一種有機薄膜電晶體及其製作方法、陣列基板和顯示裝置製造方法
2023-10-27 03:06:27
一種有機薄膜電晶體及其製作方法、陣列基板和顯示裝置製造方法
【專利摘要】本發明的實施例提供一種有機薄膜電晶體及其製作方法、陣列基板和顯示裝置，涉及薄膜電晶體【技術領域】，解決了薄膜電晶體中的電極層的接觸角較大使得有機半導體層形成效果不佳，容易出現斷線的問題，保證了薄膜電晶體的質量和性能，避免了對原材料的浪費，降低了生產成本。該薄膜電晶體包括：源極、漏極和設置於所述源極和漏極上方的有機半導體層，該有機薄膜電晶體還包括：修飾層，其中：修飾層設置於有機半導體層的下方與源極和漏極對應的位置處；修飾層覆蓋源極和漏極；修飾層用於改變源極和漏極的接觸角。本發明應用於顯示【技術領域】中。
【專利說明】一種有機薄膜電晶體及其製作方法、陣列基板和顯示裝置
【技術領域】
[0001] 本發明涉及薄膜電晶體【技術領域】，尤其涉及一種有機薄膜電晶體及其製作方法、 陣列基板和顯示裝置。
【背景技術】
[0002] 近年，隨著科技的不斷發展，電子器件的性能逐步得到提升，現有技術方案中的薄 膜電晶體器件的顯示面板的結構中源極和漏極是電極一般都是採用金屬材料製作形成，保 證了源極和漏極的導電性能。同時，為了保證電子器件的性能通常會在源極和漏極上形成 有機半導體層。
[0003] 但是，由於源極和漏極的接觸角比較大，會出現形成有機半導體層時會出現鋪展 行為不佳的問題，使得最終形成的有機半導體層膜厚不均一，容易出現有機半導體層斷線 的問題。這樣，薄膜電晶體的性能也無法得到保證。
【發明內容】
[0004] 本發明的實施例提供一種有機薄膜電晶體及其製作方法、陣列基板和顯示裝置， 解決了薄膜電晶體中的電極層的接觸角較大使得有機半導體層形成效果不佳，容易出現斷 線的問題，保證了薄膜電晶體的質量和性能，避免了對原材料的浪費，降低了生產成本。
[0005] 為達到上述目的，本發明的實施例採用如下技術方案：
[0006] 第一方面，提供一種有機薄膜電晶體，所述有機薄膜電晶體包括：源極、漏極和設 置於所述源極和漏極上方的有機半導體層，所述有機薄膜電晶體還包括：修飾層，其中：
[0007] 所述修飾層設置於有機半導體層的下方與所述源極和漏極對應的位置處；所述修 飾層覆蓋所述源極和漏極；
[0008] 所述修飾層用於改變所述源極和漏極的接觸角。
[0009] 可選的，所述薄膜電晶體還包括柵絕緣層，
[0010] 所述修飾層還設置於所述有機半導體層與所述柵絕緣層之間的位置處；
[0011] 所述修飾層還用於改變所述柵絕緣層的接觸角。
[0012] 可選的，所述薄膜電晶體還包括：柵極和緩衝層，其中：
[0013] 所述緩衝層分別設置於所述源極、漏極和柵極的下方與所述源極、漏極和柵極對 應的位置處；
[0014] 所述緩衝層分別被所述源極、漏極和柵極覆蓋；
[0015] 所述緩衝層的材料的附著力大於所述源極、漏極和柵極的附著力。
[0016] 可選的，所述緩衝層的厚度為20?300nm。
[0017] 可選的，所述修飾層的厚度為0· 1?10nm。
[0018] 可選的，所述源極和漏極的材料包括：金或銀；
[0019] 所述修飾層的材料包括：有機小分子材料或自組裝小分子材料。
[0020] 第二方面，提供一種陣列基板，所述陣列基板包括第一方面所述的有機薄膜晶體 管。
[0021] 第三方面，提供一種顯示裝置，所述顯示裝置包括陣列基板，其中：
[0022] 所述陣列基板為第二方面所述的陣列基板。
[0023] 第四方面，提供一種有機薄膜電晶體的製作方法，所述方法包括：形成源極、漏極 和所述源極和漏極上方的有機半導體層，還包括：
[0024] 在所述源極和漏極上方且與所述有機半導體層對應的位置處形成覆蓋所述源極 和漏極的修飾層；
[0025] 所述修飾層用於改變所述源極和漏極的接觸角。
[0026] 可選的，所述方法還包括：形成柵絕緣層，
[0027] 在所述柵絕緣層和所述有機半導體層之間的位置處形成所述修飾層；
[0028] 所述修飾層還用於改變所述柵絕緣層的接觸角。
[0029] 可選的，所述方法還包括：形成柵極，
[0030] 在所述柵極、源極和漏極下方分別形成被所述柵極、源極和漏極覆蓋的緩衝層；
[0031] 所述緩衝層的材料的附著力大於所述源極、漏極和柵極的附著力。
[0032] 本發明的實施例提供的有機薄膜電晶體及其製作方法、陣列基板和顯示裝置，通 過在薄膜電晶體的有機半導體層的下方與源極和漏極對應的位置處設置可以改變源極和 漏極的接觸角的修飾層，解決了薄膜電晶體中的電極層的接觸角較大使得有機半導體層形 成效果不佳，容易出現斷線的問題，保證了薄膜電晶體的質量和性能，避免了對原材料的浪 費，降低了生產成本。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0033] 為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現 有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本 發明的一些實施例，對於本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以 根據這些附圖獲得其他的附圖。
[0034] 圖1為本發明的實施例提供的一種有機薄膜電晶體的結構示意圖；
[0035] 圖2為本發明的實施例提供的另一種有機薄膜電晶體的結構示意圖；
[0036] 圖3為本發明的實施例提供的又一種有機薄膜電晶體的結構示意圖；
[0037] 圖4為本發明的實施例提供的一種有機薄膜電晶體的製作方法的流程示意圖；
[0038] 圖5為本發明的實施例提供的另一種有機薄膜電晶體的製作方法的流程示意圖；
[0039] 圖6為本發明的實施例提供的又一種有機薄膜電晶體的製作方法的流程示意圖。
[0040] 附圖標記：1_基板；2-柵極；3-柵絕緣層；4-源極；5-漏極；6-有機半導體層； 7_修飾層；8-緩衝層。
【具體實施方式】
[0041] 下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完 整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基於 本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他 實施例，都屬於本發明保護的範圍。
[0042] 本發明的實施例提供一種有機薄膜電晶體，該有機薄膜電晶體可以是柵極底接觸 和柵極頂接觸兩種類型，本實施例中僅以柵極底接觸模式為例進行說明，參照圖1所示，該 有機薄膜電晶體包括：基板1、柵極2、柵絕緣層3、源極4、漏極5、設置於源極4和漏極5上 方的有機半導體層6和修飾層7,其中：
[0043] 修飾層7設置於源極4和漏極5的上方與有機半導體層6對應的位置處；修飾層 7完全覆蓋源極4和漏極5。
[0044] 修飾層7用於改變源極4和漏極5的接觸角。
[0045] 具體的，修飾層可以採用有機小分子材料例如：六甲基二娃燒（Hexamethyl Disilazane，簡稱HMDS)和正辛基三氯娃燒（octyltrichlorosilane，簡稱0TS)等或者自組 裝小分子材料等製作形成。在源極和漏極上方製作修飾層，由於修飾層可以與源極和漏極 中的分子發生反應，發生反應之後的源極和漏極的接觸角會減小，從而源極和漏極的表面 勢能降低，進而使得有機半導體層可以很好的形成，提高了有機半導體層的鋪展效果，保證 薄膜電晶體的穩定性。
[0046] 基板可以是玻璃基板、塑料基板或者不鏽鋼與絕緣薄膜的襯底等。柵絕緣層可以 是採用氧化矽、氮化矽、金屬氧化物、金屬氮化物或者有機材料等形成絕緣薄膜，之後通過 構圖工藝形成的。柵絕緣層的厚度可以是30?lOOOnm。柵極可以是採用金屬、ΙΤ0、摻雜矽、 有機導電物等形成的，柵極的厚度可以為20?200nm。源極和漏極一般都是採用金（Au)、 銀（Ag)等貴金屬形成的，源極和漏極的厚度可以為1?30nm。
[0047] 本發明的實施例提供的有機薄膜電晶體，通過在薄膜電晶體的有機半導體層的下 方與源極和漏極對應的位置處設置可以改變源極和漏極的接觸角的修飾層，由於修飾層的 作用使得源極和漏極的接觸角減小，使得有機半導體層可以與源極和漏極充分接觸，保證 有機半導體層可以很好的形成在源極和漏極上，解決了薄膜電晶體中的電極層的接觸角較 大使得有機半導體層形成效果不佳，容易出現斷線的問題，保證了薄膜電晶體的質量和性 能，避免了對原材料的浪費，降低了生產成本。
[0048] 進一步，參照圖2所示，
[0049] 修飾層7還設置於有機半導體層6與柵絕緣層3之間的位置處。
[0050] 修飾層7還用於改變柵絕緣層3的接觸角。
[0051] 需要說明的是，本實施例中有機半導體層形成在源極和漏極的上方，如圖2中所 示有機半導體層的部分會與柵絕緣層直接接觸，進一步的在柵絕緣層上形成修飾層，可以 減小柵絕緣層的接觸角，有利於製備有機半導體層，保證了形成的有機半導體層的膜厚的 均一性。
[0052] 進一步可選的，參照圖3所示，該有機薄膜電晶體還包括緩衝層8,其中：
[0053] 緩衝層8分別設置於源極4、漏極5和柵極2的下方與源極4、漏極5和柵極2對 應的位置處。
[0054] 緩衝層6分別被源極4、漏極5和柵極2覆蓋。
[0055] 緩衝層6的材料的附著力大於源極、漏極和柵極的附著力。
[0056] 具體的，當金屬電極採用貴金屬材料例如金、銀等形成時，由於貴金屬材料的表面 附著力較差，使得形成的源極、漏極和柵極容易出現脫落的問題。本實施例中進一步的在源 極、漏極和柵極的下方製作一層緩衝層，由於緩衝層的材料的表面附著力較高，這樣源極、 漏極和柵極可以穩固的形成在基板上，避免出現源極、漏極和柵極脫落的情況發生，保證了 有機薄膜電晶體的性能。
[0057] 具體的，緩衝層可以採用例如：普通金屬（鑰Mo、鋁A1、銅Cu或者合金等）、氧化 銦錫（Indium Tin Oxide，簡稱ΙΤ0)等附著力較強的材料製作形成。
[0058] 其中，修飾層7的厚度可以為0. 1?10nm。
[0059] 緩衝層8的厚度為20?300nm。
[0060] 具體的，緩衝層的厚度設定在20?300nm之間，修飾層的厚度設定在0. 1?10nm 之間，既可以保證形成的緩衝層和修飾層可以實現各個層結構應有的作用，同時避免出現 緩衝層和修飾層太厚形成的薄膜浸提管厚度過厚，最終形成的顯示裝置的盒厚過大，降低 顯示裝置的顯示效果影響顯示裝置的性能。
[0061] 在實際製作有機薄膜電晶體時，可以根據具體的需求、成本、實用性等綜合考慮， 合理設置緩衝層、修飾層、柵極、源極和漏極的厚度，在保證各層結構可以充分發揮應有的 作用的同時，最終形成的薄膜電晶體的厚度不能太厚。
[0062] 本發明的實施例提供的有機薄膜電晶體，通過在該有機薄膜電晶體的有機半導體 層的下方與源極和漏極對應的位置處設置可以改變源極和漏極的接觸角的修飾層，由於修 飾層的作用使得源極和漏極的接觸角減小，使得有機半導體層可以與源極和漏極充分接 觸，保證有機半導體層可以很好的形成在源極和漏極上，解決了薄膜電晶體中的電極層的 接觸角較大使得有機半導體層形成效果不佳，容易出現斷線的問題，保證了薄膜電晶體的 質量和性能，避免了對原材料的浪費，降低了生產成本。進而，提高了生產效率。
[0063] 本發明的實施例提供一種陣列基板，該陣列基板包括附圖1?3對應的實施例提 供的任一有機薄膜電晶體，該有機薄膜電晶體可以是柵極底接觸和柵極頂接觸兩種類型。 [0064] 本發明的實施例提供的陣列基板，通過在陣列基板的有機薄膜電晶體的有機半導 體層的下方與源極和漏極對應的位置處設置可以改變源極和漏極的接觸角的修飾層，由於 修飾層的作用使得源極和漏極的接觸角減小，使得有機半導體層可以與源極和漏極充分接 觸，保證有機半導體層可以很好的形成在源極和漏極上，解決了薄膜電晶體中的電極層的 接觸角較大使得有機半導體層形成效果不佳，容易出現斷線的問題，保證了薄膜電晶體的 質量和性能，避免了對原材料的浪費，降低了生產成本。進而，提高了生產效率。
[0065] 本發明的實施例提供一種顯示裝置，該顯示裝置包括本發明的實施例提供的陣列 基板，該顯示裝置可以為：手機、平板電腦、電視機、筆記本電腦、數碼相框、導航儀等任何具 有顯示功能的產品或部件。
[0066] 本發明的實施例提供的顯示裝置，通過在顯示裝置中的有機薄膜電晶體的有機半 導體層的下方與源極和漏極對應的位置處設置可以改變源極和漏極的接觸角的修飾層，由 於修飾層的作用使得源極和漏極的接觸角減小，使得有機半導體層可以與源極和漏極充分 接觸，保證有機半導體層可以很好的形成在源極和漏極上，解決了薄膜電晶體中的電極層 的接觸角較大使得有機半導體層形成效果不佳，容易出現斷線的問題，保證了薄膜電晶體 的質量和性能，避免了對原材料的浪費，降低了生產成本。進而，提高了生產效率。
[0067] 本發明的實施例提供一種有機薄膜電晶體的製作方法，該有機薄膜電晶體可以是 柵極底接觸和柵極頂接觸兩種類型，本實施例中僅以柵極底接觸模式為例進行說明，同時， 為了便於理解，本實施例中將形成在與源極和漏極對應且在有機半導體層下方的位置處的 修飾層叫第一層修飾層，在柵絕緣層和有機半導體層之間的修飾層叫第二層修飾層，當然 這裡只是限定形成的修飾層的位置不同，形成修飾層的材料可以是相同的，參照圖4所示， 該方法包括以下步驟：
[0068] 101、在基板上形成包括柵極、柵線和柵線引線的柵金屬層。
[0069] 具體的，可以採用磁控濺射的方法在基板例如玻璃基板或石英基板上沉積一層厚 度在1000人至7000A的金屬薄膜，該金屬薄膜通常可以採用金或者銀等貴金屬。然後， 用掩模板通過曝光、顯影、刻蝕、剝離等構圖工藝處理，在基板的一定區域上形成柵金屬層。
[0070] 102、在柵金屬層上形成柵絕緣層。
[0071] 具體的，可以利用化學汽相沉積法或者磁控濺射的方法在玻璃基板上沉積厚度為 1000A至6000人的柵電極絕緣層薄膜，該柵絕緣層薄膜的材料通常是氮化娃，也可以使 用氧化矽和氮氧化矽等。
[0072] 103、在柵絕緣層上形成源極和漏極。
[0073] 具體的，可以採用與形成柵極類似的方法來形成源極和漏極。
[0074] 104、在源極和漏極上形成覆蓋源極和漏極的第一層修飾層。
[0075] 其中，第一層修飾層用於改變源極和漏極的接觸角。
[0076] 具體的，可以採用在源極和漏極上先鍍一層形成修飾層的材料的薄膜，然後通過 構圖工藝形成修飾層的圖案，或者先利用光刻膠形成修飾層的圖案，之後再塗敷一層修飾 層的材料。
[0077] 105、在第一層修飾層上形成覆蓋源極、漏極和修飾層的有機半導體層。
[0078] 具體的，可以利用化學汽相沉積法在第一層修飾層上沉積金屬氧化物半導體薄 膜，然後對金屬氧化物半導體薄膜進行一次構圖工藝形成有機半導體層，即在光刻膠塗覆 後，用普通的掩模板對基板進行曝光、顯影、刻蝕形成有機半導體層即可。
[0079] 本發明的實施例提供的有機薄膜電晶體的製作方法，通過在製作形成有機薄膜晶 體管時，在有機半導體層的下方與源極和漏極對應的位置處設置可以改變源極和漏極的接 觸角的修飾層，由於修飾層的作用使得源極和漏極的接觸角減小，使得有機半導體層可以 與源極和漏極充分接觸，保證有機半導體層可以很好的形成在源極和漏極上，解決了薄膜 電晶體中的電極層的接觸角較大使得有機半導體層形成效果不佳，容易出現斷線的問題， 保證了薄膜電晶體的質量和性能，避免了對原材料的浪費，降低了生產成本。
[0080] 本發明的實施例提供一種有機薄膜電晶體的製作方法，該有機薄膜電晶體可以是 柵極底接觸和柵極頂接觸兩種類型，本實施例中僅以柵極底接觸模式為例進行說明，同時， 為了便於理解，本實施例中將形成在與源極和漏極對應且在有機半導體層下方的位置處的 修飾層叫第一層修飾層，在柵絕緣層和有機半導體層之間的修飾層叫第二層修飾層，當然 這裡只是限定形成的修飾層的位置不同，形成修飾層的材料可以是相同的，參照圖5所示， 該方法包括以下步驟：
[0081] 201、在基板上形成一層包括柵極、柵線和柵線引線的柵金屬層。
[0082] 202、在柵金屬層上形成柵絕緣層。
[0083] 203、在柵絕緣層上形成源極、漏極。
[0084] 204、在源極和漏極上方形成覆蓋源極和漏極的第一層修飾層。
[0085] 205、在柵絕緣層的上方與有機半導體層之間的位置處形成第二層修飾層。
[0086] 具體的，可以採用與形成第一層修飾層相同的方法形成第二層修飾層。
[0087] 206、製作覆蓋第一層修飾層、第二層修飾層、源極和漏極的有機半導體層。
[0088] 需要說明的是，本實施例中的流程與上述實施例中的步驟相同的描述可以參照上 述實施例中的說明，此處不再贅述。
[0089] 本發明的實施例提供的有機薄膜電晶體的製作方法，通過在製作形成有機薄膜晶 體管時，在有機半導體層的下方與源極和漏極對應的位置處設置可以改變源極和漏極的接 觸角的修飾層，由於修飾層的作用使得源極和漏極的接觸角減小，使得有機半導體層可以 與源極和漏極充分接觸，保證有機半導體層可以很好的形成在源極和漏極上，解決了薄膜 電晶體中的電極層的接觸角較大使得有機半導體層形成效果不佳，容易出現斷線的問題， 保證了薄膜電晶體的質量和性能，避免了對原材料的浪費，降低了生產成本。進而，提高了 生產效率。
[0090] 本發明的實施例提供一種有機薄膜電晶體的製作方法，該有機薄膜電晶體可以是 柵極底接觸和柵極頂接觸兩種類型，本實施例中僅以柵極底接觸模式為例進行說明，同時， 為了便於理解，本實施例中將形成在與源極和漏極對應且在有機半導體層下方的位置處的 修飾層叫第一層修飾層，在柵絕緣層和有機半導體層之間的修飾層叫第二層修飾層，同時， 在柵極下的緩衝層叫第一層緩衝層，在源極和漏極下方形成的緩衝叫第二層緩衝層，當然 這裡只是限定形成的各個修飾層的位置不同，形成的各個緩衝層的位置不同，但是形成各 個修飾層的材料可以是相同的，形成各個緩衝層的材料也可以是相同的，參照圖6所示，該 方法包括以下步驟：
[0091] 301、在基板上與柵極對應的位置處形成第一層緩衝層。
[0092] 具體的，可以採用負性光刻膠形成緩衝層的圖案，然後再採用真空或者溶液法鍍 膜形成緩衝層。或者現在基板上鍍一層形成緩衝層的材料的薄膜，然後利用掩膜板形成緩 衝層圖案。
[0093] 302、在第一層緩衝層上形成一層包括柵極、柵線和柵線引線的柵金屬層。
[0094] 其中，柵極覆蓋第一層緩衝層。
[0095] 具體的，可以採用磁控濺射的方法在基板例如玻璃基板或石英基板上沉積一層 厚度在丨000人至7000A的金屬薄膜，該金屬薄膜通常可以採用鑰、鋁、鋁鎳合金、鑰鎢合 金、鉻、或銅等金屬，也可以使用上述幾種材料薄膜的組合結構。然後，用掩模板通過曝光、 顯影、刻蝕、剝離等構圖工藝處理，在基板的一定區域上形成柵金屬層。
[0096] 303、在柵金屬層形成一層覆蓋柵金屬層的柵絕緣層。
[0097] 304、在柵絕緣層上與源極和漏極對應的位置處形成第二層緩衝層。
[0098] 具體的，可以參照形成第一層緩衝層的方法來形成第二層緩衝層。
[0099] 305、在第二層緩衝層上形成源極、漏極和數據線。
[0100] 具體的，可以採用與形成源極和漏極相同的方法形成數據線。
[0101] 306、在源極和漏極上方形成覆蓋源極和漏極的第一層修飾層。
[0102] 307、在柵絕緣層的上方與有機半導體層之間的位置處形成第二層修飾層。
[0103] 308、製作覆蓋第一層修飾層、第二層修飾層、源極和漏極的有機半導體層。
[0104] 309、製作覆蓋有源層、源極、漏極和數據線的保護層。
[0105] 具體的，採用和柵絕緣層以及有機半導體層相類似的方法，在整個基板上塗覆一 層厚度在丨000人到6000人的保護層，其材料通常是氮化矽或透明的有機樹脂材料。
[0106] 需要說明的是，本實施例中的流程與上述實施例中的步驟相同的描述可以參照上 述實施例中的說明，此處不再贅述。
[0107] 本發明的實施例提供的有機薄膜電晶體的製作方法，通過在製作形成有機薄膜晶 體管時，在有機半導體層的下方與源極和漏極對應的位置處設置可以改變源極和漏極的接 觸角的修飾層，由於修飾層的作用使得源極和漏極的接觸角減小，使得有機半導體層可以 與源極和漏極充分接觸，保證有機半導體層可以很好的形成在源極和漏極上，解決了薄膜 電晶體中的電極層的接觸角較大使得有機半導體層形成效果不佳，容易出現斷線的問題， 保證了薄膜電晶體的質量和性能，避免了對原材料的浪費，降低了生產成本。進而，提高了 生產效率。
[0108] 以上所述，僅為本發明的【具體實施方式】，但本發明的保護範圍並不局限於此，任何 熟悉本【技術領域】的技術人員在本發明揭露的技術範圍內，可輕易想到變化或替換，都應涵 蓋在本發明的保護範圍之內。因此，本發明的保護範圍應以所述權利要求的保護範圍為準。
【權利要求】
1. 一種有機薄膜電晶體，所述有機薄膜電晶體包括：源極、漏極和設置於所述源極和 漏極上方的有機半導體層，其特徵在於，所述有機薄膜電晶體還包括：修飾層，其中： 所述修飾層設置於所述有機半導體層的下方與所述源極和漏極對應的位置處；所述修 飾層覆蓋所述源極和漏極； 所述修飾層用於改變所述源極和漏極的接觸角。
2. 根據權利要求1所述的有機薄膜電晶體，其特徵在於，所述有機薄膜電晶體還包括 柵絕緣層，其中： 所述修飾層還設置於所述有機半導體層與所述柵絕緣層之間的位置處； 所述修飾層還用於改變所述柵絕緣層的接觸角。
3. 根據權利要求1或2所述的有機薄膜電晶體，其特徵在於，所述有機薄膜電晶體還包 括：柵極和緩衝層，其中： 所述緩衝層分別設置於所述源極、漏極和柵極的下方與所述源極、漏極和柵極對應的 位置處； 所述緩衝層分別被所述源極、漏極和柵極覆蓋； 所述緩衝層的材料的附著力大於所述源極、漏極和柵極的附著力。
4. 根據權利要求3所述的有機薄膜電晶體，其特徵在於， 所述緩衝層的厚度為20?300nm。
5. 根據權利要求1或2所述的有機薄膜電晶體，其特徵在於， 所述修飾層的厚度為〇· 1?l〇nm。
6. 根據權利要求1或2所述的有機薄膜電晶體，其特徵在於， 所述源極和漏極的材料包括：金或銀； 所述修飾層的材料包括：有機小分子材料或自組裝小分子材料。
7. -種陣列基板，其特徵在於，所述陣列基板包括權利要求1?6任一所述的有機薄膜 電晶體。
8. -種顯示裝置，其特徵在於，所述顯示裝置包括陣列基板，其中： 所述陣列基板為權利要求6所述的陣列基板。
9. 一種有機薄膜電晶體的製作方法，所述方法包括：形成源極、漏極和所述源極和漏 極上方的有機半導體層，其特徵在於，所述方法還包括： 在所述源極和漏極上方且與所述有機半導體層對應的位置處形成覆蓋所述源極和漏 極的修飾層； 所述修飾層用於改變所述源極和漏極的接觸角。
10. 根據權利要求9所述的方法，其特徵在於，所述方法還包括：形成柵絕緣層， 在所述柵絕緣層和所述有機半導體層之間的位置處形成所述修飾層； 所述修飾層還用於改變所述柵絕緣層的接觸角。
11. 根據權利要求9或10所述的方法，其特徵在於，所述方法還包括形成柵極， 在所述柵極、源極和漏極下方分別形成被所述柵極、源極和漏極覆蓋的緩衝層； 所述緩衝層的材料的附著力大於所述源極、漏極和柵極的附著力。
【文檔編號】H01L51/05GK104218151SQ201410413117
【公開日】2014年12月17日 申請日期:2014年8月20日 優先權日:2014年8月20日
【發明者】方漢鏗, 謝應濤, 歐陽世宏, 蔡述澄, 石強, 劉則 申請人:京東方科技集團股份有限公司