以包括如下的層，該層被稱為不連續的鈍化層，由電氣材料製成，形成定位於中心區域之上並且有可能地定位於股線的旁側區域之上的絕緣軌道的柵格，完全地覆蓋中心區域並且有可能地部分地或完全地覆蓋旁側區域並且（高表面之上）不橫向地超出股線的外部邊沿或者（在高表面之上）橫向地超出股線的外部邊沿至多1μm，甚至至多500nm或者還至多200nm，甚至不超出中心區域。此外，根據本發明的絕緣柵格可以潛在地允許限制洩漏電流並且因此限制電致變色設備的壽命的劣化。此外，如果絕緣柵格的表面是平滑的（例如通過溶膠—凝膠法或其它液相法方法獲得的層），則其可以使作為洩漏電流的來源的大的缺陷平坦化。金屬柵格呈現可能甚至是不可見的小寬度a的股線並且優選地是不規則的並且更好地是隨機的以消除可能的衍射現象。並且鈍化被定位於股線之上。由於絕緣軌道不橫向地延伸超過金屬股線（或者稍微超出小於1μm），因此絕緣軌道不導致有源表面的損失（或者根據股線的寬度與按照本發明而可能的橫向超出的比率來看，微小的損失）。出現比中心區域更平滑的旁側區域另外地取得根據本發明的支件的主要優點。旁側區域本身不需要被鈍化（因為是平滑的）。根據本發明的製造處理允許將絕緣軌道部分地或完全地定位在旁側區域上，並且因此完全地重新覆蓋粗糙的中心區域。由於旁側區域是平滑的並且不生成洩漏電流，因此僅可能是部分的對它們的覆蓋並不是造成妨礙的。僅是部分的覆蓋的可能性還允許通過在處理參數的選取上賦予容限來提供在製造處理方面的優點。中心區域越大，容限就越大。只要中心區域被完全覆蓋，絕緣軌道就因此可以無差別地完全地或部分地覆蓋旁側區域。中心區域的寬度可以大於、等於或小於（在高表面處限定的）每個旁側區域的寬度。這取決於e2、h以及容納金屬柵格的孔的寬度。優選地，鈍化層在中心區域之上具有稱為上表面的表面，其呈現小於10nm、更好地小於5nm並且甚至小於2nm的粗糙度參數rq以及甚至小於100nm、更好地小於50nm並且甚至小於20nm的粗糙度參數rmax。並且鈍化層優選地具有側壁，其呈現小於10nm、甚至小於5nm並且更好地小於2nm的粗糙度參數rq以及甚至小於100nm、更好地小於50nm並且甚至小於20nm的粗糙度參數rmax。鈍化層可以是單層甚至多層的、透明的或不透明的（是或多或少吸收的），並且具有任何折射率。鈍化層可以是有機的，特別是聚合物的。在鈍化的第一實施方式中，電絕緣材料是正性（退火）光敏材料，具有如下的厚度e6：小於1000nm、甚至至多600nm並且在導電塗層之上甚至至多300nm。光敏材料傳統上被以平版印刷方式利用於掩模層，並且按英語被命名為「photoresist（光致抗蝕劑）」。其一般涉及光樹脂。「正性」光敏材料傳統上是如下類型的光敏材料：對其而言暴露於uv光的部分變為可溶於顯影劑（顯影溶液）並且其中未被暴露的光敏材料部分保持不可溶。「負性」光敏材料傳統上是如下的類型的光敏材料：對其而言暴露於光的部分變為不可溶於顯影劑並且其中未被暴露的光敏材料部分保持可溶。鈍化層可以是單層甚至多層的、透明的或不透明的（是或多或少吸收的），並且具有任何折射率。絕緣軌道呈現由於正性光敏材料的顯影導致的傾斜側壁。尤其是絕緣軌道的基部可能與高表面成至多60°、甚至在40°和50°之間的角度α，以至於絕緣軌道在遠離第一表面的同時具有降低的寬度。鈍化層的截面典型地呈圓頂形狀而沒有銳角。與所有預期相反，正性光敏材料與製造電致變色設備的以後的各步驟是兼容的。平坦化材料的厚度優選地是金屬柵格的rmax值的量級。在該第一方式的優選實現中，鈍化層是基於以下材料中的至少一個的層：聚醯亞胺、聚矽氧烷、苯酚甲醛（以名稱「酚醛清漆（或者按英語的「novolac（酚醛清漆）」）樹脂」而已知）或聚甲基丙烯酸甲酯（pmma）。在第二實施方式中，鈍化層是無機的，並且更特別地是優選地通過溶膠—凝膠法的氧化物的層和/或作為金屬的材料的氮化物和/或矽的氮化物的層，並且優選地是如下的層：氮化矽、或者氮化鈦、或者氧化鈦、氧化鋯、氧化矽、氧化鈮及其混合物。可以通過不同的方法（例如陰極濺射或溶膠—凝膠）來沉積絕緣軌道的材料。溶膠—凝膠處理歸因於其更低的成本以及通過溶膠—凝膠的材料的平坦化性質而是有益的。兩種配置對於鈍化層而言是可能的。在第一配置中，鈍化層處於（優選地無機的）導電塗層上。在第二配置中，鈍化層處於（優選地無機的）導電塗層與中心區域（並且甚至旁側區域）之間。在一種配置中，導電塗層（優選地基於銦的層）是不連續的並且缺少中心區域。導電塗層可以是不連續的，缺少中心區域，並且h於是被限定於股線表面的中間與導電塗層的表面之間。第一層可以是優選地通過溶膠—凝膠法的氧化物的層和/或作為金屬的材料的氮化物和/或矽的氮化物的層，並且優選地是如下的層：氮化矽、氮化鈦、或者氧化鈦、氧化鋯、氧化矽及其混合物，或者還有尤其基於鋅的透明導體氧化物的層。根據本發明的有可能地被部分地構造的第一層可以處於大的表面（例如大於或等於0.005m2甚至大於或等於0.5m2或大於或等於1m2的表面）之上。根據本發明的柵格可以處於大的表面（例如大於或等於0.02m2甚至大於或等於0.5m2或大於或等於1m2的表面）之上。可以將阻擋溼氣的下層添加到所選取的塑料襯底上。阻擋層可以基於氮化矽、碳氧化矽、氮氧化矽、氮碳氧化矽或二氧化矽、氧化鋁、氧化鈦、氧化錫、氮化鋁、氮化鈦，例如具有小於或等於10nm並且優選地大於或等於3nm甚至大於或等於5nm的厚度。其可能涉及多層。在本發明中，所有折射率是在550nm處定義的。關於金屬柵格，股線是伸長的—未相連的或優選地互連的（至少在有源區中），尤其呈網格狀。絕緣軌道具有相同的架構。以優選的方式，通過自動催化沉積並且優選地通過鍍銀來獲得金屬柵格。有利地，根據本發明的金屬柵格可以呈現小於10ohm/carré、優選地小於或等於5ohm/carré並且甚至1ohm/carré的方阻。特別是，獲得低的rcarré允許增加電致變色模塊的常規尺寸並且降低有色狀態/無色狀態的切換時間。金屬柵格的一種或多種材料是在由如下形成的組中選取的：銀、銅、鎳（尤其是純的材料），或者可以是基於這些金屬的合金。柵格優選地基於銀。金屬柵格可以優選地為單層（銀）甚至多層（優選地具有至少80%、甚至90%的銀）。金屬柵格可以為多層，尤其是銀的多層，並且按以下順序包括（甚至構成自）：-第一金屬層（直接在腔體的底部或者最接近腔體的底部的金屬層上），優選地由第一金屬材料製成，第一金屬材料優選地基於銀甚至由銀構成，第一金屬層形成為小於柵格的總厚度e2的15%並且甚至10%和/或至少3nm、5nm、甚至至少10nm、並且優選地小於100nm甚至50nm，-第二金屬層（在第一層上，遠離於襯底），尤其具有可識別的與第一層的界面，基於第二金屬材料，第二金屬材料優選地選取自如下當中：銀、鋁或銅，第二金屬層形成柵格的總厚度e2的至少70%、80%以及甚至90%，第二層優選地基於銀，甚至尤其如第一層那樣由銀構成。可以尤其根據第一沉積方法（例如通過鍍銀沉積優選地至少20nm並且甚至至少30nm的厚度，或者通過真空沉積（濺射））形成基於銀的第一金屬層，並且根據第二沉積方法（其優選地為電沉積）形成基於銀的厚度至少為3nm甚至5nm的第二金屬層。電沉積的優點是與鍍銀相比銀的利用率更高並且是較之濺射更不昂貴的處理。金屬柵格可以是多層的，其中各層由不同的材料製成，例如具有抗腐蝕（水和/或空氣）的（例如金屬的）最終保護層，由與下面的金屬層不同的（尤其是不同於銀的）材料製成，具有小於10nm、更好地小於5nm或甚至3nm的厚度。該層特別是利用於基於銀的柵格。另外，金屬柵格可以是多層的，具有由不同材料製成的兩個層（例如雙層），並且由如下組成：-（單個）金屬層，由（優選地甚至基於銀的）前述材料製成，優選地具有至少100nm的厚度，例如是通過鍍銀或真空沉積（濺射）而沉積的，-以及（例如金屬的）抗腐蝕（水和/或空氣）的保護上層，由與金屬層不同的（尤其與銀不同的）材料製成，具有小於10nm、更好地小於5nm或甚至3nm的厚度。金屬柵格可以是金屬（如銀）層，並且塗敷有（尤其是臨時的、尤其是聚合物的）保護上層。金屬柵格可以優選地直接沉積在所選取的被部分地構造的第一層上，甚至沉積在（尤其是進行扣接的）介電下層上（起扣接作用以促進柵格材料的沉積）。下層直接處於被部分地構造的層的腔體（底部並且優選地腔體的所有或部分側壁）上，並且優選地缺少被部分地構造的層（優選地無機的扣接層、尤其是（多個）氧化物（例如透明導電氧化物））的表面。介電下層具有小於30nm甚至小於10nm的厚度ea。通過磁控陰極濺射來容易地沉積該扣接層。出於簡單而優選金屬柵格直接與所構造的層接觸（柵格與腔體的底部之間沒有層）。將a選取為小於或等於50μm以限制股線對於裸眼的可見性，並且將e2選取為至少100nm以更容易地實現低rcarré的目標。金屬股線在電致變色設備的有源區中互連，或者（僅）經由其各端部連接到電接觸。金屬柵格可以採取如下的股線的形式：所述股線採取閉合圖案或網格（限定閉合圖案的彼此間互連的股線）的形式，閉合圖案或網格具有不規則形狀和/或不規則尺寸並且更好地甚至是隨機的。厚度e2並非沿著股線的寬度在腔體中是必然恆定的。優選地，其是在股線的表面的中心處定義的。寬度a並非在給定的腔體中是必然恆定的。可以將b定義為股線之間的最大距離，該最大距離尤其對應於網格的兩個點之間的最大距離。a和b可以從一個股線到另一股線而變化。由於金屬柵格可能是不規則的，因此尺寸a優選地是各股線上的平均尺寸，正如e2是均值那樣。如果所構造的層是溶膠—凝膠，則（在股線的表面的中心處定義的）厚度e2可以小於1500nm、更好地小於1000nm、尤其是在從100nm到1000nm的範圍內，或者小於800nm並且特別是在從200nm到800nm的範圍內，尤其是從100nm到500nm或甚至從100nm到300nm。寬度a優選地小於30μm，以還限制股線對裸眼的可見性。a優選地處於從1μm到20μm、還更優選地從1.5μm到20μm或甚至從3μm到15μm的範圍內。b至少是50μm並且甚至至少是200μm，並且b小於5000μm、更好地小於2000μm、甚至小於1000μm。根據本發明的金屬柵格的另一特性是覆蓋比率t，其優選地小於25%、並且還更好地小於10%並且甚至小於6%或小於2%。並且優選地，絕緣柵格呈現小於或等於t、小於25%或小於10%並且甚至小於6%的覆蓋比率t』。特別是，當e2處於800nm和1500nm之間並且a介於10μm和50μm之間時，可以期望在2000μm和5000μm之間的b。這對應於介於0.4%至6.0%之間的覆蓋比率。特別是，當e2小於500nm並且a介於3μm和20μm之間或者在3μm到10μm之間時，可以期望在200μm和1000μm之間的b。這對應於介於0.5%和22%之間或者在0.5％到11%之間的覆蓋比率。對於給定的rcarré而言，在高的股線寬度a處優先提供大的金屬柵格厚度e2以獲得透明性。特別是，與金屬柵格在非導電域中的錨定有關的多個實施方式是可能的。在第一實施方式中，優選地電絕緣並且甚至優選地為溶膠—凝膠的第一層被在厚度上完全地進行構造而具有寬度wc的貫通孔，並且優選地未構造有可能的下阻擋層。在第二實施方式中，優選地電絕緣並且甚至優選地為溶膠—凝膠的第一層被電絕緣地在厚度上部分地進行構造而由如下形成：–在金屬柵格之下的被稱為低區域的區域，–被構造的區域，該區域形成非導電域並且具有寬度wc的腔體—因此具有未穿通的孔，優選地，旁側區域與第一層毗鄰並且具有寬度l1，l1大於腔體的高度ec並且l1≤2ec並且甚至l1≤1.4ec。在第三實施方式中，存在：-上層（單層或多層），由優選地為無機的、限定貫通孔的不連續的電絕緣材料製成，所述上層形成非導電域的一部分，高表面是上層的表面，具有至多500nm並且甚至300nm或至多100nm並且優選地至少20nm的厚度ez，–優選地為無機的、電絕緣的第一層，其是：–在厚度上被完全地進行構造而在上層與第一層之間的界面處具有寬度wc的貫通孔—至少容納金屬柵格的（中心區域的）下部分的腔體，金屬柵格的中心區域的上部分有可能地在上層的貫通開孔中延伸，甚至超過高表面），-或者是在厚度上被部分地構造而由如下形成：-金屬柵格之下的被稱為低區域的區域，-在上層之下（並且在低區域之上）的被構造的區域，是具有面對貫通孔的寬度wc的腔體（因此未穿通的開孔）—尤其是至少容納金屬柵格的（中心區域的）下部的腔體（金屬柵格的中心區域的上部可能地在上層的貫通開孔中延伸甚至超過高表面）—的區域。在上層與第一層之間的界面（上層—被構造的區域界面）處，貫通孔具有寬度w1，腔體具有寬度wc，優選地其中，wc≥w1，甚至wc>w1。當wc>w1時，股線的被稱為邊沿區域的區域與旁側區域毗鄰，比旁側區域更處於外周並且處於上層之下的腔體中—因此與第一層的表面齊平（旁側區域形成厚度ez的邊沿區域的凹部）。當wc>w1時，旁側區域具有被定義為點x』』與y』之間的距離的寬度l1，邊沿區域具有被定義為點x』與y之間的距離的寬度l2，y』』是y在旁側區域的表面的平面中的正交投影，l3是x』』與y』』之間的距離，l3大於總高度ec+e』c並且l3≤2(ec+e』c)並且甚至l3≤1.4(ec+e』c)，其中ec是（在中間處取得的）腔體的高度並且e』c是孔的高度。優選地，如果w1>wc，則a被定義在高表面處，並且如果w1≤wc，則a被定義在第一層的表面處。優選地，如果w1>wc，則b被定義在高表面處，並且如果w1≤wc，則b被定義在第一層的表面處。當第一層在厚度上被部分地構造並且優選地具有大於200nm的高度ec的腔體優選地由喇叭口形側壁界定時，腔體在遠離塑料襯底的同時變寬。可以限定大於ec的水平距離l並且其中l≤2ec。l在點x和y之間，使得x是側壁的最高點並且y是腔體的底部的端部處的點。高度為e』c的上層的孔可以由喇叭口形側壁界定，在遠離塑料襯底的同時變寬，具有大於e』c的水平距離l』，並且其中l』≤2e』c。當第一層是在厚度上被部分地構造的層（該層的上表面可能地形成高表面）時，腔體越深，旁側區域越大。上層是透明的，具有最小可能的吸收。優選地，上層是無機的，尤其包括金屬和/或矽的氧化物、金屬和/或矽的氮化物、金屬和/或矽的氮氧化物（sion）的層。其厚度ez可以小於200nm、小於150nm、小於100nm並且甚至從5nm或20nm到80nm。其可以尤其是金屬氧化物或金屬氧化物和金屬氮化物（如sio2/si3n4）的單層或多層。上層是例如（保護）阻擋物層或者酸（例如王水，其為用於導電塗層的ito的常用蝕刻溶液）蝕刻停止層。優選地，上層包括如下的氧化物的至少一個層：ti、zr、al及其混合物或者還有sn並且可能地包括矽。這些氧化物可以是通過氣相沉積，尤其是磁控濺射或者還通過溶膠—凝膠法沉積的。優選地，上層具有大於1.7的折射率。在多層的情況下，限定優選地大於1.7的平均折射率。在多層的情況下，優選的是具有小於1.7的折射率的任何層具有小於50nm的厚度。上層具有未穿通的孔或優選地具有貫通的孔。孔可以具有大於20nm並且甚至至少50nm或100nm並且優選地小於300nm的高度e』c以及小於或等於30μm的寬度a』c。e』c是在孔的中心處取得的。孔可以形成任何形狀（例如直形或彎曲）的規則地或不規則地間隔開的尤其是（至少在有源區中）未相連的（線形）溝槽。孔可以形成柵網，也就是說，任何形狀（尤其是（方形、矩形、蜂窩形）幾何形狀）的規則或不規則網格的周期性或非周期性的（二維）互連的開孔網。網格可以由網格的兩個點之間的最大寬度來定義。優選地由金屬柵格來部分地填充（形成為柵格，限定金屬柵格的布置的）第一層的腔體或貫通孔。腔體由最常見地形成盆形的底部和側壁界定。對非導電域進行分離的第一層的腔體或貫通孔可以具有大於200nm並且甚至至少250nm或500nm並且優選地小於1500nm或1200nm的高度ec以及小於或等於30μm的寬度ac。ec是在腔體的中心處取得的。優選地在腔體的底部處取得ac。第一層的腔體或貫通孔可以形成任何形狀（例如直形或彎曲）的規則地或不規則地間隔開尤其是（至少在有源區域中）未相連的（線形）溝槽。第一層的腔體或貫通孔可以形成柵網，也就是說，任何形狀（尤其是（方形、矩形、蜂窩形）幾何形狀）的規則或不規則網格的周期性或非周期性的（二維）互連的開孔網。網格可以由網格的兩個點之間的最大寬度bc定義。優選地，ec大於200nm、甚至大於250nm或大於500nm。ec優選地為亞微米級。優選地，e』c大於100nm、甚至大於250nm並且小於或等於500nm。e』c優選地為亞微米級。在本發明的意義內，當明確為層或（包括一個或多個層的）塗層的沉積是直接在另一沉積之下或直接在另一沉積之上執行的時，是指這兩個沉積之間不能存在任何層的插入。在本發明中，所有折射率是在550nm下定義的。導電塗層具有小於20ω.cm、甚至小於10ω.cm或小於1ω.cm並且甚至小於10-1ω.cm並且大於金屬柵格的電阻率的電阻率ρ5，並且具有至少1.55、更好地1.6並且還更好地1.7的給定的折射率n5。優選的是根據各股線之間的距離調整電阻率。電阻率由於b大而更小。例如，對於b＝1000μm以及e5＝100nm而言，優選小於0.1ω.cm的電阻率。對於200μm的b以及e5＝100nm而言，優選小於1ω.cm的電阻率。根據本發明的導電塗層貢獻於更好的電流分布。導電塗層優選地是單層而非多層。塗層的表面可以再現尤其是通過氣相沉積獲得的柵格的表面粗糙度。中心區域之上的塗層可以欠齊平於高表面。導電塗層可以因此包括（或優選地由如下構成）：具有介於1.7和2.3之間的折射率na的無機層，優選地其為（距襯底最遠的）塗層的最終層並且甚至僅為單個的，優選地具有小於150nm的厚度，基於：透明導電氧化物、簡單的或混合的氧化物：–尤其是基於有可能摻雜的以下金屬氧化物中的至少一個：氧化錫、氧化銦、氧化鋅、氧化鉬moo3、氧化鎢wo3、氧化釩v2o5，-（優選地）基於ito，例如基於氧化錫鋅snzno或基於氧化銦鋅（被命名為izo）或基於氧化銦錫鋅（被命名為itzo）的（尤其是無定形的）層。優選地，基於氧化鋅的層被摻雜有鋁和/或鎵（azo或gzo）。由zno的氧化物製成的層優選地被摻雜有al（azo）和/或ga（gzo），具有如下的按zn+al或zn+ga或zn+ga+al或zn+優選地選取自b、sc或sb或還選取自y、f、v、si、ge、ti、zr、hf並且甚至選自in的其它摻雜劑的重量的百分比總和：該百分比總和按金屬的總重量至少為90%、更好地至少為95%並且甚至至少97%。對於根據本發明的azo層而言，可能優選的是按鋁的重量的百分比對於按鋁和鋅的重量的百分比之和（又稱為al/(al+zn)）小於10%，優選地小於或等於5%。為此，可以優選地使用氧化鋁和氧化鋅的陶瓷靶，使得按氧化鋁的重量的百分比對於按氧化鋅和氧化鋁的重量的百分比之和（典型地為al2o3/（al2o3+zno））小於14%，優選地小於或等於7%。對於根據本發明的gzo層而言，可能優選的是按鎵的重量的百分比對於按鋅和鎵的重量的百分比之和（又稱為ga/(ga+zn)）小於10%，並且優選地小於或等於5%。為此，可以優選地使用氧化鋅和氧化鎵的陶瓷靶，使得按氧化鎵的重量的百分比對於按氧化鋅和氧化鎵的重量的百分比之和（典型地為ga2o3/（ga2o3+zno））小於11%，優選地小於或等於5%。在所選取的基於氧化錫鋅（snzno）的層中，按sn的總金屬重量的百分比優選地從20%到90%（並且優選地對於zn而言從80%到10%），並且特別是從30%到80%（並且優選地對於zn而言從70%到20%）；尤其是，按sn/(sn+zn)重量的比率優選地從20%到90%並且特別是從30%到80%。優選地為ito或基於氧化鋅的無機層優選地呈現小於或等於60nm、50nm甚至40nm或甚至30nm並且甚至小於10nm的厚度，並且具有小於10-1ω.cm的電阻率。優選地，選取通過物理氣相沉積、尤其是通過磁控濺射而沉積的選取自ito和zno（azo、gzo、agzo）、甚至moo3、wo3、v2o5的層。氧化銦錫（又或是摻雜錫的氧化銦或對於英語名稱「indiumtinoxide（氧化銦錫）」而言的ito）優選地理解為表示混合氧化物或從銦（iii族）的氧化物（in2o3）和錫（iv族）的氧化物（sno2）獲得的混合物，優選地在質量比例上對於第一氧化物而言介於70%和95%之間並且對於第二氧化物而言介於5%和20%之間。典型的質量比例為針對於sno2的質量近似為10%，in2o3的質量近似為90%。導電塗層可以構成自具有介於1.7和2.3之間的從而等於n5的折射率na的無機層。導電塗層可以是多層，並且（優選地直接）包括：在上述無機層（尤其是最終層）之下的第一層，該第一層直接在金屬柵格（單層或多層柵格）上，由透明導電氧化物製成，具有小於200nm的厚度e』5，具有介於1.7和2.3之間的折射率n』5，尤其是選取自如下當中：-優選地基於尤其是摻雜有鋁和/或鎵的氧化鋅（azo或gzo）或可能地或者itzo的層，-和/或例如基於優選地具有小於100nm的厚度的氧化錫鋅snzno或基於氧化銦鋅（命名為izo）或基於氧化銦錫鋅（命名為itzo）的（尤其是無定形的）層。azo或gzo層可以例如允許將無機層（尤其是ito層）的厚度減少到小於50nm。特別是，可以具有ito/a（g）zo或gzo雙層或者還具有（a）gzo或azo/ito雙層。襯底可以是平坦的或彎曲的，並且此外可以是剛性的、柔性的或半柔性的。襯底的各主面可以是矩形的、方形的或甚至任何其它形狀（圓形的、橢圓形的、多邊形的…）。該襯底可以在尺寸上是大的，例如具有大於0.02m2、甚至0.5m2或1m2的表面，並且具有幾乎佔據表面（除了構造區域之外）的下電極。由塑料材料製成的襯底可以實質上是透明的，是聚碳酸酯pc或聚甲基丙烯酸甲酯pmma或者還是pet、聚乙烯醇縮丁醛pvb、聚氨酯pu、聚四氟乙烯ptfe等…。襯底的厚度可以是至少0.1mm，優選地在從0.1mm到6mm、尤其是從0.3mm到3mm的範圍內。如先前所定義的支件可以另外包括（優選地直接）沉積在導電塗層和鈍化層上的電致變色系統。本發明還有關於包含有如先前所定義的導電支件的電致變色設備、具有形成被稱為下電極的電極的金屬柵格的電極，該下電極最靠近第一表面，通常為陽極，尤其是被電致變色系統覆蓋，被上電極—常規的厚ito層—覆蓋。對於上電極而言，在液體電解質的情況下，還可以替換地或累積地使用如先前根據本發明所定義的導電支件。最後，本發明涉及一種製造如先前定義的導電支件的方法，該方法按此順序包括以下步驟：-提供包括如下的襯底：-在第一表面上的可能的下層（阻擋溼氣等），-由所述第一層的組分製成的被稱為「錨定」層的連續的層，-在所述錨定層中形成腔體或貫通孔，因此形成在厚度上被構造的所述第一層，所述第一層的表面是高表面，所述形成包括：-尤其是通過如下來在所述錨定層上實現具有給定的貫通開孔布置的由（負性或正性）光敏材料製成的不連續的掩模層，並且具有側壁：-將所述光敏材料沉積為實心層，-藉助於紫外線源使第一表面側暴露於紫外線，–通過所述掩模層的貫通開孔而對所述錨定層進行溼法蝕刻，創建所述掩模層的懸置於所述腔體或貫通孔之上的區域，並且因此限定所述掩模層的面對所述腔體或貫通孔的被稱為內表面的表面的部分—所述開孔的寬度w0小於所述腔體或貫通孔的在所述高表面處的寬度wc，-形成所述金屬柵格包括：在所述腔體或貫通孔中通過優選地自動催化的液相法沉積所述柵格的第一金屬材料，所述第一材料沉積在所述腔體的（第一界定層的）側壁上並且完全地在所述掩模層的所述內表面上，因此形成股線的與所述高表面齊平並且與股線的中心區域相比更不粗糙的旁側區域，–尤其是通過液相法去除掩模層，-優選地，例如通過物理氣相沉積來沉積優選地無機的導電塗層，–有可能地形成呈絕緣柵格狀的鈍化層—優選地在存在於所述中心區域上的所述導電塗層上的鈍化層，所述鈍化層形成自在所述股線的所述中心區域之上的絕緣軌道。蝕刻是通過溼法蝕刻處理實現的。通過溶液的濃度、溶液的類型、蝕刻的持續時間和/或溶液的溫度來調節所述腔體的深度。（光）敏掩模層於是耐受蝕刻溶液。在蝕刻溶液在所有方向上進行侵蝕（鑿空）的意義上，利用溼法溶液的蝕刻是豎向的並且是橫向的。蝕刻輪廓可以呈半球類型的盆形。腔體具有在與襯底相對的方向上進行擴口的側壁（在遠離襯底的同時變寬）。截面可以呈甚至為半球（類型）的盆形。下文描述運用構造於第一層上的上層（其表面形成高表面的該上層已經被描述）的相似的製造處理。本發明因此還涉及一種製造如先前限定的（具有在第一層上的上層的）導電支件的方法，其按此順序包括如下步驟：-提供包括如下的襯底：-在第一表面上的可能的下層（阻擋溼氣等），-由所述第一層的組分製成的被稱為錨定層的連續的層，-（直接）在所述錨定層上的由所述上層的材料製成的被稱為附加層的連續的電絕緣層，-在所述附加層中形成未穿通的或貫通的開孔，因此形成在厚度上被完全地或部分地構造的所述上層，所述形成包括：–尤其是通過如下來在所述附加層上實現具有給定的貫通開孔布置的由（負性或正性）光敏材料製成的不連續的掩模層，並且具有側壁：-將所述光敏材料沉積為實心層，-藉助於紫外線源使第一表面側暴露於紫外線，-利用第一蝕刻溶液通過所述掩模層的貫通開孔而對所述附加層進行溼法蝕刻，創建所述掩模層的懸置於未穿通的或貫通的孔之上的區域，並且因此限定所述掩模層的面對未穿通的或貫通的孔的被稱為內表面的表面的部分，-在所述錨定層中形成腔體或貫通孔，因此形成其中wc>w1的被部分地構造的第一層，所述形成包括：-利用優選地與所述第一溶液不同並且優選地不蝕刻所述上層的第二蝕刻溶液通過所述掩模層的貫通開孔、所述上層的貫通孔而對所述錨定層進行溼法蝕刻，創建所述掩模層和所述上層的懸置於所述第一層的所述腔體或貫通孔之上的區域，並且因此限定所述上層的面對所述第一層的所述腔體或貫通孔的被稱為另外的內表面的表面的部分，-形成所述金屬柵格包括：在所述第一層的所述腔體或貫通孔中並且在所述上層的貫通孔中通過優選地自動催化的液相法沉積所述柵格的第一金屬材料，因此形成所述股線的在所述內表面之下與所述高表面齊平同時與股線中心區域相比更不粗糙的旁側區域，所述第一材料沉積在所述上層的貫通孔的側壁上、完全地在所述上層的所述另外的內表面上、在所述掩模層的所述內表面上，因此形成所述邊沿區域以及股線的旁側區域，–尤其是通過液相法去除掩模層，-優選地，例如通過物理氣相沉積來沉積優選地無機的導電塗層，-優選地形成呈絕緣柵格狀的所述鈍化層，所述鈍化層形成自優選地在存在於所述中心區域之上的導電塗層上的在股線的中心區域之上的絕緣軌道。通過溶液的濃度、溶液的類型、蝕刻的持續時間和/或溶液的溫度來調節腔體（和/或上層的孔）的深度。（光）敏掩模層耐受蝕刻溶液（第一蝕刻溶液和第二蝕刻溶液）。腔體（和/或上層的孔）在與襯底相對的方向上進行擴口（在遠離襯底的同時變寬）。在蝕刻溶液在所有方向上進行侵蝕（鑿空）的意義上，利用溼法溶液的蝕刻是豎向的並且是橫向的。蝕刻輪廓可以呈半球類型的盆形。這種在所有方向上的侵蝕是掩模層的懸置於腔體或未穿通的或貫通的孔之上的區域的來源。優選wc>w1，因為因此更容易創建與高表面齊平的平滑的外周旁側區域。優選導電塗層是無機的，因為無機的導電塗層更好地耐受在由光敏材料製成的層的化學顯影步驟和/或由光敏材料製成的層的部分的移除的步驟期間所使用的水性化學溶液。以有利的方式，製造方法包括：形成呈絕緣柵格狀的、形成自在股線的中心區域上的絕緣軌道的鈍化層，並且包括：–以實心方式沉積覆蓋所述導電塗層的所述鈍化層的正性光敏材料的層，–藉助於紫外線源使第二主面側暴露於紫外線，-在溶液中顯影，直到使所述正性光敏材料的層呈現為不連續，所述正性光敏材料保持被定位在所述金屬柵格之上以用於形成所述鈍化層。鈍化處理包括平版印刷步驟，但既不藉助於平版印刷掩模也不藉助於對準步驟（這些將產生額外的成本和複雜度）。在使第二面側暴露於uv時，每個（不透明的）金屬股線形成對uv的屏障，因而股線之上的正性光敏材料未被暴露並且不可溶於顯影溶液。絕緣柵格因此在金屬柵格上自對準。依照顯影，側壁將一般地是或多或少傾斜的，使得絕緣股線的寬度隨著厚度而降低。可以經由正性光敏材料的層的uv照射和顯影的條件來控制絕緣軌道的寬度，從而絕緣軌道的寬度大於股線中心區域的寬度，以便使洩漏電流得到更有效的抑制，避免邊沿效應。可以經由鈍化光敏材料的溶液的濃度以及還有uv照射條件和或顯影條件（時間和濃度）來控制絕緣軌道的高度。形成鈍化層是特別簡單並且快速的，因為不需要沉積隨後必需被完全移除的另外的犧牲材料的步驟。在另一實現中，形成呈絕緣柵格的、形成自在股線的中心區域上的絕緣軌道的鈍化層包括：–以實心方式沉積覆蓋所述導電塗層的所述鈍化層的材料的層，-通過如下來在實心層上實現具有給定的貫通開孔布置的由正性光敏材料製成的另外的不連續的掩模層：-沉積覆蓋所述鈍化層的材料的實心層的正性光敏材料，-藉助於紫外線源使第二主面側暴露於紫外線，-在溶液中顯影，直到使被暴露的正性光敏材料的層呈現為不連續，所述層於是定位於所述金屬柵格的股線之上，-通過另外的掩模層的貫通開孔對所述實心層進行溼法蝕刻，創建絕緣軌道，-通過液相法移除該另外的掩模層。尤其是，當h至多是100nm時，（在沉積導電塗層之前）去除掩模層創建沿著金屬柵格的旁側區域的內部邊沿延伸的至少10nm高的金屬凸起，並且方法包括：在去除掩模層之後並且在沉積導電塗層之前，進行溼法蝕刻以消除凸起的步驟。通過液相法沉積第一金屬材料優選為鍍銀，並且柵格優選地是單層。以有利的方式，通過液相法沉積（優選地針對金屬柵格的獨特的沉積）可以是鍍銀，並且優選地柵格是單層並且甚至（基於銀的）第一材料被直接沉積在腔體或未穿通的孔的底部中。用於鍍銀步驟的溶液可以包括銀鹽、銀離子的還原劑並且甚至螯合劑。可以根據鏡的製造領域中通常使用的並且在例如由mallory;glenno.;hajdu,juanb.編輯的作品「electrolessplating-fundamentalsandapplications」（（1990），williamandrewpublishing/noyes）的章節17中描述的傳統操作方式來實施鍍銀步驟。在優選的實施方式中，鍍銀步驟包括：（通過在池中浸潤或通過溶液濺射）利用兩種水性溶液（一個包含金屬鹽（例如硝酸銀），並且另一個包含金屬離子（ag+離子）的還原劑（例如鈉、鉀、醛、酒精、糖））的混合物來實現對如下的襯底的接觸：該襯底具有可能的下層、第一層、可能的上層和具有貫通開孔的掩模層。最經常使用的還原劑是羅謝爾鹽（酒石酸鉀鈉knac4h4o6∙4h2o）、葡萄糖、葡萄糖鈉和甲醛。優選地，在實現該接觸之前，鍍銀步驟包括（上層的腔體和/或孔的表面的）敏化步驟，該步驟優選地包括通過錫鹽進行的處理，和/或（上層的腔體和/或孔的表面的）活化步驟，該步驟優選地包括通過鈀鹽進行的處理。這些處理為此本質上具有（通過銀）促進後續金屬化並且增大（在上層的腔體和/或孔中）形成的銀金屬層的粘附力的功能。針對這些敏化和活化步驟的詳細描述，可以例如參照us申請2001/033935。更明確地，可以通過如下來進行鍍銀：將襯底（該襯底具有可能的下層、第一層、可能的上層以及由（光）樹脂製成的具有貫通開孔的掩模層）按此順序浸沒在每個具有以下三種溶液之一的池中：-第一水性（敏化）sncl2溶液，優選地進行攪拌（優選地在小於5分鐘的時間期間內，例如0.5分鐘至3分鐘），然後進行（蒸餾）水清洗，-第二水性（活化）pdcl2溶液，優選地進行攪拌（優選地在小於5分鐘的時間期間內，例如0.5分鐘至3分鐘），然後進行（蒸餾）水清洗，-第三，其為銀鹽（優選地氮化銀）溶液和銀還原劑（優選地葡萄糖鈉）溶液的混合物，優選地進行攪拌（優選地在小於15分鐘並且甚至5分鐘的時間期間內，例如從0.5分鐘到3分鐘），然後進行（蒸餾）水清洗。被塗敷並且因此鍍銀的襯底隨後被從最後的池收回並且進行（蒸餾）水清洗。另一實施方式在於：按與前面相同的順序濺射前述的三種溶液而不是浸沒襯底（該襯底具有可能的下層、第一層、可能的上層以及由（光）樹脂製成的具有貫通開孔的掩模層）。優選地通過液相法，特別是通過在溶劑（丙酮等）中的超聲來實現（在沉積導電塗層之前的）掩模層的去除。直接在柵格上並且（直接）在第一層或可能的上層、單層或多層和/或單一或多種材料的塗層上沉積導電塗層可以是通過物理氣相沉積（尤其是通過陰極濺射）進行的，其中進行snzno或azo的可能的第一沉積以及第二或最終或優選地獨特的ito沉積或基於（摻雜的）zno、甚至moo3、wo3或v2o5的沉積。處理可以包括：在沉積導電塗層之前的加熱步驟，優選地介於150°c和550°c之間，優選地在介於5分鐘和120分鐘之間的持續時間期間，特別是在介於15分鐘和90分鐘之間的持續時間期間，和/或在沉積無機導電塗層之後的加熱步驟，在沉積鈍化層之前或之後，在優選地介於150°c和550°c之間的溫度下，優選地在介於5分鐘和120分鐘之間的持續時間期間、特別是在介於15分鐘和90分鐘之間的持續時間期間。現在將藉助於非限制性示例和各圖來更詳細地描述本發明：-圖1是根據本發明第一實施方式的其中股線中心區域與高表面欠齊平的用於電致變色設備的導電支件的示意性截面圖，-圖1a圖解在沒有鈍化層的情況下的圖1的詳細視圖，-圖1b圖解在由申請人實現的比較示例中的具有通過pvd沉積的柵格的股線的被部分地構造的第一層的腔體的截面的詳細的示意性視圖，-圖2是根據本發明第二實施方式的其中第一層被完全地構造的用於電致變色設備的導電支件的示意性截面圖，-圖3是根據本發明第三實施方式的其中在中心區域與導電塗層之間進行鈍化的用於電致變色設備的導電支件的示意性截面圖，-圖4是根據本發明第四實施方式的其中柵格與高表面齊平的用於電致變色設備的導電支件的示意性截面圖，-圖5是根據本發明第五實施方式的其中柵格與缺少中心區域的導電塗層的表面齊平的用於電致變色設備的導電支件的示意性截面圖，-圖6是根據第六實施方式的其中柵格被錨定在被構造的第一層和上層中的用於電致變色設備的導電支件的示意性截面圖，-圖6』是圖6的細節的視圖，圖7a至圖7i是與第一實施方式相關的製造導電支件的方法的步驟的示意性視圖。明確的是，出於清楚的考慮，所表示的對象的不同要素並非是按比例再現的。示意性的圖1以側向截面表示用於電致變色設備的導電支件100。支件100包括具有1.45至1.8的折射率ns的玻璃襯底—平滑的，具有稱為第一表面的第一主面11，按此順序遠離襯底而承載：–可能的阻擋溼氣的層4，如氮化矽41或薄層堆疊，–在厚度上被部分地構造的第一層3，其是無機的，優選地為電絕緣材料，具有優選地微米或亞微米的厚度e3，包括：-被稱為低區域的（連續）區域30，其在此直接在下層之上，具有（優選地微米的）給定的厚度e』3，覆蓋下層的表面，-呈現為凸起部以及呈現為鑿空部的被構造的區域31，凸起部限定平坦的高表面34，腔體或鑿空部由（限定低表面的）底部33和側壁32界定，腔體具有在高表面34處的寬度wc並且具有在中間處取得的高度ec，其優選地至多為1500nm並且優選地大於100nm，腔體根據規則的或不規則的給定的布置（非連接的條帶、柵網等）延伸，高表面是局部平坦的，-電極2，包括布置成稱為金屬柵格的柵格2的層，由通過自動催化沉積獲得的（多個）金屬材料製成，優選地為（通過鍍銀獲得的）銀單層，柵格在此是由錨定在腔體中的股線—又稱為軌道20—形成的單層，股線在高表面34處具有小於50μm、更好地小於或等於30μm（並且至少1μm）的寬度a，並且在高表面34處分離開小於或等於5000μm並且至少50μm的距離b，柵格具有在股線的中間處定義的至少100nm並且優選地小於1500nm的厚度e2，金屬柵格呈現小於10ω/□並且甚至小於5ω/□或小於1ω/□的方阻，–優選地為單層的無機導電塗層5，具有小於或等於500nm或小於或等於100nm並且更好地小於或等於60nm的厚度e5，具有小於20ω.cm並且大於金屬柵格的電阻率的電阻率ρ5，並且具有至少1.5並且更好地1.7的給定折射率n5，在此由在柵格2和高表面34之上由ito（或azo或gzo、agzo）製成的無機層構成，-鈍化層6，直接在導電塗層5之上，所述鈍化層6是不連續的，優選地由正性光樹脂製成，具有小於1000nm的（在腔體的中間取得的）厚度e6。由於在形成稍後詳細描述的被部分地構造的第一層時進行的對連續層的溼法蝕刻處理，因此腔體具有喇叭口形的側壁。股線20沿著它們的長度呈現在與高表面34齊平的旁側區域22、22』之間的中心區域21，並且中心區域21的表面粗糙度大於旁側區域22、22』的表面粗糙度。為了表徵金屬柵格2，如圖1a（在沒有鈍化層的情況下的圖1的細節視圖）所示，表示出a、b、e2並且還有中心區域的寬度am，並且對於腔體而言的在腔體的底部處的寬度ac以及ec是從腔體的底部的中心起的高度。側壁是喇叭口形的（在遠離襯底1的同時變寬），定義x與y之間的水平距離l，使得x是側壁的最高點並且y是腔體的底部的端部處的點。l大於ec，l≤2ec並且甚至l≤1.4ec。在中心區域21中，股線表面的中間和高表面相距正交於第一表面取得的豎向距離h並且豎向距離h小於或等於500nm。在此，中心區域21欠齊平於高表面34。由於自動催化沉積（如鍍銀）以及寬度l1的平滑的旁側區域22、22』，因此股線呈現比旁側區域更粗糙的中心區域21。中心區域的寬度am不一定大於l1，這取決於a、h和ec的值。中心區域和平坦的旁側區域的粗糙度參數的示例按照厚度e2記錄在以下表中。股線的表面e2（nm）rq（nm）rmax(nm)旁側區域300210中心區域30030300旁側區域2001.58中心區域20020200旁側區域450210中心區域45035450優選地通過磁控陰極濺射沉積ito塗層5，其表面於是符合於在下方的表面：被部分地構造的第一層3的表面；平坦和平滑的旁側區域22、22』；比旁側區域更粗糙的中心區域21。鈍化層6形成定位在中心區域21之上並且定位在股線的旁側區域22、22』之上的絕緣軌道的柵格，覆蓋中心區域並且部分地或完全地覆蓋旁側區域，並且不橫向超出股線的外部邊沿，或者橫向地超出股線的外部邊沿至多1μm。在此，每個絕緣軌道的側壁6f是傾斜的，具有與高表面34的45°的量級的角度α。每個絕緣軌道的截面是圓頂形狀的，沒有銳角。由於每個絕緣軌道的上表面6s和每個絕緣軌道的側壁6f是平滑的，因此鈍化層6使中心區域21平坦化，並且保持旁側區域22、22』的平滑性質。為了隨後製造電致變色設備，添加電致變色系統、在液體電解質的情況下可以相同的上電極。金屬柵格優選地具有隨機圖案。在與（圖1的）第一實施方式相關的示例nº1中，選取以下特性。玻璃襯底1是平坦、平滑的，具有1.5的折射率，例如，具有2mm的厚度並且具有至少90%的tl。阻擋層是金屬或矽的氮化物或金屬或矽的氧化物的薄層堆疊。第一層是具有400nm的厚度的tiox溶膠—凝膠層。可以替換地通過陰極濺射來沉積該層。厚度ec為350nm。通過蝕刻獲得第一層3的腔體，如隨後詳細描述的那樣。被部分地構造的第一層3是局部平坦的。高表面34的粗糙度被由小於4nm的rq定義。柵格2是通過鍍銀直接沉積在腔體中的銀單層，如隨後詳細描述的那樣。銀在此部分地填充腔體，具有等於大約300nm的e2。h因此等於50nm。作為柵網的柵格的圖案是六邊形的。寬度a等於12μm，並且最大距離b為560μm。覆蓋比率t為4.5%。導電塗層5由50nm的氧化銦錫ito的層構成，具有大約2的折射率，具有小於10-1ω.cm的電阻率ρ5。由傳統4點方法測量的（在150°c下在30分鐘時間的退火之後的）整體的rcarré大約為2.5ohm/carré。至於形成局部化絕緣柵格的鈍化層，其為具有300nm量級的量級的e6的正性光敏聚醯亞胺層。隨後，添加具有由400nm厚度的ito製成的上電極的電致變色系統。圖7a至圖7i是特別是與示例nº1相關的根據第一實施方式的導電支件的製造的示意性視圖（未按比例），其中通過化學蝕刻製造被部分地構造的第一層，並且通過鍍銀製造銀柵格。圖7a所圖解的第一步驟在於從塗敷有下層的玻璃襯底1開始：-在下層上形成錨定層3a，其包括第一層的材料，-通過「旋轉塗敷」在層3a上施加液態的掩模材料（正性光敏材料，樹脂的az®1505）的層60。所沉積的光敏材料隨後在對流爐中在100°c下烘培20分鐘的時間。光敏材料的厚度是800nm。圖7b所圖解的第二步驟在於生成光樹脂圖案。為了做到這點，在樹脂60上施加具有不連續性71的平版印刷掩模70，並且利用（在365nm處）20mw/cm2的hg燈通過根據不規則的（更好地隨機的）布置的不連續性71在10秒的時間期間從第一主面11側使樹脂60受輻射於uv。圖7c所圖解的第三步驟在於在光敏材料60中創建貫通開孔。通過在基於四甲基氫氧化銨（按英語的「tmah」）的特定顯影溶液中進行溶解來消除被輻射的區域並且通過去離子水清洗，由此形成通過光樹脂的貫通開孔。界定貫通開孔的光敏材料的側壁61在遠離襯底的同時擴口。因此，在光敏材料60的外部表面或上表面63處，每個貫通開孔的寬度大於在高表面34處的寬度w0。替換地，可以使用負性光敏材料以及逆向光蝕刻掩模（去除非輻射區域以形成開孔）。圖7d所圖解的第四步驟在於在優選地為介電的連續錨定層3a（如tiox層）的中創建腔體。優選在環境溫度下通過溼法蝕刻而非幹法蝕刻來形成被部分地構造的第一層。所選取的樹脂60因此耐受蝕刻溶液，蝕刻溶液在此是基於nh3和h2o2的溶液。蝕刻形成深度ec的腔體，側壁32和腔體在遠離玻璃1時擴口。對於示例nº1而言，ec等於350nm。蝕刻溶液在所有方向上（豎向地並且橫向地）進行侵蝕（鑿空）。蝕刻輪廓是盆形的。錨定層3a的溼法蝕刻創建掩模層的如下區域：該區域懸置在腔體之上並且因此限定掩模層60的面對腔體32的被稱為內表面62、62』的表面的部分。每個腔體具有大於寬度w0的（在高表面處的）寬度wc。內表面62、62』具有幾乎等於l的寬度l0。腔體的底部33是平坦的。圖7e所圖解的第五步驟在於通過液相法並且更確切地自動催化沉積（因此優選地通過鍍銀）來沉積柵格材料2。在腔體中通過（耐受蝕刻的）光敏材料60的開孔實現沉積以優選地部分地填充腔體，如在此所圖解那樣。銀沉積於腔體的底部中、腔體的側壁上、光敏材料的內表面62、62』上、光敏材料的側壁上（並且沒有在層3的高表面上）、並且在不連續上表面63上。更確切地，鍍銀部分地填充每個腔體並且沉積於底部中、側壁上並且完全地在掩模層的內表面62、62』上，因此形成與高表面齊平並且比面對貫通開孔的股線中心區域21更不粗糙的股線旁側區域22、22』。每個旁側區域22、22』的寬度l1幾乎等於l0+e2。對於示例nº1而言，銀層被根據以下的針對大約300nm的厚度e2的操作方式沉積在被部分地構造的第一層3中（其中h等於50nm並且中心區域欠齊平）：-根據以下來稀釋鍍銀溶液（由dr.-ing.schmitt,gmbh公司（dieselstr.16,64807迪堡/德國）提供的待稀釋溶液）：○250cm3管瓶中的100μl的miraflex®1200（sncl2溶液）（溶液nº1），○250cm3管瓶中的200μl的miraflex®pd（pdcl2溶液）（溶液nº2），○250cm3管瓶中的15ml的miraflex®rv（還原劑的溶液，葡萄糖鈉）（溶液nº3），○250cm3管瓶中的15ml的miraflex®s（硝酸銀溶液）（溶液nº4）；-在環境溫度下使用上述溶液，-將（具有層4、3）的襯底放置在其中傾注了溶液nº1的內容物的池中，在1分鐘的時間期間進行攪拌然後用蒸餾水清洗；-將（具有層4、3）的襯底放置在其中傾注了溶液nº2的內容物的第二池中，在1分鐘的時間期間進行攪拌然後用蒸餾水清洗；-將（具有層4、3）的襯底放置在其中傾注了溶液nº3和nº4的內容物的最終池中，在兩分鐘的時間期間進行攪拌然後用蒸餾水清洗。圖7f所圖解的第六步驟在於通過利用丙酮溶劑的液相法並且使用超聲來去除光敏材料。導電支件隨後優選地在環境溫度下浸沒在h2o:h2o2:nh3（500：20：1）溶液中3至5分鐘的時間以消除銀凸起。在具有小於100nm的h的欠齊平柵格的情況下或當柵格為過齊平時，這種化學處理是特別推薦的。圖7g所圖解的第七步驟在於通過陰極濺射沉積導電塗層5。對於示例nº1而言，其涉及氧化銦錫ito的層。利用由氧化銦（按重量90%）和氧化錫（按重量10%）製成的陶瓷靶在2×10-3mbar的壓力下在1%的氬氣和氧氣的混合物（o2/(ar+o2)）下通過磁控陰極濺射來沉積ito。在變形中，選取azo、gzo或agzo。隨後在250°c下在30分鐘的時間期間執行第一退火。第八步驟在於：-通過旋轉塗敷來沉積對於示例nº1而言由作為光敏聚醯亞胺（pimeltmtm系列i-700聚醯亞胺）的正性光敏材料製成的層6a，覆蓋導電塗層5，隨後是在對流爐中的退火步驟（100°c，20分鐘），–藉助於紫外線源（其對於示例nº1而言是（在365nm）20mw/cm2的hg燈）使第二主面12側暴露於如圖7h圖解的紫外線。圖7i所圖解的第九步驟在於在基於四甲基氫氧化銨（按英語的tmah）的溶液中的正性光敏材料的顯影的結果，以及用去離子水清洗直到使得聚醯亞胺層6呈現為不連續為止的步驟，使（由於銀股線的屏蔽而）未曝光的聚醯亞胺留在導電塗層5的定位於銀股線20之上的區域中。形成局部化絕緣柵格6的由聚醯亞胺製成的鈍化層具有300nm量級的厚度。隨後在300°c下在60分鐘的時間期間實現第二退火（摒棄或不摒棄第一退火）。在該第二退火之後，由聚醯亞胺製成的鈍化層的厚度從380nm下降到300nm。根據本發明的導電支件因此允許製造具有更好的切換時間（經由更小的方阻的獲得）的大尺寸的電致變色設備，並且由於金屬柵格的鈍化的原因，這不會產生洩漏電流劣化。圖1b圖解在申請人實現的比較性示例中的具有通過pvd沉積的柵格的股線的被部分地構造的第一層的腔體的截面的細節的示意性視圖，示出被構造的第一層中的高表面34和所錨定的股線（如示例1中那樣）。利用銀靶在8×10-3mbar的壓力下在氬氣下通過磁控陰極濺射來沉積銀。通過歸因於掩模層的遮蔽效應，股線的旁側區域22』』a和22』』b呈盆形。這些盆形生成洩漏電流。旁側區域22』』a和22』』b創建生成洩漏電流的形態的破裂。圖2是根據本發明第二實施方式的其中第一層3被完全地構造並且消除了下層的用於電致變色設備的導電支件的示意性截面圖。通過第一錨定層的蝕刻持續時間來修改示例1的製造條件以使ec從350nm降低到400nm。圖3是根據本發明第三實施方式的其中鈍化6處於中心區域21與導電塗層5之間的用於電致變色設備的導電支件的示意性截面圖。圖4是根據本發明第四實施方式的用於電致變色設備的導電支件的示意性截面圖，第四實施方式與第一方式不同在於股線中心區域過齊平於高表面34。通過第一錨定層的蝕刻持續時間來修改示例1的製造條件以使ec從350nm降低到250nm。圖5是根據本發明第五實施方式的其中通過柵格在中心區域21缺失從而柵格與不連續的導電塗層的表面齊平的用於電致變色設備的導電支件的示意性截面圖。在形成金屬柵格和鈍化層之前沉積塗層，不連續性可以是通過溼法蝕刻實現的。圖6是根據本發明第六實施方式的用於電致變色設備的導電支件的示意性截面圖，第六實施方式與第一實施方式不同在於總是通過自動催化沉積（如鍍銀）而沉積的柵格2被錨定在被部分地構造的第一層中並且還錨定在第一層3之上的被構造的上層3』中。銀股線之間的非導電域的高表面是上層34』的表面，於是h被限定於股線的中心區域21的表面與上層34』的表面之間。由優選地無機的電絕緣材料製成的上層3』是被不連續構造的，限定貫通孔，具有20nm至100nm的厚度ez。在界面34（上層3』與第一層3之間的界面）處，貫通孔具有寬度w1，其中wc>w1。被稱為邊沿區域的股線區域22a、22』a與旁側區域22、22』毗鄰，比旁側區域更處於外周並且在腔體中處於上層之下，因此與第一層3的表面34齊平。如圖6』的細節圖中示出那樣：-旁側區域22、22』具有限定如點x』』與y』之間的距離的寬度l1，-邊沿區域22a、22』a具有限定如點x』與y之間的距離的寬度l2，-l3是x』』與y』』之間的距離，y』』是y在旁側區域22、22』的表面的平面中的正交投影。l3大於總高度ec+e』c並且l3≤2(ec+e』c)，其中ec是腔體的高度並且e』c是上層3的孔的高度。在示例中，第一層是400nm的氧化鈦的層，並且上層是如下的層：例如通過pvd或溶膠—凝膠沉積的具有等於30nm的厚度ez的二氧化矽氧化物的層，或者替換地可能地最微細的二氧化矽層。其可以為多層。一般地，ec大於e』c（ez）。當前第1頁12