一種氙燈預燃方法、電路以及IPL設備與流程
2023-10-18 00:56:54 1
本發明涉及照明設備技術領域，具體涉及一種用於實現氙燈高效預燃的氙燈預燃方法、電路以及ipl設備。
背景技術：
脈衝氙燈具體譜線寬、亮度強、電光效率高、壽命長以及負阻性的特點，因此被廣泛用於ipl脫毛儀、ipl嫩膚儀等美容醫療設備和雷射內雕機、雷射焊接機、雷射美容機等雷射泵浦設備。
在一般ipl光子美容醫療設備中，脈衝氙燈工作狀態一般包含輝光放電和弧光放電兩種狀態，在輝光放電預燃中，脈衝氙燈沒導通時處於高阻態，氙燈的內阻無窮大，氙燈裸露在絕緣體中需要供15000v以上的擊穿電壓才能成功有效預燃或氙燈置放在不封閉導體中需要供7000v以上的擊穿電壓才能成功有效預燃，擊穿時間大於10ms，此時脈衝氙燈處於低阻態，氙燈的內阻小於1kω，只需要100v左右即可以維持180ma的輝光放電。
現有技術中，通常都是通過恆定的高壓增加γ作用或通過脈衝的高壓增加α作用，實現氙燈的預燃的，使得氙燈導通的擊穿電壓很高，由於高電壓觸發預燃會增加氙燈負極濺射的創傷而導致氙燈壽命變短，因此，如何通過降低氙燈在預燃過程中的擊穿電壓，以條氙燈的使用壽命成為本領域技術人員亟待解決的技術問題之一。
技術實現要素：
有鑑於此，本發明實施例提供一種氙燈預燃方法、電路以及ipl設備，以解決現有技術中氙燈使用壽命過短的問題。
為實現上述目的，本發明實施例提供如下技術方案：
一種氙燈預燃方法，應用於氙燈預燃電路中，包括：
判斷是否獲取到氙燈預燃信號，如果是，向氙燈兩端施加預設直流電壓，向氙燈所處的局域封閉性良導體腔芯上施加預設交變電壓，所述預設直流電壓的電壓值為第一電壓值，所述預設交變電壓的頻率為第一預設頻率、最高峰值為第一預設峰值；
當獲取到停止預燃信號時，將所述預設直流電壓切換為用於維持所述氙燈導通第二電壓值，停止向所述氙燈所處的局域封閉性良導體腔芯上施加預設交變電壓。
優選的，上述氙燈預燃方法中，所述第一預設電壓值為1200v，所述第一預設頻率為不小於50khz的交變電壓，所述第一預設峰值為不大於2000v，所述第二預設電壓值的取值範圍為[100v，200v]。
優選的，上述氙燈預燃方法中，所述向氙燈兩端施加預設直流電壓，向氙燈所處的局域封閉性良導體腔芯上施加預設交變電壓，具體為：
通過多繞組變壓器的第一次級繞組以及整流電路向氙燈兩端施加預設直流電壓，通過所述多然組變壓器的第二次級繞組向氙燈所處的局域封閉性良導體腔芯上施加預設交變電壓。
優選的，上述氙燈預燃方法中，當獲取到停止預燃信號之前，還包括：
實時監測氙燈的導通狀態，當檢測到氙燈導通時，生成停止預燃信號；
或當獲取到所述氙燈預燃信號時開始計時，當計時時長達到設定時長時生成所述停止預燃信號。
一種氙燈預燃電路，包括：
變頻器；
與所述變頻器相連的變壓器電路；
輸入端分別與所述變壓器電路第一輸出端和第二輸出端一一對應相連的整流電路，所述整流電路的輸出端與所述氙燈兩端一一對應相連；
所述變壓器電路的第三輸出端和第四輸出端的輸出電壓施加在所述氙燈所處的局域封閉性良導體腔芯上；
所述變頻器被配置為：當獲取到氙燈預燃信號時，通過所述變壓器電路的第一輸出端、第二輸出端和整流電路向氙燈兩端施加預設直流電壓，通過所述變壓器電路的第三輸出端和第四輸出端向氙燈所處的局域封閉性良導體腔芯上施加預設交變電壓，所述預設直流電壓的電壓值為第一電壓值，所述預設交變電壓的頻率為第一預設頻率、最高峰值為第一預設峰值；當獲取到停止預燃信號時，將所述預設直流電壓切換為用於維持所述氙燈導通第二電壓值，停止向所述氙燈所處的局域封閉性良導體腔芯上施加預設交變電壓。
優選的，上述氙燈預燃電路中，所述整流電路包括：
輸出端與所述變壓器電路的第一輸出端相連的第一單向電路，所述第一單向電路的輸入端與所述氙燈的第一端相連；
輸入端與所述變壓器電路的第一輸出端相連的第二單向電路，所述第二單向電路的輸出端與所述氙燈的第二端相連；
輸入端與所述變壓器電路的第二輸出端相連的第三單向電路，所述第三單向電路的輸出端與所述氙燈的第二端相連；
輸出端與所述變壓器電路的第二輸出端相連的第四單向電路，所述第四單向電路的輸入端與所述氙燈的第一端相連。
優選的，上述氙燈預燃電路中，所述第一至第四單向電路均由兩個順向串聯的二極體組成。
優選的，上述氙燈預燃電路中，所述變壓器輸出電路的第四輸出端與所述氙燈的第二端相連，所述變壓器輸出電路的第三輸出端與所述氙燈所處的局域封閉性良導體腔芯相連。
優選的，上述氙燈預燃電路中，還包括：
設置在所述變壓器輸出電路的第四輸出端與所述氙燈的第二端之間或設置在所述變壓器輸出電路的第三輸出端與所述局域封閉性良導體腔芯之間的控制開關；
開關控制器，用於當獲取到停止預燃信號時，向所述控制開關輸出用於控制所述控制開關斷開的控制信號。
優選的，上述氙燈預燃電路中，還包括：
氙燈狀態檢測電路，用於檢測氙燈的導通狀態，當氙燈處於導通狀態時，生成並輸出停止對氙燈進行預燃的停止預燃信號。
優選的，上述氙燈預燃電路中，所述變壓器電路為多繞組變壓器；
所述多繞組變壓器的輸入繞組與所述變頻器的輸出端相連；
所述多繞組變頻器的第一次級繞組的異名端作為所述變壓器電路的第一輸出端、同名端作為所述變壓器電路的第二輸出端；
所述多繞組變頻器的第二次級繞組的異名端作為所述變壓器電路的第三輸出端、同名端作為所述變壓器電路的第四輸出端。
優選的，上述氙燈預燃電路中，所述變壓器電路包括：
第一變壓器和第二變壓器；
所述第一變壓器和第二變壓器的輸入端與所述變頻器的輸出端相連；
所述第一變壓器的次級繞組的兩端分別作為所述變壓器電路的第一輸出端和第二輸出端；
所述第二變壓器的次級繞組的兩端分別作為所述變壓器電路的第三輸出端和第四輸出端。
一種ipl設備，應用有上述任意一項所述的氙燈預燃電路
基於上述技術方案，本發明實施例提供的上述方案中，所述變壓器電路開始工作時，所述變壓器電路的第一輸出端、第二輸出端通過所述整流電路向所述氙燈輸出預設直流電壓，所述變壓器電路的第三輸出端和第四輸出端向所述局域封閉性良導體腔芯施加預設交變電壓，通過所述預設交變電壓產生的高壓迅變場保持並增強了氙燈氣體α作用，增加了氣體的正離子數量，與此同時氙燈燈極最高只有所述預設直流電壓，所述預設直流電壓相較於現有技術中在氙燈兩端施加的電壓較小，降低了氙燈陰極的γ作用，減小了正離子轟擊陰極的動能，這樣通過提高正離子作用於氙燈陰極的豐度，弱化正離子作用於氙燈陰極的裂度，有效地加大了氙燈內部電子、正離子數量。單個正離子轟擊氙燈陰極濺射二次電子作用被弱化，氙燈使用壽命會有大幅度的提高。
附圖說明
為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的實施例，對於本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據提供的附圖獲得其他的附圖。
圖1為本申請實施例公開的一種氙燈預燃電路的結構圖；
圖2為本申請另一實施例公開的一種氙燈預燃電路的結構圖；
圖3為本申請又一實施例公開的一種氙燈預燃電路的結構圖；
圖4為為本申請實施例公開的一種氙燈預燃方法的流程示意圖。
具體實施方式
下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基於本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬於本發明保護的範圍。
本申請實施例公開的方案是基於：據湯森氣體自持放電條件，即擊穿判據：
δ＝γ(eαd-1)＝1
它的物理意義是如果最初從陰極逸出一個初始電子，則該電子在加速的同時不斷進行碰撞電離，到達陽極時電子數增至eαd，在這個過程中生成的正離子數就相當於從這些電子數中減去一個電子，即(eαd-1)，這些正離子最終通過γ作用，產生二次電子發射，如果二次電子發射γ(eαd-1)至少為1，那麼便可以產生持續自持的電流。
但是，目前絕大多數氙燈設備都是通過恆定的高壓增加γ作用或通過脈衝的高壓增加α作用，來實現氙燈預燃的，氙燈導通所需的擊穿電壓和擊穿時間都很高，造成了氙燈使用壽命縮短。
針對於現有技術中，在預燃階段存在較高的氙燈預燃過程中，嚴重縮短氙燈的使用壽命的問題，本申請公開了一種氙燈預燃電路，參見圖1，該電路包括：
變頻器100；
與所述變頻器100相連的變壓器電路200；
輸入端分別與所述變壓器電路200的第一輸出端和第二輸出端一一對應相連的整流電路300，所述整流電路300的兩個輸出端與所述氙燈兩端一一對應相連；
所述變壓器電路200的第三輸出端和第四輸出端與所述氙燈所處的局域封閉性良導體腔芯a(氙燈包含在所述腔芯a內部，局域封閉性良導體腔芯圖中未畫出，僅以豎線代替)相連；
所述變頻器100被配置為：當獲取到氙燈預燃信號時，通過所述變壓器電路200的第一輸出端、第二輸出端和整流電路300向氙燈兩端施加預設直流電壓，通過所述變壓器電路200的第三輸出端和第四輸出端向氙燈所處的局域封閉性良導體腔芯a上施加預設交變電壓，所述預設直流電壓的電壓值為第一電壓值，所述預設交變電壓的頻率為第一預設頻率、最高峰值為第一預設峰值；當獲取到停止預燃信號時，將所述預設直流電壓切換為用於維持所述氙燈導通第二電壓值，停止向所述氙燈所處的局域封閉性良導體腔芯上施加預設交變電壓。
所述氙燈正常工作時，氙燈預燃電路中，所述變壓器電路200的第一輸出端和第二輸出端為氙燈預燃電路的維持電壓輸出端，當氙燈未預燃時，所述第一輸出端和第二輸出端通過整流電路整流後向所述氙燈輸出一預設恆定的高壓直流電，該預設直流電的電壓值依據所述變頻器100的輸出以及所述變壓器電路200中的輸入輸出電壓的比值而定，例如，在本申請上述實施例公開的技術方案中，通過設定所述變頻器100的輸出以及變壓器電路200輸出和輸出的比值，可使得整流電路輸出1200的直流高壓。當氙燈預燃後，所述變壓器電路200的第一輸出端和第二輸出端所輸出的電壓只有能夠維持氙燈輝光放電所需的100v～200v的管壓降，即，當預燃結束後，可以通過調節變頻器100輸出和/或變壓器電路200，使得所述整流電路300的輸出電壓為用於維持所述氙燈輝光放電所需的電壓，其電壓值大小可以依據用戶需求自行選擇，例如可以為[100v，200v]範圍內的任意一電壓值；
所述變壓器電路200的第三輸出端和第四輸出端為氙燈的預燃觸發電壓輸出端，此端接到所述氙燈的局域封閉性良導體腔芯a上，目的是輸出高壓、高頻的交流信號。在氙燈未預燃時，所述變壓器電路200的第三輸出端和第四輸出端的輸出電壓的最高峰值為應小於一設定峰值閾值的第一預設峰值，其頻率可以為小於一設定頻率閾值的第一預設頻率，例如，在氙燈未預燃時，所述第三輸出端和第四輸出端輸出的電壓值交流信號的最大峰值可以設定為不大於1500v的第一預設峰值，其頻率可以為不小於50khz的第一預設頻率；當氙燈預燃結束後，則無需向所述局域封閉性良導體腔芯a施加所述交變電流，因此，此時停止向所述局域封閉性良導體腔芯a施加所述交變電流；
下面，基於工作原理對本申請上述電路的工作過程進行統一說明，當所述變頻器100收到預燃信號時，所述變壓器電路200開始工作，所述變壓器電路200的第一輸出端、第二輸出端通過所述整流電路300向所述氙燈輸出預設直流電壓，所述變壓器電路200的第三輸出端和第四輸出端向所述局域封閉性良導體腔芯a施加預設交變電壓，通過所述預設交變電壓產生的高壓迅變場保持並增強了氙燈氣體α作用，增加了氣體的正離子數量，與此同時氙燈燈極最高只有所述預設直流電壓，所述預設直流電壓相較於現有技術中在氙燈兩端施加的電壓較小，降低了氙燈陰極的γ作用，減小了正離子轟擊陰極的動能，這樣通過提高正離子作用於氙燈陰極的豐度，弱化正離子作用於氙燈陰極的裂度，有效地加大了氙燈內部電子、正離子數量，使氙燈內部雪崩式反應加快，能在極短的時間內(微秒數量級)將氙燈點燃導通。在這個過程中，因為單個正離子轟擊氙燈陰極濺射二次電子作用被弱化，氙燈使用壽命會有大幅度的提高。
在本申請上述實施例公開的技術方案中，所述整流電路的具體結構可以依據用戶需求自行設定，例如其可以為零式電路、橋式電路或其他類型的能夠實現交-直流轉換的整流電路。
參見圖2，在本申請實施例公開的技術方案中，所述整流電路300可以由四個單向電路組成的全橋式整流電路，所述變壓器電路200的第一輸出端和第二輸出端輸出的交流信號經所述全橋整流電路進行全橋整流後，輸出直流電壓到氙燈的陽極，其中：
所述第一單向電路301輸出端與所述變壓器電路200的第一輸出端相連，所述第一單向電路301的輸入端與所述氙燈的第一端相連；
所述第三單向電路303輸入端與所述變壓器電路200的第二輸出端相連，所述第三單向電路303的輸出端與所述氙燈的第二端相連；
所述第二單向電路302輸入端與所述變壓器電路200的第一輸出端相連，所述第二單向電路302的輸出端與所述氙燈的第二端相連；
所述第四單向電路304輸出端與所述變壓器電路200的第二輸出端相連，所述第四單向電路304的輸入端與所述氙燈的第一端相連。
所述第一單向電路301和第三單向電路303組成第一整流支路，所述第二單向電路302和第四單向電路304組成第二條整流支路，當所述變壓器電路200的第三輸出端輸出電壓信號為正值、第一輸出端輸出的電信號為負值時，電流由所述變壓器電路的第三輸出端輸出，輸出的電流依次流經所述第三單向電路303、氙燈第二端、氙燈第一端、第一單向電路301流回至所述變壓器電路200的第一輸出端；當所述變壓器電路200的第一輸出端輸出電壓信號為正值、所述變壓器輸出電路的第二輸出端輸出的電信號為負值時，電流由所述變壓器電路的第一輸出端流出，並依次流經所述第二單向電路301、氙燈第二端、氙燈第一端、第四單向電路304流回至所述變壓器電路200第二輸出端。通過電流在所述第一整流支路和第二整流支路之間交替切換，實現了通過所述整流電路300向所述氙燈施加預設大小的直流電壓。
上述單向電路中，每個單向電路的具體結構可以依據用戶需求自行設定，只要能夠實現對應單向電路的單向功能即可，例如，在本申請上述實施例公開的技術方案中，所述第一至第四單向電路均可以由一個二極體或兩個順向串聯的二極體組成。
在本申請上述實施例公開的技術方案中，為了向所述局域封閉性良導體腔芯a施加預設交變電壓，所述變壓器輸出電路200的第四輸出端可以與所述氙燈的第二端相連，所述變壓器輸出電路200的第三輸出端與所述氙燈所處的局域封閉性良導體腔芯a相連，從而實現了向所述局域封閉性良導體腔芯a施加預設交變電壓。
在本申請另一實施例公開的技術方案中，當所述氙燈預燃結束後，就不需要向局域封閉性良導體腔芯a施加電壓，因此，為了防止電能浪費以及局域封閉性良導體腔芯a上施加的預設交變電壓對氙燈的正常工作造成影響，本申請實施例公開的技術方案中，還可以在所述變壓器輸出電路200的第四輸出端與所述氙燈的第二端之間或所述變壓器輸出電路200的第三輸出端與所述局域封閉性良導體腔芯a之間設置的控制開關s1；
為了能夠及時控制所述控制開關s1的通斷以及控制變頻器100輸出電壓和頻率的調整，本申請上述實施例公開的技術方案中，還可以包括一開關控制器，所述用於依據用戶操作設置所述變頻器的輸出信號，在本申請實施例公開的技術方案中，所述變頻器的輸出信號可以包括第一輸出信號和第二輸出信號，所述第一輸出信號用於在預燃過程中擊穿所述氙燈，所述第二輸出信號用於維持所述氙燈處於輝光放電階段，所述第一輸出信號和第二輸出信號的頻率和電壓峰值均可以依據用戶需求自行設定，當獲取到氙燈預燃信號時，向所述變頻器100輸出和所述控制開關s1觸發信號，控制所述變頻器100輸出用戶調節後的第一輸出信號，控制所述控制開關s1閉合；當獲取到所述停止預燃信號時，控制所述變頻器輸出第二輸出信號，控制所述控制開關s1斷開。
在本申請實施例公開的技術方案中，為了能夠使得所述開關控制器能夠精準的把控所述變頻器100輸出信號之間的切換、控制開關s1導通狀態之間的切換的時機，本申請上述實施例公開的技術方案中還可以包括氙燈狀態檢測電路，該檢測電路用於檢測氙燈的導通狀態，當氙燈處於導通狀態時，生成並輸出停止對氙燈進行預燃的停止預燃信號，所述變頻器和/或開關控制器檢測到該信號時執行相應的操作，該檢測電路可以通過檢測氙燈兩端的電壓或氙燈的輸出光強等信號來檢測氙燈的導通狀態。
當然，為了對電路進行簡化，所述停止預燃信號也可以由一計時器自動輸出，即，當檢測到所述氙燈預燃信號時所述計時器開始計時，當計時時長達到設定時長時，自動生成所述停止預燃信號。
在本申請上述實施例公開的技術方案中，所述變頻器電路200的具體結構可以依據用戶需求自行設定，其可以由一個多繞組變壓器組成，當其為一個多繞組變壓器時，參見圖3，該多繞組變壓器包括一個主繞組和兩個次級繞組，所述多繞組變壓器的輸入繞組與所述變頻器100的輸出端相連；所述多繞組變頻器的第一次級繞組的異名端作為所述變壓器電路的第一輸出端、同名端作為所述變壓器電路的第二輸出端；所述多繞組變頻器的第二次級繞組的異名端作為所述變壓器電路的第三輸出端、同名端作為所述變壓器電路的第四輸出端。在設計時，可以通過提高所述變頻器輸出信號頻率的方式來減小所述第二次級繞組的匝數以達到降低所述第三輸出端和第四輸出端輸出的信號的最高峰值，例如，當其頻率設置為高於1mhz時，所述第三輸出端和第四輸出端輸出的信號的最高峰值可以設置為小於1500v，氙燈與然後，由於變頻器的輸出變化，所述第三輸出端和第四輸出端的輸出電壓迅速降低，當控制開關斷開時，所述第三輸出端和第四輸出端停止輸出；
當然，所述變壓器電路100由兩個相互獨立的變壓器組成，即所述變壓器電路100可以包括：
第一變壓器和第二變壓器；
其中，所述第一變壓器和第二變壓器的輸入端與所述變頻器100的輸出端相連；
所述第一變壓器的次級繞組的兩端分別作為所述變壓器電路的第一輸出端和第二輸出端；
所述第二變壓器的次級繞組的兩端分別作為所述變壓器電路的第三輸出端和第四輸出端。
參見圖3，在本申請另一實施例公開的技術方案中，所述變壓器電路的第四輸出端、第二單向電路的輸出端、第三單向電路的輸出端，通過高壓隔離矽堆d0連接到所述氙燈的第二端，其中，所述高壓隔離矽堆d0的輸出端與所述氙燈的第二端相連。所述變壓器電路200的第三輸出端與所述腔芯a之間還設置有一隔離電容c，優選的，所述隔離電容c的一端與所述變壓器電路200的第三輸出端輸出端相連、另一端所述控制開關s1相連，所述控制開關s1的另一端與所述腔芯a相連。
參見圖3，為了對電路進行保護，所述變壓器電路200用於與變頻器100相連的兩個輸入端之間設置有電容c1。
在本申請另一實施例公開的一優選方案中，所述變頻器100被配置為：當獲取到氙燈預燃信號時，通過所述變壓器電路200的第一輸出端、第二輸出端和整流電路300向氙燈兩端施加1200v預設直流電壓，通過所述變壓器電路200的第三輸出端和第四輸出端向氙燈所處的局域封閉性良導體腔芯上施加最高峰值為2000v、頻率為50khz的預設交變電壓；當獲取到停止預燃信號時，將所述預設直流電壓切換為用於維持所述氙燈導通的100v～200v的第二電壓值，控制所述控制開關s1斷開以停止向所述氙燈所處的局域封閉性良導體腔芯上施加預設交變電壓，通過迅速關斷所述控制開關s1切斷所述變壓器電路第三輸出端和第四輸出端殘留的高頻電壓600-700v。
申請人通過驗證得到，由上述實施例公開的技術方案，所達到的效果為：
啟輝階段的擊穿電壓，相較於現有技術而言，在同等條件下預燃電壓低達620v，降低了10倍以上；
啟輝階段的擊穿時間，相較於現有技術而言，同等條件下預燃時間低達57us，效率提高了200倍以上；
啟輝階段的脈衝尖峰幹擾，相較於現有技術而言，同等條件下脈衝尖峰峰值變得相當小，無明顯尖峰；
啟輝階段的高頻電壓幅值低於2000v，頻率大於50khz，同等條件下所需的峰值電壓降低了4倍以上，避免了高壓靜電幹擾；
輝光階段的電離輻射，同等條件下不再出現電離輻射；
脈衝氙燈壽命，同等條件下，脈衝氙燈陰極γ作用小，脈衝氙燈壽命能大幅度提高。
與上述電路相對應，本申請還公開了應用所述氙燈預燃電路的設備，例如該設備可以為ipl(intensepulsedlight，被稱為強脈衝光)設備，例如，ipl脫毛儀、ipl嫩膚儀等，所述ipl設備應用有本申請上述任意一項實施例所述的氙燈預燃電路。
對應於上述電路，本申請還公開了一種氙燈預燃方法，方法實施例的描述可參見電路結構中的實施例描述，該方法可以應用於本申請上述實施例提供的任意一項氙燈預燃電路中，參見圖4，方法可以包括：
步驟s101：判斷是否獲取到氙燈預燃信號，如果是，執行步驟s102和s103；
步驟s102：向氙燈兩端施加預設直流電壓；
其中，所述預設直流電壓的電壓值為第一電壓值；
步驟s103：向氙燈所處的局域封閉性良導體腔芯上施加預設交變電壓；
所述預設交變電壓的頻率為第一預設頻率、最高峰值為第一預設峰值；
步驟s104：當獲取到停止預燃信號時，執行步驟s105和s106；
步驟s105：將所述預設直流電壓切換為用於維持所述氙燈導通第二電壓值；
其中，所述第一電壓值和第二預設電壓值的大小依據用戶需求可調，所述預設交變電壓的頻率和最高峰值同樣也可依據用戶需求可調；
步驟s106：停止向所述氙燈所處的局域封閉性良導體腔芯上施加預設交變電壓。
上述方法中，當檢測到所述預燃信號時，向所述氙燈兩端施加預設直流電壓，向所述局域封閉性良導體腔芯a施加預設交變電壓，通過所述預設交變電壓產生的高壓迅變場保持並增強了氙燈氣體α作用，增加了氣體的正離子數量，與此同時氙燈燈極最高只有所述預設直流電壓，所述預設直流電壓相較於現有技術中在氙燈兩端施加的電壓較小，降低了氙燈陰極的γ作用，減小了正離子轟擊陰極的動能，這樣通過提高正離子作用於氙燈陰極的豐度，弱化正離子作用於氙燈陰極的裂度，有效地加大了氙燈內部電子、正離子數量，使氙燈內部雪崩式反應加快，能在極短的時間內(微秒數量級)將氙燈點燃導通。在這個過程中，因為單個正離子轟擊氙燈陰極濺射二次電子作用被弱化，氙燈使用壽命會有大幅度的提高。
與上述裝置相對應，所述方法中，所述第一預設電壓值為1200v，所述第一預設頻率為不小於50khz的交變電壓，所述第一預設峰值為不大於2000v，所述第二預設電壓值的取值範圍為[100v，200v]。
上述方法中，所述向氙燈兩端施加預設直流電壓，向氙燈所處的局域封閉性良導體腔芯上施加預設交變電壓，具體可以為：
通過多繞組變壓器的第一次級繞組以及整流電路向氙燈兩端施加預設直流電壓，通過所述多然組變壓器的第二次級繞組向氙燈所處的局域封閉性良導體腔芯上施加預設交變電壓。
與上述方法相對應，當獲取到停止預燃信號之前，還包括：
通過氙燈兩端的電壓、氙燈輸出的光強等實時監測氙燈的導通狀態，當檢測到氙燈導通時，生成停止預燃信號；
或當獲取到所述氙燈預燃信號時開始計時，當計時時長達到設定時長時生成所述停止預燃信號。
本說明書中各個實施例採用遞進的方式描述，每個實施例重點說明的都是與其他實施例的不同之處，各個實施例之間相同相似部分互相參見即可。對於實施例公開的裝置而言，由於其與實施例公開的方法相對應，所以描述的比較簡單，相關之處參見方法部分說明即可。
對所公開的實施例的上述說明，使本領域專業技術人員能夠實現或使用本發明。對這些實施例的多種修改對本領域的專業技術人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本發明的精神或範圍的情況下，在其它實施例中實現。因此，本發明將不會被限制於本文所示的這些實施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點相一致的最寬的範圍。