一種大容量膜箔複合式電極電容器的製作方法

2023-10-06 01:19:34 1

本實用新型涉及電容器技術領域，特別是涉及一種大容量膜箔複合式電極電容器。

背景技術：

薄膜電容器是電容器的一種，具有損耗小、絕緣電阻高、頻率特性好、可靠性高、溫度特性好等優點，有著較為廣泛的應用；目前薄膜電容器從電極形式上可以分為金屬箔式和金屬化式二種：金屬箔式電容耐大電流衝擊、工藝流程短、容量穩定性高；金屬化式電容有自愈性、體積小，隨著電子整機更新換代周期的不斷縮短，以及輕薄短小和數位化要求的提高，成為薄膜電容器的主流，但金屬化式電容與金屬箔式電容相比，存在以下缺點：

一是容量穩定性不如箔式電容器，這是由於金屬化電容在長期工作條件易出現容量丟失以及自愈後均可導致容量減小。

二是為耐受大電流能力較差，這是由於金屬化膜層比金屬箔要薄很多，承載大電流能力較弱。

以上缺點限制了金屬化式電容的普遍使用。

此外，傳統金屬化式電容蒸鍍薄膜很薄，存在蒸鍍薄膜和薄膜介質附著力弱，易脫落的問題。

技術實現要素：

本實用新型的目的在於：針對現有金屬化式電容容量穩定性低、耐受大電流能力較差的技術問題，提出一種大容量膜箔複合式電極電容器。

本實用新型採用的技術方案如下：

一種大容量膜箔複合式電極電容器，該電容器包括殼體、電容器芯子、CP線構成，所述電容器芯子為由第一單面金屬化薄膜層、第二雙面金屬箔薄膜層、第三單面金屬化薄膜層三層依次疊加卷繞形成的串聯芯子；

所述第一單面金屬化薄膜層包括第一薄膜介質層和第一薄膜介質層外側蒸鍍的第一金屬化薄膜，所述第二雙面金屬化薄膜層包括第二薄膜介質層和位於第二薄膜介質層兩側的上金屬箔、下金屬箔，所述第三單面金屬化薄膜層包括第三薄膜介質層和第三薄膜介質層外側蒸鍍的第三金屬化薄膜；

CP線分別為左CP線和右CP線，左CP線連接下金屬箔和第一金屬化薄膜，並引出殼體外，右CP線連接上金屬箔和第三金屬化薄膜，並引出殼體外。

上述方案中，所述第一薄膜介質層、第三薄膜介質層外側表面均勻設有多個倒「T」型槽，在蒸鍍金屬化薄膜時，被蒸鍍的金屬蒸汽先進入倒「T」型槽，並與薄膜介質層表面的金屬化薄膜形成一體結構，保證金屬層不易脫落，附著力強。

上述方案中，所述第一薄膜介質層、第二薄膜介質層、第三薄膜介質層為聚丙烯薄膜層。聚丙烯膜：高頻損耗極低，電容量穩定性很高，負溫度係數較小，絕緣電阻極高(106M Ω)，介電強度高。

上述方案中，所述上金屬箔、下金屬箔為鋁箔或鋅箔或鋅鋁合金箔。金屬箔耐大電流衝擊、工藝流程短、容量穩定性高。

上述方案中，所述第一金屬化薄膜、第三金屬化薄膜為鋁金屬化薄膜或鋅金屬化薄膜或鋅鋁合金金屬化薄膜。金屬化薄膜:有自愈性、體積小。

綜上，由於採用了上述技術方案，本實用新型的有益效果是：

一、金屬箔、金屬化薄膜的複合式使用，金屬箔做電極，金屬化薄膜做內部串聯，既有金屬箔式電容的大電流特性，又具有金屬化電容的自愈特性；同時卷繞形成的串聯結構相當於內部多個電容串聯，可以成倍提高電容器的耐壓。

二、多層極板的設置，大大提高了電容器容量。

三、左CP線連接上金屬箔和第一金屬化薄膜，右CP線連接下金屬箔和第三金屬化薄膜形成的並聯結構，相當於內部兩個電容並聯，進一步提高了電容器容量。

四、倒「T」型槽的設置，極大提高了薄膜介質層與金屬化薄膜之間的附著力，不要脫落。

五、內部通過引線連接，省去了噴金層工藝的繁雜步驟，且避免了噴金層易脫落的情況。

附圖說明

圖1是本實用新型的結構示意圖；

圖2是本新型實施例2倒「T」型槽的結構示意圖；

圖中標記：1-殼體，2-電容器芯子，21-第一單面金屬化薄膜層，211-第一薄膜介質層， 212-第一金屬化薄膜，22-第二雙面金屬化薄膜層，221-第二薄膜介質層，222-上金屬箔，223-下金屬箔，23-第三單面金屬化薄膜層，231-第三薄膜介質層，232-第三金屬化薄膜， 3-CP線，31-左CP線，32-右CP線。

具體實施方式

為了使本實用新型的目的、技術方案及優點更加清楚明白，以下結合附圖及實施例，對本實用新型進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅用以解釋本實用新型，並不用於限定本實用新型。

一種大容量膜箔複合式電極電容器，該電容器包括殼體1、電容器芯子2、CP線3構成，電容器芯子2為由第一單面金屬化薄膜層21、第二雙面金屬箔薄膜層22、第三單面金屬化薄膜層23三層依次疊加卷繞形成的串聯芯子；

第一單面金屬化薄膜層21包括第一薄膜介質層211和第一薄膜介質層211外側蒸鍍的第一金屬化薄膜212，第二雙面金屬化薄膜層22包括第二薄膜介質層221和位於第二薄膜介質層221兩側的上金屬箔222、下金屬箔223，第三單面金屬化薄膜層23包括第三薄膜介質層231和第三薄膜介質層231外側蒸鍍的第三金屬化薄膜232；

CP線3分別為左CP線31和右CP線32，左CP線31連接下金屬箔223和第一金屬化薄膜212，並引出殼體1外，右CP線32連接上金屬箔222和第三金屬化薄膜232，並引出殼體1外。

優選地，第一薄膜介質層211、第三薄膜介質層231外側表面均勻設有多個倒「T」型槽。

優選地，第一薄膜介質層211、第二薄膜介質層221、第三薄膜介質層231為聚丙烯薄膜層。

優選地，上金屬箔222、下金屬箔223為鋁箔或鋅箔或鋅鋁合金箔。

優選地，第一金屬化薄膜212、第三金屬化薄膜232為鋁金屬化薄膜或鋅金屬化薄膜或鋅鋁合金金屬化薄膜。

實施例1

如圖1所示，一種大容量膜箔複合式電極電容器，該電容器包括殼體1、電容器芯子2、 CP線3構成，電容器芯子2為由第一單面金屬化薄膜層21、第二雙面金屬箔薄膜層22、第三單面金屬化薄膜層23三層依次疊加卷繞形成的串聯芯子；第一單面金屬化薄膜層21包括第一薄膜介質層211和第一薄膜介質層211外側蒸鍍的第一金屬化薄膜212，第二雙面金屬化薄膜層22包括第二薄膜介質層221和位於第二薄膜介質層221兩側的上金屬箔222、下金屬箔223，第三單面金屬化薄膜層23包括第三薄膜介質層231和第三薄膜介質層231 外側蒸鍍的第三金屬化薄膜232；CP線3分別為左CP線31和右CP線32，左CP線31連接下金屬箔223和第一金屬化薄膜212，並引出殼體1外，右CP線32連接上金屬箔222和第三金屬化薄膜232，並引出殼體1外。

金屬箔、金屬化薄膜的複合式使用，金屬箔做電極，金屬化薄膜做內部串聯，既有金屬箔式電容的大電流特性，又具有金屬化電容的自愈特性；同時卷繞形成的串聯結構相當於內部多個電容串聯，可以成倍提高電容器的耐壓；

四層極板的設置，增大了電容器的有效面積，大大提升了電容器容量；

左CP線連接上金屬箔和第一金屬化薄膜，右CP線連接下金屬箔和第三金屬化薄膜形成的並聯結構，相當於內部兩個電容並聯：上金屬箔和第一金屬化薄膜形成第一個電容，下金屬箔和第三金屬化薄膜形成第二個電容，進一步提高了電容器容量；

內部通過引線連接，省去了噴金層工藝的繁雜步驟，且避免了噴金層易脫落的情況。

實施例2

如圖1所示，一種大容量膜箔複合式電極電容器，該電容器包括殼體1、電容器芯子2、 CP線3構成，電容器芯子2為由第一單面金屬化薄膜層21、第二雙面金屬箔薄膜層22、第三單面金屬化薄膜層23三層依次疊加卷繞形成的串聯芯子；第一單面金屬化薄膜層21包括第一薄膜介質層211和第一薄膜介質層211外側蒸鍍的第一金屬化薄膜212，第二雙面金屬化薄膜層22包括第二薄膜介質層221和位於第二薄膜介質層221兩側的上金屬箔222、下金屬箔223，第三單面金屬化薄膜層23包括第三薄膜介質層231和第三薄膜介質層231 外側蒸鍍的第三金屬化薄膜232；CP線3分別為左CP線31和右CP線32，左CP線31連接下金屬箔223和第一金屬化薄膜212，並引出殼體1外，右CP線32連接上金屬箔222和第三金屬化薄膜232，並引出殼體1外；第一薄膜介質層211、第三薄膜介質層231外側表面均勻設有多個倒「T」型槽，倒「T」型槽的設置，極大提高了薄膜介質層與金屬化薄膜之間的附著力，不要脫落。

實施例3

在實施例1的基礎上，第一薄膜介質層211、第二薄膜介質層221、第三薄膜介質層231 選用聚丙烯薄膜。

實施例4

在實施例1的基礎上，上金屬箔222、下金屬箔223為鋁箔或鋅箔或鋅鋁合金箔任意一種。

實施例5

在實施例1的基礎上，第一金屬化薄膜212、第三金屬化薄膜232為鋁金屬化薄膜或鋅金屬化薄膜或鋅鋁合金金屬化薄膜。

以上僅為本實用新型的較佳實施例而已，並不用以限制本實用新型，凡在本實用新型的精神和原則之內所作的任何修改、等同替換和改進等，均應包含在本實用新型的保護範圍之內。