電子元件裝置用粘接劑的製作方法

2023-10-08 01:24:39 1

專利名稱：電子元件裝置用粘接劑的製作方法
技術領域：
本發明涉及半導體裝置等的電子元件所使用的粘接劑，特別是涉及使半導體晶片的連接用電極和半導體裝配用基板上的對應的連接用電極進行搭接，並用各向異性導電性粘接劑進行粘接固定的同時，使兩者的電極彼此電連的半導體裝置等的電子元件裝置用粘接劑。
背景技術：
一般說，作為用面朝下鍵合方式把半導體晶片直接裝配到裝配基板上的方法，可以使用先在半導體晶片的電極部分形成焊料凸點，然後焊接的倒裝晶片方式，和先把導電性粘接劑塗到設於半導體晶片上的突出電極上，然後粘接到裝配基板電極上的連接方法。
此外，作為用機械式的電極連接使半導體晶片等的電子元件和裝配基板進行電連的方法，有使導電粒子分散開來的各向異性導電粘接劑。就是說，把粘接膜設於電子元件和電極或電路之間，採用加壓或加熱加壓方法，使兩者的電極彼此電連的同時，賦予相鄰電極間的絕緣性使電子元件和電路粘接固定。利用這種機械式的電極連接的裝配方法，現在除在玻璃基板中使用之外，也正在探討在通用性高的玻璃纖維增強樹脂制的布線板上使用。
此外，作為用機械式的電連使半導體晶片等的電子元件和裝配基板電連的方法，人們還提出了先在半導體晶片的電極上形成金凸點，然後在使之與裝配基板一側的金電極接觸的同時，用熱硬化性或光硬化性粘接劑進行保持固定化的方法。
作為裝配基板使用的玻璃纖維增強樹脂制的布線基板，布線密度超群、而且可以廉價地多層化，作為布線板材料用得最為普遍。但是，若用現有的FR-4等級的玻璃纖維增強樹脂制布線板，則由於其X和Y方向的線膨脹率比晶片大，而且玻璃纖維增強樹脂制布線板的彈性模量高，故存在著在半導體晶片/粘接劑/裝配基板這種構造中產生的熱循環時的熱應力大，使上述裝配構造的連接可靠性降低的問題。
此外，由於玻璃纖維作為增強材料加入進來，故在表面上形成的電極的表面，沿著玻璃纖維的布紋，周期性地重複著起伏，所以存在著在電極的高度上產生不均一，從而使連接可靠性降低的問題。

發明內容
本發明是在藉助於使導電粒子分散後的各向異性導電性粘接劑等的粘接劑，用機械式的電極連接把半導體晶片等的電子元件和裝配基板連接起來，得到電氣連接之際，有鑑於上述存在的問題而發明的，目的是提供一種可以把半導體晶片連接到用多層布線板製作的裝配基板上，而且長期連接可靠性優良的半導體裝置等的電子元件裝置。
本發明的電子元件裝置用粘接劑，其中的電子元件裝置具有裝配基板和裝載到該裝配基板上的至少一個電子元件，上述電子元件在與上述裝配基板接連的一側具有連接電極，上述裝配基板在其表面上具有與應當裝載的電子元件的連接電極對應的連接用電極端子，上述電子元件的構成是，與其自身的連接電極對應地裝載到上述裝配基板表面的應該裝載位置的上述連接用電極端子上邊，並通過粘接劑把上述電子元件的已經形成了上述連接電極的面和上述裝配基板表面粘接固定，使上述連接用電極端子和上述電子元件的連接電極電連起來，其特徵是與上述粘接劑粘接後的階段相當的硬化後的粘接劑在40℃下的存儲彈性模量為100～4000MPa。
上述存儲彈性模量，例如，可以用レオロジ株式會社生產的レオスペクトラDVE-4(拉伸模式，頻率10Hz，以5℃/分升溫，在-40℃～250℃間測定)進行測定。存儲彈性模量E1、E2可以用玻化溫度Tg以下的相同的溫度值進行比較。
若採用本發明，可以得到半導體晶片等的電子元件和裝配基板之間的連接可靠性優良的半導體裝置等的電子元件裝置用粘接劑。


圖1的剖面圖示出了本發明的電子元件裝置的構成的一個例子。
圖2的剖面圖示出了電子元件和裝配基板之間的連接狀態的一個例子。
具體實施例方式
用圖1和圖2對把半導體晶片連接到裝配基板上的例子進行說明。圖1的例子用不含導電粒子的粘接劑連接半導體晶片和裝配基板。圖2示出了在圖1的情況下，用含有導電粒子的粘接劑連接半導體晶片和裝配基板情況下的連接部分。
圖1的電子元件裝置由裝配基板20和已經裝配到其上邊的半導體晶片10構成。另外，圖1示出了電子元件裝置的一部分，實際上，在裝配基板20上邊還將裝配其它的半導體晶片等別的元件。
半導體晶片10在其一個面上已形成了將成為突出電極(凸點)的連接電極11。通過該連接電極11與裝配基板電連。
裝配基板20具有多層絕緣層21、22；和通過上述各絕緣層配置的多層布線層32、33；上述半導體晶片10用來與連接電極11連接的連接用電極端子31；為了對上述布線層32、33中的特定布線層間進行電連貫通上述絕緣層21、22設置的導體34。為了貫通上述導體34，在絕緣層21、22上，在需要的部位，設有用做貫通孔的孔25。就是說，該裝配基板構成樹脂複合系多層布線板。其中，布線層32被設置為內層電路，布線層33和連接用電極31則被設置為外層電路。連接用電極31的功能是用做在其上邊裝載晶片的導體電路。
作為設置於半導體晶片10上的連接電極11的突出電極(凸點)和設置於裝配基板20的表面上的連接用電極端子31進行位置對準。在半導體晶片10和裝配基板20之間，配置用於進行粘接的膜狀粘接劑40。採用在該狀態下從半導體晶片10一側加壓加熱的辦法，使粘接劑40進行流動和硬化，使設於半導體晶片10上的連接電極11和設於裝配基板20表面上的連接用電極端子31直接接連，得到電學連接。
在使用使導電粒子分散後的各向異性導電粘接劑等的粘接劑40的情況下，如圖2所示，連接電極11和連接用電極端子31，在它們中間存在著導電粒子41的狀態下進行連接，同時進行粘接固定。在使用各向異性導電粘接劑40的情況下，在變成為使之加壓粘接應該連接的相向的電極面的狀態下，在相向電極間通過存在於它們之間的導電性粒子進行導通。此外，在相鄰的電極間，粘接劑儘管內含導電粒子，但由於導電粒子的密度低，故並不呈現導電性。
上述裝配基板20具有由用玻璃基材增強後的樹脂構成的至少一層以上的第1絕緣層21，和作為最外層至少構成粘接固定上述電子元件一側的1層第2絕緣層22。另外，在圖1的例子中，在與粘接固定上述電子元件的一側不同的另一側，也設有第2絕緣層22。在圖1的例子中，雖然僅僅示出了1層絕緣層21，但是，本發明不限於此。可以設置多層絕緣層21。此外，對於第2絕緣層22，除上述之外也還可以多設置。
上述裝配基板20，如設用DVE法測定的上述第1絕緣層的存儲彈性模量為E1，用DVE法測定的上述第2絕緣層的存儲彈性模量為E2，則變成為如下式所示，E2＝0.01E1～0.5E1是已構成了絕緣層的多層布線板。
其中，上述E2，理想的是E2＝0.05E1～0.2E1構成多層布線板的第2絕緣層(沒用玻璃纖維等的玻璃基材的絕緣層硬化後(在熱可塑性樹脂的情況下，是疊層後))用DVE法測定的彈性模量為25℃102～104MPa
100℃101～103MPa這對於連接可靠性更為合適。
在由使用玻璃纖維的絕緣層構成的基材或具有1層以上的導體電路的布線基板上邊，可以用交互地形成了絕緣層和導體電路層的組合(build up)多層板構成上述裝配基板20。上述裝配基板20是這樣的組合多層板，對於實現本發明的構成，是一種合適的構成。
在上述多層布線板中，至少一個第1絕緣層是平面方向的線膨脹率在13ppm/℃以下的絕緣層，這對於降低該多層布線板全體的熱膨脹率是合適的，且可以提高連接可靠性。
本發明中的裝配基板20，在將成為絕緣層的最外層的絕緣層22中，也可以使用不含玻璃纖維的樹脂膜。
該樹脂膜，可以使用環氧樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚醯胺亞胺樹脂、變質聚對二甲苯樹脂、苯氧基樹脂、醯胺環氧樹脂、酚醛樹脂或它們的混合物，異分子聚合物等，還可以使它們與丙烯酸橡膠、丙烯腈橡膠、苯氧基樹脂、PVB等的賦予可撓性的高分子化合物混合使用。此外，也可以使用聚碸、聚醚碸、聚醚酮醚、全芳香族液晶聚酯、氟系樹脂等的耐熱性熱可塑性工程塑料的膜。
可以使用在上述樹脂膜中含有有機或無機填料的膜。
此外，本樹脂膜的厚度理想的是20～100微米。
再有，在本發明的裝配基板20的用玻璃基材增強後的樹脂構成的第1絕緣層中，可以含有無機填料。
作為在本發明中使用的粘接劑，不論是膜狀還是液態的狀態都可以使用。膜狀不是像液態那樣用塗敷或印刷法在基板上形成，僅僅進行配置就可以進入粘接工序。因此，不僅加工性容易，還具有考慮到連接端子的高度容易控制膜厚的特徵，是合適的。作為粘接劑，理想的是熱可塑性高分子或藉助於熱、電子射線、光等的能量硬化的交聯型高分子，其中，理想的是環氧樹脂、氰酸酯樹脂，醯亞胺樹脂。此外，還可以以賦予可撓性、膜形成性為目的，向這些樹脂中混合熱可塑性高分子。粘接用加壓加熱的辦法進行，所以若加熱時的粘接劑的熔融粘度過高，則不能排除粘接劑，不能確保電導通，故粘接劑的粘接加熱溫度下的熔融粘度理想的是1000泊以下。
本發明中的粘接劑，出於緩和基於晶片和基板的熱膨脹係數的不同而產生的應力的目的，在粘接後的40℃下的彈性模量理想的是100～4000MPa，若為100～2000MPa，則特別理想。例如，作為粘接劑可以舉出向環氧樹脂和咪唑系、醯肼系、三氟化硼-胺絡合物、鋶鹽、胺醯亞胺、聚胺的鹽、雙氰基雙醯胺等的潛在性硬化劑的混合物中配合丙烯酸橡膠，使得在粘接後40℃下的彈性模量變成為100～1500MPa。與粘接劑粘接後的階段相當的粘接膜硬化物的彈性模量，例如，可以使用レオロジ株式會社生產的レオスペクトラDVE-4(拉伸模式，頻率10Hz，以5℃/分升溫，在-40℃～250℃間測定)進行測定。粘接膜的硬化，可以在與粘接工序時的加熱溫度和時間相同的條件下進行，作為硬化方法，可以把粘接劑(膜)浸泡到油浴中進行。
作為在本發明中使用的丙烯酸橡膠，可以舉出以丙烯酸、丙烯酸酯、異丁烯酸酯或者丙烯腈中的至少一種為單聚物成分的聚合物或異分子聚合物，其中，含有縮水甘油乙醚基的縮水甘油基丙烯酸酯或含有甲基丙烯酸縮水甘油酯的異分子聚合物系丙烯酸橡膠用起來很合適。這些丙烯酸橡膠的分子量，從提高粘接劑的凝集力的觀點出發，理想的是20萬以上。丙烯酸橡膠在粘接劑中的配合量若低於15wt％，則粘接後的40℃下的彈性模量將超過2000MPa，而若大於40wt％，則雖然可以實現低彈性模量化，但連接時的熔融粘度變高，在連接電極邊界間或連接電極和導電粒子界面的熔融粘接劑的排除性會降低，因而，變得難於確保連接電極間或連接電極和導電粒子間的電導通。為此，作為丙烯酸配合量理想的是15～40wt％。已經配合到粘接劑中的這些丙烯酸橡膠，由於歸因於橡膠成分的介電損耗角正切的峰值溫度位於40～60℃附近，故可以實現粘接劑的低彈性模量化。
為了吸收晶片的凸點或電路電極的高度的不均一性，出於積極地賦予各向異性導電性的目的，還可以向本發明中使用的粘接劑內分散導電粒子。在本發明中，作為導電粒子，例如可以使用Au、Ni、Ag、Cu、W或焊錫等的金屬粒子，或者用向這些金屬粒子表面上電鍍或蒸發金或鈀等的薄膜形成的金屬粒子。此外，還可以用在聚苯乙烯等的高分子的球狀的核心材料中設置有Ni、Cu、Au和焊錫等的導電層的導電粒子。
粒徑必須比基板的電極的最小間隔還小，在電極高度有不均一的情況下，理想的是比高度不均一大，理想的是1微米～10微米。此外，分散到粘接劑中的導電粒子量是0.1～30體積％，理想的是0.2～15體積％。
本發明中的半導體晶片的連接電極11可以使用突出電極，這種突出電極可以用本身為鍍上金、鎳、焊錫等後用熱能使已作成為突出電極的電鍍凸點或金、鋁等的金屬絲的頂端變成球狀，在把該球壓到構成連接端子的半導體晶片的電極焊盤上之後，切斷上述金屬絲構成的突出電極的球狀凸點、焊料球、熔融焊料成型凸點、柱狀的焊錫等形成。
如現有的僅僅用玻璃纖維增強樹脂基材構成的半導體裝配基板那樣，若用Tg為Tg以下(1.5～2.0)×104MPaTg以上(4～10)×103MPa的基板，則由於熱衝擊試驗、PCT試驗或焊錫浴浸泡試驗等的可靠性實驗中產生的內部應力將會產生在連接部分處的連接電阻的增大或粘接劑的剝離。但是，若用本發明的裝配基板，設用DVE法測定的上述第1絕緣層的存儲彈性模量為E1，用DVE法測定的上述第2絕緣層的存儲彈性模量為E2，則變成為如下式所示，E2＝0.01E1～0.5E1所以，可以吸收在上述可靠性實驗中產生的內部應力，即便是在可靠性試驗後，也不會有在連接部分處的連接電阻的增大和粘接劑的剝離，將大幅度地改善連接可靠性。
一般的玻璃環氧樹脂基材(FR-4等級)在X和Y方向的線膨脹率為16ppm/℃，對此，如果使用至少一層以上的線膨脹率為13ppm/℃以下的玻璃纖維增強樹脂製作的絕緣層，由於裝配基板全體的線膨脹率降低，故可以減小在與半導體晶片之間的連接部分處產生的內部應力。
本發明中的粘接劑，其本身雖然具有緩和連接部分的內部應力的作用，但藉助於本發明中的裝配基板所提供的應力緩和作用，可以使用在40℃下的彈性模量為100～4000MPa的粘接劑。如設彈性模量為100～2000MPa，由於在熱衝擊試驗、PCT試驗或焊錫浴浸泡試驗等的可靠性實驗中產生的內部應力還可以用粘接劑吸收，故將大幅度地改善連接可靠性。
作為本發明的電子元件，可以使用半導體晶片、電晶體、二極體、可控矽等的有源器件和電容、電阻和線圈等的無源元件。
實施例1對本身為X和Y方向的線膨脹率為16ppm/℃，Tg約170℃，Tg以下的彈性模量為1.8×104MPa的玻璃纖維環氧樹脂兩面貼銅層壓板的MCL-E-679(日立化成工業株式會社生產，商品名)的表面銅箔，用現有的去掉(subtract)法施行內層電路加工、內層粘接處理。其次，在該內層電路表面上，在170℃，40kgf/cm2，60分鐘衝壓疊層粘接已先施行了鑽孔加工的、無玻璃纖維的、帶銅箔的環氧樹脂粘接膜MCF-3000E，開貫通孔，進行無電解鍍銅，用去掉法施行外層電路加工和焊料塗敷，得到裝配基板。半導體晶片，使用作為連接電極使用由焊料球形成突出電極的晶片。
之後，用粘接後的在40℃下的彈性模量為1500MPa的粘接劑膜，把半導體晶片的突出電極和裝配基板連接起來。首先，在複製粘接劑膜之後，進行半導體晶片的突出電極和裝配基板的半導體晶片裝載用電路(連接用電極端子)之間的位置對準，用180℃，10kgf/cm2的溫度和壓力，對半導體晶片進行20秒鐘加熱加壓粘接，並使各向異性導電膜硬化。這樣，半導體晶片的突出電極和裝配基板的半導體晶片裝載用電路就通過粘接劑膜電連，同時，半導體晶片和裝配基板之間，得以因粘接劑的硬化保持該連接狀態。
把將這樣得到的半導體晶片和裝配基板連接起來的構件，在(-55℃，30分)/(125℃，30分)的條件下放置於反覆進行的冷熱循環試驗中。測定在進行該冷熱循環1000次之後的半導體晶片的突出電極和裝配基板的半導體晶片裝載用電路的連接電阻，該電阻為100mΩ以下。
實施例2對本身為X和Y方向的線膨脹率為16ppm/℃，Tg約170℃，Tg以下的彈性模量為1.8×104MPa的玻璃纖維環氧樹脂兩面貼銅層壓板的MCL-E-679(日立化成工業株式會社生產，商品名)的表面銅箔，用現有的去掉(subtract)法施行內層電路加工、內層粘接處理。其次，在該內層電路表面上，在170℃，40kgf/cm2，60分鐘衝壓疊層粘接已先施行了鑽孔加工的、無玻璃纖維的、帶銅箔的環氧樹脂粘接膜MCF-3000E，開貫通孔，進行無電解鍍銅，用去掉法施行外層電路加工和施行無電解鍍鎳/鍍金，得到裝配基板。
半導體晶片，使用作為連接電極由本身為在把金絲鍵合到電極上後切斷構成的突出電極的球狀凸點形成了突出電極的晶片。之後，把導電性粘接劑塗到與半導體晶片的突出電極對應的裝配基板上的連接電極上邊並使之半硬化。然後用粘接後在40℃的彈性模量為1500MPa的粘接劑膜連接半導體晶片的突出電極和裝配基板。首先，在把粘接劑膜位置對準並粘貼到裝配基板上邊之後，進行半導體晶片的突出電極和裝配基板的半導體晶片裝載用電路之間的位置對準，用180℃，10kgf/cm2的溫度和壓力，對半導體晶片進行20秒鐘加熱加壓粘接，並使各粘接劑膜硬化。這樣，半導體晶片的突出電極和裝配基板的已經塗上導電性粘接劑的半導體晶片裝載用電路就通過粘接劑膜電連，同時，半導體晶片和裝配基板之間，得以因粘接劑的硬化保持該連接狀態。
把將這樣得到的半導體晶片和裝配基板連接起來的構件，在(-55℃，30分)/(125℃，30分)的條件下放置於反覆進行的冷熱循環試驗中。測定在進行該冷熱循環1000次之後的半導體晶片的突出電極和裝配基板的半導體晶片裝載用電路的連接電阻，該電阻為100mΩ以下。
實施例3對本身為X和Y方向的線膨脹率為16ppm/℃，Tg約170℃，Tg以下的彈性模量為1.8×104MPa的玻璃纖維環氧樹脂兩面貼銅層壓板的MCL-E-679(日立化成工業株式會社生產，商品名)的表面銅箔，用現有的去掉(subtract)法施行內層電路加工、內層粘接處理。其次，在該內層電路表面上，在170℃，40kgf/cm2，60分鐘衝壓疊層粘接已先施行了鑽孔加工的、無玻璃纖維的、帶銅箔的環氧樹脂粘接膜MCF-3000E，開貫通孔，進行無電解鍍銅，用去掉法施行外層電路加工和施行無電解鍍鎳/鍍金，得到裝配基板。
作為半導體晶片的連接電極，使用由鍍金形成了突出電極的晶片。然後用粘接後在40℃的彈性模量為1500MPa的各向異性導電膜連接半導體晶片的突出電極和裝配基板。首先，在把各向異性導電膜複製到裝配基板上之後，進行半導體晶片的突出電極和裝配基板的半導體晶片裝載用電路之間的位置對準，用180℃，10kgf/cm2的溫度和壓力，對半導體晶片進行20秒鐘加熱加壓粘接，並使各向異性導電膜硬化。這樣，半導體晶片的突出電極和裝配基板的半導體晶片裝載用電路就通過各向異性導電膜電連，同時，半導體晶片和裝配基板之間，得以因各向異性導電膜的粘接劑的硬化保持該連接狀態。
把將這樣得到的半導體晶片和裝配基板連接起來的構件，在(-55℃，30分)/(125℃，30分)的條件下放置於反覆進行的冷熱循環試驗中。測定在進行該冷熱循環1000次之後的半導體晶片的突出電極和裝配基板的半導體晶片裝載用電路的連接電阻，該電阻為100mΩ以下。
實施例4在實施例1～3中，除把玻璃纖維環氧樹脂兩面貼銅層壓板變更為本身為X和Y方向的線膨脹率為9～11ppm/℃，Tg以下的彈性模量為2.2×104Mpa的玻璃纖維環氧樹脂兩面貼銅層壓板的MCL-E-679LD(商品名，日立化成工業株式會社生產)外，同樣地加工裝配基板，用與實施例1、2、3同樣的半導體晶片、粘接劑膜或各向異性導電性粘接劑膜的裝配條件下，把半導體晶片和裝配基板連接起來。
把將這樣得到的半導體晶片和裝配基板連接起來的構件，在(-55℃，30分)/(125℃，30分)的條件下放置於反覆進行的冷熱循環試驗中。測定在進行該冷熱循環1000次之後的半導體晶片的突出電極和裝配基板的半導體晶片裝載用電路的連接電阻，該電阻為50mΩ以下。
實施例5在實施例4中，除把粘接劑膜或各向異性導電性粘接劑膜變更為在粘接後的40℃下的彈性模量為1200MPa的各向異性導電膜外，經與實施例4相同的處理連接半導體晶片和裝配基板。
把將這樣得到的半導體晶片和裝配基板連接起來的構件，在(-55℃，30分)/(125℃，30分)的條件下放置於反覆進行的冷熱循環試驗中。測定在進行該冷熱循環1000次之後的半導體晶片的突出電極和裝配基板的半導體晶片裝載用電路的連接電阻，該電阻為50mΩ以下。
實施例6除在內層電路基板的加工後，依次載置沒有玻璃纖維的環氧樹脂粘接膜AS-3000(商品名，日立化成工業株式會社生產，Tg約為130℃，Tg以下的彈性模量為0.23～0.3×104MPa)和沒有玻璃纖維的帶銅箔的環氧樹脂粘接膜MCF-3000E(商品名，日立化成工業株式會社生產)，進行層壓粘接，開貫通孔，進行外層電路加工外，經與實施例4同樣的處理把半導體晶片和裝配基板連接起來。把將這樣得到的半導體晶片和裝配基板連接起來的構件，在(-55℃，30分)/(125℃，30分)的條件下放置於反覆進行的冷熱循環試驗中。測定在進行該冷熱循環1000次之後的半導體晶片的突出電極和裝配基板的半導體晶片裝載用電路的連接電阻，該電阻為50mΩ以下。
權利要求
1.一種電子元件裝置用粘接劑，該電子元件裝置具有裝配基板和裝載到該裝配基板上的至少一個電子元件，上述電子元件在與上述裝配基板接連的一側具有連接電極，上述裝配基板在其表面上具有與應當裝載的電子元件的連接電極對應的連接用電極端子，上述電子元件的構成是，與其自身的連接電極對應地裝載到上述裝配基板表面的應該裝載位置的上述連接用電極端子上邊，並通過粘接劑把上述電子元件的已經形成了上述連接電極的面和上述裝配基板表面粘接固定，使上述連接用電極端子和上述電子元件的連接電極電連起來，其特徵是與上述粘接劑粘接後的階段相當的硬化後的粘接劑在40℃下的存儲彈性模量為100～4000MPa。
2.權利要求1所述的電子元件裝置用粘接劑，其特徵是與上述粘接劑粘接後的階段相當的硬化後的粘接劑在40℃下的存儲彈性模量為100～2000MPa。
3.權利要求1所述的電子元件裝置用粘接劑，其特徵是與上述粘接劑粘接後的階段相當的硬化後的粘接劑在40℃下的存儲彈性模量為100～1500MPa。
4.權利要求1所述的電子元件裝置用粘接劑，其特徵是上述粘接劑是藉助於能量硬化的交聯型高分子
5.權利要求1所述的電子元件裝置用粘接劑，其特徵是上述粘接劑至少含有環氧樹脂、丙烯酸橡膠和潛在性硬化劑。
6.權利要求1所述的電子元件裝置用粘接劑，其特徵是在上述粘接劑中分散有0.2～15體積％的導電粒子。
7.權利要求1所述的電子元件裝置用粘接劑，其特徵是上述粘接劑是薄膜。
全文摘要
在把半導體晶片10裝配到裝配基板20上的裝置中，對玻璃環氧樹脂兩面貼銅層壓板21的表面，施行電路加工32和內層粘接處理，接著，把帶銅箔的環氧樹脂粘接膜衝壓疊層粘接到上述內層電路表面上，在它上面開貫通孔，施行無電解鍍銅，用去掉(subtract)法進行的外層電路加工31和33，及塗敷焊錫，得到裝配基板20。用粘接劑膜40把半導體晶片的突出電極11和裝配基板連接起來。其中在與粘接後的階段相當的硬化後的40℃下，粘接劑的存儲彈性模量為100～4000MPa。
文檔編號H01L23/14GK1441473SQ02157498
公開日2003年9月10日 申請日期2002年12月25日 優先權日1996年11月1日
發明者竹村賢三, 渡邊伊津夫, 永井朗, 渡邊治, 小島和良, 中祖昭士, 山本和德, 靍義之, 稻田禎一, 島田靖 申請人:日立化成工業株式會社