一種應用於掃地機器人的回充座電路的製作方法

2023-10-11 23:38:35 2

cl端連接，發射的左回充信號，第五三極體發射電路與控制晶片u2的sign n端連接，發射中間虛擬牆信號。
12.所述控制晶片u2的第1腳接地，第2腳、第3腳、第11腳、第12腳、第13腳、第14腳分別接5個紅外發射管電路，所述控制晶片u2的第16腳接ldo轉換電路的3.3v輸出，控制晶片u2的第15腳經電阻r3、電容c1接地。
13.還包括ldo轉換電路，其包括ldo晶片u1，ldo晶片u1的第3腳接19v輸入和連接器j1，ldo晶片u1的第1腳接3.3v輸出，ldo晶片u1的第2腳接地，ldo晶片u1向控制晶片供電。
14.所述ldo轉換電路包括保護及濾波電路，所述保護及濾波電路包括二極體smb1、電阻r2、電容c2、電容c3，所述19v輸入經電阻r2連接於ldo晶片u1的第三腳，並聯二極體smb1、電容c2、電容c3。
15.還包括保護二極體esd1，所述esd1的一端接ldo晶片的第一腳，另一端接地。
16.本實用新型的有益效果是：
17.一種應用於掃地機器人的回充座電路，包括三極體發射電路和控制晶片，所述控制晶片通過三極體開關控制三極體發射電路，啟動或關三極體發射電路的紅外發射管發出紅外編碼信號，所述三極體發射電路設置有至少三個，所述紅外編碼信號包括近衛編碼信號和充電接頭信號，所述三極體發射電路中的其中一個發出近衛編碼信號。
18.本實用新型的回充座電路，可以實現通過控制晶片控制發射管電路發出不同的紅外編碼信號，可以實現掃地機器人快速定位位置，自動回充，提高用戶的使用體驗感，通過電源轉換電路ldo可以方便的降壓輸出3.3v向控制晶片和三極體發射電路供電。
附圖說明
19.圖1為本實用新型的控制晶片的電路結構示意圖。
20.圖2是本實用新型的電源轉換電路ldo的電路結構示意圖。
21.圖3是本實用新型的第一三極體發射電路的電路示意圖。
22.圖4是本實用新型的第二三極體發射電路的電路示意圖。
23.圖5是本實用新型的第三三極體發射電路的電路示意圖。
24.圖6是本實用新型的第四三極體發射電路的電路示意圖。
25.圖7是本實用新型的第五三極體發射電路的電路示意圖。
26.圖8是本實用新型的控制晶片u1的結構示意圖。
具體實施方式
27.下面將結合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例。
28.參照圖1～圖8，一種應用於掃地機器人的回充座電路，包括三極體發射電路和控制晶片，所述控制晶片控制三極體發射電路發出紅外編碼信號，所述三極體發射電路設置有至少三個，所述紅外編碼信號包括近衛編碼信號和充電接頭信號，所述三極體發射電路中的其中一個發出近衛編碼信號。
29.本實用新型的回充座電路，可以實現通過控制晶片控制發射管電路發出不同的紅
外編碼信號，可以實現掃地機器人快速定位位置，自動回充，提高用戶的使用體驗感，通過電源轉換電路ldo可以方便的降壓輸出3.3v向控制晶片和三極體發射電路供電。
30.近衛編碼信號是回充座發出的圍繞充座的扇形區域的信號。
31.充電接頭信號包括第一信號和第二信號，第一信號和第二信號分別由充座兩個充電接頭附近的信號發射器發射，第一信號和第二信號的輻射寬度窄，但是輻射距離長。
32.方位指示信號包括位置碼值，方位指示信號輻射距離相較於近衛信號遠，且相對於充電接頭信號輻射區域更寬，並且通過位置碼值告知充座相對於機器人的方位，確定充座相對於機器人的方位。
33.所述三極體發射電路包括有三個三極體發射電路，其中兩個三極體發射電路發射充電接頭信號，另一個三極體發射電路發射近衛編碼信號。
34.控制晶片包括控制晶片u1，所述控制晶片u1的rem接口分別與三個所述三極體發射電路連接。
35.控制晶片u1的第16腳接3.3v，通過電容c3和第1腳接地，第15腳經電阻r12接三個三極體發射電路，三極體發射電路包括紅外管d3，紅外管d3經電阻r8接三極體q2的一端，三極體q2接3.3v，三極體q2的第三段經電阻r3接p1端，
36.三極體發射電路包括紅外管d2,紅外管d2經電阻r9接三極體q1，三極體q1接3.3v，三極體q1經電阻r2接p2。
37.三極體發射電路包括紅外管d9，紅外管d9經電阻r19接三極體q5，三極體q5接3.3v，三極體q5經電阻r18接p5。
38.所述三極體發射電路包括有五個三極體發射電路，其中一個三極體發射電路發射近衛編碼信號，兩個三極體發射電路發射充電接頭信號，兩個三極體發射電路發射方位指示信號。
39.所述控制晶片包括控制晶片u2，所述三極體發射電路包括第一三極體發射電路、第二三極體發射電路、第三三極體發射電路、第四三極體發射電路、第五三極體發射電路，所述第一三極體發射電路與控制晶片u2的第14腳連接，與控制晶片u2的第15腳連接供電，所述第二三極體發射電路與控制晶片u2的第13腳連接，與控制晶片u2的第15腳連接供電，所述第三三極體發射電路與控制晶片u2的第2腳連接，與控制晶片u2的第15腳連接供電，所述第四三極體發射電路與控制晶片u2的第3腳連接，與控制晶片u2的第15腳連接供電，所述第五三極體發射電路與控制晶片u2的第12腳連接，與控制晶片u2的第15腳連接供電。
40.第一發射電路包括紅外管d1和三極體q1、三極體q2、三極體q3、三極體q4、三極體q5、三極體q6，所述紅外管d1一端接19v，另一端分別接三極體q5、三極體q6和三極體q4，所述三極體q5經電阻r16接地，另一端接電阻r8接地，經電阻r4接三極體q1，三極體q1分別接rem端和sigh r端，三極體q6經電阻r17、電阻r10接地，另一端經電阻r5接三極體q2，三極體q2分別接rem端和sigh n端，三極體q4分別經電阻r18、電阻r12接地，經電阻r6接三極體q3,三極體q3分別接rem和sigh o端。
41.第二發射電路包括紅外管d2和三極體q7、三極體q8、三極體q9、三極體q10、三極體q11、三極體q12，所述紅外管d2一端接19v，另一端分別接三極體q8、三極體q11和三極體q12，所述三極體q8經電阻r30接地，另一端接電阻r23接地，經電阻r19接三極體q7，三極體q分別接rem端和sigh l端，三極體q11經電阻r25、電阻r33接地，另一端經電阻r20接三極體
q9，三極體q9分別接rem端和sigh n端，三極體q12分別經電阻r32、電阻r27接地，經電阻r21接三極體q10,三極體q10分別接rem和sigh o端。
42.第三發射電路包括紅外管d3和三極體q13、三極體q14、三極體q15、三極體q16、三極體q17、三極體q18，所述紅外管d3一端接19v，另一端分別接三極體q14、三極體q17和三極體q18，所述三極體q14經電阻r38接地，另一端接電阻r45接地，經電阻r34接三極體q13，三極體q13分別接rem端和sigh cr端，三極體q17經電阻r40、電阻r48接地，另一端經電阻r35接三極體q15，三極體q15分別接rem端和sigh n端，三極體q18分別經電阻r42、電阻r47接地，經電阻r36接三極體q16,三極體q16分別接rem和sigh o端。
43.第四發射電路包括紅外管d4和三極體q19、三極體q20、三極體q21、三極體q22、三極體q23、三極體q24，所述紅外管d4一端接19v，另一端分別接三極體q20、三極體q23和三極體q24，所述三極體q20經電阻r60接地，另一端接電阻r53接地，經電阻r49接三極體q19，三極體q19分別接rem端和sigh cl端，三極體q23經電阻r55、電阻r63接地，另一端經電阻r50接三極體q21，三極體q21分別接rem端和sigh n端，三極體q24分別經電阻r57、電阻r62接地，經電阻r51接三極體q22,三極體q22分別接rem和sigh o端。
44.第五發射電路包括紅外管d51和三極體q25、三極體q26、三極體q27、三極體q28，所述紅外管d5一端接19v，另一端分別接三極體q26、三極體q28，所述三極體q26經電阻r71接地，另一端接電阻r67接地，經電阻r64接三極體q25，三極體q25分別接rem端和sigh n端，三極體q28經電阻r69、電阻r73接地，另一端經電阻r65接三極體q27，三極體q27分別接rem端和sigh o端。
45.其中第一三極體發射電路與sigh r端連接，發射右邊虛擬牆信號，第二三極體發射電路與控制晶片u2的sigh l端連接，發射左邊虛擬牆信號，第三三極體發射電路與控制晶片u2的sigh cr端連接，發射右邊的回充信號，第四三極體發射電路與控制晶片u2的sigh cl端連接，發射的左回充信號，第五三極體發射電路與控制晶片u2的sign n端連接，發射中間虛擬牆信號。
46.所述控制晶片u2的第1腳接地，第2腳、第3腳、第11腳、第12腳、第13腳、第14腳分別接5個紅外發射管電路，所述控制晶片u2的第16腳接ldo轉換電路的3.3v輸出，控制晶片u2的第15腳經電阻r3、電容c1接地。
47.還包括ldo轉換電路，其包括ldo晶片u1，ldo晶片u1的第3腳接19v輸入和連接器j1，ldo晶片u1的第1腳接3.3v輸出，ldo晶片u1的第2腳接地，ldo晶片u1向控制晶片供電。
48.所述ldo轉換電路包括保護及濾波電路，所述保護及濾波電路包括二極體smb1、電阻r2、電容c2、電容c3，所述19v輸入經電阻r2連接於ldo晶片u1的第三腳，並聯二極體smb1、電容c2、電容c3。ldo轉換電路轉換電壓向控制晶片u2及三極體發射電路供電。
49.參見圖2，還包括保護二極體esd1，所述保護二極體esd1的一端接ldo晶片的第一腳，另一端接地。二極體esd1可以有效保護ldo晶片，吸收靜電，保護晶片。
50.以上所述，僅為本實用新型較佳的具體實施方式，但本實用新型的保護範圍並不局限於此，任何熟悉本技術領域的技術人員在本實用新型揭露的技術範圍內，根據本實用新型的技術方案及其實用新型構思加以等同替換或改變，都應涵蓋在本實用新型的保護範圍之內。