晶圓刻蝕裝置製造方法
2023-10-27 17:35:37 2
晶圓刻蝕裝置製造方法
【專利摘要】本發明提供了一種晶圓刻蝕裝置，包括：載體，所述載體具有多個可承載晶圓的卡槽，所述晶圓可在所述卡槽內轉動；位於所述載體以及所述晶圓底部的傳動裝置，所述傳動裝置帶動所述晶圓勻速轉動，使所述晶圓與所述載體內的刻蝕溶液均勻反應。由於傳動裝置能夠帶動晶圓勻速轉動，因此，就相當於將晶圓放置在流動的刻蝕溶液中，這樣與晶圓反應後的廢棄溶液就能夠及時流動更新，從而提高了生產效率，縮短了生產周期；並且，由於晶圓與刻蝕溶液相對勻速運動，因此，晶圓各個區域的反應速度趨於一致，從而達到保證晶圓溝槽刻蝕均勻性的目的。
【專利說明】晶圓刻蝕裝置
【技術領域】
[0001]本發明涉及半導體工藝【技術領域】，更具體地說，涉及一種晶圓刻蝕裝置。
【背景技術】
[0002]晶圓是製作矽半導體集成電路所用的矽晶片，由於其形狀為圓形，故稱為晶圓。在採用晶圓製作半導體器件的過程中，為了滿足晶圓晶粒的分割以及半導體器件電特性的需求，人們對晶圓溝槽刻蝕均勻性的要求越來越高。
[0003]為了使刻蝕後的晶圓的溝槽深度和寬度都達到理想的要求，現有技術中通常採用減少一次蝕刻中晶圓數量的方式，來增加每個晶圓與刻蝕溶液的接觸面積，保證晶圓溝槽刻蝕的均勻性，但是，這種刻蝕方式往往會導致生產周期較長，生產效率較低。
【發明內容】
[0004]本發明提供了一種晶圓刻蝕裝置，以解決現有技術中採用減少一次蝕刻中晶圓數量，保證晶圓溝槽刻蝕的均勻性的方式，生產周期較長，生產效率較低的問題。
[0005]為實現上述目的，本發明提供了如下技術方案:
[0006]一種晶圓刻蝕裝置，包括:
[0007]載體，所述載體包括多個可承載晶圓的卡槽，所述晶圓可在所述卡槽內轉動；
[0008]位於所述載體以及所述晶圓底部的傳動裝置，所述傳動裝置帶動所述晶圓轉動，使所述晶圓與所述載體內的刻蝕溶液均勻反應。
[0009]優選的，所述傳動裝置包括:
[0010]位於所述晶圓底部且帶動所述晶圓轉動的傳送帶；
[0011]帶動所述傳送帶勻速運行的傳動輪；
[0012]通過傳動軸與所述傳動輪相連的電機。
[0013]優選的，所述電機按照預設速度運行，並帶動所述晶圓勻速轉動。
[0014]優選的，所述傳送帶、傳動輪以及傳動軸均為耐酸性材質。
[0015]優選的，所述載體為鐵氟龍舟。
[0016]與現有技術相比，本發明所提供的技術方案至少具有以下優點:
[0017]本發明所提供的晶圓刻蝕裝置，包括可承載晶圓的載體以及位於所述載體以及晶圓底部的傳動裝置，由於傳動裝置能夠帶動晶圓勻速轉動，因此，就相當於將晶圓放置在流動的刻蝕溶液中，這樣與晶圓反應後的廢棄溶液就能夠及時流動更新，從而提高了生產效率，縮短了生產周期；並且，由於晶圓與刻蝕溶液相對勻速運動，因此，晶圓各個區域的反應速度趨於一致，從而達到保證晶圓溝槽刻蝕均勻性的目的。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0018]為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對於本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
[0019]圖1為本發明的一個實施例提供的晶圓刻蝕裝置結構示意圖；
[0020]圖2為本發明的一個實施例提供的傳動裝置的結構示意圖。
【具體實施方式】
[0021]正如【背景技術】所述，現有技術中通常採用減少一次蝕刻中晶圓數量的方式，來增加每個晶圓與刻蝕溶液的接觸面積，保證晶圓溝槽刻蝕的均勻性，但是，這種刻蝕方式往往會導致生產周期較長，生產效率較低。
[0022]基於此，本發明提供了一種晶圓刻蝕裝置，以克服現有技術存在的上述問題，包括:
[0023]載體，所述載體包括多個可承載晶圓的卡槽，所述晶圓可在所述卡槽內轉動；
[0024]位於所述載體以及所述晶圓底部的傳動裝置，所述傳動裝置帶動所述晶圓勻速轉動，使所述晶圓與所述載體內的刻蝕溶液均勻反應。
[0025]本發明所提供的晶圓刻蝕裝置，包括可承載晶圓的載體以及位於所述載體以及晶圓底部的傳動裝置，由於傳動裝置能夠帶動晶圓勻速轉動，因此，就相當於將晶圓放置在流動的刻蝕溶液中，這樣與晶圓反應後的廢棄溶液就能夠及時流動更新，從而提高了生產效率，縮短了生產周期；並且，由於晶圓與刻蝕溶液相對勻速運動，因此，晶圓各個區域的反應速度趨於一致，從而達到保證晶圓溝槽刻蝕均勻性的目的。
[0026]為使本發明的上述目的、特徵和優點能夠更加明顯易懂，下面結合附圖對本發明的【具體實施方式】做詳細的說明。
[0027]在下面的描述中闡述了很多具體細節以便於充分理解本發明，但是本發明還可以採用其他不同於在此描述的其它方式來實施，本領域技術人員可以在不違背本發明內涵的情況下做類似推廣，因此本發明不受下面公開的具體實施例的限制。
[0028]其次，本發明結合示意圖進行詳細描述，在詳述本發明實施例時，為便於說明，表示裝置結構的剖面圖會不依一般比例作局部放大，而且所述示意圖只是示例，其在此不應限制本發明保護的範圍。此外，在實際製作中應包含長度、寬度及深度的三維空間尺寸。
[0029]本實施例提供了一種晶圓刻蝕裝置，用於晶圓深槽的刻蝕，以製作集成電路及半導體器件。如圖1所示，本實施例中的晶圓刻蝕裝置包括:載體10和傳動裝置20，其中，所述載體10具有多個可承載晶圓的卡槽101，所述卡槽101可放置晶圓102，且晶圓102可在所述卡槽101內自由轉動；傳動裝置20位於所述載體10的底面以及所述晶圓102的底部，在所述晶圓102上刻蝕深槽時，所述傳動裝置20帶動所述晶圓102轉動，使所述晶圓102與所述載體10內的刻蝕溶液均勻反應。
[0030]本實施例中，載體10優選為鐵氟龍舟，其材質是鐵氟龍，耐酸鹼，不易被刻蝕溶液腐蝕，且其內部為弧形設計，且具有多個卡槽，在卡槽內放置晶圓後，晶圓可自由轉動。
[0031]並且，本實施例中的傳動裝置20,如圖2所示，包括:位於所述晶圓102底部且帶動所述晶圓102轉動的傳送帶201 ;帶動所述傳送帶201勻速運行的傳動輪202 ;通過傳動軸203與所述傳動輪202相連的電機204。其中，傳送帶201可帶動晶圓102的邊緣沿某一方向轉動，當然，在其他實施例中，傳送帶也可帶動晶圓以其他方式轉動，本發明並不僅限於此。
[0032]由於載體10內承載有刻蝕溶液，因此，位於載體10底面的傳送帶201必須為耐酸性材質,並且,需要同樣耐酸性材質的傳動輪202以及傳動軸203與電機204相連。在電機204設置一定的轉速並啟動後，電機204通過傳動軸203的傳動使傳送帶201轉動起來，由於傳送帶102在轉動的同時也帶動了晶圓102的轉動，因此，就增加了刻蝕溶液在晶圓102表面的流動，使得刻蝕反應快速且均勻，最終達到了溝槽深寬度蝕刻均勻的效果。
[0033]本實施例提供的晶圓刻蝕裝置，包括可承載晶圓的載體以及位於所述載體以及晶圓底部的傳動裝置，由於傳動裝置能夠帶動晶圓勻速轉動，因此，就相當於將晶圓放置在流動的刻蝕溶液中，這樣與晶圓反應後的廢棄溶液就能夠及時流動更新，從而提高了生產效率，縮短了生產周期；並且，由於晶圓與刻蝕溶液相對勻速運動，因此，使得晶圓各個區域的反應速度趨於一致，從而達到保證晶圓溝槽刻蝕均勻性的目的。
[0034]雖然本發明已以較佳實施例披露如上，然而並非用以限定本發明。任何熟悉本領域的技術人員，在不脫離本發明技術方案範圍情況下，都可利用上述揭示的方法和技術內容對本發明技術方案做出許多可能的變動和修飾，或修改為等同變化的等效實施例。因此，凡是未脫離本發明技術方案的內容，依據本發明的技術實質對以上實施例所做的任何簡單修改、等同變化及修飾，均仍屬於本發明技術方案保護的範圍內。
【權利要求】
1.一種晶圓刻蝕裝置，其特徵在於，包括: 載體，所述載體具有多個可承載晶圓的卡槽，所述晶圓可在所述卡槽內轉動； 位於所述載體以及所述晶圓底部的傳動裝置，所述傳動裝置帶動所述晶圓勻速轉動，使所述晶圓與所述載體內的刻蝕溶液均勻反應。
2.根據權利要求1所述的裝置，其特徵在於，所述傳動裝置包括: 位於所述晶圓底部且帶動所述晶圓轉動的傳送帶； 帶動所述傳送帶勻速運行的傳動輪； 通過傳動軸與所述傳動輪相連的電機。
3.根據權利要求2所述的裝置，其特徵在於，所述電機按照預設速度運行，並帶動所述晶圓勻速轉動。
4.根據權利要求3所述的裝置，其特徵在於，所述傳送帶、傳動輪以及傳動軸均為耐酸性材質。
5.根據權利要求4所述的裝置，其特徵在於，所述載體為鐵氟龍舟。
【文檔編號】H01L21/67GK104299933SQ201410498767
【公開日】2015年1月21日 申請日期:2014年9月25日 優先權日:2014年9月25日
【發明者】汪良恩, 汪曦凌 申請人:安徽安芯電子科技有限公司