半導體處理設備的製作方法
2023-10-08 01:06:44 1
專利名稱：半導體處理設備的製作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種半導體處理設備。
背景技術：
現階段半導體器件已經廣泛應用在生產、生活的方方面面，並極大地提高了生產效率，方便和豐富了人民的生活。生產半導體器件需要各種的半導體處理設備，如物理氣相沉積(PVD)設備、化學氣相沉積(CVD)設備和刻蝕(etching)設備。現有技術的半導體處理設備對半導體的處理的過程中，需要將襯底放置到反應腔內的襯底支撐座上,通過襯底支撐座對襯底進行加熱並調節襯底的溫度。以下以有機金屬化學氣相沉積(MOCVD)設備為例對現有技術的半導體處理設備進行簡單說明。 請參閱圖1，圖I為現有技術MOCVD設備的結構示意圖。所述MOCVD設備I包括腔體11設置在所述腔體11內的進氣裝置12和襯底支撐座。所述進氣裝置12設置在所述腔體11的頂部。所述襯底支撐座設置在所述腔體11的底部，並且與所述進氣裝置12相對設置。所述襯底支撐座用於在所述MOCVD設備I對襯底進行處理時，支撐並加熱所述襯底。所述襯底支撐座包括支撐基座13和加熱器14。所述支撐基座13包括面向所述進氣裝置12的襯底支撐面131和與所述襯底支撐面131相對的底面132。襯底可被設置在所述襯底支撐面131。所述加熱器14設置在所述支撐基座13臨近所述底面132的一側。所述加熱器14通過熱輻射或熱對流的方式對所述支撐基座13進行加熱，通常所述加熱器14為電熱絲加熱器。在進行襯底處理的過程中，待加工襯底被設置在所述支撐基座13的襯底支撐面131。所述加熱器14對所述支撐基座13進行加熱，使得所述支撐基座13達到預設的溫度。反應氣體從所述進氣裝置12進入所述腔體11內並在所述支撐基座13的上表面受熱發生反應從而在所述襯底表面沉積一層薄膜。對襯底進行處理，需要控制和調節所述支撐基座13的支撐表面131溫度參數。所述溫度參數包括溫度大小、溫度分布和溫度均勻性等等。現有技術的襯底支撐座通常通過調節加熱器14的輸出功率來調節所述支撐基座13的支撐表面131溫度；如通過控制電阻加熱絲髮熱功率。然而，對加熱器14的輸出功率的調節是有限的，隨著技術的發展，通過調節加熱器14的輸出功率的方式來調節所述支撐基座13的支撐表面131溫度已經不能滿足MOCVD設備的發展需求。現有技術的其他類型CVD設備，如=PECVD設備、LPCVD設備等，以及其它半導體處理設備如PVD設備和Etching設備等都有具有基本相同的襯底支撐座，因此也存在基本相同的問題
實用新型內容
[0009]為解決現有技術半導體處理設備的襯底支撐座對襯底的溫度調節不能滿足技術發展的需求的問題，本實用新型提供一種新型的半導體處理設備。一種半導體處理設備，其包括腔體、進氣裝置和設置在所述腔體中的襯底支撐座，所述進氣裝置用於向所述腔體中輸入反應氣體，所述一種襯底支撐座包括支撐基座，用於支撐一個或多個襯底；加熱器，所述加熱器用於加熱所述支撐基座，所述加熱器的至少一部分與所述支撐基座之間的距離可調，從而調節所述支撐基座的溫度。本實用新型的半導體處理設備中，所述加熱器的至少一部分與所述支撐基座之間的距離可調，因所述加熱器和所述支撐基座的之間熱交換與其二者之間的距離相關，距離變小，所述加熱器與所述支撐基座的之間熱交換變大，所述支撐基座的溫度就升高，反之亦然；因此，通過調節加熱器至少部分與所述支撐基座之間的距離就可以達到調節所述支撐基座溫度；從而擴展了對所述支撐基座溫度調節方式和/或溫度調節範圍。
圖I為現有技術MOCVD設備的結構示意圖。 圖2是本實用新型半導體處理設備第一實施方式的襯底支撐座剖面結構示意圖。圖3為本實用新型半導體處理設備第二實施方式的襯底支撐座剖面結構示意圖。圖4為圖3所示加熱器的平面結構示意圖。圖5是本實用新型半導體處理設備第三實施方式的襯底支撐座截面結構示意圖。圖6是本實用新型半導體處理設備第四實施方式的襯底支撐座截面結構示意圖。圖7是圖6所述加熱器的平面結構示意圖。圖8是圖6所述加熱器的另一實施方式平面結構示意圖。圖9是本實用新型半導體處理設備第五實施方式的襯底支撐座截面結構示意圖。
具體實施方式
現有技術的半導體處理設備的襯底支撐座存在著對襯底的溫度調節不能滿足技術發展需求的問題。為解決現有技術半導體處理設備的襯底支撐座存在的問題，本實用新型提供一種半導體處理設備；所述半導體處理設備包括腔體、進氣裝置和設置在所述腔體中的襯底支撐座，所述進氣裝置用於向所述腔體中輸入反應氣體，所述一種襯底支撐座包括支撐基座，用於支撐一個或多個襯底；加熱器，所述加熱器用於加熱所述支撐基座，所述加熱器的至少一部分與所述支撐基座之間的距離可調，從而調節所述支撐基座的溫度。本實用新型的半導體處理設備中，所述加熱器的至少一部分與所述支撐基座之間的距離可調；因所述加熱器和所述支撐基座的之間熱交換與其二者之間的距離相關，距離變大，所述加熱器與所述支撐基座的之間熱交換變大，所述支撐基座的溫度就升高，反之亦然。因此，通過調節加熱器至少部分與所述支撐基座之間的距離就可以達到調節所述支撐基座溫度，擴展了對所述支撐基座溫度調節方式和溫度調節範圍。請參閱圖2，圖2是本實用新型半導體處理設備第一實施方式的襯底支撐座剖面結構示意圖。所述襯底支撐座2設置在半導體處理設備的腔體中，用於支撐和加熱一個或多個襯底；所述半導體處理設備還包括一進氣裝置，所述進氣裝置用於向所述腔體中引入反應氣體，優選的，所述進氣裝置為位於所述腔體內，且與所述襯底支撐座2相對設置的噴淋頭。其中，所述半導體處理設備可以是物理氣相沉積(PVD)設備、化學氣相沉積(CVD)設備或刻蝕(etching)設備；優選地，所述半導體處理設備為化學氣相沉積(CVD)設備；進一步優選的，所述半導體處理設備為金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)設備；最優的，所述半導體處理設備為近稱合噴淋頭式金屬有機化學氣相沉積(CCS-M0CVD)設備。所述襯底支撐座2包括支撐基座22和加熱器21，所述支撐基座22包括襯底支撐面221和與所述襯底支撐面221相對的底面222。襯底23可被設置在所述襯底支撐面221。所述加熱器21設置在所述支撐基座22臨近所述底面222的一側。所述加熱器21通過熱輻射或熱對流的方式對所述支撐基座22進行加熱；所述支撐基座22與所述加熱器21之間的距離H可調，以調節所述支撐基座22的溫度。所述加熱器21可以為電阻加熱器，如所述加熱器21為鎳電熱絲加熱器或鎢電熱絲加熱器。可選的，所述加熱器21也可以是紅 外線加熱器。所述襯底支撐座2還包括一驅動模塊(圖未示)，用以調節所述支撐基座22與所述加熱器21之間的距離H。所述驅動模塊可以通過移動所述支撐基座22或所述加熱器21以調節所述距離H。優選的，所述驅動模塊連接到所述加熱器21 ;所述驅動模塊通過平移所述加熱器21使其靠近或遠離所述支撐基座22以調節所述距離H。所述襯底支撐座2對所述支撐基座22的溫度調節過程是，當所述支撐基座22溫度需要升高時；調節所述支撐基座22與所述加熱器21之間的距離H，使得所述距離H縮小，如使得所述驅動模塊驅動所述加熱器21平移靠近所述支撐基座22。由於所述距離H縮小，從而所述加熱器21發出的熱輻射或通過熱對流傳輸到所述支撐基座22的熱量增加，則所述支撐基座22與所述加熱器21的熱交換增大，從而使得所述支撐基座22的溫度升高；反之，使得所述距離H增大，則可以使得所述支撐基座22的溫度降低。本實施方式的襯底支撐座2，通過調節加熱器21與所述支撐基座22之間的距離H從而達到調節所述支撐基座22溫度的目的，擴展了對所述支撐基座22溫度調節方式和溫度調節範圍。請參閱圖3，圖3為本實用新型半導體處理設備第二實施方式的襯底支撐座剖面結構示意圖。所述襯底支撐座3設置在半導體處理設備的腔體中，用於支撐和加熱一個或多個襯底；所述半導體處理設備還包括一進氣裝置，所述進氣裝置用於向所述腔體中引入反應氣體，優選的，所述進氣裝置為位於所述腔體內，且與所述襯底支撐座3相對設置的噴淋頭。其中，所述半導體處理設備可以是物理氣相沉積(PVD)設備、化學氣相沉積(CVD)設備或刻蝕(etching)設備；優選地，所述半導體處理設備為化學氣相沉積(CVD)設備；進一步優選的，所述半導體處理設備為金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)設備；最優的，所述半導體處理設備為近稱合噴淋頭式金屬有機化學氣相沉積(CCS-M0CVD)設備。所述襯底支撐座3包括支撐基座32和加熱器31。所述支撐基座32與所述加熱器31相對設置。所述支撐基座32包括襯底支撐面321和與所述襯底支撐面321相對設置的底面322。一個或多個襯底33可以設置在所述襯底支撐面321。所述加熱器31設置在所述支撐基座32臨近所述底面322的一側。所述加熱器31優選地通過熱輻射或熱對流的方式對所述支撐基座32進行加熱；所述加熱器21可以為電阻加熱器，如所述加熱器21為鎳電熱絲加熱器或鎢電熱絲加熱器。可選的，所述加熱器21也可以是紅外線加熱器。請同時參閱圖4，圖4為圖3所示加熱器31的平面結構示意圖。所述加熱器31包括第一加熱單元311和設置在所述第一加熱單元311周圍的第二加熱單元312 ;所述第一加熱單元311優選的圓形，所述第二加熱單元312優選呈圓環狀並環繞所述第一加熱單元311，所述第二加熱單元312也可以是圍繞所述第一加熱單元311呈放射狀設置的多個加熱模塊；可選的，所述第一加熱單元311可以是多邊形，如矩形、三角形、正方形、正五邊形；所述第二加熱單元312可以為呈與所述第一加熱單元311形狀相配合的環狀，或包括圍繞所述第一加熱單元311設置的多個加熱模塊。所述第一加熱單元311對應所述支撐基座32的中心區域，並主要對所述支撐基座32的中心區域進行加熱，所述第二加熱單元312對應所述支撐基座32的邊緣區域，並主要對所述支撐基座32邊緣區域進行加熱。其中 ，所述第一加熱單元311與所述支撐基座32之間的距離H』可調，或所述第二加熱單元312與所述支撐基座32之間的距離H可調。通過調節所述第一加熱單元311與所述支撐基座32之間的距離H』或所述第二加熱單元312與所述支撐基座32之間的距離H，可以改變從所述加熱器31發出的熱輻射或通過熱對流傳輸到所述支撐基座32的熱量，從而可以改變所述支撐基座32的溫度。在本實施方式中，所述第二加熱單元312與所述支撐基座32之間的距離H可調。通過調節所述第二加熱單元312相對所述支撐基座32之間的距離H，可以調節所述支撐基座32邊緣區域的溫度。由於所述支撐基座32邊緣區域散熱速度要高於所述支撐基座32中心區域的散熱速度。因此可以調節所述第二加熱單元312靠較近所述支撐基座32從而使得所述支撐基座32邊緣區域的溫度升高，從而使得所述支撐基座32的襯底支撐面321上溫度分布均勻。特別是所述襯底支撐座在高襯底處理溫度半導體設備的應用中，如金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)設備的應用中，所述支撐基座32的襯底支撐面321的溫度非常高，通常高於60(TC ;甚至是高於100(TC，通過現有技術的單純調節所述第一加熱單元311或所述第二加熱單元312的輸出功率的方式，由於所述第二加熱單元312的輸出功率有限，即使，使所述第二加熱單元312的輸出功率最大也可能不能使得所述支撐基座32的邊緣區域溫度達到要求的溫度，從而使得所述支撐基座32的襯底支撐面321的溫度分布不均勻，所述支撐基座32邊緣區域的溫度較其中心區域的溫度低。本實施方式中的襯底支撐座3中，所述第二加熱單元312可以調節與所述支撐基座32之間的距離H，從而可以進一步擴大對所述支撐基座32邊緣區域的溫度的調節範圍，進而可以進一步提高所述支撐基座32邊緣區域的溫度，因此可以使得所述支撐基座32的襯底支撐面321的溫度分布均勻。本實施方式的所述襯底支撐座3中，所述襯底支撐座3可以還包括驅動模塊(圖未示)；所述驅動模塊連接到所述第二加熱單元312 ;所述驅動模塊通過平移所述第二加熱單元312使其靠近或遠離所述支撐基座32以調節所述距離H。可選的，在本實施方式的所述襯底支撐座3中，所述第一加熱單元311相對所述支撐基座32固定。由於所述第一加熱單元311相對所述支撐基座32固定，所述第一加熱單元311可以固定安裝在半導體處理裝置的腔體中，減少了結構複雜的用於調節所述第一加熱單元311相對所述支撐基座32之間距離H』的機構，使得所述襯底支撐座3結構較簡單，成本較低。進一步的，所述第二加熱單元312與所述支撐基座32之間的距離H小於或等於所述第一加熱單元與所述支撐基座32之間的固定距離H』。由於所述支撐基座32的邊緣區域的散熱速度較快，因此通常需要所述第二加熱單元312提供所述支撐基座32的邊緣區域更多的熱量，所以所述第二加熱單元312應該比所述第一加熱單元311更靠近所述支撐基座32，以提高熱能利用效率。因此，所述第二加熱單元312與所述支撐基座32之間距離H在小於或等於所述第一加熱單元311與所述支撐基座32之間的固定距離H』範圍內調節。可以提高熱能利用效率；而且，由於所述第二加熱單元312的調節被限定在一個較小的範圍內，驅動所述第二加熱單元312移動的驅動模塊的驅動行程較小，因此所需的驅動模塊可以較簡單，成本較低。請參閱圖5，圖5是本實用新型半導體處理設備第三實施方式的襯底支撐座截面結構示意圖。所述第三實施方式的半導體處理設備與所述第二實施方式的半導體處理設備基本相同，其區別在於襯底支撐座3』的第一加熱單元311』與支撐基座32』之間的距離H』可調；如此，在所述支撐基座32』的中心區域與邊緣區域的溫度不均勻時，可以通過調節所述第一加熱單元311』與支撐基座32』之間的距離H』，同時調節所述第二加熱單元312』與支撐基座32』之間的距離H，使得所述支撐基座32』中心區域與邊緣區域的溫度迅速達到均勻。同時，所述第一加熱單元311』主要對所述支撐基座32』的中心區域進行加熱，而所述 支撐基座32』的中心區域是所述支撐基座的32』的主要區域，當所述支撐基座32』需要升高或降低溫度時，通過調節所述第一加熱單元311』與支撐基座32』之間的距離H』，可以使得所述支撐基座32』迅速達到所需的溫度。優選的，所述第一加熱單元311』與所述支撐基座32』的距離H』大於或等於所述第二加熱單元312』與所述支撐基座32』之間的最大距離
H。由此，所述第一加熱單元311』的調節被限定在一個較小的範圍內，驅動所述第一加熱單元311』移動的驅動模塊的驅動行程較小，因此所需的驅動模塊可以較簡單，成本較低。請參閱圖6，圖6是本實用新型半導體處理設備第四實施方式的襯底支撐座截面結構示意圖。所述第四實施方式的半導體處理設備可以與所述第二實施方式或第三實施方式的半導體處理設備基本相同，其不同在於襯底支撐座4的第二加熱單元412包括設置在所述第一加熱單元411周圍的多個加熱模塊，每一所述加熱模塊通過繞一轉軸O轉動的方式調節所述加熱模塊與支撐基座42之間的距離，使得，調節所述第二加熱單元412靠近所述支撐基座42時，所述加熱模塊遠離所述第一加熱單元411的一側更靠近所述支撐基座42。由於在所述支撐基座42的邊緣區域，越靠近所述支撐基座42的邊緣，散熱速度越快；且所述支撐基座42的溫度越高時，所述支撐基座42的邊緣區域散熱速度的變化梯度就越大；當所述加熱模塊通過繞所述轉軸O轉動以使得所述加熱模塊靠近所述支撐基座42時，所述支撐基座42通常是在進行升溫，因此，所述加熱模塊通過繞所述轉軸O轉動，可以使得所述支撐基座42的邊緣區域越接近所述支撐基座42的邊緣的地方，距離所述加熱模塊越近，從而補償了所述支撐基座42的邊緣區域散熱速度的變化，使得所述支撐基座42溫度更加均勻。請同時參閱圖6和圖7，圖7是圖6所述加熱器41的平面結構示意圖。在本實施方式的襯底支撐座4中，所述第一加熱單元411可以為多邊形，優選的，所述第一加熱器411可以呈矩形。所述每個加熱模塊呈條形。所述多個加熱模塊對應臨近所述呈多邊形的第一加熱單元411的多個邊設置。所述每一個加熱模塊與所述第一加熱單元411的對應邊通過鉸鏈43鉸接。請同時參閱圖6和圖8，圖8是圖6所述加熱器41的另一實施方式平面結構示意圖。在本實施方式的襯底支撐座4中，所述第一加熱單元411可以為圓形，所述。所述多個加熱模塊呈放射狀分布在所述圓形的第一加熱單元411的周圍。請參閱圖9，圖9是本實用新型半導體處理設備第五實施方式的襯底支撐座截面結構示意圖。所述第五實施方式的半導體處理設備可以與所述第三實施方式的半導體處理設備或第四實施方式的半導體處理設備基本相同，其不同在於襯底支撐座5的第一加熱單元511包括主加熱模塊514和中心加熱模塊513。所述中心加熱模塊513設置在由所述主加熱模塊514圍繞的區域。所述主加熱模塊514與所述支撐基座52之間的距離固定，由於所述主加熱模塊514對所述支撐基座52的加熱起主要作用，因此使所述主加熱模塊514與所述支撐基座52之間的距離固定可以方便對所述支撐基座52的溫度控制。所述中心加熱模塊513與所述支撐基座52之間的距離也可以固定，且大於所述主加熱模塊514與所述支撐基座52之間的距離；由於所述支撐基座52越靠近其中心的區域，散熱速度最慢；因此，使得中心加熱模塊513與所述支撐基座52之間的距離，大於所述主加熱模塊514與所述支撐基座52之間的距離，可以使得所述支撐基座52的溫度更均勻。優選地，在本實施方·式的襯底支撐座5中，所述中心加熱模塊513相對所述支撐基座53之間的距離可調，從而可以更加快速準確地調節所述支撐基座52的溫度，使得所述支撐基座52的溫度更均勻。進一步的，所述中心加熱模塊513與所述支撐基座52之間的距離大於所述主加熱模塊514與所述支撐基座52之間的距離。可選地，在本實施方式的襯底支撐座5中，所述中心加熱模塊513和所述主加熱模塊514均可調。所述中心加熱模塊513優選地可以與所述主加熱模塊514聯動地調節相對所述支撐基座52之間的距離。所述聯動調節的方式優選地為所述中心加熱模塊513與所述主加熱模塊514相對所述支撐基座52之間的距離同時增大或同時減少；且所述中心加熱模塊513與所述支撐基座52之間的距離增加速度大於所述主加熱模塊514與所述支撐基座52之間的距離增加速度。所述聯動調節還可以是其他聯動調節方式，如所述中心加熱模塊513與所述主加熱模塊514相對所述支撐基座52聯動地向相反方向移動。本實用新型並非限定上述實施方式所述，如在上述各實施方式中，所述支撐基座的底面還可以進一步包括設置在所述底面的微結構，以增強所述支撐基座的熱吸收能力；所述加熱器還可以設置在所述支撐基座臨近所述襯底支撐面的一側，以對所述支撐基座進行加熱；所述加熱器也可以替換為熱交換器，所述熱交換器可以只具有加熱功能的熱交換器，所述熱交換器也可以是同時具有加熱和冷卻功能的熱交換器，所述熱交換器還可以是只有冷卻功能的熱交換器，當所述的熱交換器為有冷卻功能的熱交換器時，根據與使用加熱器加熱所述支撐基座基本相同的熱交換原理，所述熱交換器對所述支撐基座的冷卻，可以使得設置本實用新型的所述襯底支撐座上的襯底得到所需要的溫度控制。在上述實施方式二至實施方式五中，所述第二加熱單元還可以設置在所述支撐基座的周圍，以對所述支撐基座的邊緣區域進行加熱。雖然本實用新型已以較佳實施例披露如上，但本實用新型並非限定於此。任何本領域技術人員，在不脫離本實用新型的精神和範圍內，均可作各種更動與修改，因此本實用新型的保護範圍應當以權利要求所限定的範圍為準。
權利要求1.一種半導體處理設備，其包括腔體、進氣裝置和設置在所述腔體中的襯底支撐座，所述進氣裝置用於向所述腔體中輸入反應氣體，所述襯底支撐座包括 支撐基座，用於支撐一個或多個襯底； 加熱器，所述加熱器用於加熱所述支撐基座，其特徵在 所述加熱器的至少一部分與所述支撐基座之間的距離可調，從而調節所述支撐基座的溫度。
2.如權利要求I所述的半導體處理設備，其特徵在於所述加熱器包括至少第一加熱單元和設置在所述第一加熱單元周圍的第二加熱單元，所述第一加熱單元對應所述支撐基座的中心區域，所述第二加熱單元對應所述支撐基座的邊緣區域，所述第二加熱單元與所述支撐基座之間的距離可調。
3.如權利要求2所述的半導體處理設備，其特徵在於所述第一加熱單元與所述支撐基座之間的距離固定，所述第二加熱單元與所述支撐基座之間的距離小於或等於所述第一加熱單元與所述支撐基座之間的距離。
4.如權利要求2所述的半導體處理設備，其特徵在於所述第一加熱單元與所述支撐基座之間的距離可調，所述第一加熱單元與所述支撐基座的距離大於或等於所述第二加熱單元與所述支撐基座之間的最大距離。
5.如權利要求2所述的半導體處理設備，其特徵在於所述第二加熱單元通過平移的方式調節與所述支撐基座之間的距離。
6.如權利要求2所述的半導體處理設備，其特徵在於所述第二加熱單元包括設置在所述第一加熱單元周圍的多個加熱模塊，所述加熱模塊通過繞一轉軸轉動的方式調節所述加熱模塊與所述支撐基座之間的距離，使得，調節所述第二加熱單元靠近所述支撐基座時，所述加熱模塊遠離所述第一加熱單元的一側更靠近所述支撐基座。
7.如權利要求6所述的半導體處理設備，其特徵在於所述第一加熱單元呈多邊形，所述多個加熱模塊呈條形，所述多個加熱模塊對應臨近所述呈多邊形的第一加熱單元各個邊設置，並以對應的邊作為轉軸。
8.如權利要求2所述的半導體處理設備，其特徵在於所述第一加熱單元包括主加熱模塊和中心加熱模塊，所述中心加熱模塊設置在由所述主加熱模塊圍繞的區域，所述主加熱模塊與所述支撐基座之間的距離固定，所述中心加熱模塊與所述支撐基座之間的距離可調，所述距離大於所述主加熱模塊與所述支撐基座之間的距離。
9.如權利要求I所述的半導體處理設備，其特徵在於所述支撐基座包括一襯底支撐面和一與所述襯底支撐面相對的底面，所述襯底設置在所述襯底支撐面，所述加熱器設置在臨近所述支撐基座的底面一側。
10.如權利要求I所述的半導體處理設備，其特徵在於所述加熱器對所述支撐基座的加熱方式包括熱輻射或熱對流。
專利摘要本實用新型提供一種半導體處理設備。所述半導體處理設備包括腔體、進氣裝置和設置在所述腔體中的襯底支撐座，所述進氣裝置用於向所述腔體中輸入反應氣體，所述一種襯底支撐座包括支撐基座，用於支撐一個或多個襯底；加熱器，所述加熱器用於加熱所述支撐基座，所述加熱器的至少一部分與所述支撐基座之間的距離可調，從而調節所述支撐基座的溫度。本實用新型的半導體處理設備，通過調節加熱器至少部分與所述支撐基座之間的距離達到調節所述支撐基座溫度的效果，擴展了對所述支撐基座溫度調節方式和/或溫度調節範圍。
文檔編號H01L21/67GK202678292SQ20122031770
公開日2013年1月16日 申請日期2012年6月29日 優先權日2012年6月29日
發明者梁秉文 申請人:光達光電設備科技(嘉興)有限公司