溼溶性光刻的製作方法

2023-10-17 12:40:54 1

專利名稱：溼溶性光刻的製作方法
技術領域：
本發明一般地涉及半導體器件的製造，更具體地涉及用於製造半導體器件的溼溶 性光刻。
背景技術：
半導體集成電路(IC)產業經歷了快速的發展。IC材料和設計的技術進步產生了 多代IC，其中每代比前一代具有更小和更複雜的電路。這些進步增加了工藝和製造IC的復 雜度，對於這些需要實現的進步，需要IC工藝和製造的類似的發展。在IC演進的過程中， 功能密度(即每晶片區域的互連器件的數目)普遍增加，而幾何尺寸(即使用製造工藝能 夠產生的最小元件(或線))減小了。規模縮小的工藝通過增加生產效率和降低相關成本 而普遍提供了益處。這樣的規模縮小也需要半導體製造和加工設備的相關改進。半導體製造中常用的一個工藝為在製造期間在半導體器件上添加光致抗蝕劑層。 光致抗蝕劑可以是正性的或負性的，一般作為光敏材料用於光刻中以在半導體器件的表面 形成構圖的塗層。該構圖的塗層允許工藝，如傳統的注入工藝，將不同的摻雜劑注入到半導 體襯底/晶片上添加的構圖中。在這些注入工藝之後，一般使用一種或多種幹法刻蝕(如， 灰化、等離子體刻蝕(03，CF4)等等)和/或溼法刻蝕(例如Caros』clean，H2SO4M2O2等等) 工藝移除光致抗蝕劑。已經觀察到，由於C-C鍵的形成(例如鍵能 350kJ/mol)，傳統的注 入工藝導致有機光致抗蝕劑硬化，留下了碳質殼，該碳質殼在多數溶液中不能溶解，從而很 難移除。另一個問題在於幹法刻蝕工藝通常會損壞襯底(如氧化物損耗)，從而導致半導體 器件減弱了電性能，降低了生產率，增加了製造成本。單獨的溼法刻蝕能夠防止襯底損壞， 但是傳統的溼法刻蝕方法在襯底上留下了交叉耦合的碳化光致抗蝕劑(PR)殼顆粒。這些 顆粒也對半導體器件的電性能具有負面影響。因此，需要一種解決上述問題的方法。

發明內容
本發明的實施例涉及形成溼溶性光刻層的系統和方法。在一個實施例中，在半導 體襯底上形成溼溶性光刻層的系統，包括提供襯底；在襯底上澱積包括第一材料的第一 層；在襯底上澱積包括第二材料的第二層。在一個實施例中，第一材料與第二材料包括不同 的組成，第一層和第二層中之一包括矽。


本發明從以下的詳細描述結合附圖可以得到更好的理解。需要強調的是，根據行 業內的標準實踐，不同的器件為了示意的目的沒有按比例繪製。實際上，不同特徵的尺寸可 以為了描述清楚目的而任意地增加或減小。以下是示例性的附圖的簡要說明。它們僅僅是示例性的實施例，本發明的範圍不 應當限制於此。
圖1示出了使用溼溶性光刻層製造半導體器件的一個實施例的圖層的剖面圖。圖2示出了使用溼溶性光刻層製造半導體器件中的原位犧牲層(in situsacrificial layer)的一個實施例的剖面圖。圖3示出了使用溼溶性光刻層製造半導體器件中的非原位犧牲層(exsitu sacrificial layer)的一個實施例的剖面圖。圖4示出了使用溼溶性光刻層製造半導體器件的一個實施例的反向層的剖面圖。圖5示出了使用溼溶性光刻層加工集成電路的方法的一個實施例的流程圖。
具體實施例方式本發明一般地涉及半導體器件的製造，更具體地涉及用於製造半導體器件的溼溶 性光刻。可以理解的是，以下所公開的內容提供了很多不同的實施例，例如，用於實現本發 明的不同特徵。以下描述了元件和設置的具體的例子以簡化本發明。當然，這些僅僅是例 子，並不作為限制。例如，以下的描述中第一特徵在第二特徵之上或上面的結構可以包括第 一和第二特徵直接接觸的實施例，也可以包括形成在第一和第二特徵之間的附加的特徵的 實施例，這樣第一和第二特徵可能不是直接接觸的。另外，本發明在不同的例子中可能重複 參考數字和/或標號。這些重複是為了簡單和清楚的目的，其本身並不指示所討論的不同 的實施例和/或構造之間的關係。本發明公開了用於在製造半導體器件中使用的溼溶性光刻系統和方法。在本發明 中可能替換地使用術語光刻、光刻技術和光學光刻。光刻技術是用於微細加工，如半導體加 工，選擇性地移除薄膜或襯底的部分的工藝。該工藝使用光將構圖(如，幾何構圖)從光掩 膜傳遞到襯底上的光敏製劑(如光致抗蝕劑，或簡稱「抗蝕劑」)。然後進行一系列化學處 理將曝光的構圖刻到光致抗蝕劑下面的材料上。在複雜的集成電路(例如，新式互補金屬 氧化物半導體(CMOS))中，襯底晶片可以經過幾個光刻周期。在光刻技術中，可以通過使用 投影圖像或光學掩膜將其暴露在光中而產生刻蝕抗蝕劑。換言之，該步驟類似於用於製造 印刷電路板的方法的精確方案。工藝中的隨後的階段相比於光刻印刷與刻蝕更加相關。因 為光刻使得可以更好的控制其產生的目的物的形狀和尺寸，並且因為它能夠在整個表面之 上同時產生構圖，因此可以使用光刻。半導體光刻典型地包括在半導體襯底的頂面上添加光致抗蝕劑層和曝光光致抗 蝕劑以構圖的工藝步驟。通常進行曝光後烘焙(PEB)以使得曝光的光致抗蝕劑聚合體裂 開。然後包括裂開的聚合體光致抗蝕劑的襯底被轉移到顯影室以移除曝光的光致抗蝕劑， 其可溶於水性顯影溶液。傳統上，顯影溶液如四甲基氫氧化銨(tetra-methyl ammonium hydroxide,TMAH)以膠狀(puddle)的形式被添加到抗蝕劑表面以顯影曝光的光致抗蝕劑。 可以使用浸置式(puddle process)添加TMAH。然後在襯底上進行去離子水漂洗以移除光 致抗蝕劑的溶解的聚合體。然後將襯底送到旋塗幹法工藝。該工藝一般在襯底上產生構圖 的光致抗蝕劑特徵，可以稱為掩膜。換言之，掩膜使部分襯底被保護，部分被曝光。然後，以 某些方式進行處理曝光的部分，如摻雜或離子注入。可以在光致抗蝕劑的部分被移除之後 進行本發明的方法以形成構圖的光致抗蝕劑。在一個實施例中，用於曝光襯底晶片的輻射光束可以是紫外線和/或能夠被擴展以包括其他的輻射光束如離子束、X射線、極紫外線、深紫外線和其他適合的輻射能量。該 輻射光束可以具有「構圖」以在襯底上曝光，輻射光束穿過光掩膜。光刻工藝可以注入氟化 氪(KrF)準分子雷射、氟化氬(ArF)準分子雷射、ArF浸沒式光刻、遠紫外(EUV)或電子束 寫(電子束)。光刻曝光工藝也可以通過其他適合的方法來實現或代替，如無掩膜光刻、離 子束寫和分子印刷(molecular imprint)。為了製造半導體器件，可以在襯底上進行離子注 入或其他工藝以將摻雜劑注入到襯底曝光的部分中。在一個實施例中，包括至少一個Si-O結構的溼溶性矽(Si)材料(如，矽氧烷、矽 烷醇、矽烷和多種其他材料)能夠在鹼性或中性溶液中溶解。因此，去膜工藝可以是環境友 好的(如使用DI漂洗工藝)。應當理解的是，可溶性依賴於加熱、光照度和化學轟擊(如， Si-Si鍵能量 180kJ/mol)。因此，在半導體製造中用作光致抗蝕劑層的溼溶性矽材料，並 使用溼法工藝去膜，可以減小和防止襯底損壞，從而減少製造/保存半導體器件的損耗和 成本。在一個實施例中，本發明可以應用於DBARC使用。本領域技術人員應當理解，使用溼 溶性光致抗蝕劑工藝，如本發明所提供的，將為半導體器件的製造提供底層N、K控制(從而 減少注入光致抗蝕劑漂移)，改進注入電阻和移除器件掉落粒子。可以理解的是，本發明提供了 1)形成溼溶性含矽光刻層；2)曝光溼溶性含矽光 刻層；3)將圖層構圖傳遞到溼溶性含矽光刻層；4)對圖層和溼溶性含矽光刻層都進行離子 注入，或僅對溼溶性含矽光刻層進行離子注入；以及5)溼法去膜該溼溶性含矽光刻層。本發明的實施例可以用於多種半導體加工流程，包括但不限於，犧牲層應用和反 向層(reversed layer)應用。犧牲層應用的實施例可以包括1)形成溼溶性含矽光刻層； 2)形成圖層；3)曝光溼溶性含矽以及圖層；4)形成圖層構圖；5)將圖層構圖原位或非原位 傳遞到溼溶性含矽光刻層；6)離子注入；7)移除圖層；以及8)溼法去膜圖層和溼溶性含矽 光刻層。反向層應用的實施例可以包括1)形成圖層；2)曝光圖層；3)形成圖層構圖；4) 在圖層上形成溼溶性含矽光刻層；5)回刻蝕含矽光刻層；6)移除圖層並反向構圖至溼溶性 含矽光刻層；7)離子注入；8)溼法去膜溼溶性含矽光刻層。圖1示出了使用應用於襯底100上的溼溶性光刻層102製造半導體器件的一個實 施例的圖層的剖面圖。在一個實施例中，溼溶性光刻層102包括矽(Si)。襯底100可以是 包括矽或矽元素的晶片材料。襯底100可以包括基本半導體，包括晶體的、多晶的和/或 非晶結構的矽或鍺；化合物半導體，包括碳化矽、砷化鎵、磷化鎵、砷化銦和/或銻化銦；合 金半導體，包括 SiGe、GaAsP, AlInAs, AlGaAs, GaInAs, GaInP 和 / 或 GaInAsP ；任何的其他 適合的材料；和/或其組合。在一個實施例中，合金半導體襯底可以使用梯度SiGe特徵，其 中Si和Ge的組分從梯度SiGe特徵的一個位置的比率變化到另一個位置的比率。在另一 個實施例中，合金SiGe在矽襯底之上形成。在另一個實施例中，SiGe襯底為應變的。另外， 襯底可以是絕緣體上的半導體，如絕緣體上矽(SOI)，或薄膜電晶體(TFT)。在一些例子中， 襯底可以包括摻雜外延層或埋層。在另一些例子中，化合物半導體襯底可以使用多層結構， 或矽襯底可以包括多層化合物半導體結構。在一些例子中，襯底可以包括非半導體材料，如 玻璃。含Si圖層102可以通過旋塗、汽相澱積、化學汽相澱積(CVD)、等離子體增強化學 汽相澱積(PECVD)、原子層澱積(ALD)、物理汽相澱積(PVD)高密度等離子體CVD (HDPCVD)， 其他適合的方法和/或其組合而將含Si圖層102塗覆在襯底100上。在含Si圖層102的應用之後，可以進行原位或非原位烘焙工藝。在構圖曝光和曝光後烘焙(PEB)工藝之後，圖 層102 (如光致抗蝕劑)可以產生酸，從而增加或減少在接觸鹼性溶液顯影劑後其對水的可 溶性。對於陽性抗蝕劑可溶性可能增加，對於陰性抗蝕劑可能減小。在一個實施例中，鹼性 溶液顯影劑為接近2. 38%的四甲基氫氧化銨(TMAH)顯影劑溶液。然而，也可以使用TMAH 的其他濃度級別。TMAH —般作為季銨鹽的強鹼，具有分子式(CH3)4N0H。TMAH可以用於娃， 如襯底100的各向異性刻蝕。TMAH也可以用作光刻工藝中的酸性光致抗蝕劑的顯影的鹼性 溶液。通常TMAH對於去膜光致抗蝕劑層是有效的，因為它是相轉移催化劑。另外，TMAH可 以用作鐵磁流體的合成的表面活化劑以防止結塊。使用含Si圖層102在襯底100之上形成光致抗蝕劑構圖。然後，通過注入離子 104轟擊形成的含Si圖層102和曝光的襯底100，從而在襯底100中產生注入區106。注 入離子104可以包括As、P、N、B、C和/或Ge原子中的至少一種。在離子注入104之後，然 後可以使用加熱或光照進行光學處理含Si圖層102以改變其對去膜溶液的可溶性。然後 通過去膜溶液從襯底100上溼法刻蝕掉含Si圖層102，從而保留了具有注入區106的襯底 100。在一個實施例中，去膜溶液包括水性、有機或混合水性-有機溶劑中的至少一種。去 膜溶液還可以包括酸(如，HCl、H2SO4、磷酸、HF)，鹼(TMAH、氨)和氧化劑(如H2O2)和/或 表面活性劑。圖2示出了使用溼溶性光刻層的半導體器件製造中的原位(如加工反應器內部) 犧牲層的一個實施例的剖面圖。圖3示出了使用溼溶性光刻層的半導體器件製造中的非原 位(如在加工反應器外部)犧牲層的一個實施例的剖面圖。在圖2和3示出的實施例中， 將犧牲含Si層102添加到襯底100上。將注入光致抗蝕劑層108添加到犧牲層102之上。圖2所示的實施例提供了使用原位光刻工藝在襯底100之上進行構圖的溼溶性含 Si犧牲層102和注入光致抗蝕劑層108。在圖2的光刻工藝之後，接著通過離子注入104轟 擊構圖的含Si圖層102、注入光致抗蝕劑層108和曝光的襯底100，從而在襯底100中產生 注入區106。注入離子104可以包括As、P、N、B、C和/或Ge原子中的至少一種。另外，離 子注入104在注入光致抗蝕劑層108的曝光部分上產生了交聯光致抗蝕劑殼110。本領域 技術人員應當理解的是，通過溼法刻蝕從襯底100上移除犧牲含Si層102、注入光致抗蝕劑 層108和交聯光致抗蝕劑殼110。簡言之，具有溼溶性含Si犧牲層102的注入光致抗蝕劑 層108包括在注入光致抗蝕劑層108之下的溼溶性含Si材料，光構圖原位傳遞到含Si層 102。在注入轟擊104之後，通過溼法漂洗移除含Si層102。在圖3所示的實施例中，可以在襯底100和犧牲含Si層102之上使用原位光刻工 藝構圖注入光致抗蝕劑層108。然後，在襯底之上使用溼法刻蝕工藝非原位構圖犧牲含Si 層102。在圖3的光刻工藝和第一溼法刻蝕工藝之後，接著通過注入離子104轟擊構圖的含 Si圖層102、注入光致抗蝕劑層108和曝光的襯底100，從而在襯底100中產生注入區106。 注入離子104可以包括As、P、N、B、C和/或Ge原子中的至少一種。本領域技術人員應當 理解的是，通過溼法刻蝕從襯底100上移除犧牲含Si層102和注入光致抗蝕劑層108。換 言之，具有溼溶性含Si犧牲層102的注入光致抗蝕劑層108包括在注入光致抗蝕劑層108 之下的溼溶性含Si材料，光構圖非原位傳遞到含Si層102。在注入轟擊104之後，通過溼 法漂洗去除含Si層102。圖4示出了使用溼溶性光刻層的半導體製造的一個實施例的反向層的剖面圖。在該實施例中，將注入光致抗蝕劑層108添加到襯底100之上。然後，包括溼溶性含Si材料 的溼溶性含Si層102在構圖的注入光致抗蝕劑層108和襯底100的曝光區之上分層。然 後，溼溶性含Si層102被回刻蝕以曝光構圖的注入光致抗蝕劑層108。然後從襯底100上 去膜注入光致抗蝕劑層108。通過去膜注入光致抗蝕劑層108，光構圖被逆向傳遞到含Si 層102。然後，構圖的含Si圖層102和曝光的襯底100通過注入離子104轟擊，從而在襯 底100中產生注入區106。注入離子104可以包括As、P、N、B、C和/或Ge原子中的至少一 種。本領域技術人員應當理解的是，通過溼法刻蝕從襯底100上移除反向含Si層102。圖5示出了使用溼溶性光刻層加工如圖1-4所示的集成電路器件的方法200的一 個實施例的流程圖。在一個實施例中，溼溶性光刻層包括矽。方法200開始於塊202，其中 製造者提供襯底(如襯底100)。在一個實施例中，襯底包括矽半導體材料。然後方法200 進行到塊204，其中製造者將第一層澱積到襯底上。然後，方法200進行到塊206，其中製造 者將第二層澱積到襯底上。如上所述，在襯底上澱積的一個或多個層可以包括溼溶性含Si 材料。然後方法200進行到塊208，其中在層和/或襯底上進行加工。該加工可以包括任何 數目的工藝，可以為原位和/或非原位的。工藝的例子可以是對層構圖、刻蝕層、光或熱處 理層和/或襯底。本領域技術人員應當理解，層可以使用光刻、刻蝕或其他工藝構圖。在層 上進行加工(如對層構圖)之後，可以在層和襯底上進行離子注入。然後，方法200進行到 塊210，其中從襯底上溼法刻蝕溼溶性含Si材料，方法200結束於塊214。可以理解的是， 可以在離子注入之後從襯底上溼法刻蝕溼溶性含Si材料，不損壞襯底。可以理解的是，溼溶性含Si材料可能是具有附加連接劑的非可交聯的、連接劑鍵 合可交聯的或可交聯的材料。交聯劑可以調節溼溶性含Si材料的溶解能力。溼溶性含矽 材料的實施例的例子如下所示1、矽烷、矽氧烷、矽烷基和烷基烷氧基矽烷(alkylalkoxylsilane)(例如 R1R2R3R4Si)；2、amindo (矽烷、矽氧烷、矽烷基、烷基烷氧基矽烷)(例如，(R1R2R3)(NR5R6R7)SL (R1R2) (NR5R6R7) (NR8R9R10)Si, R1 (NR5R6R7) (NR8R9R10) (NR11R12R13) Si、和 / 或(NR5R6R7) (NR8R9R10) (NR11R12R13) (NR14R15R16) Si ；和 / 或3、含Si-Si鍵(amindo或非amindo (矽烷、矽氧烷、矽烷基、烷基烷氧基矽烷))(例 如，(R13R14R15) Si ((R16R17) Si) η)。交聯劑的實施例的例子如下所示1、胺=(R18R19R2tl)N;2、氨基的(R18R19) NCOH ；3、環氧的=R18O ；4、醇R18OH;5、羥基酸=R18COOH ；6、酯=R18COOR19 ；7、酐=R18COOCOR19 ；8、內酯R18COO;9、滷化物RX;和/或10、含Si-O鍵的材料
本領域技術人員也應當理解的是，R1-R14可以是Η、0Η、烷基鏈，其還可以包含胺、氨 基、氨基的、環氧、醇、Si-O,滷素、羥基族和/或其組合。本發明的實施例提供了在半導體製造期間用於在襯底上形成溼溶性含Si光刻層 的系統和方法，可選地形成有機圖層，可選地曝光有機圖層和溼溶性含Si光刻層，使用含 Si光刻層或有機塗層的反向構圖含Si光刻層形成溼溶性圖像，離子注入有機圖層和溼溶 性含Si光刻層或僅離子注入溼溶性含Si光刻層，溼法去膜溼溶性含Si光刻層。本領域技 術人員應當清楚的是，本發明可以提供一個或多個有益效果，如減少襯底損壞，減少保存/ 製造成本，提供底層折射率(N)和消光係數(K)控制，減少光致抗蝕劑漂移，改進注入電阻， 允許可調節的溶解速率，允許傳統的旋塗，改進移除掉落粒子缺陷。可以理解的是，所公開 的實施例可以具有與此處描述的不同的有益效果，沒有一個實施例需要任何特定的有益效果ο本發明的實施例提供了一種用於在半導體襯底上形成含Si光刻層的方法。該方 法包括在襯底上澱積第一材料層，在第一材料層的頂部澱積至少一個第二材料層，其中第 一材料層和第二材料層包含不同的材料的成分。第一和/或第二層可以包括Si。第一或第 二層可以是光可成像層，其中曝光波長包括I線、KrF、ArF、EUV或電子束曝光。第一層可以 與第二層具有不同的光性能。可以預期的是，第一層可以與第二層具有基本不同的n，k或 T值。在一個實施例中，第一層包括酸敏分子、光致產酸劑(PAG)、淬火劑、生色團、交聯劑、 表面活化劑或溶劑，其導致第二層的不同η值。在一個實施例中，第一和第二層結構使用旋 塗或汽相澱積形成，其中第一或第二層的厚度基本< 300nm，環境壓力基本小於2atm和/或 烘焙溫度基本小於300°C。本領域技術人員應當理解，PAG為光致抗蝕劑的光敏成分。光(光照)分解PAG形 成少量的酸，其導致光致抗蝕劑的化學轉化，導致其可溶/不可溶。本發明的實施例提供了一種用於在半導體襯底上形成含Si光刻層的方法。該方 法包括在襯底上澱積第一材料層，在第一材料層的頂部澱積至少一個第二材料層，其中第 一材料層和第二材料層包含不同的材料成分。第一和/或第二層可以包含Si。在一個實 施例中，含Si層可以為氨基或非氨基的(矽烷、矽氧烷、矽烷基和烷基烷氧基矽烷)，或含 Si-Si鍵的(氨基或非氨基的(矽烷、矽氧烷、矽烷基和烷基烷氧基矽烷))。含Si層還可 以包括胺、氨基、氨基的、環氧、醇、滷素和羥基族中的至少一種。另外，含Si光刻層材料還 可以包括交聯劑，其經過了與含Si光刻層材料的化學反應。在化學反應之後，含Si光刻層 材料分子量將增加，在分子量增加之後，含Si光刻層材料溼溶性改變。應當理解的是，化學 反應可以通過加熱或光照而觸發。在一個實施例中，附加的交聯劑包括胺、氨基、氨基的、環 氧、Si-o、醇、滷素和羥基族中的至少一種。本發明的實施例提供了一種用於在半導體襯底上形成含Si光刻層的方法。該方 法包括在襯底上澱積第一材料層，在第一材料層的頂部澱積至少一個第二材料層，其中第 一材料層和第二材料層包含不同成分的材料。第一和/或第二層包含Si，且為基本溼溶於 溼法刻蝕液體。在一個實施例中，含Si層在離子轟擊之後基本是溼溶性的，其中注入離子 包括As、P、N、B、C和Ge原子中的至少一種。溼法刻蝕液體可以包括溶劑或化學製劑。溶 劑可以包括NMP、PGME, PGMEA, H2O, DMSO等等。化學製劑可以包括酸、鹼、氧化劑、還原劑和 /或表面活性劑。酸可以包括HC1、H2S04、HN03、HF或磷酸。鹼可以包括氨、TMAH等等。氧化劑可以包括H2O2，HNO3或O3或其他適合的材料。 以上概述了幾個實施例的特徵，這樣本領域技術人員可以更好地理解本發明的方 面。本領域技術人員應當理解，他們可以很容易使用本發明作為基礎用於設計或改進用於 實現與此處所介紹的實施例具有相同的目的和/或達到相同的有益效果的其他工藝和結 構。本領域技術人員也應當意識到，這些等同的結構沒有脫離本發明的精神和範圍，他們可 以在不脫離本發明的精神和範圍的條件下於此做出各種變化、替換和改造。
權利要求
一種在襯底上形成溼溶性光刻層的方法，該方法包括提供襯底；在所述襯底上澱積包括第一材料的第一層；以及在所述襯底上澱積包括第二材料的第二層，其中所述第一材料與所述第二材料包括不同的成分，且其中所述第一層和第二層中的一個包括矽。
2.根據權利要求1所述的方法，其中所述第一層或所述第二層包括光敏層。
3.根據權利要求1所述的方法，其中在所述襯底之上澱積所述第一層和在所述襯底之 上澱積所述第二層包括旋塗工藝、汽相澱積工藝及其組合的其中之一。
4.根據權利要求1所述的方法，其中所述第一層或所述第二層包括小於大約300納米 的厚度。
5.根據權利要求1所述的方法，還包括在小於大約300°C的溫度烘焙所述第一或第二 層，和/或，其中所述第一或第二層在壓力小於大約2atm的環境下澱積。
6.根據權利要求1所述的方法，其中所述第一層與所述第二層包括不同的光學性能， 和/或，其中所述第一層與所述第二層包括基本不同的n、k或T值。
7.根據權利要求1所述的方法，其中所述第一層包括酸敏分子、光致產酸劑(PAG)、淬 火劑、生色團、交聯劑、表面活化劑和溶劑中的一種。
8.一種在襯底上使用溼溶性光刻層的方法，該方法包括提供所述襯底；在所述襯底上澱積包括第一材料的第一層；在所述第一層之上澱積包括第二材料的第二層，其中所述第一材料與所述第二材料包 括不同的成分，且其中所述第一層和所述第二層中的一個包括矽；以及使用溼法刻蝕移除所述第一和第二層。
9.根據權利要去8所述的方法，其中包括矽的層包括氨基、非氨基和含Si-Si鍵的材料 中的一種；其中所述氨基、非氨基和/或含Si-Si鍵的材料中的一種包括矽烷、矽氧烷、矽烷基和 烷基烷氧基矽烷中的一種。
10.根據權利要求8所述的方法，其中所述包括矽的層包括胺、氨基、氨基的、環氧、醇、 滷素和羥基族中的一種。
11.根據權利要求8所述的方法，其中所述包括矽的層包括交聯劑，其中所述交聯劑經 過與所述包括矽的層的化學反應。
12.根據權利要求11所述的方法，其中所述包括矽的層在所述化學反應之後增加了分 子量，其中所述包括矽的層在所述分子量增加之後溼溶性改變。
13.—種製造集成電路器件的方法，該方法包括提供襯底；在所述襯底之上澱積包括第一材料的第一層；在所述襯底之上澱積包括第二材料的第二層，其中所述第一材料與所述第二材料包括 不同的成分，且其中所述第一層和所述第二層之一包括矽；構圖所述第一層和所述第二層以形成所述襯底的曝光部分；在所述襯底上進行注入工藝；以及進行溼法刻蝕工藝以移除所述第一層和所述第二層。
14.根據權利要求13所述的方法，其中所述第一層和所述第二層之一包括含矽層；所述方法還包括在所述注入工藝之後進行熱處理和光處理之一，其中所述熱處理和所 述光處理之一改變所述含矽層的可溶性。
15.根據權利要求13所述的方法，其中進行所述溼法刻蝕工藝包括使用溶劑和化學制 劑之一；其中所述化學製劑為酸、鹼、氧化劑、還原劑和表面活性劑中的一種。
全文摘要
一種在半導體襯底上形成溼溶性光刻層的系統，包括提供襯底，在襯底上澱積包括第一材料的第一層，在襯底上澱積包括第二材料的第二層。在一個實施例中，第一材料與第二材料包括不同的成分，第一層和第二層之一包括矽。
文檔編號G03F7/16GK101872126SQ20091022544
公開日2010年10月27日 申請日期2009年12月14日 優先權日2009年4月27日
發明者張慶裕, 王建惟 申請人:臺灣積體電路製造股份有限公司