發光器件及其製造方法、發光器件封裝以及照明系統的製作方法

2023-10-05 08:39:44

專利名稱：發光器件及其製造方法、發光器件封裝以及照明系統的製作方法
技術領域：
本發明涉及一種發光器件和製造發光器件的方法。
背景技術：
發光二極體(LED)是將電流轉換為光的半導體發光器件。根據被用於製造LED的半導體材料可以改變從LED發射的光的波長。這是因為被 發射的光的波長根據半導體材料的帶隙，即，價帶電子和導帶電子之間的能量差而進行變 化。LED能夠產生具有高亮度的光，使得LED 經被廣泛地用作用於顯示裝置、車輛、 或者照明裝置的光源。另外，通過採用螢光材料或者組合具有各種顏色的LED，LED能夠呈 現出具有優秀的光效率的白光。

發明內容
實施例提供了具有新穎的結構的發光器件和製造發光器件的方法。實施例提供了具有被減少的應力的具有導電支撐襯底的發光器件和製造發光器 件的方法。實施例提供了具有改善的散熱特性的發光器件和製造發光器件的方法。根據實施例的發光器件可以包括導電支撐襯底，該導電支撐襯底包括多對的第 一和第二導電層；導電支撐襯底上的發光結構層，該發光結構層包括第一導電半導體層、第 二導電半導體層、以及在第一和第二導電半導體層之間的有源層；以及發光結構層上的電 極，其中，通過使用相同的材料形成第一和第二導電層。根據實施例的發光器件可以包括導電支撐襯底，該導電支撐襯底包括多對的第 一和第二導電層；導電支撐襯底上的發光結構層，該發光結構層包括第一導電半導體層、第 二導電半導體層、以及第一和第二導電半導體層之間的有源層；以及發光結構層上的電極， 其中，第一導電層具有壓縮應力，並且第二導電層具有拉伸應力。根據實施例的發光器件封裝可以包括封裝主體；封裝主體上的第一和第二電極 層；發光器件，該發光器件被電氣地連接到第一和第二電極層；以及發光器件上的成型構 件，其中，發光器件包括導電支撐襯底，該導電支撐襯底包括多對的第一和第二導電層； 導電支撐襯底上的發光結構層，該發光結構層包括第一導電半導體層、第二導電半導體層、 以及在第一和第二導電半導體層之間的有源層；以及發光結構層上的電極，其中，通過使用 相同的材料形成第一和第二導電層。根據實施例的製造發光器件的方法，包括下述步驟在生長襯底上形成發光結構層，所述發光結構層包括第一導電半導體層、第二導電半導體層以及在第一和第二導電半 導體層之間的有源層；在發光結構層上形成包括多對的第一和第二導電層的導電支撐襯 底；使生長襯底與發光結構層分離；並且在發光結構層上形成電極，其中，第一和第二導電 層包含相同的材料。


圖1是示出根據第一實施例的發光器件的視圖；圖2是示出根據第二實施例的發光器件的視圖；圖3是示出根據第三實施例的發光器件的視圖；圖4是示出根據第四實施例的發光器件的視圖；圖5至圖7是示出製造根據實施例的發光器件的方法的截面圖；圖8是示出根據實施例的發光器件封裝的截面圖；圖9是示出根據實施例的包括發光器件或者發光器件封裝的背光單元的分解透 視圖；以及圖10是示出根據實施例的包括發光器件或者發光器件封裝的燈單元的透視圖。
具體實施例方式在實施例的描述中，將會理解的是，當層(或膜)、區域、圖案或結構被稱為在另一 襯底、另一層(或膜)、另一區域、另一墊、或另一圖案「上」或「下」時，它可以「直接」或「間 接」在另一襯底、層(或膜)、區域、墊、或圖案上，或者也可以存在一個或多個中間層。已經 參考附圖描述了這樣的層的位置。為了方便或清楚起見，附圖中所示的每層的厚度和尺寸可以被誇大、省略、或示意 性繪製。另外，元件的尺寸沒有完全反映真實尺寸。在下文中，將會參考附圖詳細地描述根據實施例的發光器件和製造發光器件的方法。圖1是示出根據第一實施例的發光器件的視圖。參考圖1，根據第一實施例的發光器件包括導電支撐襯底80 ；導電支撐襯底80 上的反射層70 ；反射層70上的歐姆接觸層60 ；發光結構層，該發光結構層被形成在歐姆接 觸層60上，並且包括第二導電半導體層50、有源層40、以及第一導電半導體層30 ；以及電 極90，該電極90被形成在第一導電半導體層30上。導電支撐襯底80可以包括第一和第二導電層80a和80b。當第一和第二導電層 80a和80b被定義為一對單元層時，導電支撐襯底80可以包括多對單元層。例如，導電支撐襯底80可以包括2到80對的第一和第二導電層80a和80b。優選 地，導電支撐襯底80可以包括30到70對的第一和第二導電層80a和80b。更加優選地，導 電支撐襯底80可以包括40到60對的第一和第二導電層80a和80b。通過使用相同的金屬或者異質金屬能夠形成第一和第二導電層80a和80b。例如，第一和第二導電層80a和80b可以分別具有0. Iym至IOym的厚度。優選 地，第一和第二導電層80a和80b中的一個可以具有0.4μπι至0.8μπι的厚度，並且第一和 第二導電層80a和80b中的另一個可以具有0.8μπι至1.2μπι的厚度。
包括多個第一和第二導電層80a和80b的導電支撐襯底80可以具有50 μ m至 200 μ m的厚度。第一導電層80a可以具有壓縮應力，並且第二導電層80b可以具有拉伸應力。相 反地，第一導電層80a可以具有拉伸應力，並且第二導電層80b可以具有壓縮應力。因為第一和第二導電層80a和80b具有彼此相反的應力，所以第一導電層80a的 壓縮應力被第二導電層80b的拉伸應力抵消，從而能夠減少導電支撐襯底80的應力。例如，第一導電層80a可以具有IOOMPa至2000Mpa的壓縮應力，並且第二導電層 80b可以具有IOOMPa至2000MPa的拉伸應力。通過使用適合於諸如濺射工藝或者電子束蒸發工藝的幹法沉積工藝的金屬能夠 形成第一和第二導電層80a和80b。例如，第一和第二導電層80a和80b可以包括Cu、Mo、 Al、Ni、以及Cu-W中的至少一個。詳細地，第一和第二導電層80a和80b可以包括諸如Cu 的金屬。另外，第一導電層80a可以包括Al，並且第二導電層80b可以包括Ni。反射層70可以包括具有高反射率的Ag、Al、Cu以及Ni中的至少一個。歐姆接觸 層60可以包括使用IT0、ai0、Ru0x、Ti0x、以及IrOx中的至少一個的透明電極。沒有必要提供反射層70和歐姆接觸層60。S卩，當反射層70是由具有歐姆特性的 材料形成時，歐姆接觸層60能夠被省略。發光結構層可以包括III-V族元素的化合物半導體層。例如，發光結構層可以包 括包含第一導電半導體層30、有源層40、以及第二導電半導體層50的堆疊結構。因為電力 被施加到第一和第二導電半導體層30和50，所以有源層40發射光。第一導電半導體層30可以包括具有^χΑ ρει^ΝΟ)彡χ彡1，0彡y彡1， 0彡x+y彡1)的組成式的η型半導體層。可以從由InAlGaN, GaN, AlGaN, AlInN, InGaN, Α1Ν、以及InN組成的組中選擇第一導電半導體層30，並且其可以被摻雜有諸如Si、Ge或者 Sn的η型摻雜物。第一導電半導體層30可以具有單層結構或者多層結構，但是實施例不限 於此。有源層40被形成在第一導電半導體層30下面。有源層40可以具有單量子 阱結構、多量子阱(MQW)結構、量子點結構、或者量子線結構。有源層40可以包括具有 InxAlyGa1^yN(0彡χ彡1，0彡y彡1，0彡x+y彡1)的組成式的半導體材料。如果有源層 40具有MQW結構，那麼有源層40可以具有多個阱層和多個勢壘層的堆疊結構。例如，有源 層40可以包括InGaN阱/GaN勢壘層的堆疊結構。被摻雜有η型摻雜物或者ρ型摻雜物的包覆層(未示出)可以被形成在有源層40 上和/或下面。包覆層可以包括AlGaN層或者IniUGaN層。第二導電半導體層50被形成在有源層40下面，並且可以包括ρ型半導體層。ρ型 半導體層可以包括具有hxAly(iai_x_yN(0彡χ彡1，0彡y彡1，0彡x+y彡1)的組成式的半 導體材料。例如，可以從由InAlGaN, GaN, AlGaN, InGaN, AlInN, A1N、以及InN組成的組中 選擇P型半導體層，並且其可以被摻雜有諸如Mg、Zn、Ca、Sr、或者Ba的P型摻雜物。第二導電半導體層50能夠被製備為單層或者多層，但是實施例不限於此。同時，不同於上面的描述，第一導電半導體層30可以包括ρ型半導體層，並且第二 導電半導體層50可以包括η型半導體層。另外，包括η型半導體層或者ρ型半導體層的第 三導電半導體層(未示出)可以被形成在第二導電半導體層50下面。因此，發光結構層可以具有NP、PN、NPN,以及PNP結結構中的至少一個。另外，第一和第二導電半導體層30和 50中的雜質的摻雜濃度可以是均勻的或者不規則的。換言之，發光結構層可以具有各種結 構，但是實施例不限於此。電極90被形成在第一導電半導體層30上。電極90可以包括Cu、Ni、Au、Al以及 Pt中的至少一個，使得能夠容易地執行引線結合。電極90可以被形成為單層或者多層。電 極90將電力提供到有源層40以及導電支撐襯底80。根據第一實施例的發光器件，通過幹法沉積方案形成導電支撐襯底80，因此能夠 省略引起環境汙染的溼法鍍工藝。另外，根據第一實施例的發光器件，在沒有使用焊料金屬結合導電支撐襯底80的 情況下，通過幹法沉積方案來形成導電支撐襯底80，從而防止由焊料金屬的低熱傳輸特性 或者裂縫而引起的發光器件的可靠性的降低。此外，根據第一實施例的發光器件，導電支撐襯底80包括第一和第二導電層80a 和80b，因此能夠削弱導電支撐襯底80的應力，從而減少發光結構層的缺陷。圖2是示出根據第二實施例的發光器件的截面圖。在第二實施例的下述描述中，為了避免重複，將會省略在第一實施例中已經描述 的結構和元件的詳情。參考圖2，根據第二實施例的發光器件進一步包括發光器件的導電支撐襯底80下 面的抗氧化層100。抗氧化層100防止導電支撐襯底80被氧化。通過使用諸如Au或者Pt的金屬能 夠形成IOA至10 μ m的厚度的抗氧化層100。例如，可以形成IOOA至1000A的厚度的抗氧 化層100。圖3是示出根據第三實施例的發光器件的截面圖。在第三實施例的下述描述中，為了避免重複將會省略在第一實施例中已經描述的 結構和元件的詳情。參考圖3，根據第三實施例的發光器件進一步包括導電支撐襯底80下面的擴散阻 擋層Iio和焊料金屬層120。擴散阻擋層110被用於防止焊料金屬層120被擴散，並且焊料金屬層120被用於 將發光器件附接到發光器件封裝的主體。通過使用諸如Ni的金屬可以形成100A至1000A 的厚度的擴散阻擋層110。焊料金屬層120可以包括Au-Sn焊料、Ag-Sn焊料或者H3-Sn焊料。可以形成 1000A至5000A的厚度的焊料金屬層120。例如，可以形成3000A的厚度的焊料金屬層。另外，抗氧化層(未示出)能夠被形成在焊料金屬層120下面，以防止焊料金屬層 120被氧化。圖4是示出根據第四實施例的發光器件的截面圖。在第四實施例的下述描述中，為了避免重複，將會省略在第一實施例中已經描述 的結構和元件的詳情。參考圖4，根據第四實施例的發光器件進一步包括沿著歐姆接觸層60的頂部邊緣 的保護層140，和第二導電半導體層50和歐姆接觸層60之間的電流阻擋區域145。電流阻擋區域145的至少一部分可以在垂直方向中與電極90重疊以減少沿著電極90和導電支撐襯底80之間的最短的路徑的電流的集中，從而提高發光器件的發光效率。電流阻擋區域145可以是由比歐姆接觸層60低的導電性的材料、能夠與第二導電 類型半導體層50形成肖特基接觸的材料、或者電絕緣材料形成。例如，電流阻擋區域145 可以包括 ΙΤΟ、ΙΖΟ、ΙΖΤΟ、ΙΑΖ0、IGZO、IGT0、ΑΖΟ、ΑΤΟ、ZnO、SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4、Α1203、 Ti0x、Ti、Al、以及Cr中的至少一個。沿著歐姆接觸層60的頂部邊緣可以形成保護層140。保護層140可以通過使用 諸如ZnO或者S^2的電絕緣材料被形成在歐姆接觸層60和發光結構層的頂部邊緣部分之 間。在垂直方向中，保護層140的一部分與發光結構層重疊。由於保護層140，能夠增加歐姆接觸層60和有源層40之間的橫向距離。因此，在 歐姆接觸層60和有源層40之間可以減少短路的可能性。另外，當在晶片分離工藝中執行隔離蝕刻，以將發光結構層分離為單位晶片時，保 護層140防止可能由從歐姆接觸層60產生的，並且被附接在第二導電半導體層50和有源 層40之間或者在第二導電半導體層40和第一導電半導體層30之間的顆粒引起短路。保 護層140由不會破裂或者產生顆粒的材料來形成，或者由儘管其發生破裂或者產生少量的 顆粒，但是不會引起短路的電絕緣材料來形成。在用於將發光結構層隔離為單位晶片的隔離蝕刻工藝中，發光結構層的側表面可 以被傾斜，並且在垂直方向中，被傾斜的表面的一部分與保護層140重疊。通過隔離蝕刻工藝可以部分地暴露保護層140的頂表面。因此，在垂直方向中，保 護層140的一部分與發光結構層重疊，但是在垂直方向中保護層140的另一部分沒有與發 光結構層重疊。鈍化層180可以被布置在發光結構層的側表面上。鈍化層180可以被形成在第一 導電半導體層30和保護層140的頂表面上，但是其不限於此。鈍化層180可以被形成，以電氣地保護髮光結構層。例如，鈍化層180可以由Si02、 SiOx, SiOxNy> Si3N4、或者Al2O3形成，但是其不限於此。圖5至圖7是示出製造根據實施例的發光器件的方法的截面圖。參考圖5，包括緩衝層的未摻雜的氮化層20被形成在生長襯底10上，並且包括第 一導電半導體層30、有源層40、以及第二導電半導體層50的發光結構層被形成在未摻雜的 氮化層20上。另外，歐姆接觸層60被形成在第二導電半導體層50上，反射層70被形成在歐姆 接觸層60上，並且導電支撐襯底80被形成在反射層70上。生長襯底10可以包括從由藍寶石(Al2O3)、SiC、GaAs、SiO以及MgO組成的組中選 擇的至少一個。例如，藍寶石襯底能夠被用作生長襯底10。未摻雜的氮化層20可以包括GaN基半導體層。例如，未摻雜的氮化層20可以包 括未摻雜的GaN層，其通過將氫氣和氨氣連同三甲基鎵(TMGa)氣體注入腔室中來生長。通過將三甲基鎵(TMGa)氣體、氨氣、氫氣和包括諸如矽的η型雜質的矽烷(SiH4) 氣體注入腔室中，能夠生長第一導電半導體層30。另外，有源層40和第二導電半導體層50 被形成在第一導電半導體層30上。有源層40可以具有單量子阱結構或者多量子阱(MQW)結構。例如，通過使用具有 InxAlyGa1^yN(0彡χ彡1，0彡y彡1，0彡x+y彡1)的組成式的半導體材料能夠形成有源層40。通過將TMGa氣體、NH3氣體、H2氣體、以及包括ρ型雜質(例如，Mg)的^tCp2Mg) (Mg(C2H5C5H4)J氣體注入腔室，可以生長第二導電半導體層50。歐姆接觸層60和反射層70能夠被形成在第二導電半導體層50上。沒有完全地 必要提供反射層70和歐姆接觸層60。即，反射層70和歐姆接觸層60中的一個或者兩個能 夠被省略。歐姆接觸層60可以包括使用ΙΤ0，ZnO, RuOx, TiOx, and IrOx中的至少一個的透明 電極。另外，反射層70可以包括具有高反射率的Ag、Al、Cu以及Ni中的至少一個。導電支撐襯底80被形成在反射層70上。詳細地，第一導電層80a被形成在反射 層70上，並且第二導電層80b被形成在第一導電層80a上。另外，重複地，將另一個第一導 電層80a形成在第二導電層80b上，並且將另一個第二導電層80b形成在另一個第一導電 層80a上。通過諸如濺射或者電子束蒸發的幹法沉積方案能夠形成第一和第二導電層80a 和80b。如果採用濺射方案，那麼使用高速濺射方案。根據高速濺射方案，磁性材料被形成 在負濺射目標(negative sputtering target)的後表面上，使得能夠執行垂直於電場的磁 場。在這樣的情況下，電子的遷移被限制在負濺射目標周圍，並且誘導電子的旋轉往復運動 以延長電子的運動路程，從而增加等離子體密度並且提高濺射工藝的生產率。通過原位工 藝(situ process)中能夠形成第一和第二導電層80a和80b。通過使用相同的材料或者異質材料能夠形成第一和第二導電層80a和80b。如果通過使用相同的材料形成第一和第二導電層80a和80b，那麼調節濺射工藝 的條件，以允許第一和第二導電層80a和80b分別具有拉伸應力和壓縮應力。例如，為了允許第一和第二導電層80a和80b分別具有拉伸應力和壓縮應力，被 濺射的金屬或者被蒸發的金屬的能量被增加，使得到達襯底的金屬可以擴散到所想要的位 置，從而形成具有壓縮應力的導電層。用於通過增加金屬的能量而形成具有壓縮應力的導電層的方法可以包括在濺射 工藝期間增加能量的方案、降低濺射氣體的壓強的方案、增加襯底的溫度的方案、以及改變 濺射工藝的功率的方案。例如，根據改變濺射工藝的功率的方案，脈衝源和DC源被製備為 電源，並且脈衝被施加以形成具有壓縮應力的導電層，或者DC電流被施加以形成具有拉伸 應力的導電層。這樣，在濺射工藝期間，通過控制功率、氣體壓強、以及襯底溫度能夠選擇性地形 成具有拉伸應力或者壓縮應力的導電層。詳細地，通過改變濺射功率、濺射氣體的壓強、襯底溫度、或者濺射電源能夠形成 第一和第二導電層80a和80b。另外，當通過使用異質材料形成第一和第二導電層80a和80b時，採用適合於表現 拉伸應力或者壓縮應力的材料。在這樣的情況下，當形成第一和第二導電層80a和80b時， 能夠應用用於允許相同的金屬表現拉伸應力和壓縮應力的方案。同時，用於製造根據第二實施例的方法可以包括在導電支撐襯底80上形成抗氧 化層100的步驟，並且用於製造根據第三實施例的發光器件的方法可以包括在導電支撐襯 底80上形成擴散阻擋層110和焊料金屬層120的步驟。另外，可以添加在焊料金屬層120上形成抗氧化層的步驟。用於製造根據第四實施例的發光器件的方法可以包括在第二導電 半導體層50和歐姆接觸層60之間形成保護層140和電流阻擋區域145的步驟，和在發光 結構層上形成鈍化層180的步驟。參考圖6，生長襯底10和未摻雜的氮化層20被移除。通過雷射剝離方案或者化學 蝕刻方案能夠移除未摻雜的氮化層20和生長襯底10。參考圖7，因為生長襯底10和未摻雜的氮化層20已經被移除，所以電極90被形成 在被暴露的第一導電半導體層30的預定部分上。這樣，能夠製造根據實施例的發光器件。圖8是示出根據實施例的發光器件封裝的截面圖。參考圖8，根據實施例的發光器件封裝包括封裝主體300 ；第一和第二電極層310 和320，該第一和第二電極層310和320形成在封裝主體300上；發光器件100，該發光器件 100被提供在封裝主體300上並且電氣地連接到第一和第二電極層310和320 ；以及成型組 件400，該成型組件400包圍發光器件100。封裝主體300可以包括矽、合成樹脂、或者金屬材料。傾斜表面可以形成在發光器 件100的周圍。第一和第二電極層310和320被相互電氣地隔離，以將電力提供給發光器件100。 另外，第一和第二電極層310和320反射從發光器件100發射的光以提高光效率，並且將從 發光器件100生成的熱散發到外部。發光器件100能夠被安裝在封裝主體300上，或者第一和第二電極層310和320 上。發光器件100可以包括圖1至圖7中所示的根據實施例的發光器件中的一個。發光器件100可以通過布線500而被電氣地連接到第一電極層310，並且直接地接 觸第二電極層320，使得發光器件100可以被電氣地連接到第二電極層320。成型組件400包圍發光器件100以保護髮光器件100。另外，成型組件400可以包 括螢光材料，以改變從發光器件100發射的光的波長。多個根據實施例的發光器件封裝可以排列在基板上，並且包括導光板、稜柱片、散 射片、或者螢光片的光學組件可以被提供在從發光器件封裝發射的光的光學路徑上。發光 器件封裝、基板、以及光學組件可以用作背光單元或者照明單元。例如，照明系統可以包括 背光單元、照明單元、指示器、燈、或者街燈。圖9是示出根據實施例的包括發光器件或者發光器件封裝的背光單元的視圖。圖 9中所示的背光單元1100是照明系統的示例，並且實施例不限於此。參考圖9，背光單元1100包括底框1140、安裝在底框1140中的導光構件1120、 以及安裝在導光構件1120的底表面上或者一側上的發光模塊1110。另外，反射片1130被 布置在導光構件1120的下面。底框1140具有盒形形狀，該盒形形狀具有開口的頂表面，以在其中容納導光構件 1120、發光模塊1110、以及反射片1130。另外，底框1140可以包括金屬材料或者樹脂材料， 但是實施例不限於此。發光模塊1110可以包括基板700和安裝在基板700上的多個發光器件封裝600。 發光器件封裝600將光提供給導光構件1120。根據實施例的發光模塊1110，發光器件封裝 600被安裝在基板700上。然而，也能夠直接安裝根據實施例的發光器件100。
如圖9中所示，發光模塊1110安裝在底框1140的至少一個內側，以將光提供給導 光構件1120的至少一側。另外，發光模塊1110能夠被提供在底框1140的下面，以朝著導光構件1120的底 表面提供光。根據背光單元1100的設計，能夠對該布置進行各種修改，但是實施例不限於 此。導光構件1120安裝在底框1140中。導光構件1120將從發光模塊1110發射的光 轉化為表面光，以朝著顯示面板(未示出)引導表面光。導光構件1120可以包括導光板。例如，通過使用諸如PMAA(聚甲基丙烯酸甲酯) 的丙烯基樹脂、PET (聚對苯二甲酸乙二酯)、PC (聚碳酸酯)、COC或者PEN(聚萘二甲酸乙 二酯)樹脂能夠製造導光板。光學片1150可以被設置在導光構件1120的上方。光學片1150可以包括散射片、聚光片、亮度增強片、或螢光片中至少一種。例如， 光學片1150具有散射片、聚光片、亮度增強片、以及螢光片的堆疊結構。在這樣的情況下， 散射片均勻地散射從發光模塊1110發射的光，從而能夠通過聚光片將散射的光聚集在顯 示面板(未示出)上。從聚光片輸出的光被任意地偏振，並且亮度增強片增加從聚光片輸 出的光的偏振的程度。聚光片可以包括水平的和/或豎直的稜柱片。另外，亮度增強片可 以包括雙亮度增強膜，並且螢光片可以包括包含螢光體的透射膜或者透射板。反射板1130能夠被布置在導光構件1120的下方。反射板1130將通過導光構件 1120的底表面發射的光朝著導光構件1120的出光表面反射。反射板1130可以包括諸如PET、PC或者PVC樹脂的具有高反射率的樹脂材料，但 是實施例不限於此。圖10是示出根據實施例的包括發光器件或者發光器件封裝的照明單元1200的透 視圖。圖10中所示的照明單元1200是照明系統的示例，並且實施例不限於此。參考圖10，照明單元1200包括殼體1210、安裝在殼體1210中的發光模塊1230、以 及安裝在殼體1210中以從外部電源接收電力的連接端子1220。優選地，殼體1210包括具有優異的散熱性能的材料。例如，殼體1210包括金屬材 料或者樹脂材料。發光模塊1230可以包括基板700和安裝在基板700上的至少一個發光器件封裝 600。在根據實施例的發光模塊1230中，發光器件封裝600被安裝在基板700上。然而，也 能夠直接地安裝根據實施例的發光器件100。基板700包括印有電路圖案的絕緣構件。例如，基板700包括PCB (印刷電路板)、 MC (金屬核)PCB、柔性PCB、或者陶瓷PCB。另外，基板700可以包括有效地反射光的材料。基板700的表面能夠塗有諸如白 色或者銀色的顏色，以有效地反射光。根據實施例的至少一個發光器件封裝600能夠安裝在基板700上。每個發光器件 封裝600可以包括至少一個LED(發光二極體)。LED可以包括發射具有紅、綠、藍或者白色 的光的彩色LED，和發射UV光的UV (紫外線)LED。可以不同地布置發光模塊1230的LED，以提供各種顏色和亮度。例如，能夠布置白 光LED、紅光LED、以及綠光LED以實現高顯色指數(CRI)。另外，螢光片能夠被提供在從發光模塊1230發射的光的路徑中，以改變從發光模塊1230發射的光的波長。例如，如果從發 光模塊1230發射的光具有藍光的波長帶，那麼螢光片可以包括黃光螢光體。在這樣的情況 下，從發光模塊1230發射的光通過螢光片從而光被視為白光。連接端子1220電氣地連接至發光模塊1230，以將電力提供給發光模塊1230。參 考圖10，連接端子1220具有與外部電源插座螺紋耦合的形狀，但是實施例不限於此。例如， 能夠以插入外部電源的插頭的形式製備連接端子1220，或者通過布線將連接端子1220連 接至外部電源。根據如上所述的發光系統，導光構件、散射片、聚光片、亮度增強片、以及螢光片中 的至少一種被提供在從發光模塊發射的光的路徑中，從而能夠實現想要的光學效果。在本說明書中對於「一個實施例」、「實施例」、「示例性實施例」等的引用意味著結 合實施例描述的特定特徵、結構、或特性被包括在本發明的至少一個實施例中。在說明書 中，在各處出現的這類短語不必都表示相同的實施例。此外，當結合任何實施例描述特定特 徵、結構、或特性時，都認為結合實施例中的其它實施例實現這樣的特徵、結構或特性也是 本領域技術人員所能夠想到的。雖然已經參照本發明的多個示例性實施例描述了實施例，但是應該理解，本領域 的技術人員可以想到將落入本發明原理的精神和範圍內的多個其它修改和實施例。更加具 體地，在本說明書、附圖和所附權利要求的範圍內的主題的組合布置的組成部件和/或布 置中，各種變化和修改都是可能性。除了組成部件和/或布置中的變化和修改之外，對於本 領域的技術人員來說，替代使用也將是顯而易見的。
權利要求
1.一種發光器件，包括導電支撐襯底，所述導電支撐襯底包括多對的第一和第二導電層；所述導電支撐襯底上的發光結構層，所述發光結構層包括第一導電半導體層、第二導 電半導體層、以及所述第一和第二導電半導體層之間的有源層；以及所述發光結構層上的電極，其中，通過使用相同的材料形成所述第一和第二導電層。
2.根據權利要求1所述的發光器件，進一步包括在所述導電支撐襯底和所述發光結構 層之間的反射層。
3.根據權利要求1所述的發光器件，進一步包括在所述導電支撐襯底和所述發光結構 層之間的歐姆接觸層。
4.根據權利要求1所述的發光器件，進一步包括所述導電支撐襯底下面的抗氧化層。
5.根據權利要求1所述的發光器件，進一步包括所述導電支撐襯底下面的擴散阻擋 層，和所述擴散阻擋層下面的焊料金屬層。
6.根據權利要求5所述的發光器件，進一步包括所述焊料金屬層下面的抗氧化層。
7.根據權利要求1所述的發光器件，其中，所述第一和第二導電層包括Cu、Mo、Al、Ni、 以及Cu-W中的至少一個。
8.根據權利要求1所述的發光器件，其中，所述導電支撐襯底包括2至80對的所述第 一導電層和第二導電層。
9.根據權利要求8所述的發光器件，其中，所述導電支撐襯底包括30至70對的所述第 一導電層和第二導電層。
10.根據權利要求1所述的發光器件，其中，所述第一和第二導電層分別具有0.ιμπι至 IOym的厚度。
11.根據權利要求10所述的發光器件，其中，所述第一導電層和第二導電層中的一個 具有0. 4 μ m至0. 8 μ m的厚度，並且所述第一和第二導電層中的剩餘的一個具有0. 8 μ m至 1.2μπι的厚度。
12.根據權利要求10所述的發光器件，其中，所述導電支撐襯底具有50μ m至200 μ m 的厚度，和在大於0至2000MPa的範圍內的壓縮應力或者拉伸應力。
13.—種製造發光器件的方法，所述方法包括在生長襯底上形成包括第一導電半導體層、第二導電半導體層、以及在所述第一和第 二導電半導體層之間的有源層的發光結構層；在所述發光結構層上形成包括多對第一和第二導電層的導電支撐襯底；使所述生長襯底與所述發光結構層隔離；以及在所述發光結構層上形成電極，其中，所述第一和第二導電層包含相同的材料。
14.根據權利要求13所述的方法，其中，通過電子束蒸發或者濺射形成所述第一和第二導電層。
15.根據權利要求13所述的方法，其中，通過改變濺射功率、濺射氣體的壓強、襯底溫 度、以及濺射電源來形成所述第一和第二導電層。
全文摘要
本發明涉及發光器件、製造發光器件的方法、發光器件封裝以及照明系統。根據實施例的發光器件包括導電支撐襯底，該導電支撐襯底包括多對第一和第二導電層；導電支撐襯底上的發光結構層，該發光結構層包括第一導電半導體層、第二導電半導體層、以及第一和第二導電半導體層之間的有源層；以及發光結構層上的電極。通過使用相同的材料形成第一和第二導電層。
文檔編號H01L33/40GK102136538SQ20111002685
公開日2011年7月27日 申請日期2011年1月21日 優先權日2010年1月21日
發明者趙基鉉, 金根浩 申請人:Lg伊諾特有限公司