銀離子擴散抑制層形成用組成物、銀離子擴散抑制層用膜、配線基板、電子裝置、導電膜層...的製作方法

2023-10-17 09:14:39 5

銀離子擴散抑制層形成用組成物、銀離子擴散抑制層用膜、配線基板、電子裝置、導電膜層 ...的製作方法
【專利摘要】本發明的目的在於提供一種可形成銀離子擴散抑制層的銀離子擴散抑制層形成用組成物，所述銀離子擴散抑制層可抑制含有銀或銀合金的金屬配線間的銀的離子遷移，且提高金屬配線間的絕緣可靠性。本發明的銀離子擴散抑制層形成用組成物含有：絕緣樹脂以及化合物，而所述化合物具有：選自由三唑結構、噻二唑結構及苯並咪唑結構所組成的組群中的結構；巰基；以及一個以上的可含有雜原子的烴基，且烴基中的碳原子的合計數(然而，在具有多個烴基的情形時，為各烴基中的碳原子數的合計數)為5以上。
【專利說明】銀離子擴散抑制層形成用組成物、銀離子擴散抑制層用膜、配線基板、電子裝置、導電膜層壓體及觸控螢幕

【技術領域】
[0001]本發明涉及一種銀離子擴散抑制層形成用組成物、銀離子擴散抑制層用膜、配線基板、電子裝置、導電膜層壓體及觸控螢幕。

【背景技術】
[0002]從前以來，在絕緣基板表面上配置有金屬配線的配線基板被廣泛用於電子構件、半導體組件中。作為構成金屬配線的金屬，常使用導電性高的銀、銅，但該些金屬有容易產生離子遷移(1nic migrat1n)的問題,特別是銀明顯地表現出該問題。
[0003]作為防止此種金屬的離子遷移的方法，已提出有一種在聚合物層中導入金屬離子吸附化合物的方法(專利文獻I)。
[0004][現有技術文獻]
[0005][專利文獻]
[0006][專利文獻I]日本專利特開2008-192850號公報


【發明內容】

[0007]一方面，近年來，由於半導體集成電路或晶片零件等的小型化，正在推進金屬配線的微細化。因此，配線基板中的金屬配線的間隔變得更狹小，更容易產生由離子遷移所致的電路的短路。在此種狀況下，要求配線基板中的含有銀或銀合金的金屬配線間的絕緣可靠性進一步提聞。
[0008]本
【發明者】將專利文獻I中揭示的導入有含硫醇化合物等與金屬離子形成有機金屬鹽的化合物的聚合物層設置於含有銀或銀合金的金屬配線上，並對其絕緣可靠性進行了研究。結果在金屬配線間確認到配線間電阻明顯減小，其離子遷移抑制效果不滿足如今所要求的水平，需要進一步改良。
[0009]鑑於上述實際情況，本發明的目的在於提供一種可形成銀離子擴散抑制層的銀離子擴散抑制層形成用組成物，所述銀離子擴散抑制層可抑制含有銀或銀合金的金屬配線間的銀的離子遷移，且提高金屬配線間的絕緣可靠性。
[0010]另外，本發明的目的在於提供一種銀離子擴散抑制層用的膜及具備該銀離子擴散抑制層的配線基板，所述銀離子擴散抑制層可抑制含有銀或銀合金的金屬配線間的由銀的離子遷移所致的短路，而且金屬配線間的絕緣可靠性更優異。
[0011 ] 進而，本發明的目的亦在於提供一種導電膜層壓體，其可抑制含有銀或銀合金的導電膜間的銀的離子遷移，提高導電膜間的絕緣可靠性。
[0012]本
【發明者】等人對現有技術的問題進行了專心研究，結果發現，專利文獻I中揭示的含硫醇化合物等金屬離子吸附化合物在聚合物層中的分散性受到影響。更具體而言，專利文獻I中揭示的含硫醇化合物等金屬離子吸附化合物由於其結構而分散性低。因此，即便欲將該金屬離子吸附化合物導入至聚合物層(樹脂層)中，亦難以使該化合物在聚合物層中均勻地分散，無法獲得抑制金屬離子(特別是銀離子)的遷移的效果。另外，若欲將大量的該金屬離子吸附化合物導入至聚合物層中，則該化合物在聚合物層中析出，引起聚合物的劣化，引起電氣可靠性的劣化。進而，可能產生促進金屬離子的擴散、引起配線破壞等問題。
[0013]根據上述見解，本
【發明者】等人發現，藉由使用含有具有特定官能基的化合物的組成物來形成銀離子擴散抑制層，可解決上述課題。
[0014]即，本
【發明者】等人發現，藉由以下構成可解決上述課題。
[0015](I) 一種銀離子擴散抑制層形成用組成物，其含有:
[0016]絕緣樹脂；以及
[0017]化合物，其具有:
[0018]選自由三唑結構、噻二唑結構及苯並咪唑結構所組成的組群中的結構；
[0019]巰基(mercaptogroup);以及
[0020]一個以上的可含有雜原子的烴基，
[0021]且所述烴基中的碳原子的合計數(而且，在具有多個所述烴基的情形時，為各烴基中的碳原子數的合計數)為5以上。
[0022](2)如上述(I)所記載的銀離子擴散抑制層形成用組成物，其中所述化合物為後述式(I)~式(3)的任一個所表示的化合物。
[0023](3)如上述(I)或⑵所記載的銀離子擴散抑制層形成用組成物，其中所述烴基為含有三級碳原子及/或四級碳原子的烴基。
[0024](4)如上述(I)或⑵所記載的銀離子擴散抑制層形成用組成物，其中所述烴基為含有選自由後述式(B-1)~式(B-7)所組成的組群中的至少一種基團的烴基(而且，亦可為後述式(B-1)~式(B-7)中的多個*的一個直接鍵結於選自由所述三唑結構、所述噻二唑結構及所述苯並咪唑結構所組成的組群中的結構的烴基)。
[0025](5)如上述(I)或⑵所記載的銀離子擴散抑制層形成用組成物，其中所述烴基為-S-Rq所表示的基團(Rq表示可具有-C00-或-CON <的碳數I~30的烴基)。
[0026](6) 一種銀離子擴散抑制層用膜，其含有:
[0027]絕緣樹脂；以及
[0028]化合物，其具有:
[0029]選自由三唑結構、噻二唑結構及苯並咪唑結構所組成的組群中的結構；
[0030]疏基；以及
[0031]一個以上的可含有雜原子的烴基，
[0032]且所述烴基中的碳原子的合計數(而且，在具有多個所述烴基的情形時，為各烴基中的碳原子數的合計數)為5以上。
[0033](7)如上述(6)所記載的銀離子擴散抑制層用膜，其中所述化合物為後述式(I)~式(3)的任一個所表示的化合物。
[0034](8)如上述(6)或(7)所記載的銀離子擴散抑制層用膜，其中所述烴基為含有三級碳原子及/或四級碳原子的烴基。
[0035](9)如上述(6)或(7)所記載的銀離子擴散抑制層用膜，其中所述烴基為含有選自由後述式(B-1)~式(B-7)所組成的組群中的至少一種基團的烴基(而且，亦可為後述式(B-1)~式(B-7)中的多個*的一個直接鍵結於選自由所述三唑結構、所述噻二唑結構及所述苯並咪唑結構所組成的組群中的結構的烴基)。
[0036](10)如上述(6)或(7)所記載的銀離子擴散抑制層用膜，其中所述烴基為-S-Rq所表示的基團(Rq表示可具有-C00-或-CON <的碳數I~30的烴基)。
[0037](11) 一種配線基板，其具備絕緣基板、配置於所述絕緣基板上的含有銀或銀合金的金屬配線、以及配置於所述金屬配線上的銀離子擴散抑制層，並且
[0038]所述銀離子擴散抑制層含有:絕緣樹脂以及化合物，所述化合物具有:
[0039]選自由三唑結構、噻二唑結構及苯並咪唑結構所組成的組群中的結構；
[0040]疏基；以及
[0041]一個以上的鍵結於所述結構的可含有雜原子的烴基，
[0042]且所述烴基中的碳原子的合計數(而且，在具有多個所述烴基的情形時，為各烴基中的碳原子數的合計數)為5以上。
[0043](12)如上述(11)所記載的配線基板，其中所述化合物為後述式⑴~式(3)的任一個所表不的化合物。
[0044](13)如上述(11)或(12)所記載的配線基板，其中所述烴基為含有三級碳原子及/或四級碳原子的烴基。
[0045](14)如上述(11)或(12)所記載的配線基板，其中所述烴基為含有選自由後述式(B-1)~式(B-7)所組成的組群中的至少一種基團的烴基(而且，亦可為後述式(B-1)~式(B-7)中的多個*的一個直接鍵結於選自由所述三唑結構、所述噻二唑結構及所述苯並咪唑結構所組成的組群中的結構的烴基)。
[0046](15)如上述(11)或(12)所記載的配線基板，其中所述烴基為-S-Rq所表示的基團(Rq表示可具有-C00-或-CON <的碳數I~30的烴基)。
[0047](16) 一種電子裝置，其具備如上述(11)至(15)中任一項所記載的配線基板。
[0048](17) 一種導電膜層壓體，其具備透明基板、配置於所述透明基板上的含有銀或銀合金的導電膜、以及貼合於所述導電膜上的透明雙面粘著片材，並且
[0049]在所述透明雙面粘著片材中含有化合物，所述化合物具有:
[0050]選自由三唑結構、噻二唑結構及苯並咪唑結構所組成的組群中的結構；
[0051]巰基；以及
[0052]一個以上的可含有雜原子的烴基，
[0053]且所述烴基中的碳原子的合計數(而且，在具有多個所述烴基的情形時，為各烴基中的碳原子數的合計數)為5以上。
[0054](18)如上述(17)所記載的導電膜層壓體，其中所述化合物為後述式(I)~式(3)的任一個所表示的化合物。
[0055](19)如上述(17)或(18)所記載的導電膜層壓體，其中所述烴基為含有三級碳原子及/或四級碳原子的烴基。
[0056](20)如上述(17)或(18)所記載的導電膜層壓體，其中所述烴基為含有選自由後述式(B-1)~式(B-7)所組成的組群中的至少一種基團的烴基(而且，亦可為後述式(B-1)~式(B-7)中的多個*的一個直接鍵結於選自由所述三唑結構、所述噻二唑結構及所述苯並咪唑結構所組成的組群中的結構的烴基)。
[0057](21)如上述(17)或(18)所記載的導電膜層壓體，其中所述烴基為-S-Rq所表示的基團(Rq表示可具有-C00-或-CON <的碳數I~30的烴基)。
[0058](22)如上述(17)或(18)所記載的導電膜層壓體，其中所述導電膜含有包含銀或銀合金的金屬納米線。
[0059](23)如上述(17)或(18)所記載的導電膜層壓體，其中所述透明雙面粘著片材含有丙烯酸系粘著劑。
[0060](24) 一種觸控螢幕，其含有如上述(17)至(23)中任一項所記載的導電膜層壓體。
[0061][發明的效果]
[0062]根據本發明，可提供一種可形成銀離子擴散抑制層的銀離子擴散抑制層形成用組成物，所述銀離子擴散抑制層可抑制含有銀或銀合金的金屬配線間的銀的遷移，且提高金屬配線間的絕緣可靠性。
[0063]另外，根據本發明，亦可提供一種銀離子擴散抑制層用的膜及具備該銀離子擴散抑制層的配線基板，所述銀離子擴散抑制層可抑制含有銀或銀合金的金屬配線間的銀的離子遷移，而且金屬配線間的絕緣可靠性更優異。
[0064]進而，根據本發明，亦可提供一種導電膜層壓體，該導電膜層壓體可抑制含有銀或銀合金的導電膜間的銀的離子遷移，且提高導電膜間的絕緣可靠性。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0065]圖1為本發明的配線基板的較佳實施方式的示意性剖面圖。
[0066]圖2為本發明的配線基板的其他較佳實施方式的示意性剖面圖。
[0067]圖3為本發明的帶有絕緣層的配線基板的較佳實施方式的示意性剖面圖。
[0068]圖4為本發明的導電膜層壓體的一實施方式的示意性剖面圖。
[0069]圖5為本發明的導電膜層壓體的其他實施方式的示意性剖面圖。
[0070]圖6(A)為本發明的觸控螢幕的一實施形態的示意性俯視圖。
[0071]圖6(B)為沿著圖6(A)的A-B線的示意性剖面箭視圖。
[0072]圖7為本發明的觸控螢幕的其他實施方式的示意性剖面圖。
[0073]圖8為本發明的觸控螢幕的其他實施方式的示意性剖面圖。
[0074]圖9(A)為實施例中使用的導電膜層壓體的示意性俯視圖。
[0075]圖9⑶為沿著圖9 (A)的A-B線的示意性剖面箭視圖。

【具體實施方式】
[0076]以下，對本發明的銀離子擴散抑制層形成用組成物、銀離子擴散抑制層用膜、配線基板、導電膜層壓體的較佳實施方式加以說明。
[0077]首先，對本發明的與現有技術相比較的特徵加以詳述。
[0078]如上所述，在本發明中發現:藉由控制與銀離子形成有機金屬鹽的化合物、與該化合物分散的絕緣樹脂的相溶性，可獲得所需的效果。更具體而言，藉由將特定官能基導入至化合物中，而提高該化合物在絕緣樹脂中的分散性，在不引起絕緣樹脂的劣化等的情況下提高銀配線的離子遷移抑制效果。
[0079]首先，對銀離子擴散抑制層形成用組成物加以詳述，然後對銀離子擴散抑制層用膜及配線基板加以詳述。關於導電膜層壓體，將在下文的段落中加以詳述。
[0080]
[0081]銀離子擴散抑制層形成用組成物(遷移抑制層形成用組成物，以下亦簡稱為組成物)是用以於含有銀或銀合金的金屬配線(以下亦簡稱為金屬配線)上形成抑制銀的離子遷移的銀離子擴散抑制層(遷移抑制層)的組成物。
[0082]以下，對組成物中所含的成分加以詳述。
[0083](絕緣樹脂)
[0084]組成物中含有絕緣樹脂。絕緣樹脂覆蓋金屬配線，且配置於金屬配線間，藉此確保金屬配線間的絕緣性。
[0085]所使用的絕緣樹脂可使用公知的絕緣性樹脂，就銀離子擴散抑制層的層形成更容易的方面而言，較佳為使用硬化性絕緣樹脂(例如熱硬化性絕緣樹脂及光硬化性絕緣樹脂)。
[0086]熱硬化性絕緣樹脂例如可列舉:環氧樹脂、雙馬來醯亞胺三嗪樹脂、聚醯亞胺樹月旨、丙烯酸系樹脂、酚樹脂、三聚氰胺樹脂、矽樹脂、不飽和聚酯樹脂、氰酸酯樹脂、異氰酸酯樹脂以及該等的改質樹脂等。
[0087]光硬化性絕緣樹脂例如可列舉:不飽和聚酯樹脂、聚酯丙烯酸酯樹脂、丙烯酸氨基甲酸酯(urethane acrylate)樹脂、娃酮丙烯酸酯樹脂、環氧丙烯酸酯樹脂或該等的改質樹月旨等。
[0088]其他絕緣樹脂例如亦可列舉:聚乙烯(Polyethylene, PE)、聚丙烯(Polypropene,PP)、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(Ethylene Vinyl Acetate copolymer, EVA)、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物(Ethylene-Ethyl Acrylate, EEA)、聚乳酸、含氟樹脂、聚醚碸樹脂、聚苯硫醚(polyphenylene sulfide)樹脂、聚醚醚酮(polyetheretherketone)樹脂等熱塑性樹脂。
[0089]其中，就與後述化合物的相溶性更優異的方面而言，較佳為環氧樹脂、丙烯酸系樹脂。
[0090]另外，視需要亦可使絕緣樹脂含浸於玻璃織布、玻璃無紡布、芳族聚醯胺(aramid)無紡布等芯材中而使用。具體而言，亦可使用玻璃布環氧樹脂、玻璃布雙馬來醯亞胺三嗪樹月旨、玻璃布聚苯醚樹脂、芳族聚醯胺無紡布-環氧樹脂、芳族聚醯胺無紡布-聚醯亞胺樹脂坐寸ο
[0091]進而，在絕緣樹脂為硬化性樹脂的情形時，視需要亦可並用硬化劑、硬化促進劑坐寸O
[0092]而且，亦可將兩種以上的絕緣樹脂混合而用作絕緣樹脂。
[0093]組成物中的絕緣樹脂的含量並無特別限制，可適當地選擇最適的量。例如在組成物含有溶劑的情形時，就操作更容易、容易控制銀離子擴散抑制層的膜厚的方面而言，相對於組成物總量，絕緣樹脂的含量較佳為15質量％~80質量更佳為20質量％~75質量％。
[0094](化合物)
[0095]組成物中含有以下化合物，該化合物為具有:選自由三唑結構、噻二唑結構及苯並咪唑結構所組成的組群中的結構；巰基以及特定官能基的化合物(以下亦稱為含SH基的化合物)。該含SH基的化合物主要發揮以下作用:經由SH基而與金屬配線接觸，抑制金屬配線的腐蝕，並且分散於銀離子擴散抑制層中而抑制銀的離子遷移的產生。
[0096]含SH基的化合物含有選自由三唑結構、噻二唑結構及苯並咪唑結構所組成的組群中的結構。其中，就離子遷移抑制能力更優異的方面而言，較佳為三唑結構、噻二唑結構。
[0097]而且，通常已知巰基富有與銀生成共價鍵的反應性。不含上述三唑結構、噻二唑結構及苯並咪唑結構等且含有SH基的化合物X可與該含SH基的化合物同樣地經由SH基而與銀離子形成鹽。然而，由該化合物X與銀離子所形成的鹽若處於與含有銀或銀合金的金屬配線直接接觸的組成物中，則可能有溶解配線等而對金屬配線造成極大的影響的擔憂。另一方面，具有上述既定結構的含SH基的化合物的情況下，可抑制此種對金屬配線的影響，並且銀的離子遷移的抑制效果亦優異。
[0098]而且，若更具體地例示該結構，則分別可由以下的式⑴~式(Z)來表示。

【權利要求】
1.一種銀離子擴散抑制層形成用組成物，其含有: 絕緣樹脂；以及 化合物，其具有: 選自由三唑結構、噻二唑結構及苯並咪唑結構所組成的組群中的結構； 疏基；以及 一個以上的可含有雜原子的烴基， 且所述烴基中的碳原子的合計數(而且，在具有多個所述烴基的情形時，為各烴基中的碳原子數的合計數)為5以上。
2.根據權利要求1所述的銀離子擴散抑制層形成用組成物，其中所述化合物為式(I)~式(3)的任一個所表示的化合物，
(式(I)中，R1及R2分別獨立地表示氫原子或可含有雜原子的烴基，R1及R2的至少一個表示所述烴基，R1及R2的各基團中所含的碳原子數的合計數為5以上； 式(2)中，R3表示可含有雜原子的烴基，R3中所含的碳原子數為5以上； 式(3)中，R4~R7分別獨立地表示氫原子、滷素原子或可含有雜原子的烴基，R4~R7的至少一個表示所述烴基，R4~R7的各基團中所含的碳原子數的合計數為5以上)。
3.根據權利要求1或2所述的銀離子擴散抑制層形成用組成物，其中所述烴基為含有三級碳原子及/或四級碳原子的烴基。
4.根據權利要求1-3中任一項所述的銀離子擴散抑制層形成用組成物，其中所述烴基為含有選自由下述式(B-1)~式(B-7)所組成的組群中的至少一種基團的烴基(而且，亦可為下述式(B-1)~式(B-7)中的多個*的一個直接鍵結於選自由所述三唑結構、所述噻二唑結構及所述苯並咪唑結構所組成的組群中的結構的烴基)，
(式(B-1)~式(B-7)中，Xa為選自由氧原子、硫原子、硒原子及碲原子所組成的組群中的原子；多個Xa可相同亦可不同；xb為氧原子或硫原子；多個Xb可相同亦可不同；*表不鍵結位置)。
5.根據權利要求1-4中任一項所述的銀離子擴散抑制層形成用組成物，其中所述烴基為-S-Rq所表示的基團(Rq表示可具有-COO-或-CON <的碳數I~30的烴基)。
6.一種銀離子擴散抑制層用膜，其含有: 絕緣樹脂；以及 化合物，其具有: 選自由三唑結構、噻二唑結構及苯並咪唑結構所組成的組群中的結構； 疏基；以及 一個以上的可含有雜原子的烴基， 且所述烴基中的碳原子的合計數(而且，在具有多個所述烴基的情形時，為各烴基中的碳原子數的合計數)為5以上。
7.根據權利要求6所述的銀離子擴散抑制層用膜，其中所述化合物為式(I)~式(3)的任一個所表示的化合物，
(式(I)中，R1及R2分別獨立地表示氫原子或可含有雜原子的烴基，R1及R2的至少一個表示所述烴基，R1及R2的各基團中所含的碳原子數的合計數為5以上； 式(2)中，R3表示可含有雜原子的烴基，R3中所含的碳原子數為5以上； 式(3)中，R4~R7分別獨立地表示氫原子、滷素原子或可含有雜原子的烴基，R4~R7的至少一個表示所述烴基，R4~R7的各基團中所含的碳原子數的合計數為5以上)。
8.根據權利要求6或7所述的銀離子擴散抑制層用膜，其中所述烴基為含有三級碳原子及/或四級碳原子的烴基。
9.根據權利要求6-8中任一項所述的銀離子擴散抑制層用膜，其中所述烴基為含有選自由下述式(B-1)~式(B-7)所組成的組群中的至少一種基團的烴基(而且，亦可為下述式(B-1)~式(B-7)中的多個*的一個直接鍵結於選自由所述三唑結構、所述噻二唑結構及所述苯並咪唑結構所組成的組群中的結構的烴基)，
(式(B-1)~式(Β-7)中，Xa為選自由氧原子、硫原子、硒原子及碲原子所組成的組群中的原子；多個Xa可相同亦可不同；xb為氧原子或硫原子；多個Xb可相同亦可不同；*表不鍵結位置)。
10.根據權利要求6-9中任一項所述的銀離子擴散抑制層用膜，其中所述烴基為-S-Rq所表示的基團(Rq表示可具有-COO-或-CON <的碳數I~30的烴基)。
11.一種配線基板，其具備絕緣基板、配置於所述絕緣基板上的含有銀或銀合金的金屬配線、以及配置於所述金屬配線上的銀離子擴散抑制層，並且 所述銀離子擴散抑制層含有:絕緣樹脂以及化合物，所述化合物具有: 選自由三唑結構、噻二唑結構及苯並咪唑結構所組成的組群中的結構； 疏基；以及 一個以上的鍵結於所述結構的可含有雜原子的烴基， 且所述烴基中的碳原子的合計數(而且，在具有多個所述烴基的情形時，為各烴基中的碳原子數的合計數)為5以上。
12.根據權利要求11所述的配線基板，其中所述化合物為式(I)~式(3)的任一個所表不的化合物，
(式(I)中，R1及R2分別獨立地表示氫原子或可含有雜原子的烴基，R1及R2的至少一個表示所述烴基，R1及R2的各基團中所含的碳原子數的合計數為5以上； 式(2)中，R3表示可含有雜原子的烴基，R3中所含的碳原子數為5以上； 式(3)中，R4~R7分別獨立地表示氫原子、滷素原子或可含有雜原子的烴基，R4~R7的至少一個表示所述烴基，R4~R7的各基團中所含的碳原子數的合計數為5以上)。
13.根據權利要求11或12所述的配線基板，其中所述烴基為含有三級碳原子及/或四級碳原子的烴基。
14.根據權利要求11-13中任一項所述的配線基板，其中所述烴基為含有選自由下述式(B-1)~式(B-7)所組成的組群中的至少一種基團的烴基(而且，亦可為下述式(B-1)~式(B-7)中的多個*的一個直接鍵結於選自由所述三唑結構、所述噻二唑結構及所述苯並咪唑結構所組成的組群中的結構的烴基)，
(式(B-1)~式(B-7)中，Xa為選自由氧原子、硫原子、硒原子及碲原子所組成的組群中的原子；多個Xa可相同亦可不同；xb為氧原子或硫原子；多個Xb可相同亦可不同；*表不鍵結位置)。
15.根據權利要求11-14中任一項所述的配線基板，其中所述烴基為-S-Rq所表示的基團(Rq表示可具有-COO-或-CON <的碳數I~30的烴基)。
16.一種電子裝置，其具備如權利要求11-15中任一項所述的配線基板。
17.一種導電膜層壓體，其具備透明基板、配置於所述透明基板上的含有銀或銀合金的導電膜、以及貼合於所述導電膜上的透明雙面粘著片材，並且 在所述透明雙面粘著片材中含有化合物，所述化合物具有: 選自由三唑結構、噻二唑結構及苯並咪唑結構所組成的組群中的結構； 疏基；以及 一個以上的可含有雜原子的烴基， 且所述烴基中的碳原子的合計數(而且，在具有多個所述烴基的情形時，為各烴基中的碳原子數的合計數)為5以上。
18.根據權利要求17所述的導電膜層壓體，其中所述化合物為式(I)~式(3)的任一個所表示的化合物，
(式(1)中，R1及R2分別獨立地表示氫原子或可含有雜原子的烴基，R1及R2的至少一個表示所述烴基，R1及R2的各基團中所含的碳原子數的合計數為5以上； 式(2)中，R3表示可含有雜原子的烴基，R3中所含的碳原子數為5以上； 式(3)中，R4~R7分別獨立地表示氫原子、滷素原子或可含有雜原子的烴基，R4~R7的至少一個表示所述烴基，R4~R7的各基團中所含的碳原子數的合計數為5以上)。
19.根據權利要求17或18所述的導電膜層壓體，其中所述烴基為含有三級碳原子及/或四級碳原子的烴基。
20.根據權利要求17-19中任一項所述的導電膜層壓體，其中所述烴基為含有選自由下述式(B-1)~式(B-7)所組成的組群中的至少一種基團的烴基(而且，亦可為下述式(B-1)~式(B-7)中的多個*的一個直接鍵結於選自由所述三唑結構、所述噻二唑結構及所述苯並咪唑結構所組成的組群中的結構的烴基)，
(式(B-1)~式(B-7)中，Xa為選自由氧原子、硫原子、硒原子及碲原子所組成的組群中的原子；多個Xa可相同亦可不同；xb為氧原子或硫原子；多個Xb可相同亦可不同；*表不鍵結位置)。
21.根據權利要求17-20中任一項所述的導電膜層壓體，其中所述烴基為-S-Rq所表示的基團(Rq表示可具有-COO-或-CON <的碳數I~30的烴基)。
22.根據權利要求17-21中任一項所述的導電膜層壓體，其中所述導電膜含有包含銀或銀合金的金屬納米線。
23.根據權利要求17-22中任一項所述的導電膜層壓體，其中所述透明雙面粘著片材含有丙烯酸系粘著劑。
24.一種觸控螢幕，其含有如權利要求17-23中任一項所述的導電膜層壓體。
【文檔編號】H05K3/28GK104136548SQ201380011207
【公開日】2014年11月5日 申請日期:2013年1月16日 優先權日:2012年2月28日
【發明者】三田村康弘, 中山昌哉, 松並由木 申請人:富士膠片株式會社