粘接片及其製造方法、以及半導體裝置的製造方法及半導體裝置的製作方法

2023-05-03 13:29:51

專利名稱：粘接片及其製造方法、以及半導體裝置的製造方法及半導體裝置的製作方法
技術領域：
本發明是關於粘接片及其製造方法、以及半導體裝置的製造方法及半導體裝置。
背景技術：
近年來，機動性相關機器的多功能化及輕量小型化的需求迅速增高。隨之，相對於半導體元件的高密度安裝的需求年年增加，尤其以層疊半導體元件的層疊式多晶片封裝 (以下稱為「層疊式MCP」)的開發為其中心。層疊式MCP的技術開發，是封裝的小型化與多段裝載的所謂相反目標的兼顧。因此，半導體元件所使用的矽晶片的厚度，迅速進行薄膜化，積極研究、使用厚度為ΙΟΟμπι以下的晶片。另外，多段裝載，由於造成封裝製作步驟的複雜化，尋求封裝製作步驟的簡化、及對應於因多段裝載的引線接合的熱經歷次數增加的製作工藝、材料的提案。在這樣的狀況中，使用早期以來的糊狀材料作為層疊式MCP的粘接部件。但是，糊狀材料在半導體元件的粘接工藝中，產生樹脂的擠出，有膜厚精確度降低的問題。這些問題，成為產生引線接合時的不適，或造成糊狀劑的空隙等的原因，在使用糊狀材料時，並無對上述的要求的處理方案。為改善這樣的問題，近年來有使用薄膜狀的粘接劑替代糊狀材料的傾向。薄膜狀的粘接劑與糊狀材料比較，可控制半導體元件的粘接工藝中的擠出量為少量，且提高薄膜的膜厚精確度，能減少膜厚的偏差，故而積極研究對層疊式MCP的使用。此粘薄膜狀粘接劑，通常具有在剝離基材上形成粘接層的結構。薄膜狀粘接劑的代表性的使用方法之一為晶片背面貼合法。所謂晶片背面貼合法，是指在半導體元件製作中所使用的矽晶片的背面，直接貼合薄膜狀粘接劑的方法。此方法中，在對半導體晶片進行薄膜狀粘接劑的貼合後，去除剝離基材，在粘接層上貼合切割膠帶。其後安裝於晶片環，對晶片連同粘接層進行切削加工成為所期望的半導體元件尺寸。切割後的半導體元件，成為在背面具有切削為同尺寸的粘接層的構造。將此附帶有粘接層的半導體元件拾取裝載於襯底，以熱壓粘接等方法粘貼合。此背面貼合方式中採用的切割膠帶，通常具有在基材薄膜上形成粘著層的結構， 大致分為感壓型切割膠帶與UV型切割膠帶兩種。要求於切割膠帶的功能為，在切割時，要求不使半導體元件由於晶片切斷所伴隨的負荷而飛散的充分粘著力。另外，在拾取切割的半導體元件之際，要求各元件無粘著劑殘留，接合設備可以輕易拾取附帶有粘接層的半導體元件。另外，由於封裝製作步驟的縮短化的要求，進而改善工藝的要求更為提高。以往的晶片背面貼合方式中，需要在對晶片貼合薄膜狀粘接劑後，貼合切割膠帶的兩個步驟。因而，為簡化此工藝，進行開發兼具薄膜狀粘接劑與切割膠帶兩者功能的粘接片(接合切割薄片)。此粘接片有，具有貼合薄膜狀粘接劑與切割膠帶的結構的層疊型(例如參照專利文獻1 幻或、以一個樹脂層兼備粘著層與粘接層的功能的單層型(例如參照專利文獻4)。另外，有預先將這樣的粘接片加工為構成半導體元件的晶片的形狀的方法(所謂預先切斷加工)(例如參照專利文獻5、6)。這樣的預先切斷加工，是使樹脂層衝切為符合所使用的晶片的形狀，將粘貼於晶片部分以外的樹脂層剝離的方法。施行這樣的預先切斷加工時，層疊型的粘接片，一般而言，是使粘薄膜狀粘接劑的粘接層進行預先切斷加工成符合晶片的形狀，在其與切割膠帶粘貼後，對此切割膠帶施行符合晶片環形狀的預先切斷加工；或者，通過使預先施行符合晶片環形狀的預先切斷加工的切割膠帶，與施行預先切斷加工的薄膜狀粘接劑貼合製作而得。另外，單層型的粘接片，一般而言，是通過在剝離基材上形成具有粘接層與粘著層的功能的樹脂層(以下稱為「粘接著層」)，對此粘接著層進行預先切斷加工，在去除樹脂層的不要部分後，與基材薄膜貼合等方法製作而得。專利文獻1 專利第3，348，923號公報專利文獻2 特開平10-335271號公報專利文獻3 專利第2，678，655號公報專利文獻4 特公平7-15087號公報專利文獻5 實公平6-18383號公報專利文獻6 登錄實用新案3，021，645號公報

發明內容
發明要解決的問題粘接薄膜的預先切斷加工，藉助例如圖14所示的方法施行。圖14是對於單層型的粘接片施行預先切斷加工的一連串步驟圖。如圖14所示，首先，使剝離基材10、與由粘接著層12及基材薄膜14所成的粘接著薄膜(切割膠帶)20貼合，製作成預先切斷前的粘接片[圖14的(a)]。其次，將對應於所期望形狀的預先切斷刀C，自基材薄膜14的表面F14 切入至達剝離基材10，進行切斷操作[圖14的(b)]。其後，去除粘接著層12及基材薄膜 14的不要部分，完成預先切斷加工[圖14的(c)]。還有，層疊型的粘接片的情況下，除粘接著層12為粘接層及粘著層以外，以與上述同樣的方法進行預先切斷加工。但是，此預先切斷加工中，切斷刀C未到達剝離基材10時，切斷加工不足，在不要部分的剝離操作之際產生使必要部分也剝離的不適情況。因此，以往為避免這樣的不良切斷，預先切斷刀C的進入量，設定為比粘接著層12與剝離基材10的界面還深。但是，設定這樣較深的預先切斷刀C進入量而進行預先切斷加工的粘接片，如圖 15所示，本發明人等發現，粘接著層12咬入剝離基材10的切入部分E，使剝離基材10與粘接著層12的界面密封。進而，本發明人等發現，以此狀態使粘接片層壓於晶片時，難以使粘接著層12自剝離基材10剝離，容易造成剝離不良。另外，粘接薄膜的預先切斷加工，藉助例如圖M所示的方法施行。圖對是對於層疊型的粘接片施行預先切斷加工的一連串步驟圖。如圖M所示，首先，使由剝離基材212及粘接層214所成的薄膜狀粘接劑與由基材薄膜2M及粘著層222所成的切割膠帶貼合，製作成預先切斷前的粘接片[圖M的(a)]。其次，將對應於所期望形狀的預先切斷刀C，自基材薄膜224的表面FM切入至達剝離基材212，進行切斷操作[圖對的(b)]。其後，去除粘接層214、粘著層222及剝離薄膜224的不要部分，完成預先切斷加工[圖M的(c)]。 還有，單層型粘接片的情況下，除使用具有兩者功能的粘接著層替代粘接層214和粘著層 222以外，以與上述同樣的方法進行預先切斷加工。但是，上述的預先切斷加工中，切斷刀C 未到達剝離基材212時切斷加工不足，在不要部分的剝離操作之際產生使必要部分也剝離的不適情況。為避免這樣的不良切斷，預先切斷刀C的進入量，設定為比粘接層214與剝離基材212的界面還深。但是，設定這樣較深的預先切斷刀C進入量而進行預先切斷加工的粘接片，如圖 25所示，本發明人等發現，粘接層214或粘著層222咬入剝離基材212的切入部分F，使剝離基材212與粘接層214的界面密封。進而，本發明人等發現，以此狀態使粘接片層壓於晶片時，難以使粘接層214自剝離基材212剝離，容易造成剝離不良。本發明鑑於具有上述以往技術的課題，目的是提供在施行預先切斷加工中，可充分抑制含有粘接著層及基材薄膜的層疊體自剝離基材剝離的不良，或含有粘接層、粘著層及基材薄膜的層疊體的剝離不良的粘接片及其製造方法，以及使用所述粘接片的半導體裝置的製造方法及半導體裝置。解決問題的方案為達到上述目的，本發明提供一種粘接片，其為具備剝離基材、基材薄膜、及配置於所述剝離基材和所述基材薄膜之間的第1粘接著層的粘接片，其特徵為，所述剝離基材上，由所述第1粘接著層側的面形成環狀的切入部分；所述第1粘接著層為，按覆蓋所述剝離基材的所述切入部分的內側面整體來層疊；所述切入部分的切入深度為小於所述剝離基材的厚度，且為25 μ m以下。這裡，本發明中的切入深度，是指通過以電子顯微鏡觀測形成於剝離基材的切入部分的剝離基材的厚度方向的深度剖面，測定任意的10點，取其平均值。這樣的粘接片，是施行了如上所述的預先切斷加工的粘接片。這樣的粘接片，藉助剝離基材的切入部分的切入深度為上述範圍，可充分抑制第1粘接著層咬入切入部分。因此，剝離基材與第1粘接著層的界面不被密封，第1粘接著層及基材薄膜容易自剝離基材剝離，可充分抑制剝離不良的產生。另外，上述粘接片中，以所述剝離基材的厚度為m)、所述切入部分的切入深度為d(ym)，(d/a)的值以滿足下述式⑴的條件為宜。0< (d/a)彡 0.7 ......(1)由此，可以更充分地抑制第1粘接著層咬入切入部分，可以更充分地抑制剝離不良的產生。另外，所述粘接片中，所述第1粘接著層，以具有與剝離所述剝離基材後所述第1 粘接著層應該貼合的被粘附體的平面形狀相符合的平面形狀為宜。上述被粘附體有例如半導體晶片。藉助於第1粘接著層具有符合於此半導體晶片平面形狀的平面形狀，有使切割半導體晶片的步驟更容易的傾向。還有，第1粘接著層的平面形狀，不必與半導體晶片的平面形狀完全一致，例如可以與半導體晶片的平面形狀相似，也可以比半導體晶片的平面形狀的面積略大。進而，所述粘接片中，所述第1粘接著層為，對於剝離所述剝離基材後所述第1粘接著層應該貼合的被粘附體和所述基材薄膜而言，以在室溫下具有粘著性為宜。由此，切割半導體晶片之際，半導體晶片被充分固定，切割更為容易。另外，在切割半導體晶片之際使用晶片環，按使第1粘接著層緊貼於此晶片環來進行粘接片的貼合時， 可充分獲得對晶片環的粘著力，切割更加容易。另外，所述第1粘接著層，以藉助高能量射線的照射，對於所述基材薄膜的粘著力降低為宜。由此，在第1粘接著層自基材薄膜剝離之際，藉助照射放射線等高能量射線，剝離可更容易地進行。另外，所述粘接片中，以進一步具備配置於所述第1粘接著層周邊部分的至少一部分與所述剝離基材之間的第2粘接著層為宜。由於具備這樣的第2粘接著層，對於半導體晶片切割時使用的晶片環，貼合此第2 粘接著層，可使第1粘接著層不必直接貼合於晶片環。第1粘接著層直接貼合於晶片環時， 第1粘接著層的粘著力，需要調整至可輕易從晶片環剝離的程度的低粘著力。但是，通過將第2粘接著層貼合於晶片環，則不需要這樣的粘著力的調整。因此，通過使第1粘接著層具有充分高的粘著力，同時使第2粘接著層具有可輕易剝離晶片環程度的充分低的粘著力， 可更高效率地進行半導體晶片的切割操作及其後的晶片環的剝離操作。進而，由於可調整第2粘接著層的粘著力至充分低，因此在剝離基材與第2粘接著層之間容易做出剝離起點， 可使第2粘接著層、第1粘接著層及基材薄膜容易自剝離基材剝離，能更充分抑制剝離不良的產生。這裡，所述第2粘接著層為，對於剝離所述剝離基材後所述第2粘接著層應該貼合的被粘附體和所述第1粘接著層而言，以在室溫下具有粘著性為宜。另外，所述粘接片中，以進一步具備配置於所述第1粘接著層的所述周邊部分的至少一部分與所述第2粘接著層之間的中間層為宜。由於具備這樣的中間層，可提高第2粘接著層的材料選擇的自由度。例如，製造具備第2粘接著層的粘接片之際，於剝離基材上層疊第2粘接著層後，需要預先切斷此第2粘接著層。可廉價取得的粘接著層，其本身並無自身支撐性，有難以自剝離基材完全去除的情況。但是，藉助在第2粘接著層上具備中間層，預先切斷時，可輕易將第2粘接著層連同此中間層去除，可謀求操作的效率化，並提高第2粘接著層的材料選擇的自由度。因此，可輕易調整第2粘接著層的粘著力，在剝離基材與第2粘接著層之間容易做出剝離起點，可使第2 粘接著層、第1粘接著層及基材薄膜容易自剝離基材剝離，能更充分抑制剝離不良的產生。另外，本發明提供一種粘接片的製造方法，其為具備剝離基材、基材薄膜、及配置於所述剝離基材與所述基材薄膜之間的第1粘接著層的粘接片的製造方法，其特徵為，包括在所述剝離基材上，層疊所述第1粘接著層和所述基材薄膜的第1層疊步驟；經所述第1 層疊步驟後，由所述基材薄膜的與所述第1粘接著層側為相反側的面切入到達所述剝離基材，於所述剝離基材上形成環狀的切入部分的第1切斷步驟；所述第1切斷步驟中，所述切入部分的切入深度小於所述剝離基材的厚度，且為25 μ m以下。本發明還提供一種粘接片的製造方法，其為具備剝離基材、基材薄膜、配置於所述剝離基材與所述基材薄膜之間的第1粘接著層、及配置於所述剝離基材與所述第1粘接著層之間的第2粘接著層的粘接片的製造方法，其特徵為，包括在所述剝離基材上，部分性地層疊所述第2粘接著層的第2層疊步驟；在所述剝離基材和所述第2粘接著層上，層疊所述第1粘接著層和所述基材薄膜的第3層疊步驟；由所述基材薄膜的與所述第1粘接著層側為相反側的面切入到達所述剝離基材，於所述剝離基材上形成環狀的切入部分的第2切斷步驟；所述第2切斷步驟中，進行切斷，使得所述第2粘接著層在所述切入部分內側區域被設置在所述第1粘接著層的周邊部分的至少一部分與所述剝離基材之間，並按使所述切入部分的切入深度小於所述剝離基材的厚度，且為25 μ m以下來形成切入部分。本發明進而提供一種粘接片的製造方法，其為具備剝離基材、基材薄膜、配置於所述剝離基材與所述基材薄膜之間的第1粘接著層、配置於所述剝離基材與所述第1粘接著層之間的第2粘接著層、及配置於所述第1粘接著層與第2粘接著層之間的中間層的粘接片的製造方法，其特徵為，含有在所述剝離基材上，部分性地層疊所述第2粘接著層及所述中間層的第4層疊步驟；在所述剝離基材及所述中間層上，層疊所述第1粘接著層及所述基材薄膜的第5層疊步驟；由所述基材薄膜的與所述第1粘接著層側為相反側的面切入到達所述剝離基材，於所述剝離基材上形成環狀的切入部分的第3切斷步驟；所述第3切斷步驟中，進行切斷，使得所述第2粘接著層在所述切入部分內側區域被設置在所述第1粘接著層的周邊部分的至少一部分與所述剝離基材之間，並按使所述切入部分的切入深度小於所述剝離基材的厚度，且為25 μ m以下來形成切入部分。這些粘接片的製造方法中，施行預先切斷加工，並藉助預先切斷加工使在剝離基材上形成的切入部分的切入深度為上述範圍。因此，所得粘接片可充分抑制剝離不良的產生。另外，上述第1 3的切斷步驟中，以所述剝離基材的厚度為a(ym)、所述切入部分的切入深度為d( μ m)，以(d/a)的值滿足下述式(1)的條件來形成切入部分為宜。0 < (d/a) ^ 0. 7 ......(1)由此，能獲得可更充分抑制剝離不良的產生的粘接片。另外，本發明提供一種半導體裝置的製造方法，其特徵為，包括自所述本發明的粘接片剝離所述剝離基材，獲得由所述基材薄膜及所述第1粘接著層所成的第1層疊體的第 1剝離步驟；將所述第1層疊體中的所述第1粘接著層貼合於半導體晶片的第1貼合步驟； 通過切割所述半導體晶片及所述第1粘接著層，獲得附著有所述第1粘接著層的半導體元件的第1切割步驟；從所述基材薄膜上拾取附著有所述第1粘接著層的所述半導體元件的第1拾取步驟；將所述半導體元件以所述第1粘接著層為中介，粘接於半導體元件搭載用的支持部件的第1粘接步驟。本發明還提供一種半導體裝置的製造方法，其特徵為，包括自所述本發明的粘接片剝離所述剝離基材，獲得由所述基材薄膜、所述第1粘接著層及所述第2粘接著層所成的第2層疊體的第2剝離步驟；將所述第2層疊體中的所述第1粘接著層貼合於半導體晶片， 所述第2粘接著層貼合於晶片環的第2貼合步驟；通過切割所述半導體晶片及所述第1粘接著層，獲得附著有所述第1粘接著層的半導體元件的第2切割步驟；從所述基材薄膜上拾取附著有所述第1粘接著層的所述半導體元件的第2拾取步驟；將所述半導體元件以所述第1粘接著層為中介，粘接於半導體元件搭載用的支持部件的第2粘接步驟。
本發明進而提供一種半導體裝置的製造方法，其特徵為，包括自所述本發明的粘接片剝離所述剝離基材，獲得由所述基材薄膜、所述第1粘接著層、所述中間層及所述第2 粘接著層所成的第3層疊體的第3剝離步驟；將所述第3層疊體中的所述第1粘接著層貼合於半導體晶片，所述第2粘接著層貼合於晶片環的第3貼合步驟；通過切割所述半導體晶片及所述第1粘接著層，獲得附著有所述第1粘接著層的半導體元件的第3切割步驟；從所述基材薄膜上拾取附著有所述第1粘接著層的所述半導體元件的第3拾取步驟；將所述半導體元件以所述第1粘接著層為中介，粘接於半導體元件搭載用的支持部件的第3粘接步馬聚ο根據這些製造方法，通過在其製造步驟中使用本發明的粘接片，可充分抑制製造過程中的剝離不良的產生，能高效率且確實的製造半導體裝置。本發明進而提供一種半導體裝置，其特徵為，利用所述本發明的半導體裝置的製造方法進行製造。另外，本發明提供一種粘接片，其為具有剝離基材、粘接層、粘著層及基材薄膜順次層疊的結構的粘接片，其特徵為，所述粘接層具有規定的第1平面形狀，且部分性的形成於所述剝離基材上；所述剝離基材上，沿著所述第1平面形狀的周邊，從與所述粘接層接觸的一側的面形成第1切入部分；所述第1切入部分的切入深度為小於所述剝離基材的厚度， 且為25 μ m以下。這裡，本發明中的切入深度，是指通過以電子顯微鏡觀測形成於剝離基材的切入部分的剝離基材的厚度方向的深度剖面，測定任意的10點，取其平均值。這樣的粘接片，是施行如上所述的預先切斷加工的粘接片。這樣的粘接片，藉助剝離基材的第1切入部分的切入深度為上述範圍，可充分抑制粘接層或粘著層咬入第1切入部分。因此，剝離基材與粘接層的界面不被密封，粘接層、粘著層及基材薄膜容易自剝離基材剝離，可充分抑制剝離不良的產生。另外，上述粘接片，以所述剝離基材的厚度為m)、所述第1切入部分的切入深度為dl(ym)，(dl/a)的值以滿足下述式(2)的條件為宜。0 < (dl/a) ^ 0. 7 ......O)由此，可以更充分地抑制粘接層或粘著層咬入第1切入部分，可以更充分地抑制剝離不良的產生。另外，所述粘接片中，以所述粘著層覆蓋所述粘接層，且於所述粘接層的周圍與所述剝離基材接觸來層疊為宜。在這樣的層疊有粘著層的粘接片中，所述粘著層及所述基材薄膜具有規定的第2平面形狀，且部分性地形成於所述剝離基材上；所述剝離基材上，沿著所述第2平面形狀的周邊，從與所述粘接層接觸的一側的面形成第2切入部分；所述第2切入部分的切入深度以小於所述剝離基材的厚度、且為25 μ m以下為宜。這樣的粘接片，不僅對粘接層施行預先切斷加工，而且對按覆蓋此粘接層來層疊的粘著層及基材薄膜也另外施行預先切斷加工。這樣的粘接片，藉助剝離基材的第2切入部分的切入深度為上述範圍，可充分抑制粘著層咬入第2切入部分。因此，剝離基材與粘著層的界面不被密封，粘著層及基材薄膜容易自剝離基材剝離，可充分抑制剝離不良的產生。另外，上述粘接片，以所述剝離基材的厚度為m)、所述第2切入部分的切入深度為d2(ym)，(d2/a)的值以滿足下述式(3)的條件為宜。
0 < (d2/a) ^ 0. 7 ......(3)由此，可以更充分地抑制粘著層咬入第2切入部分，可以更充分地抑制剝離不良的產生。另外，所述粘接片中，所述粘接層，以具有與剝離所述剝離基材後所述粘接層應該貼合的被粘附體的平面形狀相符合的平面形狀為宜。所述被粘附體有例如半導體晶片。由於粘接層具有符合於此半導體晶片平面形狀的平面形狀，有使切割半導體晶片的切割步驟更容易的傾向。還有，粘接層的平面形狀，不必與半導體晶片的平面形狀完全一致，例如可以是比半導體晶片的平面形狀略大的平面形狀。進而，所述粘接片中，所述粘著層為，對於剝離所述剝離基材後所述粘著層應該貼合的被粘附體和所述粘接層而言，以在室溫下具有粘著力為宜。由此，切割半導體晶片之際，半導體晶片被充分固定，切割更為容易。另外，在切割半導體晶片之際使用晶片環，按使粘著層緊貼於此晶片環來進行粘接片的貼合時，可充分獲得對晶片環的粘著力，使切割更加容易。另外，上述粘著層，以藉助高能量射線的照射，對於所述粘接層的粘著力降低為且。由此，在剝離粘接層和粘著層之際，藉助照射放射線等高能量射線，剝離可更容易進行。本發明還提供一種粘接片的製造方法，其為具有剝離基材、粘接層、粘著層及基材薄膜順次層疊的結構的粘接片的製造方法，其特徵為，包括在所述剝離基材上，順次層疊所述粘接層、所述粘著層及所述基材薄膜的第1層疊步驟；由所述基材薄膜的與所述粘著層接觸的一側為相反側的面切入到達所述剝離基材，將所述粘接層、所述粘著層及所述基材薄膜切斷成規定平面形狀，並且於所述剝離基材上形成第1切入部分的第1切斷步驟；所述第1切斷步驟中，按使所述第1切入部分的切入深度為小於所述剝離基材的厚度，且為 25 μ m以下來進行切入。這樣的粘接片的製造方法中，施行預先切斷加工，並使藉助該預先切斷加工於剝離基材上形成的第1切入部分的切入深度為上述範圍。因此，所得粘接片可充分抑制剝離不良的產生。另外，所述第1切斷步驟中，以所述剝離基材的厚度為m)、所述第1切入部分的切入深度為dl(ym)，以(dl/a)的值滿足下述式O)的條件來形成切入部分為宜。0 < (dl/a) ^ 0. 7......O)由此，能獲得可更充分抑制剝離不良的產生的粘接片。本發明進而提供一種粘接片的製造方法，其為具有剝離基材、粘接層、粘著層及基材薄膜順次層疊結構的粘接片的製造方法，其特徵為，含有在所述剝離基材上，層疊所述粘接層的第2層疊步驟；由所述粘接層的與所述剝離基材接觸的一側為相反側的面切入到達所述剝離基材，將所述粘接層切斷成規定的第1平面形狀，並且於所述剝離基材上形成第1 切入部分的第2切斷步驟；在所述粘接層上，順次層疊所述粘著層及所述基材薄膜的第3層疊步驟；所述第2切斷步驟中，按使所述第1切入部分的切入深度為小於所述剝離基材的厚度，且為25 μ m以下來進行切入。
這樣的粘接片的製造方法中，施行預先切斷加工，並使藉助預先切斷加工於剝離基材上形成的第1切入部分的切入深度為上述範圍。因此，所得粘接片可充分抑制剝離不良的產生。另外，所述第2切斷步驟中，以所述剝離基材的厚度為m)、所述第1切入部分的切入深度為dl(ym)，以(dl/a)的值滿足下述式O)的條件來形成切入部分為宜。0< (dl/a)≤ 0.7 ......(2)由此，能獲得可更充分抑制剝離不良的產生的粘接片。另外，所述粘接片的製造方法中，所述第3層疊步驟中為，層疊所述粘著層及所述基材薄膜，使得所述粘著層覆蓋所述粘接層，並且在所述粘接層的周圍與所述剝離基材接觸，進而包括由所述基材薄膜的與所述粘接層接觸側的相對側的面切入到達所述剝離基材，將所述基材薄膜及所述粘著層切斷成規定的第2平面形狀，並於所述剝離基材上形成第2切入部分的第3切斷步驟；所述第3切斷步驟中，按使所述第2切入部分的切入深度為小於所述剝離基材的厚度，且為25 μ m以下來進行切入。這樣的粘接片的製造方法中，由於藉助預先切斷加工使剝離基材上形成的第2切入部分的切入深度為上述範圍，因此所得粘接片可充分抑制剝離不良的產生。另外，所述第3切斷步驟中，以所述剝離基材的厚度為m)、所述第2切入部分的切入深度為d2(ym)，以(d2/a)的值滿足下述式(3)的條件來形成切入部分為宜。0 < (d2/a) ≤ 0. 7 ......(3)由此，能獲得可更充分抑制剝離不良的產生的粘接片。本發明還提供一種半導體裝置的製造方法，其特徵為，包括在所述本發明的粘接片中，將所述粘接層、所述粘著層及所述基材薄膜所成的層疊體由所述剝離基材中剝離，將所述層疊體以所述粘接層為中介貼合於半導體晶片，獲得附有層疊體的半導體晶片的貼合步驟；切割所述附有層疊體的半導體晶片，獲得規定尺寸的附有層疊體的半導體元件的切割步驟；以高能量射線照射所述層疊體的所述粘著層，使所述粘著層對所述粘接層的粘著力降低後，將所述粘著層及所述基材薄膜由所述粘接層剝離而獲得附有粘接層的半導體元件的剝離步驟；將所述附有粘接層的半導體元件，以所述粘接層為中介粘接於半導體元件搭載用的支持部件的粘接步驟。根據這樣的製造方法，由於其製造步驟中使用本發明的粘接片，因此可充分抑制製造過程中剝離不良的產生，能高效率且確實的製造半導體裝置。本發明進而提供一種半導體裝置，其特徵為利用所述本發明的半導體裝置的製造方法進行製造。發明的效果根據本發明，可以提供施行預先切斷加工，能充分抑制含粘接著層及基材薄膜的層疊體自剝離基材的剝離不良，或含粘接層、粘著層及基材薄膜的層疊體的剝離不良的粘接片及其製造方法，以及，使用所述粘接片的半導體裝置的製造方法及半導體裝置。


圖1為本發明的粘接片的第1實施方式的平面圖。圖2為沿圖1的Al-Al線將圖1所示的粘接片1切斷時的模式截面圖。
圖3為粘接片的第1層疊體20與半導體晶片32及晶片環34貼合的狀態的模式截面圖。
圖4為本發明的粘接片的第2實施方式的平面圖。
圖5為沿圖4的A2-A2線將圖4所示的粘接片2切斷時的模式截面圖。
圖6為本發明的粘接片的第3實施方式的平面圖。
圖7為沿圖6的A3-A3線將圖6所示的粘接片3切斷時的模式截面圖。
圖8為製造粘接片1的一連串步驟圖。
圖9為製造粘接片2的一連串步驟圖。
圖10為製造粘接片3的一連串步驟圖。
圖11為進行第2層疊體20貼合於半導體晶片32的操作的一連串步驟圖。
圖12為切割半導體晶片32的一連串步驟圖。
圖13為本發明的半導體元件的一個實施方式的模式截面圖。
圖14為對單層型的粘接片進行預先切斷加工的一連串步驟圖。
圖15為對藉助以往的預先切斷加工，在剝離基材10上所形成的切入部分E附近進行了放大的模式截面圖。圖16為本發明的粘接片的第7實施方式的平面圖。圖17為沿圖16的All-All線將圖16所示的粘接片201切斷時的模式截面圖。圖18為本發明的粘接片的第8實施方式的平面圖。圖19為沿圖18的A12-A12線將圖18所示的粘接片202切斷時的模式截面圖。圖20為本發明的粘接片的第9實施方式的平面圖。圖21為沿圖20的A13-A13線將圖20所示的粘接片203切斷時的模式截面圖。圖22為進行層疊體210貼合於半導體晶片32的操作的一連串步驟圖。圖23為本發明的半導體元件的一個實施方式的模式截面圖。圖M為對層疊型的粘接片進行預先切斷加工的一連串步驟圖。圖25為對藉助以往的預先切斷加工，在剝離基材212所形成的切入部分F附近進行了放大的模式截面圖。
0118]符號說明0119]1、2、3、201、202、203 粘接片0120]10,212 剝離基材0121]12第1粘接著層0122]14、224:基材薄膜0123]16第2粘接著層0124]18中間層0125]20第1層疊體0126]22第2層疊體0127]24第3層疊體0128]32半導體晶片0129]33、72 半導體元件0130]34晶片環
36 平臺
42,242 第 1 卷
44 卷芯
52,252 第 2 卷
54 卷芯
62,68 -M
70 有機襯底
71 搭載半導體用的支持部件
74 電路圖型
76 接頭
78 引線接合
80 封閉材料
210層疊體
214 粘接層
220粘著薄膜
222粘著層
具體實施例方式參照附圖同時就本發明的適合的實施方式詳細說明如下。還有，下述說明中，相同或相當部分以同一符號表示，省略重複的說明。另外，上下左右等位置關係，除特別規定外， 以附圖所示的位置關係為基準。進而，附圖的尺寸比例並不限定於附圖所示的比例。[粘接片]〈第1實施方式〉圖1為本發明的粘接片的第1實施方式的平面圖，圖2為圖1所示的粘接片1沿圖1的Al-Al線切斷時的模式截面圖。如圖1及圖2所示，粘接片1具有將剝離基材10、 和第1粘接著層12、和基材薄膜14順次層疊的結構。另外，由第1粘接著層12及基材薄膜14所成的第1層疊體20被切斷成規定的平面形狀，部分性地層疊於剝離基材10上。進而，在剝離基材10上，沿著第1層疊體20的平面形狀的周邊，由第1粘接著層12側的面， 於剝離基材10的厚度方向，形成環狀的切入部分D。第1層疊體20是，按覆蓋剝離基材10 中切入部分D內側的面整體來層疊的。這裡，所謂第1層疊體20的所述規定的平面形狀，只要是在剝離基材10上成為第 1層疊體20部分性層疊的狀態的形狀，則沒有特別的限制。第1層疊體20的所述規定的平面形狀，以符合於半導體晶片等被粘附體的平面形狀的平面形狀為宜。例如圓形、略圓形、 方形、五角形、六角形、八角形、晶片形狀(圓的外周的一部分為直線的形狀)等容易貼合於半導體晶片的形狀是適宜的。其中，為了使半導體晶片搭載部分以外的浪費部分少，優選圓形或晶片形狀。另外，進行半導體晶片的切割之際，通常以切割裝置處理，因而使用晶片環。此情況，如圖3所示，由粘接片1上將剝離基材10剝離，在第1粘接著層12上貼合晶片環34，於其內側貼合半導體晶片32。這裡，晶片環34為圓環狀或四角環狀等的框。粘接片1中的第1層疊體20，進而以具有符合這裡晶片環34的平面形狀為宜。另外，第1粘接著層12，以可在室溫(25°C )下使半導體晶片或晶片環充分固定、 且切割後對晶片環等具有可剝離的程度的粘著性為宜。另外，粘接片1中，在剝離基材10中形成的切入部分D的切入深度d，為小於剝離基材10的厚度、且為25 μ m以下。就構成粘接片1的各層詳細說明如下。剝離基材10，在使用粘接片1時擔負作為載體薄膜的任務。這樣的剝離基材10， 可使用例如聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜等聚酯系薄膜，聚四氟乙烯薄膜、聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜、聚甲基戊烯薄膜、聚乙酸乙烯酯薄膜等聚烯烴系薄膜，聚氯乙烯薄膜、聚醯亞胺薄膜等塑料薄膜等。另外，也可使用紙、非織造布、金屬箔等。另外，剝離基材10的第1粘接著層12側的面，以使用聚矽酮系剝離劑、氟系剝離劑、長鏈烷基丙烯酸酯系剝離劑等進行表面處理為宜。剝離基材10的厚度，在不損害使用時的操作性的範圍可適當選擇。剝離基材10 的厚度，優選10 500 μ m，為宜，更優選25 100 μ m,特別優選30 50 μ m。第1粘接著層12中，可含有例如熱塑性成份、熱聚合性成份、放射線聚合性成份。 藉助含有這樣成份的組成，可以使第1粘接著層12具有放射線(例如紫外光)或熱硬化的特性。另外，也可含有藉助放射線以外的高能量射線(例如電子線等)進行聚合的成份。這裡，通過使第1粘接著層12中含有放射線聚合性成份，在半導體晶片等被粘附體貼合了第1粘接著層12後，於進行切割前照射光可提高切割時的粘著力，或相反的，在進行切割後照射光使粘著力降低，可使拾取容易進行。本發明中，這樣的放射線聚合性成份， 可使用以往放射線聚合性的切割薄片中所使用的成份，沒有特別的限制。另外，通過含有熱硬化性成份，利用半導體元件搭載於其應搭載的支持部件時的熱、或焊劑回流時的熱，使第 1粘接著層12硬化，可提高半導體裝置的可靠性。就各自的成份詳細說明如下。第1粘接著層12所使用的熱塑性成份，只要是具有熱塑的樹脂，或至少在未硬化狀態下具有熱塑性、加熱後形成交聯結構的樹脂，則沒有特別的限制。這樣的熱塑性成份， 使用例如(I)Tg(玻璃轉移溫度)為10 100°C、且重均分子量為5，000 200,000的成分，或(2)Tg為-50 10°C、且重均分子量為100，000 1，000, 000的成分是適宜的。上述(1)的熱塑性樹脂有，例如聚醯亞胺樹脂、聚醯胺樹脂、聚醚醯亞胺樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、聚酯樹脂、聚酯醯亞胺樹脂、苯氧樹脂、聚碸樹脂、聚醚碸樹脂、聚苯硫醚樹脂、聚醚酮樹脂等。其中以使用聚醯亞胺樹脂為宜。另外，上述O)的熱塑性樹脂，以使用含有官能性單體的聚合物為宜。作為這些熱塑性樹脂中的較好者一，舉出聚醯亞胺樹脂。這樣的聚醯亞胺樹脂，可通過以眾所周知的方法使四羧酸二酐與二胺進行縮合反應而得。即，在有機溶劑中，使用等摩爾或大致等摩爾的四羧酸二酐與二胺(各成份可以任意的順序添加)，在反應溫度80°C 以下，優選0 60°C，進行附加反應。隨反應的進行，反應液的粘度徐徐上升，生成聚醯亞胺的前體的聚醯胺酸。另外，作為上述熱塑性樹脂中的較好者之一，舉出含官能性單體的聚合物。這樣的聚合物中的官能基有，例如縮水甘油基、丙烯醯基、甲基丙烯醯基、羥基、羧基、三聚異氰酸酯基、氨基、醯胺基等，其中以縮水甘油基為宜。更具體而言，以含有丙烯酸縮水甘油酯或甲基丙烯酸縮水甘油酯等官能性單體的含有縮水甘油基的(甲基)丙烯酸系共聚物等為宜， 進而以與環氧樹脂等熱硬化樹脂不相溶為宜。所述含官能性單體的聚合物、重均分子量為10萬以上的高分子量成份有，例如含有丙烯酸縮水甘油酯或甲基丙烯酸縮水甘油酯等官能性單體、且重均分子量為10萬以上的含有縮水甘油基的(甲基)丙烯酸系共聚物等，其中以與環氧樹脂不相溶者為宜。所述含有縮水甘油基的(甲基)丙烯酸系共聚物，可使用例如，(甲基)丙烯酸酯共聚物、丙烯酸系橡膠等，優選丙烯酸系橡膠。丙烯酸系橡膠是以丙烯酸酯為主成份，主要是由丙烯酸丁酯與丙烯腈等的共聚物、或丙烯酸乙酯與丙烯腈等的共聚物等所成的橡膠。所述所謂官能性單體，是指具有官能基的單體而言，作為這樣的單體，以使用丙烯酸縮水甘油酯或甲基丙烯酸縮水甘油酯等為宜。重均分子量為10萬以上的含有縮水甘油基的(甲基)丙烯酸系共聚物，具體的有，例如，長瀨CHEMTEX股份有限公司制的 HTR-860P-3(商品名)等。所述丙烯酸縮水甘油酯或甲基丙烯酸縮水甘油酯等含有環氧樹脂的單體單元的量，為了通過加熱硬化而有效形成網狀結構，對單體全量而言以0. 5 50重量％為宜。另外，從可確保粘接力，並能防止凝膠化的觀點而言，優選0. 5 6. 0重量％，更優選0. 5 5. 0重量％，特別優選0. 8 5. 0重量％。丙烯酸縮水甘油酯、甲基丙烯酸縮水甘油酯以外的所述官能性單體有，例如(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丁酯等，這些可單獨或兩種以上組合使用。還有，本發明中，所謂(甲基)丙烯酸乙酯為丙烯酸乙酯或甲基丙烯酸乙酯。將官能性單體組合使用時的混合比率為，考慮含有縮水甘油基的(甲基)丙烯酸系共聚物的Tg而決定，以
以上為宜。Tg為-10°c以上時，於B階狀態的粘接著層的粘性較適當，有處理性變為良好的傾向。使所述單體聚合，製造含官能性單體的重均分子量為10萬以上的高分子量成份時，其聚合方法沒有特別的限制，可使用例如珠狀聚合、溶液聚合等方法。含官能性單體的高分子量成份的重均分子量為10萬以上，優選30萬 300萬，更優選50萬 200萬。重均分子量為此範圍時，作為薄片狀或薄膜時的強度、可撓性、及觸感性較適當，另外，流動性適宜，因此有可確保配線的電路填充性的傾向。還有，本發明中，所謂重均分子量，是指以凝膠滲透色譜法測定、使用標準聚苯乙烯標準曲線換算的值。另外，含官能性單體的重均分子量10萬以上的高分子量成份的使用量，相對於熱聚合性成份100重量份，優選為10 400重量份。在此範圍時，可確保儲存彈性率及成型時的流動性抑制，有在高溫下的處理性良好的傾向。另外，高分子量成份的使用量，相對於熱聚合性成份100重量份，更優選為15 350重量份，特別優選為20 300重量份。第1粘接著層12所使用的熱聚合性成份，只要是藉助熱而聚合的物質，則沒有特別的限制，例如有具有縮水甘油基、丙烯醯基、甲基丙烯醯基、羥基、羧基、三聚異氰酸酯基、 氨基、醯胺基等官能基的化合物。這些可單獨或兩種以上組合使用。還有，考慮作為粘接片的耐熱性時，以使用藉助熱進行硬化而產生粘接作用的熱硬化性樹脂為宜。熱硬化性樹脂有，例如環氧樹脂、丙烯酸系樹脂、矽樹脂、酚樹脂、熱硬化型聚醯亞胺樹脂、聚氨酯樹脂、三聚氰胺樹脂、尿素樹脂等；從獲得耐熱性、操作性、可靠性優異的粘接片的方面考慮，優選使用環氧樹脂。
環氧樹脂，只要是進行硬化而具有粘接作用的物質，則沒有特別的限制。這樣的環氧樹脂可使用例如，雙酚A型環氧樹脂等二官能環氧樹脂，苯酚酚醛型環氧樹脂或甲酚酚醛型環氧樹脂等酚醛型環氧樹脂等。另外，可使用多官能環氧樹脂、縮水甘油基胺型環氧樹脂、含雜環的環氧樹脂或脂環式環氧樹脂等一般已知的物質。雙酚A型環氧樹脂有，日本環氧樹脂股份有限公司制的EPIC0TE系列 (EPIC0TE807、815、825、827、828、834、1001、1004、1007、1009)、陶氏化學公司制的 DER-330、 301、361，及東都化成股份有限公司制的YD8125、YDF8170等。苯酚酚醛型環氧樹脂有日本環氧樹脂股份有限公司制的EPIC0TE152、1M，日本化藥股份有限公司制的EPPN-201，陶化學公司制的DEN-438等；另外，鄰-甲酚酚醛型環氧樹脂有日本化藥股份有限公司制的E0CN-102S、103S、104S、1012、1025、1027，及東都化成股份有限公司制的YDCN 701、702、703、704等。多官能環氧樹脂有，日本環氧樹脂股份有限公司制的Epon 1031S，汽巴特殊化學品公司制的愛牢達(Araldite) 0163，長瀨CHEMTEX股份有限公司制的迭納口魯(〒於二一 ^ )EX-611、614、614B、622、512、521、421、411、321 等。胺型環氧樹脂有日本環氧樹脂股份有限公司制的EPIC0TE604，東都化成股份有限公司制的YH-434，三菱氣體化學股份有限公司制的TETRAD-X及TETRAD-C，住友化學股份有限公司制的ELM-120等。含雜環的環氧樹脂有，汽巴特殊化學品公司制的愛牢達(Araldite)PT810，UCC公司制的ERL 4234、4299、4221、4206等。這些環氧樹脂，可單獨或兩種以上組合使用。使用環氧樹脂之際，以使用環氧樹脂硬化劑為宜。環氧樹脂硬化劑，可使用通常所使用的眾所周知的硬化劑，有例如胺類、聚醯胺、酸酐、多硫化物、三氟化硼、二氰基二醯胺、 雙酚A、雙酚F、雙酚S等一分子中具有兩個以上酚性羥基的雙酚類，苯酚酚醛樹脂、雙酚A 酸醛樹脂及甲酚酚醛樹脂等酚樹脂等。尤其從吸溼時的耐電蝕性優越的方面考慮，以苯酚酚醛樹脂、雙酚A酚醛樹脂及甲酚酚醛樹脂等酚樹脂為宜。還有，本發明中所謂環氧樹脂硬化劑，也包含對環氧基起催化劑性作用的而促進交聯的所謂的硬化促進劑。所述酚樹脂硬化劑中的較好者有，例如大日本油墨化學工業股份有限公司制的商品名飛諾萊多(7 工 7，4 卜)LF2882、LF2822、TD-2090、TD-2149、VH-4150、VH-4170, 明和化成股份有限公司制的商品名H-1，日本環氧樹脂股份有限公司制的商品名EPICURE MP402FPYJL6065、YLH129B65，及三井化學股份有限公司制的商品名密雷庫斯(S ^夕夕 ^ )XL、XLC、RN、RS、VR 等。第1粘接著層12所使用的放射線聚合性成份，沒有特別的限制，可使用例如丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸乙酯、丙烯酸丁酯、甲基丙烯酸丁酯、丙烯酸-2-乙基己基酯、甲基丙烯酸-2-乙基己基酯、丙烯酸戊烯基酯、丙烯酸四氫糠酯、甲基丙烯酸四氫糠酯、二乙二醇二丙烯酸酯、三乙二醇二丙烯酸酯、四乙二醇二丙烯酸酯、二乙二醇二甲基丙烯酸酯、三乙二醇二甲基丙烯酸酯、四乙二醇二甲基丙烯酸酯、三羥甲基丙烷二丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、三羥甲基丙烷二甲基丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三甲基丙烯酸酯、1，4- 丁二醇二丙烯酸酯、1，6-己二醇二丙烯酸酯、1，4- 丁二醇二甲基丙烯酸酯、1，6-己二醇二甲基丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、季戊四醇三甲基丙烯酸酯、季戊四醇四甲基丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯、二季戊四醇六甲基丙烯酸酯、苯乙烯、二乙烯基苯、4-乙烯基甲苯、4-乙烯基吡啶、N-乙烯基吡咯烷酮、丙烯酸2-羥基乙基酯、甲基丙烯酸2-羥基乙基酯、1，3_丙烯醯基氧-2-羥基丙烷、1，2_甲基丙烯醯基氧-2-羥基丙烷、亞甲基雙丙烯醯胺、N，N_ 二甲基丙烯醯胺、N-羥甲基丙烯醯胺、三(β-羥基乙基)三聚異氰酸酯的三丙烯酸酯等。另外，第1粘接著層12中，可添加光聚合引發劑(例如藉助活性光的照射，生成游離基的物質)。這樣的光聚合引發劑有，例如二苯甲酮、N，N'-四甲基-4，4' - 二氨基二苯甲酮(米蚩酮)、N，N'-四乙基-4，4' -二氨基二苯甲酮、4-甲氧基-4' - 二甲基氨基二苯甲酮、2-苄基-2- 二甲基氨基-1- (4-嗎啉代苯基)-丁酮_1、2，2- 二甲氧基-1， 2-二苯基乙烷-1-酮、1-羥基-環己基-苯基酮、2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-嗎啉代丙酮-1、2，4-二乙基噻噸酮、2-乙基蒽醌、菲醌等芳香族酮，苯偶姻甲醚、苯偶姻乙醚、 苯偶姻苯基醚等苯偶姻醚，甲基苯偶姻、乙基苯偶姻等苯偶姻，苄基二甲基縮酮等苄基衍生物，2-(鄰-氯苯基)-4，5- 二苯基咪唑二聚物、2-(鄰-氯苯基)-4，5- 二(間-甲氧基苯基)咪唑二聚物、2-(鄰-氟苯基)-4，5-苯基咪唑二聚物、2-(鄰-甲氧基苯基)-4，5- 二苯基咪唑二聚物、2-(對-甲氧基苯基)-4，5-二苯基咪唑二聚物、2，4-二(對-甲氧基苯基)-5-苯基咪唑二聚物、2- (2,4- 二甲氧基苯基)-4，5- 二苯基咪唑二聚物等2，4，5-三芳基咪唑二聚物，9-苯基吖啶、1，7_雙(9，9'-吖啶基)庚烷等吖啶衍生物等。另外，第1粘接著層12中，可添加藉助照射放射線產生鹼及游離基的光引發劑。這樣，藉助切割前或切割後的光照射，產生游離基，使光硬化成份進行硬化，並且在系內產生作為熱硬化性樹脂的硬化劑的鹼，經其後的熱經歷可有效的進行第1粘接著層12的熱硬化反應，因此不必分別添加光反應與熱硬化反應各自的引發劑。藉助照射放射線產生鹼及游離基的光引發劑，可使用例如2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-嗎啉代丙烷-1-酮(汽巴特殊化學品公司制，依魯加立爾907)、2_苄基-2- 二甲基氨基-1-(4-嗎啉代苯基)_ 丁酮-1-酮(汽巴特殊化學品公司制，依魯加立爾369)、六芳基雙咪唑衍生物(苯基可被滷素、烷氧基、硝基、氰基等取代基取代)、苯並異惡唑酮衍生物等。另外，為使以放射線或熱進行硬化的第1粘接著層12的儲存彈性率增大，可使用例如增加環氧樹脂的使用量，或使用縮水甘油基濃度高的環氧樹脂或羥基濃度高的酚樹脂等提高聚合物整體的交聯密度，或添加填料等方法。進而，第1粘接著層12中，為了提高可撓性或耐回流龜裂性，可添加具有與熱聚合性成份相溶性的高分子量樹脂。這樣的高分子量樹脂沒有特別的限制，有例如，苯氧樹脂、 高分子量熱聚合性成份、超高分子量熱聚合性成份等。這些可單獨或兩種以上組合使用。具有與熱聚合性成份相溶性的高分子量樹脂的使用量，相對於熱聚合性成份的總量100重量份，優選為40重量份以下。在此範圍時，有能確保熱聚合性成份層的Tg的傾向。另外，第1粘接著層12中，為提高其處理性、提高導熱性、調整熔融粘度及賦予觸變性等目的，可添加無機填料。無機填料沒有特別的限制，有例如氫氧化鋁、氫氧化鎂、碳酸鈣、碳酸鎂、矽酸鈣、矽酸鎂、氧化鈣、氧化鎂、氧化鋁、氮化鋁、硼酸鋁晶須、氮化硼、結晶性二氧化矽、非晶質二氧化矽等，填料的形狀沒有特別的限制。這些填料可單獨或兩種以上組合使用。藉助照射放射線而產生鹼的化合物是照射放射線時產生鹼的化合物；產生的鹼， 使熱硬化性樹脂的硬化反應速度上升，也稱為光鹼產生劑。產生的鹼，從反應性、硬化速度的方面考慮，以強鹼化合物為宜。一般地，使用酸離解常數的對數的PKa值作為鹼性的指標，以在水溶液中的PKa值為7以上的鹼為宜，以9以上的鹼更佳。另外，所述藉助照射放射線產生鹼的化合物，以使用藉助照射波長150 750nm的光產生鹼的化合物為宜，使用一般光源之際，為了高效率地產生鹼，藉助照射250 500nm 的光產生鹼的化合物是更適宜的。這樣的藉助照射放射線而產生鹼的化合物的例子，有咪唑、2，4_ 二甲基咪唑、 1-甲基咪唑等咪唑衍生物，哌嗪、2，5- 二甲基哌嗪等哌嗪衍生物，哌啶、1，2- 二甲基哌啶等哌啶衍生物，脯氨酸衍生物，三甲胺、三乙胺、三乙醇胺等三烷基胺衍生物，4-甲基氨基吡啶、4-二甲基氨基吡啶等4位被氨基或烷基氨基取代的吡啶衍生物，吡咯烷、η-甲基吡咯烷等吡咯烷衍生物，三乙烯二胺、1，8_ 二氮雜雙環(5.4.0)十一烯-I(DBU)等脂環式胺衍生物，苄基甲基胺、苄基二甲基胺、苄基二乙基胺等苄基胺衍生物等。第1粘接著層12的厚度，以充分確保對搭載襯底的粘接性，並且不影響對半導體晶片的貼合操作及貼合後的切割操作的範圍為宜。從這樣的觀點而言，第1粘接著層12的厚度優選1 300 μ m,更優選5 150 μ m,特別優選10 100 μ m。厚度小於1 μ m時，有難以確保充分的晶片接合的粘接力的傾向；厚度超過300 μ m時，有產生對貼合操作及切割操作不良影響等不適情況的傾向。構成粘接片的基材薄膜14，可使用與剝離基材10所使用的薄膜或薄片相同的物。 例如聚對苯二甲酸乙二醇酯等聚酯系薄膜，聚四氟乙烯薄膜、聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜、聚甲基戊烯薄膜、聚乙烯基乙酸酯薄膜等聚烯烴系薄膜，聚氯乙烯薄膜、聚醯亞胺薄膜等塑料薄膜等。進而，基材薄膜14可為這些薄膜層疊2層以上的薄膜。另外，基材薄膜14的厚度，優選10 500 μ m，更優選25 100 μ m，特別優選以 30 50μπι。粘接片1是具備如上所說明的剝離基材10、第1粘接著層12及基材薄膜14的物質。此粘接片1中，在剝離基材10上，沿著由第1粘接著層12與基材薄膜14所成的第1 層疊體20的平面形狀的周邊，由剝離基材10的第1粘接著層12側的面於剝離基材10的厚度方向，形成切入部分D。此切入部分D的切入深度d為，小於剝離基材10的厚度，且在25 μ m以下。這裡， 從獲得更良好的剝離性的觀點而言，切入深度d優選為15 μ m以下，更優選10 μ m以下，特別優選5 μ m以下。這樣，切入深度d越接近Oym越好，最好是大於0 μ m、在0. 5 μ m以下。藉助切入部分D的切入深度d為上述範圍，粘接片1中，可充分抑制第1粘接著層 12咬入切入部分D。因此剝離基材10與第1粘接著層12的界面不被密封，第1層疊體20 容易自剝離基材10剝離，可充分抑制第1層疊體20貼合於被粘附體之際的剝離不良的產生。但是，以現行的預先切斷裝置使切入深度接近於0 μ m時，裝置的調整與預先切斷步驟的實施需要很多的時間，生產效率有降低的傾向。因而，在平衡生產效率與抑制剝離不良的方面考慮，優選切入深度d為5 15μπι。另外，以剝離基材10的厚度為a(ym)、粘接片1以(d/a)的值滿足下述式(1)的條件為宜。0< (d/a)≤ 0.7 ......(1)
通過所述(d/a)的值滿足所述式(1)的條件，可更充分抑制第1粘接著層12咬入切入部分D，能更充分抑制剝離不良的產生。另外，從更充分獲得這樣的效果的觀點而言，所述式(1)中(d/a)的值的上限值，優選0.5，更優選0.3，特別優選0.25，尤其優選0.15，最優選0. 1。還有，所述切入深度d，如上所述，是通過以電子顯微鏡觀測形成於剝離基材10的切入部分D的深度的剖面，測定任意的10點，取其平均值。從更充分抑制剝離不良的產生的觀點而言，任意10點測定的切入部分D的深度，以全部在上述範圍為宜。圖4為本發明的粘接片的第2實施方式的平面圖，圖5為圖4所示的粘接片2沿圖4的A2-A2線切斷時的模式截面圖。如圖4及圖5所示，粘接片2，具有具備剝離基材10、 和第1粘接著層12、和配置於第1粘接著層12的周邊部分與剝離基材10之間的第2粘接著層16、和基材薄膜14的結構。另外，第1粘接著層12及基材薄膜14，切斷成規定的平面形狀，部分性的層疊於剝離基材10上。進而，第2粘接著層16也切斷成規定的平面形狀， 在使由基材薄膜14、第1粘接著層12及第2粘接著層16所成的第2層疊體22貼合於半導體晶片及晶片環之際，配置於晶片環的應貼合位置。在剝離基材10上，沿著第2層疊體22 的平面形狀，由第1粘接著層12及第2粘接著層16側的面，於剝離基材10的厚度方向，形成環狀的切入部分D。在這樣的粘接片2中，形成於剝離基材10的切入部分D的切入深度d，為小於剝離基材10的厚度，且為25μπι以下。另外，這樣的切入部分D的切入深度d及(d/a)的適宜範圍，與第1實施方式中粘接片1的切入深度d及(d/a)的適宜範圍相同。使用這樣的粘接片2時，自剝離基材10剝離第2層疊體22，第2層疊體22中的第 1粘接著層12貼合於半導體晶片，第2粘接著層16貼合於晶片環。粘接片2中，剝離基材10、第1粘接著層12及基材薄膜14，可使用與所述第1實施方式的粘接片1所說明的物質相同的物質。粘接片2的第2粘接著層16，是含有例如丙烯酸系、橡膠系、聚矽酮系的樹脂而形成的。這樣的第2粘接著層16的厚度，以5 50 μ m為宜。此第2粘接著層16，通過配置於第1粘接著層12的周邊部分與剝離基材10之間， 即，使用粘接片2時貼合於晶片環的位置，第1粘接著層12可不必直接貼合於晶片環。第 1粘接著層12直接貼合於晶片環時，第1粘接著層12的粘著力，需要調整至可輕易自晶片環剝離的程度的低粘著力。但是，通過使第2粘接著層16貼合於晶片環，不需要這樣的粘著力的調整。因此，通過使第1粘接著層12具有充分高的粘著力，並使第2粘接著層16具有可輕易剝離晶片環程度的充分低的粘著力，能高效率的進行半導體晶片的切割操作及其後的晶片環的剝離操作。進而，由於可調整第2粘接著層16的粘著力至充分的低，於剝離基材10與第2粘接著層16之間，容易做出剝離起點，可輕易自剝離基材10剝離第2粘接著層16、第1粘接著層12及基材薄膜14，能更充分抑制剝離不良的產生。〈第3實施方式〉圖6為本發明的粘接片的第3實施方式的平面圖，圖7為圖6所示的粘接片3沿圖6的A3-A3線切斷時的模式截面圖。如圖6及圖7所示，粘接片3，具有具備剝離基材10、 和第1粘接著層12、和配置於第1粘接著層12的周邊部分與剝離基材10之間的第2粘接著層16、和配置於第2粘接著層16與基材薄膜14之間的中間層18、和基材薄膜14的結構。另外，第1粘接著層12及基材薄膜14切斷成規定的平面形狀，部分性的層疊於剝離基材10上。進而，第2粘接著層16及中間層18也切斷成規定的平面形狀，在使由基材薄膜 14、第1粘接著層12、中間層18及第2粘接著層16所成的第3層疊體M貼合於半導體晶片及晶片環之際，配置於晶片環的應貼合位置。在剝離基材10上，沿著第2層疊體22的平面形狀，由第1粘接著層12及第2粘接著層16側的面，於剝離基材10的厚度方向，形成環狀的切入部分D。在這樣的粘接片3中，形成於剝離基材10的切入部分D的切入深度d，為小於剝離基材10的厚度，且為25μπι以下。另外，這樣的切入部分D的切入深度d及(d/a)的適宜範圍，與第1實施方式中粘接片1的切入深度d及(d/a)的適宜範圍相同。使用這樣的粘接片3時，自剝離基材10剝離第3層疊體M，第3層疊體M中的第 1粘接著層12貼合於半導體晶片，第2粘接著層16貼合於晶片環。粘接片3中，剝離基材10、第1粘接著層12及基材薄膜14，可使用與所述第1實施方式的粘接片1所說明的物質相同的物質；第2粘接著層16，可使用與所述第2實施方式的粘接片2所說明的物質相同的物質。粘接片3的中間層18，可使用例如由聚乙烯、聚丙烯、聚氯乙烯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、離子鍵聚合物樹脂、其它的工程塑料等所成的薄膜、金屬板或箔。這樣的中間層18的厚度，以5 100 μ m為宜。粘接片3中，首先，與第2實施方式的粘接片2同樣地，第2粘接著層16配置於第 1粘接著層12的周邊部與剝離基材10之間，即，使用粘接片2時貼合於晶片環的位置。由此，第1粘接著層12可不必直接貼合於晶片環。通過使第1粘接著層12具有充分高的粘著力，並使第2粘接著層16具有可輕易剝離晶片環程度的充分低的粘著力，能高效率的進行半導體晶片的切割操作及其後的晶片環的剝離操作。進而，粘接片3中，通過在第2粘接著層16與第1粘接著層12之間配置中間層 18，可提高第2粘接著層16的材料選擇的自由度。例如製造第2實施方式的粘接片2之際， 於剝離基材10上層疊第2粘接著層16後，此第2粘接著層16需要預先切斷。能以廉價取得的粘接著層，其本身並無自身支撐性，有難以自剝離基材10完全去除的情況。但是，藉助具備如粘接片3的中間層18，於預先切斷時，可輕易去除此連帶中間層18的第2粘接著層 16，可謀求操作的效率化，並提高第2粘接著層16的材料選擇的自由度。[粘接片的製造方法]對於為製造所述第1實施方式的粘接片1的、第4實施方式的粘接片1的製造方法，加以說明。圖8為製造粘接片1的一連串步驟圖。首先，如圖8(a)所示，在剝離基材10上， 層疊由第1粘接著層12及基材薄膜14所成的第1層疊體20 (第1層疊步驟)。其次，如圖 8(b) (c)所示，藉助預先切斷刀C，由基材薄膜14的與第1粘接著層12側為相反側的面 F14切入到達剝離基材10，使基材薄膜14及第1粘接著層12切成規定的平面形狀，並於剝離基材10上形成切入部分D (第1切斷步驟)。由此，完成粘接片1的製造。這裡，第1切斷步驟中，切入部分D的切入深度d為小於剝離基材10的厚度，且為25 μ m以下。就各製造步驟說明如下。第1層疊步驟中，首先，使構成第1粘接著層12的材料溶解或分散於溶劑，作為形成第1粘接著層用清漆，將其塗布於基材薄膜14上後，通過加熱去除溶劑形成第1層疊體 20。這裡，調製清漆所使用的所述溶劑，只要是可溶解或分散各構成材料的物質，則沒有特別的限制。考慮形成層之際的揮發性時，以使用例如甲醇、乙醇、2-甲氧基乙醇、2-乙氧基乙醇、2-丁氧基乙醇、甲乙酮、丙酮、甲異丁酮、甲苯、二甲苯等較低沸點的溶劑為宜。另外，為提高塗膜性的目的，可使用例如二甲基乙醯胺、二甲基甲醯胺、N-甲基吡咯烷酮、環己酮等較高沸點的溶劑。這些溶劑可單獨或兩種以上組合用。還有，調成清漆後，可藉助真空脫氣等去除清漆中的氣泡。清漆塗布於基材薄膜14的塗布方法，可使用眾所周知的方法，例如刮刀塗布法、 輥塗布法、噴霧塗布法、照相凹版塗布法、刮棒塗布法、幕式塗布法等。其次，使上述製成的第1層疊體20與剝離基材10貼合。由此，形成預先切斷前的粘接片(以下稱為「前體薄片」)，完成第1層疊步驟。這裡，第1層疊體20與剝離基材10的貼合，可藉助以往眾所周知的方法進行，例如可使用層壓機等進行。另外，前體薄片，可藉助下述的方法製得。例如，將形成第1粘接著層用清漆塗布於剝離基材10上後，以加熱去除溶劑形成第1粘接著層12後，使用層壓機等在第1粘接著層12上貼合基材薄膜14等的方法。第1切斷步驟中，對如上所述製成的前體薄片，由基材薄膜14的與第1粘接著層 12側為相反側的面F14切入到達剝離基材10，將由第1粘接著層12及基材薄膜14所成的第1層疊體20切成規定的平面形狀，並於剝離基材10上形成切入部分D。這裡，第1層疊體20的切斷，可使用與規定的平面形狀相應的預先切斷刀C來進行。此第1切斷步驟中，切入部分D的切入深度d為小於剝離基材10的厚度，且為 25μπι以下。還有，從獲得具有更良好的剝離性的粘接片的觀點而言，切入部分D的切入深度d優選為15 μ m以下，更優選10 μ m以下，特別優選5 μ m以下。這樣，切入深度d越接近 0 μ m越好，最好是大於0 μ m、0. 5 μ m以下。但是，在平衡生產效率與抑制剝離不良的方面考慮，切入深度d以5 15 μ m為宜。另外，第1切斷步驟中，以剝離基材10的厚度為m)，(d/a)的值以滿足下述式 (1)的條件為宜。0 < (d/a) ≤ 0. 7 ......(1)由此，能獲得可更充分抑制剝離不良的產生的粘接片1。另外，從更充分獲得這樣效果的觀點而言，所述式(1)中(d/a)的值的上限值，優選為0.5，更優選0.3，特別優選 0. 25，尤其優選0. 15，最優選0. 1。其後，根據需求剝離去除第1層疊體20的不要部分，得到目標的粘接片1。對於製造所述第2實施方式的粘接片2的、第5實施方式的粘接片2的製造方法，予以說明。圖9為製造粘接片2的一連串步驟圖。首先，如圖9(a)所示，在剝離基材10上，層疊第2粘接著層16。接著，藉助預先切斷刀C切入第2粘接著層16，部分性的去除第2粘接著層16，如圖9(b)所示，在剝離基材10的第2粘接著層16側的面，形成露出面FlO (第 2層疊步驟)。其後，如圖9 (c)所示，在剝離基材10的露出面FlO及第2粘接著層16上， 層疊第1粘接著層12及基材薄膜14(第3層疊步驟)。其次，如圖9(d) (e)所示，藉助預先切斷刀C，由基材薄膜14的與第1粘接著層12側為相反側的面F14切入到達剝離基材 10，使基材薄膜14、第1粘接著層12及第2粘接著層16切成規定的平面形狀，並於剝離基材10上形成切入部分D (第2切斷步驟)。由此，完成粘接片2的製造。這裡，第2切斷步驟中，按使在所述規定的平面形狀的區域內(所述切入部分D的內側的區域內)，第1粘接著層12與剝離基材10的露出面FlO成為連接的狀態，且在所述區域內的周邊部分，使第1粘接著層12與第2粘接著層16為連接狀態來進行切斷，並使切入部分D的切入深度d為小於剝離基材10的厚度，且為25 μ m以下。就各製造步驟詳細說明如下。第2層疊步驟中，使構成第2粘接著層16的材料溶解或分散於溶劑，作為形成第 2粘接著層用清漆，將其塗布於剝離基材10後，通過加熱去除溶劑，形成第2粘接著層16。接著，在如上所述製成的第2粘接著層16，藉助預先切斷刀C，由第2粘接著層16 的與剝離基材10側為相反側的面F16切入到達剝離基材10，自剝離基材10部分性的去除第2粘接著層16，在剝離基材10的第2粘接著層16側的面形成露出面F10。由此，第2粘接著層16成為在剝離基材10上部分性的層疊的狀態，完成第2層疊步驟。第3層疊步驟中，首先，使構成第1粘接著層12的材料溶解或分散於溶劑，作為形成第1粘接著層用清漆，將其塗布於基材薄膜14上後，通過加熱去除溶劑，製作成第1層疊體20。這裡，第1層疊體20，可以與所述第4實施方式中說明的同樣的工序製作。之後，使上述製成的第1層疊體20，層疊於剝離基材10的露出面FlO及第2粘接著層16上。由此，形成預先切斷前的粘接片(以下稱為「前體薄片」)，完成第3層疊步驟。第2切斷步驟中，對如上所述製成的前體薄片，由基材薄膜14的與第1粘接著層 12側為相反側的面F14切入到達剝離基材10，使基材薄膜14、第1粘接著層12及第2粘接著層16切成規定的平面形狀，並於剝離基材10上形成切入部分D。這裡，基材薄膜14、第1粘接著層12及第2粘接著層16，可使用與規定的平面形狀相應的預先切斷刀C進行切斷。此第2切斷步驟中形成的切入部分D的切入深度d及(d/a)的適宜範圍，如所述第4實施方式中的說明。其後，根據需求剝離去除基材薄膜14、第1粘接著層12及第2粘接著層16的不要部分，在剝離基材10上形成由第2粘接著層16、第1粘接著層12及基材薄膜14所成的第 2層疊體22，即得目標的粘接片2。〈第6實施方式〉對於為製造所述第3實施方式的粘接片3的、第6實施方式的粘接片3的製造方法，加以說明。圖10為製造粘接片3的一連串步驟圖。首先，如圖10(a)所示，在剝離基材10上，層疊第2粘接著層16及中間層18。接著，藉助預先切斷刀C切入第2粘接著層16及中間層18，部分性的去除第2粘接著層16及中間層18，如圖10(b)所示，在剝離基材10的第2 粘接著層16側的面形成露出面FlO(第4層疊步驟)。其後，如圖10(c)所示，在剝離基材 10的露出面FlO及中間層18上，層疊第1粘接著層12及基材薄膜14 (第5層疊步驟)。其次，如圖10(d) (e)所示，藉助預先切斷刀C，由基材薄膜14的與第1粘接著層12側為相反側的面F14切入到達剝離基材10，使基材薄膜14、第1粘接著層12、中間層18及第2粘接著層16切成規定的平面形狀，並於剝離基材10上形成切入部分D (第3切斷步驟)。由此，完成粘接片3的製造。這裡，第3切斷步驟中，按使在所述規定的平面形狀的區域內(所述切入部分D的內側的區域內)，第1粘接著層12與剝離基材10的露出面FlO成為連接的狀態，且在所述區域內的周邊部分，使第1粘接著層12與中間層18為連接狀態來進行切斷，並使切入部分 D的切入深度d為小於剝離基材10的厚度，且為25 μ m以下。就各製造步驟詳細說明如下。第4層疊步驟中，首先，使構成第2粘接著層16的材料溶解或分散於溶劑，作為形成第2粘接著層用清漆，將其塗布於剝離基材10後，通過加熱去除溶劑，形成第2粘接著層 16。接著，使構成中間層18的材料溶解或分散於溶劑，作為形成中間層用清漆，將其塗布於第2粘接著層16後，通過加熱去除溶劑，形成中間層16。接著，在如上所述製成的第2粘接著層16及中間層18中，藉助預先切斷刀C，由中間層18的與第2粘接著層16側為相反側的面F18切入到達剝離基材10，自剝離基材10 部分性的去除第2粘接著層16及中間層18，在剝離基材10的第2粘接著層16側的面形成露出面F10。由此，第2粘接著層16及中間層18成為在剝離基材10上部分性的層疊的狀態，完成第4層疊步驟。第5層疊步驟中，首先，使構成第1粘接著層12的材料溶解或分散於溶劑，作為形成第1粘接著層用清漆，將其塗布於基材薄膜14上，通過加熱去除溶劑，製成第1層疊體 20。這裡，第1層疊體20可以與所述第4實施方式中說明的同樣的工序製作。其次，使上述製成的第1層疊體20，層疊於剝離基材10的露出面FlO及中間層18 上。由此，形成預先切斷前的粘接片(前體薄片)，完成第5層疊步驟。第3切斷步驟中，對如上所述製成的前體薄片，由基材薄膜14的與第1粘接著層 12側為相反側的面F14切入到達剝離基材10，使基材薄膜14、第1粘接著層12、中間層18 及第2粘接著層16切成規定的平面形狀，並於剝離基材10上形成切入部分D。這裡，基材薄膜14、第1粘接著層12、中間層18及第2粘接著層16，可使用與規定的平面形狀相應的預先切斷刀C進行切斷。此第3切斷步驟中，形成的切入部分D的切入深度d及(d/a)的適宜範圍，如所述第4實施方式中的說明。其後，根據需要剝離去除基材薄膜14、第1粘接著層12、中間層18及第2粘接著層16的不要部分，在剝離基材10上形成由第2粘接著層16、中間層18、第1粘接著層12 及基材薄膜14所成的第3層疊體24，即得目標的粘接片3。以上，對於本發明的粘接片及粘接片的製造方法的適合實施方式已進行了詳細說明，但本發明並非限定這裡這些實施方式者。
[半導體裝置的製造方法]就使用上述說明的粘接片的半導體裝置的製造方法，以圖11及圖12予以說明。還有，下述的說明中，對於使用所述第2實施方式的粘接片2作為粘接片的情況，加以說明。圖11為進行粘接片2的第2層疊體22貼合於半導體晶片32的操作的一連串步驟圖。如圖11 (a)所示，粘接片2是，剝離基材10發揮載體薄膜的作用，由兩個輥62和66、 以及楔狀的部件64支撐。粘接片2是，其一端以連接於圓柱狀的卷芯44的狀態形成卷繞的第1卷42，另一端以連接於圓柱狀的卷芯M的狀態形成卷繞的第2卷52。第2卷52的卷芯M連接有使該卷芯M旋轉的卷芯驅動馬達(圖上未標示)。由此，卷芯M以規定的速度，卷繞粘接片2中的第2層疊體22被剝離後的剝離基材10。首先，卷芯驅動馬達旋轉時，使第2卷52的卷芯M旋轉，將卷繞於第1卷42的卷芯44的粘接片2拉出於第1卷42的外部。拉出的粘接片2，被引導至配置於移動式的平臺 36上的圓板狀的半導體晶片32、及按包圍半導體晶片來配置的晶片環34上。然後，由基材薄膜14、第1粘接著層12及第2粘接著層16所成的第2層疊體22 自剝離基材10被剝離。此時，自粘接片2的剝離基材10側接觸楔狀的部件64，剝離基材 10在部件64側彎曲成銳角。其結果，在剝離基材10與第2層疊體22之間，做出剝離起點。 進而，為更有效的做出剝離起點，在剝離基材10與第2層疊體22的界面吹送空氣。這樣進行，在剝離基材10與第2層疊體22之間，做出剝離起點後，如圖11(b)所示，按使第2粘接著層16緊貼於晶片環34、第1粘接著層12緊貼於半導體晶片32來進行第2層疊體22的貼合。此時，藉助輥68，使第2層疊體22壓粘於半導體晶片32及晶片環 34。其後，如圖11(c)所示，完成第2層疊體22在半導體晶片32及晶片環34上的貼合。通過上述工序，可使用自動化的步驟連續進行第2層疊體22對半導體晶片32的貼合。連續進行這樣的第2層疊體22對半導體晶片32的貼合操作的裝置，有例如琳得科 {^) ^rV >7 )股份有限公司制的RAD-2500(商品名)等。以這樣的步驟使第2層疊體22貼合於半導體晶片32時，通過使用粘接片2，可輕易做出剝離基材10與第2層疊體22之間的剝離起點(剝離基材10與第2粘接著層16之間的剝離起點)，能充分抑制剝離不良的產生。接著，對於藉助上述步驟貼合了第2層疊體22的半導體晶片32 [圖12(a)]，如圖 12(b)所示，以切割刀G切割成必要的尺寸，得到附有第1粘接著層12的半導體元件33。 這裡，進而可進行洗淨、乾燥等步驟。此時，藉助第1粘接著層12，半導體晶片32在基材薄膜14維持充分粘著，因此在上述各步驟中可充分抑制半導體晶片32或切割後的半導體元件33的脫落。接著，以放射線等高能量射線照射於第1粘接著層12，使第1粘接著層12的一部分進行聚合而硬化。這時，與照射高能量射線同時或照射後，為促進硬化反應的目的，進而可施行加熱。第1粘接著層12的高能量射線的照射，由基材薄膜14的未設置第1粘接著層12 側的面進行。因此，使用紫外線為高能量射線時，基材薄膜14需要為透光性。還有，使用電子線為高能量射線時，基材薄膜14不必為透光性。照射高能量射線後，如圖12(c)所示，例如利用抽氣夾套拾取應拾取的半導體元件33。這時，例如可藉助針杆等自基材薄膜14的下面將應拾取的半導體元件33堆上。通過使第1粘接著層12硬化，在拾取半導體元件33時，第1粘接著層12與基材薄膜14的界面容易發生剝離，成為第1粘接著層12粘附於半導體元件33的下面的狀態而被拾取。接著，如圖12(d)所示，將附有第1粘接著層12的半導體元件33，以第1粘接著層12為中介配置於搭載半導體元件用的支持部件71上，進行加熱。通過加熱發揮第1粘接著層12的粘接力，完成半導體元件33與搭載半導體元件用的支持部件71的粘接。其後，根據需要，經由引線接合步驟或封閉步驟等，製得半導體裝置。[半導體裝置]圖13為利用上述半導體裝置的製造方法，所製得的本發明的半導體元件的一個實施方式的模式截面圖。如圖13所示，半導體裝置100為，在成為搭載半導體元件用的支持部件的有機襯底70上，以第1粘接著層12為中介層疊兩個半導體元件33。另外，在有機襯底70上形成電路圖型74及接頭76，此電路圖型74與兩個半導體元件33，藉助引線接合78分別連接。 以封閉材料80使它們被封閉，形成半導體裝置100。此半導體裝置100，是利用上述本發明的半導體裝置的製造方法，使用粘接片2所製造而得的。以上就本發明的半導體裝置的製造方法及半導體裝置的適合的實施方式進行了詳細說明，但本發明並不限定於這些實施方式者。例如，上述半導體裝置的製造方法的實施方式，是就使用粘接片2的情況進行的說明，但也可使用粘接片1或粘接片3為粘接片。[粘接片]圖16為本發明的粘接片的第7實施方式的平面圖，圖17為圖16所示的粘接片 201沿圖16的All-All線切斷時的模式截面圖。如圖16及圖17所示，粘接片201具有將層疊剝離基材212、粘接層214、粘著層222、基材薄膜2M順次層疊的結構。另外，由粘接層 214、粘著層222及基材薄膜2M所成的粘著薄膜220所構成的層疊體210，被切成規定的平面形狀，部分性的層疊於剝離基材212上。進而，在剝離基材212上，沿著層疊體210的平面形狀的周邊，由連接於粘接層214側的面，於剝離基材212的厚度方向，形成第1切入部分D1。這裡，層疊體210的所述規定的平面形狀，只要是在剝離基材212上成為層疊體 210部分性層疊的狀態的形狀，則沒有特別的限制。層疊體210的所述規定的平面形狀，以與第1層疊體20的規定的平面形狀相同的平面形狀為宜。另外，粘接片201中，在剝離基材212中形成的第1切入部分Dl的切入深度dl，為小於剝離基材212的厚度，且為25 μ m以下。使用這樣的粘接片201時，自剝離基材212剝離層疊體210，以粘接層214為中介貼合於半導體晶片等被粘附體。就構成粘接片201的各層詳細說明如下。剝離基材212，在使用粘接片201時，擔負作為載體薄膜的任務。這樣的剝離基材 212，可使用例如與剝離基材10同樣的物質。另外，剝離基材212的與粘接層214連接側的面，以使用聚矽酮系剝離劑、氟系剝離劑、長鏈烷基丙烯酸酯系剝離劑等進行表面處理為宜。剝離基材212的厚度，在不損害使用時的操作性的範圍內可適當選擇，優選為10 500 μ m,更優選25 100 μ m,特別優選30 50 μ m。粘接層214中，可使用半導體晶片的粘接(接合)所使用的眾所周知的熱硬化性粘接劑、光硬化性粘接劑、熱塑性粘接劑或氧反應性粘接劑等。這些可單獨使用或兩種以上組合使用。所述熱塑性粘接劑，可使用具有熱塑性的樹脂，或者至少在未硬化狀態下具有熱塑性、加熱後形成交聯結構的樹脂。這樣的樹脂有，例如聚醯亞胺樹脂、聚醯胺樹脂、聚醚醯亞胺樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、聚酯樹脂、聚酯醯亞胺樹脂、苯氧樹脂、聚碸樹脂、聚醚碸樹脂、聚苯硫醚樹脂、聚醚酮樹脂等。另外，可使用含有官能性單體為單體單元的聚合物。此官能性單體的官能基有縮水甘油基、丙烯醯基、甲基丙烯醯基、羥基、羧基、三聚異氰酸酯基、 氨基、醯胺基等。更具體而言可以舉出，含丙烯酸縮水甘油酯或甲基丙烯酸縮水甘油酯等官能性單體為單體單元的含有縮水甘油基的(甲基)丙烯酸系共聚物等。還有，本發明中所謂(甲基)丙烯酸系共聚物，是指丙烯酸共聚物與甲基丙烯酸共聚物兩者。所述含有縮水甘油基的(甲基)丙烯酸系共聚物，可使用例如(甲基)丙烯酸酯共聚物、丙烯酸系橡膠等，優選丙烯酸系橡膠。丙烯酸系橡膠，是以丙烯酸酯為主成份，主要有由丙烯酸丁酯與丙烯腈等的共聚物、或丙烯酸乙酯與丙烯腈等的共聚物所成的橡膠。還有，含有縮水甘油基的(甲基)丙烯酸共聚物的具體例子有，例如，長瀨CHEMTEX股份有限公司制的HTR-860P-3(商品名)等。丙烯酸縮水甘油酯、甲基丙烯酸縮水甘油酯以外的所述官能性單體有例如(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丁酯等，這些可單獨或兩種以上組合使用。還有，本發明中，所謂(甲基)丙烯酸乙酯為丙烯酸乙酯或甲基丙烯酸乙酯兩者。所述熱硬化性粘接劑，只要是藉助熱而硬化具有粘接作用的熱硬化性樹脂，則沒有特別的限制，有例如具有縮水甘油基、丙烯醯基、甲基丙烯醯基、羥基、羧基、三聚異氰酸酯基、氨基、醯胺基等官能基的化合物，這些可單獨或兩種以上組合使用。更具體的有，例如環氧樹脂、丙烯酸系樹脂、矽樹脂、酚樹脂、熱硬化型聚醯亞胺樹脂、聚氨酯樹脂、三聚氰胺樹脂、尿素樹脂等。所述環氧樹脂，只要是進行硬化而具有粘接作用的物質，則沒有特別的限制。可使用例如，雙酚A型環氧樹脂等二官能環氧樹脂，苯酚酚醛型環氧樹脂或甲酚酚醛型環氧樹脂等酚醛型環氧樹脂等。另外，可使用多官能環氧樹脂、縮水甘油基胺型環氧樹脂、含雜環環氧樹脂或脂環式環氧樹脂等一般所知的物質。這些可單獨或兩種以上組合使用。使用環氧樹脂時，以使用環氧樹脂硬化劑為宜。環氧樹脂硬化劑，可使用通常所使用的眾所周知的硬化劑，有例如胺類，聚醯胺、酸酐、多硫化物、三氟化硼、二氰基二醯胺、雙酚A、雙酚F、雙酚S等一分子中具有兩個以上酚性羥基的雙酚類，苯酚酚醛樹脂、雙酚A酚醛樹脂或甲酚酚醛樹脂等酚樹脂等。這些環氧樹脂硬化劑，可單獨或兩種以上組合使用。粘接層214的厚度，以充分確保對搭載襯底的粘接性，並且不影響對半導體晶片的貼合操作及貼合後的切割操作的範圍為宜。從這樣的觀點而言，粘接層214的厚度優選 1 300 μ m，更優選5 150 μ m，特別優選10 100 μ m。厚度小於1 μ m時，有難以確保充分的晶片接合的粘接力的傾向。厚度超過300 μ m時，有產生對切割操作不良影響的不適情況的傾向。 粘著薄膜220是在基材薄膜2M上具備粘著層222的物質。
構成此粘著薄膜220的基材薄膜224，可使用與剝離基材212所使用的薄膜或薄片相同的物質。例如聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜等聚酯系薄膜，聚四氟乙烯薄膜、聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜、聚甲基戊烯薄膜、聚乙烯基乙酸酯薄膜等聚烯烴系薄膜，聚氯乙烯薄膜、聚醯亞胺薄膜等塑料薄膜等。進而，基材薄膜2M可以是這些薄膜2層以上層疊而得的物質。另外，基材薄膜224的厚度，優選為10 500 μ m，更優選25 100 μ m，特別優選 30 50μπι。構成粘著薄膜220的粘著層222，優選為藉助紫外線或放射線等高能量射線、或熱而硬化(粘著力降低)的物質，更優選藉助高能量射線硬化的物質，特別優選藉助紫外線而硬化的物質。構成這樣的粘著層222的粘著劑，一直以來有各種類型。以從中適當選擇使用藉助照射高能量射線，可降低對粘接層214的粘著力的物質為宜。所述粘著劑有，例如具有二醇基的化合物、異氰酸酯化合物、氨基甲酸酯(甲基) 丙烯酸酯化合物、二胺化合物、尿素甲基丙烯酸酯化合物、支鏈具有乙烯性不飽和基的高能量射線聚合性共聚物等。這些可單獨或兩種以上組合使用。粘著層222的厚度，優選為1 100 μ m,更優選2 20 μ m，特別優選3 10 μ m。 厚度小於Iym時，有難以確保充分的粘著力的傾向，在切割時半導體晶片有可能散落。厚度超過100 μ m時，粘接片201整體的厚度過厚，對被粘附體的貼合操作有更加困難的傾向。粘接片201具有如上所述的結構，是具備剝離基材212、粘接層214、粘著層22及基材薄膜2M的物質。此粘接片1中，在剝離基材212上，沿著由粘接層214和粘著層22和基材薄膜2M所成的層疊體210的平面形狀的周邊，由剝離基材212的接觸粘接層214側的面，於剝離基材212的厚度方向，形成第1切入部分Dl。此第1切入部分Dl的切入深度dl，為小於剝離基材212的厚度，且為25 μ m以下。 這裡，從獲得更良好的剝離性的觀點而言，切入深度dl，優選15 μ m以下，更優選 ομπι以下，特別優選5 μ m以下。這樣，切入深度dl越接近0 μ m越好，最好是大於0 μ m、並為0. 5 μ m 以下。藉助第1切入部分Dl的切入深度dl為上述的範圍，粘接片201中，可充分抑制粘接層214或粘著層222咬入第1切入部分Dl。因此，剝離基材212與粘接層214的界面不被密封，層疊體210容易自剝離基材212剝離，可充分抑制層疊體210貼合於被粘附體之際的剝離不良的產生。但是，以現行的預切裝置使切入深度接近於Ομπι時，裝置的調整與預先切斷步驟的實施需要很多的時間，生產效率有降低的傾向。因此，在平衡生產效率與抑制剝離不良的方面考慮，切入深度dl以5 15 μ m為宜。另外，以剝離基材212的厚度為a(ym)，粘接片201以(dl/a)的值滿足下述式(2) 的條件為宜。0< (dl/a)彡 0.7 ......(2)藉助所述(dl/a)的值滿足所述式( 的條件，可更充分抑制粘接層214或粘著層 222咬入第1切入部分D1，能更充分抑制剝離不良的產生。另外，從更充分獲得這樣的效果的觀點而言，所述式⑵中(dl/a)值的上限值，優選為0.5，更優選0.3，特別優選0.25，尤其優選0. 15，最優選0. 1。
還有所述切入深度dl，如上所述，是通過以電子顯微鏡觀測形成於剝離基材212 的切入部分Dl的深度的剖面，測定任意10點，取其平均值。從更充分抑制剝離不良的產生的觀點而言，任意10點測定的切入部分Dl的深度，以全部在上述範圍為宜。在此方面，對於後述的第2切入部分D2的深度d2也是相同的。〈第8實施方式〉圖18為本發明的粘接片的第8實施方式的平面圖，圖19為圖18所示的粘接片 202沿圖18的A12-A12線切斷時的模式截面圖。如圖18及圖19所示，粘接片202具有將剝離基材212、粘接層214、粘著層222、基材薄膜2M順次層疊的結構。另外，粘接層214被切成規定的第1平面形狀，部分性的層疊於剝離基材212上。在剝離基材212上，沿著粘接層214的第1平面形狀，由接觸粘接層214側的面，於剝離基材212的厚度方向，形成第1 切入部分Dl。另外，粘著層222，是按覆蓋粘接層214，且在粘接層214的周圍連接於剝離基材212來進行層疊。由粘著層222及基材薄膜2M所成的粘著薄膜220被切成規定的第2 平面形狀，在剝離基材212上，沿著粘著薄膜220的第2平面形狀的周邊，由接觸粘著層222 側的面，於剝離基材212的厚度方向，形成第2切入部分D2。在這樣的粘接片202中，形成於剝離基材212的第1切入部分Dl的切入深度dl、 及第2切入部分D2的切入深度d2，均為小於剝離基材212的厚度，且為25 μ m以下。這裡，從獲得更良好的剝離性的觀點而言，第1切入部分Dl的切入深度dl、及第2 切入部分D2的切入深度d2，分別優選為15 μ m以下，更優選10 μ m以下，特別優選5 μ m以下。這樣，切入深度dl及d2越接近ομπ 越好，最好是大於Ομπκ並為0.5μπ 以下。但是， 在平衡生產效率與抑制剝離不良的方面考慮，切入深度dl及d2以5 15 μ m為宜。另外，以剝離基材212的厚度為a(ym)時，粘接片202以(dl/a)的值滿足下述式 (2)的條件為宜。O < (dl/a)彡 0.7 ......(2)進而，以(d2/a)的值滿足下述式(3)的條件為宜。O < (d2/a)彡 0. 7 ......(3)藉助所述(dl/a)的值滿足所述式(2)的條件，可更充分抑制粘接層214或粘著層 222咬入第1切入部分D1，能更充分抑制剝離不良的產生。另外，藉助所述(d2/a)的值滿足所述式C3)的條件，可更充分抑制粘著層222咬入第2切入部分D2，能更充分抑制剝離不良的產生。從更充分獲得這些效果的觀點而言，所述式O)中(dl/a)值的上限值、及所述式(3)中(d2/a)值的上限值，優選為0.5，更優選0.3，特別優選0. 25，尤其優選0. 15，最優選 0. 1。粘接片202中，剝離基材212，粘接層214、粘著層222及基材薄膜224，可使用與所述第7實施方式的粘接片201中所說明的相同的物質。具有這樣結構的粘接片202，在切割半導體晶片之際使用晶片環的情況下，可使粘著層222緊貼於晶片環，能使切割操作容易進行。另外，粘接片202中，藉助剝離基材212的第1切入部分Dl的切入深度dl、及第2 切入部分D2的切入深度d2，分別為上述的範圍，可充分抑制粘接層214咬入第1切入部分 D1，並且，能充分抑制粘著層222咬入第2切入部分D2。因此，剝離基材212與粘接層214 的界面、及剝離基材212與粘著層222的界面不被密封，層疊體210可自剝離基材212輕易
27地剝離，能充分抑制層疊體210貼合於被粘附體之際的剝離不良的產生。圖20為本發明的粘接片的第9實施方式的平面圖，圖21為圖20所示的粘接片203 沿圖20的A13-A13線切斷時的模式截面圖。如圖20及圖21所示，粘接片203具有將剝離基材212、粘接層214、粘著層222、基材薄膜2M順次層疊的結構。另外，粘接層214被切成規定的平面形狀，部分性的層疊於剝離基材212上。在剝離基材212上，沿著粘接層214 的平面形狀的周邊，由接觸粘接層214側的面，於剝離基材212的厚度方向形成第1切入部分D1。另外，粘著層222及基材薄膜224，按覆蓋粘接層214，且在粘接層214的周圍，粘著層222接觸剝離基材212來進行層疊。這樣的粘接片203中，在剝離基材212上形成的第1切入部分Dl的切入深度dl， 為小於剝離基材212的厚度，且為25 μ m以下。這裡，從獲得更良好的剝離性的觀點而言，第1切入部分Dl的切入深度dl，優選 15 μ m以下，更優選10 μ m以下，特別優選5 μ m以下。這樣，切入深度dl越接近Oym越好， 最好是大於0 μ m、並為0. 5 μ m以下。但是，在平衡生產效率與抑制剝離不良的方面考慮，切入深度dl以5 15 μ m為宜。另外，粘接片203，以(dl/a)的值滿足下述式O)的條件為宜。0 < (dl/a) ^ 0. 7 ......O)藉助所述(dl/a)的值滿足所述式(2)的條件，可更充分抑制粘接層214或粘著層 222咬入第1切入部分D1，能更充分抑制剝離不良的產生。另外，從更充分獲得這樣的效果的觀點而言，所述式⑵中(dl/a)值的上限值，優選為0.5，更優選0.3，特別優選0.25，尤其優選0. 15，最優選0. 1。粘接片203中，剝離基材212、粘接層214、粘著層222及基材薄膜224，可使用與所述第7實施方式的粘接片201中所說明的相同的物質。粘接片203中，藉助剝離基材212的第1切入部分Dl的切入深度dl為上述範圍， 可充分抑制粘接層214咬入第1切入部分Dl。因此，剝離基材212與粘接層214的界面不被密封，層疊體210可自剝離基材212輕易地剝離，能充分抑制層疊體210貼合於被粘附體之際的剝離不良的產生。[粘接片的製造方法]對於為製造所述第7實施方式的粘接片201的、第10實施方式的粘接片201的製造方法，加以說明。粘接片201由包含下述步驟的製造方法製得在剝離基材212上，順次層疊粘接層 214、粘著層222及基材薄膜224的第1層疊步驟，和由基材薄膜224的與粘著層222接觸側為相反側的面切入到達剝離基材212，使粘接層214、粘著層222及基材薄膜2M切成規定的平面形狀，並於剝離基材212上形成第1切入部分的第1切斷步驟。這裡，第1切斷步驟中，第1切入部分Dl的切入深度dl為小於剝離基材212的厚度、且為25μπι以下。就各製造步驟詳細說明如下。第1層疊步驟中，首先，使構成粘接層214的材料溶解或分散於溶劑，作為形成粘接層用清漆，將其塗布於剝離基材212上後，通過加熱去除溶劑形成粘接層214。同樣地，使構成粘著層222的材料溶解或分散於溶劑，作為形成粘著層用清漆，將其塗布於基材薄膜 224上後，通過加熱去除溶劑形成粘著薄膜220。這裡，調製清漆所使用的所述溶劑，只要是能溶解或分散各構成材料的物質，則沒有特別的限制，考慮形成層之際的揮發性時，以使用例如甲醇、乙醇、2-甲氧基乙醇、2-乙氧基乙醇、2-丁氧基乙醇、甲乙酮、丙酮、甲異丁酮、甲苯、二甲苯等較低沸點的溶劑為宜。另外，為提高塗膜性的目的，可使用例如二甲基乙醯胺、二甲基甲醯胺、N-甲基吡咯烷酮、環己酮等較高沸點的溶劑。這些溶劑可單獨或兩種以上組合使用。還有，調成清漆後，可藉助真空脫氣等去除清漆中的氣泡。將清漆塗布於剝離基材212及基材薄膜2M的塗布方法，可使用眾所周知的方法， 例如刮刀塗布法、輥塗布法、噴霧塗布法、照相凹版塗布法、刮棒塗布法、幕式塗布法等。接著，使上述於剝離基材212上形成粘接層214的物質(以下稱為「粘接薄膜」)、 和於基材薄膜2M上形成粘著層222的物質(粘著薄膜220)貼合。由此，形成預先切斷前的粘接片(以下稱為「前體薄片」)，完成第1層疊步驟。這裡，粘接薄膜與粘著薄膜220的貼合，可藉助以往眾所周知的方法進行，例如可使用層壓機等進行。另外，前體薄片，可藉助下述的方法製得。即可採用塗布形成粘接層用清漆於剝離基材212上後，以加熱去除溶劑而形成粘接層214後，於此粘接層214上塗布形成粘著層用清漆，以加熱去除溶劑而形成粘著層222的方法；或將形成粘著層用清漆塗布於基材薄膜 224上後，以加熱去除溶劑而形成粘著層222後，於此粘著層222上塗布形成粘接層用清漆， 以加熱去除溶劑而形成粘接劑214的方法等。第1切斷步驟中，對如上所述製成的前體薄片，由基材薄膜224的與粘著層222接觸側為相反側的面切入到達剝離基材212，使由粘接層214、粘著層222及基材薄膜2M所成的層疊體210切成規定的平面形狀，並於剝離基材212上形成第1切入部分Dl。這裡，層疊體210的切斷，可使用與規定的平面形狀相應的預先切斷刀C來進行。此第1切斷步驟中，第1切入部分Dl的切入深度dl為小於剝離基材212的厚度、 且為25μπι以下。還有，從獲得具有更良好的剝離性的粘接片201的觀點而言，第1切入部分Dl的切入深度dl優選為15μπι以下，更優選IOym以下，特別優選5μπι以下。這樣，切入深度dl越接近0 μ m越好，最好是大於0 μ m、並為0. 5 μ m以下。但是，在平衡生產效率與抑制剝離不良的方面考慮，切入深度dl以5 15 μ m為宜。另外，第1切斷步驟中，以剝離基材212的厚度為a(ym)，(dl/a)的值以滿足所述式O)的條件為宜。0 < (dl/a) ^ 0. 7 ......O)由此，能獲得可更充分抑制剝離不良的產生的粘接片201。另外，從更充分獲得這樣效果的觀點而言，所述式O)中(dl/a)值的上限值，優選為0.5，更優選0.3，特別優選 0. 25，尤其優選0. 15，最優選0. 1。其後，根據需要剝離去除層疊體210的不要部分，得到粘接片201。〈第11實施方式〉對於為製造所述第8實施方式的粘接片202的、第11實施方式的粘接片202的製造方法，加以說明。粘接片202由包含下述步驟的製造方法製得在剝離基材212上層疊粘接層214 的第2層疊步驟，和由粘接層214的與剝離基材212接觸側為相反側的面切入到達剝離基材212，使粘接層214切成規定的第1平面形狀，並於剝離基材212上形成第1切入部分Dl 的第2切斷步驟，和在粘接層214上，按使粘著層222覆蓋粘接層214，且在粘接層214的周圍與剝離基材212接觸，來順次層疊粘著層222及基材薄膜224的第3層疊步驟，和由基材薄膜2M的與粘著層222接觸側為相反側的面切入達到剝離基材212，使基材薄膜2M及粘著層222切成規定的第2平面形狀，並於剝離基材212上形成第2切入部分D2的第3切斷步驟。這裡，第2切斷步驟中，第1切入部分Dl的切入深度dl為小於剝離基材212的厚度且為25 μ m以下。另外，第3切斷步驟中，第2切入部分D2的切入深度d2為小於剝離基材212的厚度，且為25 μ m以下。就各製造步驟詳細說明如下。第2層疊步驟中，使構成粘接層214的材料溶解或分散於溶劑，作為形成粘接層用清漆，將其塗布於剝離基材212上後，通過加熱去除溶劑而形成粘接層214。由此，製作成粘接薄膜，完成第2層疊步驟。第2切斷步驟中，在如上所述的製成的粘接薄膜上，由粘接層214的與剝離基材 212接觸側為相反側的面切入到達剝離基材212，使粘接層214切成規定的第1平面形狀， 並於剝離基材212上形成第1切入部分Dl。這裡，粘接層214的切斷，可使用與規定的第1平面形狀相應的預先切斷刀C來進行。此第2切斷步驟中，第1切入部分Dl的切入深度dl為小於剝離基材212的厚度， 且為25μπι以下。還有，從獲得具有更良好的剝離性的粘接層薄片202的觀點而言，第1切入部分Dl的切入深度dl優選為15μπι以下，更優選IOym以下，特別優選5μπι以下。這樣，切入深度dl越接近0 μ m越好，最好是大於0 μ m、並為0. 5 μ m以下。但是，在平衡生產效率與抑制剝離不良的方面考慮，切入深度dl以5 15 μ m為宜。另外，第2切斷步驟中，以剝離基材212的厚度為a(ym)，(dl/a)的值以滿足所述式O)的條件為宜。0 < (dl/a) ^ 0. 7 ......O)由此，能獲得可更充分抑制剝離不良的產生的粘接片202。另外，從更充分獲得這樣效果的觀點而言，所述式O)中(dl/a)值的上限值，優選為0.5，更優選0.3，特別優選 0. 25，尤其優選0. 15，最優選0. 1。其後，剝離去除粘接層214的不要部分，得到粘接薄膜。第3層疊步驟中，在藉助所述第2切斷步驟施行了預先切斷加工的粘接層214上， 按使粘著層222覆蓋粘接層214，且在粘接層214的周圍與剝離基材212接觸，來順次層疊粘著層222及基材薄膜224，製作成前體薄片。層疊，可採用例如以層壓機等，對在基材薄膜2M上形成粘著層222所成的粘著薄膜220進行貼合的方法；或在粘接層214上塗布形成粘著層用清漆，通過加熱去除溶劑形成粘著層222，於其上貼合基材薄膜224的方法等。
第3切斷步驟中，對如上所述的製成的前體薄片，由基材薄膜224的與粘著層222 接觸側為相反側的面切入到達剝離基材212，使由基材薄膜2M及粘著層222所成的粘著薄膜220切成規定的第2平面形狀，並在剝離基材212上形成第2切入部分D2。這裡，粘著薄膜220的切斷，可使用與規定的第2平面形狀相應的預先切斷刀C來進行。此第3切斷步驟中，第2切入部分D2的切入深度d2為小於剝離基材212的厚度， 且為25 μ m以下。還有，從獲得具有更良好的剝離性的粘接片202的觀點而言，第2切入部分D2的切入深度d2優選為15 μ m以下，更優選10 μ m以下，特別優選5 μ m以下。這樣，切入深度d2越接近0 μ m越好，最好是大於0 μ m、並為0. 5 μ m以下。但是，在平衡生產效率與抑制剝離不良的方面考慮，切入深度d2以5 15 μ m為宜。另外，第3切斷步驟中，以剝離基材212的厚度為m)，(d2/a)的值以滿足所述式(3)的條件為宜。0 f夂 々)股份有限公司制的RAD-2500(商品名)等。以這樣的步驟使層疊體210貼合於半導體晶片32時，藉助使用粘接片202，可輕易做出剝離基材212與層疊體210之間的剝離起點(剝離基材212與粘著層222之間的剝離起點、及剝離基材212與粘接層214之間的剝離起點)，能充分抑制剝離不良的產生。接著，對通過上述步驟所得的附有層疊體的半導體晶片進行切割，得到必要的尺寸的附有層疊體的半導體元件。這裡，可進行洗淨、乾燥等步驟。此時，藉助粘接層214及粘著層222，使半導體晶片32在層疊體210上維持充分粘著，因此在上述各步驟中可抑制半導體晶片32的脫落。接著，以放射線等高能量射線照射於層疊體210的粘著層222，粘著層222的一部分或大部分進行聚合硬化。這時，與照射高能量射線同時或照射後，為促進硬化反應，進而可施行加熱。對粘著層222的高能量射線的照射，是由基材薄膜224的未設置粘著層222側的面進行的。因此，使用紫外線作為高能量射線時，基材薄膜224需要為透光性。還有，使用電子線為高能量時，基材薄膜224，則不必為透光性。照射高能量射線後，例如利用抽氣夾套拾取應拾取的半導體元件。這時，例如也可利用針杆等自基材薄膜224的下面將應拾取的半導體元件推上。通過使粘著層222硬化， 使半導體元件與粘接層214之間的粘著力，比粘接層214與粘著層222之間的粘著力大，因此在進行半導體元件的拾取時，在粘接層214與粘著層222的界面產生剝離，粘接層214粘附於半導體元件下面狀態的附有粘接層的半導體元件被拾取。將此附有粘接層的半導體元件，以粘接層214為中介，配置於搭載半導體元件用的支持部件上，進行加熱。通過加熱發揮粘接層214的粘接力，完成半導體元件與搭載半導體元件用的支持部件的粘接。其後，根據需要，經由引線接合步驟或封閉步驟等，製得半導體裝置。[半導體裝置]圖23為利用上述半導體裝置的製造方法，所製得的本發明的半導體元件的一個實施方式的模式截面圖。如圖23所示，半導體裝置300為，在成為搭載半導體元件用的支持部件的有機襯底70上，層疊兩個由粘接層214及半導體元件72所成的附著粘接層的半導體元件。另外， 在有機襯底70上形成電路圖型74及接頭76，此電路圖型74與兩個半導體元件72，藉助引線78接合分別連接。以封閉材料80使它們封閉，形成半導體裝置300。此半導體裝置300，是利用上述本發明的半導體裝置的製造方法，使用粘接片202所製造而得的。以上，就本發明的半導體裝置的製造方法及半導體裝置的適合的實施方式進行了詳細說明，但本發明並不限定於這些實施方式。例如上述半導體裝置的製造方法的實施方式，是就使用粘接片202的情況進行的說明，但也可使用粘接片201或粘接片203為粘接片。還有，使用粘接片203時，使粘接片203的層疊體210貼合於半導體晶片32及晶片環 34後，將層疊體210的粘著薄膜220切成符合於晶片環34的直徑。進行操作的裝置，有例如日東制機股份有限公司制的PM-8500(商品名)等。實施例以下，基於實施例及比較例，對本發明進行具體說明，但本發明並不限定於下述的實施例。(合成例1)丙烯酸系聚合物的合成在具備攪拌器、滴液漏鬥、溫度計及冷凝管的500ml四口分離式燒瓶中，加入 126. Og的2-丁酮，以IOOml/分鐘的流量吹入氮氣同時升溫至80°C，保溫約30分鐘。其後， 溫度保持於80°C，同時於此2-丁酮中以4小時滴加入使0. 6g2，2-偶氮雙(異丁腈)溶解於14. 8g2- 丁酮、15. Og甲基丙烯酸、15. Og甲基丙烯酸甲酯及70. Og丙烯酸2-乙基己基酯的混合液而得的溶液，保溫2小時後，再以30分鐘滴加入使0. 06g2，2-偶氮雙(異丁腈)溶解於8. 5g2-丁酮而得的溶液，保溫5. 5小時。由此，得到重量分子量60，000(以凝膠滲透色譜法測定，使用標準聚苯乙烯標準曲線換算的值)，不揮發份40質量％丙烯酸系聚合物。(製造例1)粘著薄膜的製作向由合成例1合成的丙烯酸系聚合物100質量份、NK-酯BPE_200(商品名，新中村化學工業股份有限公司制)、2，2-雙甲基丙烯氧基乙氧基苯基)丙烷22. 05質量份、 及1-羥基環己基苯基酮0. 5質量份所成的組成物中，加入甲乙酮100質量份，攪拌混合，通過進行真空脫氣調製成形成粘著層用清漆。將此形成粘著層用清漆塗布於厚度75 μ m的經脫模處理的聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜上(帝人杜邦薄膜股份有限公司制，帝人皮優雷庫斯(〒4夕> 一 > 夕；^ )S31)，於100°C進行5分鐘加熱乾燥，形成厚度ΙΟμπι 的粘著層。由此，得到由PET薄膜與粘著層所成的粘著薄膜。[實施例1]首先，向作為環氧樹脂的YDCN_703(商品名，東都化成股份有限公司制，甲酚酚醛型環氧樹脂，環氧當量為220) 60質量份、及作為硬化劑的XLC-LL (商品名，三井化學股份有限公司制，酚苯二甲醇二甲基醚縮合物)40質量份中，加入環己酮1，500質量份，攪拌混合， 調製成第1清漆。接著，在此第1清漆中，加入作為偶合劑的NUC A-189(商品名，日本優尼卡股份有限公司制，Y-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷)1質量份，及NCU A-1160(商品名， 日本優尼卡股份有限公司制，Y -脲基丙基三乙氧基矽烷)1質量份，進而加入R972V(商品名，日本阿耶洛吉魯股份有限公司制，二氧化矽填料)，使佔有組成物的全體積中的比率為 10體積％，攪拌混合後，利用珠磨機進行分散處理，即調製成第2清漆。接著，向此第2清漆中，加入HTR-860-P3 (商品名，長瀨CHEMTEX斯股份有限公司制，含環氧基的丙烯酸系共聚物)250質量份、及作為硬化促進劑的丘爾若魯/一 > )2PZ-CN(商品名，四國化成股份有限公司制，1-氰基乙基-2-苯基咪唑)0. 5質量份，攪拌混合，即調製成形成粘接層用清漆。
將此形成粘接層用清漆塗布於厚度38μπι的經脫模處理的聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜上(帝人杜邦薄膜股份有限公司制，帝人皮優雷庫斯(f 4 7 > C -— >、、J 」 7 )A31)，於140°C進行5分鐘加熱乾燥，形成厚度ΙΟμπι的B階狀態的粘接層。由此，得到由PET薄膜(剝離基材)與粘接層所成的粘接薄膜。對於所得的粘接薄膜，調節為對剝離基材的切入深度可達10 μ m以下，進行 O210mm的圓形預先切斷加工(第1預先切斷加工)。其後，去除粘接層的不要部分，按使粘著層與粘接層接觸，以室溫、線壓lkg/cm、 速度0. 5m/分鐘的條件來貼合粘著薄膜。對於粘著薄膜，調節為對剝離基材的切入深度達 ΙΟμπι以下，進行與粘接層為同心圓狀的0^90mm的圓形預先切斷加工(第2預先切斷加工)，即製作成實施例1的粘接片。其中，對第1預先切斷加工的剝離基材切入深度的任意10點的測定結果，均為 ΙΟμπι以下，其平均值(dl)為8μπι。同樣的，對第2預先切斷加工的剝離基材切入深度的任意10點的測定結果，均為ΙΟμπι以下，其平均值(d2)為9μπι。這些切入深度的測定，是通過以電子顯微鏡觀測截面而進行的。[實施例2]除第1及第2的預先切斷加工，調節為對剝離基材的切入深度可達20 μ m以下而進行以外，與實施例1同樣的進行，製作成實施例2的粘接片。其中，對第1預先切斷加工的剝離基材切入深度的任意10點的測定結果，均為 20μπι以下，其平均值(dl)為15μπι。同樣的，第2預先切斷加工中，對剝離基材切入深度的任意10點的測定結果，均為20 μ m以下，其平均值(d2)為16μπι。[比較例1]除第1及第2的預先切斷加工，調節為對剝離基材的切入深度可達35 μ m以下而進行以外，與實施例1同樣的進行，製作成比較例1的粘接片。其中，對第1預先切斷加工的剝離基材切入深度的任意10點的測定結果，均為 25 35μπι的範圍內，其平均值(dl)為31μπι。同樣的，對第2預先切斷加工中的剝離基材切入深度的任意10點的測定結果，均為25 35 μ m的範圍內，其平均值(d2)為30 μ m。(剝離不良的評估)自實施例1 2及比較例1所得的粘接片的剝離基材上，將由粘接層及粘著薄膜所成的層疊體剝離之際的剝離不良，以下述方法進行評估。首先，準備實施例1 2及比較例1的粘接片各100個(在一個剝離基材上，形成100個由粘著薄膜與粘接層所成的層疊體的粘接片)。接著，使用琳得科(U7 )份有限公司制的晶片裝配裝置(RAD-2500)， 進行晶片的層壓試驗。此時晶片尺寸為Φ8時Q03mm)，厚度為150 μ m，層壓速度為35mm/ 秒。評估是以層疊體不能自剝離基材剝落、不能貼合於晶片的情況為剝離不良，求出相對於試驗數100個的剝離不良數。其結果如表1所示。[表1]
剝離不良數實施例10
3權利要求
1.半導體裝置的製造方法，其特徵為，包括對於按照剝離基材、粘接層、粘著層及基材薄膜的順序層疊所構成的、並且所述粘接層具有規定的第1平面形狀且部分性地形成於所述剝離基材上、所述粘著層層疊為其覆蓋所述粘接層且於所述粘接層的周圍與所述剝離基材接觸的粘接片，將由所述粘接層、所述粘著層及所述基材薄膜所成的層疊體從所述剝離基材上剝離，將所述層疊體以所述粘接層為中介貼合於半導體晶片，得到附有層疊體的半導體晶片的貼合步驟；通過切割所述附有層疊體的半導體晶片，得到規定尺寸的附有層疊體的半導體元件的切割步驟；以高能量射線照射所述層疊體的所述粘著層，使所述粘著層對於所述粘接層的粘著力降低後，將所述粘著層及所述基材薄膜從所述粘接層上剝離，得到附有粘接層的半導體元件的剝離步驟；將所述附有粘接層的半導體元件，以所述粘接層為中介粘接於半導體元件搭載用的支持部件的粘接步驟。
2.根據權利要求1所述的半導體裝置的製造方法，其中，所述剝離基材上，沿著所述第 1平面形狀的周邊，從與所述粘接層接觸的一側的面形成有第1切入部分，所述第1切入部分的切入深度為小於所述剝離基材的厚度，且為25 μ m以下。
3.根據權利要求2所述的半導體裝置的製造方法，其中，以所述剝離基材的厚度為 a( μ m)，以所述第1切入部分的切入深度為dl(ym)，(dl/a)的值滿足下述式(1)的條件，0 < (dl/a) ^ 0. 7 (1)。
4.根據權利要求2或3所述的半導體裝置的製造方法，其中，所述粘著層及所述基材薄膜具有規定的第2平面形狀，且部分性地形成於所述剝離基材上；所述剝離基材上，沿著所述第2平面形狀的周邊，從與所述粘著層接觸的一側的面形成有第2切入部分；所述第2切入部分的切入深度為小於所述剝離基材的厚度，且為25 μ m以下。
5.根據權利要求4所述的半導體裝置的製造方法，其中，以所述剝離基材的厚度為 a( μ m)，以所述第2切入部分的切入深度為d2(ym)，(d2/a)的值滿足下述式O)的條件，0 < (d2/a)彡 0. 7 (2)。
6.根據權利要求1至5的任一項所述的半導體裝置的製造方法，其中，所述粘接層具有與剝離所述剝離基材後所述粘接層應該貼合的被粘附體的平面形狀相符合的平面形狀。
7.根據權利要求1至6的任一項所述的半導體裝置的製造方法，其中，所述粘著層為， 對於剝離所述剝離基材後所述粘著層應該貼合的被粘附體和所述粘接層而言，於室溫下具有粘著力。
8.根據權利要求1至7的任一項所述的半導體裝置的製造方法，其中，所述粘著層為藉助高能量射線的照射，對於所述粘接層的粘著力降低。
9.半導體裝置，其特徵為，通過權利要求1至8的任一項所述的半導體裝置的製造方法而製造。
全文摘要
本發明是粘接片及其製造方法、以及半導體裝置的製造方法及半導體裝置。本發明半導體裝置製造方法包括貼合步驟，對於依次層疊剝離基材、粘接層、粘著層及基材薄膜構成的、粘接層有規定的第1平面形狀且部分性形成於剝離基材上、粘著層層疊為覆蓋粘接層且於其周圍與剝離基材接觸的粘接片，剝下由粘接層、粘著層及基材薄膜所成的層疊體，隔著粘接層貼於半導體晶片，得到附層疊體半導體晶片；切割步驟，切割附層疊體半導體晶片，得到規定尺寸附層疊體半導體元件；剝離步驟，以高能量射線照射粘著層，使其粘著力降低後，剝離粘著層及基材薄膜，得到附粘接層半導體元件；粘接步驟，將附粘接層半導體元件，隔著粘接層粘接於半導體元件搭載用支持部件。
文檔編號H01L21/58GK102176407SQ20111006046
公開日2011年9月7日 申請日期2005年9月30日 優先權日2004年10月14日
發明者古谷涼士, 增野道夫, 宇留野道生, 松崎隆行, 田中麻衣子, 稻田禎一 申請人:日立化成工業株式會社